JP2019066691A - 検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】物体面の3次元形状を高速に検査することのできる検査装置を提供する。【解決手段】検査装置10は、物体面Sからの光を受光するラインイメージセンサ20と、ラインイメージセンサ20に物体面Sからの光を結像させる等倍反射型結像光学系30と、を備える。等倍反射型結像光学系30は、凹面主鏡32、凸面副鏡34、及び引き出し平面ミラー36を含む。物体面Sからの光束は、凹面主鏡32、凸面副鏡34、凹面主鏡32の順番で反射した後、引き出し平面ミラー36を介して、ラインイメージセンサ20に結像する。【選択図】図1

Description

本発明は、ラインイメージセンサ及び等倍反射型結像光学系を備えた検査装置に関する。
例えばプリント基板の欠陥検査のために、プリント基板表面の2次元形状だけでなく、プリント基板表面の3次元形状を観察したいという要求がある。すなわち、プリント基板の表面の2次元形状(XY面形状)を観察しながら、その表面の凹凸形状の高さ(=Z軸方向高さ)を観察したいという要求である。
プリント基板の表面を真上から観察することによって、その基板表面の2次元形状を測定することは可能である。しかし、Z軸方向の高さの情報を得るためには、基板表面の凹凸形状を斜めから観察する必要がある。例えば、基板表面を斜めから観察すると、観察される画像の手前側は幅が広くなり、奥側は幅が狭くなる。観察される画像の中央部にピントを合わせると、手前側と奥側にはピントが合わなくなるため、中央以外の部分では鮮明な画像が得られない。手前側と奥側のピントが合わなくなるのは、通常の光学系においては、像面と物体面が光軸に対して垂直に配置されることに起因している。手前側と奥側を含めた全面にピントを合わせるためには、像面を光軸に対して傾けるとともに、像面と物体面がシャインプルーフの条件を満たす必要がある。また、手前側と奥側を同じ幅で観察するためには、物体側と像側がともにテレセントリックとなる光学系を用いる必要がある。
フリップチップ実装技術の一つとして、シリコンウェハ上に銅ピラーを多数形成し、銅ピラーの頂部に形成された半田ボールに半導体チップを接続する技術が知られている。半導体チップの高集積化に伴い、シリコンウェハ上に形成された銅ピラーの微細化が進んでいる。例えば、銅ピラーの直径は20−50μm、高さは30−60μmとなっている。
特開2016−148829号公報
シリコンウェハの欠陥検査のために、シリコンウェハの表面の3次元形状を観察したいという要求がある。例えば、シリコンウェハ上に高密度に形成された銅ピラーの高さ、直径、ピッチなどを含む3次元形状の検査を高速に行いたいという要求がある。
本発明は、物体面の3次元形状を高速に検査することのできる検査装置を提供することを目的とする。例えば、シリコンウェハ上に形成された、直径が20−50μm、高さが30−60μmの銅ピラーの3次元形状を高速に検査することのできる検査装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための手段は、以下の発明である。
(1)物体面からの光を受光するラインイメージセンサと、前記ラインイメージセンサに前記物体面からの光を結像させる等倍反射型結像光学系と、を備える検査装置であって、
前記等倍反射型結像光学系は、凹面主鏡、凸面副鏡、及び引き出し平面ミラーを含み、前記物体面からの光の光束を、前記凹面主鏡、前記凸面副鏡、前記凹面主鏡の順番で反射させた後、前記引き出し平面ミラーを介して、前記ラインイメージセンサに結像させるように構成されている、検査装置。
(2)前記物体面から前記凹面主鏡に向かう光軸と、前記物体面の垂線とがなす角度αを変化させることのできる第1の傾動手段と、
前記引き出し平面ミラーから前記ラインイメージセンサに向かう光軸と、前記ラインイメージセンサの受光面の垂線とがなす角度βを変化させることのできる第2の傾動手段と、を備える、上記(1)に記載の検査装置。
(3)前記第1の傾動手段及び前記第2の傾動手段を制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記角度αと前記角度βが等しくなるように、前記第1の傾動手段及び第2の傾動手段を制御する、上記(2)に記載の検査装置。
(4)前記第1の傾動手段は、前記角度αを0度〜70度の範囲で変化させることが可能であり、
前記第2の傾動手段は、前記角度βを0度〜70度の範囲で変化させることが可能である、上記(2)または(3)に記載の検査装置。
本発明によれば、物体面の3次元形状を高速に検査することのできる検査装置を提供することができる。
X軸を回転軸として−60°、0°、+45°回転した状態の検査装置の正面図である。 X軸を回転軸として0°回転した状態の検査装置の側面図である。 X軸を回転軸として−60°、0°、+45°回転した状態の、従来の検査装置の正面図である。 X軸を回転軸として0°回転した状態の、従来の検査装置の側面図である。 検査装置がX軸を中心に−60°回転したときのMTF値を示している。 検査装置がX軸を中心に0°回転したときのMTF値を示している。 検査装置がX軸を中心に+45°回転したときのMTF値を示している。 従来の検査装置がX軸を中心に−60°回転したときのMTF値を示している。 従来の検査装置がX軸を中心に0°回転したときのMTF値を示している。 従来の検査装置がX軸を中心に+45°回転したときのMTF値を示している。 12インチ(=300mm)のシリコンウェハの全面を、本実施形態の検査装置の62mmラインイメージセンサで、5回スキャンする過程を示す。 12インチ(=300mm)のシリコンウェハの全面を、従来の検査装置の24.6mm×24.6mmエリアイメージセンサで、1ショットずつ、132回撮影する過程を示す。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、X軸を回転軸として−60°、0°、+45°回転した状態の検査装置の正面図である。図2は、X軸を回転軸として0°回転した状態の検査装置の側面図である。
図1、2に示すように、本実施形態の検査装置10は、物体面Sからの光を受光するためのラインイメージセンサ20と、物体面Sからの光をラインイメージセンサ20の受光面に結像させるための結像光学系30と、を備えている。結像光学系30は、等倍反射型結像光学系の一つであるオフナー光学系によって構成されている。結像光学系30は、テレセントリック光学系によって構成されている。
本実施形態の検査装置10は、物体面Sに光を照射するための図示しない照明光学系を備えていてもよい。照明光学系は、結像光学系30に合わせて、テレセントリック光学系によって構成されていてもよい。照明光学系としては、例えば、特開2013−174844号公報に開示されたケーラー照明系を用いることが可能である。
検査の対象となる物体面Sは、特に制限するものではないが、例えばシリコンウェハの表面である。シリコンウェハの表面には、例えば、直径20−50μm、高さ30−60μmの銅ピラーが形成されている。銅ピラーの頂部には、半導体チップをフリップチップ接続するための半田ボールが形成されている。
図1、2に示すように、結像光学系30は、凹面鏡で構成された主鏡32、凸面鏡で構成された副鏡34、及び引き出し平面ミラー36を備えている。物体面Sからの光束は、主鏡32、副鏡34、主鏡32、引き出し平面ミラー36の順番で反射された後、ラインイメージセンサ20の受光面に結像する。物体面Sとラインイメージセンサ20の受光面は、オフナー光学系において、等倍の共役の関係となっている。副鏡34は、光学系の瞳となっている。
ラインイメージセンサ20の受光面には、物体面Sからの反射光が結像する。ラインイメージセンサ20としては、例えば、2次元CCD等の固体撮像素子を使用できる。
ラインイメージセンサ20としては、例えば、5μmx5μmの受光素子が、X方向に12,000個ライン状に並んだ2次元CCDを使用できる。この場合、受光面の長さは60mmとなる。また、ラインイメージセンサ20としては、ノイズ信号を軽減するために、例えば、5μmx5μmの受光素子が、X方向に12,000個、Y方向に200列並んだ2次元CCDを使用できる。この場合、受光面の長さは60mm、幅は1mmとなる。さらに微細な受光素子、例えば、3.5μmx3.5μmの受光素子がライン状に並んだ2次元CCDを使用することもできる。
図1、2に示すように、物体面Sから凹面主鏡32に向かう光の光束は、テレセントリックとなっている。主鏡32で反射した光は、絞りを兼ねる凸面副鏡34で反射する。副鏡34で反射した光は、再び凹面主鏡32で反射してテレセントリックとなる。主鏡32で反射してテレセントリックとなった光は、引出し平面ミラー36で反射して、等倍でラインイメージセンサ20の受光面に結像する。
図1、2に示すように、本実施形態の検査装置10は、64mm×2mmの受光面を有するラインイメージセンサ20を用いている。
等倍反射型結像光学系30では、凸面副鏡34と引出し平面ミラー36の干渉状況により、NAの数値が決まる。
図1、2に示すように、本実施形態の検査装置10では、ラインイメージセンサ20の幅が小さい(=2mm)ため、光軸と主光線軸のシフト量が小さい(=22mm)。このため、本実施形態の検査装置10では、NA=0.065となっており、NAの値が大きくなっている。このように、本実施形態の検査装置10によれば、例えばNA=0.065まで無収差を維持することができる。
従来の検査装置について説明する。
図3は、X軸を回転軸として−60°、0°、+45°回転した状態の、従来の検査装置の正面図である。図4は、X軸を回転軸として0°回転した状態の、従来の検査装置の側面図である。
図3、4に示すように、従来の検査装置100は、24.6mmx24.6mmの受光面を有するエリアイメージセンサ120を用いている。
従来の検査装置100は、エリアイメージセンサ120の幅が大きい(=24.6mm)ため、光軸と主光線軸のシフト量が大きい(=30mm)。このため、従来の検査装置100では、NA=0.04となっており、本実施形態の検査装置10よりもNAの値が小さくなっている。
本実施形態の検査装置10においては、例えば、NA=0.065であり、主波長=0.546μmである。この場合、アッベの理論分解能式から、
分解能=波長/(2×NA)=0.546μm/(2×0.065)=4.2μmL&S
1,000μm/(4.2μm×2)=120LP/mm
従来の検査装置100においては、例えば、NA=0.04であり、主波長=0.546μmである。この場合、アッベの理論分解能式から、
分解能=波長/(2×NA)=0.546μm/(2×0.04)=6.83μmL&S
1,000μm/(6.83μm×2)=73LP/mm
本実施形態の検査装置10は、64mm×2mmの受光面を有するラインイメージセンサ20を用いているため、4.2μmL&Sの分解能を得ることができる。
これに対して、従来の検査装置100は、24.6mm×24.6mmのエリアイメージセンサ120を用いているため、6.83μmL&Sの分解能にとどまる。
図1の中央に示すように、検査装置10がX軸を中心に0°回転した状態では、YZ平面内において、物体面Sの垂線N1は、物体面Sから主鏡32に向かう光軸L1と一致している(α=0°)。また、ラインイメージセンサ20の垂線N2は、引き出し平面ミラー36からラインイメージセンサ20に向かう光軸L2と一致している(β=0°)。
図1の右側に示すように、検査装置10がX軸を中心に+45°回転した状態では、YZ平面内において、物体面Sの垂線N1は、物体面Sから主鏡32に向かう光軸L1に対して45°傾斜している(α1=45°)。また、ラインイメージセンサ20の垂線N2は、引き出し平面ミラー36からラインイメージセンサ20に向かう光軸L2に対して45°傾斜している(β1=45°)。
図1の左側に示すように、検査装置10がX軸を中心に−60°回転した状態では、YZ平面内において、物体面Sの垂線N1は、物体面Sから主鏡32に向かう光軸L1に対して−60°傾斜している(α2=−60°)。また、ラインイメージセンサ20の垂線N2は、引き出し平面ミラー36からラインイメージセンサ20に向かう光軸L2に対して−60°傾斜している(β2=−60°)。
以上説明したように、本実施形態の検査装置10は、X軸を中心に回転することが可能である。すなわち、検査対象となる物体面SがXY2次元平面内に位置しているとき、主鏡32、副鏡34、及び引き出し平面ミラー36を収容する鏡筒を、X軸を中心に回転駆動することが可能である。また、鏡筒の回転角度に合わせて、例えばCCD撮像素子からなるラインイメージセンサ20を回転駆動することが可能である。これにより、物体面Sとラインイメージセンサ20の受光面がシャインプルーフの条件を満たすように、検査装置10の各部を回転駆動することが可能である。本実施形態の検査装置10によれば、物体面Sを斜めから観察した場合であっても、物体面Sの全面にピントを合わせることが可能となる。
本実施形態の検査装置10は、主鏡32、副鏡34、及び引き出し平面ミラー36を収容するための図示しない鏡筒を備えてもよい。検査装置10は、鏡筒を回転駆動するための手段を備えてもよい。駆動手段としては、例えば、ステッピングモータあるいはサーボモータを使用することができる。鏡筒を回転駆動するための手段が、本発明の「第1の傾動手段」に対応する。
本実施形態の検査装置10は、例えばCCD撮像素子によって構成されるラインイメージセンサ20を回転駆動するための手段を備えてもよい。駆動手段としては、例えば、ステッピングモータあるいはサーボモータを使用することができる。ラインイメージセンサ20を回転駆動するための手段が、本発明の「第2の傾動手段」に対応する。
検査装置10は、鏡筒を回転駆動するための手段(第1の傾動手段)、及び、ラインイメージセンサ20を回転駆動するための手段(第2の傾動手段)をそれぞれ制御するための制御手段を備えてもよい。この制御手段は、第1の傾動手段及び第2の傾動手段をそれぞれ制御することによって、鏡筒及びラインイメージセンサ20の回転角度をそれぞれ制御することができる。この制御手段は、例えばパーソナルコンピュータによって構成されている。第1の傾動手段と制御手段は、電気的に接続されている。第2の傾動手段と制御手段は、電気的に接続されている。制御手段には、第1の傾動手段及び第2の制御手段をそれぞれ制御するためのソフトウェアがインストールされていることが好ましい。
第1の傾動手段は、主鏡32、副鏡34、及び引き出し平面ミラー36を収容する図示しない鏡筒を回転させることができる。鏡筒を回転させることによって、物体面Sから凹面主鏡32に向かう光軸L1と、物体面Sの垂線N1とがなす角度αを変化させることが可能である。第1の傾動手段は、好ましくは、角度αを0°〜70°の範囲で変化させることが可能である。
第2の傾動手段は、ラインイメージセンサ20を回転させることによって、引き出し平面ミラー36からラインイメージセンサ20の受光面に向かう光軸L2と、ラインイメージセンサ20の受光面の垂線N2とがなす角度βを変化させることが可能である。第2の傾動手段は、好ましくは、角度βを0°〜70°の範囲で変化させることが可能である。
制御手段は、角度αと角度βが等しくなるように、第1の傾動手段及び第2の傾動手段をそれぞれ制御することができる。すなわち、物体面Sとラインイメージセンサ20の受光面がシャインプルーフの条件を満たすように、物体面Sと受光面の光軸に対する傾斜角度をそれぞれ制御することができる。これにより、物体面Sを例えば60°傾斜した方向から観察した場合であっても、物体面Sの全面にピントを合わせることが可能となる。
図5〜図7のグラフは、物体面Sからの光束が、等倍反射型結像光学系30により像面に結像したときのコントラストの計算結果を示している。図5〜図7のグラフにおいて、横軸はLP/mm、縦軸はMTF値である。各グラフは、以下の[表1]に示す9点の座標からの光束が結像したときのコントラストを示している。分解能(MTF)は、主波長を546nmとして、546nm, 436nm, 486nm, 579nm, 656nmの5つの波長で計算した。
図5は、検査装置10がX軸を中心に−60°回転したときのMTF値を示している。
図5に示すように、検査装置10の回転角度が−60°である場合、100LP/mm(5μmL&S)におけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において47%、Z方向(サジタル方向)において10%である。
図6は、検査装置10がX軸を中心に0°回転したときのMTF値を示している。
図6に示すように、検査装置10の回転角度が0°である場合、100LP/mmにおけるMTF値は、47%である。物体面も像面も光軸に対して垂直であるため、タンジェンシャル方向とサジタル方向においてMTF値に差はない。
図7は、検査装置10がX軸を中心に+45°回転したときのMTF値を示している。
図7に示すように、検査装置10の回転角度が+45°である場合、100LP/mmにおけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において47%、Z方向(サジタル方向)において29%である。
図8〜図10のグラフは、物体面Sからの光束が、従来の検査装置100により像面に結像したときのコントラストの計算結果を示している。図8〜図10のグラフにおいて、横軸はLP/mm、縦軸はMTF値である。各グラフは、以下の[表2]に示す9点の座標からの光束が結像したときのコントラストを示している。分解能(MTF)は、主波長を546nmとして、546nm, 436nm, 486nm, 579nm, 656nmの5つの波長で計算した。
図8は、従来の検査装置100がX軸を中心に−60°回転したときのMTF値を示している。
図8に示すように、従来の検査装置100の回転角度が−60°である場合、100LP/mmにおけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において20%、Z方向(サジタル方向)において0%である。60LP/mmにおけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において47%、Z方向(サジタル方向)において10%である。
図9は、従来の検査装置100がX軸を中心に0°回転したときのMTF値を示している。
図9に示すように、従来の検査装置100の回転角度が0°である場合、100LP/mmにおけるMTF値は、20%である。物体面も像面も光軸に対して垂直であるため、タンジェンシャル方向とサジタル方向においてMTF値に差はない。
図10は、従来の検査装置100がX軸を中心に+45°回転したときのMTF値を示している。
図10に示すように、従来の検査装置100の回転角度が+45°である場合、100LP/mmにおけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において20%、Z方向(サジタル方向)において3%である。60LP/mmにおけるMTF値は、X方向(タンジェンシャル方向)において47%、Z方向(サジタル方向)において29%である。
図5〜図7のグラフから分かるように、本実施形態の検査装置10によれば、回転角度が−60°、+45°である場合であっても、高いMTF値を得ることができる。例えば、100LP/mmにおいて、MTF値は47%であった。
図8〜図10のグラフから分かるように、従来の検査装置100によれば、高いMTF値を得ることができない。例えば、100LP/mmにおいて、MTF値は20%であった。本実施形態の検査装置10と同等のMTF値47%を得るためには、横軸の数値を100LP/mmから60LP/mmまで下げる必要がある。
従来の検査装置100は、NA値が0.04と低いため、分解能の限界は、例えば8.3μmであった。
本実施形態の検査装置10によれば、回転角度が+45°である場合において、100LP/mm、Z方向(サジタル方向)におけるMTF値は、約30%である。
したがって、本実施形態の検査装置10によれば、容易に画像処理ソフトを適用できるコントラストが得られる。
100LP/mm=5μmL&Sである。ラインイメージセンサの受光素子のサイズは、例えば5μm×5μmである。
したがって、本実施形態の検査装置10によれば、5μmの分解能での3次元形状の検査が可能である。
従来の検査装置100によれば、60LP/mmmにおける分解能は、8.3μmである。
したがって、従来の検査装置100によれば、5μm×5μmのサイズを有する受光素子を使った場合でも、8.3μmの分解能での3次元形状の検査しかできない。
図11は、12インチ(=300mm)のシリコンウェハの全面を、本実施形態の検査装置10の62mmラインイメージセンサで、5回スキャンする過程を示す。
図12は、12インチ(=300mm)のシリコンウェハの全面を、従来の検査装置100の24.6mm×24.6mmエリアイメージセンサで、1ショットずつ、132回撮影する過程を示す。
等倍反射型結像光学系に組み合されるステージの動きにもよるが、本実施形態の62mmラインイメージセンサを使用した場合、従来の24.6mm×24.6mmエリアイメージセンサを使用した場合よりも、格段に速い検査スループットが得られる。
更に、5μm×5μmの受光素子がX方向に12,000個(長さ60mm)、Y方向に200列(幅1mm)並んだラインイメージセンサを使用した場合、ノイズが軽減されるため、より高い分解能での検査が可能になる。例えば、ラインイメージセンサに、3.5μmの受光素子を適用できる。この場合、分解能3.5μmでの検査も可能である。
10 検査装置
20 ラインイメージセンサ
30 等倍反射型結像光学系
32 凹面主鏡
34 凸面副鏡
36 引き出し平面ミラー
L1、L2 光軸
N1、N2 垂線
S 物体面

Claims (4)

  1. 物体面からの光を受光するラインイメージセンサと、前記ラインイメージセンサに前記物体面からの光を結像させる等倍反射型結像光学系と、を備える検査装置であって、
    前記等倍反射型結像光学系は、凹面主鏡、凸面副鏡、及び引き出し平面ミラーを含み、前記物体面からの光の光束を、前記凹面主鏡、前記凸面副鏡、前記凹面主鏡の順番で反射させた後、前記引き出し平面ミラーを介して、前記ラインイメージセンサに結像させるように構成されている、検査装置。
  2. 前記物体面から前記凹面主鏡に向かう光軸と、前記物体面の垂線とがなす角度αを変化させることのできる第1の傾動手段と、
    前記引き出し平面ミラーから前記ラインイメージセンサに向かう光軸と、前記ラインイメージセンサの受光面の垂線とがなす角度βを変化させることのできる第2の傾動手段と、を備える、請求項1に記載の検査装置。
  3. 前記第1の傾動手段及び前記第2の傾動手段を制御する制御手段を備え、
    前記制御手段は、前記角度αと前記角度βが等しくなるように、前記第1の傾動手段及び第2の傾動手段を制御する、請求項2に記載の検査装置。
  4. 前記第1の傾動手段は、前記角度αを0度〜70度の範囲で変化させることが可能であり、
    前記第2の傾動手段は、前記角度βを0度〜70度の範囲で変化させることが可能である、請求項2または請求項3に記載の検査装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114700227A (zh) * 2022-04-22 2022-07-05 广东赛威莱自动化科技有限公司 贴片机

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3624978B2 (ja) * 1995-10-20 2005-03-02 株式会社ニコン 分光光学系
JP2009264799A (ja) * 2008-04-22 2009-11-12 Canon Inc 測定装置、露光装置およびデバイス製造方法
US8223443B2 (en) * 2010-09-01 2012-07-17 Kla-Tencor Corporation Collection optics
JP2016148829A (ja) * 2015-02-05 2016-08-18 株式会社目白ゲノッセン 観察装置
US10156664B2 (en) * 2016-02-12 2018-12-18 Lasertec Corporation Mask inspection apparatus and mask inspection method
EP3208604B1 (en) * 2016-02-22 2019-07-10 F. Hoffmann-La Roche AG Optics for analysis of microwells

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114700227A (zh) * 2022-04-22 2022-07-05 广东赛威莱自动化科技有限公司 贴片机
CN114700227B (zh) * 2022-04-22 2023-09-08 广东赛威莱自动化科技有限公司 贴片机

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