JP2019129157A - 流路洗浄方法及び流路洗浄装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液を基板に供給するための流路を、確実に且つ短い時間で洗浄すること。【解決手段】基板Ｗにレジストなどの処理液を供給して処理を行うための当該処理液の流路２０Ａ、２０Ｂを洗浄液により洗浄する流路洗浄方法において、溶解度パラメータが前記処理液を構成する溶媒に近似するように、複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する混合工程と、前記処理液の流路２０Ａ、２０Ｂに前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、を実施する。それによって、処理液を流路へ供給する際に流路２０Ａ、２０Ｂに、処理液の溶媒に溶解する異物が残留することを防ぎ、これらの流路２０Ａ、２０Ｂを確実に且つ短い時間で洗浄することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、基板に処理液を供給するための流路を洗浄する技術分野に関する。

半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィでは、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）の表面に、各種の処理液が供給されて処理が行われる。この処理としては例えば、レジストをウエハに供給してレジスト膜を形成することが挙げられる。

そのようにレジストをウエハに供給する処理を行うレジスト供給装置について、当該装置を工場に設置して稼働させる前や、装置で用いるレジストの種類を変更する前に、レジストの流路に溶剤を供給し、流路の壁部に付着した異物である有機物を除去する洗浄が行われる。上記のレジストの流路は配管や当該配管に介設されるフィルタなどにより構成される。流路に付着する有機物は、例えば装置の組み立て時に周囲の環境から流路に混入したものであったり、変更前のレジストに含まれるものである。上記の洗浄によって、この有機物がパーティクルとなってウエハへのレジストの供給時に当該ウエハに付着し、欠陥が発生することを防ぐ。

ところで半導体デバイスの微細化に伴い、ウエハの欠陥に対して設定される基準が年々厳しくなっており、上記のように流路の洗浄を行っても、十分な洗浄効果が得られない場合が有る。また、上記の流路の洗浄は長時間、例えば数日に亘って行われる場合が有り、洗浄時間の短縮化が求められていた。なお、特許文献１には、フィルタが介設された配管に上流側から溶剤を圧送することで、フィルタ及び配管の異物を除去することについて記載されているが、より確実且つ速やかに異物を除去する技術が求められている。

特開２０１４−２２２７５６号公報

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その課題は、処理液を基板に供給するための流路を、確実に且つ短い時間で洗浄することができる技術を提供することである。

本発明の流路洗浄方法は、基板に処理液を供給して処理を行うための当該処理液の流路を洗浄液により洗浄する流路洗浄方法において、
溶解度パラメータが前記処理液を構成する溶媒に近似するように、複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する混合工程と、
前記処理液の流路に前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、
を備えることを特徴とする。

本発明の流路洗浄装置は、基板に処理液を供給して処理を行うための当該処理液の流路を洗浄液により洗浄する流路洗浄装置において、
溶解度パラメータが前記処理液を構成する溶媒に近似するように、複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する混合部と、
前記複数の溶剤を前記混合部に供給するための溶剤供給部と、
前記処理液の流路に前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄機構と、
を備えることを特徴とする。

本発明によれば、溶解度パラメータが基板の処理液を構成する溶媒に近似するように複数の溶剤を混合して洗浄液を生成し、この洗浄液によって処理液の流路を洗浄する。そのように洗浄を行うことにより、処理液の流路の異物を確実性高く、且つ比較的短い時間で除去することができる。

本発明に係る流路洗浄装置を含むレジスト塗布装置の構成図である。 溶解度パラメータについて説明するための説明図である。 レジストが通流される配管を示す模式図である。 レジストが通流される配管を示す模式図である。 前記レジスト塗布装置１に設けられる制御部のブロック図である。 溶剤の混合手法について述べるための説明図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記レジスト塗布装置における動作を示す作用図である。 前記制御部の他の構成を示す説明図である。 溶解度パラメータについて、溶剤と洗浄液とレジストの溶媒との関係を示すためのグラフ図である。 評価試験で用いる装置の構成図である。 評価試験の結果を示すグラフ図である。

図１は、本発明の流路洗浄装置を含む一実施の形態に係るレジスト塗布装置１を示している。レジスト塗布装置１は、ウエハＷの表面に処理液であるレジストを供給して、当該レジストを塗布してレジスト膜の形成を行う。レジストは２種類のうちから１種類が選択されてウエハＷに供給される。各レジストは溶媒として、溶剤を含んでいる。

そして、このレジスト塗布装置１では複数の溶剤を混合してシンナーである洗浄液を生成し、ウエハＷにレジストの塗布処理を行う前にレジストの流路に当該洗浄液を供給して、当該流路の洗浄を行う。洗浄液の生成に用いられる溶剤についてはレジストに関する情報に基づいてｍ種類（ｍは３以上の整数）の溶剤の中から、ｍ種類より少ないｎ種類（ｎは２以上の整数）の溶剤が選択される。具体的に、この処理例では２種類の溶剤が選択される。さらにその選択された溶剤について、体積比である混合比についても設定される。レジストに関する情報とは、この例ではレジストの溶媒の種類についての情報である。

上記の洗浄液として用いる溶剤の選択及び混合比の決定については、ハンセン（Hansen）の溶解度パラメータ（ＳＰ）に関して、洗浄液がレジストの溶媒と近似するように行われる。上記のハンセンの溶解度パラメータとは、溶剤の性質を表す指標の一つとして知られている。当該溶解度パラメータは、分散項、分極項及び水素結合項からなり、溶剤はこれら３つのパラメータ値を有しており、図２に示すように、その性質は合成ベクトル２００で規定することができる。

分散項は分子間の分散項に由来するエネルギー、分極項は分子間の極性力に由来するエネルギー、水素結合項は分子間の水素結合力に由来するエネルギーである。従って、溶解度パラメータを構成する分散項、分極項及び水素結合項が各々近いほど溶剤は、任意の物質に対して近い溶解性を示すことになる。各溶解度パラメータの求め方については、文献「Hansen Solubility Parameters」（著者：Hansen、Charles（2007）、発行元CRC Press）に記載されている。そして、各溶解度パラメータの値は、溶剤の分子構造が特定されれば一義的に決まる値である。なお、特に記載が無い限り本明細書において溶解度パラメータは、ハンセンの溶解度パラメータを指す。

この処理例では、溶解度パラメータのうち分極項及び水素結合項について、レジストの溶媒に近似する洗浄液が生成されるようにする。より具体的に述べると、ＸＹ座標系において、Ｘ軸に分極項、Ｙ軸に水素結合項を夫々設定したときの洗浄液の合成ベクトルについて、レジストの溶媒の合成ベクトルと近似させるように洗浄液を生成させる。さらに詳しく述べると、洗浄液の合成ベクトルの先端として表される座標が、レジストの溶媒の合成ベクトルの先端として表される座標に近接するように洗浄液を生成する。

そのように洗浄液を生成したときの作用効果を説明するために、先ず図３に本発明の比較例の処理について説明する。図３ではレジストの流路をなす配管を１０１とし、その縦断面を示している。背景技術の項目で説明したように、配管１０１には異物である有機物が付着する場合が有る。１０２、１０３は、互いに異なる種類の化合物によって構成される有機物である。図３（ａ）（ｂ）は、配管１０１にレジストを供給する前に１種類の溶剤、例えばガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）を供給することで、配管１０１内を洗浄する例を示している。当該ＧＢＬの溶解性について、例えば有機物１０２に対しては高く、有機物１０３に対しては低いものとすると、この洗浄処理によっては有機物１０２のみが除去され、有機物１０３が配管１０１に付着したまま残る。そして、この洗浄処理の後に配管１０１に供給されるレジストの溶媒について、有機物１０３に対する溶解性が高いとすると、図３（ｃ）に示すように、溶媒により有機物１０３が配管１０１から除去されてウエハＷにパーティクルとなって供給されてしまい、当該ウエハＷの欠陥となってしまう。

そこで、既述のようにレジストの情報に基づいて溶剤を混合し、レジストの溶剤に近い溶解度パラメータを持つように洗浄液を生成して、配管１０１に供給する（図４（ａ）（ｂ））。有機物１０３についてはレジストの溶媒に対する溶解性が高いため、洗浄液に対する溶解性についても高い。従って当該有機物１０３は、洗浄液に溶解され、配管１０１から除去される（図４（ｃ））。従って、レジストを配管１０１に供給したときに有機物１０３が残留した状態となることが抑制され、当該有機物１０３がウエハＷにパーティクルとして付着することが抑制される。

なお、図４では有機物１０２についても洗浄液によって除去されるように示されている。仮に洗浄液の有機物１０２に対する溶解性が低く、洗浄液の供給後も有機物１０２が配管１０１に付着したまま残ったとしても、洗浄液とレジストの溶剤は溶解性について近似するため、レジストを配管１０１に供給した際に有機物１０２は溶解せずに当該配管１０１に付着したまま残ることになる。従って、当該有機物１０２のウエハＷへの付着が抑制されることになる。

このレジスト塗布装置１では互いに異なる溶媒を備える２種類のレジストが用いられるため、各レジストに対応する２種類の洗浄液が生成される。図１に戻って、レジスト塗布装置１の構成について説明する。図中１１はウエハＷの裏面中央部を水平に保持するスピンチャックである。図中１２は回転機構であり、当該スピンチャック１１を回転させて、ウエハＷを垂直軸回りに回転させる。図中１３は、スピンチャック１１に載置されるウエハＷを囲むカップであり、ウエハＷから飛散した液を受け止める。図中１４は、カップ１３に開口する排液口である。図中１５Ａ、１５Ｂはレジスト供給ノズルであり、各々異なる種類のレジストを鉛直下方に吐出する。

ウエハＷの処理にはこの１５Ａ、１５Ｂのうちのいずれかのレジスト供給ノズルが使用され、各レジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂからレジストが、回転するウエハＷの中心部に供給される。遠心力により当該レジストが、ウエハＷの中心部から周縁部へと広がるスピンコートによって、ウエハＷの表面全体にレジスト膜が形成される。レジスト供給ノズル１５Ａから吐出されるレジストをレジストＡ、レジスト供給ノズル１５Ｂから吐出されるレジストをレジストＢとする。例えばレジストＡを構成する溶媒、レジストＢを構成する溶媒について、組成は互いに異なっている。なお、レジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂは、図示しない駆動機構に接続されており、カップ１３の外側の位置と、既述のようにウエハＷにレジストを供給するカップ１３内の位置との間で移動自在である。

レジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂには配管系２０が接続されており、以下、この配管系２０を構成する各要素について説明する。図中２１Ａ、２１Ｂは、レジスト供給配管であり、レジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂに夫々接続されている。これらのレジスト供給配管２１Ａ、２１Ｂは、上記の配管１０１に相当する。

レジスト供給配管２１Ａには、バルブＶ１、ポンプ２２Ａ、フィルタ２３Ａ、中間タンク２４Ａ、バルブＶ２が、上流側に向かってこの順に介設されている。レジスト供給ノズル１５Ａ、レジスト供給配管２１Ａ、バルブＶ１、ポンプ２２Ａ、フィルタ２３Ａ、中間タンク２４Ａ及びバルブＶ２は、レジストＡの流路２０Ａを構成する。レジスト供給配管２１Ｂには、バルブＶ３、ポンプ２２Ｂ、フィルタ２３Ｂ、中間タンク２４Ｂ、バルブＶ４が、上流側に向かってこの順に介設されている。レジスト供給ノズル１５Ｂ、レジスト供給配管２１Ｂ、バルブＶ３、ポンプ２２Ｂ、フィルタ２３Ｂ、中間タンク２４Ｂ及びバルブＶ４は、レジストＡの流路２０Ｂを構成する。

バルブＶ２、Ｖ４の上流側で、レジスト供給配管２１Ａ、２１Ｂは互いに合流して合流管２５をなし、合流管２５の上流側は分岐して、配管２６Ａ、２６Ｂとして形成されている。配管２６Ａの上流側はバルブＶ５を介して、レジストＡが貯留されるレジスト供給ボトル２７Ａに接続されている。このレジスト供給ボトル２７Ａに貯留されるレジストＡは、上記のポンプ２２Ａによりレジスト供給ノズル１５Ａに圧送される。このレジスト供給ボトル２７Ｂに貯留されるレジストＢは、上記のポンプ２２Ｂによりレジスト供給ノズル１５Ｂに圧送される。

レジスト供給ボトル２７ＡにはレジストＡが、レジスト供給ボトル２７ＢにはレジストＢが夫々貯留されている。レジスト供給ボトル２７Ａは貯留されたレジストＡをレジスト供給配管２１Ａ、合流管２５、レジスト供給配管２１Ａのポンプ２２Ａに供給することができる。ポンプ２２Ａの動作と各バルブの開閉動作により、レジスト供給ボトル２７Ａに貯留されるレジストＡは、レジスト供給ノズル１５Ａに供給される。ポンプ２２Ｂの動作と各バルブの開閉動作により、レジスト供給ボトル２７Ｂに貯留されるレジストＢは、レジスト供給ノズル１５Ｂに供給される。

合流管２５には配管２８の一端が接続され、配管２８の他端は既述した洗浄液が貯留される洗浄液タンク３１に接続されている。洗浄液タンク３１にはガス供給管３２の一端、排気管３３の一端、洗浄液供給管３４の一端が各々接続されている。ガス供給管３２の他端はＮ_２（窒素）ガスの供給源３５に接続されている。排気管３３の他端は、排気機構３６に接続されている。洗浄液供給管３４にはバルブＶ７が介設されている。Ｎ２ガス供給源３５から供給されるＮ_２ガスは洗浄液タンク３１内を加圧し、洗浄液タンク３１内に貯留された洗浄液を、合流管２５及びレジスト供給配管２１Ａ、２１Ｂを介してレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂへ供給する。排気機構３６は洗浄液タンク３１内を排気することで、そのようにレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂに向けて供給された洗浄液を洗浄液タンク３１内に戻すことができる。このように洗浄液が往復移動することで、レジストＡの流路２０Ａ及びレジストＢの流路２０Ｂが洗浄される。洗浄液タンク３１、Ｎ２ガス供給源３５及び排気機構３６により、洗浄機構が構成されている。

洗浄液供給管３４の上流側は例えば４つに分岐し、配管４１及び単一溶剤供給管４２〜４４を形成している。配管４１の上流側はバルブＶ１１を介して混合部４５に接続されている。混合部４５には、溶剤供給管５１〜５４の各下流端が接続されている。混合部４５はこれら溶剤供給管５１〜５４から供給された各溶剤が、例えば撹拌されて混合されるように構成されている。

溶剤供給管５１の上流側は、レジスト塗布装置１が設置される工場の溶剤供給路５５に接続されている。例えば当該溶剤供給路５５から溶剤供給管５１に、溶剤としてＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）が供給される。溶剤供給管５１には、この溶剤供給路５５から混合部４５への溶剤の給断及び流量調整が行えるように、バルブＶ２１、フィルタ５６Ａ、流量調整部（フローコントローラ）５７Ａ、バルブＶ２２がこの順に介設されている。

溶剤供給管５２の上流側は、バルブＶ２３、フィルタ５６Ｂ、流量調整部５７Ｂをこの順に介して、溶剤であるＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）が貯留された溶剤タンク６１Ｂに接続されている。溶剤供給管５３の上流側は、バルブＶ２４、フィルタ５６Ｃ、流量調整部５７Ｃをこの順に介して、溶剤であるシクロヘキサノンが貯留された溶剤タンク６１Ｃに接続されている。溶剤供給管５４の上流側は、バルブＶ２５、フィルタ５６Ｄ、流量調整部５７Ｄをこの順に介して、溶剤であるＧＢＬが貯留された溶剤タンク６１Ｄに接続されている。このように溶剤供給管５２〜５４に各々介設されたバルブ及び流量調整部により、各溶剤が貯留された溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄから混合部４５への溶剤の給断と、混合部４５へ調整される溶剤の流量の調整と、を行うことができる。各流量調整部５７Ａ〜５７Ｂは溶剤供給部をなし、下流側への溶剤の流量については、互いに独立して行うことができる。

また、溶剤供給管５２、５３、５４には、流量調整部５７Ｂ、５７Ｃ、５７Ｄの上流側に、上記の単一溶剤供給管４２、４３、４４の上流端が夫々接続されており、単一溶剤供給管４２、４３、４４にはバルブＶ３１、Ｖ３２、Ｖ３３が夫々介設されている。従って、溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄから混合部４５を介して洗浄液タンク３１に各溶剤を供給する状態と、混合部４５を迂回して洗浄液タンク３１に各溶剤を供給する状態とが互いに切り替えられるように構成されている。

溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄには、Ｎ２ガス供給管６２Ｂ、６２Ｃ、６２Ｄの下流端が夫々接続されている。当該Ｎ_２ガス供給管６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃの上流側から溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１ＤにＮ_２ガスが各々供給されることによって、これらの溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄは加圧される。そのように加圧されることで、溶剤供給管５２、５３、５４、洗浄液タンク３１及びレジストＡの流路２０Ａ、レジストＢの流路２０Ｂに各溶剤を供給することができる。Ｎ_２ガス供給管６２Ｂ、６２Ｃ、６２Ｄには、Ｎ_２ガスの溶剤タンク６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄへの給断を制御できるようにバルブＶ３１、Ｖ３２、Ｖ３３が夫々介設されている。なお、上記の配管系２０において、一部のバルブ及び、溶剤を貯留するために管路に介設されたタンクなどの構成要素については、図と説明の煩雑化を防ぐために省略している。

続いて、レジスト塗布装置１に設けられる制御部１０について、図５を参照しながら説明する。制御部１０は例えばコンピュータからなり、図中７１はバスである。バス７１には、各種の演算を行うＣＰＵ７２、プログラム格納部７３、入力部７４、メモリ７５、ワークメモリ７６が接続されている。プログラム格納部７３には、既述のレジストの流路の洗浄及びウエハＷへのレジストの塗布を行うことができるように命令（ステップ群）が組まれたプログラム７７が格納されている。

プログラム７７によって制御部１０からレジスト塗布装置１の各部に制御信号が出力される。それにより、レジスト塗布装置１の各部の動作が制御される。配管系２０に含まれる各バルブの開閉、各流量調整部による下流側への溶剤の流量調整、回転機構１２によるウエハＷの回転などの動作が、プログラム７７により制御される。また、プログラム７７は、後述する洗浄液として使用する溶剤の選択及び溶剤の混合比の算出についても行う。プログラム７７は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード及びＤＶＤなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部７３に格納される。

メモリ７５には、各種の溶剤についての水素結合項、分極項の値が記憶されている。この各種の溶剤には、レジスト塗布装置１で洗浄液を構成するＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノン、ＧＢＬの他に、レジストの溶媒を構成し得る各種の溶剤が含まれる。ワークメモリ７６は、メモリ７５に記憶された水素結合項及び分極項についての各値から、洗浄液として使用する溶剤及び溶剤の混合比を決定する演算を行うために用いられる。この演算の一例については後に詳述する。入力部７４は、マウス、キーボード、ボタンなどであり、例えばレジスト塗布装置１のオペレータが、レジストに関する情報を入力する。従って入力部７４は、当該情報を取得するための情報取得部として構成されている。また、オペレータが入力部７４から所定の操作を行うと、後述の洗浄処理が実行される。

上記のレジストの情報に基づいた、洗浄液を構成する溶剤の選択及び混合比の決定例について、図６を参照して説明する。ここでは説明を簡易にするために、洗浄液を構成する溶剤は、ＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノン及びＧＢＬのうち２つから選択されて洗浄液として混合されるものとして説明するが、ＰＧＭＥが含まれるように洗浄液を生成してもよい。図６はＸＹ座標系において、Ｘ軸に分極項を、Ｙ軸に水素結合項を夫々示したものであり、各軸の数値の単位は（Ｊ／ｃｍ^３）^０．５である。このＸＹ座標系において、レジストＡ、レジストＢ、ＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノン、ＧＢＬの溶解度パラメータを座標Ａ（Ａｘ、Ａｙ），座標Ｂ（Ｂｘ、Ｂｙ）、座標Ｃ（Ｃｘ、Ｃｙ）、座標Ｄ（Ｄｘ、Ｄｙ）、座標Ｅ（Ｅｘ、Ｅｙ）として夫々表している。

上記のようにレジストＡ、Ｂに対応する洗浄液が各々生成される。レジストＡに対応する洗浄液を洗浄液Ａ、レジストＢに対応する洗浄液を洗浄液Ｂとして説明する。先に、洗浄液Ａを生成するための２種類の溶剤の選択方法、及びその２種類の溶剤の混合比の決定方法について説明する。先ず、上記のＸＹ座標系において、座標Ａから座標Ｃ、座標Ｄ、座標Ｅまでの各々の距離を算出する。従って、座標ＡＣ間の距離＝{（Ａｘ−Ｃｘ）^２＋（Ａｙ−Ｃｙ）^２}^１／２、座標ＡＤ間の距離＝{（Ａｘ−Ｄｘ）^２＋（Ａｙ−Ｄｙ）^２}^１／２、座標ＡＥ間の距離＝{（Ａｘ−Ｅｘ）^２＋（Ａｙ−Ｅｙ）^２}^１／２を各々算出する。そして、算出されたこれら３つの距離のうち短い距離のものから順に２つを選び出す。その選び出した２つの座標間の距離について、各距離の算出に用いた座標の溶剤を、洗浄液Ａの生成に使用する溶剤として決定する。具体的に例えば、座標ＡＣ間の距離＞座標ＡＤ間の距離＞座標ＡＥ間の距離であれば、座標ＡＤ間の距離、座標ＡＥ間の距離が選び出される。そして、座標ＡＤ間の距離の算出に用いた座標Ｄに対応するシクロヘキサノン、座標ＡＥ間の距離の算出に用いた座標Ｅに対応するＧＢＬが、夫々洗浄液Ａを生成する溶剤として決定される。

そして、この選び出した２つの座標間の距離の比に対応するように、溶剤の混合比が決定される。選び出した座標間の距離を一の座標間の距離、他の座標間の距離とし、一の座標間の距離：他の座標間の距離＝Ｍ：Ｎであるとすると、
一の座標間に対応する溶剤の混合比率＝１００×Ｎ／（Ｍ＋Ｎ）％
他の座標間に対応する溶剤の混合比率＝１００×Ｍ／（Ｍ＋Ｎ）％として計算する。
具体的に、座標ＡＤ間の距離：座標ＡＥ間の距離＝３：４であるとすると、
座標ＡＤ間に対応する溶剤であるシクロヘキサノンの混合比率＝１００×４／（３＋４）％＝５７％
座標ＡＥ間に対応する溶剤であるＧＢＬの混合比率＝１００×３／（３＋４）％＝４３％として計算される。

洗浄液Ｂを生成するために使用する溶剤及び混合比についても、洗浄液Ａを生成するために使用する溶剤及び混合比と同様に決定される。従って、座標ＢＣ間の距離、座標ＢＤ間の距離、座標ＢＥ間の距離が各々算出され、距離が短いものから順に２つが選び出される。そして、選び出された距離の算出に用いられた座標の溶剤が、洗浄液Ｂを生成する溶剤とされる。例えば、座標ＢＥ間の距離＞座標ＢＤ間の距離＞座標ＢＣ間の距離とすると、座標Ｃ、座標Ｄに夫々対応するＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノンが洗浄液Ｂの生成に使用する溶剤として決定される。そして、座標ＢＣ間の距離：座標ＢＤ間の距離＝１：８である場合、下記のように混合比が計算される。このような溶剤の選択及び選択された溶剤の混合比の算出は、上記のプログラム７７によって行われる。
ＰＧＭＥＡの比率＝１００×８／（１＋８）％＝８９％
シクロヘキサノンの比率＝１００×１／（１＋８）％＝１１％

ところで説明の便宜上、レジストＡ、Ｂについて各々を構成する溶媒については１つの溶剤であるように説明してきたが、複数の溶剤によって構成されていてもよい。そのように溶媒が複数の溶剤により構成される場合は、レジストの情報として、例えば当該溶媒を構成する各溶剤の種類と、各溶剤の混合比とが例えば入力部７４から入力されることになる。そして、そのように入力されたデータと、メモリ７５に記憶された溶解度パラメータとに基づいて演算が行われ、上記のレジストＡの座標（Ａｘ、Ａｙ）、レジストＢの座標（Ｂｘ、Ｂｙ）が各々設定される。具体的には例えばレジストＡの溶媒が溶剤Ｆ（Ｆｘ、Ｆｙ）と、溶剤（Ｇｘ、Ｇｙ）との２種類が混合されたものであり、混合比が溶剤Ｆ：溶剤Ｇ＝Ｐ：Ｑとすると、下記の式１によってレジストＡの座標が算出される。溶媒が３種類以上の溶剤が混合されたものであっても同様の計算式で演算され、レジストＡの座標が設定される。つまり、３種類の溶剤が混合されている溶媒の場合には、３種類のうちの２種類が混合された混合溶剤の座標を下記の式１に当てはめて計算し、算出された混合溶剤の座標と３種類の溶剤のうちの残りの１種類の座標とを下記の式１に当てはめて計算すればよい。
Ａｘ＝（（Ｐ・Ｆｘ＋Ｑ・Ｇｘ）／（Ｐ＋Ｑ））、Ａｙ＝（Ｐ・Ｆｙ＋Ｑ・Ｇｙ）／（Ｐ＋Ｑ））・・・式１

続いて、上記のレジスト塗布装置１において、レジストの流路が洗浄される手順と、洗浄後にウエハＷの処理を行う手順とについて各管における液及びガスの流通状態を示す図７〜図１４を参照しながら説明する。図７〜図１４では液及びガスが流通している管について、液及びガスの流通が行われていない管に比べて太く示している。また、配管系２０におけるバルブは、後述するような洗浄処理とウエハＷへのレジスト塗布処理とが行われるように開閉状態が適宜切り替えられる。各図中において閉じているバルブについては、開いているバルブと区別するために斜線を付して示している。

先ず、オペレータがレジストＡ、レジストＢに関する情報を入力し、図６で説明したレジストＡに対応する座標Ａ及びレジストＢに対応する座標Ｂについて設定される。そして、オペレータが、入力部７４から洗浄処理を開始する所定の処理を行うと、図６で説明したように、レジストＡに対応する洗浄液Ａとして、シクロヘキサノン及びＧＢＬが使用されることが決定され、さらにこれらの溶剤の混合比についてシクロヘキサノン：ＧＢＬ＝５７％：４３％として決定される。また、レジストＢに対応する洗浄液Ｂとして、ＰＧＭＥＡ及びシクロヘキサノンが使用されることが決定され、さらにこれらの溶剤の混合比についてＰＧＭＥＡ：シクロヘキサノン＝８９％：１１％として決定される。

その後、例えば溶剤タンク６１Ｄが加圧され、溶剤タンク６１Ｄ内のＧＢＬが単一溶剤供給管４２、洗浄液タンク３１を順に介してレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂに圧送されて、これらレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂから排出される（図７）。それにより、レジストＡの流路２０Ａ及びレジストＢの流路２０Ｂが粗洗浄される（ステップＳ１）。

続いて、単一溶剤供給管４２へのＧＢＬの供給が停止し、溶剤タンク６１Ｃ及び溶剤タンク６１Ｄが加圧される状態となる。それにより、これらの溶剤タンク６１Ｃ、６１Ｄからシクロヘキサノン、ＧＢＬが混合部４５に夫々供給され、当該混合部４５にてこれらの溶剤が混合されて洗浄液Ａが生成される。流量調整部５７Ｃ、５７Ｄにより、シクロヘキサノンの混合部４５への供給流量：ＧＢＬの混合部４５への供給流量は、決定された混合比である５７：４３とされる。この洗浄液Ａは、混合部４５から洗浄液タンク３１に供給されて、貯留される（図８）。

然る後、溶剤タンク６１Ｃ、６１Ｄの加圧が停止し、混合部４５から洗浄液タンク３１への洗浄液Ａの供給が停止される。そして、洗浄液タンク３１内が加圧されることで、レジストＡの流路２０Ａにおいて洗浄液Ａが、レジスト供給ノズル１５Ａへと供給される（図９）。続いて、洗浄液タンク３１内の加圧が停止し、当該洗浄液タンク３１内が排気されることで、洗浄液タンク３１の下流側へ供給されている洗浄液Ａが洗浄液タンク３１に戻される。既述のように、このレジスト供給ノズル１５Ａへの洗浄液Ａの供給と、洗浄液タンク３１への洗浄液Ａの回収とが繰り返され、レジストＡの流路２０Ａが洗浄される（ステップＳ２）。

この洗浄について具体的に述べると、洗浄液Ａの溶解性がレジストＡの溶解性に近似しているため、図３で説明したようにレジストＡを供給したときに溶解する有機物が、当該洗浄液Ａに溶解し、レジストＡの流路２０Ａを構成する壁部から除去される。然る後、洗浄液タンク３１内が加圧され、洗浄液タンク３１内及び流路２０Ａにおける洗浄液Ａはレジスト供給ノズル１５Ａから排出されて除去される。従って、この洗浄液Ａに溶解した有機物についても、レジストＡの流路２０Ａから除去される。

その後、溶剤タンク６１Ｂ及び溶剤タンク６１Ｃが加圧される状態となり、これらの溶剤タンク６１Ｂ、６１ＣからＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノンが混合部４５に夫々供給され、当該混合部４５にてこれらの溶剤が混合されて洗浄液Ｂが生成される。流量調整部５７Ｂ、５７Ｃにより、ＰＧＭＥＡの混合部４５への供給流量：シクロヘキサノンの混合部への供給流量は、決定された混合比である８９：１１とされる。このように生成した洗浄液Ｂは、混合部４５から洗浄液タンク３１に供給されて、貯留される（図１０）。

然る後、混合部４５から洗浄液タンク３１への洗浄液Ｂの供給が停止し、洗浄液タンク３１内が加圧されることで、混合部４５から洗浄液タンク３１への洗浄液Ａの供給が停止される。そして、洗浄液タンク３１内が加圧されることで、レジストＢの流路２０Ｂにおいて洗浄液Ｂが、レジスト供給ノズル１５Ｂへと供給される（図１１）。

続いて、洗浄液タンク３１内の加圧が停止し、当該洗浄液タンク３１内が排気されることで、洗浄液タンク３１の下流側へ供給されている洗浄液Ｂが洗浄液タンク３１に戻される。このレジスト供給ノズル１５Ｂへの洗浄液Ｂの供給と、洗浄液タンク３１への洗浄液Ｂの回収とが繰り返され、レジストＢの流路２０Ｂが洗浄される。具体的に述べると、洗浄液Ｂの溶解性がレジストＢの溶解性に近似しているため、図３で説明したようにレジストＢを供給したときに溶解する有機物が、当該洗浄液Ｂに溶解し、レジストＢの流路２０Ｂを構成する壁部から除去される。然る後、洗浄液タンク３１内が加圧され、洗浄液タンク３１内及び流路２０Ｂにおける洗浄液Ｂはレジスト供給ノズル１５Ｂから排出されて除去される。従って、この洗浄液Ｂに溶解した有機物についても、レジストＢの流路２０Ｂから除去される。

然る後、溶剤タンク６１Ｂが加圧され、溶剤タンク６１Ｂ内のＰＥＧＭＥＡが単一溶剤供給管４２、洗浄液タンク３１を順に介してレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂに圧送される。そしてＰＥＭＥＡは、これらレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂから排出されて洗浄処理が終了する（図１２、ステップＳ４）。このようにＰＧＭＥＡをレジスト供給ノズル１５Ａ、１５Ｂから吐出するのは、このように吐出されるＰＧＭＥＡを作業員が取得し、検査を行うことにより洗浄が適切に行われたか否かを検査するためである。この検査で異常が無ければ、例えば装置のオペレータにより、ウエハＷへのレジスト塗布処理が開始されるように入力部７４から所定の操作が行われる。

然る後、ウエハＷが順次カップ１３内に搬送されてレジスト塗布処理が行われる。このレジスト塗布処理では、レジストＡがレジスト供給ボトル２７Ａから洗浄された流路２０Ａに供給され、レジスト供給ノズル１５Ａからスピンチャック１１に保持されて回転するウエハＷに吐出されて、スピンコートされる（図１３）。また、レジストＢがレジスト供給ボトル２７Ｂから洗浄された流路２０Ｂに供給され、レジスト供給ノズル１５Ｂから、スピンチャック１１に保持されて回転するウエハＷに吐出されて、スピンコートされる（図１４）。

このレジスト塗布装置１によれば、溶剤を混合し、ハンセンの溶解度パラメータについてレジストＡ、Ｂを構成する溶媒と近似するように洗浄液Ａ、Ｂを夫々生成している。そして、レジストＡ、レジストＢをレジストの流路２０Ａ、２０Ｂに夫々供給してレジスト塗布処理を行う前に、洗浄液Ａ、Ｂをレジストの流路２０Ａ、２０Ｂに夫々供給して洗浄処理を行う。従って、ウエハＷにレジストＡ、Ｂを供給して処理を行う際に、流路２０Ａ、２０Ｂに付着した異物がレジストＡ、Ｂの溶媒に溶解してウエハＷに供給されることが抑制される。結果として、ウエハＷに欠陥が発生することを抑制することができる。

さらに洗浄液Ａ，Ｂの溶解度は、レジストＡ、Ｂを構成する溶媒の溶解度と近似するため、レジストＡ，Ｂの供給時にレジストの流路２０Ａ、２０ＢからウエハＷに供給されてしまうおそれが有る異物を洗浄処理時に速やかに除去することができる。従って、洗浄に要する時間の短縮化を図ることができる。別の見方をすれば、洗浄を行う時間の不足により、ウエハＷに異物が付着してしまうリスクを低減させることができる。また、そのように短い時間で効率良く異物を除去することができるため、洗浄処理に用いる各溶剤の使用量の低減を図ることができる。

そしてレジスト塗布装置１によれば、洗浄液を構成する溶剤の選択を行い、さらに選択した溶剤の混合比が調整されることで、洗浄液の溶解度パラメータをレジストの溶媒の溶解度パラメータに、より近似させることができる。その結果として、より確実にレジストの流路２０Ａ、２０Ｂから異物を除去することができる。

なお、上記の粗洗浄を行うステップＳ１、洗浄後の状態を確認するステップＳ４について、使用する溶剤は上記の例には限られない。ところでレジスト供給配管２１Ａ、２１Ｂにパーティクルカウンタを設け、ステップＳ４が実行されるときには、制御部１０がこのパーティクルカウンタから送信される検出信号によって異物の数を検出すると共に閾値と比較できる構成としてもよい。従って上記のステップＳ４は、作業員による検査が行われることには限られない。

また、そのように制御部１０が異物の数を閾値と比較する構成とされた場合は、異物の数が閾値より低いと判定されると、洗浄処理が終了してウエハＷの処理が可能となり、異物の数が閾値以上であると判定されると、例えばステップＳ２以降の動作が再度実行され、洗浄処理が継続されるようにしてもよい。つまり、洗浄処理の開始から洗浄処理の終了までの動作が自動で実行されるような構成とすることができる。また、上記のように異物の数が閾値より低いと判定されてウエハＷの処理が可能となったときには、制御部１０がスピンチャック１１へのウエハＷの搬送を行う搬送機構に制御信号を出力し、自動でウエハＷへのレジスト塗布処理が行われるようにしてもよい。このようにレジスト塗布装置１については、洗浄処理の開始からウエハＷへの処理が終了するまでの間の一連の処理が、自動で実施されるように構成することができる。

既述の例では各溶剤の溶解度パラメータ及びレジストの溶媒の溶解度パラメータに基づいて演算を行い、洗浄液として使用する溶剤を選択し、さらに選択された溶剤の混合比を決定しているが、そのように溶剤の選択及び混合比を決定することには限られない。図１５は、レジスト塗布装置１に設けられる制御部の他の構成例である制御部１０Ａを示している。制御部１０Ａにおける制御部１０との差異点としては、テーブルが記憶された記憶部７８が、バス７１に接続されて設けられていることが挙げられる。このテーブルについては、上記の混合部４５に供給されて洗浄液を生成し得るＧＢＬ、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノンの各々の混合比と、その混合比で混合したときに生成する洗浄液についての水素結合項及び分極項との対応について規定したものである。つまり、各溶剤の混合比が互いに異なる洗浄液と、当該洗浄液の溶解パラメータとの対応関係について記憶されている。

このように制御部１０Ａが構成される場合、レジストに関する情報が取得され、当該情報に含まれる溶剤の種類及び溶剤の混合比に関する情報からレジストの溶媒における水素結合項及び分極項の各値が取得されると、記憶部７８のテーブルから、水素結合項と分極項との各々が、取得されたレジストの溶媒の水素結合項、分極項と最も近い溶剤の混合比が選び出される。そして、そのように選び出された混合比に基づいて、混合部４５へ供給される各溶剤の流量が調整されることで、洗浄液が生成されて洗浄が行われる。

上記のテーブルにおいては、ＧＢＬ、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、シクロヘキサノンの混合比について様々に設定されているが、そのように設定された混合比には、これらの４種類の溶剤のうちの１つまたは２つについて混合比率が０％とされた混合比が含まれている。つまり、このテーブルは上記の４種類の溶剤のうち、４種類、３種類あるいは２種類が選択されて混合される場合が有るように設定されている。つまり、ｍ種類（ｍは３以上の整数）の溶剤のうち、ｍ種類より少ないｎ種類（ｎは２以上の整数）の溶剤が選択される場合が有るように構成されている。従って、このテーブルは、取得したレジストに関する情報に基づき、ｍ種類（ｍは３以上の整数）の前記溶剤からｎ種類以下の前記溶剤を選択するために予め設定された第１のデータ、及び取得したレジストに関する情報に基づき、前記複数の溶剤の混合比を決定するために予め設定された第２のデータに相当する。なお、上記のような溶剤の選択が行われず、４種類の溶剤についての混合比のみが、レジストの溶媒に応じて変化するように、記憶部７８のテーブルが設定されていてもよい。また使用する溶剤の種類のみがレジストの溶媒に応じて変化し、溶剤の混合比については溶剤の種類に応じて変化しないようにテーブルを設定してもよい。つまりテーブルは第１のデータ、第２のデータの一方のみを含むように構成されていてもよい。

なお、図５、図６で説明したように制御部１０が、各溶剤の溶解度パラメータの座標に基づいた演算により使用する溶剤を選択する場合も、選択する溶剤は２種類に限られない。例えば上記の４種類の溶剤の座標について、レジストの溶媒の座標に近い座標を持つ３種類を選び出し、混合してもよい。また、制御部１０が混合比を各溶剤の溶解度パラメータに応じて設定する例を示したが、そのような混合比の設定を行わず、洗浄液を構成する溶剤の選択が行われたら、選択された溶剤について予め設定された比率で混合部４５に供給されて洗浄液が生成されるようにしてもよい。具体的には、例えば各溶剤の洗浄液に占める比率が互いに等しくなるように各溶剤が混合部４５に供給されて洗浄液が生成するようにしてもよい。

ところで、制御部１０または１０Ａを構成するメモリには、例えばレジストの種別を特定する情報と、当該レジストに対応する洗浄液を構成する溶剤の組み合わせとが互いに対応付けられて、複数ずつ記憶されるように構成されていてもよい。レジストの種別を特定する情報とは、具体的には例えばレジストの製品名であったり、所定のＩＤ番号などである。そして、オペレータがレジストの種別を特定する情報を入力すると、この情報に対応する洗浄液を構成する溶剤の組み合わせが選び出され、当該組み合わせの溶剤が混合部４５に供給されて洗浄液が生成されるようにしてもよい。つまり、制御部１０、１０Ａが取得するレジストに関する情報としては、上記の例のようなレジストの溶媒の溶解度パラメータを特定するための情報であることには限られない。また、制御部１０、１０Ａがそのようなレジストに関する情報を取得せず、レジスト塗布処理で使用するレジストに応じて装置のオペレータが手動で装置を操作することで、このレジストに対応する２種類以上の溶剤が混合部４５に供給されて洗浄液が生成され、レジストの流路２０Ａ、２０Ｂに供給されるようにしてもよい。

ところで、レジストの溶媒に近似するように洗浄液が生成されることについて詳しく述べる。２次元の座標系において、洗浄液の生成に用いる個々の溶剤の溶解度パラメータの座標、洗浄液の溶解度パラメータの座標、レジストの溶媒の溶解度パラメータの座標を夫々表すものとする。そして、溶剤の座標とレジストの溶媒の座標とについての各距離＞洗浄液の座標とレジストの座標との距離である場合には、レジストの溶媒の溶解度パラメータに対して近似する溶解度パラメータを有する洗浄液が生成されたものとする。

具体的に図１６を参照して説明する。この図１６では既述の分極項をＸ軸、水素結合項をＹ軸にとったＸＹ座標系で、溶剤１の座標と、溶剤２の座標と、溶剤１，２を混合して生成した洗浄液の座標と、レジストの溶媒の座標とを示している。図１６に示す例では、溶剤１の座標とレジストの溶媒の座標との距離Ｌ１及び溶剤２の座標とレジストの溶媒の座標との距離Ｌ２よりも洗浄液の座標とレジストの溶媒の座標との距離Ｌ３の方が小さい。従って、溶解度パラメータについて、レジストの溶媒に近似するように複数の溶剤が混合されて洗浄液が生成されたことになる。なお、この洗浄液の座標としては、複数の溶剤が混合されてなるレジストの溶媒の座標を求める場合と同様、既述した式１によって、個々の溶剤の座標から算出することができる。また、上記の距離Ｌ３については、６［（Ｊ／ｃｍ^３）^０．５］以下であることが好ましく、３［（Ｊ／ｃｍ^３）^０．５］以下であることがより好ましい。さらに、上記のように二次元の座標系で各溶剤の座標、レジストの溶媒の座標及び洗浄液の座標について既述の関係が成り立てばよい。従って、Ｘ軸、Ｙ軸については上記のように分極項、水素結合項として設定されることには限られず、Ｘ軸、Ｙ軸の一方については、分散項として設定されてもよい。

上記の処理液としてはレジストに限られない。例えば、絶縁膜形成用の薬液、反射防止膜形成用の薬液や接着剤を供給するための流路について、本発明を用いて洗浄することができる。また、上記のレジスト塗布装置１については、レジストＡ、Ｂが貯留されたレジスト供給ボトル２７Ａ、２７Ｂが設けられない構成とされてもよい。つまり、ウエハＷへのレジスト処理が行われず、流路２０Ａ、２０Ｂの洗浄のみを行う流路洗浄装置として装置が構成されていてもよい。そして、当該流路洗浄装置で洗浄された流路２０Ａ、２０Ｂを、レジストＡ、レジストＢを用いて処理を行うレジスト塗布装置に取り付け、当該レジスト塗布装置でレジスト塗布処理を行ってもよい。つまり、流路の洗浄を行う装置は、基板の処理を行う基板処理装置に組み込まれることに限定されない。
ところで、溶解度パラメータが処理液を構成する溶媒に近似するように複数の溶剤を混合するにあたり、当該溶解度パラメータとしてはハンセンの溶解度パラメータであるものとして説明してきたが、ハンセンの溶解度パラメータには限られない。例えばヒルデブラント（Hildebrand）、Fedors、Van Krevelen、HoyまたはSmallなどの溶解度パラメータについて、処理液を構成する溶媒に近似するように複数の溶剤を混合して洗浄液を生成するようにしてもよい。
また、本発明は既述した実施形態に限られず、各実施形態は適宜変更したり、互いに組み合わせたりすることができる。

（評価試験）
続いて、本発明に関連して行われた評価試験１について説明する。図１７は、この評価試験で用いた実験装置の概略構成を示している。レジスト供給ノズル１５Ａが下流側に接続され、レジストが貯留されるレジスト供給ボトル２７Ａが上流側に接続され、バルブＶ１、ポンプ２２Ａ及びフィルタ２３Ａが介設されたレジスト供給配管２１Ａを備えている。この実験装置のレジスト供給配管２１Ａについては、配管本体１７と、この配管本体１７に介設され、且つ配管本体１７に対して着脱自在な検査用配管１８と、によって構成される。

配管本体１７から取り外した状態の複数の検査用配管１８内に、溶剤を各々通流させて洗浄処理を行った。そして各検査用配管１８の洗浄処理後は、洗浄済みの検査用配管１８を配管本体１７に接続し、検査用配管１８の洗浄に用いた溶剤を配管本体１７内に通流することで、さらに洗浄処理を行った。この洗浄処理中、レジスト供給ノズル１５Ａから吐出されてウエハＷに付着するパーティクルの数を計測し、当該パーティクルの数が基準値である８個よりも小さくなった時点を基準時として、洗浄処理を終了する。この基準時の後に４日間、ウエハＷにレジストを供給して成膜処理を行い、各日の午前、午後に処理されたウエハＷに付着したパーティクルの数を測定した。なお、パーティクルについては、８０μｍ以上のものを計測対象とした。上記の検査用配管１８の洗浄処理については、溶剤１１Ａを供給するか、溶剤１１Ａとは異なる種類の溶剤１２Ａを供給するか、あるいは溶剤１１Ａ及び溶剤１２Ａをこの順番で供給することにより行った。溶剤１１Ａで洗浄した検査用配管１８を使用して行った試験を評価試験１−１、溶剤１２Ａで洗浄した検査用配管１８を使用して行った試験を評価試験１−２、溶剤１１Ａ、溶剤１２Ａの順で洗浄した検査用配管１８を使用して行った試験を評価試験１−３とする。

図１８のグラフは、この評価試験１の結果を示している。グラフの横軸はパーティクルを測定したタイミングを示し、グラフの縦軸は計測されたパーティクル数を示している。１種類の溶剤で洗浄を行った評価試験１−１、１−２では成膜処理を開始してから時間が経つにつれて計測されるパーティクルが増加し、評価試験１−１では３日目以降、評価試験１−２では２日目以降、夫々基準値を超えた。それに対して２種類の溶剤で洗浄を行った評価試験１−３では、測定期間中に計測されたパーティクル数は、基準値より小さい。従って、検査用配管１８には溶剤１１Ａ，溶剤１２Ａに対して各々異なる溶解性を持つ異物が付着しており、評価試験１−１，１−２では洗浄処理により異物が除去しきれず、レジストの供給時に当該異物がレジストの溶媒により溶解して、レジスト供給ノズル１５ＡからウエハＷに吐出されたことが考えられる。このような結果から、配管に付着する異物を確実に除去するためには、単一の溶剤を用いて洗浄を行うよりも、上記の実施形態のように溶解度パラメータについてレジストの溶媒に近似する洗浄液を用いて洗浄を行うことが有効であることが推定される。

Ｗ ウエハ
１ レジスト塗布装置
１０ 制御部
１１ スピンチャック
１５Ａ、１５Ｂ レジスト供給ノズル
２０ 配管系
３１ 溶剤タンク
４５ 混合器
５７Ａ〜５７Ｄ 流量調整部

Claims (16)

1. 基板に処理液を供給して処理を行うための当該処理液の流路を洗浄液により洗浄する流路洗浄方法において、
   溶解度パラメータが前記処理液を構成する溶媒に近似するように、複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する混合工程と、
   前記処理液の流路に前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄工程と、
   を備えることを特徴とする流路洗浄方法。
2. 前記混合工程は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいて行われることを特徴とする請求項１記載の流路洗浄方法。
3. 前記混合工程は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいて、ｍ種類（ｍは３以上の整数）の前記溶剤からｍ種類より少ないｎ種類（ｎは２以上の整数）の溶剤を選択する溶剤選択工程と、
   前記選択した溶剤を混合して前記洗浄液を生成する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項２記載の流路洗浄方法。
4. 前記混合工程は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいて、前記複数の各溶剤の混合比を決定する混合比決定工程と、
   決定した混合比で溶剤を混合して前記洗浄液を生成する工程と、
   を含むことを特徴とする請求項２または３記載の流路洗浄方法。
5. 前記溶剤選択工程または前記混合比決定工程は、
   前記溶解度パラメータに含まれる分極項の大きさをＸ軸、前記溶解度パラメータに含まれる水素結合項の大きさをＹ軸に夫々とったときの各溶剤の座標と、前記処理液の溶媒の座標と、に基づいて行われることを特徴とする請求項３または４記載の流路洗浄方法。
6. 前記処理液に関する情報を取得する工程が含まれ、
   取得した処理液に関する情報に基づきｍ種類（ｍは３以上の整数）の前記溶剤からｎ種類以下の前記溶剤を選択するために予め設定された第１のデータに基づいて、前記ｎ種類（ｎは２以上の整数）の溶剤を混合して、前記洗浄液を生成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の流路洗浄方法。
7. 前記処理液に関する情報を取得する工程が含まれ、
   取得した処理液に関する情報に基づき前記複数の溶剤の混合比を決定するために予め設定された第２のデータに基づいて、前記複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する工程を含むことを特徴とする請求項１または６記載の流路洗浄方法。
8. 前記溶解度パラメータは、ハンセンの溶解度パラメータであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の流路洗浄方法。
9. 基板に処理液を供給して処理を行うための当該処理液の流路を洗浄液により洗浄する流路洗浄装置において、
   溶解度パラメータが前記処理液を構成する溶媒に近似するように、複数の溶剤を混合して前記洗浄液を生成する混合部と、
   前記複数の溶剤を前記混合部に供給するための溶剤供給部と、
   前記処理液の流路に前記洗浄液を供給して洗浄する洗浄機構と、
   を備えることを特徴とする流路洗浄装置。
10. 前記処理液の溶媒についての溶解度パラメータを特定するための情報を取得する制御部が設けられ、
    前記制御部は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいて、前記混合部において各溶剤の混合が行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項９記載の流路洗浄装置。
11. 前記溶剤供給部は、ｍ種類（ｍは３以上の整数）の溶剤を前記混合部に各々独立して供給することができるように構成され、
    前記制御部は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいて、前記溶剤供給部から前記混合部にｍ種類より少ないｎ種類（ｎは２以上の整数）の前記溶剤が選択されて供給されるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１０記載の流路洗浄装置。
12. 前記制御部は、前記処理液の溶媒についての前記溶解度パラメータと、前記複数の溶剤の各々についての前記溶解度パラメータと、に基づいた混合比で前記複数の溶剤が混合されるように、制御信号を出力して前記混合部への前記複数の溶剤の供給を制御することを特徴とする請求項１０または１１に記載の流路洗浄装置。
13. 前記混合部への溶剤の供給は、
    前記溶解度パラメータに含まれる分極項の大きさをＸ軸、前記溶解度パラメータに含まれる水素結合項の大きさをＹ軸に夫々とったときの各溶剤の座標と、前記処理液の溶媒の座標と、に基づいて行われることを特徴とする請求項１１または１２記載の流路洗浄装置。
14. 前記処理液に関する情報を取得するための情報取得部と、
    取得した処理液に関する情報に基づき、ｍ種類（ｍは３以上の整数）の前記溶剤からｎ種類以下の前記溶剤を選択するために予め設定された第１のデータが記憶される記憶部と、
    選択された前記ｎ種類（ｎは２以上の整数）の溶剤が前記混合部へ供給されるように制御信号を出力する制御部と、
    を含むことを特徴とする請求項９記載の流路洗浄装置。
15. 前記処理液に関する情報を取得するための情報取得部と、
    取得した処理液に関する情報に基づいて前記複数の溶剤の混合比を決定するために、予め設定された第２のデータが記憶される記憶部と、
    決定された混合比に従って前記複数の溶剤が前記混合部に供給されて混合されるように制御信号を出力する制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項９または１４記載の流路洗浄装置。
16. 前記溶解度パラメータは、ハンセンの溶解度パラメータであることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれか一つに記載の流路洗浄装置。

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