JP2019115871A - Gas treatment device - Google Patents
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Description
本開示は、例えば太陽電池素子の製造工程で発生するガスを清浄にするガス処理装置に関する。 The present disclosure relates to a gas processing apparatus that cleans gas generated in, for example, a manufacturing process of a solar cell element.
例えば、太陽電池素子を製造する際に、半導体基板の上に有機成分を含んだ導電性ペーストを配置した後に、この導電性ペーストを焼成炉内で焼成して、半導体基板上に電極を形成する工程を行うことがある。このとき、焼成炉で生じた、有機物を含んだガスを、ガス処理装置にて清浄なガスにして排気させる必要がある。 For example, when a solar cell element is manufactured, a conductive paste containing an organic component is disposed on a semiconductor substrate, and then the conductive paste is fired in a firing furnace to form an electrode on the semiconductor substrate. I have a process to do. At this time, it is necessary to evacuate the gas containing the organic matter generated in the baking furnace as a clean gas in the gas processing apparatus.
上記ガス処理装置として、例えば、大気中の粉塵を集塵する機能を有する貯水槽では、上記ガスから有機物を捕集し得るので、このような貯水槽を備えた湿式集塵機を利用することが可能である(例えば、下記の特許文献1を参照)。
As the above-mentioned gas treatment apparatus, for example, in a water storage tank having a function of collecting dust in the atmosphere, organic substances can be collected from the gas, so it is possible to use a wet dust collector equipped with such a water storage tank (See, for example,
しかしながら、貯水槽におけるガス導入口付近、および貯水槽のガス導入口と焼成炉からの排気配管との間などでは、焼成炉よりも低温状態になっていることから、ガス中の有機物が液化または固化しやすい。このため、排気配管内および貯水槽内の保守頻度が高く(保守回数を多く)なりやすい。 However, in the vicinity of the gas inlet in the water storage tank, and between the gas inlet of the water storage tank and the exhaust piping from the baking furnace, etc., the organic matter in the gas is liquefied or liquefied because It is easy to solidify. For this reason, the frequency of maintenance in the exhaust pipe and in the water storage tank tends to be high (the number of times of maintenance is large).
ガス処理装置は保守頻度を減らす点で改善の余地がある。 Gas processing equipment has room for improvement in terms of reducing maintenance frequency.
本開示に係る一態様のガス処理装置は、有機物を含む第1ガスと水とを流すための第1管と、該第1管が接続されて、前記第1ガスを導入して、前記有機物を捕集するための捕集容器と、該捕集容器に接続されて、該捕集容器から排気させる第2ガスを流すための第2管と、を備えている。 In the gas processing device according to one aspect of the present disclosure, a first pipe for flowing a first gas containing organic matter and water, and the first pipe are connected to introduce the first gas and the organic matter And a second pipe connected to the collection container for flowing a second gas exhausted from the collection container.
上記構成のガス処理装置によれば、第1管および捕集容器の保守頻度を少なくさせることができる。 According to the gas processing device of the above configuration, the maintenance frequency of the first pipe and the collection container can be reduced.
例えば、PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)型の太陽電池素子が製作される際には、シリコンなどの半導体材料から構成される半導体基板の裏面上に、パッシベーション層と保護層と裏面電極とがこの記載の順に形成される場合がある。ここで、パッシベーション層は、例えば、酸化アルミニウムなどの酸化物または窒化シリコンなどの窒化物などで構成される。また、保護層は、例えば、有機物であるシロキサン樹脂を含む絶縁性ペーストの塗布と、焼成炉内での乾燥とを行う方法などが適用されることがある。 For example, when a PERC (Passivated Emitter and Rear Cell) type solar cell element is manufactured, a passivation layer, a protective layer, and a back electrode are formed on the back surface of a semiconductor substrate made of a semiconductor material such as silicon. It may be formed in the order of description. Here, the passivation layer is made of, for example, an oxide such as aluminum oxide or a nitride such as silicon nitride. Moreover, the method etc. which apply | coat the insulating paste containing the siloxane resin which is organic substance, and the drying in a baking furnace etc. may be applied for a protective layer, for example.
太陽電池素子の表面電極の形成では、例えば、金属粉末とガラス成分と有機物である有機ビヒクルとを含む導電性ペーストを反射防止膜層上に所望の形状になるように、まずスクリーンプリント法などで塗布される。また、裏面電極の形成においても、同様に金属粉末とガラス成分と有機物である有機ビヒクルとを含む導電性ペーストを保護層上に所望の形状になるように塗布される。 In the formation of the surface electrode of the solar cell element, first, for example, a conductive paste containing a metal powder, a glass component, and an organic vehicle which is an organic substance is first formed by screen printing etc. It is applied. In addition, also in the formation of the back surface electrode, a conductive paste similarly containing a metal powder, a glass component, and an organic vehicle which is an organic substance is applied onto the protective layer so as to have a desired shape.
例えば、太陽電池素子の電極に使用する導電性ペーストには、銀またはアルミニウムなどの金属粉末、ガラスフリット、有機ビヒクルなどに、分散剤などの微量成分を混合したものを使用する。有機ビヒクルには、例えば、ターピネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテルまたは2−エトキシエタノールなどの有機溶剤に、エチルセルロースまたはフェノール樹脂などから成るバインダーを溶解させたものを用いる。 For example, as a conductive paste used for an electrode of a solar cell element, a metal powder such as silver or aluminum, a glass frit, an organic vehicle or the like mixed with a minor component such as a dispersant is used. As the organic vehicle, for example, one obtained by dissolving a binder comprising ethyl cellulose or a phenol resin in an organic solvent such as terpineol, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol diethyl ether or 2-ethoxyethanol is used.
導電性ペーストを塗布した半導体基板を焼成炉にて焼成して、太陽電池素子の表面側および裏面側に電極が形成される。また、この導電性ペーストの焼成によって、表面電極は反射防止膜を貫通して半導体基板に電気的に接続され、裏面電極の一部では保護層およびパッシベーション層を貫通した状態で半導体基板に電気的に接続される。 The semiconductor substrate coated with the conductive paste is fired in a firing furnace to form electrodes on the front and back sides of the solar cell element. Further, by firing the conductive paste, the surface electrode penetrates the antireflective film and is electrically connected to the semiconductor substrate, and a part of the back electrode penetrates the protective layer and the passivation layer to electrically connect the semiconductor substrate to the semiconductor substrate. Connected to
表面側および裏面側の電極の焼成と、保護層となるシロキサン樹脂を含む絶縁性ペーストの焼成炉内での乾燥とは、1回の焼成で同時に行ってもよい。 The firing of the electrodes on the front surface side and the back surface side and the drying of the insulating paste containing the siloxane resin to be a protective layer in a firing furnace may be performed simultaneously in one firing.
このように、表面電極、保護層および裏面電極などの形成は、有機物を含んだ絶縁性ペーストおよび有機物を含んだ導電性ペーストを焼成炉で行う。この際に、高温状態にある焼成炉内では、絶縁性ペーストおよび導電性ペースト中の有機物が気体になって、それが空気と混合されるなどして、有機物を含んだガスが生じる。焼成炉内では、例えば、導電性ペーストを塗布したシリコンウエハーの温度が、300℃から500℃程度に上昇した際に、塗布した導電性ペーストから脱バインダーが起こり、ガスが発生する。さらに焼成におけるシロキサン樹脂の加熱・固化においても、シロキサン成分が脱バインダーとともに一定量気化し、バインダーガスととともにシロキサン含有ガスが発生する。 As described above, the surface electrode, the protective layer, the back surface electrode, and the like are formed in a baking furnace with an insulating paste containing an organic substance and a conductive paste containing an organic substance. At this time, in the firing furnace in a high temperature state, the organic substance in the insulating paste and the conductive paste becomes a gas, which is mixed with air or the like to generate a gas containing the organic substance. In the baking furnace, for example, when the temperature of the silicon wafer to which the conductive paste is applied is raised to about 300 ° C. to about 500 ° C., the applied conductive paste causes debinding to generate gas. Furthermore, also in heating and solidification of the siloxane resin at the time of firing, a certain amount of the siloxane component is vaporized together with the binder removal, and a siloxane-containing gas is generated together with the binder gas.
このため、ガス処理装置によって焼成炉で発生した有機物を含んだガスから有機物をできるだけ取り除いて、清浄にしたガスを排気させる必要がある。 For this reason, it is necessary to remove as much as possible of the organic matter from the gas containing the organic matter generated in the firing furnace by the gas treatment apparatus and exhaust the cleaned gas.
しかしながら、焼成炉で発生したバインダーガスまたはシロキサン含有ガスは、徐々に冷却して、一定温度以下(例えば100℃から150℃以下)になると、固体または液体になる。例えば、従来の湿式の集塵機をガス処理装置として用いた場合には、集塵機を構成する貯水槽におけるガス導入口付近、および貯水槽のガス導入口と焼成炉からの排気配管との間などでは、焼成炉よりも低温状態になっていることから、ガス中の有機物が液化または固化しやすい。 However, the binder gas or the siloxane-containing gas generated in the calciner gradually cools and becomes solid or liquid when reaching a certain temperature or less (for example, 100 ° C. to 150 ° C. or less). For example, when a conventional wet type dust collector is used as a gas processing device, in the vicinity of the gas inlet in the water storage tank constituting the dust collector and between the gas inlet of the water storage tank and the exhaust piping from the baking furnace, etc. Since the temperature is lower than that of the calcining furnace, the organic substance in the gas tends to liquefy or solidify.
これにより、貯水槽のガス導入口付近および排気配管などに、時間の経過とともに有機物が徐々に大きな塊となって固着して滞留しやすく、貯水槽へ流れるガスの流量を低下させることがある。このため、排気配管内および貯水槽内の保守頻度が高く(保守回数を多く)なる。また、排気配管および貯水槽の内壁などにガスに含まれていた成分が固化または液化したものが固着すると、排気配管および貯水槽内が狭くなることから、ガス流量が低下するので、定期的に何度も固着物などを除去する必要があった。 As a result, the organic substance may gradually become large lumps and adhere to the gas inlet port of the water storage tank, the exhaust pipe and the like with the passage of time, and may easily stagnate, thereby reducing the flow rate of gas flowing to the water storage tank. Therefore, the frequency of maintenance in the exhaust pipe and in the water storage tank is high (the number of maintenances is large). In addition, if the solidified or liquefied component of the gas adheres to the exhaust pipe and the inner wall of the water storage tank, etc., the inside of the exhaust pipe and the water storage tank becomes narrow, and the gas flow rate decreases. It was necessary to remove a fixed thing etc. many times.
そこで、発明者はガス処理装置について、有機物を捕集する捕集容器およびそれに接続される配管の保守頻度を低く(保守回数を少なく)することができる技術を創出した。 Therefore, the inventor has created a technology that can lower the maintenance frequency of the collection container for collecting the organic matter and the piping connected thereto (reduce the number of maintenance times) in the gas processing device.
以下、本開示に係るガス処理装置の一実施形態について、模式的に示された図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, an embodiment of a gas treatment apparatus according to the present disclosure will be described with reference to the schematically shown drawings.
図1に示すように、ガス処理装置Sは、ガスの入口部およびガスの出口部を有し、有機物を含んだ第1ガスG1と第1供給水H1とを流すための第1管2と、第1管2の出口部に接続されて、集塵機能を有する捕集容器1と、捕集容器1に接続されて、捕集容器1から第1ガスG1を浄化して排気させる清浄な第2ガスG2を流すための第2管3と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the gas processing device S has a gas inlet and a gas outlet, and a
また、第1管2は、例えば、上述したPERC型の太陽電池素子の保護層または電極を形成するための焼成炉(不図示)からの有機物を含む第1ガスG1の流路である第1ガス配管2Aと、水道水または地下水などからの給水管に繋がれた、第1供給水H1を供給するための給水管2Bと、第1ガスG1と第1供給水H1との双方を流すための供給管2Cとを備えている。第1管2の第1ガス配管2Aおよび供給管2Cは、いずれも例えば、アルミニウムまたはステンレスなどの金属製であり、その内径が50mmから300mm程度のパイプから構成される。
The
第1ガス配管2Aは、効率よくガスを浄化させるために焼成炉に直接、接続されていてもよいし、焼成炉からの排気管などを介して、焼成炉と間接的に接続されていてもよい。また、第1管2を構成する第1ガス配管2A内には、焼成炉以外の有機物を含んだ第1ガスG1を流すようにしてもよく、第1ガスG1は焼成炉からの排気ガスに限定されないものとする。
The
第1ガス配管2Aは、例えば、毎分10m3/分から200m3/分程度の第1ガスG1を捕集容器1へ供給できるようにしている。図1に示す例では、第1ガス配管2Aは、捕集容器1の近くで鉛直方向の状態から水平方向の状態に捕集容器1へ接続されている。ただし、第1ガス配管2Aは、捕集容器1の近辺では鉛直方向の状態から、水平方向に対して傾斜させた状態で捕集容器1へ接続させてもよい。さらに、第1ガス配管2Aの途中には、給水管2Bが接続されている。給水管2Bは、第1ガス配管2Aを貫通して、その一端部は第1ガス配管2Aの内部に達している。給水管2Bの材質は、第1ガス配管2Aの外側にある部分は、塩化ビニルなどの樹脂から成る内径10mmから30mm程度のパイプでよい。また、例えば、第1ガス配管2Aの内側に挿入されている部分は、排気ガスの高温に耐えられるようにステンレスなどの金属に途中から変更されている。さらに、第1ガス配管2Aの内側に挿入されている給水管2Bの先端部には、第1ガスG1に給水するために、例えばステンレスなどからなるスプレーノズル4が取り付けられている。スプレーノズル4からは、例えば、3リットル/分から10リットル/分程度の第1供給水H1が噴霧するように第1ガスG1に吹きかけることができる。
The
このような構造によれば、第1ガス配管2Aの内部を流れてきた第1ガスG1は、捕集容器1に達する前に、スプレーノズル4より噴霧された第1供給水H1によって、急激に冷却される。これにより、第1ガスG1に含有されている有機物は水と混合した凝集物となる。例えば、焼成炉からの第1ガスG1は、高温(例えば150℃から250℃程度)の状態で第1管2内において、第1供給水H1と接触することによって、例えば、温度が50℃以下程度まで下がる。
According to such a structure, the first gas G1 flowing through the inside of the
発明者が繰り返し行ったテストでは、有機物を含む第1ガスG1は、排気配管などの流路などで徐々に冷却されると、第1ガスG1に含有されている有機物成分は第1ガス配管2Aおよび捕集容器1の内壁に固着した状態で凝集・固化して、簡単に除去できなくなる。
In the test conducted repeatedly by the inventor, when the first gas G1 containing an organic substance is gradually cooled in a flow passage such as an exhaust pipe, the organic matter component contained in the first gas G1 becomes the
これに対し、上述のように、高温の第1ガスG1に第1供給水H1を吹きかけることによって、第1ガスG1の有機物成分と水とが混合してできた凝集物では、第1ガス配管2Aおよび捕集容器1の内壁に固着しにくくなる。これにより、第1ガスG1の有機物成分と水と混合してできた凝集物は、供給管2Cから捕集容器1に達して、捕集容器1から簡単に回収することが可能となる。特に、第1ガスG1にシロキサンなどが含まれていると、排気配管などの流路などで徐々に冷却された場合には、第1ガス配管2Aおよび捕集容器1の内壁に、さらに強固に固着した状態で凝集・固化しやすいので、本実施形態のガス処理装置は有効に機能する。
On the other hand, as described above, in the aggregate formed by mixing the organic component of the first gas G1 and water by spraying the first supply water H1 to the high temperature first gas G1, the first gas pipe is used. It becomes difficult to adhere to the inner wall of 2 A and the
また、第2管3は、捕集容器1に接続されて、捕集容器1によって第1ガスG1から有機物および粉塵などができるだけ除去されて浄化された第2ガスG2を排気させるために設けられる。
Further, the second pipe 3 is connected to the
捕集容器1は、第1ガスG1から有機物を取り出す機能を有するものであればよく、例えば、公知の湿式集塵機に使用される貯水槽などでよい。捕集容器1は、例えば図2に示すような構成を有しており、第1管2の出口側は捕集容器1のガス導入口に接続されている。図1に示す例では、供給管2Cの第1ガスおよび第1供給水H1の出口側が捕集容器1のガス導入口に接続されている。また、捕集容器1のガス導入口よりも上方に、第2ガスG2を排気するための排気口が位置している。この排気口に第2ガスを排気する配管である第2管3が接続されている。
The
また、図1に示すように、捕集容器1には、水道水または地下水などからの給水管から予め第2供給水H2が補給管11を介して補給されている。また、捕集容器1から水を排出できるように、捕集容器1の下方位置に排水管12が接続されていて、処理水H3を排出できるようにしている。図1において、L1およびL2は水位を示す。
Further, as shown in FIG. 1, the second
捕集容器1の大きさおよび構造などは、処理するガスの流量、求める捕集性能などを考慮して適宜決定すればよい。例えば、捕集容器1の外壁部は、主にステンレス製の容器になっていて、容量は2m3から10m3程度である。捕集容器1の内部の下方には、例えば、温度が10℃から50℃程度の水が入っている。捕集容器1内には、多数の仕切り15が配置されている。仕切り15は、例えばステンレス製である。図2の例では、捕集容器1のガス導入口側に第1仕切り15Aと第2仕切り15Bとを位置させており、これら仕切りの間の位置で、捕集容器1の中央部には、第3仕切り15Cを位置させている。第1仕切り15Aと第2仕切り15Bとの間は、捕集容器1に入ってきた、ガス、粉塵および有機物などからなる排気ガス16を第3仕切り15Cに誘導するように、漏斗状にしている。また、第3仕切り15Cは、第1仕切り15Aおよび第2仕切り15Bと対向するように構成されていて、第1仕切り15Aおよび第2仕切り15Bなどと協働して、捕集容器1内で生じた有機物などが凝集した塊を捕集容器1の下方に落下させる役割を果たす。図2中の19は水中に落下した塊である。このような構造にすることによって、第1仕切り15Aと第2仕切り15Bとの間ではガスの流路が細くなっているため、この部位を通過した排気ガス16の流速は速くなる。このため、この部分の下に位置している捕集容器1内の水を巻き上げるようにして、第1仕切り15Aおよび第2仕切り15Bと、第3仕切り15Cとの間の間隙部において、排気ガス16と水が混ざり合う領域17が形成されて、排気ガス16に含有されている残りの有機物成分を凝集させて塊にすることができる。
The size, structure, and the like of the
また、第4仕切り15Dは、第2管3が接続される排気口の内側の近傍部分に配置され、排気ガス16と水の混ざり合う領域17からの水を含んだミストが第2管3に入り込むことを抑制する役割を果たす。
Further, the
このように、ガス処理装置Sは、特に第1管2と捕集容器1とを備えているので、低温状態となっている第1管2内において、第1ガスG1中の有機物が、第1管2の内壁に固化などしたものが固着しにくく、固化などした有機物が滞留しにくくなる。また、捕集容器1の第1ガスの入口付近の内壁部に固化などした有機物が固着されにくくなる。これにより、長期間にわたって捕集容器1の機能が保たれやすくなり、捕集容器1および第1管2の保守頻度も低くすることができる。
As described above, since the gas processing apparatus S particularly includes the
また、ガス処理装置Sは、捕集容器1に接続されて、流量を調整した空気などである第3ガスG3を導入するための第3管5をさらに備えていてもよい。第2ガスG3は空気以外に、窒素ガス、アルゴンガスなどでもよい。
In addition, the gas processing apparatus S may further include a
第3ガスG3は、例えば、第3管5内に設けられたバタフライバルブなどのガス流量を可変に制御できるガス流量制御弁14を用いてもよい。従来、排気ファン9による規定の排気風量と捕集容器1の吸気側と排気側の差圧を事前に決めて、捕集容器1を設計し、作製する必要があった。本実施形態のガス処理装置Sによれば、第3管5内のガス圧と捕集容器1内のガス圧との差圧を調整できるので、捕集容器1の容量および内部構造などの設計の自由度を広げることができる。
The third gas G3 may use, for example, a gas
また、ガス処理装置Sは、第2管3に接続されて、第1ガスG1が捕集容器1によって浄化された第2ガスG2から水分を分離するための分離器6をさらに備えていてもよい。この場合には、分離器6に分離器6から水分を分離させた第2ガスG2(後記する第4ガスG4)を排気させるための第4管8が接続される。ここで、第4管8は送風ファン9を介して第5管10から清浄な第4ガスG4を排気させてもよい。
Further, even if the gas processing apparatus S is further connected to the second pipe 3, the first gas G1 further includes the separator 6 for separating water from the second gas G2 purified by the
この分離機6は、例えば、捕集容器1によって浄化された第2ガスG2に含まれるミスト(液滴)を分離して、捕集することによって、ガスからミストを除去できるミストセパレーターが好適に用いられる。分離器6は、例えば、第2管G2を接続した容器内にフィルターを配置して、このフィルターの外側でミストを捕集し、フィルターを通過した空気を容器の外部に排気する構造を有するものである。
The separator 6 is preferably, for example, a mist separator capable of removing the mist from the gas by separating and collecting the mist (droplet) contained in the second gas G2 purified by the
この分離器6によって、第2ガスG2中の水分中に含まれている、捕集容器1で取り除くことができなかった、少なくとも液滴(水分)などの成分をさらに取り除くことができる。これにより、外部へより浄化したガスを排気できる。
The separator 6 can further remove at least components such as droplets (moisture) contained in the water in the second gas G2, which can not be removed by the
分離器6には、第2ガスG2から分離した水分を分離器6から外部に排水する第1排水管7Aを備えていてもよい。第1排水管7Aは、図1に示すように、配管をS字状に曲げることによる水封を行うようにするとよい。ここで、U字管による水封を行うことによって、分離器6内が負圧になることがあっても、排水が可能になる。
The separator 6 may be provided with a
また、第1排水管における他の実施形態の図3に示すように、分離器6には、分離器6に接続されて、第2ガスG2から分離した水分を分離器6から捕集容器1へ戻すためのドレイン配管である第1排水管7Bを備えていていてもよい。この実施形態によれば、第1排水管7Bを捕集容器1に接続させることによって、分離器6内負圧になることがあっても、捕集容器1への排水が可能になり、捕集容器1において水を無駄にすることなく有効利用することができる。
Further, as shown in FIG. 3 of the other embodiment of the first drain pipe, the separator 6 is connected to the separator 6 and the water separated from the second gas G2 is separated from the separator 6 from the
図1および図3に示すように、捕集容器1から排水するために、第2排水管12が捕集容器1の下方部位に接続されていてもよい。これにより、固化などした有機物などを第2排水管12からの排水と同時に排出することができる。また、ガス処理装置Sは、図1および図3に示すように、第2供給水H2を捕集容器1へ補給するための配管である第2給水管11が捕集容器1の下方部位に接続されていてもよい。これにより、第2排水管12からの排水などで減少した捕集容器1内部の水を補うことができる。
As shown in FIGS. 1 and 3, a
図1から図3においては、例えば、ガス吸気量、排気量、水の給水量、排水量などを制御する弁、流量計などを省略している。必要に応じて、弁および流量計などを取り付けてもよい。 In FIG. 1 to FIG. 3, for example, valves, flow meters, etc. for controlling the gas intake amount, the exhaust amount, the water supply amount, the drainage amount and the like are omitted. If necessary, valves, flow meters, etc. may be attached.
<変形例>
本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
<Modification>
The present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and various changes, improvements, and the like can be made without departing from the scope of the present disclosure.
上記の実施形態において、第1管2の構成は、図4(a)から図4(c)のそれぞれに示す態様などであってもよい。
In the above embodiment, the configuration of the
図4(a)に示すように、第1管2において、例えば、鉛直方向に延びた第1ガス配管2A内に、給水管2Bの一部が挿入されていて、下方にノズル出口を有するスプレーノズル4が、例えば、第1ガス配管2Aの幅方向の中央部に位置していてもよい。
As shown in FIG. 4 (a), in the
これにより、第1ガスG1の流れを弱めることなく第1供給水H1と接触させることができ、捕集容器1内部のガスと水との混合を促進することができる。
Thereby, it can be made to contact with the 1st feed water H1 without weakening the flow of the 1st gas G1, and mixing of the gas and water inside
また、図4(b)に示すように、第1管2において、例えば、鉛直方向に延びた第1ガス配管2A内に、給水管2Bの一部が挿入されていて、上方にノズル出口を有するスプレーノズル4が第1ガス配管2Aの幅方向の中央部に位置していてもよい。
Further, as shown in FIG. 4B, in the
これにより、第1供給水H1のスプレーノズル4より噴霧される方向が、第1ガスG1の流れる方向と対向することになり、第1供給水H1と第1ガスG1のより積極的に混合させることができ、第1ガスG1中の有機物の凝集、固化を促進することができる。
As a result, the direction in which the first supply water H1 is sprayed from the
また、図4(c)に示すように、図1に示す実施形態の第1管2において、第1ガス配管2Aと供給管2Cとの接続を断面T字状にして、供給管2Cの一端部をステンレス板などで作製された封止板18によって封止してもよい。さらに、封止板18を貫通するように、第1管2内に水を流すための給水管2Bを、供給管2Cの内部に挿入させてもよい。さらに、給水管2Bの先端部をスプレーノズル4のかわりに、水平方向から下方に曲げられたものを用いてもよい。このように、給水管2Bを第1管2内に位置させることによって、少なくとも供給管2Cの下部内壁部に水が流れることになる。
Further, as shown in FIG. 4 (c), in the
これにより、少なくとも供給管2Cの下部内壁に固化した有機物が滞留しにくくなる。また、供給管2Cの上部内壁から固化などした有機物が下方へ落下しても給水管2Bからの流水によって捕集容器1へ押し流すことが可能になる。
As a result, it is difficult for the solidified organic matter to stagnate at least on the lower inner wall of the
1:捕集容器
2:第1管
2A:第1排気配管
2B:給水管
2C:供給管
2Ca:下部内壁
3:第2管
4:スプレーノズル
5:第3管
6:分離器
7A、7B:第1排水管
8:第4管
9:送風ファン
10:第5管
12:第2排水管
14:ガス流量制御弁
15:仕切り
15A:第1仕切り
15B:第2仕切り
15C:第3仕切り
15D:第4仕切り
16:排気ガス
18:封止板
S:ガス処理装置
1: Collection container 2:
Claims (7)
該第1管の出口部に接続されて、前記有機物を捕集するための捕集容器と、
該捕集容器に接続されて、該捕集容器から前記第1ガスを浄化して排気させる第2ガスを流すための第2管と、
を備えているガス処理装置。 A first pipe having an inlet portion and an outlet portion for flowing a first gas containing organic matter and water;
A collection vessel connected to the outlet of the first pipe for collecting the organic matter;
A second pipe connected to the collection vessel for flowing a second gas which purifies and exhausts the first gas from the collection vessel;
Gas processing equipment equipped with.
前記第1管は焼成炉で発生した前記第1ガスが導入される、ガス処理装置。 A gas treatment apparatus according to claim 1, wherein
The gas processing device, wherein the first gas generated in the firing furnace is introduced into the first pipe.
前記捕集容器に接続されて、流量を調整した第3ガスを導入するための第3管をさらに備えている、ガス処理装置。 The gas processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein
The gas processing device, further comprising: a third pipe connected to the collection vessel for introducing a third gas whose flow rate is adjusted.
前記第2管に接続されて、前記第2ガスから水分を分離するための分離器と、
該分離器に接続されて、該分離器から前記水分を分離させた前記第2ガスを排気させるための第4管をさらに備えている、ガス処理装置。 A gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein
A separator connected to the second pipe for separating water from the second gas;
A gas processing apparatus, further comprising: a fourth pipe connected to the separator for exhausting the second gas from which the moisture is separated from the separator.
前記分離器に接続されて、前記分離器で得られた水分を、前記分離器から前記捕集容器へ戻すための排水管をさらに備えている、ガス処理装置。 The gas processing apparatus according to claim 4, wherein
The gas processing device, further comprising: a drain pipe connected to the separator for returning moisture obtained in the separator from the separator to the collection container.
前記第1管内に前記第1ガスに給水するためのノズルをさらに備えている、ガス処理装置。 A gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein
The gas processing device, further comprising a nozzle for supplying water to the first gas in the first pipe.
前記第1管内に水を流すための給水管をさらに備えている、ガス処理装置。 A gas treatment apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein
The gas processing device, further comprising a water supply pipe for flowing water into the first pipe.
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