JP2019118063A - 半導体装置及びテスト方法 - Google Patents
半導体装置及びテスト方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019118063A JP2019118063A JP2017252234A JP2017252234A JP2019118063A JP 2019118063 A JP2019118063 A JP 2019118063A JP 2017252234 A JP2017252234 A JP 2017252234A JP 2017252234 A JP2017252234 A JP 2017252234A JP 2019118063 A JP2019118063 A JP 2019118063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase difference
- signal
- current
- voltage
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 106
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 20
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
- H03L7/089—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
- H03L7/0891—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump
- H03L7/0895—Details of the current generators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/02—Measuring characteristics of individual pulses, e.g. deviation from pulse flatness, rise time or duration
- G01R29/023—Measuring pulse width
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
- H03L7/089—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31725—Timing aspects, e.g. clock distribution, skew, propagation delay
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
[通常動作:スペクトラム拡散無し]
先ず、位相誤差補正回路20のレジスタ202には、製造バラツキ等に伴い位相差電圧PVに生じる誤差を無くす為にノードL1に供給する補正電流Icrを生成する為の第2の電流源選択情報(B1〜Bn)が、電源投入に応じて保持される。尚、通常動作時には、通常モードを指定する例えば接地電位を有する動作モード信号MODが外部端子T3に供給される。
[通常動作:スペクトラム拡散有り]
上記した通常動作時において、半導体ICチップに含まれる制御部からスペクトラム拡散の実行を促すスペクトラム拡散指令信号SSIが供給されると、位相誤差補正回路20は、以下の処理を行う。
[位相誤差補正回路20のテスト]
図5は、PLL回路100を含む半導体ICチップ200に対して製品出荷前のテストを行う為のテストシステム300の構成を示すブロック図である。
12 チャージポンプ回路
13 ループフィルタ
14 VCO
20 位相誤差補正回路
200 半導体ICチップ
204 セレクタ
250 テスタ
GC1〜GCn 電流源
SW1〜SWn スイッチ素子
Claims (5)
- 基準信号に同期した発振信号を生成するPLL回路を含む半導体装置であって、
第1及び第2の外部端子を含み、
前記PLL回路は、
前記基準信号と前記発振信号との位相差を検出し、前記位相差を2値で表す位相差信号を生成する位相比較部と、
前記位相差信号を、当該位相差信号によって表される前記位相差に対応した電圧値を有する位相差電圧に変換して位相差電圧ノードに印加する電圧変換部と、
前記位相差電圧に応じた周波数を有する信号を前記発振信号として生成する発振部と、
前記位相差電圧を補正する補正電流を前記位相差電圧ノードに供給する補正回路と、を有し、
前記位相比較部は、前記位相差信号を前記第1の外部端子を介して出力し、
前記補正回路は、前記第2の外部端子がテスト制御信号を受けた場合には前記テスト制御信号に応じた電流を生成しこれを前記補正電流として前記位相差電圧ノードに供給することを特徴とする半導体装置。 - 前記位相比較部は、前記位相差に対応したパルス幅を有するパルスを含む信号を前記位相差信号として生成し、
前記電圧変換部は、前記位相差信号に含まれるパルスのパルス幅に対応した期間に亘り前記位相差電圧ノードに電流を流すことにより前記位相差電圧ノードに前記位相差電圧を生成するチャージポンプ回路であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 通常モード又はテストモードを示す動作モード信号を受ける第3の外部端子を含み、
前記補正回路は、
第1〜第n(nは2以上の整数)の電流を生成する第1〜第nの電流源と、
前記第1〜第nの電流源のうちで前記テスト制御信号によって指定された電流源を示す第1の電流源選択情報が保持される第1のレジスタと、
前記第1〜第nの電流源のうちで使用する電流源を示す第2の電流源選択情報が保持される第2のレジスタと、
前記動作モード信号が前記通常モードを示す場合には、前記第1〜第nの電流源のうちで前記第2の電流源選択情報で示される電流源で生成された電流同士を合成した電流を前記補正電流として前記位相差電圧ノードに供給し、前記動作モード信号が前記テストモードを示す場合には、前記第1〜第nの電流源のうちで前記第1の電流源選択情報で示される電流源で生成された電流同士を合成した電流を前記補正電流として前記位相差電圧ノードに供給する電流選択部と、を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記補正回路は、
スペクトラム拡散指令に応じて、前記第1〜第nの電流源のうちで使用する電流源の数を時間経過につれて増加又は減少させる第3の電流源選択情報を生成するスペクトラム拡散制御部を含み、
前記電流選択部は、前記スペクトラム拡散指令を受けた場合には、前記第1〜第nの電流源のうちで前記第3の電流源選択情報で示される数の電流源で生成された電流同士を合成した電流を前記補正電流として前記位相差電圧ノードに供給することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 第1及び第2の外部端子と、
基準信号と発振信号との位相差を検出し、前記位相差を2値で表す位相差信号を生成すると共に前記位相差信号を前記第1の外部端子に供給する位相比較部と、前記位相差信号を、当該位相差信号によって表される前記位相差に対応した電圧値を有する位相差電圧に変換して位相差電圧ノードに印加する電圧変換部と、前記位相差電圧に応じた周波数を有する信号を前記発振信号として生成する発振部と、前記位相差電圧を補正する補正電流を前記位相差電圧ノードに供給し、前記第2の外部端子でテスト制御信号を受けた場合には前記テスト制御信号に応じた電流を生成しこれを前記補正電流として前記位相差電圧ノードに供給する補正回路と、を含むPLL回路と、を有する半導体装置をテストするテスト方法であって、
前記テスト制御信号を前記半導体装置の前記第2の外部端子に供給する第1のステップと、
前記半導体装置の前記第1の外部端子から出力された前記位相差信号を取り込む第2のステップと、
前記位相差信号のパルス幅が規定範囲内に含まれるか否かを判定する第3のステップと、
前記位相差信号のパルス幅が前記規定範囲内に含まれると判定された場合には前記補正回路が正常であることを表し、前記位相差信号のパルス幅が前記規定範囲内に含まれていないと判定された場合には前記補正回路が不良であることを表すテスト結果を得る第4のステップと、を有することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017252234A JP7041512B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置及びテスト方法 |
US16/232,529 US10483991B2 (en) | 2017-12-27 | 2018-12-26 | Semiconductor device and test method |
CN201811609813.5A CN110011661B (zh) | 2017-12-27 | 2018-12-27 | 半导体装置和测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017252234A JP7041512B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置及びテスト方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019118063A true JP2019118063A (ja) | 2019-07-18 |
JP7041512B2 JP7041512B2 (ja) | 2022-03-24 |
Family
ID=66950780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017252234A Active JP7041512B2 (ja) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | 半導体装置及びテスト方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10483991B2 (ja) |
JP (1) | JP7041512B2 (ja) |
CN (1) | CN110011661B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220153172A (ko) * | 2021-05-10 | 2022-11-18 | 삼성전자주식회사 | 위상 고정 루프 및 위상 고정 루프의 동작 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347935A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Yokogawa Electric Corp | Pll回路 |
JP2005260866A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Works Ltd | フラクショナルn周波数シンセサイザ装置 |
JP2008530955A (ja) * | 2006-01-26 | 2008-08-07 | アバゴ・テクノロジーズ・ユーエス・インコーポレイテッド | 電圧制御発振器のためのフィードバックシステム内のオフセット補正 |
JP2011232159A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその測定方法 |
JP2012129789A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Pll回路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3199626B2 (ja) | 1996-01-30 | 2001-08-20 | 三菱電機株式会社 | 携帯無線機およびid−romキャップ |
JPH11191270A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Pll回路 |
JP2012010308A (ja) * | 2010-05-24 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | リファレンスリークの発生や位相ノイズを低減できるpll回路 |
US8638173B2 (en) * | 2011-11-15 | 2014-01-28 | Qualcomm Incorporated | System and method of calibrating a phase-locked loop while maintaining lock |
US8723566B1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-13 | Cadence Ams Design India Private Limited | Correcting for offset-errors in a PLL/DLL |
US9705512B1 (en) * | 2016-09-20 | 2017-07-11 | Realtek Semiconductor Corporation | Self-calibrating fractional-N phase lock loop and method thereof |
-
2017
- 2017-12-27 JP JP2017252234A patent/JP7041512B2/ja active Active
-
2018
- 2018-12-26 US US16/232,529 patent/US10483991B2/en active Active
- 2018-12-27 CN CN201811609813.5A patent/CN110011661B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347935A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Yokogawa Electric Corp | Pll回路 |
JP2005260866A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Works Ltd | フラクショナルn周波数シンセサイザ装置 |
JP2008530955A (ja) * | 2006-01-26 | 2008-08-07 | アバゴ・テクノロジーズ・ユーエス・インコーポレイテッド | 電圧制御発振器のためのフィードバックシステム内のオフセット補正 |
JP2011232159A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置及びその測定方法 |
JP2012129789A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Pll回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190199362A1 (en) | 2019-06-27 |
CN110011661A (zh) | 2019-07-12 |
US10483991B2 (en) | 2019-11-19 |
CN110011661B (zh) | 2023-11-28 |
JP7041512B2 (ja) | 2022-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100039078A1 (en) | Load fluctuation correction circuit, electronic device, testing device, and load fluctuation correction method | |
US7808252B2 (en) | Measurement apparatus and measurement method | |
US8686798B2 (en) | Method and system for testing oscillator circuit | |
US7274185B2 (en) | Methods of generating internal clock signals from external clock signals and of measuring the frequency of external clock signals and related frequency measuring circuits and semiconductor memory devices | |
CN110011661B (zh) | 半导体装置和测试方法 | |
JPWO2007105562A1 (ja) | キャリブレーション装置、試験装置、キャリブレーション方法、及び試験方法 | |
TWI613890B (zh) | 數位控制振盪器的頻率校正方法及其頻率校正裝置 | |
JP5047187B2 (ja) | キャリブレーション装置、キャリブレーション方法、及び試験装置 | |
US7352190B1 (en) | Calibration apparatus, calibration method, and testing apparatus | |
US8008958B2 (en) | Electronic device and method of correcting clock signal deviations in an electronic device | |
US20160162261A1 (en) | Function generator for the delivery of electrical signals | |
JP5008661B2 (ja) | キャリブレーション装置、キャリブレーション方法、試験装置、及び試験方法 | |
US8082118B2 (en) | Test apparatus | |
JP2011125005A (ja) | 信号発生装置および試験装置 | |
TW202247610A (zh) | 基於時脈循環時間測量的自適應頻率縮放 | |
JPWO2007105563A1 (ja) | 電子デバイス、試験装置、及び試験方法 | |
JP2006226791A (ja) | 試験装置、タイミング発生器、及びプログラム | |
US9645195B2 (en) | System for testing integrated circuit | |
US20080252353A1 (en) | Voltage measuring apparatus for semiconductor integrated circuit and voltage measuring system having the same | |
US10020728B2 (en) | Signal generation device and method for controlling output voltage of regulator | |
JP2008028765A (ja) | キャリブレーション装置、試験装置、キャリブレーション方法、帯域測定装置、及び帯域測定方法 | |
JP2010263408A (ja) | 集積回路、集積回路システム、シリアルパラレル変換装置およびスキュー調整方法 | |
JP2006064666A (ja) | 半導体回路、半導体回路特性監視方法、半導体回路試験方法、半導体回路試験装置及び半導体回路試験プログラム | |
JP2000206212A (ja) | 半導体試験方法および半導体試験装置 | |
JP2016152573A (ja) | Pll回路及びその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220215 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7041512 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |