JP2019056659A - 交流制御回路構造体 - Google Patents
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取得した交流電圧がマイナスで第一閾値よりも小さくマイナス側第二閾値(絶対値はプラス側第二閾値と同じ)よりも大きい場合にON信号又はOFF信号を出力し、取得した交流電圧がマイナスで第二閾値よりも小さい場合にOFF信号又はON信号を出力する(請求項3対応)。
<実施形態1>
<実施形態1 概要>
<実施形態1 構成>
<実施形態1 構成の説明>
すなわち、取得した交流信号電圧の絶対値が第一閾値電圧(0.0V)の大きさより大きく、第二閾値電圧(238V)の大きさより小さい場合にON信号を出力し、取得した交流信号電圧の絶対値が第二閾値(238V)の大きさより相対的に大きい場合に、OFF信号を出力する。
<実施形態2 回路の動作説明>
<実施形態2>
<実施形態2 概要>
<実施形態2 構成>
<実施形態2 構成の説明>
<実施形態3>
<実施形態3 概要>
<実施形態3 構成>
<実施形態3 構成の説明>
<実施形態3 回路の動作説明>
<実施形態4>
<実施形態4 概要>
<実施形態4 構成>
<実施形態4 構成の説明>
<実施形態4 回路の動作説明>
図12の20ms付近に示すように、発光ダイオード(フォトカプラ)0605の第二閾値を超えてONとなるON時間長が長いと電源電圧の波高値が大きいことがわかる。また逆もいえる。図12の180ms付近に示すように、第二閾値を超えない振幅の場合は、ON→OFF1回のみとし、瞬間停電を検知できる。また、三相交流電源の場合は欠相を検知できる。
<実施形態5>
<実施形態5 概要>
<実施形態5 構成>
<実施形態5 構成の説明>
<実施形態5 回路の動作説明>
<具体的回路例の動作説明>
<回路動作 動作点a>
(a)交流電源電圧Vpが上昇し0Vを上回ると整流ダイオードD5がONする。これとは逆に整流ダイオードD6はOFFとなっている。
この時シャントレギュレータIC1の電圧Vs1が閾値電圧2.5V以下であると、シャントレギュレータIC1がOFFとなり、MOSトランジスタTr1がOFFとなる。
従って、フォトカプラPHC1の発光ダイオードのアノードAnからカソードCthに向かって電流Id1が流れ、フォトカプラPHC1がONする。
Ve1=Ie1×(R16+R17)
Ie1=Ve1/(R16+R17) (1)
Ve1=Id1×R19+Vf1
ここで、インダクタンスL5の電圧は無いものとする。
Id1=(Ve1−Vf1)/R19 (2)
ここで、電圧Vf1はフォトカプラPHC1の発光ダイオードの順方向電圧降下で1Vとする。
Ve1=Iz1×R18+Vz1
Iz1=(Ve1−Vz1)/R18=0 (3)
ここで、シャントレギュレータIC1がOFF時、Iz1は0である。
Ip=Id1+Ie1+Iz1 (4)
Ip=(Vp-Ve1)/Rp (5)
ここで、Rp=R12+R13+R14+R15、整流ダイオードD5の電圧は無いものとする。
式(4)右辺=式(5)右辺
Ie1+Id1+Iz1=(Vp-Ve1)/Rp
ここで、Iz1=0 とする。
右辺に式(1)、(2)、(3)を代入すると、
Ve1/(R16+R17)+(Ve1−Vf1)/R19=(Vp-Ve1)/Rp
Ve1/(R16+R17)+Ve1/R19+Ve1/Rp=Vp/Rp+Vf1/R19
Ve1×(1/(R16+R17)+1/R19+1/Rp)=Vp/Rp+Vf1/R19
Ve1=(Vp/Rp+Vf1/R19)/(1/(R16+R17)+1/R19+1/Rp)
Vs1=Ve1×R17/(R16+R17)
<回路動作 動作点b>
<回路動作 動作点c>
(c)交流電源電圧Vpが下降し再び動作点bを下回ると、フォトカプラPHC1が再びONする。すなわち、フォトカプラPHC1の発光ダイオードのアノードAnからカソードCthに向かって電流Id1が流れ、フォトカプラPHC1がONする。
<回路動作 動作点d>
(d)交流電源電圧Vpが下降し0Vを下回ると整流ダイオードD5がOFFする。これとは逆に整流ダイオードD6がONする。フォトカプラPHC1の発光ダイオードには電流が流れず、PHC1がOFFする。
ここで、動作点dを交流電源電圧のゼロクロスとして検知する。これは、動作点aでも良いが動作点dの方が感度の影響を受けにくいからである。すなわち、フォトカプラPHC1がOFFのときの方が感度バラツキの影響を受けにくいからである。
Vs1=2.5(V)、Ve1=15.0(V)、Vp(ac)=168.3(Vrms)、Vp=238(V)、Vf1=1.0(V)、Vz1=15.0(V)になる。
交流電源電圧Vpが238Vを超えると、シャントレギュレータIC1がOFFからONへ移行する。
シャントレギュレータIC1が完全にONした状態は(IC1の駆動電流Iz1が数mA程度必要となるため)、下式(6)〜(10)のようにあらわされるが、実際は動作点bの地点がシャントレギュレータIC1(MOSトランジスタTr1)がONに移行する閾値となるため、シャントレギュレータIC1が完全にON(Vz=2.5V)とならない場合でも、ある程度MOSトランジスタTr1のゲート電圧が確保される動作をし、MOSトランジスタTr1はON状態を継続できる。
さらにインダクタンスL5、コンデンサC35、C36のフィルタ回路により急なON⇔OFF動作を抑制し上記動作を安定化させている。
Ve1=Ie1×(R16+R17)
Ie1=Ve1/(R16+R17) (6)
Ve1=Id1×R19+Vf1
ここで、インダクタンスL5の電圧は無いものとする。
Id1=(Ve1−Vf1)/R19 (7)
ここで、MOSトランジスタTr1のON抵抗を0とすれば、Vf1=0となる。
シャントレギュレータIC1がON時、Vz=2.5V
Ve1=Iz1×R18+Vz1
Iz1=(Ve1−Vz1)/R18 (8)
ここで、Rp=R12+R13+R14+R15、D5の電圧は無いものとする。
Ip=Id1+Ie1+Iz1 (9)
Ip=(Vp-Ve1)/Rp (10)
式(9)右辺=式(10)右辺
Ie1+Id1+Iz1=(Vp-Ve1)/Rp
右辺に式(6)、(7)、(8)を代入すると、
Ve1/(R16+R17)+(Ve1−Vf1)/R19+(Ve1−Vz1)/R18=(Vp-Ve1)/Rp
Ve1/(R16+R17)+Ve1/R19+Ve1/R18+Ve1/Rp=Vp/Rp+Vf1/R19+Vz1/R18
Ve1×(1/(R16+R17)+1/R19+1/R18+1/Rp)=Vp/Rp+Vf1/R19+Vz1/R18
Ve1=(Vp/Rp+Vf1/R19+Vz1/R18)/(1/(R16+R17)+1/R19+1/R18+1/Rp)
Vs1=Ve1×R17/(R16+R17)
<他の実施形態>
<他の実施形態 電力調整器>
<他の実施形態 構成>
<他の実施形態 構成の説明>
<他の実施形態 動作の説明>
0101 交流信号取得部
0102 閾値検出部
0103 発光ダイオードスイッチング部
0104 フォトカプラ
0105 発光ダイオード
0106 受光素子
0107 交流信号情報取得部
0308 バイパス回路
0408 電源回路
0409 電源回路交流信号取得手段
0608、0808 振幅算出部
0809 電力調整情報保持部
0810 電源制御部
1301 電力調整器
1302 同期信号取得部
1303 同期信号取得回路
1304 瞬停検出手段
1305 ゼロクロス検出手段
1310 交流電源
Claims (7)
- 交流信号情報を後記する交流信号取得部を構成する回路から直流的及び交流的に絶縁し同回路外に伝達するための発光ダイオードと受光素子からなるフォトカプラと、
交流信号を取得する交流信号取得部と、
閾値電圧の絶対値の大きさである第一閾値の大きさが後記する第二閾値より相対的に小さく、閾値電圧の絶対値の大きさである第二閾値が前記第一閾値の大きさより相対的に大きい場合に、取得した交流信号電圧の絶対値が第一閾値電圧の大きさより大きく、第二閾値電圧の大きさより小さい場合にON信号又はOFF信号を出力し、
前記第二閾値よりも取得した交流信号電圧の絶対値が大きい場合にOFF信号又はON信号(前記ON信号又はOFF信号と同順)を出力する閾値検出部と、
閾値検出部のON信号又はOFF信号に応じてフォトカプラの発光ダイオード両端電圧を0とする発光ダイオードスイッチング部と、
フォトカプラの受光素子側の信号である交流信号情報を取得する交流信号情報取得部と、からなる交流制御回路構造体。 - 前記第一閾値は、電圧値が0である請求項1に記載の交流制御回路構造体。
- 前記閾値検出部は、取得した交流信号電圧がプラスで第一閾値よりも大きく、プラス側第二閾値よりも小さい場合にON信号又はOFF信号を出力し、取得した交流信号電圧がプラスで第二閾値よりも大きい場合にOFF信号又はON信号を出力し、
取得した交流電圧がマイナスで第一閾値よりも小さくマイナス側第二閾値(絶対値はプラス側第二閾値と同じ)よりも大きい場合にON信号又はOFF信号を出力し、取得した交流電圧がマイナスで第二閾値よりも小さい場合にOFF信号又はON信号を出力する請求項2に記載の交流制御回路構造体。 - 前記発光ダイオードスイッチング部は、発光ダイオードに並列に配置された抵抗が略0オームのバイパス回路を構成する請求項1から請求項3のいずれか一に記載の交流制御回路構成体。
- 電源回路をさらに有し、
交流信号取得部は前記電源回路からの交流信号を取得する電源回路交流信号取得手段を有する請求項1から請求項4のいずれか一に記載の交流制御回路構造体。 - 交流信号情報取得部から取得する前記発光ダイオードのON時間長又はOFF時間長を用いて取得した交流信号の振幅を算出する振幅算出部をさらに有する請求項1から請求項5のいずれか一に記載の交流制御回路構造体。
- 投入電力を調整するための情報である電力調整情報を保持する電力調整情報保持部と、
振幅算出部が算出した振幅と、保持されている電力調整情報とに基づいて電源回路からの電源波のONとOFFのタイミングを制御する電源制御部をさらに有する請求項6に記載の交流制御回路構造体。
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2017
- 2017-09-22 JP JP2017182173A patent/JP7038510B2/ja active Active
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