JP2018530768A - レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム - Google Patents
レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018530768A JP2018530768A JP2018501225A JP2018501225A JP2018530768A JP 2018530768 A JP2018530768 A JP 2018530768A JP 2018501225 A JP2018501225 A JP 2018501225A JP 2018501225 A JP2018501225 A JP 2018501225A JP 2018530768 A JP2018530768 A JP 2018530768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- array
- combined
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000003491 array Methods 0.000 title abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 171
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 89
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 82
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 62
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 34
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 230000004886 head movement Effects 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 structures Substances 0.000 description 2
- UWNXGZKSIKQKAH-UHFFFAOYSA-N Cc1cc(CNC(CO)C(O)=O)c(OCc2cccc(c2)C#N)cc1OCc1cccc(c1C)-c1ccc2OCCOc2c1 Chemical compound Cc1cc(CNC(CO)C(O)=O)c(OCc2cccc(c2)C#N)cc1OCc1cccc(c1C)-c1ccc2OCCOc2c1 UWNXGZKSIKQKAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COQOFRFYIDPFFH-UHFFFAOYSA-N [K].[Gd] Chemical compound [K].[Gd] COQOFRFYIDPFFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0905—Dividing and/or superposing multiple light beams
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0916—Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
- G02B27/0922—Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers the semiconductor light source comprising an array of light emitters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/0977—Reflective elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/108—Beam splitting or combining systems for sampling a portion of a beam or combining a small beam in a larger one, e.g. wherein the area ratio or power ratio of the divided beams significantly differs from unity, without spectral selectivity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/04—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/02042—Multicore optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
- H01S3/302—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
- H01S5/405—Two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
Description
(i)合衆国法典第35巻、第119条(e)(1)の下に、米国仮特許出願第62/193,047号、出願日2015年7月15日の恩典を主張するものであり、その各々の開示全体をここに参考文献として援用する。
ファーフィールドに単一スポットを形成するように空間的に結合され、工作片への送達のために耐ソラリゼーション光ファイバーの中へ結合させることのできるように青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、レーザービームの有効輝度を増加させるように結合された偏光ビームである青色レーザーダイオードのアレイ。
レーザーダイオードの速軸でのコリメートされたビームのそれぞれの間に空間を有する青色レーザーダイオードのアレイであって、第1の(単数又は複数の)レーザーダイオードを反射し第2の(単数又は複数の)レーザーダイオードを透過させて第1のアレイの速軸方向のレーザーダイオードの間の空間を充填するための周期板と組み合わされている、青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例3の空間充填を達成するために使用されるガラス基板上のパターン化されたミラー。
実施例3の空間充填を達成するためのガラス基板の一方の面上のパターン化されたミラーであって、ガラス基板は各レーザーダイオードの垂直方向位置をシフトさせて個別レーザーダイオードの間の空いた空間を充填するのに十分な厚さである、パターン化されたミラー。
実施例3の空間充填を達成し、実施例4に記載されているパターン化されたミラーである段状ヒートシンク。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイにおいて、個別レーザーの各々は、外部キャビティによって、アレイの輝度を単一のレーザーダイオード光源と同等の輝度まで実質的に増加させるように異なる波長へロックされる、青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイにおいて、レーザーダイオードの個別アレイは、回折格子に基づく外部キャビティを使用して単一の波長へロックされ、レーザーダイオードアレイの各々は狭い間隔の光学フィルタか又は回折格子のどちらかを使用して単一ビームへと組み合わされる、青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度の光源を現出させる純粋溶融石英のコアと、青色ポンプ光を収容するためのフッ素化された外側コアと、を有する光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度の光源を現出させるためのGeO2ドープされた中心コア及び外側コアと、青色ポンプ光を収容するための、中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度の光源を現出させるためのP2O5ドープされたコアと、青色ポンプ光を収容するための、中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度の光源を現出させるためのグレーデッドインデックス型コアと、青色ポンプ光を収容するための、中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、グレーデッドインデックス型のGeO2ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、グレーデッドインデックス型のP2O5ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、グレーデッドインデックス型のGeO2ドープされたコアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、グレーデッドインデックス型のP2O5ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1の他の実施形態及び実施例1の実施形態の変形型が構想される。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのダイヤモンドの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのKGWの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのYVO4の様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのBa(NO3)2の様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるための高圧ガスであるラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるための希土類ドープされた結晶をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度のレーザー光源を現出させるための希土類ドープされたファイバーをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、より高い輝度強化比を現出させるための輝度変換器の外側コアをポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
ラマン変換式レーザーのアレイであって、個別波長で動作し、元の光源の空間輝度を維持しながらより高いパワーの光源を現出させるように組み合わされるラマン変換式レーザーのアレイ。
ラマンファイバーであって、デュアルコアと、高輝度の中心コアの2次ラマン信号を抑制するための、フィルタ、ファイバーブラッググレーティング、1次及び2次のラマン信号についてのV数の差、又はマイクロベンド損失の差、を使用している手段と、を有しているラマンファイバー。
N≧1として、Nのレーザーダイオードであって、個別にオン及びオフさせることができ、粉末床上へ結像させて粉末を融解させ固有部品へと融合させることのできるNのレーザーダイオード。
N≧1として実施例1のNのレーザーダイオードアレイであって、その出力はファイバー結合されることができ、各ファイバーは、粉末上へ結像させ又は集束させて粉末を固有形状の積層へと融解させ又は融合させることのできる高パワーレーザービームのアドレス指定可能アレイを現出させるように線形様式又は非線形様式に配列されることができる、レーザーダイオードアレイ。
ラマン変換器を介して組み合わされた1つ又はそれ以上のレーザーダイオードアレイであって、その出力はファイバー結合されることができ、各ファイバーは、粉末上へ結像させ又は集束させて粉末を固有形状の積層へと融解させ又は融合させることのできるアドレス指定可能なNのアレイ、ここにN≧1である、を現出させるように線形様式又は非線形様式に配列されることができる、1つ又はそれ以上のレーザーダイオードアレイ。
N≧1として、Nの青色レーザー光源を粉末床を横切って移動させながら粉末床を融解及び融合させることのできるx−yモーションシステムであって、融合された層の後ろに追加の粉末層を提供するようにレーザー光源の後ろに位置付けられている粉末送達システムを有するx−yモーションシステム。
新しい粉末層が置かれた後に、実施例20の部品/粉末床の高さを増加/減少させることのできるzモーションシステム。
粉末層がレーザー光源によって融合された後に、実施例20の部品/粉末の高さを増加/減少させることのできるzモーションシステム。
実施例20のための二方向粉末設置能力において、(単数又は複数の)レーザースポットが正x方向又は負x方向に進む際に当該レーザースポットの真後ろに粉末が置かれる、二方向粉末設置能力。
実施例20のための二方向粉末設置能力において、(単数又は複数の)レーザースポットが正y方向又は負y方向に進む際に当該レーザースポットの真後ろに粉末が置かれる、二方向粉末設置能力。
N≧1としてNのレーザービームと同軸である粉末給送システム。
粉末給送システムにおいて、粉末は重力により給送される、粉末給送システム。
粉末給送システムにおいて、粉末は不活性ガスの流れに同伴される、粉末給送システム。
粉末給送システムであって、N≧1としてNのレーザービームに横断方向にあり、粉末は重力によってレーザービームの直ぐ前方に置かれる、粉末給送システム。
粉末給送システムであって、N≧1としてNのレーザービームに横断方向にあり、粉末はレーザービームに交わる不活性ガスの流れに同伴される、粉末給送システム。
例えば460nmのラマン変換器の出力を使用して光源レーザーの半分の波長即ち230nmの光を生成する第2高調波生成システムであって、KTPの様な外部共振二倍化結晶から成っているが短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡することを許容しない第2高調波生成システム。
第3高調波生成システムであって、例えば460nmのラマン変換器の出力を使用して、115nmの光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するが、短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡することを許容しない第3高調波生成システム。
第4高調波生成システムであって、例えば460nmのラマン変換器の出力を使用して、57.5nmの光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するが、短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡することを許容しない第4高調波生成システム。
第2高調波生成システムであって、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発するツリウムの様な希土類ドープされた輝度変換器の出力を使用して、光源レーザーの半分の波長即ち236.5nmの光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するが、短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡するのを許容しない、第2高調波生成システム。
第3高調波生成システムであって、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発するツリウムの様な希土類ドープされた輝度変換器の出力を使用して、118.25nmの光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するが、短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡するのを許容しない、第3高調波生成システム。
第4高調波生成システムであって、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発するツリウムの様な希土類ドープされた輝度変換器の出力を使用して、59.1nmの光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するが、短い波長の光が光ファイバーを通って伝幡するのを許容しない、第4高調波生成システム。
高パワー450nm光源によってポンプされて可視又はほぼ可視の出力を生成することのできる全ての他の希土類ドープされたファイバー及び結晶が実施例34−実施例38で使用され得る。
ラマン又は希土類ドープされたコアファイバーの内側コアをポンプするための、非円形外側コア又はクラッドの中への高パワー可視光の射出。
ポンプの偏光をラマン発振器の偏光と整列させることによってラマンファイバーの利得を強化するための偏光持続ファイバーの使用。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、特定の偏光のより高い輝度の光源を現出させる構造の光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、特定の偏光のより高い輝度の光源を現出させる及びポンプ光源の偏光状態を持続させる構造の光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1に記載されている青色レーザーダイオードのアレイであって、ラマン変換効率を改善する構造の非円形外側コアを有する高輝度光源を現出させるための光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される青色レーザーダイオードのアレイ。
実施例1から実施例44までの実施形態は、更に、次の構成要素又は組立体のうちの1つ又はそれ以上、即ち、レーザーが粉末床に亘って走査する段階に先んじて各通過終了時に粉末を水平化するための装置;複数の低パワーレーザーモジュールをファイバーコンバイナを介して組み合わせることによってレーザーの出力パワーをスケールして、より高パワー出力のビームを現出させるための装置;複数の低パワーレーザーモジュールを自由空間を介して組み合わせることによって青色レーザーモジュールの出力パワーをスケールして、より高いパワー出力のビームを現出させるための装置;埋め込み型冷却付き単一ベースプレート上の、複数のレーザーモジュールを組み合わせるための装置;のうちの1つ又はそれ以上を含んでいてもよい。
101 レーザーダイオードアレイの一実施形態の性能
102 稠密波長ビーム結合アレイの性能
103 ファイバーコンバイナ技法を使用してスケールした場合の輝度変換技術の性能
104 輝度変換器のパワーの稠密波長結合を使用した場合の輝度変換技術の性能
200 レーザーダイオード
201 速軸コリメートレンズ
202 コリメートレンズ
203 レーザービームスポット
210、210a、210b、210c レーザーダイオード部分組立体
211 ベースプレート
212 パワーリード
213 ダイオード
214 遅軸
216 行
220 レーザーダイオードモジュール
225 パターン化されたミラー
227 偏光ビーム折り重ね組立体
228 テレスコープ組立体
229 非球面レンズ
230、231、232、233、234 ビーム
235 開口絞り
240 ファイバーコンバイナ
245 光ファイバー
250a、251a、252a レーザービーム
250、251、252 レーザービーム経路
260 開放空間の水平方向
261 開放空間の垂直方向
301 レーザースポットの動く方向
303a、303b、304 レーザースポット
305 融解転移線
306 融合材料
500 レーザーシステム
501 アドレス指定可能レーザーダイオードシステム
502a、502b、502c ファイバー
503 保護管
504 ファイバー束
505 印刷ヘッド
506 光学素子組立体
507 標的材料
508、508b 粉末装置
509 追加の材料
510 印刷ヘッドの動く方向
600 レーザーシステム
601 アドレス指定可能レーザーシステム
602a、602b、602c ファイバー
603 保護管
604 ファイバー束
605 印刷ヘッド
606 光学素子組立体
607 標的材料
609 焼き鈍し材料
610 印刷ヘッドの動く方向
700 レーザーシステム
701 アドレス指定可能レーザーダイオードシステム
702a、702b、702c ファイバー
704 ファイバー束
707 標的材料
709 追加材料の層
710 印刷ヘッドの動く方向
720 粉末分配ヘッド
800 ファイバー束
801 ファイバー
900 ファイバー束
901 ファイバー
902、903 線形行
801 ファイバー
1000 ファイバー束
1002、1003、1004 線形行
1100 ファイバー束
1101 ファイバー
1102、1103、1104 線形行
1200 ファイバー束
1201 ファイバー
1202、1203、1204、1205 線形行
1300 ファイバー束
1301 ファイバー
1302 線形行
1401 ファイバー束
1401a ファイバー
1402 ファイバー束
1402a、1402b ファイバー
1403 ファイバー束
1403a、1403b、1405 ファイバー
1501 ファイバー束
1501a ファイバー
1502 ファイバー束
1502a ファイバー
1601 ファイバー束
1601a ファイバー
1602 ファイバー束
1602a ファイバー
1603 ファイバー束
1603a ファイバー
1604 ファイバー束
1604a ファイバー
Claims (62)
- レーザー動作を実行するためのレーザーシステムであって、
a.複数のレーザーダイオード組立体であって、
b.各レーザーダイオード組立体が、個別青色レーザービームをレーザービーム経路に沿って発生させることのできる複数のレーザーダイオードを備えている、複数のレーザーダイオード組立体と、
c.前記個別青色レーザービームを空間的に結合する手段であって、ファーフィールドに単一スポットを有し、標的材料への送達のために光ファイバーへ結合させることのできる結合レーザービームを作り出す手段と、を備え、
d.前記空間的に結合する手段は、前記個別青色レーザービームを前記レーザービーム経路上で空間的に結合し、各レーザーダイオードと光学的に関連付けられている、レーザーシステム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、少なくとも3つのレーザーダイオード組立体を備え、各レーザーダイオード組立体が少なくとも30のレーザーダイオードを備えており、前記レーザーダイオード組立体は、少なくとも約30ワットの総パワー及び20mm mrad未満のビームパラメータ特性を有するレーザービームを伝幡させることができる、システム。
- 請求項2に記載のシステムにおいて、前記ビームパラメータ特性は15mm mrad未満である、システム。
- 請求項2に記載のシステムにおいて、前記ビームパラメータ特性は10mm mrad未満である、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、前記個別レーザービームのN倍の輝度の結合レーザービームを発生させるようにされ;ここに、Nは前記レーザーダイオード組立体内のレーザーダイオードの数である、システム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、前記結合レーザービームの前記輝度を維持しながら前記レーザービームのパワーを増加させ;それにより、前記結合レーザービームが前記個別レーザービームの前記パワーの少なくとも50倍であるパワーを有し、前記結合レーザービームのビームパラメータ積が個別レーザービームのビームパラメータ積の2倍以下である、システム。
- 請求項6に記載のシステムにおいて、前記結合レーザービームの前記ビームパラメータ積が、前記個別レーザービームの前記ビームパラメータ積の1.5倍以下である、システム。
- 請求項6に記載のシステムにおいて、前記結合レーザービームの前記ビームパラメータ積が、前記個別レーザービームの前記ビームパラメータ積の1倍以下である、システム。
- 請求項5に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、前記個別レーザービームの前記輝度を維持しながら前記レーザービームの前記パワーを増加させ;それにより、前記結合レーザービームは、前記個別レーザービームの少なくとも100倍のパワーを有し、前記結合レーザービームのビームパラメータ積は、前記個別レーザービームのビームパラメータ積の2倍以下である;システム。
- 請求項9に記載のシステムにおいて、前記結合レーザービームの前記ビームパラメータ積が、前記個別レーザービームの前記ビームパラメータ積の1.5倍以下である、システム。
- 請求項7に記載のシステムにおいて、前記結合レーザービームの前記ビームパラメータ積が、前記個別レーザービームの前記ビームパラメータ積の1倍以下である、システム。
- 請求項1、請求項2、及び請求項6のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記光ファイバーは耐ソラリゼーションである、システム。
- 請求項1、請求項2、及び請求項6のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、レーザーダイオードの位置誤差又は照準誤差のうちの少なくとも1つを補正するための、整列平面平行板とウェッジとから成る群より選択されている組立体を備えている、システム。
- 請求項1、請求項2、及び請求項6のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、前記結合レーザービームの有効輝度を前記個別レーザービームに勝って増加させることのできる偏光ビームコンバイナを備えている、システム。
- 請求項1、請求項2、及び請求項6のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、前記レーザーダイオード組立体は、個別レーザービーム経路を前記個別レーザービーム経路の各々の間に空間を設けた状態で画定しており、それにより、前記個別レーザービームは各ビームの間に空間を有し;前記空間的に結合する手段は、前記個別レーザービームを前記レーザーダイオードの速軸でコリメートするためのコリメータと、コリメートされたレーザービームを結合するための周期ミラーと、を備え、前記周期ミラーは、前記レーザーダイオード組立体内の第1ダイオードからの第1レーザービームを反射し前記レーザーダイオード組立体内の第2ダイオードからの第2レーザービームを透過させるようにされており、それにより、前記速軸方向の前記個別レーザービームの間の前記空間が満たされるようにされた;システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記空間的に結合する手段は、ガラス基板上にパターン化されたミラーを備えている、システム。
- 請求項16に記載のシステムにおいて、前記ガラス基板は、レーザーダイオードからのレーザービームの垂直方向位置をシフトさせて前記レーザーダイオードの間の空いた空間を満たすのに充分な厚さである、システム。
- 段状ヒートシンクを備えている請求項1に記載のシステム。
- 高輝度高パワーレーザービームを提供するためのレーザーシステムであって、
a.複数のレーザーダイオード組立体であって;
b.各レーザーダイオード組立体が、初期輝度を有する青色レーザービームを発生させることのできる複数のレーザーダイオードを備えている複数のレーザーダイオード組立体と;
c.前記青色レーザービームを空間的に結合する手段であって、最終輝度を有しファーフィールドに単一スポットを形成しており光ファイバーへ結合させることのできる結合レーザービームを作り出す、手段と;を備え、
d.各レーザーダイオードは、外部キャビティによって、前記結合レーザービームの前記輝度を実質的に増加させるように異なる波長にロックされ、それにより、前記結合レーザービームの前記最終輝度は前記レーザーダイオードからの前記レーザービームの前記初期輝度とほぼ同じであるようにされた、
レーザーシステム。 - 請求項1に記載のレーザーシステムにおいて、各レーザーダイオードは回折格子に基づく外部キャビティビティを使用して単一波長へロックされ、前記レーザーダイオード組立体の各々は、狭い間隔の光学フィルタと回折格子とから成る群より選択されている結合手段を使用して結合ビームへ結合される、システム。
- レーザー動作を実行するためのレーザーシステムであって、
a.複数のレーザーダイオード組立体であって;
b.各レーザーダイオード組立体が、青色レーザービームをレーザービーム経路に沿って発生させることのできる複数のレーザーダイオードを備えている、複数のレーザーダイオード組立体と;
c.前記青色レーザービームを空間的に結合する手段であって、ファーフィールドに単一スポットを有し、ラマン変換器へ光学的に結合させることのできる結合レーザービームを作り出し、前記ラマン変換器をポンプして、前記結合レーザービームの前記輝度を増加させるようにされた、手段と;
を備えているレーザーシステム。 - 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度の光源を現出させるための純粋な溶融石英のコアと、前記青色ポンプ光を収容するためのフッ素化された外側コアと、を有する光ファイバーである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度の光源を現出させるためのGeO2ドープされた中心コア及び外側コアと、前記青色ポンプ光を収容するための、前記中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーの様なラマン変換器をポンプするのに使用される、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度の光源を現出させるためのP2O5ドープされたコアと、前記青色ポンプ光を収容するための、前記中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度の光源を現出させるためのグレーデッドインデックス型のコアと、前記青色ポンプ光を収容するための、前記中心コアより大きい外側コアと、を有する光ファイバーである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、グレーデッドインデックス型のGeO2ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、グレーデッドインデックス型のP2O5ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、グレーデッドインデックス型のGeO2ドープされたコアであるラマン変換器ファイバーをポンプするのに使用される、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、グレーデッドインデックス型のP2O5ドープされたコア及び外側のステップインデックス型コアである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのダイヤモンドである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのKGWである、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのYVO4である、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度のレーザー光源を現出させるためのBa(NO3)2である、レーザーシステム。
- 請求項21に記載のレーザーシステムにおいて、前記ラマン変換器は、より高い輝度のレーザー光源を現出させるための高圧ガスである、レーザーシステム。
- 結合レーザービームを提供する方法であって、ラマン変換式レーザーのアレイを動作させて個別の異なる波長の青色レーザービームを生成し、前記レーザービームを結合して元の光源の空間輝度を維持しながらより高いパワーの光源を現出させる操作を含む、方法。
- レーザー動作を実行するためのレーザーシステムであって、
a.複数のレーザーダイオード組立体であって;
b.各レーザーダイオード組立体が、青色レーザービームをレーザービーム経路に沿って発生させることのできる複数のレーザーダイオードを備えている、複数のレーザーダイオード組立体と;
c.前記レーザービーム経路に沿ってビームをコリメート及び結合する光学素子であって、結合レーザービームを提供することのできる光学素子と;
d.前記結合レーザービームを受け入れるための光ファイバーと;
を備えているシステム。 - 請求項1に記載のシステムにおいて、前記光ファイバーは、希土類ドープされたファイバーと光学的に連通しており、それにより、前記結合レーザービームは、前記希土類ドープされたファイバーをポンプして、より高い輝度のレーザー光源を現出させることができる、システム。
- 請求項1に記載のシステムにおいて、前記光ファイバーは、輝度変換器の外側コアと光学的に連通しており、それにより、前記結合レーザービームは、輝度変換器の前記外側コアをポンプして、より高い輝度強化比を現出させることができる、システム。
- デュアルコアのうちの一方を高輝度の中心コアとするデュアルコア;及び、
前記高輝度の中心コアでの2次ラマン信号を抑制するための手段であって、フィルタ、ファイバーブラッググレーティング、1次及び2次のラマン信号についてのV数の差、及びマイクロベンド損失の差、から成る群より選択されている手段;
を備えているラマンファイバー。 - 第2高調波生成システムであって、
第1波長にあって前記第1波長の半分の波長の光を生成するためのラマン変換器;及び
前記半分の波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのを防ぐように構成されている外部共振二倍化結晶;を備えているシステム。 - 請求項40に記載のシステムにおいて、前記第1波長は約460nmであり;前記外部共振二倍化結晶はKTPである、システム。
- 第3高調波生成システムであって、
第1波長にあって前記第1波長より低い第2波長の光を生成するためのラマン変換器;及び
前記より低い波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのを防ぐように構成されている外部共振二倍化結晶;を備えているシステム。 - 第4高調波生成システムであって、57.5nmの波長の光を外部共振二倍化結晶を使用して生成するラマン変換器を備え、前記外部共振二倍化結晶は前記57.5nmの波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのを防ぐように構成されている、システム。
- 第2高調波生成システムであって、ツリウムを備える希土類ドープされた輝度変換器を備え、前記輝度変換器は、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発して、外部共振二倍化結晶を使用して光源レーザーの半分の波長即ち236.5nmの光を生成するが、当該短い波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのは許容しないようにされた、システム。
- 第3高調波生成システムであって、ツリウムを備える希土類ドープされた輝度変換器を備え、前記輝度変換器は、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発して、外部共振二倍化結晶を使用して118.25nmの光を生成するが、当該短い波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのは許容しないようにされた、システム。
- 第4高調波生成システムであって、ツリウムを備える希土類ドープされた輝度変換器を備え、前記輝度変換器は、450nmの青色レーザーダイオードのアレイによってポンプされると473nmのレーザーを発して、外部共振二倍化結晶を使用して59.1nmの光を生成するが、当該短い波長の光が前記光ファイバーを通って伝幡するのは許容しないようにされた、システム。
- 請求項21に記載のシステムにおいて、前記ラマン変換器は、ラマン変換効率を改善する構造の非円形外側コアを備えている、システム。
- レーザー動作を実行するためのレーザーシステムであって、
a.少なくとも3つのレーザーダイオード組立体であって;
b.当該少なくとも3つのレーザーダイオード組立体の各々が、少なくとも10のレーザーダイオードを備え、前記少なくとも10のレーザーダイオードの各々が、少なくとも約2ワットのパワー及び8mm−mrad未満のビームパラメータ積を有する青色レーザービームをレーザービーム経路に沿って発生させることができ、各レーザービーム経路は実質的に平行であり、前記レーザービーム経路に沿って進む前記レーザービームの間に空間が画定されるようにされた、少なくとも3つのレーザーダイオード組立体と;
c.少なくとも30の前記レーザービーム経路の全てに配置され、前記青色レーザービームを空間的に結合して輝度を維持するための手段であって、レーザービームの第1軸のためのコリメート用光学素子と、前記レーザービームの第2軸のための垂直方向プリズムアレイと、テレスコープと、を備えており;前記レーザービームの間の前記空間をレーザーエネルギーで満たして、少なくとも約600ワットのパワーと40mm−mrad未満のビームパラメータ積の結合レーザービームをもたらす、空間的に結合して輝度を維持するための手段と;
を備えているシステム。 - アドレス指定可能アレイレーザー加工システムであって、
請求項67に記載の少なくとも3つのレーザーシステムであって;当該少なくとも3つのレーザーシステムの各々は各自の結合レーザービームを単一の光ファイバーへ結合するように構成され;前記少なくとも3つの結合レーザービームの各々は各自の結合された光ファイバーに沿って透過可能とされ;前記少なくとも3つの光ファイバーはレーザーヘッドに光学的に関係付けられている;少なくとも3つのレーザーシステムと;
前記結合レーザービームの各々を標的材料上の既定位置に送達するための既定シーケンスを有するプログラムを備えている制御システムと;
を備えている、アドレス指定可能アレイレーザー加工システム。 - 請求項49に記載のアドレス指定可能アレイにおいて、送達するための前記既定シーケンスは、前記レーザーヘッドからの前記レーザービームを個別にオン及びオフし、粉末床上に結像して粉末を備える前記標的材料を融解させて部品へと融合させるようにされた、アドレス指定アレイ。
- 請求項49に記載のアドレス指定可能アレイにおいて、前記レーザーヘッド内の前記ファイバーは、線形、非線形、円形、菱形、方形、三角形、及び六角形から成る群より選択されている配列で構成されている、アドレス指定可能アレイ。
- 請求項49に記載のアドレス指定可能アレイにおいて、前記レーザーヘッド内の前記ファイバーは、2x5、5x2、4x5、少なくとも5x少なくとも5、10x5、5x10、及び3x4から成る群より選択されている配列で構成されている、アドレス指定可能アレイ。
- 請求項49に記載のアドレス指定可能アレイにおいて、前記標的材料は粉末床を備えており;当該アドレス指定可能アレイは、粉末床を横切って前記レーザーヘッドを移動させ、それにより前記粉末床を融解させ融合させることのできるx−yモーションシステムと;前記融合された層の後ろに追加の粉末層を提供するように前記レーザー光源の後ろに位置付けられている粉末送達システムと;を備えている、アドレス指定可能アレイ。
- 前記レーザーヘッドを移動させて前記粉末床の表面からの前記レーザーヘッドの高さを増加及び減少させることのできるzモーションシステム、を備えている、請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- 前記送達されたレーザービームが正x方向又は負x方向に進む際に当該レーザービームの真後ろに粉末を置くことのできる2方向粉末設置装置、を備えている、請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- 複数のレーザービーム経路と同軸である粉末給送システム、を備えている、請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- 重力粉末給送システムを備えている、請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- 請求項53に記載のアドレス指定可能アレイにおいて、粉末給送システムを備え、前記粉末は不活性ガスの流れに同伴される、アドレス指定可能アレイ。
- N≧1としてNのレーザービームに対し横断方向にあり前記粉末が重力によって前記レーザービームの前方に置かれる粉末給送システム、を備えている請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- N≧1としてNのレーザービームに対し横断方向にあり前記粉末が前記レーザービームに交わる不活性ガスの流れに同伴される粉末給送システム、を備えている請求項53に記載のアドレス指定可能アレイ。
- 高輝度を有する結合青色レーザービームを提供する方法であって、複数のラマン変換式レーザーを動作させて複数の個別青色レーザービームを提供する段階と、前記個別青色レーザービームを結合して、元の光源の空間輝度を維持しながらより高いパワー光源を現出させる段階と、を備え;前記複数のレーザービームの前記個別レーザービームは異なる波長を有している、方法。
- 標的材料をレーザー加工する方法であって、請求項1に記載の少なくとも3つのレーザーシステムを備えるアドレス指定可能アレイレーザー加工システムを動作させて、3つの個別の結合レーザービームを3本の個別の光ファイバーの中へ生成する段階と;各結合レーザービームを各自の光ファイバーに沿ってレーザーヘッドへ透過させる段階と;前記レーザーヘッドからの前記3つの個別の結合レーザービームを既定シーケンスで標的材料上の既定位置に方向決めする段階と;を備えている方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562193047P | 2015-07-15 | 2015-07-15 | |
US62/193,047 | 2015-07-15 | ||
PCT/US2016/042363 WO2017011706A1 (en) | 2015-07-15 | 2016-07-14 | Applications, methods and systems for a laser deliver addressable array |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020209313A Division JP2021073681A (ja) | 2015-07-15 | 2020-12-17 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018530768A true JP2018530768A (ja) | 2018-10-18 |
JP2018530768A5 JP2018530768A5 (ja) | 2021-02-04 |
Family
ID=57757621
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018501225A Pending JP2018530768A (ja) | 2015-07-15 | 2016-07-14 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
JP2020209313A Pending JP2021073681A (ja) | 2015-07-15 | 2020-12-17 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
JP2023192275A Pending JP2024020355A (ja) | 2015-07-15 | 2023-11-10 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020209313A Pending JP2021073681A (ja) | 2015-07-15 | 2020-12-17 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
JP2023192275A Pending JP2024020355A (ja) | 2015-07-15 | 2023-11-10 | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3323179A4 (ja) |
JP (3) | JP2018530768A (ja) |
KR (3) | KR102370083B1 (ja) |
CN (2) | CN107851970B (ja) |
CA (1) | CA2992464A1 (ja) |
RU (2) | RU2735581C2 (ja) |
WO (1) | WO2017011706A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021024890A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-11 | ウシオ電機株式会社 | 広帯域パルス光源装置、分光測定装置、分光測定方法及び分光分析方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113745973A (zh) * | 2017-06-13 | 2021-12-03 | 努布鲁有限公司 | 高密集波长束组合激光系统 |
IT201800010009A1 (it) * | 2018-11-02 | 2020-05-02 | Quanta System Spa | Sistema di trasporto di un fascio laser |
CN111694160A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 深圳市联赢激光股份有限公司 | 一种激光光源装置 |
CN113391266B (zh) * | 2021-05-28 | 2023-04-18 | 南京航空航天大学 | 基于非圆多嵌套阵降维子空间数据融合的直接定位方法 |
WO2023009324A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | Daylight Solutions, Inc. | High power laser assembly with accurate pointing in the far field |
WO2023146431A1 (ru) * | 2022-01-28 | 2023-08-03 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно - Исследовательский Институт Технической Физики Имени Академика Е.И. Забабахина" | Волоконный лазер для медицины |
CN114888303B (zh) * | 2022-05-09 | 2024-03-15 | 广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院 | 一种蓝色激光增材制造装置 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1172629A (ja) * | 1997-07-21 | 1999-03-16 | Lucent Technol Inc | クラッドポンピングファイバデバイスに光を入出力結合させるための傾斜ファイバ束 |
JPH1172743A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 集光装置 |
JP2003158332A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置 |
US20040252743A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-16 | Anikitchev Serguei G. | Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars |
JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
JP2007317871A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Sony Corp | レーザ装置 |
US20090122272A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Silverstein Barry D | Projection apparatus using solid-state light source array |
JP2011102901A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Konica Minolta Opto Inc | 集積光源、プロジェクタ装置、及びモバイル機器 |
JP2012508453A (ja) * | 2008-11-04 | 2012-04-05 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 2次元レーザ素子の外部キャビティ1次元多波長ビーム結合 |
CN102468602A (zh) * | 2010-11-17 | 2012-05-23 | 北京中视中科光电技术有限公司 | 一种半导体激光光源 |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2015508385A (ja) * | 2012-01-12 | 2015-03-19 | ショット・アーゲー | 高い耐ソラリゼーション性を有する高透過性ガラス、それらの使用およびそれらの製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5729568A (en) * | 1993-01-22 | 1998-03-17 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Power-controlled, fractal laser system |
US6124973A (en) * | 1996-02-23 | 2000-09-26 | Fraunhofer Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Device for providing the cross-section of the radiation emitted by several solid-state and/or semiconductor diode lasers with a specific geometry |
US5987043A (en) * | 1997-11-12 | 1999-11-16 | Opto Power Corp. | Laser diode arrays with offset components |
US6222973B1 (en) * | 1999-01-15 | 2001-04-24 | D-Star Technologies, Inc. | Fabrication of refractive index patterns in optical fibers having protective optical coatings |
US6975659B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-12-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser diode array, laser device, wave-coupling laser source, and exposure device |
JP2003080604A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 積層造形装置 |
US6714581B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-03-30 | Christopher J. Corcoran | Compact phase locked laser array and related techniques |
US7830945B2 (en) * | 2002-07-10 | 2010-11-09 | Fujifilm Corporation | Laser apparatus in which laser diodes and corresponding collimator lenses are fixed to block, and fiber module in which laser apparatus is coupled to optical fiber |
EP1771927A1 (en) * | 2004-06-01 | 2007-04-11 | Trumpf Photonics, Inc. | Optimum matching of the output of a two-dimensional laser array stack to an optical fiber |
FR2893872B1 (fr) * | 2005-11-25 | 2008-10-17 | Air Liquide | Procede de coupage avec un laser a fibre d'acier c-mn |
US7515346B2 (en) * | 2006-07-18 | 2009-04-07 | Coherent, Inc. | High power and high brightness diode-laser array for material processing applications |
US7948680B2 (en) * | 2007-12-12 | 2011-05-24 | Northrop Grumman Systems Corporation | Spectral beam combination using broad bandwidth lasers |
US8428409B2 (en) * | 2009-05-11 | 2013-04-23 | Ofs Fitel, Llc | Filter fiber for use in Raman lasing applications and techniques for manufacturing same |
DE112011100812T5 (de) * | 2010-03-05 | 2013-03-07 | TeraDiode, Inc. | System und Verfahren zur Wellenlängenstrahlkombination |
US20110305256A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-12-15 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining based laser pumps |
US8724222B2 (en) * | 2010-10-31 | 2014-05-13 | TeraDiode, Inc. | Compact interdependent optical element wavelength beam combining laser system and method |
US20130162952A1 (en) * | 2010-12-07 | 2013-06-27 | Laser Light Engines, Inc. | Multiple Laser Projection System |
US9595813B2 (en) * | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
US9025635B2 (en) * | 2011-01-24 | 2015-05-05 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a support member |
US9014220B2 (en) * | 2011-03-10 | 2015-04-21 | Coherent, Inc. | High-power CW fiber-laser |
WO2012173839A1 (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Method for beam combination by seeding stimulated brillouin scattering in optical fiber |
JP6036479B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2016-11-30 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
CA2910559C (en) * | 2013-04-29 | 2021-06-01 | Mark S. Zediker | Devices, systems, and methods for three-dimensional printing |
US9306369B2 (en) * | 2013-11-22 | 2016-04-05 | Trumpf Laser Gmbh | Wavelength selective external resonator and beam combining system for dense wavelength beam combining laser |
-
2016
- 2016-07-14 KR KR1020187003763A patent/KR102370083B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-14 RU RU2020111447A patent/RU2735581C2/ru active
- 2016-07-14 RU RU2018105599A patent/RU2719337C2/ru active
- 2016-07-14 CA CA2992464A patent/CA2992464A1/en active Pending
- 2016-07-14 KR KR1020227006597A patent/KR102513216B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-14 WO PCT/US2016/042363 patent/WO2017011706A1/en active Application Filing
- 2016-07-14 JP JP2018501225A patent/JP2018530768A/ja active Pending
- 2016-07-14 EP EP16825215.3A patent/EP3323179A4/en not_active Withdrawn
- 2016-07-14 CN CN201680041725.2A patent/CN107851970B/zh active Active
- 2016-07-14 KR KR1020237009474A patent/KR20230042412A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-07-14 CN CN202110334054.1A patent/CN113067252A/zh active Pending
-
2020
- 2020-12-17 JP JP2020209313A patent/JP2021073681A/ja active Pending
-
2023
- 2023-11-10 JP JP2023192275A patent/JP2024020355A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1172629A (ja) * | 1997-07-21 | 1999-03-16 | Lucent Technol Inc | クラッドポンピングファイバデバイスに光を入出力結合させるための傾斜ファイバ束 |
JPH1172743A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 集光装置 |
JP2003158332A (ja) * | 2001-09-10 | 2003-05-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードアレイ、レーザー装置、合波レーザー光源および露光装置 |
US20040252743A1 (en) * | 2003-06-11 | 2004-12-16 | Anikitchev Serguei G. | Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars |
JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
JP2007317871A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Sony Corp | レーザ装置 |
US20090122272A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Silverstein Barry D | Projection apparatus using solid-state light source array |
JP2012508453A (ja) * | 2008-11-04 | 2012-04-05 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | 2次元レーザ素子の外部キャビティ1次元多波長ビーム結合 |
JP2011102901A (ja) * | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Konica Minolta Opto Inc | 集積光源、プロジェクタ装置、及びモバイル機器 |
CN102468602A (zh) * | 2010-11-17 | 2012-05-23 | 北京中视中科光电技术有限公司 | 一种半导体激光光源 |
JP2015508385A (ja) * | 2012-01-12 | 2015-03-19 | ショット・アーゲー | 高い耐ソラリゼーション性を有する高透過性ガラス、それらの使用およびそれらの製造方法 |
JP2014154851A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fujikura Ltd | 半導体レーザ装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
SCUSSAT, M. ET AL.: "An innovative flexible and accurate packaging technique suited to fabricate low cost micro optoelect", 2000 PROCEEDINGS. 50TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE, JPN6019026464, 21 May 2000 (2000-05-21), pages 26 - 32, XP001054537, ISSN: 0004072938, DOI: 10.1109/ECTC.2000.853111 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021024890A1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-11 | ウシオ電機株式会社 | 広帯域パルス光源装置、分光測定装置、分光測定方法及び分光分析方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2735581C2 (ru) | 2020-11-03 |
RU2018105599A3 (ja) | 2019-08-15 |
CN107851970B (zh) | 2021-04-27 |
CN113067252A (zh) | 2021-07-02 |
KR20230042412A (ko) | 2023-03-28 |
CN107851970A (zh) | 2018-03-27 |
RU2020111447A (ru) | 2020-04-22 |
EP3323179A1 (en) | 2018-05-23 |
KR102513216B1 (ko) | 2023-03-22 |
KR20180030588A (ko) | 2018-03-23 |
CA2992464A1 (en) | 2017-01-19 |
JP2021073681A (ja) | 2021-05-13 |
EP3323179A4 (en) | 2019-06-19 |
RU2020111447A3 (ja) | 2020-10-02 |
KR20220029781A (ko) | 2022-03-08 |
JP2024020355A (ja) | 2024-02-14 |
KR102370083B1 (ko) | 2022-03-03 |
RU2719337C2 (ru) | 2020-04-17 |
RU2018105599A (ru) | 2019-08-15 |
WO2017011706A1 (en) | 2017-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20240348012A1 (en) | Applications, Methods and Systems for a Laser Deliver Addressable Array | |
JP2018530768A (ja) | レーザー送達アドレス指定可能アレイのための用途、方法、及びシステム | |
US10418774B2 (en) | Spectrally multiplexing diode pump modules to improve brightness | |
CN105340140B (zh) | 激光装置 | |
US20070291373A1 (en) | Coupling devices and methods for laser emitters | |
JP2022503614A (ja) | アドレス可能なレーザーのアレイを備える積層造形システム及び各光源のリアルタイムフィードバック制御 | |
JP2008147428A (ja) | レーザ照射装置、及び、レーザ照射方法 | |
CN106410608A (zh) | 一种激光阵列以及激光合束装置 | |
JP6143940B2 (ja) | 線形強度分布を有するレーザビームを生成するための装置 | |
JPWO2018051450A1 (ja) | レーザ装置 | |
JPH1123878A (ja) | レーザ装置及びレーザ加工装置 | |
US20170292679A1 (en) | Light-emitting device | |
KR101868295B1 (ko) | 레이저 최대출력 증폭장치 및 방법 | |
JP2006024860A (ja) | レーザ照射装置及びレーザ照射におけるレンズ調整方法 | |
US20110116523A1 (en) | Method of beam formatting se-dfb laser array | |
WO2023046222A2 (en) | A thin disk laser system homogenizing an optical pump source | |
JP2019029435A (ja) | レーザービーム照射装置及びレーザービーム照射システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180710 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180710 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191009 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200917 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201116 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20201217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210302 |