JP2019029550A - 電子部品封止体の製造方法、電子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することができる電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品封止体の製造方法は、半導体素子２６をシート材上に配置する工程と、封止部２７を形成して電子部品封止連結体を得る工程と、粘着テープ１００を電子部品封止連結体に貼付する工程と、電子部品封止連結体を切断して電子部品封止体２９０を得る工程と、電子部品封止体２９０に、電磁波シールド用フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層し、その後、凹部６２にノイズ抑制層３を押し込むことで、ノイズ抑制層３が設けられた電子部品封止体２９０を得る工程と、粘着テープ１００を剥離することで、ノイズ抑制層３が設けられた電子部品封止体２９０を得る工程とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品封止体の製造方法、電子装置の製造方法に関する。

従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の半導体電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品が回路基板に実装された電子装置は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、これらの電子部品または電子装置を、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドで封止するシールド方法が実施されてきた。

しかしながら、この金属カンシールドは、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。さらに、金属カンシールドにより部品集合体を封止することから、金属カンシールドと部品集合体との間に空間が生じるため、かかる部品集合体を備える電子機器の大型化を招くという問題があった。

そのため、かかる問題点を解消するために、基板上に配置された電子部品を封止材により封止された電子部品封止体の上面および側面を、金属薄膜層等で構成されるノイズ抑制層で被覆する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかしながら、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成して電磁波によるノイズの影響を軽減する方法では、このノイズ抑制層が、主として、スパッタリング法を用いて製造されるが、この場合、スパッタリング法に用いる装置が、その操作が煩雑かつ高価であったり、生産性が低いと言った問題があった。

また、導電性粒子を含有する金属ペーストを用いたり、メッキ法を用いることによりノイズ抑制層を形成することも考えられるが、これらの方法によっても、種々の問題を有しているのが実情であった。

特開２０１５−１３０４８４号公報

本発明の目的は、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することができる電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１） 基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、複数の前記電子部品を前記シート材上に配置する配置工程と、
前記電子部品が配置されている上面側に、前記シート材と前記電子部品とを覆うように封止して前記封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、
前記電子部品封止連結体の下面側に、基材と、前記基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、前記粘着層を前記電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、
形成すべき前記電子部品封止体毎に対応するように、前記電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、前記粘着テープに貼付された前記電子部品封止体を得る切断工程と、
前記電子部品封止体の上面側に、前記ノイズ抑制層を備える電磁波シールド用フィルムと、絶縁層を備える基材フィルムとをこの順で積層し、その後、前記凹部の形状に対応して前記ノイズ抑制層を押し込むことで、前記ノイズ抑制層により前記電子部品封止体の上面および側面を被覆して、前記粘着テープに貼付された状態で、前記ノイズ抑制層が設けられた前記電子部品封止体を得る第２貼付工程と、
前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離することで、前記ノイズ抑制層が設けられた複数の前記電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程とを有することを特徴とする電子部品封止体の製造方法。

（２） 前記第２剥離工程に先立って、前記絶縁層を剥離する第１剥離工程を有する上記（１）に記載の電子部品封止体の製造方法。

（３） 前記電子部品封止体において、複数の前記電子部品が封止されている上記（１）または（２）に記載の電子部品封止体の製造方法。

（４） 前記切断工程において、前記基材の途中に到達するまで、前記厚さ方向に切断して、前記凹部を形成する上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。

（５） 前記第２貼付工程において、前記電子部品封止体に対する前記電磁波シールド用フィルムの貼付は、真空圧空成形法またはプレス成型法を用いて行われる上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。

（６） 前記絶縁層は、２５℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０２Ｐａ以上５．０Ｅ＋１０Ｐａ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。

（７） 前記第２剥離工程において、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の前記電子部品封止体に対する粘着性を低下させることで、前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離させる上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。

（８） 上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法により製造された電子部品封止体を用意し、前記基板の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、
前記基板の下面側に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。

（９） 前記基板は厚さ方向に貫通する導体ポストを備え、
前記配線形成工程において、前記導体ポストを介して、前記電子部品と前記配線とが電気的に接続される上記（８）に記載の電子装置の製造方法。

本発明によれば、電子部品封止体の上面側に、ノイズ抑制層を備える電磁波シールド用フィルムと、絶縁層を備える基材フィルムとをこの順で積層し、その後、凹部の形状に対応してノイズ抑制層を押し込むと言う、比較的容易な方法で電子部品封止体にノイズ抑制層を設けることができる。

さらに、１つの電子部品封止連結体から複数の電子部品封止体を一括して製造することができるので、電子部品封止体および電子装置の生産性の向上が図られる。

本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の第１実施形態を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を製造するのに用いられる電磁波シールド用フィルムと基材フィルムとを備えるフィルムセットの縦断面図である。 本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の第２実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

以下では、本発明の電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を説明するのに先立って、まず、本発明の電子装置の製造方法を、半導体装置の製造に適用して製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の第１実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置２０は、厚さ方向に貫通して配置された導体ポスト（図示せず）を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子２６ならびにコンデンサー、コイルのような電子素子２８と、半導体素子２６および電子素子２８を封止する封止部２７（モールド部）と、封止部２７およびインターポーザー２５を被覆するノイズ抑制層３と、導体ポストに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ２１（端子）と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。

インターポーザー２５は、半導体素子２６および電子素子２８を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５には、その厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）が形成され、この貫通孔に対応して導体ポストが設けられている。

半導体素子２６および電子素子２８は、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８がその下面側に有する電極パッドが導体ポストに対応するように、インターポーザー２５上に、本実施形態では、半導体素子２６が１つ、電子素子２８が２つそれぞれ配置されている。なお、本実施形態では、これら半導体素子２６および電子素子２８が、半導体装置２０が備える電子部品を構成する。

かかる位置に半導体素子２６および電子素子２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６、電子素子２８およびインターポーザー２５の上面側を覆うように形成される。

インターポーザー２５の貫通孔に対応して形成された導体ポストは、その上側の端部で、半導体素子２６または電子素子２８が備える電極パッド（端子）と電気的に接続される。

また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポストの下側の端部と電気的に接続される。

さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６または電子素子２８とバンプ２１とが、電極パッド（端子）、導体ポストおよび配線２３を介して電気的に接続される。また、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。

そして、ノイズ抑制層３は、封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面を被覆して設けられている。このノイズ抑制層３により、インターポーザー２５上に設けられた半導体素子２６および電子素子２８と、ノイズ抑制層３を介して、半導体素子２６および電子素子２８の外側すなわち半導体装置２０の外側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。なお、このノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面側において、図示しない配線を介して電気的に接地される。

なお、本実施形態では、電子部品を構成する半導体素子２６および電子素子２８を、それぞれ、１つおよび２つずつ半導体装置２０が備えるが、かかる構成に限定されず、半導体装置２０（電子装置）は、いずれか１つを備えるものであってもよく、上記以上の半導体素子２６および電子素子２８を備えるものであってもよいし、さらに、半導体素子２６および電子素子２８とは異なる電子部品を備えるものであってもよい。

また、本実施形態では、ノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面にも設けられるが、少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に設けられていればよく、ノイズ抑制層３のインターポーザー２５の側面への形成は省略してもよい。

（半導体装置２０の製造方法）
以上のような構成をなす半導体装置２０の製造に、本発明の電子装置の製造方法が適用される。

すなわち、半導体装置２０の製造には、平板状をなすシート材を用意し、複数の電子部品をシート材上に配置する配置工程と、電子部品が配置されているシート材の上面側に、シート材と電子部品とを覆うように封止して封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、電子部品封止連結体の下面側に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、粘着テープに貼付された電子部品封止体を得る切断工程と、電子部品封止体の上面側に、ノイズ抑制層を備える電磁波シールド用フィルムと、絶縁層を備える基材フィルムとをこの順で積層し、その後、凹部の形状に対応してノイズ抑制層を押し込むことで、ノイズ抑制層により電子部品封止体の上面および側面を被覆する第２貼付工程と、電磁波シールド用フィルムから、剥離層を剥離することで、粘着テープに貼付された状態で、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を得る第１剥離工程と、電子部品封止体から粘着テープを剥離することで、ノイズ抑制層が設けられた複数の電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有する本発明の電子装置の製造方法が適用される。

以下、これらの各工程について詳述する。
図２〜図４は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図、図５は、図１に示す半導体装置を製造するのに用いられる電磁波シールド用フィルムと基材フィルムとを備えるフィルムセットの縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意した後、このシート材２５’上に複数の半導体素子２６および電子素子２８を配置（載置）する（図２（ｂ）参照。；配置工程）。

なお、このシート材２５’は、予め形成された複数の貫通孔（図示せず）を備え、さらに、これら貫通孔に対応して埋設された導体ポスト（図示せず）を備えるものであり、この導体ポストは、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上に配置させた際に、半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）が対応する位置に形成されている。すなわち、シート材２５’は、貫通孔に対応して設けられた導体ポストが、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）の総数と同じ数で形成されている。

また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体装置２０が有するインターポーザー２５（基板）となり、半導体素子２６および電子素子２８を支持する機能を発揮するものである。

このシート材２５’は、半導体素子２６および電子素子２８を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基板は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。

ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。

なお、コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。

さらに、フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。

また、シート材２５’上に半導体素子２６および電子素子２８を配置する際、半導体素子２６および電子素子２８は、シート材２５’が備える導体ポストの位置に、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８が有する電極パッドが対応する位置に配置される。そして、このような配置により、形成すべき半導体装置２０が備える半導体素子２６および電子素子２８が配置されるべき位置に、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’上において配置されることとなる。

なお、半導体素子２６および電子素子２８（特に半導体素子２６）は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤（アンダーフィル材）により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［３］において、半導体素子２６および電子素子２８を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６および電子素子２８の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。

［２］次に、シート材２５’の上面側、すなわち半導体素子２６および電子素子２８が配置されている側の面を、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うように封止部２７を形成する（図２（ｃ）参照。；封止部形成工程）。

これにより、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された電子部品封止連結体２７０が得られる。

封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂組成物を溶融させた状態で、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うようにシート材２５’の上面に供給した後、この溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。

［３］次に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００を用意し、図２（ｄ）に示すように、シート材２５’の半導体素子２６等が載置されていない面側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、電子部品封止連結体２７０に積層（貼付）する（第１貼付工程）。

この電子部品封止連結体２７０への粘着テープ１００の貼付は、例えば、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、シート材２５’の半導体素子２６等と反対側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することにより行うことができる。なお、粘着テープ１００に電子部品封止連結体２７０を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

粘着テープ１００（ダイシングテープ）は、粘着層２を介して基材４により電子部品封止連結体２７０を支持するとともに、粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下する機能を有するものである。

かかる構成の粘着テープ１００において、基材４は、主として樹脂材料から成り、粘着層２を介して基材４上に貼付された電子部品封止連結体２７０を支持し得る程度の硬度を有するものが用いられ、この樹脂材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン系樹脂、アイオノマー、オレフィン系共重合体、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルケトン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

粘着層２は、次工程［４］において、電子部品封止連結体２７０をダイシングして個片化することで電子部品封止体２９０を得る際に、電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）に粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により電子部品封止体２９０への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。

かかる機能を備える粘着層２は、例えば、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

このようなベース樹脂（１）としては、例えば、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられる。

また、硬化性樹脂（２）は、例えば、エネルギーの付与により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。

また、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）、（２）の他に、他の成分として、光重合開始剤、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

［４］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図３（ａ）参照）。

これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、電子部品封止連結体２７０を切断する際の割れ、欠け等を防止する機能を発揮する。

また、ブレードを用いた電子部品封止連結体２７０の切断は、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、基材４の厚さ方向に、基材４の途中に到達するまで実施される。これにより、電子部品封止連結体２７０の個片化を確実に実施することができる。また、電子部品封止体２９０を粘着テープ１００上に貼付させた状態で、個片化により形成される電子部品封止体２９０の側面、すなわち封止部２７およびインターポーザー２５の側面を凹部６２において確実に露出させることができる。

［５］次に、剥離層１（絶縁層）からなる基材フィルムと、ノイズ抑制層３からなる電磁波シールド用フィルムとを有するフィルムセット３００を用意し（図３（ｂ）参照）、個片化で得られた電子部品封止体２９０の封止部２７が形成されている面側（上面側）で、電子部品封止体２９０に、電磁波シールド用フィルム（ノイズ抑制層３）と、基材フィルム（剥離層１）とを、この順で積層し、その後、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込む（第２貼付工程）。

このノイズ抑制層３を凹部６２の形状に押し込む方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形またはプレス成型法が挙げられる。

真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム（ノイズ抑制層３）と基材フィルム（剥離層１）とが積層されたフィルムセット３００の積層体で、個片化で得られた電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する方法であり、まず、図３（ｃ）に示すように、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、電子部品封止体２９０の上面側に、電磁波シールド用フィルム（ノイズ抑制層３）と、基材フィルム（剥離層１）とがこの順で重ね合わされたフィルムセット３００の積層体が積層された状態でセットし、その後、これらを加熱下において、フィルムセット３００側から均一にフィルムセット３００の積層体と電子部品封止体２９０とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。

このように、フィルムセット３００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３が凹部６２の形状に対応して変形する。これにより、図４（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。

このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１５℃以上、２００℃以下であることが好ましく、より好ましくは２０℃以上、１９０℃以下である。

また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．１ＭＰａ以上、２０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは１．０ＭＰａ以上、１５．０ＭＰａ以下である。

さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上、９０分以下であることが好ましく、より好ましくは１分以上、１０分以下である。

貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、このノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を確実に被覆することができる。

剥離層１は、本工程において、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０を被覆するために用いられる。

また、プレス成型法とは、例えば、粘着テープ１００上に貼付された電子部品封止体２９０上に、電磁波シールド用フィルム（ノイズ抑制層３）と、基材フィルム（剥離層１）とがこの順で重ね合わされたフィルムセット３００の積層体を配置し、さらに、このフィルムセット３００の積層体上に、クッション材を配置した状態で、これらを、その上面側および下面側から、２つの平板で挾持し、その後、２つの平板を接近させて、加圧することにより実施される。

このように、フィルムセット３００の積層体上に、クッション材を配置した状態で、フィルムセット３００と電子部品封止体２９０とを接近させることによっても、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応して変形させることができる。そのため、図４（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。

ここで、本工程［５］において用いられる、ノイズ抑制層３からなり、電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３と接触して配置される電磁波シールド用フィルムと、剥離層１からなり、ノイズ抑制層３の電子部品封止体２９０との反対側に配置される基材フィルムとを有するフィルムセット３００（図３（ｃ）、図５参照）において、剥離層１（基材フィルム）は、凹部６２の形状に追従してノイズ抑制層３を押し込むことで、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、押し込まれたノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。また、次工程［６］において、ノイズ抑制層３から剥離されるものである。

この剥離層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリルゴム、エポキシ樹脂、ポリフェノール、ポリウレタンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。これにより、剥離層１のノイズ抑制層３に対する押込み性、さらには耐熱性を向上させることができ、かつ、後述する第１剥離工程［６］時にノイズ抑制層３から離型性よく剥離層１を剥がすことができる。

なお、この剥離層１の構成層数は、特に限定されず、単層であっても２層以上の多層構成であっても良い。例えば、両外層に耐熱離型層、中間層にクッション層の３層構成が挙げられる。

また、剥離層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率は、２．０Ｅ＋０２Ｐａ以上、５．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのが好ましく、２．０Ｅ＋０３Ｐａ以上、５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましく、２．０Ｅ＋０５Ｐａ以上、３．０Ｅ＋０８Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。また、このように、剥離層１の常温（２５℃）における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、剥離層１は可撓性を有するものであると言うことができ、フィルムセット３００の積層体を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３に破断を生じさせることなくノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応した状態で押し込むことができる。これにより、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。その結果、電子部品封止体２９０の上面および側面が、破断の発生が防止されたノイズ抑制層３をもって、被覆されるようになるため、このノイズ抑制層３による電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。

剥離層１の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上、２０００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の厚みが前記下限値未満である場合、剥離層１ひいてはノイズ抑制層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、剥離層１の厚みが前記上限値を超える場合、剥離層１からノイズ抑制層３に対する押し込む力が十分に伝達されず、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する押し込み性が十分に得られないおそれがある。

ノイズ抑制層３は、電子部品封止体２９０が備える半導体素子２６および電子素子２８と、このノイズ抑制層３を介して、電子部品封止体２９０と反対側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。

このノイズ抑制層３（電磁波遮断層）は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。

これら反射層および吸収層は、ともに、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂とを含有する構成をなし、導電性材料として、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料および導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種を含有するものが好ましく用いられるが、以下、これら反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。

反射層は、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。
この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ＩＴＯなどの導電性材料に表面処理を施したもの等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。

前記導電性接着剤層としては、金属粉（金属材料）とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。

前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に制限されないが、重量比で４０：６０〜９５：５であることが好ましく、５０：５０〜９０：１０であることがより好ましい。

導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。

反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、１００ｎｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上、２０μｍ以下であることがより好ましい。

吸収層は、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。

この吸収層としては、例えば、金属粉（金属材料）および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。なお、この吸収層は、前記主材料の他に、バインダー樹脂を含有することが好ましい。

なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。

これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。

なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子材料、ＡＴＯ等の金属酸化物材料、導電性セラミックス材料が挙げられる。

また、導電性高分子材料としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子、セラミック材料等が挙げられる。
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子、チタニア、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム等が挙げられこれらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。

吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上、１００μｍ以下であることがより好ましい。

［６］次に、図４（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に貼付されたフィルムセット３００の積層体から、剥離層１を剥離する（第１剥離工程）。

この第１剥離工程により、フィルムセット３００における剥離層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。

すなわち、粘着テープ１００上に貼付された状態で、ノイズ抑制層３が上面および側面に設けられた電子部品封止体２９０が一括して複数形成される。

また、剥離層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、真空圧空成形（上記の貼付工程）後のフィルムセット３００の積層体が高温の状態では、剥離層１が伸びてしまい、樹脂残り等が発生し、剥離作業性が低下する可能性があるので、手作業による剥離が挙げられる。

この手作業による剥離では、例えば、まず、剥離層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から剥離層１をノイズ抑制層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次剥離層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。

剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１５０℃以下、さらに好ましくは１００℃以下である。

以上のような工程を経ることにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。

このように、本実施形態では、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、電子部品封止体２９０側に、ノイズ抑制層３からなる電磁波シールド用フィルムと、剥離層１からなる基材フィルムとをこの順で積層し、その後、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込んだ後に、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。

［７］次に、図４（ｃ）に示すように、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する（第２剥離工程）。

この第２剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を低下させて、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で剥離が生じる状態とした後、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する。

これにより、ノイズ抑制層３により上面および側面が被覆された電子部品封止体２９０を一括して複数形成することができることから、電子部品封止体２９０の生産性の向上が図られる。

なお、上記工程［１］〜［７］により、本発明の電子部品封止体の製造方法が構成される。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。

かかる方法は、半導体素子２６および電子素子２８が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

［８］次に、図４（ｄ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、導体ポストに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。

この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側の面に供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、導体ポストに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。

［９］次に、図４（ｅ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。

なお、この開口部２２１は、次工程［１０］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。

［１０］次に、図４（ｆ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。

ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。

このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。

また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経て、半導体装置２０が製造される。

このような半導体装置２０の製造方法によれば、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、前記工程［５］において、電子部品封止体２９０側に、ノイズ抑制層３からなる電磁波シールド用フィルムと、剥離層１からなる基材フィルムとをこの順で積層し、その後、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込んだ後に、前記工程［６］において、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。

さらに、前記工程［２］において得られた１つの電子部品封止連結体２７０から、前記工程［３］〜［７］を経ることで、複数の電子部品封止体２９０を一括して製造することができるので、電子部品封止体２９０ひいては、この電子部品封止体２９０から得られる半導体装置２０の生産性の向上が図られる。

なお、本実施形態では、電子部品封止体２９０が備える封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面に、ノイズ抑制層３を設ける場合について、説明したが、ノイズ抑制層３は少なくとも封止部２７の上面および封止部２７の側面に形成されていればよく、インターポーザー２５の側面への形成を省略することもできる。

＜＜第２実施形態＞＞
次に、半導体装置の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の第２実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態の半導体装置３０について、前記第１実施形態の半導体装置２０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

本実施形態の半導体装置３０は、ノイズ抑制層３上に、剥離層１を絶縁層として備えること以外は、第１実施形態の半導体装置２０と同様である。

すなわち、第２実施形態の半導体装置３０において、剥離層１（絶縁層）は、ノイズ抑制層３を被覆して設けられ、これにより、半導体素子２６および電子素子２８と、半導体装置３０の外側に位置する他の電子部品等とを、確実に絶縁する絶縁層としての機能を発揮するとともに、ノイズ抑制層３を保護する保護層としての機能も発揮する。

このような第２実施形態の半導体装置３０によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。

以上のような剥離層１（絶縁層）を備える本実施形態の半導体装置３０は、例えば、前述した第１実施形態の半導体装置２０の製造方法において、前記第１剥離工程［６］を省略すること、すなわち、電子部品封止体２９０に貼付されたフィルムセット３００の積層体からの剥離層１の剥離を省略することにより製造することができる。

なお、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法を適用して製造される半導体装置は、例えば、携帯電話、医療機器、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。

以上、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、前記実施形態では、上述した構成の半導体装置２０の製造に、本発明の電子装置の製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、コンデンサー、コイルのような電子部品を単独で備える電子装置等の製造に適用することができる。

また、前記実施形態では、フィルムセット３００が有する基材フィルムおよび電磁波シールド用フィルムは、それぞれ、剥離層１（絶縁層）およびノイズ抑制層３からなる場合について説明したが、これに限定されず、基材フィルムおよび電磁波シールド用フィルムは、それぞれ、剥離層１（絶縁層）およびノイズ抑制層３とは異なる他の層を備えるものであってもよい。

さらに、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。

１ 剥離層
２ 粘着層
３ ノイズ抑制層
４ 基材
２０ 半導体装置
２１ バンプ
２２ 被覆部
２３ 配線
２５ インターポーザー
２５’ シート材
２６ 半導体素子
２７ 封止部
２８ 電子素子
３０ 半導体装置
６２ 凹部
１００ 粘着テープ
２２１ 開口部
２７０ 電子部品封止連結体
２９０ 電子部品封止体
３００ フィルムセット

Claims (9)

1. 基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体の製造方法であって、
   平板状をなすシート材を用意し、複数の前記電子部品を前記シート材上に配置する配置工程と、
   前記電子部品が配置されている上面側に、前記シート材と前記電子部品とを覆うように封止して前記封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、
   前記電子部品封止連結体の下面側に、基材と、前記基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、前記粘着層を前記電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、
   形成すべき前記電子部品封止体毎に対応するように、前記電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、前記粘着テープに貼付された前記電子部品封止体を得る切断工程と、
   前記電子部品封止体の上面側に、前記ノイズ抑制層を備える電磁波シールド用フィルムと、絶縁層を備える基材フィルムとをこの順で積層し、その後、前記凹部の形状に対応して前記ノイズ抑制層を押し込むことで、前記ノイズ抑制層により前記電子部品封止体の上面および側面を被覆して、前記粘着テープに貼付された状態で、前記ノイズ抑制層が設けられた前記電子部品封止体を得る第２貼付工程と、
   前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離することで、前記ノイズ抑制層が設けられた複数の前記電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程とを有することを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
2. 前記第２剥離工程に先立って、前記絶縁層を剥離する第１剥離工程を有する請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
3. 前記電子部品封止体において、複数の前記電子部品が封止されている請求項１または２に記載の電子部品封止体の製造方法。
4. 前記切断工程において、前記基材の途中に到達するまで、前記厚さ方向に切断して、前記凹部を形成する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
5. 前記第２貼付工程において、前記電子部品封止体に対する前記電磁波シールド用フィルムの貼付は、真空圧空成形法またはプレス成型法を用いて行われる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
6. 前記絶縁層は、２５℃における貯蔵弾性率が２．０Ｅ＋０２Ｐａ以上５．０Ｅ＋１０Ｐａ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
7. 前記第２剥離工程において、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の前記電子部品封止体に対する粘着性を低下させることで、前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離させる請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法により製造された電子部品封止体を用意し、前記基板の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、
   前記基板の下面側に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
   前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
9. 前記基板は厚さ方向に貫通する導体ポストを備え、
   前記配線形成工程において、前記導体ポストを介して、前記電子部品と前記配線とが電気的に接続される請求項８に記載の電子装置の製造方法。

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