JP2019047124A - 有機発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】有機発光素子を提供する。【解決手段】有機発光素子は、第１電極、第２電極、及び第１電極と第２電極との間に配置された発光層を有し、発光層は、ホスト及びドーパントを含み、リン光を放出し、ドーパントは有機金属化合物であり、ホスト及びドーパントは０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ドーパント）−ＨＯＭＯ（ホスト）≦０．４ｅＶを満足し、ＨＯＭＯ（ドーパント）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ホスト）は、発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。【選択図】図２

Description

本発明は、有機発光素子に関する。

有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）は、自発光型素子であり、視野角、応答時間、輝度、駆動電圧、応答速度などに優れ、多色化が可能である。

一例によると、有機発光素子は、アノード、カソード、及びアノードとカソードとの間に配置されて発光層を含む有機層を有する。アノードと発光層との間には正孔輸送領域が具備され、発光層とカソードとの間には電子輸送領域が具備される。アノードから注入された正孔は正孔輸送領域を経由して発光層に移動し、カソードから注入された電子は電子輸送領域を経由して発光層に移動する。正孔及び電子は発光層領域で再結合されて励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成する。励起子が励起状態から基底状態に変わりながら光が発生する。

特開２０１６−５１９０１号公報

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、所定パラメータを満足し、長寿命を有する有機発光素子を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による有機発光素子は、
第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を有し、
前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
前記発光層は、リン光を放出し、
前記ドーパントは、有機金属化合物であり、
前記ドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ：ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ）は、０．８以上１．０以下であり、
前記ドーパントの減衰時間（ｄｅｃａｙｔｉｍｅ）は、０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、
前記ホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、
前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、前記ドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、
前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、前記発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合、前記１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、前記発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、前記２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルであり、
前記ドーパントの発光量子効率は、フィルム１に対する発光量子効率を評価したものであり、
前記ドーパントの減衰時間は、フィルム１に対するＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅ ｄｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｃｅ）スペクトルから計算された値であり、
前記フィルム１は、クォーツ基板上に、前記発光層に含まれるホストとドーパントとを９０：１０の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムであり、
前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）基板上に１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼンと前記発光層に含まれるドーパントとを８５：１５の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、
前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、ｉ）前記ホストが１種のホストを含む場合、ＩＴＯ基板上に、前記１種のホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、ｉｉ）前記ホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、ＩＴＯ基板上に、それぞれのホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値のうちの最大の負数値である。

本発明の有機発光素子によれば、所定パラメータを満足し、長寿命を有する。

一具現例による有機発光素子の断面を概略的に示した図である。 ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）の一具現例を表したダイヤグラムである。 他の具現例による有機発光素子の断面を概略的に示した図である。 更に他の具現例による有機発光素子の断面を概略的に示した図である。

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。

≪図１及び図２に関する説明≫

図１は、一具現例による有機発光素子の断面を概略的に示した図であり、図２は、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）の一具現例を表したダイヤグラムである。

図１の有機発光素子１０は、第１電極１１、第１電極１１に対向する第２電極１９、及び第１電極１１と第２電極１９との間に配置された有機層１０Ａを含む。

有機層１０Ａは発光層１５を含み、第１電極１１と発光層１５との間には正孔輸送領域１２が配置され、発光層１５と第２電極１９との間には電子輸送領域１７が配置される。

第１電極１１の下部又は第２電極１９の上部には、基板が追加して配置される。基板としては、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性、及び防水性に優れたガラス基板又はプラスチック基板を使用する。

［第１電極１１］

第１電極１１は、例えば基板上部に第１電極用物質を蒸着法やスパッタリング法などを利用して提供することで形成される。第１電極１１がアノードである場合、正孔注入が容易であるように、第１電極用物質は、高い仕事関数を有する物質のうちから選択される。

第１電極１１は、反射型電極、半透過型電極、又は透過型電極である。透過型電極である第１電極１１を形成するために、第１電極用物質は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びその任意の組み合わせ（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。或いは、半透過型電極又は反射型電極である第１電極１１を形成するために、第１電極用物質は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）、及びその任意の組み合わせのうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

第１電極１１は、単一層である単層構造、又は複層を有する多層構造を有する。

［発光層１５］

発光層１５は、ホスト及びドーパントを含む。

発光層１５は、リン光を放出する。即ち、ドーパントは、リン光を放出する物質である。リン光を放出する発光層１５は、通常の蛍光ドーパント及び／又は熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：ｔｈｅｒｍａｌ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）ドーパントを含み、蛍光を放出する発光層とは明確に区分される。

ドーパントは、有機金属化合物である。

ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは、２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下である。例えば、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは、２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下、２．３１ｅＶ以上２．４０ｅＶ以下、２．３１ｅＶ以上２．３８ｅＶ以下、２．３１ｅＶ以上２．３６ｅＶ以下、２．３２ｅＶ以上２．３６ｅＶ以下、又は２．３３ｅＶ以上２．３５ｅＶ以下であるが、それらに限定されるものではない。ここで「最大発光波長」は、発光強度が最大である波長を指すものであり、「ピーク発光波長」とも称する。

ドーパントの発光量子効率は、０．８以上１．０以下である。例えば、ドーパントの発光量子効率は、０．９以上１．０以下、０．９２以上１．０以下、０．９４以上１．０以下、０．９５以上１．０以下、０．９６以上１．０以下、０．９７２以上０．９９５以下、０．９７４以上０．９９５以下、０．９７５以上１．０以下、０．９７５以上０．９９５以下、０．９７５以上０．９９０以下、０．９７８以上０．９８５以下又は０．９７８以上０．９８０以下であるが、それらに限定されるものではない。

ドーパントの減衰時間（ｄｅｃａｙ ｔｉｍｅ）は、０．１μｓ以上２．９μｓ以下である。例えば、ドーパントの減衰時間は、１．０μｓ以上２．９μｓ以下、１．５μｓ以上２．９μｓ以下、１．６μｓ以上２．７μｓ以下、１．５μｓ以上２．６μｓ以下、１．７μｓ以上２．５μｓ以下、１．８μｓ以上２．５μｓ以下、又は２．０μｓ以上２．５μｓ以下であるが、それらに限定されるものではない。

発光層に含まれるホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足する。ここで、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合（例えば発光層に含まれるホストが１種のホストからなる（ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ）場合）、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）とＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）との関係を図示したダイヤグラムの一具現例は、図２を参照する。

例えば、発光層に含まれるホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．３ｅＶ、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶ、又は０．１５ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶを満足するが、それらに限定されるものではない。

一具現例によると、発光層１５で、ドーパントの発光量子効率は０．９７５以上１．０以下であり、ドーパントの減衰時間は２．０μｓ以上２．５μｓ以下であり、０．１５ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶを満足するが、それらに限定されるものではない。他の具現例によると、発光層１５で、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは２．３１ｅＶ以上２．３６ｅＶ以下であり、ドーパントの発光量子効率は０．９７５以上１．０以下であり、ドーパントの減衰時間は２．０μｓ以上２．５μｓ以下であり、０．１５ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶを満足するが、それらに限定されるものではない。

ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは、フィルム１に対する発光スペクトルの最大発光波長から計算されたものであり、
ドーパントの発光量子効率は、フィルム１に対する発光量子効率を評価したものであり、
ドーパントの減衰時間は、フィルム１に対するＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｃｅ）スペクトルから計算された値であり、
フィルム１は、クォーツ基板上に、発光層に含まれるホストとドーパントとを９０：１０の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムであり、
ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、ＩＴＯ基板上に１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼンと発光層に含まれるドーパントとを８５：１５の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置（例えば、Ｒｉｋｅｎ Ｋｅｉｋｉ社のＡＣ３）を利用して測定された負数値であり、
ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、ｉ）ホストが１種のホストを含む場合（例えば、ホストが１種のホストからなる（ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ）場合）、ＩＴＯ基板上に、１種のホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、ｉｉ）ホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、ＩＴＯ基板上に、それぞれのホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値のうちの最大の負数値である。

ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長エネルギー、ドーパントの発光量子効率、ドーパントの減衰時間、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）、及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）の更に詳細な評価方法は、後述する実施例を参照する。

発光層１５のホスト及びドーパントは、ドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を「同時に」「いずれも」満足することにより、有機発光素子１０は、長寿命特性を有する。
これに加えて、発光層１５のホスト及びドーパントが、上述のようなドーパントの発光スペクトルの最大発光波長のエネルギー範囲を更に満足することにより、より優れた長寿命特性を有する有機発光素子１０が具現される。

有機発光素子１０の特定駆動条件での初期輝度１００％対比で９５％の輝度になるのにかかる時間、即ち５％の寿命変化が起こるのにかかる時間を「ｔ（５％）」とし、有機発光素子１０の特定駆動条件での初期輝度１００％対比で９５％の輝度になるのに必要な速度、即ち５％の寿命変化が起きるのに必要な速度を「Ｒ（５％）」とする場合、Ｒ（５％）＝１／ｔ（５％）の関係を有する。

Ｒ（５％）は、発光層１５に含まれるドーパントで生成される励起子の発光エネルギーが高くなるほど、励起子の密度が増大するほど、そして励起子がポーラロン（ｐｏｌａｒｏｎ）と出合う拡散距離が長くなるほど増大する。

励起子、即ち発光層１５に含まれるドーパントの最大発光波長の発光エネルギーが過度に高くなると、励起子・ポーラロン消光（ｅｘｃｉｔｏｎ−ｐｏｌａｒｏｎ ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）により、ポーラロンが高エネルギーに転移し、発光層１５に含まれるホスト分子及び／又はドーパント分子内において各種化学結合を切り、発光層１５に含まれるホスト及び／又はドーパントが分解される確率が上昇する。従って、励起子、即ち発光層１５に含まれるドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー（Ｅ）とＲ（５％）との関係は、Ｒ（５％）∝ｅｘｐ［−（Ｅ_ｄ−Ｅ）／ｋＴ］として示される。ここで、Ｅ_ｄは、原子間化学結合のうちの相対的に弱い結合に該当する炭素・窒素間結合エネルギーである３．１６ｅＶであり、ｋＴはボルツマン定数である（例えば、２５℃（２９８Ｋ）において、ｋＴは２５．７ｍｅＶである）。

次に、発光量子効率（ＰＬＱＹ：ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ）（Φ）は、発光層１５に含まれるドーパントの発光能力と直接の関連性がある物性であり、発光層１５に含まれるドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）が低いと、有機発光素子１０の発光効率が低下することから、所定輝度を得るためには、有機発光素子１０を高電流下で駆動しなければならないが、それは有機発光素子１０の寿命低下の原因にもなる。従って、発光層１５において、ドーパントの発光量子効率とＲ（５％）との関係は、Ｒ（５％）∝Φ−１として示される。

一方、発光層１５において、励起子の拡散距離は、励起子、即ち発光層１５におけるドーパントの減衰時間（τ）の自乗根に比例するため、発光層１５において、ドーパントの減衰時間とＲ（５％）との関係は、Ｒ（５％）∝τ０．５として示される。

最後に、発光層１５において、励起子の密度は、発光層１５に含まれるホストとドーパントとのＨＯＭＯエネルギーレベル差（ΔＨ）によって決定される。ホストとドーパントとのＨＯＭＯエネルギーレベル差が相対的に大きくなると、発光層１５に注入された正孔が発光層１５内にトラップングされ、発光層１５の正孔輸送領域１２に隣接する領域において励起子が多量生成され、発光層１５における励起子の密度が上昇する。一方、ホストとドーパントとのＨＯＭＯエネルギーレベル差が相対的に小さくなると、発光層１５に注入された殆どの正孔が発光層１５の電子輸送領域１７に隣接する領域にたまり、発光層１５の電子輸送領域１７に隣接する領域において多量の励起子が生成され、発光層１５における励起子の密度が上昇する。従って、励起子の密度とＲ（５％）との関係は、Ｒ（５％）∝ｅｘｐ（｜ΔＨ−ΔＨ_ｏｐｔ｜／ｋＴ）として示される。ここで、ΔＨ_ｏｐｔは、励起子の密度が最小化されるＨＯＭＯエネルギーレベル差である０．１９であり、ｋＴはボルツマン定数である。

即ち、
ａ）発光層１５のドーパントが本明細書に記載された発光量子効率範囲を満足することにより、高輝度有機発光素子１０を具現するために相対的に低い電流駆動条件を選択し、
ｂ）発光層１５のドーパントが本明細書に記載された減衰時間範囲を満足することにより、発光層１５における励起子の拡散距離が低減し、
ｃ）発光層１５のホスト及びドーパントが本明細書に記載されたＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を満足することにより、発光層１５において励起子が発光層１５の正孔輸送領域１２又は電子輸送領域１７に隣接する領域に偏重して生成されなくなるため、発光層１５における励起子密度が低下するが、
発光層１５のホスト及びドーパントが本明細書に記載されたようなドーパントの発光スペクトルの最大発光波長エネルギー範囲、ドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を「同時に」「いずれも」満足することにより、有機発光素子１０は、顕著に向上した長寿命特性を有する。
これに加えて、発光層１５のドーパントが本明細書に記載された発光スペクトルの最大発光波長のエネルギー範囲を満足することにより、励起子・ポーラロン消光（ｅｘｃｉｔｏｎ−ｐｏｌａｒｏｎ ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）によってポーラロンが高エネルギーに転移し、発光層１５に含まれるホスト分子及び／又はドーパント分子の各種化学結合を切り、発光層１５に含まれるホスト及び／又はドーパントが分解される確率が低下するため、発光層１５のホスト及びドーパントが本明細書に記載された発光スペクトルの最大発光波長のエネルギー範囲を更に満足することにより、有機発光素子１０は、顕著に向上した長寿命特性を有する。

［発光層１５におけるドーパント］

発光層１５におけるドーパントは、リン光発光性化合物である。従って、有機発光素子１０は、蛍光メカニズムによって蛍光を放出する有機発光素子とは、明確に区分される。

ドーパントは、有機金属化合物である。

例えば、ドーパントは、遷移金属、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、又はＴｅを１個含む有機金属化合物である。

他の例として、ドーパントは、１周期遷移金属、２周期遷移金属、又は３周期遷移金属を１個含む有機金属化合物である。

一具現例によると、ドーパントは、イリジウム非含有有機金属化合物である。

他の具現例によると、ドーパントは、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）を含む有機金属化合物である。例えば、ドーパントは、白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）を含む有機金属化合物であるが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、ドーパントは、白金（Ｐｔ）含有有機金属化合物である。

更に他の具現例によると、発光層１５におけるドーパントは、四角平面コーディネーション（ｓｑｕａｒｅ−ｐｌａｎａｒ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ）構造を有する有機金属化合物である。

更に他の具現例によると、発光層１５におけるドーパントは、Ｔ１（ｄｏｐａｎｔ）≦Ｅｇａｐ（ｄｏｐａｎｔ）≦Ｔ１（ｄｏｐａｎｔ）＋０．５ｅＶ、例えばＴ１（ｄｏｐａｎｔ）≦Ｅｇａｐ（ｄｏｐａｎｔ）≦Ｔ１（ｄｏｐａｎｔ）＋０．３６ｅＶを満足するが、それに限定されるものではない。

Ｅｇａｐ（ｄｏｐａｎｔ）は発光層１５に含まれるドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルとの差であり、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、発光層１５に含まれるドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベルであり、本明細書において、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）測定方法を参照する。

上述のような範囲のＥｇａｐ（ｄｏｐａｎｔ）を満足することにより、発光層１５におけるドーパント、例えば四角平面コーディネーション構造を有する有機金属化合物は、三重項エネルギーレベルと隣接する一重項エネルギーレベルとのＳＯＣ（ｓｐｉｎ−ｏｒｂｉｔａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が弱いとしても、高い放射減衰率（ｒａｄｉａｔｉｖｅ ｄｅｃａｙ ｒａｔｅ）を有する。

更に他の具現例によると、ドーパントは金属Ｍ及び有機リガンドを含み、金属Ｍと有機リガンドとは１個、２個、又は３個のシクロメタル化環（ｃｙｃｌｏｍｅｔａｌｌａｔｅｄ ｒｉｎｇ）を形成する。金属Ｍは、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）である。例えば、ドーパントは１個の金属Ｍを含み、金属Ｍは、Ｐｔ、Ｐｄ、又はＡｕであるが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、ドーパントは、金属Ｍ、及び３個又は４個（例えば、３個）のシクロメタル化環を形成する四配座（ｔｅｔｒａｄｅｎｔａｔｅ）有機リガンドを含む。金属Ｍに関する説明は、本明細書に記載された箇所を参照する。四配座有機リガンドは、例えばベンズイミダゾール基及びピリジン基を含むが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、ドーパントは、金属Ｍ、及び下記化学式１−１〜１−４で表されるリガンドのうちの少なくとも１つのリガンドを含む。

上記化学式１−１〜１−４で、
Ａ_１ないしＡ_４は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基、及び非環式（ｎｏｎ−ｃｙｃｌｉｃ）基のうちから選択され、
Ｙ_１１ないしＹ_１４は、それぞれ独立して、化学結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ_９１）、Ｂ（Ｒ_９１）、Ｐ（Ｒ_９１）、又はＣ（Ｒ_９１）（Ｒ_９２）であり、
Ｔ_１ないしＴ_４は、それぞれ独立して、単一結合、二重結合、＊−Ｎ（Ｒ_９３）−＊’、＊−Ｂ（Ｒ_９３）−＊’、＊−Ｐ（Ｒ_９３）−＊’、＊−Ｃ（Ｒ_９３）（Ｒ_９４）−＊’、＊−Ｓｉ（Ｒ_９３）（Ｒ_９４）−＊’、＊−Ｇｅ（Ｒ_９３）（Ｒ_９４）−＊’、＊−Ｓ−＊’、＊−Ｓｅ−＊’、＊−Ｏ−＊’、＊−Ｃ（＝Ｏ）−＊’、＊−Ｓ（＝Ｏ）−＊’、＊−Ｓ（＝Ｏ）_２−＊’、＊−Ｃ（Ｒ_９３）＝＊’、＊＝Ｃ（Ｒ_９３）−＊’、＊−Ｃ（Ｒ_９３）＝Ｃ（Ｒ_９４）−＊’、＊−Ｃ（＝Ｓ）−＊’、及び＊−Ｃ≡Ｃ−＊’のうちから選択され、
置換されたＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基の置換基、置換されたＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基の置換基、及びＲ_９１ないしＲ_９４は、それぞれ独立して、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＳＦ_５、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基（ｎｏｎ−ａｒｏｍａｔｉｃ ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ ｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ）、置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基（ｎｏｎ−ａｒｏｍａｔｉｃ ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ ｈｅｔｅｒｏｐｏｌｙｃｙｃｌｉｃ ｇｒｏｕｐ）、−Ｎ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、−Ｓｉ（Ｑ_３）（Ｑ_４）（Ｑ_５）、−Ｂ（Ｑ_６）（Ｑ_７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_８）（Ｑ_９）のうちから選択されるが、置換されたＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基の置換基、及び置換されたＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基の置換基は、水素ではなく、
＊_１、＊_２、＊_３及び＊_４は、それぞれドーパントの金属Ｍとの結合サイトである。

例えば、上記化学式１−１〜１−４で、Ａ_１ないしＡ_４は、それぞれ独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＳＦ_５、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｎ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、−Ｓｉ（Ｑ_３）（Ｑ_４）（Ｑ_５）、−Ｂ（Ｑ_６）（Ｑ_７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_８）（Ｑ_９）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、ベンゼン基、ナフタレン基、アントラセン基、フェナントレン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、シクロペンタジエン基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン基、チオフェン基、フラン基、インドール基、ベンゾボロール基、ベンゾホスホール基、インデン基、ベンゾシロール基、ベンゾゲルモール基、ベンゾチオフェン基、ベンゾセレノフェン基、ベンゾフラン基、カルバゾール基、ジベンゾボロール基、ジベンゾホスホール基、フルオレン基、ジベンゾシロール基、ジベンゾゲルモール基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾセレノフェン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン５−オキシド基、９Ｈ−フルオレン−９−オン基、ジベンゾチオフェン５，５−ジオキシド基、アザインドール基、アザベンゾボロール基、アザベンゾホスホール基、アザインデン基、アザベンゾシロール基、アザベンゾゲルモール基、アザベンゾチオフェン基、アザベンゾセレノフェン基、アザベンゾフラン基、アザカルバゾール基、アザジベンゾボロール基、アザジベンゾホスホール基、アザフルオレン基、アザジベンゾシロール基、アザジベンゾゲルモール基、アザジベンゾチオフェン基、アザジベンゾセレノフェン基、アザジベンゾフラン基、アザジベンゾチオフェン５−オキシド基、アザ−９Ｈ−フルオレン−９−オン基、アザジベンゾチオフェン５，５−ジオキシド基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、トリアジン基、キノリン基、イソキノリン基、キノキサリン基、キナゾリン基、フェナントロリン基、ピロール基、ピラゾール基、イミダゾール基、トリアゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサジアゾール基、チアジアゾール基、ベンゾピラゾール基、ベンゾイミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサジアゾール基、ベンゾチアジアゾール基、５，６，７，８−テトラヒドロイソキノリン基、及び５，６，７，８−テトラヒドロキノリン基のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。ここで、Ａ_１ないしＡ_４の置換基に関する詳細な説明は、下記化学式１Ａにおいて、Ｒ_１に関する説明を参照する。

例えば、ドーパントは、化学式１−３で表されるリガンドを含み、化学式１−３のＡ１ないしＡ４において、任意の２個は、それぞれ置換若しくは非置換のベンズイミダゾール基、及び置換若しくは非置換のピリジン基であるが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、ドーパントは、下記化学式１Ａで表される有機金属化合物である。

上記化学式１Ａで、
Ｍは、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、又は金（Ａｕ）であり、
Ｘ_１は、Ｏ又はＳであり、Ｘ_１とＭとの結合は、共有結合であり、
Ｘ_２ないしＸ_４は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり、
Ｘ_２とＭとの結合、Ｘ_３とＭとの結合、及びＸ_４とＭとの結合のうちの１個の結合は、共有結合であり、残りの２個の結合は、配位結合であり、
Ｙ_１、及びＹ_３ないしＹ_５は、それぞれ独立して、Ｃ又はＮであり、
Ｘ_２とＹ_３との結合、Ｘ_２とＹ_４との結合、Ｙ_４とＹ_５との結合、Ｙ_５とＸ_５１との結合、及びＸ_５１とＹ_３との結合は、化学結合であり、
ＣＹ_１ないしＣＹ_５は、それぞれ独立して、Ｃ_５−Ｃ_３０炭素環式基及びＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基のうちから選択され、ＣＹ_４は、ベンズイミダゾールではなく、
ＣＹ_５、ＣＹ_２、ＣＹ_３、及びＭによって形成されたシクロメタル化環は、６員環であり、
Ｘ_５１は、Ｏ、Ｓ、Ｎ−［（Ｌ_７）_ｂ７−（Ｒ_７）_ｃ７］、Ｃ（Ｒ_７）（Ｒ_８）、Ｓｉ（Ｒ_７）（Ｒ_８）、Ｇｅ（Ｒ_７）（Ｒ_８）、Ｃ（＝Ｏ）、Ｎ、Ｃ（Ｒ_７）、Ｓｉ（Ｒ_７）、及びＧｅ（Ｒ_７）のうちから選択され、
Ｒ_７及びＲ_８は、選択的に、第１連結基を介して互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
Ｌ_１ないしＬ_４、及びＬ_７は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、及び置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基のうちから選択され、
ｂ１ないしｂ４、及びｂ７は、それぞれ独立して、０〜５の整数のうちから選択され、
Ｒ_１ないしＲ_４、Ｒ_７、及びＲ_８は、それぞれ独立して、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＳＦ_５、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｎ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、−Ｓｉ（Ｑ_３）（Ｑ_４）（Ｑ_５）、−Ｂ（Ｑ_６）（Ｑ_７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_８）（Ｑ_９）のうちから選択され、
ｃ１ないしｃ４は、それぞれ独立して、１〜５の整数のうちから選択され、
ａ１ないしａ４は、それぞれ独立して、０、１、２、３、４、又は５であり、
互いに隣接する複数のＲ_１のうちの２以上は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
互いに隣接する複数のＲ_２のうちの２以上は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
互いに隣接する複数のＲ_３のうちの２以上は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
互いに隣接する複数のＲ_４のうちの２以上は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
Ｒ_１ないしＲ_４のうちの隣接する２以上は、選択的に、それぞれ結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成する。

上記化学式１−１〜１−４、及び１Ａで、Ｃ_５−Ｃ_３０炭素環式基、Ｃ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基、及びＣＹ_１ないしＣＹ_４は、それぞれ独立して、ａ）第１環、ｂ）２以上の第１環がそれぞれ縮合された縮合環、或いはｃ）１以上の第１環、及び１以上の第２環が互いに縮合された縮合環のうちから選択され、第１環は、シクロヘキサン基、シクロヘキセン基、アダマンタン基、ノルボルナン基、ノルボルネン基、ベンゼン基、ピリジン基、ピリミジン基、ピラジン基、ピリダジン基、及びトリアジン基のうちから選択され、第２環は、シクロペンタン基、シクロペンテン基、シクロペンタジエン基、フラン基、チオフェン基、シロール基、ピロール基、ピラゾール基、イミダゾール基、トリアゾール基、オキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサジアゾール基、及びチアジアゾール基のうちから選択される。

上記化学式１−１〜１−４で、非環式基は、＊−Ｃ（＝Ｏ）−＊’、＊−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−＊’、＊−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−＊’、＊−Ｏ−Ｃ（＝Ｓ）−＊’、＊−Ｓ−Ｃ（＝Ｓ）−＊’などであるが、それらに限定されるものではない。

上記化学式１−１〜１−４、及び１Ａで、置換されたＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基の置換基、置換されたＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基の置換基、及びＲ_９１ないしＲ_９４、Ｒ_１ないしＲ_４、Ｒ_７、及びＲ_８は、それぞれ独立して、
水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、−ＳＦ_５、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、及びＣ_１−Ｃ_２０アルコキシ基；
重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボルナニル基、ノルボルネニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、フェニル基、ナフチル基、ピリジニル基、及びピリミジニル基のうちの少なくとも一つで置換された、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基及びＣ_１−Ｃ_２０アルコキシ基；
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボルナニル基、ノルボルネニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、カルバゾリル基、フェナントロリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾシロリル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、イミダゾピリジニル基、及びイミダゾピリミジニル基；
重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボルナニル基、ノルボルネニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、カルバゾリル基、フェナントロリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾシロリル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基、及び−Ｓｉ（Ｑ_３３）（Ｑ_３４）（Ｑ_３５）のうちから選択される少なくとも一つで置換された、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンタニル基、ノルボルナニル基、ノルボルネニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ピロリル基、チオフェニル基、フラニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、イソインドリル基、インドリル基、インダゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、カルバゾリル基、フェナントロリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、オキサジアゾリル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾシロリル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、イミダゾピリジニル基、及びイミダゾピリミジニル基；
−Ｎ（Ｑ_１）（Ｑ_２）、−Ｓｉ（Ｑ_３）（Ｑ_４）（Ｑ_５）、−Ｂ（Ｑ_６）（Ｑ_７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_８）（Ｑ_９）；のうちから選択され、
Ｑ_１ないしＱ_９、及びＱ_３３ないしＱ_３５は、それぞれ独立して、
−ＣＨ_３、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＨ_２ＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＤ_３、−ＣＨ_２ＣＤ_２Ｈ、−ＣＨ_２ＣＤＨ_２、−ＣＨＤＣＨ_３、−ＣＨＤＣＤ_２Ｈ、−ＣＨＤＣＤＨ_２、−ＣＨＤＣＤ_３、−ＣＤ_２ＣＤ_３、−ＣＤ_２ＣＤ_２Ｈ、及び−ＣＤ_２ＣＤＨ_２；
ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、フェニル基、及びナフチル基；並びに
重水素、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基及びフェニル基のうちから選択される少なくとも一つで置換された、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、フェニル基、及びナフチル基；のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

他の具現例によると、Ｘ_５１は、Ｎ−［（Ｌ_７）_ｂ７−（Ｒ_７）_ｃ７］であるが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、ドーパントは、化学式１Ａで表される有機金属化合物であるが、化学式１Ａで、
Ｘ_２及びＸ_３は、互いに独立して、Ｃ又はＮであり、
Ｘ_４は、Ｎであり、
ｉ）Ｍは、Ｐｔであり、ｉｉ）Ｘ_１がＯであり、ｉｉｉ）Ｘ_２及びＸ_４は、Ｎであり、Ｘ_３は、Ｃであり、Ｘ_２とＭとの結合、及びＸ_４とＭとの結合は、配位結合であり、Ｘ_３とＭとの結合は、共有結合であり、ｉｖ）Ｙ_１ないしＹ_５は、Ｃであり、ｖ）Ｙ_５とＸ_５１との結合、及びＹ_３とＸ_５１との結合は、単一結合であり、ｖｉ）ＣＹ_１、ＣＹ_２、及びＣＹ_３がベンゼン基であり、ＣＹ_４がピリジン基であり、ｖｉｉ）Ｘ_５１がＯ、Ｓ、又はＮ−［（Ｌ_７）_ｂ７−（Ｒ_７）_ｃ７］であり、ｖｉｉｉ）ｂ７は、０であり、ｃ７は、１であり、Ｒ_７が置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルキル基である場合、ａ１ないしａ４は、それぞれ独立して、１、２、３、４、又は５であり、Ｒ_１ないしＲ_４のうちの少なくとも一つは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。

更に他の具現例によると、ドーパントは、下記化学式１Ａ−１で表される。

上記化学式１Ａ−１で、
Ｍ、Ｘ_１ないしＸ_３、及びＸ_５１に関する説明は、それぞれ本明細書に記載された箇所と同一であり、
Ｘ_１１は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_１１）_ｂ１１−（Ｒ_１１）_ｃ１１］であり、Ｘ_１２は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_１２）_ｂ１２−（Ｒ_１２）_ｃ１２］であり、Ｘ_１３は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_１３）_ｂ１３−（Ｒ_１３）_ｃ１３］であり、Ｘ_１４は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_１４）_ｂ１４−（Ｒ_１４）_ｃ１４］であり、
Ｌ_１１ないしＬ_１４、ｂ１１ないしｂ１４、Ｒ_１１ないしＲ_１４、及びｃ１１ないしｃ１４に関する説明は、それぞれ本明細書におけるＬ_１、ｂ１、Ｒ_１、及びｃ１に関する説明を参照し、
Ｘ_２１は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_２１）_ｂ２１−（Ｒ_２１）_ｃ２１］であり、Ｘ_２２は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_２２）_ｂ２２−（Ｒ_２２）_ｃ２２］であり、Ｘ_２３は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_２３）_ｂ２３−（Ｒ_２３）_ｃ２３］であり、
Ｌ_２１ないしＬ_２３、ｂ２１ないしｂ２３、Ｒ_２１ないしＲ_２３、及びｃ２１ないしｃ２３に関する説明は、それぞれ本明細書におけるＬ_２、ｂ２、Ｒ_２、及びｃ２に関する説明を参照し、
Ｘ_３１は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_３１）_ｂ３１−（Ｒ_３１）_ｃ３１］であり、Ｘ_３２は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_３２）_ｂ３２−（Ｒ_３２）_ｃ３２］であり、Ｘ_３３は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_３３）_ｂ３３−（Ｒ_３３）_ｃ３３］であり、
Ｌ_３１ないしＬ_３３、ｂ３１ないしｂ３３、Ｒ_３１ないしＲ_３３、及びｃ３１ないしｃ３３に関する説明は、それぞれ本明細書におけるＬ_３、ｂ３、Ｒ_３、及びｃ３に関する説明を参照し、
Ｘ_４１は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_４１）_ｂ４１−（Ｒ_４１）_ｃ４１］であり、Ｘ_４２は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_４２）_ｂ４２−（Ｒ_４２）_ｃ４２］であり、Ｘ_４３は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_４３）_ｂ４３−（Ｒ_４３）_ｃ４３］であり、Ｘ_４４は、Ｎ又はＣ−［（Ｌ_４４）_ｂ４４−（Ｒ_４４）_ｃ４４］であり、
Ｌ_４１ないしＬ_４４、ｂ４１ないしｂ４４、Ｒ_４１ないしＲ_４４、及びｃ４１ないしｃ４４に関する説明は、それぞれ本明細書におけるＬ_４、ｂ４、Ｒ_４、及びｃ４に関する説明を参照し、
Ｒ_１１ないしＲ_１４のうちの２個は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
Ｒ_２１ないしＲ_２３のうちの２個は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
Ｒ_３１ないしＲ_３３のうちの２個は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成し、
Ｒ_４１ないしＲ_４４のうちの２個は、選択的に、互いに結合され、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基を形成する。

例えば、ドーパントは、下記化合物１−１〜１−９１、化合物２−１〜２−４７、及び化合物３−１〜３−５８２のうちの一つであるが、それらに限定されるものではない。

［発光層１５におけるホスト］

発光層１５において、ホストは、本明細書に記載されたようなＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）を満足する任意のホストのうちから選択される。

発光層１５において、ホストの含量は、発光層１５におけるドーパントの含量よりも多い。

一具現例によると、ホストは、１種のホストからなる（ｃｏｎｓｉｓｔ ｏｆ）。ホストが１種のホストからなる場合、１種のホストは、後述する電子輸送性ホスト及び正孔輸送性ホストのうちから選択される。

他の具現例によると、ホストは、２種以上の異なるホストの混合物である。例えば、ホストは、電子輸送性ホスト及び正孔輸送性ホストの混合物、異なる２種の電子輸送性ホストの混合物、又は異なる２種の正孔輸送性ホストの混合物である。電子輸送性ホスト及び正孔輸送性ホストに関する説明は、後述する箇所を参照する。

電子輸送性ホストは電子輸送性モイエティを少なくとも一つ含み、正孔輸送性ホストは電子輸送性モイエティを含まない。

本明細書において、電子輸送性モイエティは、シアノ基、π電子欠乏性含窒素環式基、及び下記化学式のうちの一つで表される基のうちから選択される。

上記化学式で、＊、＊’、及び＊”は、それぞれ隣接する任意の原子との結合サイトである。

一具現例によると、発光層１５において、電子輸送性ホストは、シアノ基及びπ電子欠乏性含窒素環式基のうちの少なくとも一つを含む。

他の具現例によると、発光層１５において、電子輸送性ホストは、少なくとも１つのシアノ基を含む。

更に他の具現例によると、発光層１５において、電子輸送性ホストは、少なくとも１つのシアノ基、及び少なくとも１つのπ電子欠乏性含窒素環式基を含む。

更に他の具現例によると、発光層１５において、電子輸送性ホストは、２．５ｅＶ以上の最低陰イオン分解エネルギーを有する。電子輸送性ホストが上述のような範囲の最低陰イオン分解エネルギーを有することにより、電荷及び／又は励起子による電子輸送性ホストの分解が実質的に防止される。最低陰イオン分解エネルギーは、下記数式１によって測定される。

［数１］
Ｅ_{最低陰イオン分解エネルギー}＝Ｅ_{［Ａ−Ｂ］−}−［Ｅ_Ａ ⁻＋Ｅ_Ｂ ^．（又は、Ｅ_Ａ ^．＋Ｅ_Ｂ ⁻）］

１．密度関数理論（ＤＦＴ：ｄｅｎｓｉｔｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｔｈｅｏｒｙ）又は純理論的（ａｂ−ｉｎｉｔｉｏ）方法を使用して、中性分子の基底状態の量子計算を行う。
２．中性分子構造を基に、ｅｘｃｅｓｓ ｅｌｅｃｔｒｏｎ条件下で、陰イオン状態の量子計算（Ｅ_{［Ａ−Ｂ］−}）を行う。
３．陰イオン状態の最も安定した構造（［Ａ−Ｂ］⁻の全域最小点）を基に、［Ａ−Ｂ］⁻（Ａ^ｘ＋Ｂ^ｙに分解される過程の量子計算（［Ｅ_Ａ−＋Ｅ_Ｂ．（又は、Ｅ_Ａ．＋Ｅ_Ｂ−）］）を行う。

このとき、分解形態は、ｉ）Ａ⁻＋Ｂ^．又はｉｉ）Ａ^．＋Ｂ⁻の２種の場合であり、２つの場合のうちのより小さい値を有する分解形態を選択する。

更に他の具現例によると、電子輸送性ホストは、少なくとも１つのπ電子欠乏性窒素非含有環式基、及び少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含み、正孔輸送性ホストは、少なくとも１つのπ電子欠乏性窒素非含有環式基を含み、電子輸送性モイエティを含まない。ここで、電子輸送性モイエティは、シアノ基又はπ電子欠乏性含窒素環式基である。

本明細書において、「π電子欠乏性含窒素環式基」とは、少なくとも１つの＊−Ｎ＝＊’モイエティを有する環式基を含む基であり、例えば、イミダゾール基、ピラゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサゾール基、イソキサゾール基、ピリジン基、ピラジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、インダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、ベンゾイソキノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、キノキサリン基、ベンゾキノキサリン基、キナゾリン基、シンノリン基、フェナントリジン基、アクリジン基、フェナントロリン基、フェナジン基、ベンゾイミダゾール基、イソベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、イソベンゾオキサゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサジアゾール基、トリアジン基、チアジアゾール基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、アザカルバゾール基、又は上記基のうちの少なくとも一つと任意環式基とが互いに縮合された縮合環基（例えば、トリアゾール基とナフタレン基とが互いに縮合された縮合環基）などが挙げられる。

一方、π電子欠乏性窒素非含有環式基は、ベンゼン基、ヘプタレン基、インデン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、ピロール基、イソインドール基、インドール基、フラン基、チオフェン基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェンスルホン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、ベンゾシロールロカルバゾール基、又はトリインドロベンゼン基のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

更に他の具現例によると、電子輸送性ホストは化学式Ｅ−１で表される化合物のうちから選択され、正孔輸送性ホストは下記化学式Ｈ−１で表される化合物のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

［化Ｅ−１］
［Ａｒ_３０１］_ｘｂ１１−［（Ｌ_３０１）_ｘｂ１−Ｒ_３０１］_ｘｂ２１

上記化学式Ｅ−１で、
Ａｒ_３０１は、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_６０炭素環式基、及び置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロ環式基のうちから選択され、
ｘｂ１１は、１、２、又は３であり、
Ｌ_３０１は、それぞれ独立して、単一結合、下記化学式のうちの一つで表される基、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_６０炭素環式基、及び置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロ環式基のうちから選択され、下記化学式で、＊、＊’及び＊”は、それぞれ隣接する任意の原子との結合サイトであり、

ｘｂ１は、１〜５の整数のうちから選択され、
Ｒ_３０１は、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_２−Ｃ_６０アルキニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｓｉ（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）（Ｑ_３０３）、−Ｎ（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）、−Ｂ（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３０１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３０１）、−Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ_３０１）、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）、及び−Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）のうちから選択され、
ｘｂ２１は、１〜５の整数のうちから選択され、
Ｑ_３０１ないしＱ_３０３は、それぞれ独立して、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びナフチル基のうちから選択され、
下記＜条件１＞〜＜条件３＞のうちの少なくとも一つを満足する。

＜条件１＞

上記化学式Ｅ−１のＡｒ_３０１、Ｌ_３０１、及びＲ_３０１のうちの少なくとも一つが、それぞれ独立して、π電子欠乏性含窒素環式基を含むこと。

＜条件２＞

上記化学式Ｅ−１のＬ３０１のうちの少なくとも一つが、下記化学式のうちの一つで表される基であること。

＜条件３＞
上記化学式Ｅ−１のＲ_３０１のうちの少なくとも一つが、シアノ基、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３０１）、−Ｓ（＝Ｏ）（Ｑ_３０１）、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）、及び−Ｐ（＝Ｓ）（Ｑ_３０１）（Ｑ_３０２）のうちから選択されること。

［化Ｈ−１］
Ａｒ_４０１−（Ｌ_４０１）_ｘｄ１−（Ａｒ_４０２）_ｘｄ１１

上記化学式Ｈ−１、化学式１１及び１２で、
Ｌ_４０１は、
単一結合；並びに
重水素、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラフェニル基、及び−Ｓｉ（Ｑ_４０１）（Ｑ_４０２）（Ｑ_４０３）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、π電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、ベンゼン基、ヘプタレン基、インデン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、ピロール基、イソインドール基、インドール基、フラン基、チオフェン基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェンスルホン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、及びトリインドロベンゼン基）；のうちから選択され、
ｘｄ１は、１〜１０の整数のうちから選択され、ｘｄ１が２以上である場合、２以上のＬ_４０１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、
Ａｒ_４０１は、上記化学式１１及び１２で表される基のうちから選択され、
Ａｒ_４０２は、
上記化学式１１及び１２で表される基、及びπ電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基）；並びに
重水素、ヒドロキシル基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基のうちから選択される少なくとも一つで置換された、π電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基）；のうちから選択され、
ＣＹ_４０１及びＣＹ_４０２は、互いに独立して、π電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、ベンゼン基、ナフタレン基、フルオレン基、カルバゾール基、ベンゾカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾシロール基、ベンゾナフトフラン基、ベンゾナフトチオフェン基、ベンゾナフトシロール基）のうちから選択され、
Ａ_２１は、単一結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ_５１）、Ｃ（Ｒ_５１）（Ｒ_５２）、及びＳｉ（Ｒ_５１）（Ｒ_５２）のうちから選択され、
Ａ_２２は、単一結合、Ｏ、Ｓ、Ｎ（Ｒ_５３）、Ｃ（Ｒ_５３）（Ｒ_５４）、及びＳｉ（Ｒ_５３）（Ｒ_５４）のうちから選択され、
化学式１２のＡ_２１及びＡ_２２のうちの少なくとも一つは単一結合ではなく、
Ｒ_５１ないしＲ_５４、Ｒ_６０、及びＲ_７０はそれぞれ独立して、
水素、重水素、ヒドロキシル基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、及びＣ_１−Ｃ_２０アルコキシ基；
重水素、ヒドロキシル基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基のうちから選択される少なくとも一つで置換された、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基及びＣ_１−Ｃ_２０アルコキシ基；
π電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基）；
重水素、ヒドロキシル基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、及びビフェニル基のうちから選択される少なくとも一つで置換された、π電子欠乏性窒素非含有環式基（例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基）；並びに
−Ｓｉ（Ｑ_４０４）（Ｑ_４０５）（Ｑ_４０６）；のうちから選択され、
ｅ１及びｅ２は、互いに独立して、０〜１０のうちから選択される整数であり、
Ｑ_４０１ないしＱ_４０６は、それぞれ独立して、水素、重水素、ヒドロキシル基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基のうちから選択され、
＊は、隣接する原子との結合サイトである。

一具現例によると、化学式Ｅ−１で、Ａｒ_３０１及びＬ_４０１は、互いに独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、シアノ含有ナフチル基、ピリジニル基、フェニルピリジニル基、ジフェニルピリジニル基、ビフェニルピリジニル基、ジ（ビフェニル）ピリジニル基、ピラジニル基、フェニルピラジニル基、ジフェニルピラジニル基、ビフェニルピラジニル基、ジ（ビフェニル）ピラジニル基、ピリダジニル基、フェニルピリダジニル基、ジフェニルピリダジニル基、ビフェニルピリダジニル基、ジ（ビフェニル）ピリダジニル基、ピリミジニル基、フェニルピリミジニル基、ジフェニルピリミジニル基、ビフェニルピリミジニル基、ジ（ビフェニル）ピリミジニル基、トリアジニル基、フェニルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、ビフェニルトリアジニル基、ジ（ビフェニル）トリアジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、ベンゼン基、ナフタレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタフェン基、インデノアントラセン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、イミダゾール基、ピラゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサゾール基、イソキサゾール基、ピリジン基、ピラジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、インダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、キノキサリン基、キナゾリン基、シンノリン基、フェナントリジン基、アクリジン基、フェナントロリン基、フェナジン基、ベンゾイミダゾール基、イソベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、イソベンゾオキサゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサジアゾール基、トリアジン基、チアジアゾール基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、及びアザカルバゾール基のうちから選択され、
ｘｂ１個のＬ_３０１のうちの少なくとも一つは、それぞれ独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、シアノ含有ナフチル基、ピリジニル基、フェニルピリジニル基、ジフェニルピリジニル基、ビフェニルピリジニル基、ジ（ビフェニル）ピリジニル基、ピラジニル基、フェニルピラジニル基、ジフェニルピラジニル基、ビフェニルピラジニル基、ジ（ビフェニル）ピラジニル基、ピリダジニル基、フェニルピリダジニル基、ジフェニルピリダジニル基、ビフェニルピリダジニル基、ジ（ビフェニル）ピリダジニル基、ピリミジニル基、フェニルピリミジニル基、ジフェニルピリミジニル基、ビフェニルピリミジニル基、ジ（ビフェニル）ピリミジニル基、トリアジニル基、フェニルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、ビフェニルトリアジニル基、ジ（ビフェニル）トリアジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、イミダゾール基、ピラゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサゾール基、イソキサゾール基、ピリジン基、ピラジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、インダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、キノキサリン基、キナゾリン基、シンノリン基、フェナントリジン基、アクリジン基、フェナントロリン基、フェナジン基、ベンゾイミダゾール基、イソベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、イソベンゾオキサゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサジアゾール基、トリアジン基、チアジアゾール基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、及びアザカルバゾール基のうちから選択され、
Ｒ_３０１は、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラフェニル基、ナフチル基、シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、シアノ含有テトラフェニル基、シアノ含有ナフチル基、ピリジニル基、フェニルピリジニル基、ジフェニルピリジニル基、ビフェニルピリジニル基、ジ（ビフェニル）ピリジニル基、ピラジニル基、フェニルピラジニル基、ジフェニルピラジニル基、ビフェニルピラジニル基、ジ（ビフェニル）ピラジニル基、ピリダジニル基、フェニルピリダジニル基、ジフェニルピリダジニル基、ビフェニルピリダジニル基、ジ（ビフェニル）ピリダジニル基、ピリミジニル基、フェニルピリミジニル基、ジフェニルピリミジニル基、ビフェニルピリミジニル基、ジ（ビフェニル）ピリミジニル基、トリアジニル基、フェニルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、ビフェニルトリアジニル基、ジ（ビフェニル）トリアジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択され、
Ｑ_３１ないしＱ_３３は、それぞれ独立して、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びナフチル基のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

他の具現例によると、
Ａｒ_３０１は、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、シアノ含有ナフチル基、ピリジニル基、フェニルピリジニル基、ジフェニルピリジニル基、ビフェニルピリジニル基、ジ（ビフェニル）ピリジニル基、ピラジニル基、フェニルピラジニル基、ジフェニルピラジニル基、ビフェニルピラジニル基、ジ（ビフェニル）ピラジニル基、ピリダジニル基、フェニルピリダジニル基、ジフェニルピリダジニル基、ビフェニルピリダジニル基、ジ（ビフェニル）ピリダジニル基、ピリミジニル基、フェニルピリミジニル基、ジフェニルピリミジニル基、ビフェニルピリミジニル基、ジ（ビフェニル）ピリミジニル基、トリアジニル基、フェニルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、ビフェニルトリアジニル基、ジ（ビフェニル）トリアジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、ベンゼン基、ナフタレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタフェン基、インデノアントラセン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基；及び
下記化学式５−１〜５−３、及び化学式６−１〜６−３３で表される基；のうちから選択され、
Ｌ_３０１は、下記化学式５−１〜５−３、及び化学式６−１〜６−３３で表される基のうちから選択される。

上記化学式５−１〜５−３、及び化学式６−１〜６−３３で、
Ｚ_１は、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、シアノ含有ナフチル基、ピリジニル基、フェニルピリジニル基、ジフェニルピリジニル基、ビフェニルピリジニル基、ジ（ビフェニル）ピリジニル基、ピラジニル基、フェニルピラジニル基、ジフェニルピラジニル基、ビフェニルピラジニル基、ジ（ビフェニル）ピラジニル基、ピリダジニル基、フェニルピリダジニル基、ジフェニルピリダジニル基、ビフェニルピリダジニル基、ジ（ビフェニル）ピリダジニル基、ピリミジニル基、フェニルピリミジニル基、ジフェニルピリミジニル基、ビフェニルピリミジニル基、ジ（ビフェニル）ピリミジニル基、トリアジニル基、フェニルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、ビフェニルトリアジニル基、ジ（ビフェニル）トリアジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｂ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択され、
ｄ４は、０、１、２、３、又は４であり、
ｄ３は、０、１、２、又は３であり、
ｄ２は、０、１、又は２であり、
＊及び＊’は、それぞれ隣接する原子との結合サイトである。

Ｑ_３１ないしＱ_３３に関する説明は、本明細書に記載された箇所を参照する。

更に他の具現例によると、Ｌ_３０１は、上記化学式５−２、５−３、及び化学式６−８〜６−３３で表される基のうちから選択される。

更に他の具現例によると、Ｒ_３０１は、シアノ基、及び下記化学式７−１〜７−１８で表される基のうちから選択され、ｘｄ１１個のＡｒ_４０２のうちの少なくとも一つは、下記化学式７−１〜７−１８で表される基のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

上記化学式７−１〜７−１８で、
ｘｂ４１ないしｘｂ４４は、０、１、又は２であるが、化学式７−１０で、ｘｂ４１は、０ではなく、化学式７−１１〜７−１３で、ｘｂ４１＋ｘｂ４２は、０ではなく、化学式７−１４〜７−１６で、ｘｂ４１＋ｘｂ４２＋ｘｂ４３は、０ではなく、化学式７−１７及び７−１８で、ｘｂ４１＋ｘｂ４２＋ｘｂ４３＋ｘｂ４４は、０ではなく、＊は、隣接する原子との結合サイトである。

上記化学式Ｅ−１で、２以上のＡｒ_３０１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、２以上のＬ_３０１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、上記化学式Ｈ−１で、２以上のＬ_４０１は、それぞれ同一であっても異なっていてもよく、２以上のＡｒ_４０２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

一具現例によると、電子輸送性ホストは、ｉ）シアノ基、ピリミジン基、ピラジン基、及びトリアジン基のうちの少なくとも一つ、及びｉｉ）トリフェニレン基を含み、正孔輸送性ホストは、カルバゾール基を含む。

他の具現例によると、電子輸送性ホストは、少なくとも１つのシアノ基を含む。

電子輸送性ホストは、例えば下記化合物のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

更に他の例として、正孔輸送性ホストは、下記化合物Ｈ−Ｈ１〜Ｈ−Ｈ１０３のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

ホストが、電子輸送性ホストと正孔輸送性ホストとの混合物である場合、電子輸送性ホストと正孔輸送性ホストとの重量比は、１：９〜９：１、例えば２：８〜８：２、他の例として４：６〜６：４の範囲のうちから選択される。電子輸送性ホストと正孔輸送性ホストとの重量比が上述のような範囲を満足する場合、発光層１５内への正孔輸送及び電子輸送の均衡が達成される。

一具現例によると、電子輸送性ホストは、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎｅ、Ｂ３ＰＹＭＰＭ、３Ｐ−Ｔ２Ｔ、ＢｍＰｙＰｂ、ＴＰＢｉ、３ＴＰＹＭＢ、及びＢＳＦＭではない。

他の具現例によると、正孔輸送性ホストは、ｍＣＰ、ＣＢＰ、及びアミン含有化合物ではない。

［正孔輸送領域１２］

有機発光素子１０で、第１電極１１と発光層１５との間には、正孔輸送領域１２が配置される。

正孔輸送領域１２は、単層構造又は多層構造を有する。

例えば、正孔輸送領域１２は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／第１正孔輸送層／第２正孔輸送層、正孔輸送層／中間層、正孔注入層／正孔輸送層／中間層、正孔輸送層／電子阻止層、又は正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層の構造を有するが、それらに限定されるものではない。

正孔輸送領域１２は、正孔輸送特性を有する任意の化合物を含む。

例えば、正孔輸送領域１２は、アミン系化合物を含む。

一具現例によると、正孔輸送領域１２は、下記化学式２０１で表される化合物〜下記化学式２０５で表される化合物のうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。

上記化学式２０１〜２０５で、
Ｌ_２０１ないしＬ_２０９は、それぞれ独立して、＊−Ｏ−＊’、＊−Ｓ−＊’、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_６０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロ環式基であり、
ｘａ１ないしｘａ９は、それぞれ独立して、０〜５の整数のうちから選択され、
Ｒ_２０１ないしＲ_２０６は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択され、Ｒ_２０１ないしＲ_２０６において、隣接する２個の基は、選択的に、単一結合、ジメチル−メチレン基、又はジフェニル−メチレン基を介して互いに連結される。

例えば、
Ｌ_２０１ないしＬ_２０９は、重水素、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、トリフェニレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、テトラフェニル基及び−Ｓｉ（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）（Ｑ_１３）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、ベンゼン基、ヘプタレン基、インデン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、ピロール基、イソインドール基、インドール基、フラン基、チオフェン基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェンスルホン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、及びトリインドロベンゼン基のうちから選択され、
ｘａ１ないしｘａ９は、それぞれ独立して、０、１、又は２であり、
Ｒ_２０１ないしＲ_２０６は、それぞれ独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、−Ｆで置換されたフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ−ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、及び−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、インダセニル基、アセナフチル基、フルオレニル基、スピロ−ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、ルビセニル基、コロネニル基、オバレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、インデノカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、ベンゾフロカルバゾリル基、及びベンゾチエノカルバゾリル基のうちから選択される。

一具現例によると、正孔輸送領域１２は、カルバゾール含有アミン系化合物を含む。

他の具現例によると、正孔輸送領域１２は、カルバゾール含有アミン系化合物及びカルバゾール非含有アミン系化合物を含む。

カルバゾール含有アミン系化合物は、例えばカルバゾール基を含み、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、及びベンゾチエノカルバゾール基のうちの少なくとも一つを更に含む、化学式２０１で表される化合物のうちから選択される。

カルバゾール非含有アミン系化合物は、例えばカルバゾール基を含まず、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、及びベンゾチエノカルバゾール基のうちの少なくとも一つを含む、上記化学式２０１で表される化合物のうちから選択される。

更に他の具現例によると、正孔輸送領域１２は、上記化学式２０１又は２０２で表される化合物のうちから選択される少なくとも一つを含む。

一具現例によると、正孔輸送領域１２は、下記化学式２０１−１、２０２−１、及び２０１−２で表される化合物のうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。

上記化学式２０１−１、２０２−１、及び２０１−２で、Ｌ_２０１ないしＬ_２０３、Ｌ_２０５、ｘａ１ないしｘａ３、ｘａ５、Ｒ_２０１、及びＲ_２０２に関する説明は、それぞれ本明細書に記載された箇所を参照し、Ｒ_２１１ないしＲ_２１３は、それぞれ独立して、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基で置換されたフェニル基、−Ｆで置換されたフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ−ビフルオレニル基、ジメチルフルオレニル基、ジフェニルフルオレニル基、トリフェニレニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、及びピリジニル基のうちから選択される。

例えば、正孔輸送領域１２は、下記化合物ＨＴ１〜ＨＴ３９のうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。

一方、有機発光素子１０の正孔輸送領域１２は、ｐ−ドーパントを更に含む。正孔輸送領域１２がｐ−ドーパントを更に含む場合、正孔輸送領域１２は、マトリックス（例えば、上記化学式２０１〜２０５で表される化合物のうちの少なくとも一つ）、及びマトリックスに含まれるｐ−ドーパントを含む構造を有する。ｐ−ドーパントは、正孔輸送領域１２に、均一又は不均一にドーピングされる。

一具現例によると、ｐ−ドーパントのＬＵＭＯ（ｌｏｗｅｓｔ ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギーレベルは、−３．５ｅＶ以下である。

ｐ−ドーパントは、キノン誘導体、金属酸化物、及びシアノ基含有化合物のうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。

例えば、ｐ−ドーパントは、
テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、Ｆ６−ＴＣＮＮＱのようなキノン誘導体；
タングステン酸化物及びモリブデン酸化物のような金属酸化物；
１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）；及び
下記化学式２２１で表される化合物；のうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。

化学式２２１で、
Ｒ_２２１ないしＲ_２２３は、それぞれ独立して、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、及び置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択されるが、Ｒ_２２１ないしＲ_２２３のうち少なくとも一つは、シアノ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−Ｆで置換されたＣ_１−Ｃ_２０アルキル基、−Ｃｌで置換されたＣ_１−Ｃ_２０アルキル基、−Ｂｒで置換されたＣ_１−Ｃ_２０アルキル基、及び−Ｉで置換されたＣ_１−Ｃ_２０アルキル基のうちから選択される少なくとも１つの置換基を有する。

正孔輸送領域１２の厚みは約１００Å〜約１０，０００Å、例えば約４００Å〜約２，０００Åであり、発光層１５の厚みは、約１００Å〜約３，０００Å、例えば約３００Å〜約１，０００Åである。正孔輸送領域１２及び発光層１５の厚みが上述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき正孔輸送特性及び／又は発光特性が得られる。

［電子輸送領域１７］

有機発光素子１０において、発光層１５と第２電極１９との間には、電子輸送領域１７が配置される。

電子輸送領域１７は、単層構造又は多層構造を有する。

例えば、電子輸送領域１７は、電子輸送層、電子輸送層／電子注入層、バッファ層／電子輸送層、正孔阻止層／電子輸送層、バッファ層／電子輸送層／電子注入層、又は正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層の構造を有するが、それらに限定されるものではない。

電子輸送領域１７は、公知された電子輸送物質を含む。

電子輸送領域（例えば、電子輸送領域において、バッファ層、正孔阻止層、電子調節層、又は電子輸送層）は、π電子欠乏性含窒素環式基を少なくとも一つ含む金属非含有化合物を含む。π電子欠乏性含窒素環式基に関する説明は、本明細書に記載された箇所を参照する。

例えば、電子輸送領域は、下記化学式６０１で表される化合物を含む。

［化６０１］
［Ａｒ_６０１］_ｘｅ１１−［（Ｌ_６０１）_ｘｅ１−Ｒ_６０１］_ｘｅ２１

化学式６０１で、
Ａｒ_６０１及びＬ_６０１は、互いに独立して、置換若しくは非置換のＣ_５−Ｃ_６０炭素環式基、又は置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロ環式基であり、
ｘｅ１１は、１、２、又は３であり、
ｘｅ１は、０〜５の整数のうちから選択され、
Ｒ_６０１は、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換若しくは非置換のＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換若しくは非置換のＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換若しくは非置換のＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換若しくは非置換の一価非芳香族縮合多環基、置換若しくは非置換の一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｓｉ（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）（Ｑ_６０３）、−Ｃ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_６０１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）のうちから選択され、
Ｑ_６０１ないしＱ_６０３は、それぞれ独立して、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、又はナフチル基であり、
ｘｅ２１は、１〜５の整数のうちから選択される。

一具現例によると、ｘｅ１１個のＡｒ_６０１、及びｘｅ２１個のＲ_６０１のうちの少なくとも一つは、上述のようなπ電子欠乏性含窒素環式基を含む。

一具現例によると、上記化学式６０１で、環Ａｒ_６０１及びＬ_６０１は、互いに独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、−Ｓｉ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）（Ｑ_３３）、−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_３１）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、ベンゼン基、ナフタレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタフェン基、インデノアントラセン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、カルバゾール基、イミダゾール基、ピラゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサゾール基、イソキサゾール基、ピリジン基、ピラジン基、ピリミジン基、ピリダジン基、インダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、キノキサリン基、キナゾリン基、シンノリン基、フェナントリジン基、アクリジン基、フェナントロリン基、フェナジン基、ベンゾイミダゾール基、イソベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、イソベンゾオキサゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサジアゾール基、トリアジン基、チアジアゾール基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、及びアザカルバゾール基のうちから選択され、
Ｑ_３１ないしＱ_３３は、それぞれ独立して、Ｃ_１−Ｃ_１０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びナフチル基のうちから選択される。

上記化学式６０１で、ｘｅ１１が２以上である場合、２以上のＡｒ_６０１は、単一結合を介してそれぞれ連結される。

他の具現例によると、上記化学式６０１で、Ａｒ_６０１は、アントラセン基である。

更に他の具現例によると、上記化学式６０１で表される化合物は、下記化学式６０１−１で表される。

上記化学式６０１−１で、
Ｘ_６１４は、Ｎ又はＣ（Ｒ_６１４）であり、Ｘ_６１５は、Ｎ又はＣ（Ｒ_６１５）であり、Ｘ_６１６は、Ｎ又はＣ（Ｒ_６１６）であり、Ｘ_６１４ないしＸ_６１６のうちの少なくとも一つは、Ｎであり、
Ｌ_６１１ないしＬ_６１３は、それぞれ独立して、Ｌ_６０１に関する説明を参照し、
ｘｅ６１１ないしｘｅ６１３は、それぞれ独立して、ｘｅ１に関する説明を参照し、
Ｒ_６１１ないしＲ_６１３は、それぞれ独立して、Ｒ_６０１に関する説明を参照し、
Ｒ_６１４ないしＲ_６１６は、それぞれ独立して、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びナフチル基のうちから選択される。

他の具現例によると、上記化学式６０１及び６０１−１で、ｘｅ１、及びｘｅ６１１ないしｘｅ６１３は、それぞれ独立して、０、１、又は２である。

更に他の具現例によると、化学式６０１及び６０１−１で、Ｒ_６０１、及びＲ_６１１ないしＲ_６１３は、それぞれ独立して、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_１−Ｃ_２０アルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ−ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基、及びアザカルバゾリル基のうちから選択される少なくとも一つで置換されたか、或いは置換されない、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロ−ビフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ペンタフェニル基、ヘキサセニル基、ペンタセニル基、チオフェニル基、フラニル基、カルバゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾカルバゾリル基、ジベンゾカルバゾリル基、ジベンゾシロリル基、ピリジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、チアジアゾリル基、オキサジアゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾキノリニル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、ベンゾイミダゾリル基、イソベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、イソベンゾオキサゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、イミダゾピリジニル基、イミダゾピリミジニル基、及びアザカルバゾリル基；並びに
−Ｓ（＝Ｏ）_２（Ｑ_６０１）及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_６０１）（Ｑ_６０２）；のうちから選択され、
Ｑ_６０１及びＱ_６０２に関する説明は、本明細書に記載された箇所を参照する。

電子輸送領域は、下記化合物ＥＴ１〜ＥＴ３６のうちから選択される少なくとも１つの化合物を含むが、それらに限定されるものではない。

或いは、電子輸送領域は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、３−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、及びＮＴＡＺのうちから選択される少なくとも１つの化合物を含む。

バッファ層、正孔阻止層、又は電子調節層の厚みは、それぞれ独立して、約２０Å〜約１，０００Å、例えば約３０Å〜約３００Åである。バッファ層、正孔阻止層、又は電子調節層の厚みが上述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、優秀な正孔阻止特性又は電子調節特性が得られる。

電子輸送層の厚みは、約１００Å〜約１，０００Å、例えば約１５０Å〜約５００Åである。電子輸送層の厚みが上述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子輸送特性が得られる。

電子輸送領域１７（例えば、電子輸送領域における電子輸送層）は、上述のような物質以外に、金属含有物質を更に含む。

金属含有物質は、アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体のうちから選択される少なくとも一つを含む。アルカリ金属錯体の金属イオンは、Ｌｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン、Ｒｂイオン、及びＣｓイオンのうちから選択され、アルカリ土類金属錯体の金属イオンは、Ｂｅイオン、Ｍｇイオン、Ｃａイオン、Ｓｒイオン、及びＢａイオンのうちから選択される。アルカリ金属錯体及びアルカリ土類金属錯体の金属イオンに配位されるリガンドは、それぞれ独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、及びシクロペンタジエンのうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

例えば、金属含有物質は、Ｌｉ錯体を含む。Ｌｉ錯体は、例えば下記化合物ＥＴ−Ｄ１（リチウムキノレート（ＬｉＱ））又はＥＴ−Ｄ２を含む。

電子輸送領域１７は、第２電極１９からの電子注入を容易にする電子注入層を含む。電子注入層は、第２電極１９に直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触する。

電子注入層は、ｉ）単一物質からなる単一層からなる単層構造、ｉｉ）複数の異なる物質からなる単一層からなる単層構造、或いはｉｉｉ）複数の異なる物質からなる複層を有する多層構造を有する。

電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらのうちの任意の組み合わせを含む。

アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、及びＣｓのうちから選択される。一具現例によると、アルカリ金属は、Ｌｉ、Ｎａ、又はＣｓである。他の具現例によると、アルカリ金属は、Ｌｉ又はＣｓであるが、それらに限定されるものではない。

アルカリ土類金属は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａのうちから選択される。

希土類金属は、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｙｂ、及びＧｄのうちから選択される。

アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、及び希土類金属化合物は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の酸化物、及びハロゲン化物（例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）のうちから選択される。

アルカリ金属化合物は、Ｌｉ_２Ｏ、Ｃｓ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏのようなアルカリ金属酸化物、及びＬｉＦ、ＮａＦ、ＣｓＦ、ＫＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのようなアルカリ金属ハロゲン化物のうちから選択される。一具現例によると、アルカリ金属化合物は、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＮａＦ、ＬｉＩ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＫＩのうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）、Ｂａ_ｘＣａ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）のようなアルカリ土類金属化合物のうちから選択される。一具現例によると、アルカリ土類金属化合物は、ＢａＯ、ＳｒＯ、及びＣａＯのうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

希土類金属化合物は、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＳｃＯ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｃｅ_２Ｏ_３、ＧｄＦ_３、及びＴｂＦ_３のうちから選択される。一具現例によると、希土類金属化合物は、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＴｂＦ_３、ＹｂＩ_３、ＳｃＩ_３、ＴｂＩ_３のうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、及び希土類金属錯体は、上述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属のイオンを含み、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、及び希土類金属錯体の金属イオンに配位されるリガンドは、それぞれ独立して、ヒドロキシキノリン、ヒドロキシイソキノリン、ヒドロキシベンゾキノリン、ヒドロキシアクリジン、ヒドロキシフェナントリジン、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジフェニルオキサジアゾール、ヒドロキシジフェニルチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール、ビピリジン、フェナントロリン、及びシクロペンタジエンのうちから選択されるが、それらに限定されるものではない。

電子注入層は、上述のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらのうちの任意の組み合わせのみからなるか、或いは有機物を更に含む。電子注入層が有機物を更に含む場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、希土類金属化合物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、又はそれらのうちの任意の組み合わせは、有機物からなるマトリックスに、均一又は不均一に分散する。

電子注入層の厚みは、約１Å〜約１００Å、例えば約３Å〜約９０Åである。電子注入層の厚みが上述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なしに、満足すべき電子注入特性が得られる。

［第２電極１９］

上述のような有機層１０Ａの上部には、第２電極１９が配置される。第２電極１９は、電子注入電極であるカソードであり、ここで、第２電極１９用物質としては、低い仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物、及びそれらの組み合わせが使用される。

第２電極１９は、リチウム（Ｌｉ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）、ＩＴＯ、及びＩＺＯのうちから選択される少なくとも一つを含むが、それらに限定されるものではない。第２電極１９は、透過型電極、半透過型電極、又は反射型電極である。

第２電極１９は、単一層である単層構造、又は複層を有する多層構造を有する。

≪図３に関する説明≫

図３は、他の具現例による有機発光素子１００の断面を概略的に示した図である。

図３の有機発光素子１００は、第１電極１１０、第１電極１１０に対向する第２電極１９０、第１電極１００と第２電極１９０との間に積層された第１発光ユニット１５１及び第２発光ユニット１５２を含む。第１発光ユニット１５１と第２発光ユニット１５２との間には電荷生成層１４１が配置され、電荷生成層１４１はｎ型電荷生成層１４１−Ｎ及びｐ型電荷生成層１４１−Ｐを含む。電荷生成層１４１は、電荷を生成して隣接する発光ユニットに供給する役割を担う層であり、公知の物質が使用される。

第１発光ユニット１５１は第１発光層１５１−ＥＭを含み、第２発光ユニット１５２は第２発光層１５２−ＥＭを含む。第１発光ユニット１５１で放出される光の最大発光波長は、第２発光ユニット１５２で放出される光の最大発光波長と異なる。例えば、第１発光ユニット１５１で放出される光と第２発光ユニット１５２で放出される光との混合光は、白色光であるが、それに限定されるものではない。

第１発光ユニット１５１と第１電極１１０との間には正孔輸送領域１２０が配置され、第２発光ユニット１５２は、第１電極１１０側に配置された第１正孔輸送領域１２１を含む。

第２発光ユニット１５２と第２電極１９０との間には電子輸送領域１７０が配置され、第１発光ユニット１５１は、電荷生成層１４１と第１発光層１５１−ＥＭとの間に配置された第１電子輸送領域１７１を含む。

第１発光層１５１−ＥＭはホスト及びドーパントを含み、第１発光層１５１−ＥＭはリン光を放出し、ドーパントは有機金属化合物である。ここで、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は０．８以上１．０以下であり、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるドーパントの減衰時間（ｄｅｃａｙ ｔｉｍｅ）は０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるホストが１種のホストを含む場合（例えば、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるホストが１種のホストからなる場合）、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー、ドーパントの発光量子効率、ドーパントの減衰時間、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）、及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）測定方法は、それぞれ本明細書に記載された箇所を参照する。
例えば、第１発光層１５１−ＥＭに含まれるドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下であり、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー測定方法は、本明細書に記載された箇所を参照する。

第２発光層１５２−ＥＭはホスト及びドーパントを含み、第２発光層１５２−ＥＭはリン光を放出し、ドーパントは有機金属化合物である。ここで、第２発光層１５２−ＥＭに含まれるドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は０．８以上１．０以下であり、第２発光層１５２−ＥＭに含まれるドーパントの減衰時間は０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、第２発光層１５２−ＥＭに含まれるホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、第２発光層１５２−ＥＭに含まれるホストが１種のホストを含む場合（第２発光層１５２−ＥＭに含まれるホストが１種のホストからなる場合）、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー、ドーパントの発光量子効率、ドーパントの減衰時間、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）、及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）測定方法は、それぞれ本明細書に記載された箇所を参照する。
例えば、第２発光層１５２−ＥＭに含まれるドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下であり、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー測定方法は、本明細書に記載された箇所を参照する。

上述のように、有機発光素子１００の第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭのそれぞれは、本明細書に記載されたようなドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を「同時に」「いずれも」満足することから、高輝度有機発光素子１００を具現するために相対的に低い電流駆動条件を選択し、第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭにおける励起子の拡散距離が低減し、第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭにおける励起子密度が低下するが、有機発光素子１００は、顕著に向上した長寿命特性を有する。
これに加えて、有機発光素子１００の第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭのそれぞれが本明細書に記載されたようにドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー範囲を更に満足することにより、第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭに含まれるホスト及び／又はドーパントが分解される確率が低下するため、有機発光素子１００は、顕著に向上した長寿命特性を有する。

図３において、第１電極１１０及び第２電極１９０に関する説明は、それぞれ図１における第１電極１１及び第２電極１９に関する説明を参照する。

図３において、第１発光層１５１−ＥＭ及び第２発光層１５２−ＥＭに関する説明は、それぞれ図１における発光層１５に関する説明を参照する。

図３において、正孔輸送領域１２０及び第１正孔輸送領域１２１に関する説明は、それぞれ図１における正孔輸送領域１２に関する説明を参照する。

図３において、電子輸送領域１７０及び第１電子輸送領域１７１に関する説明は、それぞれ図１における電子輸送領域１７に関する説明を参照する。

以上、図３を参照し、第１発光ユニット１５１及び第２発光ユニット１５２が、いずれも本明細書に記載されたようなドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を満足する有機発光素子について説明したが、図３の有機発光素子の第１発光ユニット１５１及び第２発光ユニット１５２のうちの一つは、公知された任意の発光ユニットに交替されたり、３以上の発光ユニットを含んだりするように、多様な変形例が可能である。

≪図４に関する説明≫

図４は、更に他の具現例による有機発光素子２００の断面を概略的に示した図である。

有機発光素子２００は、第１電極２１０、第１電極２１０に対向する第２電極２９０、並びに第１電極２１０と第２電極２９０との間に積層された第１発光層２５１及び第２発光層２５２を含む。

第１発光層２５１で放出される光の最大発光波長は、第２発光層２５２で放出される光の最大発光波長と異なる。例えば、第１発光階２５１で放出される光と第２発光層２５２で放出される光との混合光は、白色光であるが、それに限定されるものではない。

一方、第１発光層２５１と第１電極２１０との間には正孔輸送領域２２０が配置され、第２発光層２５２と第２電極２９０との間には電子輸送領域２７０が配置される。

第１発光層２５１はホスト及びドーパントを含み、第１発光層２５１はリン光を放出し、ドーパントは有機金属化合物である。ここで、第１発光層２５１に含まれるドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は０．８以上１．０以下であり、第１発光層２５１に含まれるドーパントの減衰時間は０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、第１発光層２５１に含まれるホスト及びドーパントは０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、第１発光層２５１に含まれるホストが１種のホストを含む場合（第１発光層２５１に含まれるホストが１種のホストからなる場合）、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー、ドーパントの発光量子効率、ドーパントの減衰時間、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）、及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）測定方法は、それぞれ本明細書に記載された箇所を参照する。
例えば、第１発光層２５１に含まれるドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下であり、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー測定方法は、本明細書に記載された箇所を参照する。

第２発光層２５２はホスト及びドーパントを含み、第２発光層２５２はリン光を放出し、ドーパントは有機金属化合物である。ここで、第２発光層２５２に含まれるドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は０．８以上１．０以下であり、第２発光層２５２に含まれるドーパントの減衰時間は０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、第２発光層２５２に含まれるホスト及びドーパントは０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）はドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、第２発光層２５２に含まれるホストが１種のホストを含む場合（第２発光層２５２に含まれるホストが１種のホストからなる場合）、１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルである。ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー、ドーパントの発光量子効率、ドーパントの減衰時間、ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）、及びＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）測定方法は、それぞれ本明細書に記載された箇所を参照する。
例えば、第２発光層２５２に含まれるドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下であり、ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギー測定方法は、本明細書に記載された箇所を参照する。

上述のように、有機発光素子２００の第１発光層２５１及び第２発光層２５２のそれぞれは、本明細書に記載されたような、ドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を「同時に」「いずれも」満足することから、高輝度有機発光素子２００を具現するために相対的に低い電流駆動条件を選択し、第１発光層２５１及び第２発光層２５２における励起子の拡散距離が低減し、第１発光層２５１及び第２発光層２５２における励起子密度が低下するが、有機発光素子２００は、顕著に向上した長寿命特性を有する。
これに加えて、上述のように有機発光素子２００の第１発光層２５１及び第２発光層２５２のそれぞれが、本明細書に記載されたようにドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーの範囲を更に満足することにより、第１発光層２５１及び第２発光層２５２に含まれるホスト及び／又はドーパントが分解される確率が減少するため、有機発光素子２００は、顕著に向上した長寿命特性を有する。

図４において、第１電極２１０、正孔輸送領域２２０、及び第２電極２９０に関する説明は、それぞれ図１における第１電極１１、正孔輸送領域１２、及び第２電極１９に関する説明を参照する。

図４において、第１発光層２５１及び第２発光層２５２に関する説明は、それぞれ図１における発光層１５に関する説明を参照する。

図４において、電子輸送領域２７０に関する説明は、図１における電子輸送領域１７に関する説明を参照する。

以上、図４を参照し、第１発光層２５１及び第２発光層２５２が、いずれも本明細書に記載されたようなドーパントの発光量子効率範囲、ドーパントの減衰時間範囲、及びＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）範囲を満足する有機発光素子について説明したが、図４の第１発光層２５１及び第２発光層２５２において、任意の１個は、公知の層で代替されたり、３層以上の発光層を含んだり、互いに隣接する発光層間に中間層が追加されて配置されたりするなど、多様な変形例が可能である。

≪用語に関する説明≫

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基は、炭素数１〜６０の線状又は分枝状の飽和脂肪族炭化水素一価基を意味し、具体的な例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ｉｓｏ−アミル基、ヘキシル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキレン基は、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_６０アルコキシ基は、−ＯＡ_１０１（ここで、Ａ_１０１はＣ_１−Ｃ_６０アルキル基である）の化学式を有する一価基を意味し、その具体的な例には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基などが含まれる。

本明細書において、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基は、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキル基の中間又は末端に１以上の炭素・炭素二重結合を含む構造を有し、その具体的な例には、エテニル基、プロぺニル基、ブテニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニレン基は、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基は、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキル基の中間又は末端に１以上の炭素・炭素三重結合を含む構造を有し、その具体的な例には、エチニル基、プロピニル基などが含まれる。本明細書において、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニレン基は、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基は、炭素数３〜１０の一価飽和炭化水素単環式基を意味し、その具体例は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などを含む。本明細書において、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキレン基は、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含む炭素数１〜１０の一価単環式基を意味し、その具体例は、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオフェニル基などを含む。本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキレン基は、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基は、炭素数３〜１０の一価単環式基であり、環内に少なくとも１つの炭素・炭素二重結合を有するが、芳香族性（ａｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ）を有さない基を意味し、その具体例は、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基などを含む。本明細書において、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニレン基は、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含む炭素数１〜１０の一価単環式基であり、環内に少なくとも１つの二重結合を有する。Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基の具体例は、２，３−ジヒドロフラニル基、２，３−ジヒドロチオフェニル基などを含む。本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニレン基は、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基は炭素原子数６〜６０の炭素環式芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ_６−Ｃ_６０アリーレン基は炭素原子数６〜６０の炭素環式芳香族系を有する二価基を意味する。Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基の具体例は、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基などを含む。Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基及びＣ_６−Ｃ_６０アリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、それぞれ融合される。

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、炭素数１〜６０の環式芳香族系を有する一価基を意味し、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリーレン基は、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択される少なくとも１つのヘテロ原子を環形成原子として含み、炭素数１〜６０の炭素環式芳香族系を有する二価基を意味する。Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基の具体例は、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基などを含む。Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基及びＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリーレン基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、それぞれ融合される。

本明細書において、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基は、−ＯＡ_１０２（ここで、Ａ_１０２はＣ_６−Ｃ_６０アリール基である）を示し、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基は、−ＳＡ_１０３（ここで、Ａ_１０３はＣ_６−Ｃ_６０アリール基である）を示す。

本明細書において、一価非芳香族縮合多環基は、２以上の環がそれぞれ縮合されて、環形成原子として炭素のみを含み、分子全体が非芳香族性（ｎｏｎ−ａｒｏｍａｔｉｃｉｔｙ）を有する一価基（例えば、８〜６０の炭素数を有する）を意味する。一価非芳香族縮合多環基の具体例は、フルオレニル基などを含む。本明細書において、二価非芳香族縮合多環基は、一価非芳香族縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、２以上の環が互いに縮合されて、環形成原子として炭素以外に、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択されるヘテロ原子を含み、分子全体が非芳香族性を有する一価基（例えば、１〜６０の炭素数を有する）を意味する。一価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、カルバゾリル基などを含む。本明細書において、二価非芳香族ヘテロ縮合多環基は、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基と同一構造を有する二価基を意味する。

本明細書において、Ｃ_５−Ｃ_３０炭素環式基は、環形成原子として、５個〜３０個の炭素のみを有する飽和又は不飽和の環式基を示す。Ｃ_５−Ｃ_３０炭素環式基は、単環式基又は多環式基である。

本明細書において、Ｃ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基は、環形成原子として、１個〜３０個の炭素以外に、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓｉ、及びＳのうちから選択されるヘテロ原子を、少なくとも一つ有する飽和又は不飽和の環式基を示す。Ｃ_１−Ｃ_３０ヘテロ環式基は、単環式基又は多環式基である。

本明細書において、置換されたＣ_５−Ｃ_３０炭素環式基、置換されたＣ_２−Ｃ_３０ヘテロ環式基、置換されたＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、置換されたＣ_２−Ｃ_６０アルケニル基、置換されたＣ_２−Ｃ_６０アルキニル基、置換されたＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、置換されたＣ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、置換されたＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、置換されたＣ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、置換されたＣ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、置換されたＣ_６−Ｃ_６０アリール基、置換されたＣ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、置換されたＣ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、置換されたＣ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、置換された一価非芳香族縮合多環基、及び置換された一価非芳香族ヘテロ縮合多環基の置換基のうちの少なくとも一つは、
重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基、及びＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基；
重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｎ（Ｑ_１１）（Ｑ_１２）、−Ｓｉ（Ｑ_１３）（Ｑ_１４）（Ｑ_１５）、−Ｂ（Ｑ_１６）（Ｑ_１７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_１８）（Ｑ_１９）のうちから選択される少なくとも一つで置換された、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基、及びＣ_１−Ｃ_６０アルコキシ基；
Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；
重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＤ_３、−ＣＤ_２Ｈ、−ＣＤＨ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、一価非芳香族ヘテロ縮合多環基、−Ｎ（Ｑ_２１）（Ｑ_２２）、−Ｓｉ（Ｑ_２３）（Ｑ_２４）（Ｑ_２５）、−Ｂ（Ｑ_２６）（Ｑ_２７）、及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_２８）（Ｑ_２９）のうちから選択される少なくとも一つで置換された、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基；並びに
−Ｎ（Ｑ_３１）（Ｑ_３２）、−Ｓｉ（Ｑ_３３）（Ｑ_３４）（Ｑ_３５）、−Ｂ（Ｑ_３６）（Ｑ_３７）及び−Ｐ（＝Ｏ）（Ｑ_３８）（Ｑ_３９）；のうちから選択され、
Ｑ_１ないしＱ_９、Ｑ_１１ないしＱ_１９、Ｑ_２１ないしＱ_２９、及びＱ_３１ないしＱ_３９は、それぞれ独立して、水素、重水素、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、カルボン酸基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基、重水素・Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基及びＣ_６−Ｃ_６０アリール基のうちの少なくとも一つで置換されたＣ_１−Ｃ_６０アルキル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルケニル基、Ｃ_２−Ｃ_６０アルキニル基、Ｃ_１−Ｃ_６０アルコキシ基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ_３−Ｃ_１０シクロアルケニル基、Ｃ_１−Ｃ_１０ヘテロシクロアルケニル基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリール基、重水素・Ｃ_１−Ｃ_６０アルキル基、及びＣ_６−Ｃ_６０アリール基のうちの少なくとも一つで置換されたＣ_６−Ｃ_６０アリール基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールオキシ基、Ｃ_６−Ｃ_６０アリールチオ基、Ｃ_１−Ｃ_６０ヘテロアリール基、一価非芳香族縮合多環基、及び一価非芳香族ヘテロ縮合多環基のうちから選択される。

本明細書において、「ビフェニル基、ターフェニル基、及びテトラフェニル基」は、それぞれ２個、３個、又は４個のフェニル基がそれぞれ単一結合を介して連結された一価基を意味する。

本明細書において、「シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、及びシアノ含有テトラフェニル基」は、それぞれ、少なくとも１つのシアノ基で置換された、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、及びテトラフェニル基を意味する。「シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、及びシアノ含有テトラフェニル基」におけるシアノ基は、任意の位置に置換され、「シアノ含有フェニル基、シアノ含有ビフェニル基、シアノ含有ターフェニル基、及びシアノ含有テトラフェニル基」は、シアノ基以外に、他の置換基を更に含む。例えば、シアノ基で置換されたフェニル基、並びにシアノ基及びメチル基で置換されたフェニル基は、いずれも「シアノ含有フェニル基」に属する。

以下、合成例及び実施例を挙げ、本発明の一具現例による化合物及び有機発光素子について更に具体的に説明するが、本発明は、下記の合成例及び実施例に限定されるものではない。下記合成例において、「『Ａ』の代わりに『Ｂ』を使用した」という表現において、「Ｂ」の使用量と「Ａ」の使用量は、モル当量基準で同一である。

［実施例］
≪合成例１：化合物１−８の合成≫

≪中間体１−８（５）の合成≫

出発物質１−８（６）（０．０２４ｍｏｌ）及びビス（ピナコラト）ジボロン９．０ｇ（０．０３６ｍｏｌ、１．５当量）をフラスコに入れ、酢酸カリウム４．６ｇ（０．０４８ｍｏｌ、２当量）及びＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）０．９６ｇ（０．０５当量）を添加した後、トルエン（１００ｍＬ）を入れて１００℃で一晩還流した。そこから得られた結果物の温度を室温まで冷却させた後、沈殿物を濾過して得られた濾液を、酢酸エチル（ＥＡ）／Ｈ_２Ｏで洗浄し、カラムクロマトグラフィを遂行して中間体１−８（５）を得た。

≪中間体１−８（４）の合成≫

中間体１−８（５）（０．０１４ｍｏｌ、１．２当量）、２−ブロモ−４−フェニルピリジン（０．０１２ｍｏｌ、１当量）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．６１ｇ（０．００１ｍｏｌ、０．０７当量）、炭酸カリウム３．１ｇ（０．０３６ｍｏｌ、３当量）を、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）と蒸溜水（Ｈ２Ｏ）とを３：１比率で混ぜた溶媒に溶かして（２５ｍＬ、０．８Ｍ）１２時間還流した。そこから得られた結果物の温度を室温まで冷却させた後、沈殿物を濾過して得られた濾液を、ＥＡ／Ｈ_２Ｏで洗浄し、カラムクロマトグラフィ（塩化メチレン（ＭＣ）／ヘキサン（Ｈｅｘ）２５％〜５０％に上げてカラム）を遂行して中間体１−８（４）を得た。

≪中間体１−８（３）の合成≫

中間体１−８（４）（０．００９ｍｏｌ）及びビス（ピナコラト）ジボロン３．６ｇ（０．０１４ｍｏｌ、１．５当量）をフラスコに入れ、酢酸カリウム１．９ｇ（０．０１９ｍｏｌ、２当量）及びＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）０．３９ｇ（０．０５当量）を添加した後、トルエン（３２ｍＬ）を入れて１００℃で一晩還流した。そこから得られた結果物の温度を室温まで冷却させた後、沈殿物を濾過して得られた濾液を、ＥＡ／Ｈ_２Ｏで洗浄し、カラムクロマトグラフィを遂行して中間体１−８（３）を得た。

≪中間体１−８（１）の合成≫

中間体１−８（３）（０．００５ｍｏｌ、１．２当量）、中間体１−８（２）（０．００４ｍｏｌ、１当量）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３５ｇ（０．００１ｍｏｌ、０．０７当量）、炭酸カリウム１．８ｇ（０．０１３ｍｏｌ、３当量）を、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）と蒸溜水（Ｈ２Ｏ）とを３：１比率で混ぜた溶媒２０ｍＬに溶かして１２時間還流した。そこから得られた結果物の温度を室温まで冷却させた後、沈殿物を濾過して得られた濾液を、ＥＡ／Ｈ_２Ｏで洗浄し、カラムクロマトグラフィ（ＥＡ／Ｈｅｘ２０％〜３５％に上げてカラム）を遂行して中間体１−８（１）を得た。

≪化合物１−８の合成≫

中間体１−８（１）（２．５ｍｍｏｌ）とＫ_２ＰｔＣｌ_４ １．２３ｇ（３ｍｍｏｌ、１．２当量）とを、ＡｃＯＨ ２０ｍＬとＨ_２Ｏ ５ｍＬとを混ぜた溶媒に溶かして（２５ｍＬ）１６時間還流した。そこから得られた結果物の温度を室温まで冷却させた後、沈殿物を濾過し、沈殿物を更にＭＣに溶かしてＨ_２Ｏで洗浄し、カラムクロマトグラフィ（ＭＣ ４０％、ＥＡ １％、Ｈｅｘ ５９％）を遂行して化合物１−８を得た。

≪合成例２：化合物１−１２の合成≫

≪中間体１−１２（１）の合成≫

中間体１−８（３）の代わりに、中間体１−１２（３）を使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体１−１２（１）を得た。

≪化合物１−１２の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体１−１２（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物１−１２を得た。

≪合成例３：化合物１−８９の合成≫

≪中間体１−８９（１）の合成≫

中間体１−８（３）の代わりに、中間体１−８９（３）を使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体１−８９（１）を得た。

≪化合物１−８９の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体１−８９（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物１−８９を得た。

≪合成例４：化合物３−２２５の合成≫

≪中間体３−２２５（１）の合成≫

中間体１−８（３）及び中間体１−８（２）の代わりに、中間体１−１２（３）及び中間体３−２２５（２）をそれぞれ使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体３−２２５（１）を得た。

≪化合物３−２２５の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体３−２２５（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物３−２２５を得た。

≪合成例５：化合物１−９０の合成≫

≪中間体１−９０（１）の合成≫

中間体１−８（２）の代わりに、中間体１−９０（２）を使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体１−９０（１）を得た。

≪化合物１−９０の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体１−９０（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物１−９０を得た。

≪合成例６：化合物１−９１の合成≫

≪中間体１−９１（１）の合成≫

中間体１−８（２）の代わりに、中間体１−９１（２）を使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体１−９１（１）を得た。

≪化合物１−９１の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体１−９１（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物１−９１を得た。

≪合成例７：化合物１−３６の合成≫

≪中間体１−３６（１）の合成≫

中間体１−８（３）及び中間体１−８（２）の代わりに、中間体１−１２（３）及び中間体１−３６（２）をそれぞれ使用したという点を除いては、合成例１の中間体１−８（１）の合成方法と同一方法を利用して中間体１−３６（１）を得た。

≪化合物１−３６の合成≫

中間体１−８（１）の代わりに、中間体１−３６（１）を使用したという点を除いては、合成例１の化合物１−８の合成方法と同一方法を利用して化合物１−３６を得た。

≪評価例１：最大発光波長の発光エネルギー及び発光量子効率の測定≫

クォーツ基板上に、下記表１に記載された化合物を、表１に記載された重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着し、４０ｎｍ厚のフィルムＡ（１）、Ｂ（１）、Ｃ（１）、Ｄ（１）、Ｅ（１）、Ｆ（１）、Ｇ（１）、１−８（１）、１−１２（１）、１−８９（１）、３−２２５（１）、１−９０（１）、１−９１（１）、及び１−３６（１）を製作し、表２に記載された化合物を、表２に記載された重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着し、４０ｎｍの厚さのフィルムＡ（３）、Ｂ（３）、Ｃ（３）、Ｄ（３）、Ｅ（３）、Ｆ（３）、Ｇ（３）、１−８（３）、１−１２（３）、１〜８９（３）、３−２２５（３）、１−９０（３）、１−９１（３）、１−３６（３）、及び１−８（４）を製作した。

フィルムＡ（１）、Ｂ（１）、Ｃ（１）、Ｄ（１）、Ｅ（１）、Ｆ（１）、Ｇ（１）、１−８（１）、１−１２（１）、１−８９（１）、３−２２５（１）、１−９０（１）、１−９１（１）、１−３６（１）、Ａ（３）、Ｂ（３）、Ｃ（３）、Ｄ（３）、Ｅ（３）、Ｆ（３）、Ｇ（３）、１−８（３）、１−１２（３）、１−８９（３）、３−２２５（３）、１−９０（３）、１−９１（３）、１−３６（３）、及び１−８（４）のそれぞれの発光スペクトルを、Ｈａｍａｍａｔｓｕ社のＱｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（キセノン光源（ｘｅｎｏｎ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）、モノクロメーター（ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｏｒ）、フォトニックマルチチャネル分析器（ｐｈｏｔｏｎｉｃ ｍｕｌｔｉｃｈａｎｎｅｌ ａｎａｌｙｚｅｒ）、及び積分球（ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ ｓｐｈｅｒｅ）を装着し、ＰＬＱＹ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｓｏｆｔｗａｒｅ（Ｈａｍａｍａｔｓｕ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ，Ｌｔｄ．，静岡、日本）を採用）を利用して測定した。測定時には、励起波長を３２０ｎｍ〜３８０ｎｍまで１０ｎｍ間隔でスキャンして測定し、そのうちの３４０ｎｍの励起波長で測定されたスペクトルを取った。その後、各フィルムに含まれるドーパントの最大発光波長の発光エネルギーを求め、下記表１に示した。

次に、フィルムＡ（１）、Ｂ（１）、Ｃ（１）、Ｄ（１）、Ｅ（１）、Ｆ（１）、Ｇ（１）、１−８（１）、１−１２（１）、１−８９（１）、３−２２５（１）、１−９０（１）、１−９１（１）、１−３６（１）、Ａ（３）、Ｂ（３）、Ｃ（３）、Ｄ（３）、Ｅ（３）、Ｆ（３）、Ｇ（３）、１−８（３）、１−１２（３）、１〜８９（３）、３−２２５（３）、１−９０（３）、１−９１（３）、１−３６（３）、及び１−８（４）のそれぞれの発光量子効率を、Ｈａｍａｍａｔｓｕ社のＱｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ ｑｕａｎｔｕｍ ｙｉｅｌｄ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒを利用し、励起波長を３２０ｎｍ〜３８０ｎｍまで１０ｎｍ間隔でスキャンして測定した後、最大値で測定された各フィルムに含まれるドーパントの発光量子効率を表１及び表２にそれぞれ示した。

≪評価例２：減衰時間測定≫

フィルムＡ（１）、Ｂ（１）、Ｃ（１）、Ｄ（１）、Ｅ（１）、Ｆ（１）、Ｇ（１）、１−８（１）、１−１２（１）、１−８９（１）、３−２２５（１）、１−９０（１）、１−９１（１）、１−３６（１）、Ａ（３）、Ｂ（３）、Ｃ（３）、Ｄ（３）、Ｅ（３）、Ｆ（３）、Ｇ（３）、１−８（３）、１−１２（３）、１−８９（３）、３−２２５（３）、１−９０（３）、１−９１（３）、１−３６（３）、及び１−８（４）のそれぞれに対して、ＰｉｃｏＱｕａｎｔ社のＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）測定系であるＦｌｕｏＴｉｍｅ３００と、ＰｉｃｏＱｕａｎｔ社のｐｕｍｐｉｎｇ ｓｏｕｒｃｅであるＰＬＳ３４０（励起波長＝３４０ｎｍ、スペクトル幅＝２０ｎｍ）を利用し、ＰＬスペクトルを常温で評価した後、スペクトルの主ピークの波長を決定し、ＰＬＳ３４０がそれぞれのフィルムに加えるフォトンパルス（パルス幅＝５００ｐｓ）により、それぞれのフィルムから主ピークの波長で放出されるフォトンの個数を、ＴＣＳＰＣ（Ｔｉｍｅ−Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｈｏｔｏｎ Ｃｏｕｎｔｉｎｇ）を基に、経時的に測定することを反復し、ｆｉｔｔｉｎｇが十分に可能なＴＲＰＬカーブを求めた。そこから得られた結果に、１以上のｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｄｅｃａｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎをｆｉｔｔｉｎｇさせ、フィルムＡ（１）、Ｂ（１）、Ｃ（１）、Ｄ（１）、Ｅ（１）、Ｆ（１）、Ｇ（１）、１−８（１）、１−１２（１）、１−８９（１）、３−２２５（１）、１−９０（１）、１−９１（１）、１−３６（１）、Ａ（３）、Ｂ（３）、Ｃ（３）、Ｄ（３）、Ｅ（３）、Ｆ（３）、Ｇ（３）、１−８（３）、１−１２（３）、１−８９（３）、３−２２５（３）、１−９０（３）、１−９１（３）、１−３６（３）、及び１−８（４）のそれぞれのＴ_{ｄｅｃａｙ}（Ｅｘ）、即ち減衰時間を求め、その結果を表３及び表４にそれぞれ記載した。Ｆｉｔｔｉｎｇに使用されるｆｕｎｃｔｉｏｎは、下記数式２０の通りであり、ｆｉｔｔｉｎｇに使用された各ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｄｅｃａｙ ｆｕｎｃｔｉｏｎから得られたＴ_{ｄｅｃａｙ}の平均値をＴ_{ｄｅｃａｙ}（Ｅｘ）として取った。このとき、ＴＲＰＬカーブを求めるための測定時間と同一測定時間の間、同一測定をｄａｒｋ状態（所定のフィルムに入射されるｐｕｍｐｉｎｇ ｓｉｇｎａｌを遮断した状態）で更に一度反復し、ｂａｓｅｌｉｎｅカーブ或いはｂａｃｋｇｒｏｕｎｄｓｉｇｎａｌカーブを得て、ｆｉｔｔｉｎｇにｂａｓｅｌｉｎｅとして使用した。

≪評価例３：ＨＯＭＯ（ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）エネルギーレベル測定≫

ＩＴＯ基板上に、下記表５に記載された化合物を、表５に記載された重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着し、４０ｎｍ厚のフィルムＡ（２）、Ｂ（２）、Ｃ（２）、Ｄ（２）、Ｅ（２）、Ｆ（２）、Ｇ（２）、１−８（２）、１−１２（２）、１−８９（２）、３−２２５（２）、１−９０（２）、１−９１（２）、１−３６（２）、Ｈ−Ｈ１、Ｈ−Ｅ１、Ｈ−Ｈ２、Ｈ−Ｈ１７、及びＨ−Ｅ４３を製作した後、各フィルムに対して、Ｒｉｋｅｎ Ｋｅｉｋｉ社の大気下光電子分光装置であるＡＣ３を利用し、光電子放出を測定した。測定時には、ＡＣ３のＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光源の強度を１０ｎＷに固定し、測定範囲を−４．５ｅＶ〜−７．０ｅＶまで０．０５ｅＶ間隔で測定した。このとき、各ポイントを測定する時間は１０秒である。ＨＯＭＯエネルギーレベルは、測定された光電子放出の強度値に立方根を適用し、光電子効率スペクトルを求めた後、最初の傾きに対する接線を引き、ｂａｓｅｌｉｎｅと接線との接点値として求め、その結果を下記表５に示した。このとき、ｂａｓｅｌｉｎｅは、ＡＣ３装置に内在された光源補正機能を活用して補正した。

≪比較例Ａ≫

ＩＴＯガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．５ｍｍサイズに切り、アセトンイソプロピルアルコールと純水との中で、それぞれ１５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄した。

次に、ガラス基板上のＩＴＯ電極（アノード）上に、Ｆ６−ＴＣＮＮＱを蒸着し、１００Å厚の正孔注入層を形成し、正孔注入層上にＨＴ１を蒸着し、１，２６０Å厚の正孔輸送層を形成し、正孔輸送領域を形成した。

次に、正孔輸送領域上に、ホストとして正孔輸送性ホストであるＨ−Ｈ１、及び電子輸送性ホストであるＨ−Ｅ１（正孔輸送性ホストと電子輸送性ホストとの重量比は５：５である）、並びにドーパントである化合物Ａを共蒸着して（ホストとドーパントとの重量比は９０：１０である）４００Å厚の発光層を形成した。

その次に、発光層上に、化合物ＥＴ１とＬｉｑとを５：５の重量比で共蒸着し、３６０Å厚の電子輸送層を形成した後、電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着し、５Å厚の電子注入層を形成した後、電子注入層上に、Ａｌを真空蒸着し、８００Å厚の第２電極（カソード）を形成することにより、ＩＴＯ／Ｆ６−ＴＣＮＮＱ（１００Å）／ＨＴ１（１，２６０Å）／（Ｈ−Ｈ１＋Ｈ−Ｅ１）：化合物Ａ（１０ｗｔ％）（４００Å）／ＥＴ１：Ｌｉｑ（５０ｗｔ％）（３６０Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（８００Å）構造を有する有機発光素子を製作した。

≪比較例Ａ〜Ｇ及び実施例１〜７≫
発光層の形成時、正孔輸送性ホスト、電子輸送性ホスト、及びドーパントとして、表６にそれぞれ示される化合物を使用したという点を除いては、比較例Ａと同一方法を利用して有機発光素子を製作した。

≪比較例１Ａ〜１Ｇ及び実施例１１〜１８≫
発光層の形成時、正孔輸送性ホスト、電子輸送性ホスト、及びドーパントとして、表７にそれぞれ示される化合物を使用したという点を除いては、比較例Ａと同一方法を利用して有機発光素子を製作した。

≪評価例４：ＯＬＥＤ寿命測定≫

比較例Ａ〜Ｇ、実施例１〜７、比較例１Ａ〜１Ｇ、及び実施例１１〜１８で製造されたそれぞれの有機発光素子に対して、寿命（Ｔ_９５）（ａｔ ６，０００ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ評価し、その結果を表６及び表７に示した。評価装置として、輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を使用し、寿命（Ｔ_９５）（ａｔ ６，０００ｎｉｔ）は、初期輝度１００％対比で９５％の輝度になるのにかかる時間を評価し、寿命（Ｔ_９５）は、実施例１の寿命データ対比の相対値（％）で示した（即ち、実施例１の寿命（Ｔ_９５）が１００％である）。

表６から、実施例１〜７の有機発光素子は、比較例Ａ〜Ｇの有機発光素子に比べて、向上した寿命特性を有し、表７から、実施例１１〜１８の有機発光素子は、比較例１Ａ〜１Ｇの有機発光素子に比べて、改善された寿命特性を有することが確認される。

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の有機発光素子は、例えば発光関連の技術分野に効果的に適用可能である。

１０、１００、２００ 有機発光素子
１０Ａ 有機層
１１、１１０、２１０ 第１電極
１２、１２０、２２０ 正孔輸送領域
１５ 発光層
１７、１７０、２７０ 電子輸送領域
１９、１９０、２９０ 第２電極
１２１ 第１正孔輸送領域
１４１ 電荷生成層
１５１ 第１発光ユニット
１５２ 第２発光ユニット
１７１ 第１電子輸送領域
２５１ 第１発光層
２５２ 第２発光層

Claims (20)

1. 第１電極、前記第１電極に対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
   前記発光層は、リン光を放出し、
   前記ドーパントは、有機金属化合物であり、
   前記ドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は、０．８以上１．０以下であり、
   前記ドーパントの減衰時間は、０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、
   前記ホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、
   前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、前記ドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、
   前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、前記発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合、前記１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、前記発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、前記２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルであり、
   前記ドーパントの発光量子効率は、フィルム１に対する発光量子効率を評価したものであり、
   前記ドーパントの減衰時間は、フィルム１に対するＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｃｅ）スペクトルから計算された値であり、
   前記フィルム１は、クォーツ基板上に、前記発光層に含まれるホストとドーパントとを９０：１０の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムであり、
   前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）基板上に１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼンと前記発光層に含まれるドーパントとを８５：１５の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、
   前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、ｉ）前記ホストが１種のホストを含む場合、ＩＴＯ基板上に、前記１種のホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、ｉｉ）前記ホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、ＩＴＯ基板上に、それぞれのホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値のうちの最大の負数値であることを特徴とする有機発光素子。
2. 前記ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは、２．３１ｅＶ以上２．４８ｅＶ以下であり、
   前記ドーパントの発光スペクトルの最大発光波長の発光エネルギーは、前記フィルム１に対する発光スペクトルの最大発光波長から計算されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
3. 前記ドーパントの発光量子効率は、０．９以上１．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
4. 前記ドーパントの減衰時間は、１．０μｓ以上２．９μｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
5. 前記ホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶを満足することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
6. 前記ドーパントの発光量子効率は、０．９７５以上１．０以下であり、
   前記ドーパントの減衰時間は、２．０μｓ以上２．５μｓ以下であり、
   前記ホスト及びドーパントは、０．１５ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．２５ｅＶを満足することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
7. 前記ドーパントは、イリジウム非含有有機金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
8. 前記ドーパントは、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）を含む有機金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
9. 前記ドーパントは、白金含有有機金属化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
10. 前記ドーパントは、四角平面コーディネーション構造を有することを特徴とする請求項１に記載の有機金属化合物
11. 前記ドーパントは、金属Ｍ及び有機リガンドを含み、前記金属Ｍと前記有機リガンドとは、１個、２個、又は３個のシクロメタル化環を形成することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
12. 前記ドーパントは、金属Ｍ、及び３個又は４個のシクロメタル化環を形成する四配座有機リガンドを含み、
    前記金属Ｍは、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）を含み、
    前記四配座有機リガンドは、ベンズイミダゾール基及びピリジン基を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
13. 前記ホストは、電子輸送性ホスト及び正孔輸送性ホストを含み、
    前記電子輸送性ホストは、電子輸送性モイエティを少なくとも一つ含み、
    前記正孔輸送性ホストは、電子輸送性モイエティを含まず、
    前記電子輸送性モイエティは、シアノ基、π電子欠乏性含窒素環式基、及び下記化学式のうちの一つで表される基のうちから選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
    

    

    （前記化学式で、＊、＊’、及び＊”は、それぞれ隣接する任意の原子との結合サイトである。）
14. 前記電子輸送性ホストは、少なくとも１つのπ電子欠乏性窒素非含有環式基及び少なくとも１つの電子輸送性モイエティを含み、
    前記正孔輸送性ホストは、少なくとも１つのπ電子欠乏性窒素非含有環式基を含み、電子輸送性モイエティを含まず、
    前記電子輸送性モイエティは、シアノ基又はπ電子欠乏性含窒素環式基であることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光素子。
15. 前記π電子欠乏性含窒素環式基は、イミダゾール基、ピラゾール基、チアゾール基、イソチアゾール基、オキサゾール基、イソキサゾール基、ピリジン基、ピラジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、インダゾール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、ベンゾキノリン基、ベンゾイソキノリン基、フタラジン基、ナフチリジン基、キノキサリン基、ベンゾキノキサリン基、キナゾリン基、シンノリン基、フェナントリジン基、アクリジン基、フェナントロリン基、フェナジン基、ベンゾイミダゾール基、イソベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、イソベンゾオキサゾール基、トリアゾール基、テトラゾール基、オキサジアゾール基、トリアジン基、チアジアゾール基、イミダゾピリジン基、イミダゾピリミジン基、アザカルバゾール基、又は前記基のうちの少なくとも一つと任意環式基とが互いに縮合された縮合環基であり、
    前記π電子欠乏性窒素非含有環式基は、ベンゼン基、ヘプタレン基、インデン基、ナフタレン基、アズレン基、インダセン基、アセナフチレン基、フルオレン基、スピロ−ビフルオレン基、ベンゾフルオレン基、ジベンゾフルオレン基、フェナレン基、フェナントレン基、アントラセン基、フルオランテン基、トリフェニレン基、ピレン基、クリセン基、ナフタセン基、ピセン基、ペリレン基、ペンタセン基、ヘキサセン基、ペンタセン基、ルビセン基、コロネン基、オバレン基、ピロール基、イソインドール基、インドール基、フラン基、チオフェン基、ベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基、ベンゾカルバゾール基、ジベンゾカルバゾール基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェンスルホン基、カルバゾール基、ジベンゾシロール基、インデノカルバゾール基、インドロカルバゾール基、ベンゾフロカルバゾール基、ベンゾチエノカルバゾール基、ベンゾシロールロカルバゾール基、又はトリインドロベンゼン基であることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光素子。
16. 前記電子輸送性ホストは、ｉ）シアノ基、ピリミジン基、ピラジン基、及びトリアジン基のうちの少なくとも一つ、及びｉｉ）トリフェニレン基を含み、
    前記正孔輸送性ホストは、カルバゾール基を含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光素子。
17. 前記電子輸送性ホストは、少なくとも１つのシアノ基を含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光素子。
18. 前記第１電極と発光層との間には、正孔輸送領域が配置され、
    前記正孔輸送領域は、アミン含有化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
19. 第１電極と、
    前記第１電極に対向する第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に積層されて少なくとも１層の発光層を含むｍ個の発光ユニットと、
    前記ｍ個の発光ユニットのうちの互いに隣接する２個の発光ユニット間に配置されてｎ型電荷生成層及びｐ型電荷生成層を含むｍ−１個の電荷生成層と、を有し、
    前記ｍは、２以上の整数であり、
    前記ｍ個の発光ユニットのうちの少なくとも１つの発光ユニットで放出される光の最大発光波長は、残りの発光ユニットのうちの少なくとも１つの発光ユニットで放出される光の最大発光波長と異なり、
    前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
    前記発光層は、リン光を放出し、
    前記ドーパントは、有機金属化合物であり、
    前記ドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は、０．８以上１．０以下であり、
    前記ドーパントの減衰時間は、０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、
    前記ホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、
    前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、前記ドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、
    前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、前記発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合、前記１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、前記発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、前記２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルであり、
    前記ドーパントの発光量子効率は、フィルム１に対する発光量子効率を評価したものであり、
    前記ドーパントの減衰時間は、フィルム１に対するＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｃｅ）スペクトルから計算された値であり、
    前記フィルム１は、クォーツ基板上に、前記発光層に含まれるホストとドーパントとを９０：１０の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムであり、
    前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）基板上に１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼンと前記発光層に含まれるドーパントとを８５：１５の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、
    前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、ｉ）前記ホストが１種のホストを含む場合、ＩＴＯ基板上に、前記１種のホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、ｉｉ）前記ホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、ＩＴＯ基板上に、それぞれのホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値のうちの最大の負数値であることを特徴とする有機発光素子。
20. 第１電極と、
    前記第１電極に対向する第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に積層されたｍ個の発光層と、を有し、
    前記ｍは、２以上の整数であり、
    前記ｍ個の発光層のうちの少なくとも１層の発光層で放出される光の最大発光波長は、残りの発光層のうちの少なくとも１層の発光層で放出される光の最大発光波長と異なり、
    前記発光層は、ホスト及びドーパントを含み、
    前記発光層は、リン光を放出し、
    前記ドーパントは、有機金属化合物であり、
    前記ドーパントの発光量子効率（ＰＬＱＹ）は、０．８以上１．０以下であり、
    前記ドーパントの減衰時間は、０．１μｓ以上２．９μｓ以下であり、
    前記ホスト及びドーパントは、０．１ｅＶ≦ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）−ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）≦０．４ｅＶを満足し、
    前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、前記ドーパントのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、
    前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、前記発光層に含まれるホストが１種のホストを含む場合、前記１種のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）であり、前記発光層に含まれるホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、前記２種以上のホストのＨＯＭＯエネルギーレベル（ｅＶ）のうちの最も高いエネルギーレベルであり、
    前記ドーパントの発光量子効率は、フィルム１に対する発光量子効率を評価したものであり、
    前記ドーパントの減衰時間は、フィルム１に対するＴＲＰＬ（ｔｉｍｅ−ｒｅｓｏｌｖｅｄ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｃｅ）スペクトルから計算された値であり、
    前記フィルム１は、クォーツ基板上に、前記発光層に含まれるホストとドーパントとを９０：１０の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムであり、
    前記ＨＯＭＯ（ｄｏｐａｎｔ）は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）基板上に１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼンと前記発光層に含まれるドーパントとを８５：１５の重量比で、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空共蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、
    前記ＨＯＭＯ（ｈｏｓｔ）は、ｉ）前記ホストが１種のホストを含む場合、ＩＴＯ基板上に、前記１種のホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値であり、ｉｉ）前記ホストが２種以上の異なるホストの混合物である場合、ＩＴＯ基板上に、それぞれのホストを、１０^−７ｔｏｒｒの真空度で真空蒸着して得られた４０ｎｍ厚のフィルムに対して、大気下で光電子分光装置を利用して測定された負数値のうちの最大の負数値であることを特徴とする有機発光素子。
    
    

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