JP2019114812A - 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル - Google Patents
太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019114812A JP2019114812A JP2019059539A JP2019059539A JP2019114812A JP 2019114812 A JP2019114812 A JP 2019114812A JP 2019059539 A JP2019059539 A JP 2019059539A JP 2019059539 A JP2019059539 A JP 2019059539A JP 2019114812 A JP2019114812 A JP 2019114812A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- electrode
- pad
- semiconductor substrate
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 36
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 45
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 18
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007116 SnPb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/87—Light-trapping means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
た太陽電池及びこれを含む太陽電池パネルに関する。
代える代替エネルギーに対する関心が高まっている。その中でも太陽電池は太陽光エネル
ギーを電気エネルギーに変換させる次世代の電池として脚光を浴びている。
電池を保護するためのパッケージング(packaging)工程により太陽電池パネルの形態に
製造される。太陽電池パネルは多様な環境で長期間の間発電しなければならないので、長
期間の信頼性が大きく要求される。この際、従来は複数の太陽電池をリボンにより連結す
るようになる。
になれば、リボンの大きい幅によって光損失などが発生することがあるので、太陽電池に
配置されるリボンの個数を減らさなければならない。一方、キャリアの移動距離を縮める
ためにリボンの個数を増加させれば、抵抗は低くなるが、シェーディング損失によって出
力が格段に低下することがある。
を提供しようとする。
記半導体基板の一面に形成される第1導電型領域と、前記半導体基板の他面に形成される
第2導電型領域と、前記第1導電型領域に電気的に連結される第1電極と、前記第2導電
型領域に電気的に連結される第2電極を含む。前記第1電極は、前記長軸と平行する第1
方向に位置し、互いに平行する複数のフィンガーライン及び前記短軸と平行する第2方向
に位置する複数のパッド部を含む複数のバスバーを含む。前記複数のパッド部が前記第2
方向での両側に各々位置する第1外側パッド及び第2外側パッドを含む。
〔本発明の一の態様〕
〔1〕 互いに交差する長軸及び短軸を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一面に形成される第1導電型領域と、
前記半導体基板の他面に形成される第2導電型領域と、
前記第1導電型領域に電気的に連結される第1電極と、
前記第2導電型領域に電気的に連結される第2電極と、を含み、
前記第1電極は、前記長軸と平行する第1方向に位置し、互いに平行する複数のフィンガーライン及び前記短軸と平行する第2方向に位置する複数のパッド部を含む複数のバスバーを含み、
前記複数のパッド部が前記第2方向での両側に各々位置する第1外側パッド及び第2外側パッドを含む、太陽電池。
〔2〕 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記バスバーのピッチが0.35以下である、〔1〕に記載の太陽電池。
〔3〕 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記バスバーのピッチが0.1〜0.35である、〔2〕に記載の太陽電池。
〔4〕 前記第1方向での前記半導体基板の長さに対する前記第2方向での前記半導体基板の幅の割合が0.2〜0.5である、〔1〕に記載の太陽電池。
〔5〕 前記複数のバスバーが6個以上備えられる、〔1〕に記載の太陽電池。
〔6〕 前記複数のバスバーが6個〜14個備えられる、〔5〕に記載の太陽電池。
〔7〕 前記第1及び第2外側パッドは、前記複数のフィンガーラインのうち、前記第2方向での最外郭フィンガーラインより各々内側に位置する、〔1〕に記載の太陽電池。
〔8〕 前記第1外側パッドと前記第2外側パッドが前記太陽電池の前記第2方向で対称に位置する、〔1〕に記載の太陽電池。
〔9〕 前記複数のパッド部は前記第1外側パッドと前記第2外側パッドとの間に位置する内側パッドをさらに含み、
前記バスバーは前記複数のパッド部を前記第2方向に連結するライン部をさらに含む、〔1〕に記載の太陽電池。
〔10〕 前記複数のフィンガーラインが配置される電極領域は、前記複数のバスバーのうち、隣り合う2つのバスバーの間に位置した第1電極領域と、前記複数のバスバーのうちの1つのバスバーと前記太陽電池の短辺との間に位置した第2電極領域を含み、
前記第1電極領域の幅が前記第2電極領域の幅より小さい、〔1〕に記載の太陽電池。
〔11〕
前記太陽電池は切断面と非切断面を含み、
前記第1導電型領域または第2導電型領域、または前記第1電極または第2電極は、前記切断面との第1間隔が前記非切断面との第2間隔がより小さい、〔1〕に記載の太陽電池。
〔12〕 第1太陽電池及び第2太陽電池を含む複数の太陽電池と、
前記第1太陽電池と前記第2太陽電池を連結して丸みを付けた部分を含む複数の配線材と、を含み、
前記複数の太陽電池の各々は、互いに交差する長軸及び短軸を有する半導体基板、前記半導体基板の一面に形成される第1導電型領域、前記半導体基板の他面に形成される第2導電型領域、前記第1導電型領域に電気的に連結される第1電極、及び前記第2導電型領域に電気的に連結される第2電極を含み、
前記第1電極は、前記長軸と平行する第1方向に位置し、互いに平行する複数のフィンガーライン及び前記短軸と平行する第2方向に位置する複数のパッド部を含む複数のバスバーを含み、
前記複数のパッド部が前記第2方向での両側に各々位置する第1外側パッド及び第2外側パッドを含み、
前記複数の配線材が前記第2方向に沿って延長する、太陽電池パネル。
〔13〕 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記複数のバスバーまたは前記複数の配線材のピッチが0.35以下である、〔12〕に記載の太陽電池パネル。
〔14〕 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記複数のバスバーまたは前記複数の配線材のピッチが0.1〜0.35である、〔13〕に記載の太陽電池パネル。
〔15〕 前記第1方向での前記半導体基板の長さに対する前記第2方向での前記半導体基板の幅の割合が0.2〜0.5である、〔12〕に記載の太陽電池パネル。
〔16〕 前記複数のバスバーまたは前記複数の配線材が6個以上備えられる、〔12〕に記載の太陽電池パネル。
〔17〕 前記複数のバスバーが、または前記複数の配線材が6個〜14個備えられる、〔16〕に記載の太陽電池パネル。
〔18〕 前記複数の配線材がコア層及び前記コア層の外面に位置するソルダー層を含み、
前記ソルダー層により前記複数の配線材が前記複数のパッド部に固定される、〔12〕に記載の太陽電池パネル。
〔19〕 前記複数のパッド部に隣接した部分で前記ソルダー層の幅が前記パッド部に向かって徐々に大きくなる、〔18〕に記載の太陽電池パネル。
〔20〕 前記第1太陽電池及び第2太陽電池は各々前記長軸に沿って形成され、互いに平行する第1長辺及び第2長辺と、前記短軸に沿って形成され、互いに平行する第1短辺及び第2短辺と、前記長軸及び前記短軸に傾斜して形成され、前記第1長辺と前記第1短辺とを連結する第1傾斜辺及び前記第1長辺と前記第2短辺とを連結する第2傾斜辺を含み、
前記第1太陽電池の前記第1長辺と前記第2太陽電池の前記第1長辺または前記第1太陽電池の前記第1傾斜辺及び第2傾斜辺と前記第2太陽電池の前記第1傾斜辺及び第2傾斜辺が対向するか、または前記第1太陽電池の前記第2長辺と前記第2太陽電池の前記第2長辺とが対向する、〔12〕に記載の太陽電池パネル。
損失を最小化することができ、バスバー及び/又は配線材の個数を増やしてキャリアの移
動経路を縮めることができる。これによって、太陽電池の効率及び太陽電池パネルの出力
を向上することができる。また、ワイヤー形態の配線材を使用して乱反射などによって光
損失を最小化することができ、配線材のピッチを縮めてキャリアの移動経路を縮めること
ができる。これによって、太陽電池の効率及び太陽電池パネルの出力を向上することがで
きる。
ネルの出力を最大化することができる。この際、短軸方向に配線材を配置し、短軸方向の
両側に外側パッドを各々位置させて配線材を通じての移動経路を最小化し、配線材の付着
特性を向上することができる。
発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に変形できることは勿
論である。
し、明細書の全体を通じて同一または極めて類似の部分に対しては同一な図面参照符号を
使用する。そして、図面では説明をより明確にするために、厚さ、広さなどを拡大または
縮小して図示したところ、本発明の厚さ、広さなどは図面に図示されたものに限定される
ものではない。
がない限り、他の部分を排除するものでなく、他の部分をさらに含むことができる。また
、層、膜、領域、板などの部分が他の部分“の上に”あるという時、これは他の部分“真
上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分が位置する場合も含む。層、膜、領域、
板などの部分が他の部分“真上に”あるという時には、中間に他の部分が位置しないこと
を意味する。
詳細に説明する。
II−II線に沿って切断した概略断面図である。
池150、及び複数の太陽電池150を電気的に連結する配線材142を含む。そして、
太陽電池パネル100は複数の太陽電池150とこれを連結する配線材142を囲んで封
入する封入材130と、封入材130の上で太陽電池150の前面に位置する前面基板1
10と、封入材130の上で太陽電池150の後面に位置する後面基板120を含む。こ
れをより詳しく説明する。
光電変換部に電気的に連結されて電流を収集して伝達する電極を含むことができる。そし
て、複数個の太陽電池150は配線材142により電気的に直列、並列、または直並列に
連結できる。具体的には、配線材142は複数個の太陽電池150のうち、隣り合う2つ
の太陽電池150を電気的に連結する。
池150(即ち、太陽電池ストリング)の配線材142の両端部を交互に連結する。バス
リボン145は、太陽電池ストリングの端部でこれと交差する方向に配置できる。このよ
うなバスリボン145は、互いに隣接する太陽電池ストリングを連結するか、または太陽
電池ストリングまたは太陽電池ストリングを電流の逆流を防止するジャンクションボック
ス(図示せず)に連結することができる。バスリボン145の物質、形状、連結構造など
は多様に変形されることができ、本発明はこれに限定されるものではない。
封入材131と、太陽電池150の後面に位置する第2封入材132を含むことができる
。第1封入材131と第2封入材132は水分と酸素の流入を防止し、太陽電池パネル1
00の各要素を化学的に結合する。第1及び第2封入材131、132は、透光性及び接
着性を有する絶縁物質で構成できる。一例に、第1封入材131と第2封入材132にエ
チレン酢酸ビニール共重合体樹脂(EVA)、ポリビニルブチラール、珪素樹脂、エステ
ル系樹脂、オレフィン系樹脂などが使用できる。第1及び第2封入材131、132を用
いたラミネーション工程などにより後面基板120、第2封入材132、太陽電池150
、第1封入材131、前面基板110が一体化して太陽電池パネル100を構成すること
ができる。
、後面基板120は第2封入材132上に位置して太陽電池150の後面を構成する。前
面基板110及び後面基板120は、各々外部の衝撃、湿気、紫外線などから太陽電池1
50を保護することができる絶縁物質で構成できる。そして、前面基板110は光が透過
できる透光性物質で構成され、後面基板120は透光性物質、非透光性物質、または反射
物質などで構成されるシートまたはフィルムで構成できる。一例として、前面基板110
がガラス基板などで構成されることができ、後面基板120がフィルムまたはシートなど
で構成できる。後面基板120はTPT(Tedlar/PET/Tedlar)タイプを有するか、また
はベースフィルム(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)の少なくとも一面に
形成されたポリフッ化ビニリデン(poly vinylidene fluoride;PVDF)樹脂層を含む
ことができる。
入材131、132、前面基板110、または後面基板120が前述した説明以外の多様
な物質を含むことができ、多様な形態を有することができる。例えば、前面基板110ま
たは後面基板120が多様な形態(例えば、基板、フィルム、シートなど)、または物質
を有することができる。
0及びこれに連結された配線材142の一例をより詳しく説明する。
配線材142の一例を図示した部分断面図である。
に、または半導体基板160の一面の上に形成される第1導電型領域20と、半導体基板
160の他面に、または半導体基板160の他面の上に形成される第2導電型領域30と
、第1導電型領域20に連結される第1電極42と第2導電型領域30に連結される第2
電極44を含む。その他、第1及び第2パッシベーション膜22、32、反射防止膜24
などをさらに含むことができる。
含んで第1または第2導電型を有するベース領域10を含むことができる。一例として、
ベース領域10は第2導電型を有することができる。ベース領域10は第1または第2導
電型ドーパントを含む単一結晶質半導体(例えば、単結晶または多結晶半導体、一例とし
て、単結晶または多結晶シリコン、特に単結晶シリコン)で構成できる。このように結晶
性が高くて欠陥の少ないベース領域10または半導体基板160を基盤にした太陽電池1
50は、電気的特性に優れる。
構造が形成できる。一例として、反射防止構造にピラミッドなどの形態の凹凸を有するテ
クスチャリング(texturing)構造を備えることができる。半導体基板160に形成され
たテクスチャリング構造は、半導体の特定の結晶面(例えば、(111)面)に沿って形
成された外面を有する一定の形状(一例として、ピラミッド形状))を有することができ
る。このようなテクスチャリングにより半導体基板160の前面などに凹凸が形成されて
表面粗さが増加すれば、半導体基板160の内部に入射される光の反射率を低下して光損
失を最小化することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、
半導体基板160の一面のみにテクスチャリング構造が形成されるか、または半導体基板
160の前面及び後面にテクスチャリング構造が形成されないことがある。
域20が形成できる。そして、半導体基板160の後面側には第2導電型を有する第2導
電型領域30が形成できる。この際、第1及び第2導電型領域20、30はベース領域1
0と異なる導電型を有するか、またはベース領域10と同一の導電型の場合にはベース領
域10より高いドーピング濃度を有する。
ピング領域で構成されたことを一例に提示した。この場合、第1導電型領域20が第1導
電型ドーパントを含む結晶質半導体(例えば、単結晶または多結晶半導体、一例として、
単結晶または多結晶シリコン、特に単結晶シリコン)で構成できる。そして、第2導電型
領域30が第2導電型ドーパントを含む結晶質半導体(例えば、単結晶または多結晶半導
体、一例として、単結晶または多結晶シリコン、特に単結晶シリコン)で構成できる。こ
のように、第1及び第2導電型領域20、30が半導体基板160の一部を構成すれば、
ベース領域10との接合特性を向上することができる。
、30のうち、少なくとも1つが半導体基板160の上で半導体基板160と別個に形成
できる。この場合、第1または第2導電型領域20、30が半導体基板160の上に容易
に形成できるように、半導体基板160と異なる結晶構造を有する半導体層(例えば、非
晶質半導体層、微結晶半導体層、または多結晶半導体層、一例に、非晶質シリコン層、微
結晶シリコン層、または多結晶シリコン層)で構成できる。
つの領域はエミッタ領域の少なくとも一部を構成する。エミッタ領域は、ベース領域10
とpn接合を形成して光電変換によりキャリアを生成する。第1及び第2導電型領域20
、30のうち、ベース領域10と同一な導電型を有する他の1つは、電界(surface fiel
d)領域の少なくとも一部を構成する。電界領域は、半導体基板160の表面で再結合に
よるキャリアの損失を防止する電界を形成する。一例として、本実施形態ではベース領域
10が第2導電型を有して、第1導電型領域20がエミッタ領域を構成し、第2導電型領
域30が後面電界領域(back surface field)を構成することができる。しかしながら、
本発明はこれに限定されるものではない。
度を有する均一な構造(homogeneous structure)を有することを例示した。これによっ
て、充分の面積に形成され、簡単な工程により製造できる。しかしながら、本発明はこれ
に限定されるものではない。したがって、第1導電型領域20が均一な構造または選択的
構造(selective structure)であり、第2導電型領域30が均一な構造、選択的構造、
または局部的構造(local structure)でありうる。選択的構造では第1または第2導電
型領域20、30のうち、第1または第2電極42、44と隣接した部分で高いドーピン
グ濃度、大きいジャンクション深さ、及び低い抵抗を有し、その他の部分で低いドーピン
グ濃度、小さなジャンクション深さ、及び高い抵抗を有することができる。そして、局部
的構造では第2導電型領域30が第2電極44の位置した部分のみで局部的に形成できる
。
導電型領域20がp型を有することができる。すると、ベース領域10と第1導電型領域
20がpn接合をなす。このようなpn接合に光が照射されれば、光電効果により生成さ
れた電子が半導体基板160の後面側に移動して第2電極44により収集され、正孔が半
導体基板160の前面側に移動して第1電極42により収集される。これによって、電気
エネルギーが発生する。すると、電子より移動速度の遅い正孔が半導体基板160の後面
でない前面に移動して効率が向上できる。しかしながら、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、ベース領域10及び第2導電型領域30がp型を有し、第1導電型領域20が
n型を有することもできる。
止膜24などの絶縁膜が形成できる。より詳しくは、半導体基板160の前面の上に、よ
り正確には半導体基板160に形成された第1導電型領域20の上に第1パッシベーショ
ン膜22が形成(一例として、接触)され、第1パッシベーション膜22の上に反射防止
膜24が形成(一例として、接触)できる。そして、半導体基板160の後面の上に、よ
り正確には、半導体基板160に形成された第2導電型領域30の上に第2パッシベーシ
ョン膜32が形成(一例として、接触)できる。
り正確には、第1開口部102が形成された部分)を除いて、実質的に半導体基板160
の前面の全体に形成できる。これと類似するように、第2パッシベーション膜32は第2
電極44に対応する部分(より正確には、第2開口部104が形成された部分)を除いて
、実質的に半導体基板160の後面の全体に形成できる。
に接触して形成されて半導体基板160の表面またはバルク内に存在する欠陥を不動化さ
せる。これによって、少数キャリアの再結合サイトを除去して太陽電池150の開放電圧
を増加させることができる。反射防止膜24は、半導体基板160の前面に入射される光
の反射率を減少させてpn接合まで到達される光量を増加させることができる。これによ
って、太陽電池150の短絡電流(Isc)を増加させることができる。
様な物質で形成できる。一例として、第1パッシベーション膜22、反射防止膜24、ま
たはパッシベーション膜32は、シリコン窒化膜、水素を含んだシリコン窒化膜、シリコ
ン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、アルミニウム酸化膜、シリコン炭化膜、MgF2、Zn
S、TiO2、及びCeO2からなる群から選択されたいずれか1つの単一膜または2つ
以上の膜が組み合わせられた多層膜構造を有することができる。
第2パッシベーション膜32は、優れた絶縁特性、パッシベーション特性などを有するこ
とができるようにドーパントなどを具備しないことがある。しかしながら、本発明はこれ
に限定されるものではない。
領域20に電気的に連結(一例に、接触形成)され、第2電極44は第2開口部104の
少なくとも一部を埋めながら形成され、第2導電型領域30に電気的に連結(一例として
、接触形成)される。第1及び第2電極42、44は多様な導電性物質(一例として、金
属)で構成され、多様な形状を有することができる。また、第1及び第2電極42、44
の形状に対しては追って説明する。
ターンを有して太陽電池150が半導体基板160の前面及び後面に光が入射できる両面
受光型(bi-facial)構造を有する。これによって、太陽電池150で使われる光量を増
加させて太陽電池150の効率向上に寄与することができる。
60の後面側で全体的に形成される構造を有することも可能である。また、第1及び第2
導電型領域20、30、そして第1及び第2電極42、44が半導体基板160の一面(
一例として、後面)側に共に位置することも可能であり、第1及び第2導電型領域20、
30のうち、少なくとも1つが半導体基板160の両面に亘って形成されることも可能で
ある。即ち、前述した太陽電池150は一例として提示したものに過ぎず、本発明はこれ
に限定されるものではない。
切断して製造されて長軸及び短軸を有する単位太陽電池である第1及び第2太陽電池15
1、152で構成される。以下、図1から図3と共に図4を参照して複数の太陽電池15
0を含む母太陽電池150aを説明し、図5を参照して母太陽電池150aを切断して製
造された第1及び第2太陽電池151、152を詳細に説明する。
池150aを概略的に図示した前面平面図であり、図5は図4に図示した母太陽電池15
0aを切断して製造された第1及び第2太陽電池151、152を概略的に図示した前面
平面図である。簡略でかつ明確な図示のために、図4及び図5では半導体基板160及び
第1電極42を中心として図示した。
沿って切断して複数の単位太陽電池である第1及び第2太陽電池151、152を製造す
る。単位太陽電池である第1及び第2太陽電池151、152の各々が1つの太陽電池1
50として機能するようになる。このように、母太陽電池150aを2つの太陽電池15
0に分離するようになれば、複数個の太陽電池150を連結して太陽電池パネル100に
作る時に発生する出力損失(cell to module loss;CTM loss)を減らすことができる。
けた値を有するようになり、複数個の太陽電池を含む太陽電池パネルの出力損失は前記各
太陽電池の電流の自乗に抵抗を掛けた値に太陽電池の個数を掛けた値を有するようになる
。ところで、各太陽電池の電流中には太陽電池の面積自体によって発生する電流があるの
で、太陽電池の面積が大きくなれば該当電流も大きくなり、太陽電池の面積が小さくなれ
ば該当電流も小さくなるようになる。
これを連結するようになれば、電流が面積に比例して減少し、太陽電池150の個数はこ
れと反対に増加するようになる。例えば、切断線CLが1つ備えられて母太陽電池150
aから製造された太陽電池150が2つの場合には、各太陽電池150での電流が母太陽
電池150aの電流の2分の1に減るようになり、太陽電池150の個数が母太陽電池1
50aの2倍となる。前述したように、出力損失で電流は自乗値に反映され、個数はその
まま反映されるので、電流が2分の1に減らし、個数が2倍になれば、出力損失値は2分
の1に小さくなるようになる。これによって、本実施形態のように母太陽電池150aを
切断して複数個の太陽電池150を製造して、これを用いて太陽電池パネル100を製造
するようになれば、太陽電池パネル100の出力損失を減らすことができる。
て太陽電池150の面積を減らすが、これによれば既存に使用した設備、これによって最
適化された設計などをそのまま用いて母太陽電池150aを製造した後、これを切断すれ
ばよい。これによって、設備負担、工程コスト負担が最小化される。一方、母太陽電池1
50aのサイズ自体を縮めて製造するようになれば、使用していた設備を交替するか、ま
たは設定を変更するなどの負担がある。
got)から製造されて、円形、正四角形、またはこれと類似の形状のように互いに直交す
る2つの軸(一例に、フィンガーライン42aと平行する軸及びバスバー42bと平行す
る軸)での辺の長さが互いに同一または類似している。一例として、本実施形態で母太陽
電池150aの半導体基板160は概略的な正四角形の形状で4個の隅部分に傾斜辺16
3a、163bを有する八角形形状を有することができる。このような形状を有すれば、
同一なインゴットから最大限広い面積の半導体基板160を得ることができる。これによ
って、母太陽電池150aは対称的な形状を有し、最大横軸と最大縦軸、最小横軸と最小
縦軸が同一な長さを有する。
150を形成するので、太陽電池150の半導体基板160が長軸と短軸を有する形状を
有するようになる。本実施形態では、切断線CLが第1及び第2導電型領域32、34及
びフィンガーライン42aの長手方向である第1方向に繋がり、母太陽電池150a内に
位置した複数個の太陽電池150は第1方向に沿って長く繋げることができる。
1及び第2長辺161a、161bと、短軸(一例として、第1方向と交差し、バスバー
42bの延長方向と平行する第2方向)に沿って形成され、互いに平行する第1及び第2
短辺162a、162bを含む。そして、半導体基板160は長軸及び短軸が傾斜して形
成され、第1長辺161aと第1短辺162aとを連結する第1傾斜辺163a、そして
第1長辺161aと第2短辺162bとを連結する第2傾斜辺163bを含むことができ
る。そして、第2長辺161bと第1短辺162aとが互いに連結され、第2長辺161
bと第2短辺162bとが互いに連結できる。第1長辺161aが第2長辺161bより
短く、第1短辺162aと第2短辺162bが同一の長さを有し、第1傾斜辺163aと
第2傾斜辺163bが同一の長さを有することができる。しかしながら、本発明はこれに
限定されるものではなく、太陽電池150または半導体基板160が第1及び第2傾斜辺
163a、163bを具備せず、第1及び第2長辺161a、161b、そして第1及び
第2短辺162a、162bからなる直四角形形状を有することができる。その他の多様
な変形が可能である。
極42は、長軸と平行する第1方向(図面の横方向)に延長され、互いに平行に位置する
複数のフィンガーライン42aと、フィンガーライン42aと交差(一例に、直交)する
第2方向(図面の縦方向)に形成されてフィンガーライン42aに電気的に連結され、配
線材142が連結または付着されるバスバー42bを含む。図面では、第1電極42が枠
ライン42c、エッジ電極部42d、枠部42eをさらに含むことを例示した。枠ライン
42cは両側縁部の付近で複数のフィンガーライン42aの端部を全体的に連結すること
ができる。このような枠ライン42c、エッジ電極部42d、枠部42eは、フィンガー
ライン42aと同一または類似の幅を有し、フィンガーライン42aと同一の物質で構成
できる。しかしながら、枠ライン42c、エッジ電極部42d、枠部42eを具備しない
ことも可能である。
この際、配線材142の幅はフィンガーライン42aのピッチより小さいことがあり、フ
ィンガーライン42aの幅より大きいことがある。しかしながら、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、多様な変形が可能である。ここで、フィンガーライン42aが長軸と
平行する第1方向に互いに並べて形成されて太陽電池150のメイン縁部(特に、第1及
び第2長辺(図5の参照符号161a、161b))と平行することができる。
分に対応するように位置することができる。バスバー42bはこのような面に位置する配
線材142の各々に一対一対応するように具備できる。これによって、本実施形態で太陽
電池150の一面を基準にバスバー42bと配線材142が同一な個数で備えられる。
置する複数のパッド部422を含む。そして、バスバー42bは各々配線材142が連結
される方向に沿ってパッド部422より狭い幅を有しながらパッド部422の間で長く繋
がるライン部421をさらに含むことができる。
る領域である。第1方向から測定されたパッド部422の幅は、ライン部421、フィン
ガーライン42a、枠ライン42c、エッジ電極部42d、または枠部42eの幅より各
々大きく、配線材142の幅と等しいか、またはこれより大きいことがある。そして、第
2方向から測定されたパッド部422の長さもフィンガーライン42a、枠ライン42c
、枠部42d、またはエッジ電極部42eの幅より各々大きいことがある。このようなパ
ッド部422により配線材142とバスバー42bの付着力を向上し、接触抵抗を減らす
ことができる。
パッド424を含む。ここで、外側パッド424は複数のパッド部422のうち、第2方
向から見ると、太陽電池150(または、半導体基板160)の第1または第2長辺16
1a、161bの各々に最も近接して位置する第1外側パッド424a及び第2外側パッ
ド424bを意味することができる。これによって、長軸と平行する第1方向にフィンガ
ーライン42aを位置させて長軸と短軸を有する太陽電池150内でフィンガーライン4
2aを稠密でかつ均一に配置し、これと交差し、短軸と平行する第2方向で両側に外側パ
ッド424aが各々位置して、これに付着される配線材142の付着特性を向上すること
ができる。
最外郭フィンガーライン42aより内側に位置することができる。これによって、第2方
向から見ると、第1及び第2外側パッド424a、424bの間の距離は両側に位置した
最外郭フィンガーライン42a(即ち、図面の最上側及び最下側フィンガーライン)の間
の距離より小さい。
池150の前面から後面に連結されなければならないので、該当部分で太陽電池150か
ら遠ざかる方向に配線材142に加えられる力が大きくて、配線材142と電極42、4
4との付着力が低下することがある。このような問題は本実施形態のように狭い幅を有し
、付着面の面積の少ないワイヤー形態の配線材142を備える場合に大きく表れることが
できる。これを考慮して、本実施形態では長辺161a、161bに隣接した部分に大き
い面積を有する外側パッド424を形成したものである。また、外側パッド424と太陽
電池150の長辺161a、161bが一定の距離以上に離隔させて配線材142に加え
られる力を最小化したものである。
1方向に従う仮想線(一例に、第1及び第2外側パッド424a、424bの外側縁部の
間の中心を通る仮想線)を基準に第2方向で対称でありうる。これによって、電流の流れ
を安定的に具現することができ、既存の対称構造に使用していた装置などをそのまま使用
することができる。
内側パッド426は、2つの外側パッド424の間に位置したパッドを意味することがで
きる。本実施形態において、各バスバー42bで内側パッド426が一定間隔で複数個が
備えられて配線材142との付着特性を向上することができる。
て一部のフィンガーライン42aが断線される場合、キャリアが迂回することができる経
路を提供する。第1方向から測定されたライン部421の幅はパッド部422及び配線材
142の幅より小さく、第2方向から測定されたフィンガーライン42aの幅より小さい
か、大きいか、等しいことがある。このように、ライン部421を相対的に狭い幅で形成
して第1電極42の面積を最小化してシェーディング損失及び材料費用を低減することが
できる。ライン部421には配線材142が付着されることもでき、ライン部421に配
線材142が付着されていない状態で配線材142がライン部421の上に置かれた状態
でありうる。
これに一対一対応する配線材142)が6個以上具備できる。これによって、バスバー4
2bのピッチを縮めることによって、長軸に配置されたフィンガーライン42aに沿って
流れる電流の移動経路を最小化することができる。一例に、半導体基板160の一面で第
1方向でバスバー42b(または、これに一対一対応する配線材142)が6個〜33個
具備できる。バスバー42bまたは配線材142の個数が33個を超過すれば、材料費用
及び光損失が増加することがある。材料費用及び光損失を考慮し、太陽電池150が短軸
及び長軸を有して相対的に小さい面積を有するという点を考慮すれば、バスバー42bま
たは配線材142の個数が6個〜14個(一例に、6個〜12個)でありうる。しかしな
がら、本発明はこれに限定されるものではなく、配線材142の個数及びこれに従うバス
バー42bの個数が異なる値を有することができる。
エッジ領域PAとに区画できる。
が均一なピッチで配置される領域であって、バスバー42bにより区画される複数の電極
領域EAを含むことができる。そして、エッジ領域PAは隣接した2つの電極領域EAの
間を含み、半導体基板160または太陽電池150の縁部に隣接して位置する領域であり
うる。この際、エッジ領域PAは電極領域EAのフィンガーライン42aの密度より低い
密度で第1電極42が位置する領域であるか、または第1電極42が位置しない領域であ
りうる。
A1と、バスバー42bと太陽電池150の短辺162a、162bの間に位置した2つ
の第2電極領域EA2を含むことができる。この際、第1電極領域EA1の幅(W1)が
第2電極領域EA2の幅(W2)より小さいことがある。本実施形態では、バスバー42
bが多い個数に備えられる。したがって、第2電極領域EA2の幅(W2)を相対的に大
きくしなければ、第2電極領域EA2内に傾斜辺163a、163bが位置できない。す
ると、バスバー42b及び配線材142が傾斜辺163a、163bに位置しないので、
これらが傾斜辺163a、163bに位置する時に発生できる干渉問題または電流の流れ
が円滑でない問題などを防止することができる。しかしながら、本発明はこれに限定され
るものではなく、第1電極領域EA1の幅(W1)と第2電極領域EA2の幅(W2)が
多様な値を有することができる。
2aの間に位置する第1エッジ領域PA1と、第1エッジ領域PA1の以外の部分に最外
郭フィンガーライン42aと半導体基板160の縁部との間で一定の距離だけ離隔する第
2エッジ領域PA2を含むことができる。第1エッジ領域PA1は配線材142が位置し
た部分で太陽電池150の縁部に隣接した部分で各々位置することができる。第1エッジ
領域PA1は配線材142が充分な結合力により第1電極42に付着できるように外側パ
ッド424を太陽電池150の縁部から離隔するための領域である。
るエッジ電極部42dをさらに含み、電極領域EAと第1エッジ領域PA1とを区画する
枠部42eをさらに含むことができる。
領域PA1に隣接した複数のフィンガーライン42aの端部を経て最外郭フィンガーライ
ン42aの端部に到達することができる。枠部42eは、エッジ領域PA1に隣接したフ
ィンガーライン42aの一部に断線などがある場合に、キャリアが流れる経路を提供する
役割をする。そして、エッジ領域PA1内に位置したエッジ電極部42dが枠部42eを
経由してフィンガーライン42aに連結できる。すると、電極領域EAでエッジ領域PA
1に隣接した部分に位置したフィンガーライン42aにより収集された電流が枠部42e
を経由してエッジ電極部42dを通じて配線材142に伝達できる。しかしながら、本発
明はこれに限定されるものではなく、第1エッジ領域PA1内のエッジ電極部42dが枠
部42eを経由せず、直接フィンガーライン42aに連結されることも可能である。その
他の多様な変形が可能である。
1エッジ領域PA1の幅が徐々に広くなるようにフィンガーライン42a及びバスバー4
2bに傾斜して配置できる。一例として、第1エッジ領域PA1が概略的な三角形の形状
を有することができ、第1エッジ領域PA1を区画する2つの枠部42eが概略的な“V
字形状”を有することができる。これによって、第1エッジ領域PA1に隣接した2つの
電極領域EAでフィンガーライン42aの外側端部が徐々に遠ざかるように配置できる。
に安定的に位置することができる。本実施形態において、他の太陽電池150に連結され
ない配線材142の端部が外側パッド424の端部を通って第1エッジ領域PA1の内部
まで延長されて配線材142の端部が第1エッジ領域PA1の内部に位置することができ
る。これによって、配線材142の端部を安定的に固定することができ、パッド部422
による充分な付着力で第1電極42に固定しながら、配線材142が第2エッジ領域PA
2まで延長される場合に表れるショートなどの問題を防止することができる。
気的に連結される。これによって、エッジ電極部42dは配線材142に電流が流れるこ
とができる経路となって、第1エッジ領域PA1に隣接した電極領域EAの部分で生成さ
れた電流を配線材142に伝達することができる。これによって、配線材142の接着力
または結合力を向上するために、第1エッジ領域PA1を備えた場合にも、これによって
発生できる効率低下などを防止することができる。これによって、太陽電池150の効率
を向上し、太陽電池パネル100の出力を向上することができる。
ー42b、または配線材142に連結できる形状を有すればよい。これによって、エッジ
電極部42dは電極領域EAのフィンガーライン42aより少ない密度で第1エッジ領域
PA1に位置するようになる。
0の第1方向に従う仮想線(一例に、第1及び第2外側パッド424a、424bの外側
縁部の間の中心を通る仮想線)を基準として対称に形成できる。これによって、半導体基
板160の両側縁部で電流を効果的に収集し、配線材142の付着特性を向上することが
できる。
部がこれに隣接した最外郭フィンガーライン42aと同一線上まで位置するか、またはこ
れより外側に(即ち、半導体基板160の縁部(即ち、長辺161a、161b)に一層
近く)位置することができる。これによれば、低い密度のエッジ電極部42dが形成され
ながらもフィンガーライン42aとの連結は円滑になされることができ、収集された電流
が残留されず、配線材142に効果的に伝達できる。
する第1電極部4241、そして第1電極部4241から第1電極部4241と交差する
方向に最外郭フィンガーライン42aと同一線上またはこれより外側まで延長される第2
電極部4242を含むことができる。
421と交差(一例に、直交)しながら第1エッジ領域PA1の両側に位置する電極領域
EAの部分内に位置したフィンガーライン42aに連結(直接連結または枠部42eを通
じて連結)できる。そして、第2電極部4242はフィンガーライン42aと交差(一例
に、直交)するか、またはライン部421と平行することができる。
2c、エッジ電極部42d、または枠部42eの幅(長手方向と交差(一例に、直交)す
る方向での長さ)が35μm〜350μmでありうる。このような幅を有する時、接触特
性を向上させながらも光損失、材料費用などの増加を防止することができる。一例に、ラ
イン部421、フィンガーライン42a、枠ライン42c、エッジ電極部42d、または
枠部42eの幅が35μm〜200μm(より詳しくは、35μm〜120μm)であり
うる。そして、第1方向でのパッド部422の幅が0.25mm〜2.5mmでありうる
。このようなパッド部422の幅は、配線材142との接触面積を充分に確保しながら光
損失によるシェーディング損失が低減できるように決定されたものである。一例に、パッ
ド部422の幅が0.8mm〜1.5mmでありうる。
がある。例えば、外側パッド424の長さが0.4mm〜30mmであり、光損失をもっ
と考慮すれば、外側パッド424の長さが0.4mm〜3.2mmでありうる。内側パッ
ド426の長さが0.035mm〜1mm、より詳しくは0.4mm〜1mmでありうる
。これによって、大きい力が加えられる外側パッド424による付着力をより多く向上し
、内側パッド426の面積を縮めて光損失、材料費用などを低減することができる。
第1方向で互いに対称となり、第1方向に従う仮想線(一例に、第1及び第2外側パッド
424a、424bの外側縁部の間の中心を通る仮想線)で互いに対称にできる。これに
よって、電流の流れを安定的に具現することができる。しかしながら、本発明はこれに限
定されるものではない。
このような太陽電池パネル100を製造する時、アライメントマーク420を用いて太陽
電池150をアラインして所望の位置に配置させることができる。アライメントマーク4
20は多様な物質を用いて多様な方法により形成できる。一例に、アライメントマーク4
20は第1電極42を形成する工程で第1電極42と同一な物質を用いて第1電極42と
共に形成できる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
4は、バスバー42bに対応する位置から第2方向に位置するバスバーを含み、フィンガ
ーライン、枠ライン、エッジ電極部、枠部などをさらに含むことができる。第2電極44
はバスバーを具備すればよく、フィンガーライン、枠ライン、エッジ電極部、枠部などを
含まないことがある。ここで、第2電極44のフィンガーライン、バスバー、枠ライン、
エッジ電極部、枠部に対しては、第1電極42のフィンガーライン42a、バスバー42
b、枠ライン42c、エッジ電極部42d、枠部42eに対する説明がそのまま適用でき
る。そして、第2電極44がアライメントマークを備えることもできる。
第1及び第2電極42、44のバスバー42bは半導体基板160の両面で同一な位置に
位置することができる。第1電極42のフィンガーライン42aと第2電極44のフィン
ガーラインは互いに同一な幅、ピッチ、及び個数を有することもでき、第1電極42のフ
ィンガーライン42aと第2電極44のフィンガーラインは、幅、ピッチ、及び個数のう
ち、少なくとも1つが相異することができる。第1電極42のパッド部422と第2電極
44のパッド部は互いに同一な幅、長さ、ピッチ、及び個数を有することもでき、第1電
極42のパッド部422と第2電極44のパッド部は幅、長さ、ピッチ、及び個数のうち
、少なくとも1つが相異することができる。また、第1電極42と第2電極44の平面形
状が相異することも可能であり、その他の多様な変形が可能である。
(または、太陽電池150)の幅(W3)に対する第1方向でのバスバー42bのピッチ
(即ち、第1電極領域EA1の幅(W1))の割合が0.35以下でありうる。これによ
って、長軸及び短軸を有する太陽電池150でバスバー42bのピッチを半導体基板16
0の幅(W3)より一定割合以下に形成して電流が流れる経路を最小化して太陽電池15
0の効率をより向上することができる。
42bのピッチが0.35を超過して電流が流れる経路を最適化できなかった。これによ
って、電流を減らすために短軸及び長軸を有する太陽電池150で実際にこれによる効果
を充分に具現することが困難であった。一方、本実施形態では半導体基板160の幅(W
3)に対するバスバー42bのピッチを一定割合以下に限定して短軸及び長軸を有する太
陽電池150での効率を効果的に向上することができる。
1〜0.35でありうる。バスバー42bのピッチを縮めれば、電流の流れの経路を縮め
ることはできるが、バスバー42bの個数及び配線材142の個数が過度に増えて、コス
ト及び工程時間が増加することがある。これを考慮して、半導体基板160の幅(W3)
に対するバスバー42bのピッチの割合が0.1以上でありうる。しかしながら、本発明
はこれに限定されるものではない。
行する第1方向に配置できる。そして、電極42、44が第1方向と並んでいる仮想線に
対して対称に形成できる。すると、太陽電池150を切断した後にも第2方向から見ると
、両側に大差のないので、太陽電池パネル100で太陽電池150を両側の区別無しで自
由に配置することができる。
て切断して形成された切断面に対応し、第1長辺161a、第1及び第2短辺162a、
162b、第1及び第2傾斜辺163a、163bが切断されない非切断面に対応する。
切断面か非切断面かは、第1及び第2傾斜辺163a、163bの存在または顕微鏡上で
の表面粗さの差、表面モルフォロジーの差などにより知ることができる。
部との間の第1間隔(W4)が非切断面とこれに隣接した導電型領域20、30及び/又
は電極42、44の端部との間の第2間隔(W5)より小さいことがある。これはシャン
トなどを防止するために切断線CLを含む部分に導電型領域20、30及び/又は電極4
2、44が形成されない不活性領域を形成するが、このような不活性領域の幅を最大限小
さくしなければ光電変換に寄与する面積が大きくないためである。前述したように、導電
型領域20、30及び電極42、44は、非切断面である第1長辺161aと切断面であ
る第2長辺161bに対して互いに非対称的に形成され、非切断面(NCS)である第1
短辺162aと第2短辺162bに対して互いに対称を成すように形成できる。しかしな
がら、本発明はこれに限定されるものではなく、第1間隔(W4)が第2間隔(W5)と
等しいか大きいことがある。
電池150が製造されることを例示した。この際、切断線CLが母太陽電池150aの中
心を通ることができる。すると、各太陽電池150が実質的に同一な面積を有して類似の
電気的特性を有することができるためである。その中でも概略的な八角形形状の母太陽電
池150aを切断して2つの太陽電池150を製造することによって、各太陽電池150
が第1及び第2長辺161a、161b、第1及び第2短辺162a、162b、第1及
び第2傾斜辺163a、163bを有することを例示した。
ように、互いに平行する切断線CLが2つ以上ありうる。これによれば、1つの母太陽電
池150aで製造された太陽電池150の個数が切断線CLの個数より1つ多いことがあ
る。切断線CLが2つ以上の場合には、導電型領域20、30及び電極42、44が形成
された領域が実質的に同一な幅を有しながら形成され、均一な距離に離隔して位置するこ
とができる。
側に位置した外側パッド424が両側に位置しなければならないので、切断線CLがあま
り多ければ、外側パッド424が円滑に配置され難い。これを考慮すれば、切断線CLは
3個以下であることがあり、1つの母太陽電池150aで4個以下の太陽電池150を製
造することができる。これによって、一例として、第1方向での半導体基板160の長さ
(図4の参照符号L)に対する第2方向での半導体基板160の幅(図4の参照符号W3
)の割合が0.2〜0.5でありうる。原則的には母太陽電池150aで4個の太陽電池
150を製造する場合に、前記割合が0.25であるが、工程誤差、設計自由度などを考
慮して0.2以上に限定したものである。
れば、図面の上側及び下側太陽電池150は、前述したことと類似するように、第1及び
第2長辺(図5の161a、161b参照、以下同一)、第1及び第2短辺(図5の16
2a、162b参照、以下同一)、第1及び第2傾斜辺(図5の163a、163b参照
、以下同一)を有する第1及び第2太陽電池151、152となる。この際、第2長辺1
61bが切断線CLによる切断面であり、残りの縁部が非切断面に該当する。第1及び第
2太陽電池151、152に対しては図4及び図5を参照した説明がそのまま適用される
。
及び第2短辺162a、162bのみを有し、第1及び第2傾斜辺163a、163bを
有しない第3太陽電池153を構成する。第3太陽電池153では第1及び第2長辺16
1a、161bが切断線CLによる切断面であり、第1及び第2短辺162a、162b
が非切断面である。これによって、第3太陽電池153は第1及び第2太陽電池151、
152と異なるように直四角形形状を有することができる。この際、第1及び第2長辺1
61a、161bが全て切断面で構成されるので、第2方向でも導電型領域20、30及
び/又は電極42、44が対称になるように位置する。
)する配線材142により隣り合う太陽電池150と電気的に連結されるが、これに対し
ては図1から図5と共に図7を参照してより詳しく説明する。
る第1太陽電池151と第2太陽電池152を概略的に図示した斜視図である。ここで、
第1及び第2太陽電池151、152は母太陽電池150aで切断された単位太陽電池で
あって、長軸及び短軸を有する。簡略でかつ明確な図示のために、図7で第1及び第2太
陽電池151、152は半導体基板160と電極42、44を中心として概略的に図示し
た。
0(一例として、第1太陽電池151と第2太陽電池152)が配線材142により連結
できる。この際、配線材142は、第1太陽電池151の前面に位置した第1電極42と
第1太陽電池151の一側(図面の左下部)に位置する第2太陽電池152の後面に位置
した第2電極44を連結する。そして、他の配線材1420aが第1太陽電池151の後
面に位置した第2電極44と第1太陽電池151の他の一側(図面の右上部)に位置する
他の太陽電池の前面に位置した第1電極42を連結する。そして、更に他の配線材142
0bが第2太陽電池152の前面に位置した第1電極42と第2太陽電池152の一側(
図面の左下部)に位置する更に他の太陽電池の後面に位置した第2電極44を連結する。
これによって、複数個の太陽電池150が配線材142、1420a、1420bにより
互いに1つの列を成すように連結できる。以下、配線材142に対する説明は隣り合う2
つの太陽電池150を連結する全ての配線材142、1420a、1420bに各々適用
できる。
り詳しくは、第1電極42のバスバー(図5の参照符号42b、以下同一))に連結され
ながら第1長辺161aからこれに反対になる第2長辺161bに向けて長く繋がる第1
部分と、第2太陽電池152の後面で第2電極44(より詳しくは、第2電極44のバス
バー)に連結された状態で第2長辺161bからこれに反対になる第1長辺161bに向
かい長く繋がる第2部分と、第1太陽電池151の前面から第2太陽電池152の後面ま
で延長されて第1部分と第2部分を連結する第3部分を含むことができる。これによって
、配線材142が第1太陽電池151の一部領域で第1太陽電池151を横切った後、第
2太陽電池152の一部領域で第2太陽電池152を横切って位置することができる。こ
のように、配線材142が第1及び第2太陽電池151、152より小さな幅を有しなが
ら第1及び第2太陽電池151、152の一部(一例に、バスバー42b)に対応する部
分のみで形成されて小さな面積によっても第1及び第2太陽電池151、152を効果的
に連結することができる。
バー42bに接触及び接合しながらバスバー42bに沿って長く繋がるように配置できる
。これによって、配線材142と第1及び第2電極42、44が連続して接触するように
して、電気的連結特性を向上することができる。本実施形態において、配線材142は太
陽電池150の短軸に平行する第2方向に沿って連結できる。しかしながら、本発明はこ
れに限定されるものではない。
太陽電池150の電気的連結特性を向上することができる。特に、本実施形態では配線材
142が既存に使われた相対的に広い幅(例えば、1mm〜2mm)を有するリボンより
小さな幅を有するワイヤーで構成されて、各太陽電池150の一面基準に既存のリボンの
個数(例えば、2個〜5個)より多い個数の配線材142を使用する。
厚さにコーティングされ、ソルダー物質を含んで電極42、44とソルダリング可能にす
るソルダー層142bを含むことができる。一例に、コア層142aはNi、Cu、Ag
、Alを主要物質(一例に、50wt%以上含まれる物質、より詳しくは90wt%以上
含まれる物質)として含むことができる。ソルダー層142bは、Pb、Sn、SnIn
、SnBi、SnPb、SnPbAg、SnCuAg、SnCuなどの物質を主要物質と
して含むことができる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、コア層
142a及びソルダー層142bが多様な物質を含むことができる。
、材料費用を格段に低減することができる。そして、配線材142がリボンより小さな幅
を有するので、配線材142を充分な個数に備えてキャリアの移動距離を最小化すること
によって、太陽電池パネル100の出力を向上することができる。
とができる。即ち、配線材142を構成するワイヤーが円形、楕円形、または曲線からな
る断面または丸みを付けた断面を有することができる。これによって、配線材142が反
射または乱反射を誘導することができる。これによって、配線材142を構成するワイヤ
ーの丸みを付けた面で反射された光が太陽電池150の前面または後面に位置した前面基
板110または後面基板120などに反射または全反射されて太陽電池150に再入射さ
れるようにすることができる。これによって、太陽電池パネル100の出力を効果的に向
上することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。したがっ
て、配線材142を構成するワイヤーが四角形などの多角形の形状を有することができ、
その他の多様な形状を有することができる。
250μm〜500μm)でありうる。参考に、本実施形態において、ソルダー層142
bの厚さは非常に小さい方であり、配線材142の位置によって多様な厚さを有すること
ができるので、配線材142の幅はコア層142aの幅と見ることができる。または、配
線材142の幅はライン部(図5の参照符号421)の上で配線材142の中心を通る幅
と見ることができる。このような幅を有するワイヤー形態の配線材142により太陽電池
150で生成した電流を外部回路(例えば、バスリボンまたはジャンクションボックスの
バイパスダイオード)、または更に他の太陽電池150に効率良く伝達することができる
。本実施形態では、配線材142が別途の層、フィルムなどに挿入されない状態で太陽電
池150の電極42、44の上に各々個別的に位置して固定できる。配線材142の幅が
250μm未満であれば、配線材142の強度が充分でないことがあり、電極42、44
の連結面積が非常に少なくて電気的連結特性がよくないで、付着力が低いことがある。配
線材142の幅が1mm以上(一例に、500μm超過)であれば、配線材142のコス
トが増加し、配線材142が太陽電池150の前面に入射される光の入射を妨害して光損
失(shading loss)が増加することができる。また、配線材142で電極42、44と離
隔する方向に加えられる力が大きくなって配線材142と電極42、44との間の付着力
が低いことがあり、電極42、44または半導体基板160に亀裂などの問題を発生させ
ることがある。一例に、配線材142の幅は350μm〜450μm(特に、350μm
〜400μm)でありうる。このような範囲で電極42、44との付着力を高めながら太
陽電池パネル100の出力を向上することができる。
42bと個別的に位置するようになる。ここで、配線材142は付着前に円形の断面を有
するが、タビング工程によりソルダー層142bを用いて配線材142を電極42、44
に接着(一例として、接触するように接着)した後にはパッド部422の上で形状が変形
される。即ち、タビング工程で各ソルダー層142bが第1または第2電極42、44(
より詳しくは、パッド部422)側に全体的に流れて、図3に図示したように、各パッド
部422に隣接した部分でソルダー層142bの幅がパッド部422に向かいながら徐々
に大きくなることができる。一例に、ソルダー層142bでパッド部422に隣接した部
分はコア層142aの直径または幅と等しいか、またはそれより大幅を有することができ
る。より詳しくは、ソルダー層142bはコア層142aの上部でコア層142aの形状
によって太陽電池150の外部に向かって突出した形状を有する一方、コア層142bの
下部またはパッド部422に隣接した部分には太陽電池150の外部に対して凹な形状を
有する部分を含む。これによって、ソルダー層142bの側面では曲率が変わる変曲点が
位置するようになる。ソルダー層142bのこのような形状から配線材142が別途の層
、フィルムなどに挿入されるか、覆われていない状態でソルダー層142bにより各々個
別的に付着されて固定されたことが分かる。別途の層、フィルムなどの使用無しでソルダ
ー層142bにより配線材142を固定して単純な構造及び工程により太陽電池150と
配線材142を連結することができる。特に、本実施形態のように、狭い幅及び丸みを付
けた形状を有する配線材142を別途の層、フィルム(一例に、樹脂と伝導性物質を含む
伝導性接着フィルム)などを使用しないで付着できるので、配線材142を付着する工程
コスト及び時間を最小化することができる。
2の部分はタビング工程の以前と同一または類似の形状(一例に、円形の断面形状)をそ
のまま維持することができる。
照符号161b、以下同一)と第2太陽電池152の第2長辺161bを対向するように
位置した。そして、第1太陽電池151の第1長辺(図5の参照符号161a、以下同一
)と第1太陽電池151に隣接し、第2太陽電池152の反対側に位置した他の太陽電池
(図示せず)の第1長辺161aが対向するように位置することができる。そして、第2
太陽電池152の第1長辺161aと第2太陽電池152に隣接する更に他の太陽電池の
第1長辺161aが対向するようにすることができる。これによって、同一な長さを有す
る第1長辺161a、第2長辺161b、または傾斜辺(図5の参照符号163a、16
3b)が互いに対向するように配置して審美性を向上し、構造的安定性を向上することが
できる。
を基準にバスバー42bが対称に形成されたためである。これによれば、母太陽電池15
0aから製造された第1及び第2太陽電池151、152を回転せず、そのまま電気的に
連結できるので、回転に必要な工程時間及びコストを低減することができる。しかしなが
ら、本発明はこれに限定されるものではなく、隣り合う太陽電池150で第1長辺161
aと第2長辺161bが対向するように配置されることもできる。
42b及び/又はワイヤー形態の配線材142を使用して光損失を最小化することができ
、バスバー42b及び/又は配線材142の個数を増やしてキャリアの移動経路を縮める
ことができる。これによって、太陽電池150の効率及び太陽電池パネル100の出力を
向上することができる。本実施形態によれば、ワイヤー形態の配線材142を使用して乱
反射などによって光損失を最小化することができ、配線材142のピッチを縮めてキャリ
アの移動経路を縮めることができる。これによって、太陽電池150の効率及び太陽電池
パネル100の出力を向上することができる。
効率及び太陽電池パネル100の出力を最大化することができる。この際、短軸方向に配
線材142を配置し、短軸方向の両側に外側パッド424を各々位置させて配線材142
を通じての移動経路を最小化し、配線材142の付着特性を向上することができる。
同一または極めて類似の部分に対しては詳細な説明を省略し、互いに異なる部分に対して
のみ詳細に説明する。そして、前述した実施形態またはこれを変形した例と以下の実施形
態またはこれを変形した例を互いに結合したものも本発明の範囲に属する。
示した部分前面平面図である。簡略でかつ明確な図示のために、図8では半導体基板16
0、第1電極42、配線材142を中心として図示した。
ガーライン42aのうち、少なくとも一部が連続的に繋がらず、一部分が断線した断線部
Sを備えることができる。
、第2電極領域EA2に位置したフィンガーライン42aには形成されないことがある。
第1電極領域EA1ではフィンガーライン42aが断線部Sを有してもフィンガーライン
42aが1つのバスバー42bまたは配線材142に連結されるので、電流が円滑に流れ
ることができる。これによって、第1電極領域EA1で電流の流れを妨害せずに第1電極
42の面積を縮めることができるので、製造コストを減らし、光損失を減らすことができ
る。第2電極領域EA2では、一側のみにバスバー42bまたは配線材142に連結され
るので、断線部Sを具備しなくて一側に位置したバスバー42bまたは配線材142まで
電流が円滑に流れることができるようにする。
に位置することができる。これによって、電流移動経路を最小化することができる。
bのピッチの0.5倍以下でありうる。断線部Sの幅がフィンガーライン42aのピッチ
の0.5倍未満であれば、断線部Sの幅が狭くて断線部Sによる効果が充分でないことが
ある。断線部Sの幅がバスバー42bのピッチの0.5倍を超過すれば、断線部Sの幅が
大きくなって電気的特性が低下することがある。一例として、断線部Sの幅が1.5mm
〜1.8mmでありうる。このような範囲内で断線部Sによる効果を最大化することがで
きる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、断線部Sの幅が多様な値
を有することができる。
ン42aの個数に対し、断線部Sを備えたフィンガーライン42aの個数の割合が0.3
3倍〜1倍でありうる。このような範囲内で断線部Sによる効果を最大化することができ
る。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、前述した個数割合が変わる
ことがある。
れに限定されるものではない。複数の第1電極領域EA1のうちの一部には断線部Sが備
えられ、他の部分には断線部Sが備えられないことがある。第1電極領域EA1で第2方
向に見ると、断線部Sを備えたフィンガーライン42aと断線部Sを備えないフィンガー
ライン42aが交互に位置することを例示した。これによれば、製造コストを減らし、光
損失を減らし、かつ電流移動経路を最適化することができる。しかしながら、本発明はこ
れに限定されるものではなく、断線部Sを備えたフィンガーライン42aと断線部Sを備
えないフィンガーライン42aの配置が多様に変形できる。また、図面及び前述した説明
では第1電極42を基準に図示及び説明したが、このような説明が第2電極44にそのま
ま適用できる。
0は図9の太陽電池パネルに適用できる太陽電池として母太陽電池を切断して製造された
第1及び第2太陽電池を概略的に図示した前面平面図である。
2)でない連結部材144により互いに連結される。この際、複数の太陽電池150は連
結部材144により互いに電気的に連結(一例に、直列連結)されて1つの列(または、
ストリング)を形成することができる。
52の第2電極44との間に位置して、これらを電気的及び物理的に連結することができ
る。即ち、第1太陽電池151と第2太陽電池152の縁部が互いに重畳するように位置
し、連結部材144が一側(図面の下部)に位置した第1太陽電池151の第1電極42
のパッド電極42fと他側(図面の上部)に位置した第2太陽電池152の第2電極44
のパッド電極44fの間に位置(一例に、接触)して、これらを電気的及び物理的に連結
する。連結部材144には太陽電池150を電気的及び物理的に連結することができる多
様な物質で構成できるが、一例として、導電性接着層、ソルダーなどからなることができ
る。このような連結が連続反復されて複数の太陽電池150が1つの列(または、ストリ
ング)を形成するようになる。太陽電池パネル100は1つまたは複数個の列の太陽電池
150を含むことができる。複数個の列を備える場合、これらの電気的連結などは多様な
構成が適用できる。
の太陽電池150である第1及び第2太陽電池151、152を製造する。第1及び第2
電極42、44の形状を除外した太陽電池150の構造は、図1から図8を参照して説明
した太陽電池150の構造がそのまま適用できる。以下、各太陽電池150に含まれる第
1及び第2電極42、44をより詳しく説明する。
行する第1方向(図面の横方向)に延長され、互いに平行に位置する複数のフィンガーラ
イン42aと、フィンガーライン42aと交差(一例として、直交)する第2方向(図面
の縦方向)に形成されてフィンガーライン42aに電気的に連結されるバスバー42bを
含む。図面では第1電極42が枠ライン42cをさらに含むことを例示した。複数のフィ
ンガーライン42a、バスバー42b、及び枠ライン42cの幅、ピッチ、形状などに対
しては図1から図8を参照した説明がそのまま適用できる。
集されたキャリアを連結部材144に連結されるパッド電極42fまで伝達する移動経路
を提供する。本実施形態では、バスバー42bの個数を6個以上(例えば、6個〜33個
、より詳しくは、6個〜14個、一例として、6個〜12個)に充分に確保してキャリア
の移動経路を最小化することができる。但し、バスバー42bに連結部材144が直接連
結されるものではないので、パッド部(図1の参照符号422)を具備せず、ライン部4
21のみを具備してシェーディング損失を最小化することができる。しかしながら、本発
明はこれに限定されるものではなく、バスバー42bがパッド部422を備えることもで
きる。
パッド電極42fを含むことができる。このようなパッド電極42fは他の太陽電池15
0と重畳する部分に位置して隣り合う太陽電池150を連結する連結部材144が直接位
置(一例として、接触)するようになる部分である。この際、フィンガーライン42a及
び/又はバスバー42bのライン部421の幅よりパッド電極42fの幅が大きいことが
ある。すると、パッド電極42fと連結部材144が充分な面積に付着されて電気的特性
及び付着特性を向上することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されるもので
はない。したがって、パッド電極42fのフィンガーライン42a及び/又はバスバー4
2bのライン部421の幅と同一であるか、またはそれより小さな幅を有することができ
る。または、パッド電極42fが別途に備えられず、フィンガーライン42a及び/又は
バスバー42bの一部に連結部材44が接触されることもできる。
て位置して連結部材144を挟んで互いに重畳する太陽電池150の面積を最小化するこ
とができる。パッド電極42fは第1または第2長辺161a、161bと平行する方向
(即ち、フィンガーライン42aと平行し、バスバー電極42bと交差する第1方向)に
長く繋がる形状を有することができる。これによって、連結部材144とパッド電極42
fとの連結面積を最大化して安定的にこれらを連結することができる。
ーション膜(図1の参照符号22)及び反射防止膜(図1の参照符号24))を貫通して
第1導電型領域(図1の参照符号20)に直接連結されることもでき、または絶縁膜の上
で第1導電型領域20と離隔して位置することができる。
ーライン42a、バスバー42b、及びパッド電極42fに各々対応するフィンガーライ
ン、バスバー、及びパッド電極44fを含むことができる。そして、第2電極44は第1
電極42の枠ライン42cに対応する枠ラインをさらに含むことができる。第2電極44
に対しては第1電極42に対する内容がそのまま適用されることができ、第1電極42と
関連した第1パッシベーション膜22及び反射防止膜24の内容が第2電極44と関連し
て第2パッシベーション膜32にそのまま適用され、第1電極42と関連した第1導電型
領域20の内容が第2電極44と関連して第2導電型領域30にそのまま適用できる。こ
の際、第1電極42のフィンガーライン42a、バスバー42b、及びパッド電極42f
の幅、ピッチなどは第2電極44のフィンガーライン、バスバー、及びパッド電極44f
の幅、ピッチなどと互いに同一であることもあり、相違することもある。
第2方向での一側縁部に隣接して1つ備えられることを例示した。そして、各太陽電池1
50で第2電極44のパッド電極44fが第2方向での他側縁部に隣接して1つ備えられ
ることを例示した。このような構造を有すれば、太陽電池150を連結する時、第1太陽
電池151の一側に位置した第1電極42のパッド電極42fと、これに隣り合う第2太
陽電池152の他側に位置した第2電極44のパッド電極44fとが互いに隣接して位置
するので、これらを連結部材144で接合することによって、隣り合う太陽電池150を
安定的に連結することができる。そして、一側のみにパッド電極42f、44fを位置さ
せて第1及び第2電極42、44の材料費用を低減し、製造工程を単純化することができ
る。
ド電極42fは各太陽電池150で第2方向での一側縁部(一例として、図10の下側縁
部)に隣接して位置し、第2電極44のパッド電極44fは各太陽電池150の第2方向
での他側縁部(一例として、図10の上側縁部)に隣接して位置することができる。これ
によれば、複数の太陽電池150を直列連結して太陽電池パネル100を形成する場合に
、切断後に複数の太陽電池150をその配置の通り連結することができる。これによって
、太陽電池パネル100の製造工程を単純化することができる。しかしながら、本発明は
これに限定されるものではない。
に、第1及び第2太陽電池151、152に含まれた第1電極42のパッド電極42fが
互いに異なる長辺に隣接して位置し、第1及び第2太陽電池151、152に含まれた第
2電極44のパッド電極44fが互いに異なる長辺に隣接して位置することができる。例
えば、第1太陽電池151では第1電極42のパッド電極42fが第2長辺161bに隣
接して位置し、第2太陽電池152では第1電極42のパッド電極42fが第1長辺16
1aに隣接して位置することができる。そして、第1太陽電池151では第2電極44の
パッド電極44fが第1長辺161aに位置し、第2太陽電池では第2電極44のパッド
電極44fが第2長辺161bに位置することができる。これを連結部材144に連結す
れば、第1太陽電池151の第1長辺161aに隣接した第1電極42のパッド電極42
fと第2太陽電池152aの第1長辺161aに隣接した第2電極44のパッド電極44
fが連結される。これによって、互いに同一な長さを有する長辺が互いに連結できるので
、安定的に第1及び第2太陽電池151、152を連結することができる。
れ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示さ
れた特徴、構造、効果などは実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実
施形態に対しても組み合わせまたは変形されて実施可能である。したがって、このような
組み合わせと変形に関連する内容は本発明の範囲に含まれるものとして解析されるべきで
ある。
16−0163559に対して優先権を主張し、その全ての内容は参考文献として本特許
出願に併合される。
Claims (12)
- 太陽電池パネルであって、
第1太陽電池及び第2太陽電池を含む複数の太陽電池と、
前記第1太陽電池と前記第2太陽電池を連結し、及び、円形の断面を有するワイヤで構成された複数の配線材と、を備えてなり、
前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池は、母太陽電池を前記母太陽電池の中心線を切断線として切断し形成されたものであり、
前記複数の太陽電池の各々は、
互いに交差する長軸及び短軸を有する半導体基板、
前記半導体基板の一面に形成される第1導電型領域、
前記半導体基板の他面に形成される第2導電型領域、
前記第1導電型領域に電気的に連結される第1電極、及び、
前記第2導電型領域に電気的に連結される第2電極を備え、
前記第1電極は、前記長軸と平行する第1方向に位置し、互いに平行する複数のフィンガーライン及び前記短軸と平行する第2方向に位置する複数のパッド部を含む複数のバスバーを備え、
前記複数のバスバーの個数又は前記複数の配線材の個数が6個〜14個であり、
前記複数の配線材は、前記第2方向に沿って延長し、及び、前記複数のパッド部により固定されたものである、太陽電池パネル。 - 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記複数のバスバー又は前記複数の配線材のピッチが0.35以下である、請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記第2方向での前記半導体基板の幅に対する前記第1方向での前記複数のバスバー又は前記複数の配線材のピッチが0.1〜0.35である、請求項1記載の太陽電池パネル。
- 前記第1方向での前記半導体基板の長さに対する前記第2方向での前記半導体基板の幅の割合が0.2〜0.5である、請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記複数の配線材は、コア層及び前記コア層の外面に位置するソルダー層を備え、
前記ソルダー層により前記複数の配線材が前記複数のパッド部に固定される、請求項1に記載の太陽電池パネル。 - 前記複数のパッド部に隣接した部分で前記ソルダー層の幅が前記パッド部に向かって徐々に大きくなる、請求項5に記載の太陽電池パネル。
- 前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池は、各々前記長軸に沿って形成され、互いに平行する第1長辺及び第2長辺と、前記短軸に沿って形成され、互いに平行する第1短辺及び第2短辺と、前記長軸及び前記短軸に傾斜して形成され、前記第1長辺と前記第1短辺とを連結する第1傾斜辺及び前記第1長辺と前記第2短辺とを連結する第2傾斜辺を備え、
前記第1太陽電池の前記第1長辺と前記第2太陽電池の前記第1長辺又は前記第1太陽電池の前記第1傾斜辺及び第2傾斜辺と前記第2太陽電池の前記第1傾斜辺及び第2傾斜辺が対向し、或いは、前記第1太陽電池の前記第2長辺と前記第2太陽電池の前記第2長辺とが対向する、請求項1に記載の太陽電池パネル。 - 前記第1太陽電池又は前記第2太陽電池は、同一の長さを有する二つの傾斜辺を有する、請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記複数のパッド部が、前記第2方向での両側に各々位置する第1外側パッド及び第2外側パッドを備えてなる、請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記第1外側パッドと前記第2外側パッドが前記太陽電池の前記第2方向で対称に位置する、請求項1に記載の太陽電池パネル。
- 前記複数のパッド部は前記第1外側パッドと前記第2外側パッドとの間に位置する内側パッドをさらに備え、
前記複数のバスバーは前記複数のパッド部を前記第2方向に連結するライン部をさらに備えてなる、請求項1に記載の太陽電池パネル。 - 第1太陽電池及び第2太陽電池は、切断面と非切断面を備えてなり、
前記第1導電型領域と前記第2導電型領域との間又は前記第1電極と前記第2電極と前記切断面との間における第1間隙が、前記第1導電型領域と前記第2導電型との間又は前記第1電極と前記第2電極と前記非切断面との間における第2間隙よりも小さいものである、請求項1に記載の太陽電池パネル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160163559A KR101823605B1 (ko) | 2016-12-02 | 2016-12-02 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
KR10-2016-0163559 | 2016-12-02 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017148887A Division JP2018093167A (ja) | 2016-12-02 | 2017-08-01 | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019114812A true JP2019114812A (ja) | 2019-07-11 |
Family
ID=59366315
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017148887A Pending JP2018093167A (ja) | 2016-12-02 | 2017-08-01 | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
JP2019059539A Pending JP2019114812A (ja) | 2016-12-02 | 2019-03-27 | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017148887A Pending JP2018093167A (ja) | 2016-12-02 | 2017-08-01 | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180158970A1 (ja) |
EP (1) | EP3331028A1 (ja) |
JP (2) | JP2018093167A (ja) |
KR (1) | KR101823605B1 (ja) |
CN (2) | CN114744057A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021117740A1 (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200202404A1 (en) * | 2016-06-01 | 2020-06-25 | Solaero Technologies Corp. | Automated assembly and mounting of solar cells on space panels |
US20180198008A1 (en) * | 2017-01-06 | 2018-07-12 | Solarcity Corporation | Photovoltaic structures with segmented busbars for increased thermal cycling reliability |
KR101879374B1 (ko) * | 2017-02-22 | 2018-08-17 | 주식회사 탑선 | 태양전지모듈 |
US11190128B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-11-30 | Tesla, Inc. | Parallel-connected solar roof tile modules |
US11257969B2 (en) | 2018-03-15 | 2022-02-22 | The Boeing Company | Blocking diode board for rollable solar power module |
CN108963006A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-12-07 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法和基于其的电池片及光伏组件 |
KR102604429B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2023-11-22 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법 |
WO2020031574A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
CN108987495A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-11 | 通威太阳能(合肥)有限公司 | 一种叉指状全半片兼容正面金属电极 |
KR102577910B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2023-09-14 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
KR102624328B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2024-01-15 | 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 모듈 |
KR20200051112A (ko) * | 2018-11-03 | 2020-05-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102652350B1 (ko) * | 2018-11-07 | 2024-03-29 | 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 모듈 |
CN109599454A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-09 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种太阳能电池背面结构设计 |
KR20200084732A (ko) * | 2019-01-03 | 2020-07-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 패널 |
KR102665568B1 (ko) * | 2019-01-15 | 2024-05-14 | 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 패널 |
EP3928357A4 (en) * | 2019-02-18 | 2022-11-02 | NewSouth Innovations Pty Limited | METHOD OF REDUCING THERMOMECHANICAL STRESS IN SOLAR CELLS |
FR3094570B1 (fr) * | 2019-04-01 | 2021-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Cellule et chaîne photovoltaïques et procédés associés |
WO2021020657A1 (ko) * | 2019-07-29 | 2021-02-04 | 한국생산기술연구원 | 슁글드 태양전지 패널 및 그 제조방법 |
CN110444614A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-12 | 天合光能股份有限公司 | 一种N型高效TOPCon电池 |
CN112825337B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-07-21 | 江苏宜兴德融科技有限公司 | 柔性太阳能电池阵 |
CN112133773B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-08-09 | 常州时创能源股份有限公司 | 太阳能电池片、光伏组件 |
EP4071833A1 (en) * | 2021-04-08 | 2022-10-12 | Meyer Burger (Switzerland) AG | Solar cell module with half cells and method for fabricating such a solar cell module |
CN117790596A (zh) | 2021-08-27 | 2024-03-29 | 晶科能源股份有限公司 | 光伏电池片、电池组件及制备工艺 |
CN115732577B (zh) * | 2021-08-27 | 2024-02-06 | 上海晶科绿能企业管理有限公司 | 一种光伏电池及光伏组件 |
CN215600379U (zh) * | 2021-08-27 | 2022-01-21 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏电池及光伏组件 |
CN115101617B (zh) * | 2022-01-13 | 2024-01-19 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能组件 |
WO2023145370A1 (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
CN114823961A (zh) | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏组件结构 |
EP4362108A1 (en) * | 2022-10-24 | 2024-05-01 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell and photovoltaic module |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507275A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | エバーグリーン ソーラー, インコーポレイテッド | 微細なフィンガーを有する光起電力性パネルおよび光起電力性電池ならびにこれらの製造方法 |
JP2014033240A (ja) * | 2013-11-21 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール |
JP2016072637A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びそれを含む太陽電池パネル |
US20160172510A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Solarworld Innovations Gmbh | Photovoltaic module |
JP2016146373A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 長州産業株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4075410B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-04-16 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池 |
JP5025135B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
JP4948219B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-06-06 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
EP2020688B1 (en) * | 2007-08-02 | 2013-11-27 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell interconnection using thermo-compression bonding and correspondingly fabricated module |
DE102010002521B4 (de) * | 2010-03-02 | 2021-03-18 | Hanwha Q.CELLS GmbH | Solarzelle mit spezieller Busbarform, diese Solarzelle enthaltende Solarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung der Solarzelle |
JP5604236B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2014-10-08 | デクセリアルズ株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法、太陽電池セルの接続装置、太陽電池モジュール |
US20130167910A1 (en) * | 2010-09-17 | 2013-07-04 | Dow Global Technologies Llc | Photovoltaic cell assembly and method |
KR20120062431A (ko) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
DE102011001999A1 (de) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Schott Solar Ag | Solarzelle |
US20140109962A1 (en) * | 2011-05-27 | 2014-04-24 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Interconnector for solar cells, and solar cell module |
US9322016B2 (en) | 2011-09-07 | 2016-04-26 | 3-D Matrix Ltd. | MicroRNA-based methods and assays for osteosarcoma |
US20130206221A1 (en) * | 2012-02-13 | 2013-08-15 | John Anthony Gannon | Solar cell with metallization compensating for or preventing cracking |
CN104205351B (zh) * | 2012-03-23 | 2016-10-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 太阳电池 |
US9780253B2 (en) * | 2014-05-27 | 2017-10-03 | Sunpower Corporation | Shingled solar cell module |
CA2902775C (en) * | 2013-02-28 | 2017-11-28 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices for use along the biliary and/or pancreatic tract |
KR102053138B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2019-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
US9054238B1 (en) * | 2014-02-26 | 2015-06-09 | Gtat Corporation | Semiconductor with silver patterns having pattern segments |
ES2946663T3 (es) * | 2014-07-07 | 2023-07-24 | Shangrao Jinko Solar Tech Development Co Ltd | Módulo de celda solar |
GB2530583A (en) * | 2014-09-29 | 2016-03-30 | Rec Solar Pte Ltd | Solar cell with specific front surface electrode design |
EP3159934B1 (en) * | 2014-09-30 | 2018-03-21 | LG Electronics Inc. | Solar cell panel |
EP3026713B1 (en) * | 2014-11-28 | 2019-03-27 | LG Electronics Inc. | Solar cell and method for manufacturing the same |
KR101772542B1 (ko) | 2015-04-30 | 2017-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
DE202015106557U1 (de) * | 2015-12-02 | 2016-01-04 | Solarworld Innovations Gmbh | Bifaziales Photovoltaikmodul |
US10128391B2 (en) * | 2016-06-22 | 2018-11-13 | Beijing Apollo Ding Rong Solar Technology Co., Ltd. | Photovoltaic module with flexible wire interconnection |
US11462652B2 (en) * | 2016-09-27 | 2022-10-04 | Lg Electronics Inc. | Solar cell and solar cell panel including the same |
-
2016
- 2016-12-02 KR KR1020160163559A patent/KR101823605B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-06-26 US US15/633,107 patent/US20180158970A1/en not_active Abandoned
- 2017-07-18 EP EP17181863.6A patent/EP3331028A1/en active Pending
- 2017-08-01 JP JP2017148887A patent/JP2018093167A/ja active Pending
- 2017-09-05 CN CN202210385132.5A patent/CN114744057A/zh active Pending
- 2017-09-05 CN CN201710790576.6A patent/CN108155261A/zh active Pending
-
2018
- 2018-11-08 US US16/184,355 patent/US11843062B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-27 JP JP2019059539A patent/JP2019114812A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011507275A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | エバーグリーン ソーラー, インコーポレイテッド | 微細なフィンガーを有する光起電力性パネルおよび光起電力性電池ならびにこれらの製造方法 |
JP2014033240A (ja) * | 2013-11-21 | 2014-02-20 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュール |
JP2016072637A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びそれを含む太陽電池パネル |
US20160172510A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Solarworld Innovations Gmbh | Photovoltaic module |
JP2016146373A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | 長州産業株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021117740A1 (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | ||
WO2021117740A1 (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 株式会社カネカ | 太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
JP7433340B2 (ja) | 2019-12-11 | 2024-02-19 | 株式会社カネカ | 太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180158970A1 (en) | 2018-06-07 |
JP2018093167A (ja) | 2018-06-14 |
CN114744057A (zh) | 2022-07-12 |
CN108155261A (zh) | 2018-06-12 |
US11843062B2 (en) | 2023-12-12 |
US20190074391A1 (en) | 2019-03-07 |
KR101823605B1 (ko) | 2018-03-14 |
EP3331028A1 (en) | 2018-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019114812A (ja) | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル | |
KR102580567B1 (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
JP6804485B2 (ja) | 太陽電池パネル | |
JP6505642B2 (ja) | 太陽電池及びそれを含む太陽電池パネル | |
JP6818670B2 (ja) | 太陽電池及びこれを含む太陽電池パネル | |
KR20160129670A (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
JP2019050375A (ja) | 太陽電池パネル | |
JP2020072271A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
CN110931587B (zh) | 太阳能电池和包括该太阳能电池的太阳能电池板 | |
KR102374145B1 (ko) | 태양 전지 패널 | |
KR101890288B1 (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
KR102397973B1 (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
CN113287203A (zh) | 太阳能电池板 | |
KR102665568B1 (ko) | 태양 전지 패널 | |
KR102379388B1 (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 | |
KR20180044445A (ko) | 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200225 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200727 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200825 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201223 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20201223 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210106 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210119 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20210212 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20210216 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20210518 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20211005 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220412 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220419 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20220614 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20220712 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20220712 |