JP2018526901A - 被給電回路に電圧を供給するレートを制御するためのスイッチ式電力制御回路ならびに関連するシステムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、2015年8月14日に出願した、"SWITCHED POWER CONTROL CIRCUITS FOR CONTROLLING THE RATE OF PROVIDING VOLTAGES TO POWERED CIRCUITS, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS"と題する、米国特許出願第14/826,472号の優先権を主張する。
102 電圧供給源
104、104(1)〜104(N) 被給電回路
106 ヘッドスイッチ回路
108 電圧入力
110、110(1) 電圧入力
112 電圧出力
114、114(1) 電圧出力
116 制御信号
118 制御入力
120 制御回路
122 イネーブル信号
124 電流シンク回路
126、126(1)、126(2) イネーブル入力
128 p型金属酸化物半導体(PMOS)トランジスタ
130 n型金属酸化物半導体(NMOS)トランジスタ
132 グランド源
134 定電圧源
136 PMOSトランジスタ
300 グラフ
302 線
400、400(1)、400(2)、400(N) スイッチ式電力制御回路
402 バイアス発生器回路
404、404(1)、404(2) バイアス発生器入力
406 バイアス入力
408、408(1) バイアス発生器出力
410、410(1) イネーブル出力
412 電流源
414 NMOSトランジスタ
500 ブロックヘッドスイッチシステム
600 スイッチ式電力制御回路
600(1)〜600(N) スイッチ式電力制御回路
602 高速イネーブル入力
604 高速イネーブル信号
606 高速イネーブルバッファ
608 インバータ
610 反転された高速イネーブル信号
612 NMOSトランジスタ
614 グランド源
616 高速イネーブル出力
700 ブロックヘッドスイッチシステム
702 バイアスイネーブル回路
704 インバータ
706 NANDゲート
708 反転された高速イネーブル信号
710 バイアス制御入力信号
800 グラフ
802 線
804 線
806 線
808 線
900 グラフ
902 線
904 線
906 線
908 線
1000 グラフ
1002 線
1004 線
1006 線
1008 線
1010 線
1012 線
1014 線
1016 線
1100 システム
1102(1)、1102(2) ブロックヘッドスイッチシステム
1104 プロセッサコア
1200 プロセッサベースシステム
1202 中央処理ユニット(CPU)
1204 プロセッサ
1206 キャッシュメモリ
1208 システムバス
1210 メモリコントローラ
1212 メモリシステム
1214 入力デバイス
1216 出力デバイス
1218 ネットワークインターフェースデバイス
1220 ディスプレイコントローラ
1222 ネットワーク
1224(1)〜1224(N) メモリユニット
1226 ディスプレイ
1228 ビデオプロセッサ
Claims (27)
- 制御信号が制御入力上で受信されたことに応答して電圧供給源から生成された出力電圧を被給電回路に供給するように構成されるヘッドスイッチ回路と、
イネーブル信号に応答して前記ヘッドスイッチ回路による前記出力電圧の前記被給電回路への前記供給を制御するための前記制御信号を生成するように構成される制御回路と、
前記制御入力に結合される電流シンク回路であって、前記電流シンク回路が、前記ヘッドスイッチ回路によって生成された前記出力電圧の立上げレートを制御するように構成される、電流シンク回路と
を備える、スイッチ式電力制御回路。 - 前記電流シンク回路が、前記出力電圧を前記電圧供給源の供給電圧まで次第に立ち上げるように構成されることによって、前記立上げレートを制御するように構成される、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 前記電流シンク回路のバイアス入力に結合されるバイアス発生器をさらに備え、前記バイアス発生器が、前記ヘッドスイッチ回路がアクティブ化されるレートを制御するために前記電流シンク回路をバイアスするバイアス電圧を供給するように構成される、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 高速イネーブル信号を受信するように構成される高速イネーブル入力と、
高速イネーブルバッファであって、
前記高速イネーブル信号を受信することと、
前記高速イネーブル信号を前記ヘッドスイッチ回路に供給することと
を行うように構成される、高速イネーブルバッファと
をさらに備え、
前記高速イネーブルバッファが、前記イネーブル信号の非アクティブ化に応答してアクティブ化され、
前記ヘッドスイッチ回路が、前記高速イネーブル信号に応答して前記供給電圧を前記被給電回路に実質的に瞬時に供給するように構成される、
請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。 - 前記高速イネーブル信号を供給するように構成される高速イネーブル出力をさらに備える、請求項4に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 前記イネーブル信号を受信するように構成されるイネーブル入力をさらに備える、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 前記イネーブル信号を供給するように構成されるイネーブル出力をさらに備える、請求項6に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 前記電流シンク回路のバイアス入力に結合されるバイアス発生器入力をさらに備え、
前記バイアス発生器入力が、バイアス発生器からバイアス電圧を受信するように構成され、前記バイアス発生器が、前記電流シンク回路をバイアスする前記バイアス電圧を供給するように構成され、前記電流シンク回路が、前記ヘッドスイッチ回路がアクティブ化されるレートを制御するためにバイアス電流をミラーリングするように構成される、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。 - 前記バイアス電圧を供給するように構成されるバイアス発生器出力をさらに備える、請求項8に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 前記ヘッドスイッチ回路がp型金属酸化物半導体(PMOS)トランジスタであって、
前記ヘッドスイッチ回路の電圧入力に結合されるソースと、
前記ヘッドスイッチ回路の制御入力に結合されるゲートと、
前記ヘッドスイッチ回路の電圧出力に結合されるドレインと
を備える、PMOSトランジスタ
を備える、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。 - 前記制御回路がPMOSトランジスタであって、
電圧供給源に結合されるソースと、
前記イネーブル信号を受信するように構成されるゲートと、
前記ヘッドスイッチ回路の前記PMOSトランジスタの前記ゲートおよび前記電流シンク回路に結合されるドレインと
を備える、PMOSトランジスタ
を備える、請求項10に記載のスイッチ式電力制御回路。 - 前記電流シンク回路がn型金属酸化物半導体(NMOS)トランジスタであって、
前記ヘッドスイッチ回路の前記PMOSトランジスタの前記ゲートに結合されるドレインと、
バイアス発生器に結合されるゲートと、
グランド源に結合されるソースと
を備える、NMOSトランジスタ
を備える、請求項11に記載のスイッチ式電力制御回路。 - 集積回路(IC)に組み込まれる、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。
- セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、携帯電話、セルラーフォン、スマートフォン、タブレット、ファブレット、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、および自動車からなるグループから選択されるデバイスの中に組み込まれる、請求項1に記載のスイッチ式電力制御回路。
- 制御信号が制御入力上で受信されたことに応答して電圧供給源から生成された出力電圧を被給電回路に供給するための手段と、
前記出力電圧を供給するための前記手段による前記出力電圧の前記被給電回路への前記供給を制御するための前記制御信号を生成するための手段と、
前記出力電圧を前記被給電回路に前記供給するための手段によって生成された前記出力電圧の立上げレートを制御するための手段と
を含む、スイッチ式電力制御回路。 - 供給電圧を被給電回路に徐々に供給するための方法であって、
イネーブル信号に応答してヘッドスイッチ回路によって電圧供給源から生成された出力電圧の被給電回路への供給を制御するための制御信号を生成するステップと、
前記ヘッドスイッチ回路の制御入力に結合される電流シンク回路によって、前記ヘッドスイッチ回路によって生成された前記出力電圧の立上げレートを制御するステップと、
前記制御信号が前記制御入力上で受信されたことに応答して前記出力電圧を前記ヘッドスイッチ回路から前記被給電回路に供給するステップと
を含む、方法。 - 前記出力電圧の前記立上げレートを制御するステップが、前記出力電圧を前記電圧供給源の供給電圧まで次第に立ち上げるステップを含む、請求項16に記載の方法。
- 前記出力電圧が前記被給電回路に供給されるレートを制御するために前記電流シンク回路をバイアスするステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記電流シンク回路をバイアスするステップが、前記ヘッドスイッチ回路がアクティブ化されるレートを制御するために前記電流シンク回路をバイアスするバイアス電圧を供給するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 高速イネーブル信号を受信するステップをさらに含み、前記ヘッドスイッチ回路が、前記高速イネーブル信号を受信したことに応答して前記供給電圧を前記被給電回路に実質的に瞬時に供給するように構成される、請求項18に記載の方法。
- 複数のスイッチ式電力制御回路を備え、各スイッチ式電力制御回路が、
イネーブル信号を受信するように構成されるイネーブル入力と、
前記イネーブル信号を供給するように構成されるイネーブル出力と、
制御信号が制御入力上で受信されたことに応答して電圧供給源から生成された出力電圧を被給電回路に供給するように構成されるヘッドスイッチ回路と、
前記イネーブル信号に応答して前記ヘッドスイッチ回路による前記出力電圧の前記被給電回路への前記供給を制御するための前記制御信号を生成するように構成される制御回路と、
前記制御入力に結合される電流シンク回路と
を備え、前記電流シンク回路が、前記ヘッドスイッチ回路によって生成された前記出力電圧の立上げレートを制御するように構成される、
ブロックヘッドスイッチシステム。 - 前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路の前記電流シンク回路が、前記出力電圧を前記電圧供給源の供給電圧まで次第に立ち上げるように構成されることによって、前記立上げレートを制御するように構成される、請求項21に記載のブロックヘッドスイッチシステム。
- 前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路の前記電流シンク回路をバイアスするバイアス電圧を供給するように構成されるバイアス発生器であって、前記電流シンク回路が、各スイッチ式電力制御回路の前記ヘッドスイッチ回路がアクティブ化されるレートを制御するためにバイアス電流をミラーリングする、バイアス発生器をさらに備え、
前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路が、
前記バイアス電圧を受信するように構成されるバイアス発生器入力と、
前記バイアス電圧を供給するように構成されるバイアス発生器出力と
をさらに備える、
請求項21に記載のブロックヘッドスイッチシステム。 - 高速イネーブル信号を受信するように構成される高速イネーブル入力と、
前記高速イネーブル信号を供給するように構成される高速イネーブル出力と、
高速イネーブルバッファと
をさらに備え、前記高速イネーブルバッファが、
前記高速イネーブル信号を受信することと、
前記高速イネーブル信号を前記ヘッドスイッチ回路に供給することと
を行うように構成され、
前記高速イネーブルバッファが、前記イネーブル信号の非アクティブ化に応答してアクティブ化され、
前記ヘッドスイッチ回路が、前記高速イネーブル信号を受信したことに応答して前記供給電圧を前記被給電回路に実質的に瞬時に供給するように構成される、
請求項21に記載のブロックヘッドスイッチシステム。 - 前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路の前記ヘッドスイッチ回路が、p型金属酸化物半導体(PMOS)トランジスタであって、
前記ヘッドスイッチ回路の電圧入力に結合されるソースと、
前記ヘッドスイッチ回路の前記制御入力に結合されるゲートと、
前記ヘッドスイッチ回路の電圧出力に結合されるドレインと
を備える、PMOSトランジスタ
を備える、請求項24に記載のブロックヘッドスイッチシステム。 - 前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路の前記制御回路が、PMOSトランジスタであって、
前記電圧供給源に結合されるソースと、
前記イネーブル信号を受信するように構成されるゲートと、
前記ヘッドスイッチ回路の前記PMOSトランジスタの前記ゲートおよび前記電流シンク回路に結合されるドレインと
を備える、PMOSトランジスタ
を備える、請求項25に記載のブロックヘッドスイッチシステム。 - 前記複数のスイッチ式電力制御回路の各スイッチ式電力制御回路の前記電流シンク回路が、n型金属酸化物半導体(NMOS)トランジスタであって、
前記ヘッドスイッチ回路の前記PMOSトランジスタの前記ゲートに結合されるドレインと、
バイアス発生器に結合されるゲートと、
グランド源に結合されるソースと
を備える、NMOSトランジスタ
を備える、請求項26に記載のブロックヘッドスイッチシステム。
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WO1995024076A1 (en) * | 1994-03-01 | 1995-09-08 | Apple Computer, Inc. | Slew-rate controlled power switching circuit |
JPH08111641A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Canon Inc | 比較装置,a/d変換装置,pwm信号生成装置,電源装置,電源制御装置 |
WO1997012443A1 (en) | 1995-09-26 | 1997-04-03 | Philips Electronics N.V. | Pre-regulator with active current limiting for power transistor |
US6694438B1 (en) | 1999-07-02 | 2004-02-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | System for controlling the delivery of power to DC computer components |
US6724601B2 (en) | 2001-03-16 | 2004-04-20 | Integrated Device Technology, Inc. | ESD protection circuit |
US6690147B2 (en) * | 2002-05-23 | 2004-02-10 | Texas Instruments Incorporated | LDO voltage regulator having efficient current frequency compensation |
US7119606B2 (en) * | 2003-07-10 | 2006-10-10 | Qualcomm, Incorporated | Low-power, low-area power headswitch |
JP4199706B2 (ja) * | 2004-07-13 | 2008-12-17 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 降圧回路 |
DE102005055415B4 (de) * | 2005-11-21 | 2011-03-10 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Schaltungsanordnung mit einer Gatetreiberschaltung für einen Leistungstransistor |
US7791406B1 (en) | 2006-04-04 | 2010-09-07 | Marvell International Ltd. | Low leakage power management |
KR100794659B1 (ko) | 2006-07-14 | 2008-01-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩과 그것의 파워 게이팅 방법 |
US7809408B2 (en) | 2006-12-06 | 2010-10-05 | Broadcom Corporation | Method and system for a power switch with a slow in-rush current |
US7432747B1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-07 | Etron Technology Inc. | Gate driving circuit |
DE102007053874B3 (de) | 2007-11-09 | 2009-04-09 | Atmel Germany Gmbh | Monolithisch integrierter Schaltkreis und Verwendung eines Halbleiterschalters |
US8183713B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-05-22 | Qualcomm Incorporated | System and method of providing power using switching circuits |
US7956597B2 (en) * | 2008-06-24 | 2011-06-07 | Mediatek Inc. | Reference buffer circuits for providing reference voltages |
US7786754B2 (en) * | 2008-09-09 | 2010-08-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High speed digital signaling apparatus and method using reflected signals to increase total delivered current |
JP5486967B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-05-07 | 株式会社日立製作所 | 情報処理装置 |
KR101170241B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2012-07-31 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Epd 및 디스플레이 장치의 구동회로 |
US8988839B2 (en) | 2011-11-01 | 2015-03-24 | Qualcomm Incorporated | Block power switch with embedded electrostatic discharge (ESD) protection and adaptive body biasing |
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