JP2019120665A - ガス検出器用光源、ガス検出器 - Google Patents
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Abstract
【課題】波長可変半導体レーザを用いたガス検出器用光源において、消費電力を削減する。【解決手段】VCSELチップとMEMSチップとを接合したMEMS−VCSEL半導体レーザと、MEMS−VCSEL半導体レーザを収容する密封容器と、を備え、密封容器が熱電素子を実装していないことを特徴とするガス検出器用光源。【選択図】図1
Description
本発明は、光の吸収量を測定することによりガス漏洩を検出するガス検出器およびガス検出器用の光源に関する。
ガス漏洩を検出するガス検出器として、特許文献4に記載されているように、波長可変半導体レーザを用いた分光分析技術によるガス検出器が知られている。
分光分析技術によるガス検出器では、光の吸収量を測定することによりガス濃度を求めるため、所望のガス検出のためには特定の吸収スペクトルを取得する必要がある。この吸収スペクトルは、波長可変半導体レーザ(レーザダイオード)の発振波長を掃引することにより得ることができる。
従来のレーザダイオードの波長可変幅は数nmであったが、近年、MEMS技術を適用して、より広波長範囲な波長可変半導体レーザが開発されている。
図8は、広波長範囲な波長可変半導体レーザを用いたガス検出器用光源300を示す図である。本図に示すように、ガス検出器用光源300は、波長可変半導体レーザとしてMEMS−VCSEL半導体レーザ310を用いている。MEMS−VCSEL310は、半面発光型半導体レーザ(half−VCSEL)チップ311にMEMSチップ312を接合した構造であり、例えば、特許文献2、特許文献3に記載された構成とすることができる。
MEMS−VCSEL半導体レーザ310は、セラミック等の基板320に実装される。基板320には、温度センサ392も実装されている。基板320は、TEC素子(ThermoElectric Cooler:ペルチェ素子)330に実装される。MEMS−VCSEL半導体レーザ310は、VCSELドライバ370、MEMSドライバ380により制御される。
TEC素子330は、温度制御ユニット390に接続される。温度制御ユニット390には、温度センサ392も接続される。温度制御ユニット390は、温度センサ392の測定値に基づいて、基板320の温度が一定になるようにTEC素子330を制御する。
TEC素子330は、光半導体用ステム340に実装される。光半導体用ステム340にTEC素子330、基板320、温度センサ392、MEMS−VCSEL半導体レーザ310が実装された状態で、キャップ式の密封容器350で覆われる。なお、TEC素子330は密封容器350の外側に実装してもよい。
波長可変半導体レーザの発振波長は温度により変化することから、従来から、波長可変半導体レーザを用いる場合は、温度制御することが前提となっており、TEC素子330は必須の構成として扱われている。
しかし、TEC素子330は、消費電力が大きく電力効率が悪いという問題がある。このため、例えば、ガス検知器を電池駆動する場合に駆動時間の制約要因となっていた。
そこで、本発明は、波長可変半導体レーザを用いたガス検出器用光源において、消費電力を削減することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第1の態様であるガス検出器用光源は、VCSELチップとMEMSチップとを接合したMEMS−VCSEL半導体レーザと、前記MEMS−VCSEL半導体レーザを収容する密封容器と、を備え、前記密封容器がTEC素子等の熱電素子を実装していないことを特徴とする。
ここで、前記VCSELチップを駆動して出力パワーを制御するVCSELドライバと、前記MEMSチップを駆動して発振波長を制御するMEMSドライバと、をさらに備えることができる。
上記課題を解決するため、本発明の第2の態様であるガス検出器は、上述のガス検出器用光源を備えたことを特徴とする。
ここで、下限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅と、上限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅との共通波長可変幅に、測定帯域を収めることができる。
ここで、前記VCSELチップを駆動して出力パワーを制御するVCSELドライバと、前記MEMSチップを駆動して発振波長を制御するMEMSドライバと、をさらに備えることができる。
上記課題を解決するため、本発明の第2の態様であるガス検出器は、上述のガス検出器用光源を備えたことを特徴とする。
ここで、下限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅と、上限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅との共通波長可変幅に、測定帯域を収めることができる。
本発明によれば、波長可変半導体レーザを用いたガス検出器用光源において、消費電力を削減することができる。
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態のガス検出器用光源100の構成を示す図である。
本図に示すように、ガス検出器用光源100は、波長可変半導体レーザとしてMEMS−VCSEL半導体レーザ110を用いている。MEMS−VCSEL110は、半面発光型半導体レーザ(half−VCSEL)チップ111にMEMSチップ112を接合した構造である。MEMS−VCSEL半導体レーザ110は、VCSELドライバ180、MEMSドライバ190により制御される。
VCSELドライバ180は、半導体レーザの出力パワーを電流制御し、MEMSドライバ190は、半導体レーザの発振波長を電圧制御して掃引を行なう。すなわち、MEMS−VCSEL半導体レーザ110は、出力パワーと発振波長とを独立に制御することができる。このため、出力パワーの一定制御を容易に行なうことができる。
MEMS−VCSEL半導体レーザ110は、セラミック等の基板120に直接実装される。基板120は、光半導体用ステム130に実装される。光半導体用ステム130に基板120、MEMS−VCSEL半導体レーザ110が実装された状態で、キャップ式の密封容器140で覆われる。
本図に示すように、本実施形態のガス検出器用光源100は、TEC素子等の温度制御用の熱電素子を備えていない。このため、波長可変半導体レーザを用いたガス検出器用光源において、消費電力を削減することができる。なお、熱電素子を備えていないことから、温度センサ、温度制御ユニットも不要である。ただし、MEMS−VCSEL半導体レーザ110の温度特性に基づく補正等を行なう場合には温度センサを設けてもよい。
ガス検出器用光源100を用いたガス検出器200は、例えば、図2に示すような構成とすることができる。本図において、光源100から出射した光は、ビームスプリッタ210によって3つに分割され、1本は、測定対象の漏洩ガス220を通ってから第1光検出器230に入射し、1本は、メタン等の特定のガスを封入した波長校正ガスセル250を通って第2光検出器240に入射する。第2光検出器240の検出信号には特定の封入ガスに起因する吸収ピークが生じるため、そのピークにより波長校正が可能である。残りの1本は、光強度参照用として第3光検出器260に直接入射する。
各レーザ光強度は、第1光検出器230、第2光検出器240、第3光検出器260中の回路によって電気信号に変換された後、計算機上で吸収スペクトルに変換され、多変量解析手法等によって濃度が計算される。
図3は、MEMS−VCSEL半導体レーザ110の構造例を示す図である。MEMS−VCSEL半導体レーザ110は、片面に多層反射膜113を形成した半面発光型半導体レーザ(half−VCSEL)チップ111に、静電力駆動のMEMSチップ112を接合した構造となっている。
MEMSチップ112の可動反射膜部114はシリコンメンブレン構造となっており、回折損失を避けるための凹面形状の誘電体多層反射膜115が形成されている。MEMSドライバ190により、可動反射膜部114を駆動し、光共振器長を変化させることで、レーザ波長を広域に高速掃引することができる。
本実施形態において、MEMS−VCSEL半導体レーザ110は、50nmを超える広可変波長幅を有している。このため、環境温度の変化により発振波長が変化しても、所望のガスの吸収線を取得できるように波長可変範囲を広帯域に設定することができる。
典型的なレーザ発振波長の温度特性は、0.1nm/℃程度であるため、一般にレーザが発光する上限である60℃程度から氷点下の−50℃までの波長可変幅のシフト量は単純計算で11nm程度である。さらに、高温になるにつれて特に短波長側において波長可変幅が狭まり、かつ全体が長波長側にシフトする。
しかし、本実施形態のガス検出器用光源100は、図4に示すように、上下限温度における共通波長可変幅に所望の測定帯域が収まるように可変波長幅を設定することで、−50℃〜60℃の範囲のどのような温度であっても、吸収ピークλ1を外さずに測定を行なうことが可能となる。もちろん、対象とする温度範囲は実際の状況に合わせて任意に設定することができる。
すなわち、本実施形態のガス検出器用光源100では、温度制御による波長の安定化の必要がなくなる。したがって、TEC素子等の消費電力が大きい熱電素子が不要となり、消費電力を削減することができる。例えば、小型TEC素子を省くことにより、7W程度(2A×3.5V)程度の電力削減を見込むことができる。これにより、例えば、電池式の長時間駆動型のガス検出器を実現可能となり、ポータブル化や無線化が促進される。
図5は、本実施形態の第1変形例であるガス検出器用光源101の構成を示す図である。上述のガス検出器用光源100と同一の部位については同一の符号を付している。
第1変形例であるガス検出器用光源101は、光半導体用ステム130の部品実装面側が凸型に形成されており、凸型の盛上がり部分に基板120が直接実装されている。
図6は、本実施形態の第2変形例であるガス検出器用光源102の構成を示す図である。第2変形例であるガス検出器用光源102は、光半導体用ステム130と基板120との間にスペーサ150が実装されている。
図7は、本実施形態の第3変形例であるガス検出器用光源103の構成を示す図である。第3変形例であるガス検出器用光源103は、光半導体用ステム130にスペーサ150が実装され、スペーサ150にMEMS−VCSEL半導体レーザ110と基板120とが実装されている。
100…ガス検出器用光源、101…ガス検出器用光源、102…ガス検出器用光源、103…ガス検出器用光源、110…MEMS−VCSEL半導体レーザ、111…半面発光型半導体レーザ(half−VCSEL)チップ、112…MEMSチップ、113…多層反射膜、114…可動反射膜部、115…誘電体多層反射膜、120…基板、130…光半導体用ステム、140…密封容器、150…スペーサ、180…VCSELドライバ、190…MEMSドライバ、200…ガス検出器、210…ビームスプリッタ、220…漏洩ガス、230…第1光検出器、240…第2光検出器、250…波長校正ガスセル、260…第3光検出器
Claims (4)
- VCSELチップとMEMSチップとを接合したMEMS−VCSEL半導体レーザと、
前記MEMS−VCSEL半導体レーザを収容する密封容器と、を備え、
前記密封容器が熱電素子を実装していないことを特徴とするガス検出器用光源。 - 前記VCSELチップを駆動して出力パワーを制御するVCSELドライバと、
前記MEMSチップを駆動して発振波長を制御するMEMSドライバと、をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のガス検出器用光源。 - 請求項1または2に記載のガス検出器用光源を備えたことを特徴とするガス検出器。
- 下限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅と、上限基準温度における前記MEMS−VCSEL半導体レーザの波長可変幅との共通波長可変幅に、測定帯域が収まっていることを特徴とする請求項3に記載のガス検出器。
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