JP2019007781A - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な構造を有する検出素子アレイを製造する。
【解決手段】各検出素子18は素子本体19、第1電極部22及び第2電極部24を有する。素子本体19は半導体検出層20及び絶縁層26を有する。第1電極部22は第1側面電極22aと第1接続電極22bとからなる。第2電極部24は第2側面電極24aと第2接続電極24bとからなる。第1接続電極22b及び第2接続電極24bが接続部材(導電性接着材)28により基板14に接続される。検出素子アレイの製造過程では仮基板が利用される。
【選択図】図1
【解決手段】各検出素子18は素子本体19、第1電極部22及び第2電極部24を有する。素子本体19は半導体検出層20及び絶縁層26を有する。第1電極部22は第1側面電極22aと第1接続電極22bとからなる。第2電極部24は第2側面電極24aと第2接続電極24bとからなる。第1接続電極22b及び第2接続電極24bが接続部材(導電性接着材)28により基板14に接続される。検出素子アレイの製造過程では仮基板が利用される。
【選択図】図1
Description
本発明は放射線検出器及びその製造方法に関し、特に、検出素子アレイを備える放射線検出器及びその製造方法に関する。
放射線測定装置(例えばガンマカメラ)、核医学診断装置(例えばSPECT装置)等においては、多数の(例えば数百又は数千の)検出素子を備えた放射線検出器が利用される。各検出素子において、入射してくるγ線が検出される。典型的な検出素子として、半導体型検出素子があげられる。
特許文献1には放射線検出器が開示されている。その放射線検出器は、放射線入射方向を垂直方向と定義した場合、第1水平方向及び第2水平方向に整列した複数の検出ユニットを有する。各検出ユニットは基板を有し、基板の両側(第1水平方向の一方側及び他方側)に複数の検出素子が設けられている。基板は垂直方向及び第2水平方向に広がる形態を有する。各検出素子においては、放射線入射方向と直交する方向に電界が印加されており、各検出素子における上面(特定の端面)がγ線入射面をなす。そのような形式又はタイプをエッジオン型(あるいは直交電界型)と称することが可能である。なお、特許文献2には放射線検出器の製造方法が記載されている。
複数の検出素子からなる検出素子アレイ(特にエッジオン型の検出素子アレイ)を簡便にしかも高い位置決め精度をもって製作したいという要望がある。なお、特許文献1に記載された方法では放射線検出器の製作に際して多大な組立作業が必要となる。
本発明の目的は、簡易な構造を有する検出素子アレイを有する放射線検出器を提供することにある。あるいは、本発明の目的は、各検出素子における基板側での電場の乱れを抑制することにある。あるいは、本発明の目的は、検出素子アレイを高い位置決め精度をもって簡便に製造することにある。
実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板上に配置され、放射線入射方向と直交する方向に電界が印加される複数の検出素子からなる検出素子アレイと、を含む。前記各検出素子は、素子本体、第1電極部及び第2電極部を有する。前記素子本体は半導体検出層を含む。また、前記素子本体は、放射線入射面としての前面、その反対側の後面、並びに、前記前面と前記後面との間の第1側面及び第2側面を有する。前記第1電極部は、前記第1側面に形成された第1側面電極と前記後面に形成された第1接続電極とからなり、折れ曲がり形態を有する。前記第2電極部は、前記第2側面に形成された第2側面電極と前記後面に形成された第2接続電極とからなり、折れ曲がり形態を有する。前記各半導体素子における前記第1接続電極及び前記第2接続電極が前記基板に接続される。
上記構成によれば、第1側面電極と第2側面電極との間に電圧を印加することによって放射線検出層の内部に電界が生じる。その電界の方向は放射線入射方向に直交しており、つまり放射線検出層の前面(素子本体の前面)が放射線入射面となる。素子本体の後面には、第1接続電極及び第2接続電極が形成されており、それらが基板に対して電気的に接続される。第1側面電極と第1接続電極とが一体化されており、また、第2側面電極と第2接続電極とが一体化されているので、簡易な構造でありながら、各側面電極と基板とを電気的に確実に接続できる。
実施形態において、前記素子本体は絶縁層を含む。具体的には、前記絶縁層は、前記半導体検出層と、前記第1接続電極及び前記第2接続電極と、の間に設けられる。この構成によれば、2つの接続電極と半導体検出層との間に絶縁層が設けられているので、2つの接続電極に起因する電場の乱れを抑制できる。
実施形態に係る放射線検出器は、更に、前記第1接続電極と前記基板の第1端子との間に設けられた第1接続部材と、前記第2接続電極と前記基板の第2端子との間に設けられた第2接続部材と、を含む。実施形態において、各接続部材は、電気的接続作用の他、物理的接続作用を発揮する。つまり、各接続部材によって個々の検出素子が基板上に固定される。各接続部材が導電性接着材で構成されてもよい。
実施形態に係る放射線検出器の製造方法は、半導体基板に対して仮基板を仮接着して積層体を構成する準備工程と、前記積層体に対して前記半導体基板側から複数の非貫通溝を形成して前記仮基板上に複数の凸状部分を生じさせる溝形成工程と、前記各凸状部分に対して、折れ曲がり形態を有する第1導電層、及び、折れ曲がり形態を有する第2導電層を形成する導電層形成工程と、前記導電層形成工程後において前記各凸状部分を複数の検出素子に分割する分割工程と、前記分割工程前において前記複数の凸状部分に対して本基板を接合し、又は、前記分割工程後において前記複数の検出素子に対して本基板を接合する接合工程と、前記接合工程後に仮基板を除去する除去工程と、を含む。
上記構成によれば、複数の検出素子を一括して製造することが可能である。また、検出素子単位で高い位置決め精度を得られる。仮基板を利用したので製造過程の途中で複数の検出素子がばらばらになってしまうこと防止できる。
実施形態に係る製造方法は、前記溝形成工程前に前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程を含む。この構成によれば個々の検出素子における素子本体に絶縁層を含められる。
本発明によれば、簡易な構造を有する検出素子アレイを提供できる。あるいは、本発明によれば、各検出素子における基板側での電場の乱れを抑制できる。あるいは、本発明によれば、高い位置決め精度をもって検出素子アレイを簡便に製造できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1には、実施形態に係る放射線検出装置10が示されている。放射線検出装置10は、例えば、放射線測定装置(例えばガンマカメラ)、核医学診断装置(例えばSPECT装置)等に組み込まれるものである。本実施形態では各検出素子でγ線が検出される。γ線の概念にはX線が含まれ得る。
放射線検出装置10は放射線検出器11及びコリメータ12を有している。放射線検出器11は、基板14と、基板14上に配置された検出素子アレイ16と、を有する。基板14は電子回路基板であってもよい。基板14の上面(Z方向上側)には複数のコンタクト(端子)が形成されており、それらが接続部材28を介して検出素子アレイ16に接続される。接続部材28は導電性ペースト等の導電性接着材(接着層)により構成される。接続部材28は、電気的な接続作用及び物理的な接続作用(固定作用)を発揮する。
図1において、Z方向が放射線入射方向13であり、それは図1において垂直方向(上下方向)である。Z方向に直交する方向がX方向である。Z方向及びX方向に直交する方向(紙面貫通方向)がY方向である。なお、ピンホールを有するガンマカメラの場合、ピンホールを通過する視野中心軸方向が放射線入射方向となる。
検出素子アレイ16は、X方向及びY方向に整列した複数(例えば数百又は数千)の検出素子18により構成される。各検出素子18においては、放射線入射方向と直交する方向に電界が印加される。
検出素子アレイ16の上方(放射線入射側)にはコリメータ12が設けられている。コリメータは複数の検出素子18に対応した複数の開口を有する。各開口は矩形の形態を有する。その形態として円形等も考えられる。隣接する開口間には隔壁が存在する。ある開口を通過したγ線がその直下にある検出素子で検出される。その検出素子から、γ線エネルギーに対応した波高値を有する信号が出力される。
検出素子18は、素子本体19、第1電極部22及び第2電極部24を有する。素子本体19は、半導体検出層20と、その下側(基板側)に設けられた薄い絶縁層26と、を有する。素子本体19の前面19A(半導体検出層20の前面)が放射線入射面を構成する。放射線入射面に保護層が設けられてもよい。
第1電極部22は、素子本体19の第1側面19C上に形成された第1側面電極22aと、素子本体19の後面19B(絶縁層26の後面)上に形成された第1接続電極22bと、からなるものであり、それ全体として折れ曲がった形態を有している。これと同様に、第2電極部24は、素子本体19の第2側面19D上に形成された第2側面電極24aと、素子本体19の後面19B上に形成された第2接続電極24bと、からなるものであり、それ全体として折れ曲がった形態を有している。第1側面電極22aと第1接続電極22bは一体化されている。同じく、第2側面電極24aと第2接続電極24bは一体化されている。第1接続電極22bの端縁と第2接続電極24bの端縁との間には隙間(ギャップ)が生じている。そこに絶縁部材が設けられてもよい。基板14上に複数のバンプを形成し、それらのバンプを接続電極22b,24bに接続してもよい。なお、第1側面19Cと第2側面19Dは、前面19Aと後面19Bとの間に存在する4つの側面の内で、X方向に直交する2つの側面である。残りの2つの側面上に電極は形成されていない。
半導体検出層20は、本実施形態において、臭化タリウム単結晶により構成される。かかる材料は、カドミウムテルライト結晶、カドミウム亜鉛テルライド、等の他の半導体材料に比べて柔らかく、加工が容易である。本実施形態では、後述するように、半導体製品の製造プロセスを利用して放射線検出器11が製造される。半導体検出層20を他の半導体材料によって構成してもよい。
図2には、図1に示した放射線検出器の製造方法の第1例が示されている。その第1例を図3乃至図11を参照しながら説明する。
図2に示すS10では、図3に示すように、ウエハ30が用意される。ウエハ30は、臭化タリウム単結晶としてのインゴットから切り出され且つ所定サイズに成形されたものである。そのウエハ30と仮基板32とが接着される。これにより積層体33が構成される。図3におけるウエハ30の第1面30Aは、図1に示した半導体検出層20の後面(基板側の面)に相当する。図3におけるウエハ30の第2面30Bは、図1に示した半導体検出層20の前面(放射線入射面)に相当する。第2面30Bに対して仮基板32が接着される。仮基板32はベース材として機能し、図示の例において、仮基板32はウエハ30よりも大きなサイズを有している。高い素子位置精度を得るために、ベース材として熱膨張係数の小さい物質を用いるのが望ましい。ベース材の事後的な剥離のために、S10では、ワックス等の比較的に容易に除去できる接着剤を利用するのが望ましい。
図2に示すS12では、図4に示すように、塗布その他の手法により、ウエハ30の第1面30A上に絶縁膜34が形成される。絶縁膜34として、例えば、スピンコート可能なUV硬化型絶縁材料が用いられる。
図2に示すS14では、図5に示すように、ホトリソグラフィ技術を用いて、絶縁膜34上に、レジストパターン36が形成される。これにより構造体38が構成される。レジストパターン36は、X方向に並ぶ複数のパターン要素36aからなり、個々のパターン要素36aはY方向に伸長した形態を有する。各パターン要素36aは、図1に示した2つの接続電極22b,24b間の隙間を規定するものである。
図2に示すS16では、図6に示すように、構造体38(図5参照)に対するダイシングが実行される。ダイシングは第1方向(Y方向)と平行に実行される。すなわち、図5に示した構造体38に対して、図6に示すように、仮基板32とは反対側から、レジストパターン36に合わせて櫛状に、複数の非貫通溝37が形成される。これにより複数の構造体要素(凸状部分)40が生じる。すなわち、仮基板32上に複数の構造体要素40が搭載された構造体38Aが構成される。各非貫通溝37は、絶縁膜及びウエハが完全に切断され且つ仮基板32の機能を損なわないように、形成される。各非貫通溝37はY方向に平行な溝である。ダイシングに際してはダイサー、ワイヤソー等が利用される。
図2に示すS18では、図7に示すように、構造体38Aの全面(但し各構造体要素42の両端面を除く)に対して、電極層(電極膜)44が形成され、これにより構造体38Bが製作される。その際には、個々の構造体要素42の側面(X方向に直交する2つの側面)上に電極層44を確実に形成できる成膜方法を選択するのが望ましい。例えば斜め蒸着法を利用してもよい。スパッタリングの回り込み効果を利用するようにしてもよい。隣接する2つの構造体要素42の間の隙間が狭く(特に各構造体要素42の高さに比べてその隙間が小さく)、各側面上に電極層44を形成することが困難な場合には、ALD(Atomic Layer Deposition)等の成膜法を利用してもよい。
図2に示すS20では、図7に示す各構造体要素42に含まれる突出部42aが、図8に示されるように、取り除かれる(リフトオフ処理)。これにより、個々の構造体要素46の上部が平坦化される。S20の実施結果として構造体38Cが構成される。構造体38Cにおける個々の構造体要素46には、屈曲した形態を有する第1電極体及び第2電極体(電極体ペア)が含まれる。この段階では、電極層44は複数の電極体ペアからなる。
図2に示すS22では、図8に示した構造体38Cに対して、図9に示すように、第2方向(X方向)と平行に、ダイシングが実施される。つまり、櫛状に複数の非貫通溝が形成される。各非貫通溝は、既に形成されている各非貫通溝に対して直交する方向に形成される。このダイシングに際しては、電極層、絶縁膜及びウエハが完全に切断され且つ仮基板32の機能が損なわれないように、各非貫通溝が形成される。S22でのダイシングは素子分割に相当する。S22の実施結果として、仮基板32上に複数の検出素子が構成される。各検出素子が仮基板32に固定されているので、複数の検出素子の配列はS22でのダイシングによってもそのまま維持される。個々の検出素子において、4つの側面の内で、2つの側面上にはそれぞれ側面電極が形成されている。残りの2の側面はそれぞれ露出面となる。
図2に示すS24では、図10に示すように、複数の検出素子の上面に対して導電性ペースト(導電性接着材)が塗布され、その後、複数の検出素子の上面に基板(本基板)52が接合される。これにより複数の検出素子と基板52とが接合され、放射線検出器54が構成される。
図2に示すS26では、図10に示されている仮基板32が取り除かれる。仮基板32を除去した後の状態が図11に示されている。但し、図11においては、放射線検出器54が反転しており、個々の検出素子の前面が上方を向いている。放射線検出器54は、基板52と、基板52上に設けられた検出素子アレイ50と、により構成される。検出素子アレイ50は、X方向及びY方向に整列した複数の検出素子により構成される。個々の検出素子において、X方向に直交する2つの側面上に側面電極が形成されている。また、個々の検出素子において、後面(基板側の面)上に2つの接続電極が形成されている。
上記製造方法によれば、エッジオン型の検出素子アレイを一括して製作できる。検出素子単位又は検出素子列単位での配置を繰り返して検出素子アレイを製作する場合に比べて、作業負担や作業時間を大幅に削減することが可能である。また、個々の検出素子の位置決めにおいて、高い位置決め精度を得ることが可能である。1枚のウエハから複数の検出素子アレイを製作でき、特性の揃った複数の放射線検出器を容易に製作できる。
図12には製造方法の第2例が示されている。図12において、図2に示した工程と同様の工程には同じステップ番号を付してある。第1例と第2例との違いについて説明する。第2例においては、S12の直後にS16が実施され、その後にS14が実施されている。すなわち、S16で1回目のダイシングが先行実施され、その後にS14でレジストパターンが形成されている。また、S18において電極を形成した後、S22で2回目のダイシングが実施された上で、S20でリフトオフが実施されている。このような第2例でも第1例と同様に検出素子アレイを構成できる。
図13には製造方法の第3例が示されている。図13において、図2に示した工程と同様の工程には同じステップ番号を付してある。第1例と第3例との違いについて説明する。第3例においては、S12の直後にS16が実施され、その後、S30においてマスキングが行われた上で、S32において電極が形成されている。すなわち、レジストパターンを利用するのではなく、マスキングを利用して、所定パターンを有する電極層が形成されている。その後、S22で2回目のダイシングが実施された上で、リフトオフの工程を経ることなく、S24で基板(本基板)が接合されている。このような第2例でも第1例と同様に検出素子アレイを構成できる。
図14には製造方法の第4例が示されている。図14において、図2に示した工程と同様の工程には同じステップ番号を付してある。第1例と第4例との違いについて説明する。第4例においては、S12の直後にS16が実施され、その後、S30においてマスキングが行われた上で、S32において電極が形成されている。その後、S24で基板(本基板)が接合された上で、S26で仮基板が除去されている。その後、S22において2回目のダイシングが実行されている。2回目のダイシングの際には仮基板が存在していないが、個々の検出素子は基板(本基板)に保持されているので、複数の検出素子がばらばらになってしまうことはない。このような第4例でも第1例と同様に検出素子アレイを構成できる。
上記実施形態によれば、実用的価値の高い検出素子アレイを製作できる。また、各検出素子における基板側での電場の乱れを抑制できる。更に、高い位置決め精度をもって検出素子アレイを簡便に製造できる。
10 放射線検出装置、11 放射線検出器、12 コリメータ、14 基板、16 検出素子アレイ、18 検出素子、19 素子本体、20 半導体検出層、22 第1電極部、24 第2電極部、26 絶縁層。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に配置され、放射線入射方向と直交する方向に電界が印加される複数の検出素子からなる検出素子アレイと、
を含み、
前記各検出素子は、
放射線入射面としての前面、その反対側の後面、並びに、前記前面と前記後面との間の第1側面及び第2側面を有し、半導体検出層を含んだ素子本体と、
前記第1側面に形成された第1側面電極と前記後面に形成された第1接続電極とからなり、折れ曲がり形態を有する第1電極部と、
前記第2側面に形成された第2側面電極と前記後面に形成された第2接続電極とからなり、折れ曲がり形態を有する第2電極部と、
を含み、
前記各半導体素子における前記第1接続電極及び前記第2接続電極が前記基板に接続された、ことを特徴とする放射線検出器。 - 請求項1記載の放射線検出器において、
前記素子本体は、前記半導体検出層と、前記第1接続電極及び前記第2接続電極と、の間に設けられた絶縁層を含む、ことを特徴とする放射線検出器。 - 請求項1記載の放射線検出器において、
前記第1接続電極と前記基板の第1端子との間に設けられた第1接続部材と、
前記第2接続電極と前記基板の第2端子との間に設けられた第2接続部材と、
を含むことを特徴とする放射線検出器。 - 半導体基板に対して仮基板を仮接着して積層体を構成する準備工程と、
前記積層体に対して前記半導体基板側から複数の非貫通溝を形成して前記仮基板上に複数の凸状部分を生じさせる溝形成工程と、
前記各凸状部分に対して、折れ曲がり形態を有する第1電極層、及び、折れ曲がり形態を有する第2電極層を形成する電極層形成工程と、
前記電極層形成工程後において前記各凸状部分を複数の検出素子に分割する分割工程と、
前記分割工程前において前記複数の凸状部分に対して本基板を接合し、又は、前記分割工程後において前記複数の検出素子に対して本基板を接合する接合工程と、
前記接合工程後に仮基板を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする放射線検出器の製造方法。 - 請求項4記載の製造方法において、
前記溝形成工程前に前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程を含む、
ことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
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