JP2019012872A - 振動デバイス、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理回路の処理の高性能化等を図りながら複数の発振子と集積回路装置をコンパクトに収容可能な小型の振動デバイス等の提供。【解決手段】振動デバイス50は、第1、第2の発振子XTAL1、XTAL2と集積回路装置10を含み、集積回路装置10は、第1、第2の発振子XTAL1、XTAL2を発振させる第1、第2の発振回路101、102と、第1の発振子XTAL1を発振させることにより生成された第1のクロック信号と第2の発振子XTAL2を発振させることにより生成された第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて、処理を行う処理回路を含む。第1の発振子XTAL1は第1の支持部SM1により集積回路装置10に支持され、第2の発振子XTAL2は第2の支持部SM2により集積回路装置10に支持される。【選択図】図4
Description
本発明は、振動デバイス、電子機器及び移動体等に関する。
圧電振動子などの発振子を発振させてクロック信号を生成する振動デバイスでは、小型化の要求がある。例えば特許文献1には、圧電振動子と、圧電振動子に接続され、クロック信号を発生するクロック信号発生回路と、生成されたクロック信号に基づいて動作するCPUとを含む集積回路がチップ基板に搭載され、当該集積回路が圧電振動子も含めて一体に集積化されてワンチップ化された集積回路装置が開示されている。
また特許文献2には、2つの水晶発振器を用いて時間デジタル変換を実現する従来技術が開示されている。この特許文献2の従来技術では、2つの水晶発振器を用いて第1、第2のクロック信号(クロックパルス)を生成し、エッジ一致検出回路が、第1、第2のクロック信号の立ち下がりエッジが相互に一致する同期点を検出する。そして同期点が検出された場合に、同期カウンターが第1、第2のクロック信号に同期してカウント処理を開始し、カウント処理の結果に基づいて、スタートパルスからストップパルスまでの未知時間を算出する時間測定を行う。
特許文献2の従来技術では、第1、第2のクロック信号を生成する2つの水晶発振器の各々が、別パッケージの水晶発振器で実現されるため、装置の小型化の実現が困難である。また水晶発振器とICチップや回路部品とを接続するクロック信号線の寄生抵抗や寄生容量が大きくなってしまうため、性能の劣化などの問題を招く。一方、特許文献1の従来技術では、集積回路上には1つの発振子が搭載されるだけであり、2つ以上の発振子をコンパクトに収容できる配置構成や接続構成については提案されていなかった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は態様として実現することが可能である。
本発明の一態様は、第1の発振子と、第2の発振子と、集積回路装置と、を含み、前記集積回路装置は、前記第1の発振子を発振させる第1の発振回路と、前記第2の発振子を発振させる第2の発振回路と、前記第1の発振子を発振させることにより生成された第1のクロック信号と前記第2の発振子を発振させることにより生成された第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて、処理を行う処理回路と、を含み、前記第1の発振子は、第1の支持部により前記集積回路装置に支持され、前記第2の発振子は、第2の支持部により前記集積回路装置に支持されることを特徴とする振動デバイスに関係する。
本発明の一態様によれば、第1、第2の発振子を発振させる第1、第2の発振回路と、処理回路とが集積回路装置に設けられる。そして処理回路は、第1、第2の発振子を発振させることで生成された第1、第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて処理を行う。このようにすれば、第1、第2の発振子を用いて生成された高精度の第1、第2のクロック信号の周波数差や周波数比較の情報を用いて処理を行うことができるため、処理回路の処理の高性能化等を図れる。そして本発明の一態様では、第1、第2の発振子が、各々、第1、第2の支持部により集積回路装置に支持される構造となる。従って、処理回路の処理の高性能化等を図りながら、第1、第2の発振子と集積回路装置をコンパクトに収容可能な小型の振動デバイス等の提供が可能になる。
また本発明の一態様では、前記集積回路装置は、前記第1の発振回路に接続される第1の端子と、前記第1の発振回路に接続される第2の端子と、を含み、前記第1の支持部は、前記集積回路装置の前記第1の端子と前記第1の発振子の一方側電極の端子電極とを電気的に接続する支持部であってもよい。
このようにすれば、第1の発振子を集積回路装置により支持するための第1の支持部を活用して、集積回路装置の第1の発振回路に接続される第1の端子を、第1の発振子の一方側電極の端子電極に電気的に接続できるようになる。
また本発明の一態様では、前記集積回路装置は、前記第2の発振回路に接続される第3の端子と、前記第2の発振回路に接続される第4の端子と、を含み、前記第2の支持部は、前記集積回路装置の前記第3の端子と前記第2の発振子の一方側電極の端子電極とを電気的に接続する支持部であってもよい。
このようにすれば、第2の発振子を集積回路装置により支持するための第2の支持部を活用して、集積回路装置の第2の発振回路に接続される第3の端子を、第2の発振子の一方側電極の端子電極に電気的に接続できるようになる。
また本発明の一態様では、前記処理回路は、前記第1の発振回路及び前記第2の発振回路の少なくとも一方の発振回路の発振信号の発振周波数及び位相の少なくとも一方を制御する制御部を含んでもよい。
このように発振信号の発振周波数や位相を制御すれば、第1、第2のクロック信号の周波数関係や位相関係を適切な関係に設定することが可能になる。
また本発明の一態様では、前記処理回路は、前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号とに基づいて、時間をデジタル値に変換する時間デジタル変換回路を含んでもよい。
このようにすれば、第1、第2のクロック信号を用いた高精度の時間デジタル変換処理を実現できるようになる。
また本発明の一態様では、前記時間デジタル変換回路は、前記第1のクロック周波数をf1とし、前記第2のクロック周波数をf2とした場合に、Δt=|f1−f2|/(f1×f2)となる分解能Δtで、時間をデジタル値に変換してもよい。
このようにすれば、例えば第1、第2のクロック周波数の周波数差を小さくしたり、第1、第2のクロック周波数を高い周波数にすることで、分解能を小さくできるようになり、時間デジタル変換の高性能化を実現できる。
また本発明の一態様では、前記時間デジタル変換回路は、第1の信号と第2の信号の遷移タイミングの時間差をデジタル値に変換してもよい。
このようにすれば、第1、第2の信号の遷移タイミングの時間差を、第1、第2の発振子により生成された第1、第2のクロック信号を用いて、高精度でデジタル値に変換できるようになる。
また本発明の一態様では、前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の位相同期タイミングの後、第1のクロックサイクル〜第iのクロックサイクルでの前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の遷移タイミングの時間差であるクロック間時間差が、Δt〜i×Δt(Δtは分解能、iは2以上の整数)である場合に、前記時間デジタル変換回路は、前記第1の信号と前記第2の信号の前記時間差が、前記クロック間時間差であるΔt〜i×Δtのいずれに対応するのかを特定することで、前記デジタル値を求めてもよい。
このようにすれば、位相同期タイミング後、例えばΔtずつ増えて行くクロック間時間差を有効利用して、第1、第2の信号の時間差をデジタル値に変換できるようになる。
また本発明の一態様では、第3の発振子を含み、前記集積回路装置は、前記第3の発振子を発振させて基準クロック信号を生成する第3の発振回路と、前記第1のクロック信号と前記基準クロック信号との位相同期を行う第1のPLL回路と、前記第2のクロック信号と前記基準クロック信号との位相同期を行う第2のPLL回路と、を含んでもよい。
このように第1、第2のPLL回路を用いて位相同期を行うことで、1つのPLL回路により第1、第2のクロック信号の位相同期を行う場合に比べて、位相同期の頻度を高めることが可能になり、第1、第2のクロック信号を用いた時間デジタル変換の高性能化を実現できるようになる。
また本発明の一態様では、前記集積回路装置は、前記第1のクロック信号を前記時間デジタル変換回路に供給する第1の信号線と、前記第2のクロック信号を前記時間デジタル変換回路に供給する第2の信号線と、を含み、前記第1の信号線と前記第2の信号線の間にシールド線が配線されてもよい。
このようにすれば、第1、第2のクロック信号の一方のクロック信号のクロックノイズ等が他方のクロック信号に与える悪影響をシールド線により低減でき、第1、第2のクロック信号を用いた時間デジタル変換の高性能化を実現できるようになる。
また本発明の一態様では、前記集積回路装置は、第1のシールド線と第2のシールド線とを含み、前記第1の信号線は、前記第1のシールド線と前記シールド線との間に配線され、前記第2の信号線は、前記第2のシールド線と前記シールド線との間に配線されてもよい。
このようにすれば、クロックノイズ以外のノイズが第1のクロック信号に与える悪影響については第1のシールド線により低減でき、クロックノイズ以外のノイズが第2のクロック信号に与える悪影響については第2のシールド線により低減できるため、時間デジタル変換の高性能化を図れる。
また本発明の一態様では、前記処理回路は、前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報に基づいて、周波数補正処理を行う周波数補正部を含んでもよい。
このようにすれば、第1、第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を利用した高精度の周波数補正処理を実現できるようになる。
また本発明の一態様では、前記周波数補正部は、前記周波数差情報又は前記周波数比較情報に基づいて、発振周波数の温度特性の補償処理を行ってもよい。
このようにすれば、第1、第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を利用して、温度変動による発振周波数の変動を抑制できるようになる。
また本発明の他の態様は、上記の振動デバイスを含む電子機器に関係する。
また本発明の他の態様は、上記の振動デバイスを含む移動体に関係する。
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
1.振動デバイス
図1、図2に本実施形態の振動デバイス50の構成例を示す。図1は、振動デバイス50を上側から見た平面図であり、図2は斜め上側から見た斜視図である。振動デバイス50は、発振子XTAL1、XTAL2(第1、第2の発振子)と集積回路装置10を含む。また発振子XTAL3(第3の発振子)を更に含むことができる。なお図1、図2は振動デバイス50に3つの発振子が設けられる構成例であるが、本実施形態はこれに限定されず、振動子の個数は2つでもよいし、4つ以上であってもよい。
図1、図2に本実施形態の振動デバイス50の構成例を示す。図1は、振動デバイス50を上側から見た平面図であり、図2は斜め上側から見た斜視図である。振動デバイス50は、発振子XTAL1、XTAL2(第1、第2の発振子)と集積回路装置10を含む。また発振子XTAL3(第3の発振子)を更に含むことができる。なお図1、図2は振動デバイス50に3つの発振子が設けられる構成例であるが、本実施形態はこれに限定されず、振動子の個数は2つでもよいし、4つ以上であってもよい。
本実施形態では、集積回路装置10から発振子XTAL1〜XTAL3へと向かう方向を上方向として、その反対方向を下方向としている。例えば振動デバイス50のパッケージ52の蓋部側が上方向側であり、底部側が下方向側である。図1、図2において方向DR3(第3の方向)は下方向であり、振動デバイス50が有する集積回路装置10(半導体チップ)の基板(半導体基板)に直交(交差)する方向である。方向DR1、DR2(第1、第2の方向)は方向DR3に直交する方向であり、方向DR1とDR2は互いに直交する。方向DR1は振動デバイス50のパッケージ52の第1の辺に沿った方向であり、方向DR2はパッケージ52の第1の辺に直交する第2の辺に沿った方向である。
振動デバイス50はパッケージ52を有し、パッケージ52は、箱状のベース部53と枠部54(囲繞部)を有する。枠部54の上面には不図示の蓋部が接合される。パッケージ52のベース部53には凹部が設けられ、凹部により形成される収容空間Sに、発振子XTAL1〜XTAL3と集積回路装置10が、蓋部により気密封止されて収容される。
パッケージ52の枠部54の内側周縁部には、段差部60、63、66が設けられる。ベース部53の凹部は、内底面と段差部60、63、66の二段構造(ロフト構造)となっており、内底面に集積回路装置10が実装される。段差部60、63、66の各々には、電極61、64、67などの複数の電極が形成されている。電極61、64、67は、ボンディングワイヤー62、65、68を介して集積回路装置10の対応する端子(パッド)に電気的に接続される。電極61、64、67は、パッケージ52の内部配線等を介して、パッケージ52の外底面(外側底面)に設けられた外部接続端子に電気的に接続される。これにより集積回路装置10の端子が対応する外部接続端子に電気的に接続されるようになる。
発振子XTAL1、XTAL2、XTAL3は、例えば水晶振動片などの振動片(圧電振動片)により実現される。例えばカット角がATカットやSCカットなどの厚みすべり振動する水晶振動片などにより実現される。但し本実施形態の発振子XTAL1、XTAL2、XTAL3は、これに限定されず、例えば厚みすべり振動型以外の振動片や、水晶以外の材料で形成された圧電振動片などの種々の振動片により実現できる。
発振子XTAL1は、基板PS1(圧電基板)と上部電極EU1(広義には他方側電極)と下部電極ED1(広義には一方側電極。不図示)を有する。基板PS1は水晶などの圧電材料で形成された平板状の基板である。上部電極EU1(表面電極)は基板PS1の上面(第1の主面)に形成され、下部電極ED1(裏面電極)は基板PS1の下面(第2の主面)に形成される。上部電極EU1は、矩形状(略矩形状)の励振電極XU1と、矩形状(略矩形状)の端子電極TU1と、励振電極XU1と端子電極TU1を接続する接続電極を有する。下部電極ED1も、不図示の励振電極XD1と端子電極TD1と接続電極を有する。上部電極EU1の励振電極XU1は、下部電極ED1の励振電極XD1と基板PS1を挟んで対向するように設けられる。上部電極EU1の端子電極TU1は、下部電極ED1の端子電極TD1と基板PS1を挟んで対向するように設けられる。そして励振電極XU1、XD1間に電圧が印加されることで、厚みすべりによる振動が実現される。この場合、励振電極XU1、XD1での基板PS1の肉厚(方向DR3での厚さ)が薄くなった構造を採用できる。このように本実施形態の発振子XTAL1は、励振電極XU1、XD1のみならず、端子電極TU1、TD1や接続電極も基板PS1に密着(積層、蒸着)して形成された構造となっている。
発振子XTAL2は、基板PS2と上部電極EU2(他方側電極)と下部電極ED2(一方側電極)を有する。上部電極EU2は、励振電極XU2と端子電極TU2と接続電極を有する。下部電極ED2は、励振電極XD2と端子電極TD2と接続電極を有する。発振子XTAL3は、基板PS3と上部電極EU3(他方側電極)と下部電極ED3(一方側電極)を有する。上部電極EU3は、励振電極XU3と端子電極TU3と接続電極を有する。下部電極ED3は、励振電極XD3と端子電極TD3と接続電極を有する。これらの発振子XTAL2、XTAL3の電極等の構造は発振子XTAL1と同様であるため、詳細な説明は省略する。なお一方側電極である下部電極ED1、ED2、ED3は、例えば第3の方向側(集積回路装置側)の電極であり、他方側電極である上部電極EU1、EU2、EU3は、例えば第3の方向(DR3)と反対方向の第4の方向側の電極である。
図3に本実施形態の集積回路装置10や集積回路装置10を含む振動デバイス50の構成例を示す。なお集積回路装置10、振動デバイス50は図3の構成に限定されず、これらの一部の構成要素(例えば発振子XTAL3、発振回路103、処理回路12)を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。振動デバイス50は集積回路装置10と発振子XTAL1、XTAL2、XTAL3を含む。集積回路装置10は、発振子XTAL1、XTAL2を発振させる発振回路101、102(第1、第2の発振回路)と、発振回路101に接続される端子P1、P2(第1、第2の端子)と、発振回路102に接続される端子P3、P4(第3、第4の端子)を含む。また集積回路装置10は、発振子XTAL3を発振させる発振回路103(第3の発振回路)と、発振回路103に接続される端子P5、P6(第5、第6の端子)を含むことができる。また集積回路装置10は処理回路12を含むことができる。なお発振子XTAL3を設けない変形実施も可能であり、この場合には発振回路103、端子P5、P6の構成を省略できる。
端子P1〜P6は集積回路装置10の外部端子であり、例えばパッドと呼ばれる端子である。発振回路101、102、103の回路構成としては後述の図14、図15に示す構成等を採用できる。この場合に端子P1、P3、P5は、各々、発振回路101、102、103の出力側(ドレイン側、コレクター側)と入力側(ゲート側、ベース側)の一方に接続され、端子P2、P4、P6は、出力側と入力側の他方に接続される。
発振回路101、102は、各々、発振子XTAL1、XTAL2を用いた発振動作により、クロック周波数f1、f2(第1、第2のクロック周波数)のクロック信号CK1、CK2(第1、第2のクロック信号)を生成する。発振回路103は、発振子XTAL3を用いた発振動作により、クロック周波数fr(第3のクロック周波数、基準クロック周波数)のクロック信号CKR(第3のクロック信号、基準クロック信号)を生成する。クロック周波数f1、f2、frは例えば互いに異なった周波数となっている。発振子XTAL1〜XTAL3は検出電極を有さず、発振回路101〜103は、検出電極からの検出信号によるフィードバック制御を行うことなく発振子XTAL1〜XTAL3を発振させる回路である。処理回路12は、発振子XTAL1、XTAL2を用いて生成されたクロック信号CK1、CK2に基づいて処理を行う。
そして本実施形態の振動デバイス50では、発振子XTAL1、XTAL2を発振させいる発振回路101、102と処理回路12が、集積回路装置10に設けられる。そして処理回路12は、発振子XTAL1を発振させることにより生成されたクロック信号CK1と発振子XTAL2を発振させることにより生成されたクロック信号CK2の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて、処理を行う。例えばクロック信号CK1、CK2の周波数差や周波数比較の情報を用いて、後述するように、発振信号の発振周波数又は位相の制御処理、時間デジタル変換処理、或いは周波数補正処理などの種々の処理を行う。このようにすれば、発振子XTAL1、XTAL2を用いて生成された高精度のクロック信号CK1、CK2の周波数差や周波数比較の情報を用いて処理を行うことができるため、処理回路12の処理の高性能化等を図れる。そして本実施形態では、図4に示すように、発振子XTAL1は、支持部SM1(第1の支持部)により集積回路装置10に支持され、発振子XTAL2は、支持部SM2(第2の支持部)により集積回路装置10に支持される。従って、処理回路12の処理の高性能化等を図りながら、発振子XTAL1、XTAL2と集積回路装置10をパッケージ52内にコンパクトに収容可能な小型の振動デバイス50を実現できるようになる。即ち本実施形態では図4に示すように、集積回路装置10の直上に、発振子XTAL1、XTAL2を支持部SM1、SM2により支持して搭載できる。例えば図4の側面視において、集積回路装置10と発振子XTAL1、XTAL2とが平行に配置され、且つ、お互いの主面が対向するように実装できる。また支持部SM1、SM2の高さを低くすることで、集積回路装置10の主面と発振子XTAL1、XTAL2の主面の間の距離も短くできる。従って、集積回路装置10の上方の空間を有効利用して、発振子XTAL1、XTAL2を支持部SM1、SM2により支持して実装できるようになり、小型の振動デバイス50の実現が可能になる。なお発振子XTAL3についても支持部により支持して集積回路装置10上に実装できる。
また図3に示すように集積回路装置10は、発振回路101に接続される端子P1、P2と、発振回路102に接続される端子P3、P4を含む。この場合に図4に示すように支持部SM1は、集積回路装置10の端子P1と発振子XTAL1の下部電極ED1の端子電極TD1とを電気的に接続する支持部であることが望ましい。また支持部SM2は、集積回路装置10の端子P3と発振子XTAL2の下部電極ED2の端子電極TD2とを電気的に接続する支持部であることが望ましい。このようにすれば、発振子XTAL1を集積回路装置10により支持するための支持部SM1を有効活用して、集積回路装置10の発振回路101に接続される端子P1を、発振子XTAL1の下部電極ED1の端子電極TD1に電気的に接続できるようになる。また発振子XTAL2を集積回路装置10により支持するための支持部SM2を有効活用して、集積回路装置10の発振回路102に接続される端子P3を、発振子XTAL2の下部電極ED2の端子電極TD2に電気的に接続できるようになる。
一例としては、本実施形態の振動デバイス50では、後述の図5で説明するように、集積回路装置10の端子P1と発振子XTAL1の下部電極ED1(TD1)とがバンプ接続され、集積回路装置10の端子P3と発振子XTAL2の下部電極ED2(TD2)とがバンプ接続される。例えば金属バンプ等の導電性のバンプ(図5のBMP)を用いて、発振回路101に接続される端子P1と、発振子XTAL1の下部電極ED1とが電気的に接続される。またバンプを用いて、発振回路102に接続される端子P3と、発振子XTAL2の下部電極ED2とが電気的に接続される。即ち、図4の支持部SM1、SM2が、端子P1、P3と下部電極ED1、ED2を電気的に接続するバンプを利用して実現される。ここでバンプは、端子上に形成された突起状の接続電極である。バンプ接続は、例えば端子同士を向かい合わせて金属突起(導電性突起)であるバンプを介して接続する手法である。バンプ接続は、ワイヤーボンディング接続に比べて、接続長を短くできるなどの利点がある。
なおバンプは、樹脂により形成されたバンプのコアを金属でメッキすることで構成される樹脂コアバンプなどであってもよい。また図4の支持部SM1、SM2は、バンプ以外の支持部により実現してもよい。例えば集積回路装置10の端子P1、P2の場所とは異なる場所に設けられた支持部SM1、SM2を用いて、集積回路装置10の上方に発振子XTAL1、XTAL2を支持するようにしてもよい。或いは、集積回路装置10の端子P1、P2の場所に、通常のバンプとは形状及び材質の少なくとも一方が異なる導電性の部材を形成し、当該導電性の部材を支持部SM1、SM2として、発振子XTAL1、XTAL2を集積回路装置10の上方に支持するようにしてもよい。このように支持部SM1、SM2の配置や構成については種々の変形実施が可能である。
なお本実施形態では図1に示すように、集積回路装置10の基板に直交(交差)する方向(方向DR3)での平面視(上側から見た平面視)において、発振子XTAL1と発振回路101とが少なくとも一部において重なり、発振子XTAL2と発振回路102とが少なくとも一部において重なっている。例えば図1では、発振子XTAL1と発振回路101とが全領域で重なっており、発振子XTAL2と発振回路102とが全領域において重なっている。また当該平面視において、発振子XTAL3と発振回路103が一部において重なっている。なおこの場合の発振回路101、102、103は、後述の図14、図15のようなバッファー回路や抵抗、キャパシターなどの回路素子に加えて、発振回路用の電源を供給する電源回路(レギュレーター)などを含むことができる。
図5はバンプ接続の詳細例を示す断面図である。図5に示すように、集積回路装置10の端子PD(P1、P3、P5)と発振子XTAL(XTAL1、XTAL2、XTAL3)の下部電極ED(ED1、ED2、ED3)とが、バンプBMPを介して電気的に接続される。具体的には集積回路装置10のパシベーション膜PASに、端子PDを露出するための開口(パッド開口)が形成されている。そして端子PDに対して、Ni/Pd/Auなどの多層のメッキMPLが形成され、その上にバンプBMP(Auバンプ)が形成される。このように端子PDとバンプBMPの間にメッキMPLを形成することで、接続強度を向上できる。そして端子PD上に形成されたバンプBMPは、発振子XTALの下部電極EDの端子電極TD(TD1、TD2、TD3)に接続される。また端子電極TDの上方の上部電極EU(EU1、EU2、EU3)の端子電極TU(TU1、TU2、TU3)に対して、ボンディングワイヤーWR(WR1、WR2、WR3)の一端が接続され、ボンディングワイヤーWRの他端が、集積回路装置10の端子PU(P2、P4、P6)に接続される。例えば図1、図2に示すように、ボンディングワイヤーWR1、WR2は、各々、集積回路装置10の発振回路101、102の端子P2、P4に接続される。ボンディングワイヤーWR3は、発振回路103の端子P6に接続される。このようにすることで、図3の発振回路101の端子P1、P2を、各々、発振子XTAL1の上部電極EU1(TU1)、下部電極ED1(TD1)に接続し、発振回路102の端子P3、P4を、各々、発振子XTAL2の上部電極EU2(TU2)、下部電極ED2(TD2)に接続できる。また発振回路103の端子P5、P6を、各々、発振子XTAL3の上部電極EU3(TU3)、下部電極ED3(TD3)に接続できる。
なお本実施形態では図5に示すように、適宜に、XTAL1〜XTAL3をXTAL、EU1〜EU3をEU、ED1〜ED3をED、TU1〜TU3をTU、TD1〜TD3をTD、WR1〜WR3をWR、P1、P3、P5をPD、P2、P4、P6をPU、発振回路101〜103を発振回路100と記載して説明する。
図6は集積回路装置10のレイアウト配置例を示す図である。図6では集積回路装置10の辺SD1(第1の辺)から対向する辺SD2(第2の辺)に向かう方向をDR1し、辺SD1、SD2に交差(直交)する辺SD3(第3の辺)から対向する辺SD4(第4の辺)に向かう方向をDR2とする。処理回路12は、図3の制御部14(同期化回路)としてのPLL回路120、130と時間デジタル変換回路20を含む。これにより後述の図12の回路構成を実現できる。時間デジタル変換回路20は辺SD1の方向DR1側に設けられ、時間デジタル変換回路20の方向DR1側にPLL回路120、130が設けられる。辺SD3とPLL回路120、130の間に発振回路101が設けられ、辺SD4とPLL回路120、130の間に発振回路102の間に設けられる。発振回路103はPLL回路120、130の方向DR1側に設けられる。端子P1、P2は発振回路101に対応する場所(近傍)に設けられ、端子P3、P4は発振回路102に対応する場所に設けられ、端子P5、P6は発振回路103に対応する場所に設けられる。バンプ接続が行われる端子P1、P3、P5は、ワイヤーボンディング接続が行われる端子P2、P4、P6よりも面積が大きく、2倍程度の面積になっている。このように端子P1、P3、P5の面積を大きくすることで、バンプ接続の接続強度の向上や寄生抵抗の低減を図れる。またバンプ接続部分を支持部として発振子の適切な一点支持等を実現できるようになる。
以上の本実施形態の振動デバイス50によれば、発振子XTAL1、XTAL2等を支持部(SM1、SM2等)により支持して集積回路装置10上に実装することが可能になる。具体的には、集積回路装置10の端子P1〜P3に対して発振子XTAL1〜XTAL3の下部電極ED1〜ED3をバンプ接続することなどで、このような支持部による支持を実現できる。これにより、図1、図2に示すように、集積回路装置10の直上に複数の発振子XTAL1〜XTAL3を実装できるようになり、複数の発振子XTAL1〜XTAL3と集積回路装置10をパッケージ52内にコンパクトに収容可能な小型の振動デバイス50を実現できる。ここで直上に実装とは、例えば集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3の間に部材や素子を介することなく、集積回路装置10上に発振子XTAL1〜XTAL3を実装することである。例えば側面視(方向DR1)において集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3とが平行(略平行)になり、集積回路装置10の主面と発振子XTAL1〜XTAL3の主面とが対向するように配置される。集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3の主面間の距離は短く、バンプBMPの高さに対応する距離になる。
例えば従来では、パッケージの実装部分の面積や配線が要因となって、複数の発振子が搭載された小型の振動デバイスを実現することが困難であった。これに対して本実施形態では、バンプ接続の部分を支持部として、集積回路装置10の直上に複数の発振子XTAL1〜XTAL3を配置できる。例えば図1に示すように平面視において集積回路装置10に対して複数の発振子XTAL1〜XTAL3が重なるような実装が可能になる。従って、パッケージ52の限られた収容空間Sを有効活用して、集積回路装置10及び発振子XTAL〜XTAL3を搭載できるようになり、発振子XTAL〜XTAL3が1つのパッケージ52内にコンパクトに収容された振動デバイス50を実現できる。
また本実施形態では図1に示すように、集積回路装置10の発振回路101〜103の各々と発振子XTAL1〜XTAL3の各々とが、平面視において重なるように配置される。これにより発振回路101〜103と発振子XTAL1〜XTAL3をショートパスの接続経路で接続できるため、当該接続経路での余分な寄生抵抗や寄生容量を低減できる。従ってこれらの寄生抵抗や寄生容量を原因とする性能の劣化を防止でき、高精度な発振器等の実現が可能になる。
また本実施形態では、集積回路装置10の端子P2と発振子XTAL1の上部電極EU1との間、及び、集積回路装置10の端子P4と発振子XTAL2の上部電極EU2との間の少なくとも一方が、ボンディングワイヤーにより接続される。例えば図1、図2では、集積回路装置10の端子P2と発振子XTAL1の上部電極EU1との間が、ボンディングワイヤーWR1により接続され、集積回路装置10の端子P4と発振子XTAL2の上部電極EU2との間が、ボンディングワイヤーWR2により接続されている。また集積回路装置10の端子P6と発振子XTAL3の上部電極EU3との間が、ボンディングワイヤーWR3により接続されている。
このように本実施形態では、集積回路装置10の端子PD(P1、P3、P5)と発振子XTAL(XTAL1〜XTAL3)の下部電極ED(ED1〜ED3)をバンプ接続し、端子PU(P2、P4、P6)と上部電極EU(EU1〜EU3)をワイヤーボンディング接続している。このようにすれば、集積回路装置10の端子PD、PU間に発振回路100(101〜103)を接続し、発振子XTALの下部電極EDと上部電極EUの間に電圧を印加して、発振子XTALの厚みすべり振動等を実現できるようになる。そして発振回路100と発振子XTALは平面視において重なるように配置されるため、ボンディングワイヤーWR(WR1〜WR3)の長さも短くでき、不要な寄生抵抗や寄生容量を低減できるようになる。
また本実施形態では図1、図2に示すように、集積回路装置10の端子P2と発振子XTAL1の上部電極EU1の端子電極TU1とが、ボンディングワイヤーWR1により接続される。そして発振子XTAL1の上部電極EU1の端子電極TU1及び下部電極ED1の端子電極TD1と、集積回路装置10の端子P1とが、平面視において重なる(少なくとも一部において重なる)。即ち図5に示すようにバンプ接続の場所(BMPの位置)の直上においてワイヤーボンディング接続が行われる。このようにすれば、発振子XTAL1をバンプ接続の場所で一点支持して、集積回路装置10の直上に実装できるようになる。例えばバンプ接続の場所を固定端として、発振子XTAL1を振動させることが可能になる。例えば発振子XTAL1が2点支持されると、発振子XTAL1と集積回路装置10の熱膨張率の違い等に起因する熱応力が加わってしまい、発振子XTAL1や集積回路装置10の特性に悪影響を与えるおそれがある。この点、図5に示すように、発振子XTAL1をバンプ接続の場所で一点支持して実装するようにすれば、このような熱応力の発生を抑制でき、熱応力を原因とする特性悪化等を低減できるようになる。
また本実施形態では、集積回路装置10の端子P4と発振子XTAL2の端子電極TU2とが、ボンディングワイヤーWR2により接続され、端子電極TU2及びTD2と、集積回路装置10の端子P3とが、平面視において重なる。同様に集積回路装置10の端子P6と発振子XTAL3の端子電極TU3とが、ボンディングワイヤーWR3により接続され、端子電極TU3及びTD3と、集積回路装置10の端子P5とが、平面視において重なる。このようにすれば、発振子XTAL2、XTAL3についても、バンプ接続の場所で一点支持して、集積回路装置10の直上に実装できるようになる。従って、2点支持を行う場合に比べて、熱応力を原因とする特性悪化等を低減できるようになる。
なお、以上では、集積回路装置10の一方の端子PDを発振子XTALの下部電極EDにバンプ接続し、他方の端子PUを上部電極EUに接続する場合について説明したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば集積回路装置10の端子PD、PUの両方を、発振子XTALの下部電極EDにバンプ接続するようにしてもよい。具体的には集積回路装置10の端子P2と発振子XTAL1の下部電極ED1との間、及び、端子P4と発振子XTAL2の下部電極ED2との間の少なくとも一方を、バンプ接続する。或いは端子P6と発振子XTAL3の下部電極ED3との間を、バンプ接続する。このようにすれば、集積回路装置10の端子PD、PUの2つのバンプ接続の場所で、発振子XTALを2点支持して実装できるようになる。従ってワイヤーボンディング接続の工程を省略できると共にボンディングワイヤーの寄生抵抗や寄生容量を原因とする性能の劣化を防止できるようになる。
なお端子PD、PUの両方をバンプ接続する場合には、端子PD、PU間の距離を短くし、端子PD、PUのバンプ接続場所で2点支持されることによる熱応力の悪影響を低減することが望ましい。例えば端子PD、PUを発振回路100の近傍に配置して、端子PD、PU間の距離を極力短くする。
また本実施形態の振動デバイス50は発振子XTAL1、XTAL2に加えて発振子XTAL3を含み、集積回路装置10は、発振子XTAL3を振動させる発振回路103と端子P5、P6を含む。そして集積回路装置10の端子P5と発振子XTAL3の下部電極ED3がバンプ接続される。これにより3つの発振子XTAL1〜XTAL3をバンプ接続の場所で支持して集積回路装置10上に実装できるようになる。この場合に図1に示すように発振子XTAL1、XTAL2は、平面視における長手方向が方向DR1となるように配置される。即ち長手方向が方向DR1に沿うように発振子XTAL1、XTAL2が集積回路装置10上に実装される。そして発振子XTAL3は、平面視における長手方向が方向DR1と交差(直交)する方向DR2となるように配置される。例えば図1において発振子XTAL1、XTAL2は縦方向が長手方向になるように配置される一方で、発振子XTAL3は横方向が長手方向になるように配置される。このようにすれば、3つの発振子XTAL1〜XTAL3を、矩形状の集積回路装置10上に効率的に搭載して配置できるようになる。従って、小型のパッケージ52に3つの発振子XTAL1〜XTAL3を効率的に収容した振動デバイス50を実現できる。また振動デバイス50内に3つの発振子XTAL1〜XTAL3を設けることで、これらの3つの発振子XTAL1〜XTAL3により生成された3つのクロック信号を用いた各種の処理を実現することが可能になる。
また本実施形態では図1、図2に示すように、集積回路装置10の端子P2と、端子P2に接続される発振子XTAL1の上部電極EU1の端子電極TU1とが、平面視において、発振子XTAL1の複数の辺のうち端子P2に最も近い辺SDAを挟んで配置される。また端子P4と、端子P4に接続される発振子XTAL2の端子電極TU2とが、平面視において、発振子XTAL2の複数の辺のうち端子P4に最も近い辺SDBを挟んで配置される。同様に端子P6と発振子XTAL3の端子電極TU3とが、平面視において、発振子XTAL3の複数の辺のうち端子P6に最も近い辺SDCを挟んで配置される。
このように、最も近い辺SDA、SDB、SDCを挟んで、各々、端子P2と端子電極TU1、端子P4と端子電極TU2、端子P6と端子電極TU3を配置すれば、ボンディングワイヤーWR1、WR2、WR3の長さを短くできる。従って、ボンディングワイヤーWR1、WR2、WR3の寄生抵抗や寄生容量を原因とする発振特性等の特性の劣化を抑制することが可能になる。
なお、集積回路装置10(半導体チップ)は複数の金属層を有し、最上層(発振子XTAL1〜XTAL3に最も近い層)のうち、平面視で発振子XTAL1〜XTAL3と重なる部分の少なくとも一部には、電源電圧又は接地電圧である基準電圧が印加されていてもよい。或いは、端子として用いられる部分以外の最上層(金属層)に、電源電圧又は接地電圧である基準電圧が印加される構成であってもよい。これにより、最上層をシールド層として用いることができ、集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3との干渉を低減できるので、集積回路装置10の動作状態や発振子XTAL1〜XTAL3の発振状態を安定化させることができる。
2.集積回路装置
次に集積回路装置10の詳細について説明する。図3に示すように集積回路装置10は、発振回路101、102と、発振回路101、102により発振子XTAL1、XTAL2を発振させることにより生成されたクロック信号CK1、CK2に基づいて処理を行う処理回路12を含む。また集積回路装置10は発振回路103を含み、処理回路12は、発振回路103により発振子XTAL3を発振させることにより生成されたクロック信号CKR(基準クロック信号)に基づいて処理を行う。具体的には処理回路12は、クロック信号CK1、CK2の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて処理を行う。
次に集積回路装置10の詳細について説明する。図3に示すように集積回路装置10は、発振回路101、102と、発振回路101、102により発振子XTAL1、XTAL2を発振させることにより生成されたクロック信号CK1、CK2に基づいて処理を行う処理回路12を含む。また集積回路装置10は発振回路103を含み、処理回路12は、発振回路103により発振子XTAL3を発振させることにより生成されたクロック信号CKR(基準クロック信号)に基づいて処理を行う。具体的には処理回路12は、クロック信号CK1、CK2の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて処理を行う。
このようにすれば、複数の発振子XTAL1〜XTAL3がパッケージ52内にコンパクトに収容された振動デバイス50を実現しながら、クロック信号CK1、CK2、CKRを用いた各種の処理を実現できる。また本実施形態の配置手法によれば、発振回路101〜103の端子や配線での寄生抵抗や寄生容量を低減できるため、クロック信号の高精度化を実現でき、処理回路12の処理の高性能化等を実現できる。
処理回路12は、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路の発振信号の発振周波数及び位相の少なくとも一方を制御する制御部14を含む。例えば前述の特許文献2の従来技術では、第1、第2の水晶発振器は、何ら制御されることなくフリーランで動作していた。これに対して図3では、制御部14が、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路の動作や設定を制御する。例えば制御部14は、少なくとも一方の発振回路の発振動作等の回路動作を制御したり、発振周波数や位相等の回路定数の設定を制御する。従って、制御部14の制御により、クロック信号CK1、CK2の周波数関係や位相関係を、時間デジタル変換等の処理に適切な周波数関係や位相関係に設定でき、処理回路12の処理の高性能化や簡素化等を実現できる。
具体的には図7では、制御部14は、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路の発振信号OSの発振周波数をfosからfos’に変化させる制御を行っている。例えば制御部14は、クロック信号CK1、CK2が所与の周波数関係になるように発振周波数を変化させる制御を行う。一例としては、クロック信号CK1、CK2が位相同期タイミングで位相同期するように、少なくとも一方の発振回路の発振周波数を制御する。
また図8では制御部14は、少なくとも一方の発振回路の発振信号OSの位相をPHに示すように変化させる制御を行っている。例えば制御部14は、クロック信号CK1、CK2が所与の位相関係になるように位相を変化させる制御を行う。一例としては、クロック信号CK1、CK2が位相同期タイミングで位相同期するように、少なくとも一方の発振回路の位相を制御する。
このように制御部14により発振信号の発振周波数や位相を制御すれば、例えばクロック信号CK1、CK2の周波数関係や位相関係を、処理回路12の時間デジタル変換等の処理に適切な周波数関係や位相関係に設定することが可能になる。従って、適切な周波数関係や位相関係に設定されたクロック信号CK1、CK2を用いて処理回路12の処理を実現できるようになるため、処理の高性能化や簡素化等を図れる。
また制御部14は、クロック信号CK1とCK2とが所与の周波数関係又は所与の位相関係になるように、発振回路101、102の少なくとも一方を制御する。例えば処理回路12の時間デジタル変換等の処理に適切な周波数関係や位相関係になるように少なくとも一方の発振回路を制御する。例えばクロック信号CK1、CK2の周波数差や位相差が所定の周波数差、位相差になるように少なくとも一方の発振回路を制御する。或いは位相同期タイミングでクロック信号CK1、CK2が位相同期するように少なくとも一方の発振回路を制御する。例えば位相同期タイミングでクロック信号CK1、CK2の遷移タイミングが一致(略一致)するように少なくとも一方の発振回路を制御する。
クロック信号CK1、CK2の周波数関係は、クロック周波数f1、f2の周波数差の関係、周波数比の関係、クロック周波数で表される所定の関係式、又は周波数の大小関係などである。クロック信号CK1、CK2の位相関係は、クロック信号CK1、CK2の位相差の関係又は位相の前後関係などである。例えば制御部14は、製造ばらつきや温度変動などの環境変動があった場合にも、クロック信号CK1、CK2の周波数関係(周波数差、大小関係又は周波数比等)や位相関係(位相差又は位相の前後関係等)が所与の関係に保たれるように、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路を制御する。このようにすることで、クロック信号CK1、CK2の周波数関係や位相関係が適切な状態で、時間デジタル変換等の処理を実現でき、処理の高性能化や簡素化等を図れる。
具体的には制御部14は、クロック信号CK1、CK2のクロック周波数をf1、f2とした場合に、N/f1=M/f2となるように、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路を制御する。このようにすれば、処理回路12は、クロック信号CK1、CK2を適切な周波数関係にして時間デジタル変換等の処理を実現できるようになる。
また処理回路12は、クロック信号CK1、CK2に基づいて、時間をデジタル値DQに変換する時間デジタル変換回路20を含む。時間デジタル変換回路20は、クロック信号CK1、CK2を用いて、信号STA(第1の信号。例えばスタート信号)と信号STP(第2の信号。例えばストップ信号)の遷移タイミングの時間差をデジタル値DQに変換する。信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差は、信号STAとSTPのエッジ間(例えば立ち上がりエッジ間又は立ち下がりエッジ間)の時間差である。なお本実施形態では、信号STA、STP(第1、第2の信号)の遷移タイミングの時間差をデジタル値に変換する時間デジタル変換について主に説明するが、これに限定されるものではない。例えば絶対時刻等を測定するための時間デジタル変換であってもよい。
また処理回路12は、クロック信号CK1とCK2の周波数差情報又は周波数比較情報に基づいて、周波数補正処理を行う周波数補正部16を含む。例えば周波数補正部16は、発振子XTAL1、XTAL2を用いて生成されたクロック信号CK1、CK2のクロック周波数f1、f2の周波数差情報又は周波数比較情報により、発振周波数の温度特性の補償処理を行って、高精度の発振器を実現する。例えば発振子XTAL1の発振周波数が、第1の温度特性を有し、発振子XTAL2の発振周波数が、第1の温度特性とは異なる第2の温度特性を有したとする。この場合に処理回路12は、第1の温度特性と第2の温度特性を利用して、発振周波数の温度特性の補正処理を行う。ここで周波数差情報は、クロック周波数f1、f2の周波数差Δf=|f1−f2|を表す情報であり、周波数差Δfそのものであってもよいし、周波数差Δfと等価な情報であってもよい。周波数比較情報は、クロック周波数f1、f2の比較により得られるものであり、例えばクロック周波数f1、f2の比較処理の結果情報であってもよいし、f1、f2の周波数比を表す情報であってもよい。
例えば発振子XTAL1、XTAL2の共振周波数の温度依存性の違いから、温度変化に応じて両者の共振周波数に差が現れる。従って、この周波数差Δfを計測すれば、発振子の温度を測定したのと同等になり、発振周波数の温度特性の補償処理を実現できる。例えば温度変化により周波数差Δfが変化する場合に、所定の温度範囲内で周波数差Δfを計測し、計測された周波数差Δfと補正周波数差cf=ft−f1との関係について、周波数差Δfの所定値毎に集積回路装置10の記憶部(ROM)に記憶しておく。ftは、目標となる出力周波数である。また周波数差Δfは非常に小さな値に設定されている。そして集積回路装置10の動作時に、周波数差Δfを求め、求められた周波数差Δfに対応する補正周波数差cfを記憶部から読み出して、一方の発振子のクロック周波数に加算することで、温度補償された出力周波数ftを得ることができる。なおこのような周波数差情報ではなく、クロック周波数f1、f2の比較処理により得られた周波数比較情報に基づいて、発振周波数の温度特性の補償処理を行ってもよい。
またクロック信号CK1、CK2等を用いて処理回路12が行う処理としては、種々の処理を想定できる。例えば後述するようにクロック周波数f1、f2の周波数差(周期差)を分解能として利用した時間デジタル変換を行ってもよい。また2つの発振子を冗長に持つことによる処理を行ってもよい。例えば一方の発振子に異常が検出された場合に、他方の発振子に切り替えたり、2つの発振子のクロック周波数を監視することで、故障検出を行ってもよい。この場合にはクロック周波数f1、f2の比較処理を行うことで、発振子の切り替えや故障検出の判断処理を実現できる。或いは2つ以上の異なる周波数帯の発振子を振動デバイス50に設けることで、プログラマブル発振器の高周波数帯域化を実現してもよい。また2つ以上の発振子のクロック周波数の多重データを取り、平均化することで、高精度な発振器を実現してもよい。
3.時間デジタル変換
次に時間デジタル変換の詳細例について説明する。図9は、信号STA(スタート信号)と信号STP(ストップ信号)の関係を示す図である。時間デジタル変換回路20は、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFをデジタル値DQに変換する。なお図9では、TDFは信号STAとSTPの立ち上がりの遷移タイミング間(立ち上がりエッジ間)の時間差となっているが、信号STAとSTPの立ち下がりの遷移タイミング間(立ち下がりエッジ間)の時間差であってもよい。本実施形態の振動デバイス50は、発振器のみならず、物理量測定装置に用いることができる。この場合には物理量測定装置である振動デバイス50は、図9に示すように信号STAを用いて照射光(例えばレーザー光)を対象物(例えば車の周囲の物体)に出射する。そして対象物からの反射光の受光により信号STPが生成される。例えば受光信号を波形整形することで信号STPを生成する。このようにすれば、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFをデジタル値DQに変換することで、例えばタイムオブフライト(TOF)の方式で、対象物との距離を物理量として測定でき、例えば車の自動運転やロボットの動作制御などに利用できる。
次に時間デジタル変換の詳細例について説明する。図9は、信号STA(スタート信号)と信号STP(ストップ信号)の関係を示す図である。時間デジタル変換回路20は、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFをデジタル値DQに変換する。なお図9では、TDFは信号STAとSTPの立ち上がりの遷移タイミング間(立ち上がりエッジ間)の時間差となっているが、信号STAとSTPの立ち下がりの遷移タイミング間(立ち下がりエッジ間)の時間差であってもよい。本実施形態の振動デバイス50は、発振器のみならず、物理量測定装置に用いることができる。この場合には物理量測定装置である振動デバイス50は、図9に示すように信号STAを用いて照射光(例えばレーザー光)を対象物(例えば車の周囲の物体)に出射する。そして対象物からの反射光の受光により信号STPが生成される。例えば受光信号を波形整形することで信号STPを生成する。このようにすれば、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFをデジタル値DQに変換することで、例えばタイムオブフライト(TOF)の方式で、対象物との距離を物理量として測定でき、例えば車の自動運転やロボットの動作制御などに利用できる。
或いは物理量測定装置である振動デバイス50は、信号STAを用いて送信音波(例えば超音波)を対象物(例えば生体)に送信する。そして対象物からの受信音波の受信により信号STPが生成される。例えば受信音波を波形整形することで信号STPを生成する。このようにすれば、時間差TDFをデジタル値DQに変換することで、対象物との距離等を測定でき、超音波による生体情報の測定などが可能になる。
なお図9において、信号STAにより送信データを送信し、受信データの受信による信号STPを用いることで、送信データを送信してから受信データを受信するまでの時間を測定してもよい。また本実施形態により測定される物理量は、時間、距離には限定されず、流量、流速、周波数、速度、加速度、角速度又は角加速度等の種々の物理量が考えられる。
図10は、本実施形態の時間デジタル変換手法を説明する信号波形図である。位相同期タイミングTMAにおいて、クロック信号CK1、CK2の位相同期が行われており、クロック信号CK1、CK2の遷移タイミングが一致している。その後、クロック信号CK1、CK2のクロック間時間差TR(位相差)が、Δt、2Δt、3Δt・・・というように、クロックサイクル(CCT)毎にΔtずつ増えて行く。そして次の位相同期タイミングTMBにおいて、例えばクロック信号CK1、CK2の位相同期が行われ、クロック信号CK1、CK2の遷移タイミングが一致している。
本実施形態では、複数の発振子XTAL1、XTAL2を用い、そのクロック周波数差を用いて時間をデジタル値に変換する。即ち時間デジタル変換回路20は、クロック周波数f1、f2の周波数差|f1−f2|に対応する分解能で時間をデジタル値に変換する。例えばノギスの原理を利用して時間をデジタル値に変換する。このようにすれば、周波数差|f1−f2|を用いて、時間デジタル変換の分解能を設定できるようになり、時間デジタル変換の精度や分解能などの性能の向上等が可能になる。具体的には時間デジタル変換の分解能(時間分解能)は、Δt=|1/f1−1/f2|=|f1−f2|/(f1×f2)と表すことができる。そして時間デジタル変換回路20は、Δt=|1/f1−1/f2|=|f1−f2|/(f1×f2)となる分解能Δtで、時間をデジタル値に変換する。分解能はΔt=|f1−f2|/(f1×f2)と表され、周波数差|f1−f2|に対応する分解能となっている。
このようにすればクロック周波数f1、f2の設定により、時間デジタル変換の分解能を設定できるようになる。例えば周波数差|f1−f2|を小さくすることで、分解能Δtを小さくでき、高分解能の時間デジタル変換を実現できる。またクロック周波数f1、f2を高い周波数にすることで、分解能Δtを小さくでき、高分解能の時間デジタル変換を実現できる。そしてクロック信号CK1、CK2を発振子XTAL1、XTAL2を用いて生成すれば、半導体素子の遅延素子を用いる場合に比べて、時間デジタル変換の精度の向上も図れるようになる。特に本実施形態では、発振子XTAL1、XTAL2として水晶振動子を用いているため、製造ばらつきや温度変動等の環境変動に起因するクロック周波数f1、f2の変動を最小限に抑えることができる。従って、分解能Δt=|f1−f2|/(f1×f2)の変動も最小限に抑えることができ、時間デジタル変換の更なる高性能化を実現できる。
図10に示すように、位相同期タイミングTMAとTMBの間の期間TABの長さは、クロック信号CK1のNクロック数に対応する長さになっている。また期間TABの長さは、クロック信号CK2のMクロック数に対応する長さになっている。ここでN、Mは2以上の互いに異なる整数である。図10ではN=17、M=16でありN−M=1になっている。またTAB=N/f1=M/f2の関係が成り立っている。f2=16MHzとし、N=17、M=16に設定すれば、f1=17MHzとなり、N/f1=M/f2の関係式が成り立つ。制御部14は、N/f1=M/f2の関係が成り立つように、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路を制御する。このようにすれば位相同期タイミングTMAでクロック信号CK1、CK2の遷移タイミングが一致した後、クロック間時間差TRが、Δt、2Δt、3Δt・・・というようにΔtずつ増えて行く。そして次の位相同期タイミングTMBでは、クロック信号CK1、CK2の遷移タイミングが一致してクロック間時間差TRが0になる。その後、クロックサイクル毎にクロック間時間差TRがΔtずつ増えて行くようになる。
このように、位相同期タイミングで0になり、その後にΔt(分解能)ずつ増えて行くクロック間時間差TRを作り出すことで、分解能Δtで時間をデジタル値に変換する時間デジタル変換を実現できる。そして、分解能Δtでの時間デジタル変換の処理において、図10に示すように、期間TAB内の各クロックサイクル(CCT)でのクロック間時間差TRを、一意に特定できるため、時間デジタル変換の処理や回路構成の簡素化を図れる。また位相同期タイミングTMA、TMBにおいてクロック信号CK1、CK2の遷移タイミングを一致(略一致)させることで、時間デジタル変換の精度向上等も図れる。
例えば前述の特許文献2の従来手法において、第1、第2の水晶発振器の設計上のクロック周波数の関係として、N/f1=M/f2の関係を成り立たせる手法が考えられる。しかしながら、第1、第2の水晶発振器によるクロック周波数は製造ばらつきや温度変動等の環境変動が原因で変動する。従って設計上においてN/f1=M/f2の関係を成り立たせたとしても、実際の製品ではN/f1=M/f2の関係は成り立たなくなる。従って遷移タイミングにズレ等が生じ、時間デジタル変換の変換精度が低下してしまう。
これに対して本実施形態では、製造ばらつきや環境変動に起因するクロック周波数の変動があった場合にも、制御部14が、クロック信号CK1、CK2が所与の周波数関係又は位相関係になるように、発振回路101、102の少なくとも一方の発振回路を制御する。これにより、製造ばらつきや環境変動に起因する変動が補償されるように、クロック信号CK1、CK2の周波数関係や位相関係が調整される。従って、このような変動があった場合にも、適正な時間デジタル変換の実現が可能になる。また位相同期タイミングTMA、TMBでのクロック信号CK1、CK2の遷移タイミングのズレに起因する変換誤差の低下を防止でき、時間デジタル変換の高性能化を図れるようになる。
このように制御部14は、N/f1=M/f2の関係式が成り立つように発振回路を制御する。また時間デジタル変換の分解能は、Δt=|f1−f2|/(f1×f2)の関係式で表される。従って、下式(1)が成り立つようになる。
Δt=|N−M|/(N×f2)=|N−M|/(M×f1) (1)
このようにすれば、時間デジタル変換に要求される分解能Δtに応じてN、M等を設定して、クロック信号CK1、CK2を生成できるようになる。例えば時間デジタル変換の分解能としてΔt=2ns(ナノセカンド)の分解能が要求され、クロック信号CK2のクロック周波数がf2=100MHzであったとする。この場合には、上式(1)において、N=5、M=4に設定することで、分解能Δt=|5−4|/(5×f2)=2nsでの時間デジタル変換を実現できる。この時、N/f1=M/f2の関係式から、クロック信号CK1のクロック周波数はf1=(N/M)×f2=125MHzになる。また時間デジタル変換の分解能としてΔt=1ps(ピコセカンド)の分解能が要求され、クロック信号CK2のクロック周波数がf2=122.865MHzであったとする。この場合には、上式(1)において、N=8139、M=8138に設定することで、分解能Δt=|8139−8138|/(8139×f2)=1psでの時間デジタル変換を実現できる。この時、N/f1=M/f2の関係式から、クロック信号CK1のクロック周波数はf1=(N/M)×f2=122.880MHzになる。
このようにすれば、時間デジタル変換に要求される分解能Δtに応じてN、M等を設定して、クロック信号CK1、CK2を生成できるようになる。例えば時間デジタル変換の分解能としてΔt=2ns(ナノセカンド)の分解能が要求され、クロック信号CK2のクロック周波数がf2=100MHzであったとする。この場合には、上式(1)において、N=5、M=4に設定することで、分解能Δt=|5−4|/(5×f2)=2nsでの時間デジタル変換を実現できる。この時、N/f1=M/f2の関係式から、クロック信号CK1のクロック周波数はf1=(N/M)×f2=125MHzになる。また時間デジタル変換の分解能としてΔt=1ps(ピコセカンド)の分解能が要求され、クロック信号CK2のクロック周波数がf2=122.865MHzであったとする。この場合には、上式(1)において、N=8139、M=8138に設定することで、分解能Δt=|8139−8138|/(8139×f2)=1psでの時間デジタル変換を実現できる。この時、N/f1=M/f2の関係式から、クロック信号CK1のクロック周波数はf1=(N/M)×f2=122.880MHzになる。
また図10において、位相同期タイミングTMAの後、第1〜第iのクロックサイクル(iは2以上の整数)でのクロック信号CK1、CK2の遷移タイミングの時間差であるクロック間時間差TRは、Δt〜i×Δtとなっている。例えば位相同期タイミングTMAの後、第1のクロックサイクル(CCT=1)ではTR=Δtとなっている。同様に第2〜第15のクロックサイクル(CCT=2〜15)ではTR=2Δt〜15Δtとなっている。即ち、第jのクロックサイクル(1≦j≦i)でのクロック間時間差はTR=j×Δtとなる。
この場合に本実施形態では、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFが、クロック信号CK1、CK2の遷移タイミングのクロック間時間差であるTR=Δt〜i×Δtのいずれに対応するのかを特定することで、TRに対応するデジタル値DQを求める。例えば図10のB1に示すクロックサイクル(CCT=5)ではTR=5Δtとなっている。そして信号STA、STPの時間差TDFはTR=5Δtよりも長く、TDF>TR=5Δtとなっている。B2に示すクロックサイクル(CCT=14)ではTR=14Δtとなっている。そしてTDFはTR=14Δtよりも短く、TDF<TR=14Δtとなっている。B3に示すクロックサイクル(CCT=10)ではTR=10Δtとなっている。そしてTDFはTR=10Δtと等しく(略同一)なっており、TDF=TR=10Δtとなっている。従って、信号STA、STPの時間差TDFはTR=10Δtに対応していると特定される。この結果、時間差TDFに対応するデジタル値DQは、例えばTR=10Δtに対応するデジタル値であると判断できる。このようにすれば、位相同期タイミングTMAの後、Δtずつ増えて行くクロック間時間差TRを利用して、信号STAとSTPの時間差TDFを求める時間デジタル変換を実現できるようになる。
図11は、本実施形態の時間デジタル変換の具体方式の一例である。例えば位相同期タイミングTMA、TMBの間の期間を更新期間TPとする。具体的にはクロック信号CK1、CK2の第1、第2の位相同期タイミングの間の期間が更新期間TP1であり、第2、第3の位相同期タイミングの間の期間が更新期間TP2であり、第3、第4の位相同期タイミングの間の期間が更新期間TP3である。更新期間TP2はTP1の次の更新期間であり、TP3はTP2の次の更新期間である。以降の更新期間も同様である。
この場合に時間デジタル変換回路20は、更新期間TP1では例えば第5のクロックサイクル(第mのクロックサイクル。mは1以上の整数)において信号STAを発生し、発生した信号STAに対応して信号レベルが変化する信号STPを取得する。そして第5のクロックサイクルでの信号STAとSTPの時間差TDFとクロック間時間差TR=5Δtとを比較する処理を行う。ここでは、TDFの方がTR=5Δtよりも長いという比較処理の結果となっている。
更新期間TP1の次の更新期間TP2では、更新期間TP1での比較処理の結果に応じて設定された第14のクロックサイクル(第nのクロックサイクル。nは1以上の整数。mとnは互いに異なる整数)において信号STAを発生し、発生した信号STAに対応して信号レベルが変化する信号STPを取得する。例えば更新期間TP1では、TDFの方がTR=5Δtよりも長いという比較処理の結果となっている。このため、次の更新期間TP2では、TRが、より長くなるクロックサイクルが設定される。例えば更新期間TP1では、TR=5Δtとなる第5のクロックサイクルで信号STAを発生していたが、更新期間TP2では、TR=14Δtとなる第14のクロックサイクルで信号STAを発生する。そして第14のクロックサイクルでのTDFとTR=14Δtとを比較するための処理を行う。ここでは、TDFの方がTR=14Δtよりも短いという比較処理の結果となっている。
更新期間TP2の次の更新期間TP3では、更新期間TP2での比較処理の結果に応じて設定された第10のクロックサイクル(CCT=10)において信号STAを発生する。例えば更新期間TP2では、TDFの方がTR=14Δtよりも短いという比較処理の結果となっているため、TRがより短くなるクロックサイクルが設定されている。例えばTR=10Δtとなる第10のクロックサイクルで信号STAを発生している。そして第10のクロックサイクルでのTDFとTR=10Δtとを比較するための処理を行う。ここでは、TDFとTR=10Δtが同一(略同一)であるという比較処理の結果となっている。従って、時間差TDFに対応するデジタル値DQは、TR=10Δtに対応するデジタル値であると判断される。
このように図11では、前回の更新期間での比較処理の結果がフィードバックされて、今回の更新期間において信号STAを発生させるクロックサイクルが設定され、TDFとTRの比較処理が行われる。このように前回の更新期間での比較処理の結果がフィードバックされることで時間デジタル変換を高速化できる。また測定対象となる時間又は物理量が動的に変化した場合にも、この動的変化に追従した時間デジタル変換を実現できる。
なお本実施形態の時間デジタル変換は種々の変形実施が可能である。例えば時間計測を行う1回の測定期間において信号STAを複数回発生させて、複数回(例えば1000回以上)の位相比較を行うことで、時間差TDFに対応するデジタル値DQを求める手法(繰り返し手法)を採用してもよい。或いは、図11において信号STAを発生するクロックサイクルを指定するクロックサイクル指定値(クロックサイクル指定情報)を集積回路装置10の記憶部(レジスター)に記憶する。そして各更新期間TP1、TP2、TP3・・・での信号STPとクロック信号CK2との位相比較結果に基づいて、記憶部に記憶されるクロックサイクル指定値を順次に更新する処理を行うことで、時間差TDFに対応するデジタル値DQを求める手法(クロックサイクル指定値の更新手法)を採用してもよい。或いは、クロック周波数f1、f2の周波数差に対応する分解能で、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFに対応するデジタル値DQを、バイナリーサーチにより求める手法(バイナリーサーチ手法)を採用してもよい。具体的には、信号STPとクロック信号CK2の位相比較結果に基づくクロックサイクル指定値の更新を、バイナリーサーチにより実現する。或いはバイナリーサーチの手法により、デジタル値DQの探索範囲を絞った後に、その探索範囲に対応する期間において、クロックサイクル指定値の更新手法により、クロックサイクル毎に信号STAを発生して位相比較を行い、最終的なデジタル値DQを求めるようにしてもよい。或いは、信号STAを集積回路装置10の内部で自発的に発生するのではなく、集積回路装置10の外部から入力された信号STAと、発振子XTAL1、XTAL2を用いて生成したクロック信号CK1、CK2とに基づいて、信号STAとSTPの遷移タイミングの時間差TDFに対応するデジタル値DQを求めてもよい。例えば発振回路101、102による発振子XTAL1、XTAL2の発振動作をフリーランで動作させながら、時間デジタル変換を行ってもよい。
4.集積回路装置の詳細な構成例
図12に集積回路装置10の詳細な構成例を示す。図12の集積回路装置10は、クロック信号CK1と基準クロック信号CKRとの位相同期を行うPLL回路120(第1のPLL回路)と、クロック信号CK2と基準クロック信号CKRとの位相同期を行うPLL回路130(第2のPLL回路)を含む。また発振子XTAL3を発振させる発振回路103を含む。具体的にはPLL回路120は、クロック信号CK1と基準クロック信号CKRを第1の位相同期タイミング毎(第1の期間毎)に位相同期させる(遷移タイミングを一致させる)。PLL回路130は、クロック信号CK2と基準クロック信号CKRを第2の位相同期タイミング毎(第2の期間毎)に位相同期させる(遷移タイミングを一致させる)。
図12に集積回路装置10の詳細な構成例を示す。図12の集積回路装置10は、クロック信号CK1と基準クロック信号CKRとの位相同期を行うPLL回路120(第1のPLL回路)と、クロック信号CK2と基準クロック信号CKRとの位相同期を行うPLL回路130(第2のPLL回路)を含む。また発振子XTAL3を発振させる発振回路103を含む。具体的にはPLL回路120は、クロック信号CK1と基準クロック信号CKRを第1の位相同期タイミング毎(第1の期間毎)に位相同期させる(遷移タイミングを一致させる)。PLL回路130は、クロック信号CK2と基準クロック信号CKRを第2の位相同期タイミング毎(第2の期間毎)に位相同期させる(遷移タイミングを一致させる)。
基準クロック信号CKRは、発振子XTAL3を発振回路103により発振させることで生成される。基準クロック信号CKRのクロック周波数frは、クロック信号CK1、CK2のクロック周波数f1、f2とは異なる周波数であり、例えばf1、f2よりも低い周波数である。発振子XTAL3として水晶振動子を用いることで、ジッターや位相誤差が小さい高精度の基準クロック信号CKRを生成でき、結果的にクロック信号CK1、CK2のジッターや位相誤差も低減でき、時間デジタル変換の高精度化等を図れる。
このように図12の構成例では、PLL回路120によりクロック信号CK1と基準クロック信号CKRが位相同期され、PLL回路130によりクロック信号CK2と基準クロック信号CKRが位相同期される。これによりクロック信号CK1、CK2が位相同期するようになる。
具体的にはPLL回路120は、分周回路122、124と、位相検出器126を含む。分周回路122は、CK1のクロック周波数f1を1/N1にする分周を行って、クロック周波数がf1/N1となる分周クロック信号DCK1を出力する。分周回路124は、CKRのクロック周波数frを1/M1にする分周を行って、クロック周波数がfr/M1となる分周クロック信号DCK2を出力する。そして位相検出器126は、DCK1とDCK2の位相比較を行い、アップ/ダウン信号である信号PQ1をチャージポンプ回路128に出力する。そして発振回路101(VCXO)は、チャージポンプ回路128からの制御電圧VC1に基づいて発振周波数が制御される発振子XTAL1の発振動作を行って、クロック信号CK1を生成する。
PLL回路130は、分周回路132、134と、位相検出器136を含む。分周回路132は、CK2のクロック周波数f2を1/N2にする分周を行って、クロック周波数がf2/N2となる分周クロック信号DCK3を出力する。分周回路134は、CKRのクロック周波数frを1/M2にする分周を行って、クロック周波数がfr/M2となる分周クロック信号DCK4を出力する。そして位相検出器136は、DCK3とDCK4の位相比較を行い、アップ/ダウン信号である信号PQ2をチャージポンプ回路138に出力する。そして発振回路102(VCXO)は、チャージポンプ回路138からの制御電圧VC2に基づいて発振周波数が制御される発振子XTAL2の発振動作を行って、クロック信号CK2を生成する。
図13は図12の集積回路装置10の動作を説明する信号波形図である。なお図13では、説明の簡素化のためにN1=4、M1=3、N2=5、M2=4に設定した例を示しているが、実際にはN1、M1、N2、M2は非常に大きな数に設定される。
図13に示すようにCK1をN1=4分周した信号がDCK1となり、CKRをM1=3分周した信号がDCK2となり、期間T12毎に位相同期が行われる。即ちPLL回路120により、T12=N1/f1=M1/frの関係が成り立つように、CK1とCKRの位相同期が行われる。またCK2をN2=5分周した信号がDCK3となり、CKRをM2=4分周した信号がDCK4となり、期間T34毎に位相同期が行われる。即ち、PLL回路130により、T34=N2/f2=M2/frの関係が成り立つように、CK2とCKRの位相同期が行われる。このように期間T12毎にCK1とCKRが位相同期し、期間T34毎にCK2とCKRが位相同期することで、CK1、CK2は期間TAB毎に位相同期されることになる。ここでTAB=T12×M2=T34×M1の関係が成り立つ。例えばM2=4、M1=3の場合にはTAB=T12×4=T34×3になる。
図12の分周回路122、124、132、134の分周比N1、M1、N2、M2は、実際には非常に大きい数に設定される。例えば基準クロック信号CKRのクロック周波数がfr=101MHzの場合に、分周比をN1=101、M1=100に設定することで、PLL回路120によりf1=102.01MHzのクロック信号CK1が生成される。また分周比をN2=102、M2=101に設定することで、PLL回路130によりf2=102MHzのクロック信号CK2が生成される。これにより、時間デジタル変換の分解能をΔt=|1/f1−1/f2|=0.96ps(ピコセカンド)に設定でき、高い分解能の時間デジタル変換を実現できる。
なお、N1とM1は2以上の異なる整数であり、N2とM2も2以上の異なる整数である。またN1、M1の少なくとも1つと、N2、M2の少なくとも1つは異なる整数になっている。また、望ましくは、N1とN2は、最大公約数が1で、最小公倍数がN1×N2になっており、M1とM2は、最大公約数が1で、最小公倍数がM1×M2になっている。また本実施形態では|N1×M2−N2×M1|=1の関係が成り立つようにN1、M1、N2、M2が設定されている。N1=4、M1=3、N2=5、M2=4に設定される図13を例にとれば、|N1×M2−N2×M1|=|4×4−5×3|=1になる。これはCK1の16個分の長さとCK2の15個分の長さが等しいことを意味する。このようにすれば期間TAB毎にCK1とCK2が、1クロックサイクル分(1クロック期間)ずつずれるようになり、ノギスの原理を利用した時間デジタル変換を実現できる。
図12、図13では、期間TABよりも短い期間T12毎にCK1とCKRの位相同期が行われ、期間TABよりも短い期間T34毎にCK2とCKRの位相同期が行われる。従って、1つのPLL回路しか設けない後述の構成例に比べて、位相比較を行う頻度が多くなり、クロック信号CK1、CK2のジッター(累積ジッター)や位相ノイズの低減等を図れる。特に高分解能のΔtを実現するためにN1、M1、N2、M2を大きな数に設定した場合に、1つのPLL回路しか設けない構成例では、期間TABの長さが非常に長くなってしまい、誤差が積算されることでジッターや位相誤差が大きくなってしまう。これに対して図12、図13では期間TABよりも短い期間T12、T34毎に位相比較が行われるため、積算誤差を小さくでき、ジッターや位相誤差を向上できる。
なお図12のPLL回路120、130はアナログ方式の回路構成になっているが、デジタル方式(ADPLL)の回路構成を採用してもよい。この場合には各PLL回路(120、130)は、カウンター及びTDCを有する位相検出器と、デジタル演算部などにより実現できる。カウンターは、基準クロック信号(CKR)のクロック周波数(fr)を、クロック信号(CK1、CK2)のクロック周波数(f1、f2)で除算した結果の整数部に相当するデジタルデータを生成する。TDCは、当該除算結果の小数部に相当するデジタルデータを生成する。これらの整数部と小数部の加算結果に対応するデジタルデータがデジタル演算部に出力される。デジタル演算部は、設定周波数データ(FCW1、FCW2)と位相検出器からの比較結果のデジタルデータに基づいて、設定周波数データとの位相誤差を検出し、位相誤差の平滑化処理を行うことで、周波数制御データを生成して、発振回路(101、102)に出力する。発振回路は、周波数制御データに基づいて発振周波数が制御されて、クロック信号(CK1、CK2)を生成する。
5.発振回路
図14に発振回路100の第1の構成例を示す。ここでは発振回路101、102、103を代表して、発振回路100と記載している。図14の発振回路100は、発振用のバッファー回路BAB、可変容量回路CB1、CB2(キャパシター)、帰還抵抗RBを含む。バッファー回路BABは1又は複数段(奇数段)のインバーター回路により構成でき、図14では3段のインバーター回路IV1、IV2、IV3により構成されている。このバッファー回路BAB(IV1〜IV3)は、発振のイネーブル・ディスエーブルの制御や、流れる電流の制御が可能な回路であってもよい。
図14に発振回路100の第1の構成例を示す。ここでは発振回路101、102、103を代表して、発振回路100と記載している。図14の発振回路100は、発振用のバッファー回路BAB、可変容量回路CB1、CB2(キャパシター)、帰還抵抗RBを含む。バッファー回路BABは1又は複数段(奇数段)のインバーター回路により構成でき、図14では3段のインバーター回路IV1、IV2、IV3により構成されている。このバッファー回路BAB(IV1〜IV3)は、発振のイネーブル・ディスエーブルの制御や、流れる電流の制御が可能な回路であってもよい。
発振子XTALの一端(NB1)、他端(NB2)には、各々、可変容量回路CB1、CB2が設けられている。また発振子XTALの一端と他端の間には、帰還抵抗RBが設けられている。可変容量回路CB1、CB2は、制御電圧VC1、VC2(制御信号)に基づいて、その容量値が制御される。可変容量回路CB1、CB2は、可変容量ダイオード(バラクター)などにより実現される。このように容量値を制御することで、発振回路100の発振周波数を調整することが可能になる。
図15に発振回路100の第2の構成例を示す。この発振回路100は、電流源IBX、バイポーラートランジスターTRX、抵抗RX、キャパシターCX2、CX3、可変容量回路CX1(可変容量キャパシター)を有する。例えば電流源IBX、バイポーラートランジスターTRX、抵抗RX、キャパシターCX3により発振用のバッファー回路BAXが構成される。電流源IBXは、バイポーラートランジスターTRXのコレクターにバイアス電流を供給する。抵抗RXは、バイポーラートランジスターTRXのコレクターとベースの間に設けられる。容量が可変である可変容量回路CX1の一端は、集積回路装置10の発振子用の第1の端子(発振子用パッド)を介して発振子XTALの一端(NX1)に接続される。キャパシターCX2の一端は、集積回路装置10の発振子用の第2の端子(発振子用パッド)を介して発振子XTALの他端(NX2)に接続される。キャパシターCX3は、その一端が発振子XTALの一端に接続され、その他端がバイポーラートランジスターTRXのコレクターに接続される。
バイポーラートランジスターTRXには、発振子XTALの発振により生じたベース・エミッター間電流が流れる。そしてベース・エミッター間電流が増加すると、TRXのコレクター・エミッター間電流が増加し、コレクター電圧VCXが低下する。一方、TRXのベース・エミッター間電流が減少すると、コレクター・エミッター間電流が減少し、コレクター電圧VCXが上昇する。このコレクター電圧VCXはキャパシターCX3を介して発振子XTALの一端にフィードバックされる。即ちキャパシターCX3によりAC成分がカットされて、DC成分がフィードバックされる。このようにバイポーラートランジスターTRX等により構成される発振用のバッファー回路BAXは、ノードNX2の信号の反転信号(位相差が180度の信号)をノードNX1に出力する反転回路(反転増幅回路)として動作する。可変容量ダイオードなどにより構成される可変容量回路CX1の容量値は、制御電圧VCに基づいて制御される。これにより発振回路100の発振周波数の調整が可能になる。
なお発振回路100は図14、図15の構成に限定されず、種々の変形実施が可能である。例えば可変容量回路(CB1、CB2、CX1)の容量値をデジタル値で調整できるようにしてもよい。この場合には可変容量回路は、複数のキャパシター(キャパシターアレイ)と、デジタル値である周波数制御データに基づき各スイッチ素子のオン、オフが制御される複数のスイッチ素子(スイッチアレイ)により構成されることになる。
6.シールド線
次にクロック信号CK1、CK2の信号線でのシールド線の配線手法について説明する。例えば図16に示すように集積回路装置10は、クロック信号CK1を時間デジタル変換回路20に供給する信号線LC1(第1の信号線)と、クロック信号CK2を時間デジタル変換回路20に供給する信号線LC2(第2の信号線)を含む。具体的には、信号線LC1は、例えばPLL回路120(発振回路101)と時間デジタル変換回路20を接続する信号線であり、信号線LC2は、例えばPLL回路130(発振回路102)と時間デジタル変換回路20を接続する信号線である。信号線LC1は、図16において左側に配置されるPLL回路120から、2つのコーナーで屈曲しながら、時間デジタル変換回路20の中央部の信号入力ノードに向かって配線されている。信号線LC2は、右側に配置されるPLL回路130から、2つのコーナーで屈曲しながら、時間デジタル変換回路20の中央部の信号入力ノードに向かって配線されている。
次にクロック信号CK1、CK2の信号線でのシールド線の配線手法について説明する。例えば図16に示すように集積回路装置10は、クロック信号CK1を時間デジタル変換回路20に供給する信号線LC1(第1の信号線)と、クロック信号CK2を時間デジタル変換回路20に供給する信号線LC2(第2の信号線)を含む。具体的には、信号線LC1は、例えばPLL回路120(発振回路101)と時間デジタル変換回路20を接続する信号線であり、信号線LC2は、例えばPLL回路130(発振回路102)と時間デジタル変換回路20を接続する信号線である。信号線LC1は、図16において左側に配置されるPLL回路120から、2つのコーナーで屈曲しながら、時間デジタル変換回路20の中央部の信号入力ノードに向かって配線されている。信号線LC2は、右側に配置されるPLL回路130から、2つのコーナーで屈曲しながら、時間デジタル変換回路20の中央部の信号入力ノードに向かって配線されている。
そして図15では、信号線LC1とLC2の間にシールド線SLが配線される。例えば信号線LC1、LC2は、2つ目のコーナーで屈曲した後、両者の信号線間の距離が近くなっているが、この距離が近くなった場所において、信号線LC1とLC2の間にシールド線SLが配線される。このようにシールド線SLを配線すれば、信号線LC1、LC2により伝達されるクロック信号CK1、CK2間のカップリングを低減できる。従って、例えばクロック信号CK1のクロックノイズがクロック信号CK2に伝達されて与える悪影響や、クロック信号CK2のクロックノイズがクロック信号CK1に伝達されて与える悪影響を、シールド線SLにより低減できる。従って、クロック信号CK1、CK2に発生するジッターノイズ等のノイズを低減でき、時間デジタル変換回路20での時間デジタル変換の高性能化等を実現できる。
また図16に示すように集積回路装置10は、シールド線SL1、SL2(第1、第2のシールド線)を更に含む。そして信号線LC1は、シールド線SL1とシールド線SLとの間に配線され、信号線LC2は、シールド線SL2とシールド線SLとの間に配線される。このようにすれば、信号線LC1の両側にシールド線SL1とSLを配線し、且つ、信号線LC2の両側にもシールド線SL2とSLを配線できるようになる。この場合に、一方のクロック信号のクロックノイズが他方のクロック信号に与える悪影響についてはシールド線SLにより低減できる。そしてクロックノイズ以外のノイズ(外部ノイズ)がクロック信号CK1に与える悪影響についてはシールド線SL1により低減できる。またクロックノイズ以外のノイズがクロック信号CK2に与える悪影響についてはシールド線SL2により低減できる。従って、時間デジタル変換回路20での時間デジタル変換の更なる高性能化等を図れるようになる。
7.変形例
次に本実施形態の種々の変形例について説明する。例えば本実施形態では3つの発振子XTAL1〜XTAL3を設ける場合について主に説明したが、本実施形態はこれに限定されず、発振子の個数は2つであってもよいし、4つ以上であってもよい。例えば図17の本実施形態の第1の変形例では、2つの発振子XTAL1、XTAL2と、1つのPLL回路120が設けられている。
次に本実施形態の種々の変形例について説明する。例えば本実施形態では3つの発振子XTAL1〜XTAL3を設ける場合について主に説明したが、本実施形態はこれに限定されず、発振子の個数は2つであってもよいし、4つ以上であってもよい。例えば図17の本実施形態の第1の変形例では、2つの発振子XTAL1、XTAL2と、1つのPLL回路120が設けられている。
例えばPLL回路120はクロック信号CK1とCK2の位相同期を行う。具体的にはPLL回路120は、CK1、CK2のクロック周波数をf1、f2とした場合に、N/f1=M/f2(N、Mは2以上の異なる整数)となるように、クロック信号CK1、CK2の位相同期を行う。PLL回路120は、分周回路122、124と、位相検出器126を含む。分周回路122は、CK1のクロック周波数f1を1/Nにする分周を行って、クロック周波数がf1/Nとなる分周クロック信号DCK1を出力する。分周回路124は、CK2のクロック周波数f2を1/Mにする分周を行って、クロック周波数がf2/Mとなる分周クロック信号DCK2を出力する。例えば集積回路装置10は発振回路102を含み、この発振回路102は、発振子XTAL2を発振させて、クロック信号CK2を生成し、分周回路124に出力する。そして位相検出器126は、分周クロック信号DCK1と分周クロック信号DCK2の位相比較を行う。このようにすることで、クロック信号CK1、CK2を位相同期タイミング毎に位相同期させることが可能になる。
また本実施形態では、振動デバイス50(集積回路装置10)が時間デジタル変換を行う場合について主に説明したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば図18の第2の変形例は、振動デバイス50がOCXO、TCXO等の温度補償型の発振器である場合の構成例である。この振動デバイス50の集積回路装置10は、周波数制御データ生成部160と、温度補償部164を有する処理回路162と、発振回路101を有する発振信号生成回路166と、発振回路102を有するPLL回路168を含む。
周波数制御データ生成部160は、発振信号OSCKと基準信号RFCKとを比較して周波数制御データDFCIを生成する。例えば発振信号OSCKの周波数をFOS、基準信号RFCKの周波数をFRF、設定周波数に対応する分周数(分周比)をFCWとした場合に、FOS=FCW×FRFの関係が成り立つように周波数制御データDFCIを生成する。処理回路162は、周波数制御データ生成部160からの周波数制御データDFCI(周波数制御コード)に対して、例えば温度補償処理、エージング補正処理などの信号処理を行う。そして信号処理後の周波数制御データDFCQを出力する。発振信号生成回路166は、処理回路162からの周波数制御データDFCQが入力され、周波数制御データDFCQにより設定される発振周波数で発振子XTAL1を発振させて、発振信号OSCKを生成する。この発振信号OSCKの生成は、発振子XTAL1を発振させる発振回路101により行われる。ここで発振子XTAL1は、例えばオーブン型発振器(OCXO)の恒温槽内に設けられる発振子であるが、これに限定されず、恒温槽を備えないタイプのTCXO用の発振子であってもよい。
PLL回路168(クロック信号生成回路)は、発振信号OSCKが入力され、発振信号OSCKに位相同期したクロック信号CK1〜CKENを生成する。例えばPLL回路168は、位相検出器(位相比較器)や、VCXOとして発振子XTAL2を発振させる発振回路102を有し、発振信号OSCKの発振周波数を逓倍した周波数のクロック信号CK1〜CKENを生成する。これらのクロック信号CK1〜CKENは、振動デバイス50である発振器(OCXO)が設けられる機器(基地局等)が使用する各種のクロック信号として出力されることになる。
図17、図18の変形例においても、振動デバイス50には複数の発振子XTAL1、XTAL2が設けられ、これらの発振子XTAL1、XTAL2は、集積回路装置10に対してバンプ接続部分などの支持部により支持されて実装される。このようにすることで、高精度の時間デジタル変換を実現したり、高精度のクロック信号を生成する発振器を実現できるようになる。
8.電子機器、移動体
図19に、本実施形態の振動デバイス50(集積回路装置10)を含む電子機器500の構成例を示す。この電子機器500は、集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3を有する振動デバイス50と、処理部520を含む。また通信部510、操作部530、表示部540、記憶部550、アンテナANTを含むことができる。
図19に、本実施形態の振動デバイス50(集積回路装置10)を含む電子機器500の構成例を示す。この電子機器500は、集積回路装置10と発振子XTAL1〜XTAL3を有する振動デバイス50と、処理部520を含む。また通信部510、操作部530、表示部540、記憶部550、アンテナANTを含むことができる。
電子機器500としては、例えば距離、時間、流速又は流量等の物理量を計測する計測機器、生体情報を測定する生体情報測定機器(超音波測定装置、脈波計、血圧測定装置等)、車載機器(自動運転用の機器等)、基地局又はルーター等のネットワーク関連機器を想定できる。また頭部装着型表示装置や時計関連機器などのウェアラブル機器、ロボット、印刷装置、投影装置、携帯情報端末(スマートフォン等)、コンテンツを配信するコンテンツ提供機器、或いはデジタルカメラ又はビデオカメラ等の映像機器などを想定できる。
通信部510(無線回路)は、アンテナANTを介して外部からデータを受信したり、外部にデータを送信する処理を行う。処理部520(処理回路)は、電子機器500の制御処理や、通信部510を介して送受信されるデータの種々のデジタル処理などを行う。処理部520の機能は、例えばマイクロコンピューターなどのプロセッサーにより実現できる。操作部530は、ユーザーが入力操作を行うためのものであり、操作ボタンやタッチパネルディスプレイをなどにより実現できる。表示部540は、各種の情報を表示するものであり、液晶や有機ELなどのディスプレイにより実現できる。記憶部550は、データを記憶するものであり、その機能はRAMやROMなどの半導体メモリーやHDD(ハードディスクドライブ)などにより実現できる。
図20に、本実施形態の振動デバイス50(集積回路装置10)を含む移動体の例を示す。本実施形態の振動デバイス50(発振器、物理量測定装置)は、例えば、車、飛行機、バイク、自転車、ロボット、或いは船舶等の種々の移動体に組み込むことができる。移動体は、例えばエンジンやモーター等の駆動機構、ハンドルや舵等の操舵機構、各種の電子機器(車載機器)を備えて、地上や空や海上を移動する機器・装置である。図20は移動体の具体例としての自動車206を概略的に示している。自動車206には、本実施形態の振動デバイス50が組み込まれる。制御装置208は、この振動デバイス50により生成されたクロック信号や測定された物理量情報に基づいて種々の制御処理を行う。例えば物理量情報として、自動車206の周囲の物体の距離情報が測定された場合に、制御装置208は、測定された距離情報を用いて自動運転のための種々の制御処理を行う。制御装置208は、例えば車体207の姿勢に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪209のブレーキを制御する。なお本実施形態の振動デバイス50が組み込まれる機器は、このような制御装置208には限定されず、自動車206やロボット等の移動体に設けられる種々の機器に組み込むことができる。
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また本実施形態及び変形例の全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。また振動デバイス、電子機器、移動体の構成・動作や、振動デバイスでの集積回路装置及び発振子の配置構成や接続構成、集積回路装置の回路構成、処理回路の処理等も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。
XTAL、XTAL1〜XTAL3…発振子、PD、PU、P1〜P6…端子、
PS、PS1〜PS3…基板、EU、EU1〜EU3…上部電極、
ED、ED1〜ED3…下部電極、XU1〜XU3、XD1〜XD3…励振電極、
TU、TU1〜TU3、TD、TD1〜TD3…端子電極、SM1、SM2…支持部、
SD1〜SD4、SDA〜SDC…辺、WR、WR1〜WR3…ボンディングワイヤー、
BMP…バンプ、MPL…メッキ、PAS…パシベーション膜、
CK1、CK2、CKR…クロック信号、f1、f2、fr…クロック周波数、
Δt…分解能、STA、STP…信号、DQ…デジタル値、TDF…時間差、
TR…クロック間時間差、TMA、TMB…位相同期タイミング、
TP、TP1〜TP4…更新期間、DCK1〜DCK4…分周クロック信号、
10…集積回路装置、12…処理回路、14…制御部、16…周波数補正部、
20…時間デジタル変換回路、50…振動デバイス、52…パッケージ、
53…ベース、54…枠部、60、63、66…段差部、61、64、67…電極、
62、65、68…ボンディングワイヤー、100、101、102、103…発振回路、
120、130…PLL回路、122、124、132、134…分周回路、
126、136…位相検出器、128、138…チャージポンプ回路、
160…周波数制御データ生成部、162…処理回路、164…温度補償部、
166…発振信号生成回路、168…PLL回路、206…自動車(移動体)、
207…車体、208…制御装置、209…車輪、500…電子機器、510…通信部、
520…処理部、530…操作部、540…表示部、550…記憶部
PS、PS1〜PS3…基板、EU、EU1〜EU3…上部電極、
ED、ED1〜ED3…下部電極、XU1〜XU3、XD1〜XD3…励振電極、
TU、TU1〜TU3、TD、TD1〜TD3…端子電極、SM1、SM2…支持部、
SD1〜SD4、SDA〜SDC…辺、WR、WR1〜WR3…ボンディングワイヤー、
BMP…バンプ、MPL…メッキ、PAS…パシベーション膜、
CK1、CK2、CKR…クロック信号、f1、f2、fr…クロック周波数、
Δt…分解能、STA、STP…信号、DQ…デジタル値、TDF…時間差、
TR…クロック間時間差、TMA、TMB…位相同期タイミング、
TP、TP1〜TP4…更新期間、DCK1〜DCK4…分周クロック信号、
10…集積回路装置、12…処理回路、14…制御部、16…周波数補正部、
20…時間デジタル変換回路、50…振動デバイス、52…パッケージ、
53…ベース、54…枠部、60、63、66…段差部、61、64、67…電極、
62、65、68…ボンディングワイヤー、100、101、102、103…発振回路、
120、130…PLL回路、122、124、132、134…分周回路、
126、136…位相検出器、128、138…チャージポンプ回路、
160…周波数制御データ生成部、162…処理回路、164…温度補償部、
166…発振信号生成回路、168…PLL回路、206…自動車(移動体)、
207…車体、208…制御装置、209…車輪、500…電子機器、510…通信部、
520…処理部、530…操作部、540…表示部、550…記憶部
Claims (15)
- 第1の発振子と、
第2の発振子と、
集積回路装置と、
を含み、
前記集積回路装置は、
前記第1の発振子を発振させる第1の発振回路と、
前記第2の発振子を発振させる第2の発振回路と、
前記第1の発振子を発振させることにより生成された第1のクロック信号と前記第2の発振子を発振させることにより生成された第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報を用いて、処理を行う処理回路と、
を含み、
前記第1の発振子は、第1の支持部により前記集積回路装置に支持され、
前記第2の発振子は、第2の支持部により前記集積回路装置に支持されることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項1に記載の振動デバイスにおいて、
前記集積回路装置は、
前記第1の発振回路に接続される第1の端子と、
前記第1の発振回路に接続される第2の端子と、
を含み、
前記第1の支持部は、前記集積回路装置の前記第1の端子と前記第1の発振子の一方側電極の端子電極とを電気的に接続する支持部であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項2に記載の振動デバイスにおいて、
前記集積回路装置は、
前記第2の発振回路に接続される第3の端子と、
前記第2の発振回路に接続される第4の端子と、
を含み、
前記第2の支持部は、前記集積回路装置の前記第3の端子と前記第2の発振子の一方側電極の端子電極とを電気的に接続する支持部であることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記処理回路は、
前記第1の発振回路及び前記第2の発振回路の少なくとも一方の発振回路の発振信号の発振周波数及び位相の少なくとも一方を制御する制御部を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記処理回路は、
前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号とに基づいて、時間をデジタル値に変換する時間デジタル変換回路を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項5に記載の振動デバイスにおいて、
前記時間デジタル変換回路は、
前記第1のクロック周波数をf1とし、前記第2のクロック周波数をf2とした場合に、Δt=|f1−f2|/(f1×f2)となる分解能Δtで、時間をデジタル値に変換することを特徴とする振動デバイス。 - 請求項5又は6に記載の振動デバイスにおいて、
前記時間デジタル変換回路は、
第1の信号と第2の信号の遷移タイミングの時間差をデジタル値に変換することを特徴とする振動デバイス。 - 請求項7に記載の振動デバイスにおいて、
前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の位相同期タイミングの後、第1のクロックサイクル〜第iのクロックサイクルでの前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の遷移タイミングの時間差であるクロック間時間差が、Δt〜i×Δt(Δtは分解能、iは2以上の整数)である場合に、
前記時間デジタル変換回路は、
前記第1の信号と前記第2の信号の前記時間差が、前記クロック間時間差であるΔt〜i×Δtのいずれに対応するのかを特定することで、前記デジタル値を求めることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項5乃至8のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
第3の発振子を含み、
前記集積回路装置は、
前記第3の発振子を発振させて基準クロック信号を生成する第3の発振回路と、
前記第1のクロック信号と前記基準クロック信号との位相同期を行う第1のPLL回路と、
前記第2のクロック信号と前記基準クロック信号との位相同期を行う第2のPLL回路と、
を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項5乃至9のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記集積回路装置は、
前記第1のクロック信号を前記時間デジタル変換回路に供給する第1の信号線と、
前記第2のクロック信号を前記時間デジタル変換回路に供給する第2の信号線と、
を含み、
前記第1の信号線と前記第2の信号線の間にシールド線が配線されることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項10に記載の振動デバイスにおいて、
前記集積回路装置は、
第1のシールド線と第2のシールド線とを含み、
前記第1の信号線は、前記第1のシールド線と前記シールド線との間に配線され、
前記第2の信号線は、前記第2のシールド線と前記シールド線との間に配線されることを特徴とする振動デバイス。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の振動デバイスにおいて、
前記処理回路は、
前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の周波数差情報又は周波数比較情報に基づいて、周波数補正処理を行う周波数補正部を含むことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項11に記載の振動デバイスにおいて、
前記周波数補正部は、
前記周波数差情報又は前記周波数比較情報に基づいて、発振周波数の温度特性の補償処理を行うことを特徴とする振動デバイス。 - 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の振動デバイスを含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至13のいずれか一項に記載の振動デバイスを含むことを特徴とする移動体。
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