JP2019106498A - マルチビーム用アパーチャセット - Google Patents
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Abstract
Description
20 電場シールド板
22 開口
24 基板
25 絶縁膜
26 高抵抗膜
30 ブランキングアパーチャアレイ
40 実装基板
100 描画装置
101 基板
102 電子鏡筒
103 描画室
111 電子銃
Claims (5)
- 複数の第1開口が形成され、前記複数の第1開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第1開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第2開口が形成され、各第2開口にビームのブランキング偏向を行う1対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第3開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、基板、及び該基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜を有し、該高抵抗膜は該基板よりも電気抵抗値が高いことを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。 - 前記基板は導電性基板であり、該基板と前記高抵抗膜との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のマルチビーム用アパーチャセット。
- 前記第3開口の側壁に金属膜が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチビーム用アパーチャセット。
- 複数の第1開口が形成され、前記複数の第1開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第1開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第2開口が形成され、各第2開口にビームのブランキング偏向を行う1対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第3開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、絶縁体基板、該絶縁体基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜、及び前記第3開口の側壁に設けられた導電膜を有し、該高抵抗膜は前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高いことを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。 - 複数の第1開口が形成され、前記複数の第1開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第1開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第2開口が形成され、各第2開口にビームのブランキング偏向を行う1対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第3開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高い高抵抗材料で構成されていることを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017239396A JP6977528B2 (ja) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | マルチビーム用アパーチャセット |
US16/202,553 US10658158B2 (en) | 2017-12-14 | 2018-11-28 | Aperture set for multi-beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017239396A JP6977528B2 (ja) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | マルチビーム用アパーチャセット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019106498A true JP2019106498A (ja) | 2019-06-27 |
JP6977528B2 JP6977528B2 (ja) | 2021-12-08 |
Family
ID=66816289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017239396A Active JP6977528B2 (ja) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | マルチビーム用アパーチャセット |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658158B2 (ja) |
JP (1) | JP6977528B2 (ja) |
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-
2017
- 2017-12-14 JP JP2017239396A patent/JP6977528B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-28 US US16/202,553 patent/US10658158B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10658158B2 (en) | 2020-05-19 |
US20190189395A1 (en) | 2019-06-20 |
JP6977528B2 (ja) | 2021-12-08 |
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