JP2019046847A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 50
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 28
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 122
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 60
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 60
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 59
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 11
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハーを収容したチャンバー6内が大気圧未満に減圧され、減圧雰囲気下にて半導体ウェハーにフラッシュ光が照射されて熱処理が行われる。リーク判定部31は、チャンバー6内の減圧を開始してからの経過時間が予め設定された閾値を超えてもチャンバー6内の圧力が目標圧力に到達していない場合にはチャンバー6にリークが発生していると判定する。チャンバー6内の減圧を開始してからの経過時間を監視してチャンバー6のリークを検出しており、新たなハードウェア構成を搭載することなく、簡易な構成にてチャンバー6のリークの有無を検出することができる。
【選択図】図8
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWにはゲート絶縁膜として高誘電率膜(high-k膜)が形成されており、熱処理装置1による加熱処理によって高誘電率膜の成膜後熱処理(PDA:Post Deposition Anneal)が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第2実施形態の熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同様である。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、チャンバー6におけるリークの有無の検出手法である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と全く同じである。また、第3実施形態の熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同様である。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、チャンバー6におけるリークの有無の検出手法である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においてリーク判定のために設定されている各閾値は装置の構成や仕様に応じた適宜の値とすることができる。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
31 リーク判定部
32 タイマー
65 熱処理空間
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
84 供給バルブ
85 処理ガス供給源
88 ガス排気管
91 自動調整バルブ圧力計
92 真空圧力計
93 排気バルブ
94 圧力自動調整バルブ
95 真空ポンプ
180 ガス供給部
190 排気部
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
石英窓を有し、前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記基板に前記石英窓を介して光を照射する光照射部と、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気部と、
前記チャンバーに所定の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内の圧力を測定する圧力計と、
前記排気部によって前記チャンバー内の減圧を開始してからの経過時間が予め設定された閾値を超えても前記圧力計の測定値が目標圧力に到達していない場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定するリーク判定部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
石英窓を有し、前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記基板に前記石英窓を介して光を照射する光照射部と、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気部と、
前記チャンバーに所定の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内の圧力を測定する圧力計と、
前記圧力計の測定値に基づいて前記チャンバー内の圧力を設定値に調整する圧力調整バルブと、
前記チャンバー内が処理圧力にまで減圧された後、前記圧力計の測定値と前記設定値との差分が一定以上となる時間が予め設定された閾値を超えた場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定するリーク判定部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
石英窓を有し、前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記基板に前記石英窓を介して光を照射する光照射部と、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気部と、
前記チャンバーに所定の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記チャンバー内の圧力を測定する圧力計と、
所定圧力に減圧されている前記チャンバーに前記ガス供給部から不活性ガスの供給を開始してから前記圧力計の測定値が大気圧となるまでに要する時間が予め設定された閾値未満である場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定するリーク判定部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプを含むことを特徴とする熱処理装置。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
石英窓を有するチャンバー内に前記基板を収容する収容工程と、
前記チャンバー内を大気圧未満にまで減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内に収容された前記基板に光照射部から前記石英窓を介して光を照射する光照射工程と、
を備え、
前記チャンバー内の減圧を開始してからの経過時間が予め設定された閾値を超えても前記チャンバー内の圧力が目標圧力に到達していない場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
石英窓を有するチャンバー内に前記基板を収容する収容工程と、
前記チャンバー内を大気圧未満にまで減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内の圧力を圧力計によって測定した測定値に基づいて前記チャンバー内の圧力を圧力調整バルブによって設定値に調整する圧力調整工程と、
前記チャンバー内に収容された前記基板に光照射部から前記石英窓を介して光を照射する光照射工程と、
を備え、
前記チャンバー内が処理圧力にまで減圧された後、前記圧力計の測定値と前記設定値との差分が一定以上となる時間が予め設定された閾値を超えた場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
石英窓を有するチャンバー内に前記基板を収容する収容工程と、
前記チャンバー内を大気圧未満にまで減圧する減圧工程と、
前記チャンバー内に収容された前記基板に光照射部から前記石英窓を介して光を照射する光照射工程と、
を備え、
所定圧力に減圧されている前記チャンバーに不活性ガスの供給を開始してから前記チャンバー内の圧力が大気圧となるまでに要する時間が予め設定された閾値未満である場合には前記チャンバーにリークが発生していると判定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項5から請求項7のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射することを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017165339A JP6991795B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 熱処理装置および熱処理方法 |
TW107120296A TWI727179B (zh) | 2017-08-30 | 2018-06-13 | 熱處理裝置及熱處理方法 |
KR1020180086551A KR102240492B1 (ko) | 2017-08-30 | 2018-07-25 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
US16/048,020 US10679874B2 (en) | 2017-08-30 | 2018-07-27 | Light irradiation type heat treatment apparatus and heat treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017165339A JP6991795B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 熱処理装置および熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019046847A true JP2019046847A (ja) | 2019-03-22 |
JP6991795B2 JP6991795B2 (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=65437969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017165339A Active JP6991795B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 熱処理装置および熱処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10679874B2 (ja) |
JP (1) | JP6991795B2 (ja) |
KR (1) | KR102240492B1 (ja) |
TW (1) | TWI727179B (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2018-06-13 TW TW107120296A patent/TWI727179B/zh active
- 2018-07-25 KR KR1020180086551A patent/KR102240492B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190024666A (ko) | 2019-03-08 |
TWI727179B (zh) | 2021-05-11 |
TW201913745A (zh) | 2019-04-01 |
US10679874B2 (en) | 2020-06-09 |
US20190067051A1 (en) | 2019-02-28 |
KR102240492B1 (ko) | 2021-04-14 |
JP6991795B2 (ja) | 2022-01-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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