JP2019070552A - センサ制御装置およびセンサユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】ガス濃度検出精度を向上させる。【解決手段】センサ制御装置は、センサ素子とヒータを備えて、被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサを制御する。センサ制御装置は温度検出部と制御部を備える。温度検出部は固体電解質体の温度を検出する。制御部は、フィードバック条件に基づいて、温度検出部の検出結果と目標値との偏差が0となるようにヒータの発熱量に対してフィードバック制御を行う。フィードバック条件は、被測定ガスとして、理論空燃比に設定された混合気が内燃機関で燃焼することにより排出される燃焼排ガスを模擬した評価ガスを用いつつ、評価ガスのガス温度を25℃として、評価ガスのガス流速を10秒毎に10m/sと60m/sとの間で切り替えた場合に、濃度検出電流の値の変動幅が1.6μA以下となるように設定される。【選択図】図2

Description

本開示は、センサ素子とヒータとを備えるガスセンサを制御するセンサ制御装置およびセンサユニットに関する。
特許文献1のように、センサ素子と、センサ素子を加熱するヒータとを備えるガスセンサを制御するセンサ制御装置が知られている。
特開平11−304758号公報
しかし、センサ素子の温度が急激に変化する環境下では、ガスセンサによるガス濃度検出精度が低下してしまうことがあった。
本開示は、ガスセンサによるガス濃度検出精度を向上させることを目的とする。
本開示の一態様は、固体電解質体と固体電解質体上に配置された一対の電極とを有するセルを少なくとも1つ以上有するセンサ素子と、センサ素子を加熱するヒータとを備えて、被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置である。
そして、本開示のセンサ制御装置は、温度検出部と、制御部とを備える。
温度検出部は、固体電解質体の温度を検出するように構成される。なお、この温度検出部は、固体電解質体の温度に相関のある値(例えば、固体電解質体のインピーダンス値やアドミッタンス値)を検出するように構成されたものを含むものである。制御部は、予め設定されたフィードバック条件に基づいて、温度検出部による検出結果と、予め設定された目標値との偏差が0となるように、ヒータによる発熱量に対してフィードバック制御を行うように構成される。
そしてフィードバック条件は、被測定ガスとして、空燃比が理論空燃比に設定された混合気が内燃機関で燃焼することにより内燃機関から排出される燃焼排ガスを模擬した評価ガスを用いつつ、評価ガスのガス温度を25℃として、評価ガスのガス流速を10秒毎に10m/sと60m/sとの間で切り替えてガスセンサに供給した場合に、濃度検出電流の値の変動幅が1.6μA以下となるように設定されている。濃度検出電流は、一対の電極間で流れて特定ガスの濃度に応じて値が変動する電流である。
このように構成された本開示のセンサ制御装置は、センサ素子の温度が急激に変化する環境下における濃度検出電流の値の変動幅を1.6μA以下にすることができ、濃度検出電流の値の変動幅を従来のセンサ制御装置より小さくすることができる。
このため、本開示のセンサ制御装置は、センサ素子の温度が変化している最中である過渡的な状態であっても、従来のセンサ制御装置と比較して、ガスセンサによるガス濃度検出精度を向上させることができる。
本開示の一態様では、具体的には、フィードバック条件は、フィードバック項であるようにしてもよい。
また、本開示の一態様では、具体的には、フィードバック項は、少なくとも比例項および積分項を含むようにしてもよい。
本開示の別の態様は、固体電解質体と固体電解質体上に配置された一対の電極とを有するセルを少なくとも1つ以上有するセンサ素子と、センサ素子を加熱するヒータとを備えるガスセンサと、本開示の一態様のセンサ制御装置とを備えるセンサユニットである。
このように構成された本開示のセンサユニットは、本開示の一態様のセンサ制御装置を備えているため、本開示のセンサ制御装置と同様の効果を得ることができる。
センサ制御装置を構成要素とするシステムの概略構成を示す図である。 センサ制御装置とガスセンサの概略構成を示す図である。 ΔRpvsとΔIpの時間変化を示すグラフである。 dRpvs/dtとΔIpとの関係を示すグラフである。 比較例の試験結果を示すグラフである。 実施例の試験結果を示すグラフである。
以下に本開示の実施形態を図面とともに説明する。
本実施形態のセンサ制御装置1は、車両に搭載され、図1に示すように、ガスセンサ3を制御する。
センサ制御装置1は、エンジン5を制御する電子制御装置9との間で通信線8を介して、データを送受信することが可能に構成されている。以下、電子制御装置9をエンジンECU9という。ECUは、Electronic Control Unitの略である。
ガスセンサ3は、エンジン5の排気管7に取り付けられ、排気ガス中の酸素濃度を広域にわたって検出するものであり、リニアラムダセンサとも呼ばれる。
ガスセンサ3は、図2に示すように、センサ素子11と、ヒータ12とを備える。
センサ素子11は、ポンプセル13を備える。ポンプセル13は、部分安定化ジルコニアにより板状に形成された酸素イオン伝導性固体電解質体14と、その表面と裏面のそれぞれに主として白金で形成されたポンプ電極15,16とを備える。
なお、センサ素子11は、図2では模式的に示しているが、センサ素子11の内部に、図示しない測定室と、図示しない基準酸素室とを備える。ポンプ電極15は測定室に対して露出し、ポンプ電極16は基準酸素室に対して露出している。測定室には、センサ素子11の外部から、図示しない多孔質拡散層を介して被測定ガスが導入される。基準酸素室には、センサ素子11の外部から、基準ガスとしての大気が導入される。
センサ素子11は、いわゆる限界電流方式によって酸素濃度を検出する酸素センサ素子である。一対のポンプ電極15,16間に印加される電圧(以下、センサ素子電圧Vp)と、一対のポンプ電極15,16間に流れる電流(以下、ポンプ電流Ip)との関係を示す出力特性は、比例領域と、平坦領域とを有している。比例領域では、センサ素子電圧Vpの増加に比例してポンプ電流Ipが変化する。平坦領域では、センサ素子電圧Vpが変化してもポンプ電流Ipが実質的に変化せず一定の値を保つ。
この平坦領域は、上記出力特性の電圧軸に対して平行で平坦な領域、すなわちポンプ電流Ipが一定となる限界電流の領域(以下、限界電流域)である。
この限界電流域におけるポンプ電流Ipは、酸素濃度に対応した値となり、酸素濃度が高くなるほど大きくなることが知られている。つまり、排気ガス中の酸素濃度が高くなるほど(すなわち、空燃比がリーン側になるほど)、ポンプ電流Ipの限界電流は増加し、排気ガス中の酸素濃度が低くなるほど(すなわち、空燃比がリッチ側になるほど)、限界電流は減少する。このため、センサ素子11のポンプセル13に対して、限界電流域に応じたセンサ素子電圧Vpを印加し、それによって得られるポンプ電流Ipを測定することで、排気ガス中の酸素濃度を広域にわたって検出することができる。
ヒータ12は、アルミナを主体とする材料にて形成され、その内部には、白金を主体とする材料にて形成された発熱抵抗体を備えている。ヒータ12は、センサ制御装置1から供給される電力により、センサ素子11の温度が活性化温度となるように制御される。また、発熱抵抗体の両端は、センサ制御装置1に電気的に接続されている。なお、ガスセンサ3は、ヒータ12による加熱によりセンサ素子11が活性化することで、ガス検出が可能な状態となる。
センサ制御装置1は、CANインターフェース回路21(以下、CANI/F回路21)と、制御回路22と、マイクロコンピュータ23(以下、マイコン23)と、接続端子24,25,26,27とを備える。CANは、Controller Area Networkの略である。また、CANは登録商標である。
CANI/F回路21は、CAN通信プロトコルに従って、通信線8を介してエンジンECU9との間でデータの送受信を行う。
制御回路22は、特定用途向集積回路(すなわち、ASIC)で実現されている。ASICは、Application Specific ICの略である。
制御回路22は、基準電圧生成部31、電流供給部32、アナログデジタル変換部33(以下、AD変換部33)、PID演算部34、電流デジタルアナログ変換部35(以下、電流DA変換部35)、Rpvs演算部36、デューティ演算部37およびヒータ駆動部38を備える。また制御回路22は、ポンプ電流端子41(以下、Ip+端子41)、検出電圧端子42(以下、Vs+端子42)、共通端子43(以下、COM端子43)およびヒータ端子44(以下、HTR+端子44)を備える。
Ip+端子41およびVs+端子42は、センサ制御装置1の接続端子25に接続されている。COM端子43は、センサ制御装置1の接続端子24に接続されている。そして、センサ素子11のポンプ電極15,16はそれぞれ、センサ制御装置1の接続端子24,25に接続されている。またHTR+端子44は、センサ制御装置1の接続端子26に接続されている。そして、ヒータ12の両端はそれぞれ、センサ制御装置1の接続端子26,27に接続されている。なお、接続端子27は接地されている。
基準電圧生成部31は、COM端子43に印加される基準電圧を発生させる。本実施形態では、基準電圧は2.7Vである。
電流供給部32は、ポンプセル13の内部抵抗値を検出するためのパルス電流Irpvsを、Vs+端子42を介してセンサ素子11へ供給する。なお、電流供給部32は、パルス電流Irpvsを常時供給するのではなく、マイコン23からの指令に基づいて、パルス電流Irpvsを定期的に所定期間にわたって供給する。
AD変換部33は、Vs+端子42から入力されるアナログ信号の電圧値をデジタルデータへ変換し、PID演算部34とRpvs演算部36へ出力する。
PID演算部34は、AD変換部33から入力されるデジタルデータに基づいて、Vs+端子42における電圧と、COM端子43における電圧との電圧差が、予め設定された制御基準電圧となるように、ポンプ電流IpをPID制御するためのPID演算を行う。本実施形態では、制御基準電圧は400mVである。PID演算部34は、PID演算によりポンプ電流Ipの値を算出し、この電流値を示すデジタルデータを電流DA変換部35へ出力する。
電流DA変換部35は、PID演算部34から入力されるデジタルデータが示す電流値を有する電流を、Ip+端子41を介してセンサ素子11へ供給する。
Rpvs演算部36は、電流供給部32がパルス電流Irpvsを供給しているときにAD変換部33から入力されるデジタルデータに基づいて、ポンプセル13の内部抵抗値Rpvsを算出するための演算を実行し、この内部抵抗値Rpvsを示すデジタルデータをデューティ演算部37へ出力する。
デューティ演算部37は、Rpvs演算部36から入力されるデジタルデータに基づいて、センサ素子11の温度を予め設定されたセンサ目標温度に維持するために必要なヒータ発熱量を算出する。そしてデューティ演算部37は、算出したヒータ発熱量に基づいて、ヒータ12に供給する電力のデューティ比を算出する。さらにデューティ演算部37は、算出したデューティ比に応じたPWM制御信号を生成し、このPWM制御信号をヒータ駆動部38へ出力する。PWMは、Pulse Width Modulationの略である。
また本実施形態では、デューティ演算部37は、ヒータ発熱量を算出するために、フィードバック制御を行う。具体的には、デューティ演算部37は、まず、Rpvs演算部36から入力される内部抵抗値Rpvsと、センサ目標温度に対応する目標内部抵抗値との偏差を算出し、この偏差に基づき、フィードバック項として、比例項と積分項とを算出する。デューティ演算部37は、偏差に、予め設定された比例ゲインを乗じた乗算値を比例項とする。デューティ演算部37は、偏差を積分した積分値に、予め設定された積分ゲインを乗じた乗算値を積分項とする。そしてデューティ演算部37は、比例項と積分項との加算値を、ヒータ発熱量として算出する。なお、本実施形態では、比例ゲインは1670に設定され、積分ゲインは750に設定されている。
ヒータ駆動部38は、デューティ演算部37から入力されるPWM制御信号に基づいて、ヒータ12の両端に供給される電圧VhをPWM制御してヒータ12を発熱させる。
マイコン23は、CPU51、ROM52、RAM53を備える。マイクロコンピュータの各種機能は、CPU51が非遷移的実体的記録媒体に格納されたプログラムを実行することにより実現される。この例では、ROM52が、プログラムを格納した非遷移的実体的記録媒体に該当する。また、このプログラムの実行により、プログラムに対応する方法が実行される。なお、センサ制御装置1を構成するマイクロコンピュータの数は1つでも複数でもよい。また、マイコン23が実行する機能の一部または全部を、一つあるいは複数のIC等によりハードウェア的に構成してもよい。
CPU51は、ROM52に記憶されたプログラムを実行することにより、ポンプ電流Ipの流れる向きとポンプ電流Ipの大きさとに基づいて酸素濃度を算出する。
図3は、目標内部抵抗値を基準として内部抵抗値Rpvsを周期的に増減させた場合において、内部抵抗差ΔRpvsとポンプ電流差ΔIpの時間変化を示すグラフである。内部抵抗差ΔRpvsは、内部抵抗値Rpvsから目標内部抵抗値を減算した値である。ポンプ電流差ΔIpは、内部抵抗値Rpvsにおけるポンプ電流Ipから、目標内部抵抗値におけるポンプ電流Ipを減算した値である。
図3に示すように、内部抵抗差ΔRpvsの周期的な増減に応じて、ポンプ電流差ΔIpも周期的に増減している。
図4は、内部抵抗値Rpvsの単位時間当りの変化量を示す微分値dRpvs/dtと、ポンプ電流差ΔIpとの関係を示すグラフである。
図4に示すように、微分値dRpvs/dtと、ポンプ電流差ΔIpとの関係は、直線L1で示すように1次式で表すことができる。すなわち、微分値dRpvs/dtとポンプ電流差ΔIpとの関係は、下式(1)で表される。なお、下式(1)の係数Aおよび係数Bはそれぞれ、直線L1を表す1次式の傾き及び切片である。そして、図4の直線L1では、傾きを示す係数Aの値は約−0.15であり、切片を示す係数Bは0である。
ΔIp = A×dRpvs/dt +B ・・・(1)
次に、ガスセンサ3の温度が急激に変化したときにおけるポンプ電流Ipの変動を評価するために実施した評価試験と、その試験結果について説明する。
本試験では、実施例として、本実施形態のセンサ制御装置1が用いられ、比較例として、従来のセンサ制御装置が用いられた。比較例のセンサ制御装置は、デューティ演算部37のフィードバックゲイン(すなわち、比例ゲインおよび積分ゲイン)が変更された点以外は本実施形態のセンサ制御装置1と同じとなるように製造された。なお、比較例のセンサ制御装置では、比例ゲインおよび積分ゲインがそれぞれ245および235に設定された。
また本試験では、ガス流通管にガスセンサ3が取り付けつつ当該ガスセンサ3を通常駆動させた状態で、ガス流通管内に燃焼排ガスを模擬した評価ガスを被測定ガスとして流通させて、ガスセンサ3のポンプ電流Ipと、ガスセンサ3のセンサ素子11の温度(以下、素子温度)とを測定した。なお、素子温度は、Rpvs演算部36から出力される内部抵抗値Rpvsに基づいて算出された。
評価ガスのガス温度は25℃一定に設定し、評価ガスは窒素(N)及び二酸化炭素(CO)を含む。評価ガスが模擬している燃焼排ガスは、空燃比が理論空燃比(λ=1.00)に設定された混合気がエンジン5で燃焼することによりエンジン5から排出されるガスである。本試験では、空燃比が理論空燃比に設定された混合気がエンジン5で燃焼することによりエンジン5から排出されるガスを評価ガスとするために、13%のCO、残部をNからなる評価ガスを使用した。また本試験では、排気管内に電磁弁が設けられており、この電磁弁により、評価ガスのガス流速が10秒毎に10m/sと60m/sとの間で切り替えられた。このように被測定ガスとしての評価ガスのガス流速を切り替えるのは、ガスセンサ3の温度を急速に変化させるためである。
図5は、比較例の試験結果を示すグラフである。図5のグラフG1は、ポンプ電流Ipの時間変化を示す。図5のグラフG2は、素子温度およびガス流速の時間変化を示す。図5のグラフG3は、素子温度の時間微分値dT/dtの時間変化を示す。
グラフG2に示すように、0秒から4秒までの間はガス流速が60m/sであり、4秒の時点でガス流速が60m/sから10m/sへ急激に低下する。その後、4秒から14秒までの間はガス流速が10m/sであり、14秒の時点でガス流速が10m/sから60m/sへ急激に上昇する。その後、14秒から20秒までの間はガス流速が60m/sである。
グラフG2に示すように、4秒の時点でガス流速が60m/sから10m/sへ急激に低下することにより、約800℃であった素子温度が約830℃まで上昇した。また、グラフG1に示すように、約0.5μAであったポンプ電流Ipが約1.5μAまで上昇した。
さらに、グラフG2に示すように、14秒の時点でガス流速が10m/sから60m/sへ急激に上昇することにより、約790℃であった素子温度が約770℃まで低下した。また、グラフG1に示すように、約0.5μAであったポンプ電流Ipが約−0.25μAまで低下した。
0秒から20秒までの間におけるポンプ電流Ipの平均値は+0.60μA、最大値は+1.47μA、最小値は−0.24μAであった。すなわち、平均値を中心としたポンプ電流Ipの変動範囲は、−0.84〜+0.87μAであった。従って、グラフG1に示すように、ポンプ電流Ipの変動幅ΔIpは1.71μAであった。
グラフG3に示すように、0秒から20秒までの間における時間微分値dT/dtの平均値は−0.063℃/s、最大値は+23.128℃/s、最小値は−20.915℃/sであった。すなわち、平均値を中心とした時間微分値dT/dtの変動範囲は−20.852〜+23.191℃/sであった。
図6は、実施例の試験結果を示すグラフである。図6のグラフG4は、ポンプ電流Ipの時間変化を示す。図6のグラフG5は、素子温度およびガス流速の時間変化を示す。図6のグラフG6は、素子温度の時間微分値dT/dtの時間変化を示す。
グラフG5に示すように、0秒から4秒までの間はガス流速が60m/sであり、4秒の時点でガス流速が60m/sから10m/sへ急激に低下する。その後、4秒から14秒までの間はガス流速が10m/sであり、14秒の時点でガス流速が10m/sから60m/sへ急激に上昇する。その後、14秒から20秒までの間はガス流速が60m/sである。
グラフG5に示すように、4秒の時点でガス流速が60m/sから10m/sへ急激に低下することにより、約800℃であった素子温度が約810℃まで上昇した。また、グラフG1に示すように、約0.7μAであったポンプ電流Ipが約1.0μAまで上昇した。
さらに、グラフG5に示すように、14秒の時点でガス流速が10m/sから60m/sへ急激に上昇することにより、約800℃であった素子温度が約790℃まで低下した。また、グラフG4に示すように、約0.7μAであったポンプ電流Ipが約0.1μAまで低下した。
0秒から20秒までの間におけるポンプ電流Ipの平均値は+0.62μA、最大値は+0.98μA、最小値は+0.12μAであった。すなわち、平均値を中心としたポンプ電流Ipの変動範囲は−0.50〜+0.36μAであった。従って、グラフG4に示すように、ポンプ電流Ipの変動幅ΔIpは0.86μAであった。
グラフG6に示すように、0秒から20秒までの間における時間微分値dT/dtの平均値は−0.003℃/s、最大値は+15.000℃/s、最小値は−15.357℃/sであった。すなわち、平均値を中心とした時間微分値dT/dtの変動範囲は−15.382〜+15.075℃/sであった。
このようにセンサ制御装置1は、センサ素子11と、センサ素子11を加熱するヒータ12とを備えて、排気ガスに含まれる酸素の濃度を検出するガスセンサ3を制御する。センサ素子11は、酸素イオン伝導性固体電解質体14と酸素イオン伝導性固体電解質体14上に配置された一対のポンプ電極15,16とを有するポンプセル13を有する。
センサ制御装置1は、ポンプセル13の内部抵抗値Rpvsを検出する。センサ制御装置1は、予め設定されたフィードバック項である比例項と積分項に基づいて、内部抵抗値Rpvsと目標内部抵抗値との偏差が0となるように、ヒータ12による発熱量に対してフィードバック制御を行う。
そして比例項と積分項は、空燃比が理論空燃比に設定された混合気がエンジン5で燃焼することによりエンジン5から排出される燃焼排ガスを模擬した評価ガスを被測定ガスとしてガスセンサ3に供給した場合であって、評価ガスのガス温度を25℃として、評価ガスのガス流速を10秒毎に10m/sと60m/sとの間で切り替えた場合に、ポンプ電流Ipの変動幅ΔIpが1.6μA以下となるように設定されている。
このようにセンサ制御装置1は、センサ素子11の温度が急激に変化する環境下におけるポンプ電流Ipの変動幅ΔIpを1.6μA以下にすることができ、ポンプ電流Ipの変動幅ΔIpを従来のセンサ制御装置より小さくすることができる。
このため、センサ制御装置1は、センサ素子11の温度が変化している最中である過渡的な状態であっても、従来のセンサ制御装置と比較して、ガスセンサ3によるガス濃度検出精度を向上させることができる。
以上説明した実施形態において、酸素イオン伝導性固体電解質体14は固体電解質体に相当し、ポンプ電極15,16は一対の電極に相当し、ポンプセル13はセルに相当する。
また、酸素は特定ガスに相当し、ポンプ電流Ipは濃度検出電流に相当し、内部抵抗値Rpvsは固体電解質体の温度に相当し、目標内部抵抗値は目標値に相当する。
また、Rpvs演算部36は温度検出部に相当し、デューティ演算部37は制御部に相当し、センサ制御装置1およびガスセンサ3はセンサユニットに相当する。
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。
例えば上記実施形態では、デューティ演算部37がフィードバック項として比例項および積分項を算出する形態を示したが、比例項および積分項に加えて更に微分項を算出するようにしてもよい。
また上記実施形態では、ガスセンサとして酸素センサを用いる形態を説明したが、酸素以外のガス(例えば、NOxなど)を検出するガスセンサであってもよい。また、センサとして酸素センサを用いる場合であっても、上記実施形態のように1つのセルを用いつつ限界電流方式によって酸素濃度を検出するセンサ素子に限定されない、例えば、一対の電極を有する酸素ポンプセルと、一対の電極を有する酸素濃度検出セルとの2つのセルとの間に測定室を介在させたセンサ素子に対して、本開示を適用してもよい。この2つのセルを有するセンサ素子は、酸素濃度検出セルの電極間に発生する起電力が目標値となるように酸素ポンプセルの通電状態を制御して測定室に向けて酸素を汲み入れたり、測定室から酸素を汲み出したりするように駆動することで、酸素ポンプセルに流れるポンプ電流に基づいて酸素濃度を広域にわたって検出することができる。
上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
上述したセンサ制御装置1の他、当該センサ制御装置1を構成要素とするシステム、当該センサ制御装置1としてコンピュータを機能させるためのプログラム、このプログラムを記録した半導体メモリ等の非遷移的実態的記録媒体、センサ制御方法など、種々の形態で本開示を実現することもできる。
1…センサ制御装置、3…ガスセンサ、11…センサ素子、12…ヒータ、13…ポンプセル、14…酸素イオン伝導性固体電解質体、15,16…ポンプ電極、36…Rpvs演算部、37…デューティ演算部

Claims (4)

  1. 固体電解質体と前記固体電解質体上に配置された一対の電極とを有するセルを少なくとも1つ以上有するセンサ素子と、前記センサ素子を加熱するヒータとを備えて、被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置であって、
    前記固体電解質体の温度を検出するように構成された温度検出部と、
    予め設定されたフィードバック条件に基づいて、前記温度検出部による検出結果と、予め設定された目標値との偏差が0となるように、前記ヒータによる発熱量に対してフィードバック制御を行うように構成された制御部とを備え、
    前記フィードバック条件は、前記被測定ガスとして、空燃比が理論空燃比に設定された混合気が内燃機関で燃焼することにより前記内燃機関から排出される燃焼排ガスを模擬した評価ガスを用いつつ、前記評価ガスのガス温度を25℃として、前記評価ガスのガス流速を10秒毎に10m/sと60m/sとの間で切り替えて前記ガスセンサに供給した場合に、前記一対の電極間で流れて前記特定ガスの濃度に応じて値が変動する濃度検出電流の値の変動幅が1.6μA以下となるように設定されているセンサ制御装置。
  2. 請求項1に記載のセンサ制御装置であって、
    前記フィードバック条件は、フィードバック項であるセンサ制御装置。
  3. 請求項2に記載のセンサ制御装置であって、
    前記フィードバック項は、少なくとも比例項および積分項を含むセンサ制御装置。
  4. 固体電解質体と前記固体電解質体上に配置された一対の電極とを有するセルを少なくとも1つ以上有するセンサ素子と、前記センサ素子を加熱するヒータとを備えるガスセンサと、
    請求項1〜請求項3の何れか1項に記載のセンサ制御装置と
    を備えるセンサユニット。
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