JP2019119897A5 - - Google Patents

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Claims (11)

  1. ガスを収容するガス容器と、
    前記ガス容器から導入された前記ガスと、前記ガスを希釈するキャリアガスとを混合して、希釈ガスとして収容する希釈容器と、
    前記ガスと前記キャリアガスとを異なるタイミングで前記希釈容器に導入する導入部と
    前記希釈容器の内部の圧力を計測する圧力計と
    を備え、
    前記導入部は、
    前記圧力計の計測結果に基づいて、前記希釈容器の内部での前記希釈ガスの全圧を所定全圧値に設定して、前記希釈容器の内部での前記希釈ガスの全圧によって前記ガスを移動する力を確保し、
    前記ガスと前記キャリアガスとが混合されて、前記希釈ガスの全圧が前記所定全圧値に設定された後に、前記希釈ガスを前記希釈容器から放出する、気体供給装置。
  2. 前記ガス容器は、前記ガスとしての原料ガスを収容し、
    前記原料ガスは、化学反応によって物質を生成する気体である、請求項1に記載の気体供給装置。
  3. 複数の前記ガス容器と、
    前記複数のガス容器にそれぞれ対応する複数の前記希釈容器と、
    前記複数の希釈容器にそれぞれ対応する複数の前記導入部と
    が備えられ、
    前記複数のガス容器は、それぞれ、互いに異なる複数の前記ガスを収容し、
    前記希釈容器の各々は、前記対応するガス容器から導入された前記ガスと、前記キャリアガスとを混合して、前記希釈ガスとして収容し、
    前記導入部の各々は、
    前記ガスと前記キャリアガスとを異なるタイミングで前記対応する希釈容器に導入し、
    前記ガスと前記キャリアガスとが混合された後に、前記希釈ガスを前記対応する希釈容器から放出する、請求項1又は請求項2に記載の気体供給装置。
  4. 前記ガス容器に対応する複数の前記希釈容器が備えられ、
    前記希釈容器の各々は、前記ガス容器から導入された前記ガスと、前記キャリアガスとを混合して、前記希釈ガスとして収容し、
    前記導入部は、
    前記複数の希釈容器のそれぞれに割り当てられた異なる複数の時間帯において、前記希釈容器ごとに、前記ガスと前記キャリアガスとを異なるタイミングで前記希釈容器に導入し、
    前記希釈容器ごとに、前記ガスと前記キャリアガスとが混合された後に、前記希釈ガスを前記希釈容器から放出する、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  5. 複数の前記ガス容器が備えられ、
    前記複数のガス容器は、それぞれ、互いに異なる複数の前記ガスを収容し、
    前記希釈容器は、前記複数のガス容器から導入された前記複数のガスと、前記キャリアガスとを混合して、前記希釈ガスとして収容し、
    前記導入部は、
    前記複数のガスを異なるタイミングで前記希釈容器に導入し、
    前記複数のガスと前記キャリアガスとが混合された後に、前記希釈ガスを前記希釈容器から放出する、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  6. 前記希釈容器の気体収容空間の容積を変更する容積変更部をさらに備え、
    前記気体収容空間は、気体を収容可能な空間であり、
    前記容積変更部は、前記希釈容器の内部に配置され、前記容積変更部の大きさを変更して、前記気体収容空間の容積を変更する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  7. 前記希釈容器の温度を制御する第1温度制御部と、
    前記ガス容器の温度を制御する第温度制御部と
    をさらに備える、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  8. 前記導入部が放出した前記希釈ガスの流量を制御する流量制御部をさらに備える、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  9. 前記希釈容器の内部の温度を計測する温度計をさらに備える、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  10. 前記導入部は、前記キャリアガスと前記ガスと前記希釈ガスとがそれぞれ異なるタイミングで通る管を含み、
    前記管は、真空ポンプに接続され、
    前記導入部は、
    前記真空ポンプによる排気後に、前記ガス容器から前記管を経由して、前記ガスを前記希釈容器に導入し、
    前記真空ポンプによる排気後に、前記管を経由して、前記キャリアガスを前記希釈容器に導入し、
    前記真空ポンプによる排気後に、前記希釈容器から前記管を経由して、前記希釈ガスを放出する、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の気体供給装置。
  11. 前記導入部は、前記希釈容器から、気相成長装置のチャンバーに前記希釈ガスを供給し、
    前記気相成長装置では、物質を基板上に形成している期間の一部又は全部において、前記チャンバーの内部から外部への前記ガスの流出が遮断される、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の気体供給装置。
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