JP2019096680A - 圧電フィルムおよび圧電センサ - Google Patents
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Abstract
Description
図1に示す本発明の圧電フィルム10は、基材フィルム12に圧電性を有するコーティング層14を積層したフィルム状のものである。また、圧電センサ16は圧電フィルム10に透明電極18、20を形成したものである。圧電センサ16は透明充填層22を介してディスプレイ24に取り付けられる。
基材フィルム12の材料は、たとえばポリエチレンテレフタレート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリオレフィン、ポリシクロオレフィン、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリノルボルネンなどの高分子フィルムが挙げられる。基材フィルム12は透明性、耐熱性、および機械特性に優れるポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)が好ましいが、これに限定されない。
圧電性を有するコーティング層14は、基材フィルム12の上に薄膜状にコーティングされたものである。圧電性を有するコーティング層14は、コーティング後の膜が圧電性を有するものであれば、特に限定されない。圧電性を有するコーティング層14は、ポーリング(分極処理)を行なわなくても圧電性を示すものが望ましいが、ポーリング後に圧電性を示すものでもよい。
圧電性を有するコーティング層14の材料は、例えば、フッ素系樹脂を含む材料が好適に用いられる。フッ素系樹脂を含む材料を具体的に例示すると、フッ化ビニリデン成分含有ポリマーであるポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−クロロトリフルオロエチレンの共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−ビニリデンフロライドの共重合体、パーフルオロビニルエーテル−ビニリデンフロライドの共重合体、テトラフルオロエチレン−ビニリデンフロライドの共重合体、ヘキサフルオロプロピレンオキシド−ビニリデンフロライドの共重合体、ヘキサフルオロプロピレンオキシド−テトラフルオロエチレン−ビニリデンフロライドの共重合体、ヘキサフルオロプロピレン−テトラフルオロエチレン−ビニリデンフロライドの共重合体から選ぶことができる。そしてこれらのポリマーは単独でも混合体でも用いることができる。より好ましくは、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−クロロトリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレンの共重合体、フッ化ビニリデンの重合体である。
圧電性を有するコーティング層14の乾燥後の厚さは限定されることはないが、後述する光学特性を考慮すると、0.5μm以上、10μm以下、好ましくは0.5μm以上、7μm以下、さらに好ましくは0.5μm以上、5μm以下が適切である。圧電性を有するコーティング層14の乾燥後の厚さが0.5μm未満であると、形成された膜が不完全であり、圧電性を示さないおそれがある。圧電性を有するコーティング層14の乾燥後の厚さが10μmを超えると、光学特性(ヘイズおよび全光線透過率)が不適切になるおそれがある。
ディスプレイ24の画像が明瞭に視認されなければならないため、圧電フィルム10のヘイズ値は5%以下が好ましく、全光線透過率は85%以上が好ましく、88%以上がより好ましく、90%以上が更に好ましい。圧電フィルム10のヘイズ値が5%を超えた場合、あるいは、全光線透過率が85%未満となった場合、ディスプレイ24の画像が明瞭に視認できなくなるおそれがある。
図1の透明電極18、20は、圧電フィルム10の両面に積層されている。圧電センサ16を押圧すると圧電性を有するコーティング層14が分極し、一方の透明電極18で圧電性を有するコーティング層14の電位の変化を検出する。他方の透明電極20は基準電位(アース電位)となる。透明電極18、20は圧電フィルム10のそれぞれの面の全体を覆うように形成する。なお、透明電極18、20は圧電フィルム10のいずれか一方の面に形成されていてもよく、必要に応じて電極の形状にエッチングされていてもよい。
透明充填層22は、圧電センサ16の一方の透明電極20とディスプレイ24の間の全体に形成されている。透明電極20とディスプレイ24の間は透明充填層22が充填されて満たされている。圧電センサ16のいずれの透明電極18、20がディスプレイ24の側になっても良い。
ディスプレイ24は液晶ディスプレイまたは有機ELディスプレイなどの平面ディスプレイを使用することができる。ディスプレイ24の前面に圧電センサ16が配置される。圧電センサ16が透明充填層22によってディスプレイ24に接着されている。圧電センサ16とディスプレイ24の間には空気層が無く、透明充填層22がディスプレイ24の前面全体を覆っている。
圧電センサ16の透明電極18の上にタッチパネルを配置しても良い。ディスプレイ24の上に圧電センサ16、タッチパネルの順番に積層される。圧電センサ16とタッチパネルの間は、上記透明充填層22と同じ材料を充填し、接着しても良い。
基材フィルム12と圧電性を有するコーティング層14の間、基材フィルム12と透明電極20の間、または圧電性を有するコーティング層14と透明電極18の間の少なくとも1つの間に光学調整層(Index matching layer)(屈折率調整層とも言う)を設けても良い。たとえば、図2(a)の圧電センサ25は圧電性を有するコーティング層14と透明電極18の間に光学調整層26aを配置している。光学調整層26aは数nm〜数十nm程度の薄層であり、屈折率を調整する。
実施形態1は圧電フィルム10に対して直接透明電極18、20を形成しているが、圧電フィルム10に対して間接的に透明電極18、20を形成しても良い。たとえば、図5(a)の圧電センサ50のように、一方の透明電極18のみを圧電フィルム10に直接形成しても良い。基材フィルム51の上に透明電極20を積層した積層体52を形成し、積層体52の両面に透明充填層22、53を設け、一方の透明充填層53を圧電フィルム10、他方の透明充填層22をディスプレイ24に貼りつける。透明充填層22、53は積層体52の一面と他面の全体を覆うようにする。なお、基材フィルム51および透明充填層52は、図1の基材フィルム12および透明充填層22と同じものを使用できる。
実施形態1に対応するよに、実施例1〜3は圧電フィルム10の20〜80℃における圧電定数d33値を測定した。圧電フィルム10は、ポリエチレンテレフタレート基材フィルム上に、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体をコーティングして作製した。ポリエチレンテレフタレート基材フィルムの厚さは23μmであった。
比較例1は、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体(2元系共重合体)の、厚さ20μmの自立したフィルム(基材フィルムを有しない)からなる。比較例1の圧電フィルムは、フッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合体(2元系共重合体)を、常温のイソブチルケトンに超音波により溶解した溶液を、ポリエチレンテレフタレート基材フィルムの表面に、乾燥後の厚さが20μmとなるようにコーティングし、乾燥後、ポリエチレンテレフタレート基材フィルムから剥がして作製された。20℃から80℃の圧電定数d33値の変化は±11.0%であった。
比較例2はフッ化ビニリデンの重合体(ポリフッ化ビニリデン)の、厚さ80μmの自立したフィルム(基材フィルムを有しない)からなる。比較例2の圧電フィルムは、フッ化ビニリデンの重合体(ポリフッ化ビニリデン)を、常温のイソブチルケトンに超音波により溶解した溶液を、ポリエチレンテレフタレート基材フィルムの表面に、乾燥後の厚さが80μmとなるようにコーティングし、乾燥後、ポリエチレンテレフタレート基材フィルムから剥がして作製された。20℃から80℃の圧電定数d33値の変化は±12.5%であった。
なお、比較例3として基材フィルムのみについてもヘイズ値などを測定し、基材フィルムのみの性能を取得した。
(測定条件)
周波数:10Hz、歪振幅:10μm、測定温度:0〜100℃、昇温速度:2℃/分、試験片サイズ:TD10mm×MD20mm、測定方向:MD。
また、実施形態2に対応するように、図7のように厚さ23μmの基材フィルム12の上に圧電性を有するコーティング層14、光学調整層26d、透明電極18を作成し、厚さおよび屈折率を測定した。その結果を表2に示すが、「第1層」が圧電性を有するコーティング層14、「第2層」が光学調整層26d、「第3層」が透明電極18である。圧電性を有するコーティング層14は、上記実施例と同じ方法で形成している。
実施例4〜9に対する比較例として、光学調整層26dの無い場合(比較例4)と光学調整層26dの屈折率が1.5より小さい場合(比較例5)をおこなった。光学調整層26dが無い場合、反射率差は透明電極18と圧電性を有するコーティング層14の差である。反射率差が2%より大きくなり、見栄えが悪くなった。
12、51、55、91:基材フィルム
14:圧電性を有するコーティング層
16、25、28、30、40、50、54、60、70、80、90:圧電センサ
18、20:透明電極
22、53、57:透明充填層
24:ディスプレイ
26a、26b、26c、26d:光学調整層
31:アンカーコート層
41:アンチブロッキング層
52、56、92:積層体
100:アンチブロッキング機能を有するハードコート層
Claims (12)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルムに積層された圧電性を有するコーティング層と、
を備えた圧電フィルムであって、
20℃から80℃の貯蔵弾性率変化が±30%以下である圧電フィルム。 - 20℃から80℃の圧電定数d33値変化が±10%以下である請求項1記載の圧電フィルム。
- 前記コーティング層の厚みが0.5〜10μmである請求項1または2に記載の圧電フィルム。
- 前記コーティング層がフッ素樹脂を含む請求項1から3のいずれかの記載の圧電フィルム。
- 前記フッ素系樹脂がフッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロチレンのうちの2種類以上の共重合体またはフッ化ビニリデンの重合体である請求項4に記載の圧電フィルム。
- 前記基材フィルムが高分子フィルムから成る請求項1から5のいずれかの圧電フィルム。
- ヘイズ値が5%以下である請求項1から6のいずれかの圧電フィルム。
- 請求項1から7のいずれかに記載の圧電フィルムと、
前記圧電フィルムの少なくとも1つの面に対して直接または間接的に積層され、酸化インジウムを主成分とした透明導電と、
を備えた圧電センサ。 - 前記基材フィルムとコーティング層の間、基材フィルムと透明電極の間、およびコーティング層と透明電極の間の少なくとも1つに光学調整層、アンダーコート層、アンチブロッキング層の少なくとも1つを備えた請求項8の圧電センサ。
- 前記コーティング層の厚みが0.5〜10μm、光学調整層の厚みが80〜160nm、透明電極の厚みが20nm以上である請求項9の圧電センサ。
- 前記コーティング層の屈折率が1.40〜1.50、光学調整層の屈折率が1.50〜1.70、透明電極の屈折率が1.90〜2.10である請求項9または10の圧電センサ。
- 前記透明導電の厚みが35nm以下である請求項8から11のいずれかの圧電センサ
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