JP2019106454A - 被加工物の分割方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】隣り合うチップの角部の擦れを防止し、該チップの破損を防止できる被加工物の分割方法を提供する。【解決手段】第1の面と第2の面とを備える板状の被加工物を複数のチップに分割する分割方法であって、第1の面に外的刺激によって硬化する樹脂を被覆して硬化させる樹脂層被覆ステップS2と、環状フレームに貼着した粘着テープに樹脂層を介して被加工物が貼着されたフレームユニットを形成するフレームユニット形成ステップS3と、フレームユニットの被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第2の面から照射し、被加工物の内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップS4と、押圧刃を備えるブレーキング装置の支持台に被加工物の第2の面側を載置し、分割起点に沿って位置付けた押圧刃で、粘着テープと樹脂層越しに被加工物を押圧し、分割起点を起点として被加工物を割断する割断ステップS5とを備える。【選択図】図3

Description

本発明は、板状の被加工物を複数のチップに分割する被加工物の分割方法に関する。
一般に、サファイアやSiC(炭化ケイ素)、ガラスなど光デバイスを形成する光デバイスウエーハ(被加工物)を個々のデバイスチップに分割することが行われている。この種のウエーハを個々のチップに分割する場合、レーザー光線をウエーハに照射して、ウエーハの内部に分割起点を形成した後、ブレーキング装置の押圧刃を分割起点に沿って位置付け、この押圧刃でウエーハの一方の面を押圧して該ウエーハを分割(割断ともいう)する方法が知られている(例えば、特許文献1,特許文献2参照)。
特開2012−146744号公報 特開2017−073443号公報
しかし、従来の方法では、ブレーキング装置によってウエーハを割断する際に、隣り合ったチップにおける上記一方の面側の角部が相互に接近するため、これら角部が接触して擦れてしまうおそれがある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、隣り合うチップの角部の擦れを防止し、該チップの破損を防止できる被加工物の分割方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、第1の面と、該第1の面と反対側の第2の面と、を備える板状の被加工物を複数のチップに分割する被加工物の分割方法であって、該被加工物の該第1の面に外的刺激によって硬化する樹脂を被覆し、被覆した該樹脂に外的刺激を与えて硬化させる樹脂層形成ステップと、該環状フレームに外周縁が貼着した粘着テープに該樹脂層を介して該被加工物が貼着されたフレームユニットを形成するフレームユニット形成ステップと、該フレームユニットの該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第2の面から照射し、該被加工物の内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、ブレーキング用の押圧刃を備えるブレーキング装置の支持台に該被加工物の該第2の面側を載置し、該分割起点に沿って位置付けた該押圧刃で、該粘着テープと該樹脂層越しに該被加工物を押圧し、該分割起点を起点として該被加工物を割断する割断ステップと、を備え、押圧して割断されたチップの角部がこすれるのを、硬化した該樹脂層が防ぐものである。
この構成によれば、押圧面となる第1の面に外的刺激によって硬化する樹脂を被覆し、この樹脂が硬化した後、樹脂層側を押圧することで被加工物を割断する。このため、割断の際に隣り合ったチップに設けた樹脂層同士が接触することにより、該チップにおける第1の面側の角部の接触を抑えることができ、この角部の擦れに伴うチップの破損を防止できる。
この構成において、該被加工物の該第1の面には、デバイスを構成する構造体となる凹凸を備えてもよい。この構成によれば、外的刺激によって硬化する樹脂が凹凸を被覆するため、被加工物100を割断する際に、ブレーキング装置の押圧刃は硬化した樹脂層を押圧することにより、凹凸と押圧刃との接触を防止し、凹凸を保護することができる。
また、該分割起点は、該第2の面から該第1の面に向けて延在する細孔と該細孔をシールドする非晶質とからなるシールドトンネルであってもよい。この構成によれば、シールドトンネルを分割起点とすることで、被加工物を複数のチップに容易に分割することができる。
また、該割断ステップを実施した後、該樹脂を加熱して軟化させ該被加工物から除去する樹脂除去ステップを備えてもよい。この構成によれば、外的刺激によって硬化した樹脂層を被加工物の第1の面から容易に除去することができる。
本発明によれば、押圧面となる第1の面に外的刺激によって硬化する樹脂を被覆し、この樹脂が硬化した後、樹脂層側を押圧することで被加工物を割断する。このため、割断の際に隣り合ったチップに設けた樹脂層同士が接触することにより、該チップにおける第1の面側の角部の接触を抑えることができ、この角部の擦れに伴うチップの破損を防止できる。
図1は、本実施形態に係る被加工物の分割方法で分割される被加工物の構成例を示す斜視図である。 図2は、図1の被加工物を分割して形成されたデバイスチップの構成例を示す斜視図である。 図3は、被加工物の分割方法の手順を示すフローチャートである。 図4は、被加工物の表面に凹凸部を形成する構成例の部分断面図である。 図5は、被加工物の表面の形成された凹凸部を液状樹脂で被覆する構成例の部分断面図である。 図6は、被覆した液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する構成例の部分断面図である。 図7は、フレームユニットの構成例を示す斜視図である。 図8は、被加工物の内部にシールドトンネルを形成するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。 図9は、シールドトンネルが形成される被加工物の内部構造を模式的に示す部分断面図である。 図10は、シールドトンネルの構造を模式的に示す断面図である。 図11は、シールドトンネルの構造を模式的に示す斜視図である。 図12は、シールドトンネルが形成された被加工物を割断する状態を模式的に示す部分断面図である。 図13は、被加工物から樹脂層を除去する構成例の部分断面図である。 図14は、樹脂層を除去したデバイスチップの構成例の部分断面図である。 図15は、改質層が形成される被加工物の内部構造を模式的に示す部分断面図である。 図16は、改質層が形成された被加工物を割断する状態を模式的に示す部分断面図である。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
図1は、本実施形態に係る被加工物の分割方法で分割される被加工物の構成例を示す斜視図である。図2は、図1の被加工物を分割して形成されたデバイスチップの構成例を示す斜視図である。被加工物100は、例えば、ガラス、サファイア、炭化ケイ素などを母材とする光デバイスウエーハであり、本実施形態ではガラス基板である。被加工物100は、図1に示すように、表面100A(第1の面)と、この表面100Aの反対側の面である裏面100B(第2の面)とを備えた矩形状の板体である。被加工物100の形状は、矩形状に限らず円形であってもよい。この被加工物100を互いに直交するX軸方向及びY軸方向にそれぞれ複数に分割することにより、図2に示すデバイスチップ(チップ)110が形成される。
デバイスチップ110は、光デバイスチップを構成するものであり、図2に示すように、ほぼ四角柱形状に形成されて上面側に四角錐形状の突部111を備える。具体的には、デバイスチップ110は、矩形状の底面110Aと、4つの側面110Bと、この側面110Bと頂点110Cとを繋ぐ4つの傾斜面110Dとを備えて形成される。この頂点110Cと傾斜面110Dとで形成される四角錐形状の突部111は、例えば、光デバイスチップとしてのデバイスチップ110を構成するレンズ(構造体)として機能する。なお、本実施形態では、デバイスチップ110の突部111は、頂点110Cを有する四角錐形状に形成されているが、平坦部を有する四角錐台形状に形成してもよい。
続いて、上記した板状の被加工物100をデバイスチップに分割する分割方法について説明する。図3は、被加工物の分割方法の手順を示すフローチャートである。被加工物100の分割方法は、図3に示すように、凹凸形成ステップS1、樹脂層被覆ステップ(樹脂層形成ステップ)S2、フレームユニット形成ステップS3、分割起点形成ステップS4、割断ステップS5、及び、樹脂層除去ステップS6を備えて構成されている。次に、これらの各ステップについて説明する。
[凹凸形成ステップS1]
図4は、被加工物の表面に凹凸部を形成する構成例の部分断面図である。被加工物100の表面100Aには、図4に示す凹凸部(凹凸)120が形成される。本実施形態では、凹凸部120は、X軸方向及びY軸方向にそれぞれ所定間隔Pで並設された複数の溝部121により構成される。この溝部121は、頂部121Aと底部121Bと傾斜面121CとでV字状に形成される。凹凸部120の形成は、切削ユニット10を用いて行われる。被加工物100は、裏面100Bに保護テープ101が貼着され、この保護テープ101を介して保持テーブル(不図示)に保持される。この保持テーブルは、水平面(XY平面)と平行に回転可能に構成されるとともに、切削ユニット10に対して、加工送り方向(X軸方向)と割り出し送り方向(Y軸方向)とにそれぞれ相対的に移動可能な移動機構(不図示)を備えている。
切削ユニット10は、軸心11周りに回転する回転スピンドル12に装着された切削ブレード13を備える。切削ブレード13は円板状に形成され、周縁部に環状に形成された切れ刃14が設けられている。この切れ刃14は、鉛直線に対して所定の刃角θを有するV字刃である。切削ユニット10は、昇降機構(不図示)により、切削ブレード13を被加工物100に対して鉛直方向(Z軸方向)に進退自在に移動する。このため、被加工物100(保持テーブル)を加工送り方向に移動させつつ、切削ブレード13を被加工物100に切り込ませることにより、被加工物100には、加工送り方向に延びるV字状の溝部121が形成される。また、切削ユニット10を上昇させ、被加工物100(保持テーブル)を切削ブレード13に対して、割り出し送り方向に所定間隔Pだけ移動させることにより、図4に示すように、所定間隔Pで並設された複数の溝部121を形成することができる。さらに、被加工物100(保持テーブル)を90°回転させ、この状態で所定間隔Pに並設された複数の溝部121を形成することにより、被加工物100の表面100Aには凹凸部(凹凸)120が形成される。この凹凸部120の頂部121Aが、デバイスチップ110に分割された際の頂点110Cに相当する。なお、デバイスチップ110の突部111、及び、凹凸部120の形状は一例を示すものであり、これに限るものではなく、適宜変更してもよい。
[樹脂層被覆ステップS2]
次に、凹凸部120が形成された被加工物100の表面100A側を樹脂層で覆う。図5は、被加工物の表面の形成された凹凸部を液状樹脂で被覆する構成例の部分断面図であり、図6は、被覆した液状樹脂を硬化させて樹脂層を形成する構成例の部分断面図である。被加工物100は、上記した切削加工により表面100A側に形成された凹凸部120が露出している。表面100Aに凹凸部120が形成された被加工物(ガラス基板)100をブレーキング装置(後述する)で分割(割断)する場合、ブレーキング装置の押圧力により凹凸部120が傷ついたり、破損したりするおそれがある。このため、凹凸部120を樹脂層130(図6)で被覆して凹凸部120を保護している。
樹脂層130を形成するにあたり、本実施形態では、被加工物100の凹凸部120上に樹脂供給ノズル20を配置し、この樹脂供給ノズル20から液状樹脂131を供給する。液状樹脂は、硬化性を有するものが用いられ、例えば、デンカ株式会社製のテンプロック(登録商標)を用いることができる。このテンプロックは、紫外線照射(外的刺激)により短時間で硬化し、さらに有機溶剤を使用せずに温水にさらすことで簡単に被覆対象物から除去することができるため、取扱いが非常に容易である。
また、被加工物100は、保護テープ101を介して、不図示のスピンナテーブル上に保持されることが好ましい。スピンナテーブルは、被加工物100を保持した状態で、被加工物100を周方向に回転可能に構成される。供給された液状樹脂131は、スピンナテーブルの回転に伴う遠心力により、被加工物100の中心から径方向外側に広がる。このため、液状樹脂131は、被加工物100に形成された凹凸部120の溝部121に充填され、被加工物100の凹凸部120を被覆する液状樹脂131の上面を略平坦に調整できる。なお、液状樹脂131による被加工物100の凹凸部120の被覆は、上記したスピンコートによる被覆以外に、被加工物100を型枠(不図示)に収容し、型枠の隙間に液状樹脂131を充填してもよい。また、上記した以外にも、凹凸部120を液状樹脂131により被覆した後、透明な離型シートなどを介して、液状樹脂131の上面を表面が平坦な透明板で押圧することにより、該液状樹脂131の上面を略平坦化してもよい。この場合、透明な離型シート及び透明板は、紫外線を透過する材質で形成したものを用いることが好ましい。
次に、液状樹脂131を硬化させて樹脂層130を形成する。本実施形態で液状樹脂131として用いているテンプロックは、紫外線照射(外的刺激)により硬化する特質を有するため、図6に示すように、被加工物100の凹凸部120を被覆した液状樹脂131の上に紫外線照射ランプ21を配置し、この紫外線照射ランプ21から液状樹脂131に向けて紫外線22を照射する。これにより、液状樹脂131は硬化して樹脂層130が形成される。この樹脂層130の表面(上面)130Aは平坦に形成されている。
[フレームユニット形成ステップS3]
次に、樹脂層130が形成された被加工物100を環状フレーム115に保持させてフレームユニット117を形成する。図7は、フレームユニットの構成例を示す斜視図である。フレームユニット117は、環状フレーム115と、この環状フレーム115に外周縁が貼着された粘着テープ116と、この粘着テープ116に貼着される被加工物100とを備える。被加工物100は、裏面100B側に貼着された保護テープ101が取り外されて裏面100Bが露出した状態となっており、この裏面100Bを上向きにして樹脂層130を介して粘着テープ116に貼り付けられる。環状フレーム115は、被加工物100よりも大きな開口115Aを有し、この開口115A内に被加工物100が保持される。
[分割起点形成ステップS4]
次に、フレームユニット117の被加工物100に対して透過性を有する波長のレーザー光線を裏面100Bから照射し、被加工物100の内部にシールドトンネル140(分割起点)を形成する。図8は、被加工物の内部にシールドトンネルを形成するレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図9は、シールドトンネルが形成される被加工物の内部構造を模式的に示す部分断面図である。図10は、シールドトンネルの構造を模式的に示す断面図であり、図11は、シールドトンネルの構造を模式的に示す斜視図である。
シールドトンネル140は、図8に示すように、レーザー加工装置30を用いて形成される。レーザー加工装置30は、フレームユニット117を保持するチャックテーブル31と、このチャックテーブル31上に保持されたフレームユニット117の被加工物100にレーザー光線を照射するレーザー照射ユニット32と、この被加工物100を撮像する撮像ユニット(不図示)とを備える。チャックテーブル31は、フレームユニット117を吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル31は、水平面(XY平面)と平行に回転可能に構成されるとともに、レーザー照射ユニット32に対して、加工送り方向(X軸方向)と割り出し送り方向(Y軸方向)とにそれぞれ相対的に移動可能な移動機構(不図示)を備えている。
レーザー照射ユニット32は、レーザー光線を発振する発振器(不図示)と、この発振器により発振されたレーザー光線を集光する集光器32Aとを備えている。発振器は、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線の周波数が適宜調整される。集光器32Aは、発振器により発振されたレーザー光線の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線を集光する集光レンズなどを含んで構成される。また、レーザー照射ユニット32は、集光器32Aの集光レンズによって集光されるレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(不図示)を備えている。撮像ユニットは、顕微鏡やCCDカメラ等の光学手段から構成される。
レーザー加工装置30を用いて、被加工物100の内部にシールドトンネル140を形成するに際して、まず、図8に示すように、フレームユニット117が保持されたチャックテーブル31を加工送り方向に移動して、被加工物100を撮像ユニットの直下に位置付ける。次に、撮像ユニットを用いて、被加工物100に形成された凹凸部120の溝部121(図4)を撮像し、この溝部121が加工送り方向(X軸方向)と平行に位置付けられているか否かを検出する。この場合、溝部121が加工送り方向と平行でない場合にはチャックテーブル31を回動調整して、溝部121が加工送り方向とが平行になるように調整する。
次に、チャックテーブル31をレーザー照射ユニット32の集光器32Aの下方に移動し、割り出し送り方向(Y軸方向)に所定間隔Pで並設される溝部121(例えば、最端に位置する溝部121)の底部121B(図4)を集光器32Aの直下に位置付ける。そして、図9に示すように、集光器32Aの集光レンズによって集光されるレーザー光線32Bの集光点Qが被加工物100の裏面100Bから厚み方向の所望の位置に位置付けられるように集光点位置調整手段(不図示)を作動して集光器32Aを光軸方向に移動する。
上記のように、レーザー光線32Bの集光点Qが被加工物100の裏面100Bから厚み方向の所望の位置に位置付けられたら、レーザー照射ユニット32を作動して集光器32Aからレーザー光線32Bを照射して被加工物100に位置付けられた集光点Q付近から表面100Aに向けて細孔と該細孔をシールドする非晶質とからなるシールドトンネル140を形成する。すなわち、集光器32Aから被加工物100に対して透過性を有する波長のレーザー光線32Bを溝部121(図4)に沿って照射しつつ、チャックテーブル31を図8及び図9の加工送り方向(X軸方向)に所定の送り速度で移動させる。
なお、シールドトンネル140を形成する場合、次に示す加工条件に設定されている。
波長 :1030nm
繰り返し周波数 :40kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :0.5W
スポット径 :φ5μm
加工送り速度 :400mm/秒
集光レンズの開口数 :0.25
被加工物100の内部には、図10に示すようにレーザー光線32Bの集光点Q付近から表面に向けて延在する細孔141と該細孔141の周囲に形成された非晶質142が成長し、溝部121(図4)に対応する領域に沿って所定の間隔(図示の実施形態においては10μmの間隔(加工送り速度:400mm/秒)/(繰り返し周波数:40kHz))で非晶質のシールドトンネル140が形成される。シールドトンネル140は、図11に示すように、中心に形成された直径d1がφ1μm程度の細孔141と該細孔141の周囲に形成された直径d2がφ10μmの非晶質142とからなり、本実施形態においては、図10に示すように、互いに隣接する非晶質142同士がつながるように連接して形成されている。
このように、溝部121(図4)と対応する領域に沿ってシールドトンネル140を形成したら、チャックテーブル31を割り出し送り方向に、溝部121の間隔Pと対応する距離だけ移動し、この溝部121に対応する領域に沿ってシールドトンネル140を形成する。このようにして所定方向に形成されるすべての溝部121と対応する領域に沿ってシールドトンネル140を形成したならば、チャックテーブル31を90°回転し、上記所定方向に形成される溝部121に対して直交する方向に形成される溝部121と対応する領域に沿って、それぞれシールドトンネル140を形成する。
[割断ステップS5]
次に、被加工物100に外力を付与し、被加工物100を凹凸部120の溝部121に沿って割断する。図12は、シールドトンネルが形成された被加工物を割断する状態を模式的に示す部分断面図である。この図12では、被加工物100を割断される状態を誇張して描いている。被加工物100の割断は、図12に示すブレーキング装置40を用いて行われる。ブレーキング装置40は、被加工物100を支持する支持台41と、この支持台41に対して上下動して該支持台41に支持された被加工物100に押圧力を付与する押圧刃42とを備える。支持台41は、水平面と平行に回転可能に構成されるとともに、押圧刃42の直下に開口部41Aが形成されている。被加工物100は、裏面100B側に貼着された保護シート108を介して支持台41に載置される。このとき、図12に示すように、支持台41の開口部41Aに、溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140が位置付けられるように載置する。そして、被加工物100の表面100A側の凹凸部120を被覆する樹脂層130に貼着された粘着テープ116側から押圧刃42により、溝部121に沿って押圧する。この結果、被加工物100には溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140に沿って曲げ荷重が作用することにより、被加工物100の裏面100Bに露出しているシールドトンネル140側に引っ張り荷重が発生する。このため、図12に示すように、溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140が分割起点となって溝部121に沿って被加工物100が割断される。
そして、所定方向に形成された溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140に沿って被加工物100を割断すると、支持台41を90°回転し、上記所定方向と直交する方向に延びる溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140に沿って上記した割断作業を行う。これにより、被加工物100は、個々のデバイスチップ110に分割することができる。
本実施形態では、被加工物100の表面100Aに形成された凹凸部120を被覆する樹脂層130を設けているため、被加工物100を割断する際に、ブレーキング装置40の押圧刃42が樹脂層130を押圧することにより、凹凸部120と押圧刃42との接触を防止し、凹凸部120を保護することができる。また、被加工物100を割断する際に、隣り合ったデバイスチップ110に設けた樹脂層130同士が接触する。このため、デバイスチップ110における表面100A側の角部の接触を抑えることができ、この角部の擦れに伴うデバイスチップ110の破損を防止できる。
[樹脂層除去ステップS6]
次に、樹脂層130を除去する。図13は、被加工物から樹脂層を除去する構成例の部分断面図である。図14は、樹脂層を除去したデバイスチップの構成例の部分断面図である。本実施形態で樹脂層130として用いているテンプロックは、温水(例えば80〜90℃)にさらすことで、被覆対象である被加工物100から離脱する特質を有する。このため、図13に示すように、樹脂層130に貼着された粘着テープ116を剥がした後、割断された被加工物100を温水50が入っている水槽(不図示)に投入する。これにより、樹脂層130が加熱されることで軟化するため、被加工物100から容易に除去することができる。従って、図14に示すように、個々に分割されたデバイスチップ110を得ることができる。なお、これらデバイスチップ110は、保護シート108で一体にまとめられているため、各デバイスチップ110がバラバラに分散することが防止される。
次に、別に実施形態について説明する。上記した実施形態では、分割起点形成ステップS4において、被加工物100の内部に分割起点としてシールドトンネル140を形成する構成について説明したが、分割起点として改質層150を形成してもよい。図15は、改質層が形成される被加工物の内部構造を模式的に示す部分断面図であり、図16は、改質層が形成された被加工物を割断する状態を模式的に示す部分断面図である。この図16においても、被加工物100を割断される状態を誇張して描いている。上記した分割起点形成ステップS4、割断ステップS6と同一の内容については、同一の符号を付して説明を省略する。
レーザー加工装置30は、図15に示すように、被加工物100の裏面100B側から透過性を有する波長のレーザー光線32Bを照射し、被加工物100の内部に改質層150を形成する。改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲の母材とは異なる状態になった領域をいい、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらの領域が混在した領域等である。
上記したシールドトンネル140を形成した場合と同様に、チャックテーブル31をレーザー照射ユニット32の集光器32Aの下方に移動し、割り出し送り方向(Y軸方向)に所定間隔Pで並設される溝部121(例えば、最端に位置する溝部121)の底部121B(図4)を集光器32Aの直下に位置付ける。そして、図15に示すように、集光器32Aの集光レンズによって集光されるレーザー光線32Bの集光点を被加工物100の内部に位置付けられるように集光点位置調整手段(不図示)を作動して集光器32Aを光軸方向に移動する。
レーザー光線32Bの集光点が被加工物100の厚み方向の内部に位置付けられたら、レーザー照射ユニット32を作動して集光器32Aからレーザー光線32Bを照射して被加工物100の内部に改質層150を形成する。すなわち、集光器32Aから被加工物100に対して透過性を有する波長のレーザー光線32Bを溝部121(図4)に沿って照射しつつ、チャックテーブル31を図15の加工送り方向(X軸方向)に所定の送り速度で移動させる。これにより、被加工物100の内部には、溝部121(図4)と対応する領域に沿って改質層150が形成される。この改質層150は、すべての溝部121と対応する領域に沿って形成される。なお、本実施形態では、改質層150は、被加工物100の厚み方向に一層(一本)形成した例を説明したが、厚み方向に複数層(複数本)形成してもよい。
次に、被加工物100に外力を付与し、被加工物100を凹凸部120の溝部121に沿って割断する。図16に示すように、被加工物100は、ブレーキング装置40の支持台41の開口部41Aに、溝部121と対応する領域に形成されたシールドトンネル140が位置付けられるように載置する。そして、被加工物100の表面100A側の凹凸部120を被覆する樹脂層130に貼着された粘着テープ116側から押圧刃42により、溝部121に沿って押圧する。この結果、被加工物100には溝部121と対応する領域に形成された改質層150に沿って曲げ荷重が作用することにより、被加工物100の裏面100B側に引っ張り荷重が発生する。このため、図16に示すように、溝部121と対応する領域に形成された改質層150から厚み方向にクラックが生じ、この改質層150が分割起点となって溝部121に沿って被加工物100が割断される。そして、すべての溝部121と対応する領域に形成された改質層150に沿って被加工物100を割断すると、被加工物100は、個々のデバイスチップ110に分割される。
この別の実施形態においても、被加工物100の表面100Aに形成された凹凸部120を被覆する樹脂層130を設けているため、被加工物100を割断する際に、ブレーキング装置40の押圧刃42が樹脂層130を押圧することにより、凹凸部120と押圧刃42との接触を防止し、凹凸部120を保護することができる。また、被加工物100を割断する際に、隣り合ったデバイスチップ110に設けた樹脂層130同士が接触する。このため、デバイスチップ110における表面100A側の角部の接触を抑えることができ、この角部の擦れに伴うデバイスチップ110の破損を防止できる。
また、上記実施形態では、分割起点は、被加工物100の裏面100Bから表面100Aに向けて延在する細孔141と該細孔141をシールドする非晶質142とからなるシールドトンネル140としたため、被加工物100をデバイスチップ110に容易に分割することができる。
また、上記実施形態では、割断ステップS5を実施した後、樹脂層130を加熱して軟化させ該被加工物100から除去する樹脂除去ステップS6を備えるため、樹脂層130の除去を容易に行うことができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、上記実施形態では、液状樹脂として、紫外線照射(外的刺激)により短時間で硬化し、さらに温水にさらすことで軟化して簡単に被覆対象物から除去することができる材料を用いたが、これに限るものではなく、外的刺激として冷却することで固着し加熱することで軟化する熱可塑性接着剤(ワックス)を用いてもよい。また、上記した以外にも、樹脂層130と被加工物100との接着力よりも強い粘着力の粘着テープを用いて、樹脂層130に貼着された粘着テープを剥離する際に該樹脂層130を被加工物100から剥離してもよい。
10 切削ユニット
13 切削ブレード
20 樹脂供給ノズル
21 紫外線照射ランプ
22 紫外線(外的刺激)
30 レーザー加工装置
31 チャックテーブル
32 レーザー照射ユニット
32A 集光器
32B レーザー光線
40 ブレーキング装置
41 支持台
42 押圧刃
50 温水
100 被加工物
100A 表面(第1の面)
100B 裏面(第2の面)
101 保護テープ
110 デバイスチップ(チップ)
111 突部
115 環状フレーム
116 粘着テープ
117 フレームユニット
120 凹凸部(凹凸)
121 溝部
121A 頂部
121B 底部
130 樹脂層
131 液状樹脂(樹脂)
140 シールドトンネル(分割起点)
141 細孔
142 非晶質
150 改質層(分割起点)

Claims (4)

  1. 第1の面と、該第1の面と反対側の第2の面と、を備える板状の被加工物を複数のチップに分割する被加工物の分割方法であって、
    該被加工物の該第1の面に外的刺激によって硬化する樹脂を被覆し、被覆した該樹脂に外的刺激を与えて硬化させる樹脂層形成ステップと、
    該環状フレームに外周縁が貼着した粘着テープに該樹脂層を介して該被加工物が貼着されたフレームユニットを形成するフレームユニット形成ステップと、
    該フレームユニットの該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第2の面から照射し、該被加工物の内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
    ブレーキング用の押圧刃を備えるブレーキング装置の支持台に該被加工物の該第2の面側を載置し、該分割起点に沿って位置付けた該押圧刃で、該粘着テープと該樹脂層越しに該被加工物を押圧し、該分割起点を起点として該被加工物を割断する割断ステップと、を備え、
    押圧して割断されたチップの角部がこすれるのを、硬化した該樹脂層が防ぐ被加工物の分割方法。
  2. 該被加工物の該第1の面には、デバイスを構成する構造体となる凹凸を備える請求項1記載の被加工物の分割方法。
  3. 該分割起点は、該第2の面から該第1の面に向けて延在する細孔と該細孔をシールドする非晶質とからなるシールドトンネルである請求項1又は2に記載の被加工物の分割方法。
  4. 該割断ステップを実施した後、該樹脂を加熱して軟化させ該被加工物から除去する樹脂除去ステップを備える請求項1乃至3のいずれか一項に記載の被加工物の分割方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038877A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014229700A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工方法
JP2015192100A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017073443A (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5658043B2 (ja) 2011-01-07 2015-01-21 株式会社ディスコ 分割方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2017054888A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017168736A (ja) * 2016-03-17 2017-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014038877A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014229700A (ja) * 2013-05-21 2014-12-08 株式会社ディスコ 加工方法
JP2015192100A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 豊田合成株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017073443A (ja) * 2015-10-06 2017-04-13 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法

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