JP2018529088A - 半導体マスク検査のためのポリゴンベースの幾何学的分類 - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書に記載されている技術は、図8に概略的に示されているものなどの様々な特別に構成された検査システムから得られる画像およびデータ上で、またはそれらに対して実施される検査過程中に、使用されてもよい。図示のシステム850は、照明光学系851aを通して、平面852内の、フォトマスクまたはウェハなどの試料S上に方向付けられている少なくとも1つの光線を作り出す照明光源860を含む。検査システム850は、平面852に、開口数851bを有していてもよい。また、照明光学系851aは、様々な特性を有する1つ以上の入射ビームを達成するための様々なレンズおよびモジュールを含んでいてもよい。検査される/測定される試料Sは段機構804上の平面852に配置され、源に暴露される。
Claims (20)
- フォトリソグラフィマスクの検査のための特徴分類を実現する方法であって、
マスクの製造用の設計データベースを設けるステップであり、前記設計データベースは、一組の頂点により各々画定されている複数のポリゴンを有する、設けるステップと、
互いに当接している前記ポリゴンのいずれかをグループ化するステップと、
各組のグループ化されたポリゴンの内部エッジを除去して、そのような組のグループ化されたポリゴンの覆域に対応するポリゴンを得るために、任意のグループ化されたポリゴンをヒーリングするステップと、
複数の特徴クラスを検出するための要件を定める幾何学的制約を設けるステップと、
ヒーリングする前記ステップが前記設計データベース上で実施された後、前記幾何学的制約に基づいて、前記設計データベースの前記ポリゴン内で複数の特徴クラスを検出するステップと、
前記設計データベースを用いて製造されたマスクの検査において、前記設計データベース内の前記検出された特徴クラスに基づいて、欠陥を検出するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記幾何学的制約は、ナブ特徴を検出するための、角度制約と、エッジ長制約と、内部領域制約とを含むことを特徴とする方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記エッジ長制約は、前記ナブ特徴の最大幅と、前記ナブ特徴の最大高さと、前記ナブ特徴がそこから延在している最小基線長さを定めることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記幾何学的制約は、所定の閾値より小さい限界寸法を有するような細線特徴を検出するための制約を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記特徴クラスは、前記検査中に検出される欠陥候補の周囲の領域に関して選択的に検出されることを特徴とする方法。
- 請求項5に記載の方法であって、グループ化する前記ステップとヒーリングする前記ステップとは、前記検査中に検出される前記欠陥候補の周囲の領域に関して選択的に実施されることを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、特徴クラスを検出するステップは解像度によって制限されていないことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、ユーザにより構成されて前記幾何学的制約に追加される新しい幾何学的制約を受信するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、欠陥を検出するステップは、前記設計データベース内で検出される前記特徴クラスに対応する複数の閾値に基づくことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記幾何学的制約は、ノッチ特徴を検出するための、角度制約と、エッジ長制約と、外部領域制約とを含み、前記エッジ長制約は、前記ノッチ特徴の最大幅と、前記ノッチ特徴の最大高さと、前記ノッチ特徴がそこから延在している最小基線長さとを定めることを特徴とする方法。
- フォトリソグラフィマスクの検査用の特徴分類を実現する検査システムであって、以下の作業過程:
マスクの製造のための設計データベースを設けるステップであり、前記設計データベースは、一組の頂点により各々画定されている複数のポリゴンを有する、設けるステップと、
互いに当接している前記ポリゴンのいずれかをグループ化するステップと、
各組のグループ化されたポリゴンの内部エッジを除去して、そのような組のグループ化されたポリゴンの覆域に対応するポリゴンを得るために、任意のグループ化されたポリゴンをヒーリングするステップと、
複数の特徴クラスを検出するための要件を定める幾何学的制約を設けるステップと、
前記設計データベース上でヒーリングする前記ステップが実施された後、前記幾何学的制約に基づいて、前記設計データベースの前記ポリゴン内で複数の特徴クラスを検出するステップと、
前記設計データベースを用いて製造されたマスクの検査において、前記設計データベース内の前記検出された特徴クラスに基づいて、欠陥を検出するステップと
を実施するように構成されている、少なくとも1つのメモリと少なくとも1つのプロセッサとを含むことを特徴とするシステム。 - 請求項11に記載のシステムであって、前記幾何学的制約は、ナブ特徴を検出するための、角度制約と、エッジ長制約と、内部領域制約とを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項12に記載のシステムであって、前記エッジ長制約は、前記ナブ特徴の最大幅と、前記ナブ特徴の最大高さと、前記ナブ特徴がそこから延在している最小基線長さとを定めることを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記幾何学的制約は、所定の閾値より小さい限界寸法を有するような細線特徴を検出するための制約を含むことを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記特徴クラスは、前記検査中に検出される欠陥候補の周囲の領域に関して選択的に検出されることを特徴とするシステム。
- 請求項15に記載のシステムであって、グループ化する前記ステップとヒーリングする前記ステップとは、前記検査中に検出される前記欠陥候補の周囲の領域に関して選択的に実施されることを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、特徴クラスを検出するステップは解像度によって制限されていないことを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記少なくとも1つのメモリおよび前記少なくとも1つのプロセッサは、ユーザにより構成されて前記幾何学的制約に追加される新しい幾何学的制約を受信するようにさらに構成されていることを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、欠陥を検出するステップは、前記設計データベース内で検出される前記特徴クラスに対応する複数の閾値に基づくことを特徴とするシステム。
- 請求項11に記載のシステムであって、前記幾何学的制約は、ノッチ特徴を検出するための、角度制約と、エッジ長制約と、外部領域制約とを含み、前記エッジ長制約は、前記ノッチ特徴の最大幅と、前記ノッチ特徴の最大高さと、前記ノッチ特徴がそこから延在している最小基線長さとを定めることを特徴とするシステム。
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