JP2018525684A - 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018525684A JP2018525684A JP2018524588A JP2018524588A JP2018525684A JP 2018525684 A JP2018525684 A JP 2018525684A JP 2018524588 A JP2018524588 A JP 2018524588A JP 2018524588 A JP2018524588 A JP 2018524588A JP 2018525684 A JP2018525684 A JP 2018525684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- substrate
- hole
- laminated
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 1112
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 292
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 292
- 239000010408 film Substances 0.000 description 158
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 90
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 72
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 69
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 48
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 35
- 230000009471 action Effects 0.000 description 30
- 238000003491 array Methods 0.000 description 27
- 230000006870 function Effects 0.000 description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 23
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 13
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 12
- 238000001727 in vivo Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 7
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 238000000347 anisotropic wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 210000000936 intestine Anatomy 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
- B29D11/00009—Production of simple or compound lenses
- B29D11/00365—Production of microlenses
- B29D11/00375—Production of microlenses by moulding lenses in holes through a substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/001—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras
- G02B13/0085—Miniaturised objectives for electronic devices, e.g. portable telephones, webcams, PDAs, small digital cameras employing wafer level optics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ophthalmology & Optometry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Lens Barrels (AREA)
- Studio Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Cameras In General (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
1.カメラモジュールの第1の実施の形態
2.カメラモジュールの第2の実施の形態
3.カメラモジュールの第3の実施の形態
4.カメラモジュールの第4の実施の形態
5.カメラモジュールの第5の実施の形態
6.第4の実施の形態のカメラモジュールの詳細構成
7.カメラモジュールの第6の実施の形態
8.カメラモジュールの第7の実施の形態
9.レンズ付き基板の詳細構成
10.レンズ付き基板の製造方法
11.レンズ付き基板どうしの接合
12.カメラモジュールの第8及び第9の実施の形態
13.カメラモジュールの第10の実施の形態
14.カメラモジュールの第11の実施の形態
15.他の構造と比較した本構造の効果
16.各種の変形例
17.受光素子の画素配列と絞り板の構造と用途説明
18.電子機器への適用例
19.イメージセンサの使用例
図1は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第1の実施の形態を示す図である。
このように、2枚のレンズ付き基板41の間に配置した無機物の層を介して2枚のレンズ付き基板を固定すること、
あるいは、2枚のレンズ付き基板41の表面にそれぞれ配置した無機物の層どうしを化学結合させることで2枚のレンズ付き基板を固定すること、
あるいは、2枚のレンズ付き基板41の表面にそれぞれ配置した無機物の層の間に脱水縮合による結合を形成することで2枚のレンズ付き基板を固定すること、
あるいは、2枚のレンズ付き基板41の表面にそれぞれ配置した無機物の層の間に、酸素を介した共有結合あるいは互いの無機物の層に含まれる元素どうしの共有結合を形成することで2枚のレンズ付き基板を固定すること、
あるいは、2枚のレンズ付き基板41の表面にそれぞれ配置したシリコン酸化物層もしくはシリコン窒化物層の間に、シリコン―酸素共有結合あるいはシリコン―シリコン共有結合を形成することで2枚のレンズ付き基板を固定すること、
を直接接合と呼ぶ。
代替的に、又は追加として、直接接合は基板同士が直接接合されていることを意味する場合もある。
図9は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第2の実施の形態を示す図である。
図10は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第3の実施の形態を示す図である。
図11は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第4の実施の形態を示す図である。
図12は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第5の実施の形態を示す図である。
次に、図13を参照して、図11に示した第4の実施の形態に係るカメラモジュール1Dの詳細構成について説明する。
次に、レンズ付き基板41aのレンズ樹脂部82aを例に、レンズ樹脂部82の形状について説明する。
(1) 担体基板81の厚さが、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、担体基板81の厚さが、下層のレンズ付き基板41の方が厚い。
(2) レンズ付き基板41に備わる貫通孔83の開口幅が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、貫通孔83の開口幅が、下層のレンズ付き基板41の方が大きい。
(3) レンズ付き基板41に備わるレンズ部91の直径が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、レンズ部91の直径が、下層のレンズ付き基板41のレンズ部91の方が大きい。
(4) レンズ付き基板41に備わるレンズ部91の厚さが、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。例えば、レンズ部91の厚さが、下層のレンズ付き基板41のレンズ部91の方が厚い。
(5) レンズ付き基板41に備わるレンズ間の距離が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。
(6) レンズ付き基板41に備わるレンズ樹脂部82の体積が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で、異なる。例えば、レンズ樹脂部82の体積が、下層のレンズ付き基板41のレンズ樹脂部82の方が大きい。
(7) レンズ付き基板41に備わるレンズ樹脂部82の材料が、積層レンズ構造体11を構成する少なくとも複数枚のレンズ付き基板41の間で異なる。
図16は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第6の実施の形態を示す図である。
図17は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第7の実施の形態を示す図である。
次に、レンズ付き基板41の詳細構成について説明する。
次に、図19乃至図29を参照して、レンズ付き基板41の製造方法を説明する。
担体基板81Wの貫通孔83は、担体基板81Wをウェットエッチングにより、エッチングすることによって形成することができる。具体的には、担体基板81Wをエッチングする前に、担体基板81Wの非開口領域がエッチングされることを防ぐためのエッチングマスクが、担体基板81Wの表面に形成される。エッチングマスクの材料には、例えばシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜などの絶縁膜が用いられる。エッチングマスクは、エッチングマスク材料の層を担体基板81Wの表面に形成し、この層に貫通孔83の平面形状となるパターンを開口することで、形成される。エッチングマスクが形成された後、担体基板81Wをエッチングすることにより、担体基板81Wに貫通孔83が形成される。
また、貫通孔83形成のエッチングには、上述したウェットエッチングではなく、ドライエッチングを用いることも可能である。
次に、図23を参照して、基板状態のレンズ付き基板41Wの製造方法について説明する。
図19のBに示したように、貫通孔83の平面形状は、例えば四角形などの多角形であっても良い。
(1)レンズ部91の外周に配置した腕部101の長さは、四角形の辺方向と対角線方向とで同じである。
(2)腕部101の外側に配置し、貫通孔83a側壁まで延在する脚部102の長さは、四角形の辺方向の脚部102の長さよりも対角線方向の脚部102の長さの方を、長くしている。
(1)レンズ部91の外周に配置した脚部102の長さを、貫通孔83aの四角形の4つの辺に沿って、一定にしている。
(2)上記(1)の構造を実現するために、腕部101の長さは、四角形の辺方向の腕部の長さよりも対角線方向の腕部の長さの方を、長くしている。
(1)貫通孔83の側壁は、段付き部221を備える段付き形状である。
(2)レンズ樹脂部82の担持部92の脚部102が、貫通孔83の側壁上方に配置されるだけでなく、貫通孔83に備わる段付き部221の上にも、レンズ付き基板41の平面方向に延在している。
(1)レンズ部91の外周に配置した腕部101の長さは、四角形の辺方向と対角線方向とで同じである。
(2)腕部101の外側に配置し、貫通孔83aの側壁まで延在する脚部102の長さは、四角形の辺方向の脚部102の長さよりも、対角線方向の脚部102の長さが長い。
次に、複数のレンズ付き基板41が形成された基板状態のレンズ付き基板41Wどうしの直接接合について説明する。
図34は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第8の実施の形態を示す図である。
図36は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第10の実施の形態を示す図である。
図37は、本技術を適用した積層レンズ構造体を用いたカメラモジュールの第11の実施の形態を示す図である。
積層レンズ構造体11は、レンズ付き基板41どうしを直接接合により固着させた構造(以下、本構造という。)である。本構造の作用及び効果について、レンズが形成されたレンズ付き基板のその他の構造と比較して説明する。
図38は、本構造と比較するための第1の基板構造(以下、比較構造例1という。)であって、特開2011−138089号公報(以下、比較文献1という。)において図14(b)として開示されたウエハレベル積層構造の断面図である。
図39は、本構造と比較するための第2の基板構造(以下、比較構造例2という。)であって、特開2009−279790号公報(以下、比較文献2という。)において図5(a)として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例2である図39のレンズアレイ基板1041が開示されている比較文献2では、レンズ1053となる樹脂1054の作用として、以下のことが開示されている。
図41は、本構造と比較するための第3の基板構造(以下、比較構造例3という。)であって、特開2010−256563号公報(以下、比較文献3という。)において図1として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例3である図41のレンズアレイ基板1081が開示されている比較文献3では、レンズ1093となる樹脂1094の作用として、以下のことが開示されている。
図43は、本構造と比較するための第4の基板構造(以下、比較構造例4という。)であって、上述した比較文献2において図6として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例4である図43のレンズアレイ基板1121が開示されている比較文献2では、レンズ1143となる樹脂1144の作用として、以下のことが開示されている。
図45は、本構造と比較するための第5の基板構造(以下、比較構造例5という。)であって、上述した比較文献2において図9として開示されたレンズアレイ基板の断面図である。
比較構造例5である図45のレンズアレイ基板1161が開示されている比較文献2では、レンズ1173となる樹脂1174の作用として、以下のことが開示されている。
比較構造例2乃至5において樹脂がもたらす作用についてまとめると、次のようになる。
(1)当該レンズアレイ基板の上面において当該レンズアレイ基板に作用する力の方向および大きさと、
(2)当該レンズアレイ基板の下面において当該レンズアレイ基板に作用する力の方向および大きさと、
の相対関係の影響を受ける。
そこで、例えば、図48のAに示されるように、レンズアレイ基板1211の上面に配置する光硬化性樹脂1212の層及び面積と、レンズアレイ基板1211の下面に配置する光硬化性樹脂1212の層及び面積とを、同一にするレンズアレイ基板構造が考えられる。このレンズアレイ基板構造を、本構造と比較するための第6の基板構造(以下、比較構造例6という。)と呼ぶ。
ところで、実際には、カメラモジュールに組み込まれる積層レンズ構造体を構成するレンズ付き基板の形状は全て同じではない。より具体的には、積層レンズ構造体を構成する複数のレンズ付き基板どうしは、例えば、レンズ付き基板の厚さや貫通孔の大きさが異なっていたり、貫通孔に形成されるレンズの厚みや形状、体積などが異なる場合がある。さらに言えば、レンズ付き基板の上面及び下面に形成される光硬化性樹脂の膜厚なども、各レンズ付き基板で異なる場合もある。
図51は、第8の基板構造(以下、比較構造例8という。)としての、3枚のレンズ付き基板の積層で構成される積層レンズ構造体の断面図である。この積層レンズ構造体では、図48で示した比較構造例6と同様に、各レンズ付き基板の上面及び下面に配置された光硬化性樹脂の層及び面積が同一に形成されているものとする。
図53は、本構造を採用した3枚のレンズ付き基板1361乃至1363からなる積層レンズ構造体1371を示す図である。
上述した各実施の形態のその他の変形例について、以下説明する。
積層レンズ構造体11の上部には、積層レンズ構造体11のレンズ21の表面を保護するため、カバーガラスを設ける場合がある。この場合、カバーガラスに、光学絞りの機能を持たせるようにすることができる。
次に、上述した絞り板51やカバーガラス1501を用いた絞りに代えて、レンズ付き基板41の貫通孔83の開口自体を絞り機構とする例について説明する。
上述した実施の形態では、貫通孔83にレンズ21が形成されたレンズ付き基板41Wどうしを、プラズマ接合により貼り合わせるようにしたが、金属接合を用いて貼り合わせるようにすることもできる。
図61は、上述したレンズ付き基板41aの変形例であるレンズ付き基板41a’−1と41a’−2の断面図である。
図62を参照して、図61のAに示したレンズ付き基板41a’−1の製造方法について説明する。
次に、図10と図11で示したカメラモジュール1が備える受光素子12の画素配列と絞り板51の構成についてさらに説明する。
上述したカメラモジュール1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像装置を用いる電子機器に組み込んだ形で使用することが可能である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置されたレンズ付き基板どうしが直接接合により接合されて積層されている
積層レンズ構造体。
(2)
前記レンズ付き基板の接合面には、反射防止膜が成膜されている
前記(1)に記載の積層レンズ構造体。
(3)
前記反射防止膜は、前記レンズ表面に成膜された反射防止膜と同一である
前記(2)に記載の積層レンズ構造体。
(4)
前記反射防止膜は、屈折率の異なる複数の膜で構成される
前記(2)または(3)に記載の積層レンズ構造体。
(5)
前記複数の膜は、第1の屈折率を有する低屈折膜と、それより高い第2の屈折率を有する高屈折膜を少なくとも含み、
前記反射防止膜の最表面の膜は、前記低屈折膜である
前記(4)に記載の積層レンズ構造体。
(6)
前記直接接合は、プラズマ接合である
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(7)
前記貫通孔の側壁に、遮光膜が成膜されている
前記(1)乃至(6)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(8)
前記レンズを保護するカバーガラスをさらに備え、
前記カバーガラスに、光学絞りとして機能する遮光膜が成膜されている
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(9)
積層された複数の前記レンズ付き基板のなかの1枚のレンズ付き基板の前記貫通孔の穴径が、光学絞りとして機能する
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(10)
複数の前記レンズ付き基板と、前記貫通孔にレンズが形成されていない基板とが積層されており、前記レンズが形成されていない基板の前記貫通孔の穴径が、光学絞りとして機能する
前記(1)乃至(7)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(11)
前記光学絞りとして機能する前記貫通孔の穴径が、前記積層レンズ構造体を構成する複数のレンズの曲面部分の直径よりも小さい
前記(9)乃至(10)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(12)
前記光学絞りとして機能する前記貫通孔の穴径が、前記積層レンズ構造体を構成する複数のレンズの最上面から、光入射方向の反対方向に離れた位置に配置されている
前記(9)乃至(11)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(13)
前記レンズ付き基板どうしが金属接合により接合されて積層されている
前記(9)乃至(11)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(14)
前記基板は所定元素のイオンがドープされた高濃度ドープ基板である
前記(1)乃至(13)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(15)
前記基板は、不純物濃度が異なる2つの領域に分けられる
前記(14)に記載の積層レンズ構造体。
(16)
前記貫通孔の側壁は、階段形状である
前記(1)乃至(15)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(17)
前記階段形状の平面方向の幅は、400nm乃至1μmの範囲である
前記(16)に記載の積層レンズ構造体。
(18)
前記貫通孔は、マスク後退工程とエッチング工程を複数回繰り返し行うことで形成される
前記(16)または(17)に記載の積層レンズ構造体。
(19)
前記エッチング工程は、マスクの側壁を保護する保護膜形成工程と、ドライエッチング工程からなる
前記(18)に記載の積層レンズ構造体。
(20)
基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置されたレンズ付き基板どうしを直接接合により接合して積層する
積層レンズ構造体の製造方法。
(21)
基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置されたレンズ付き基板どうしが直接接合により接合されて積層されている積層レンズ構造体を含むカメラモジュール
を備える電子機器。
(22)
基板に貫通孔が形成され、その貫通孔の内側にレンズが形成されたレンズ付き基板である第1乃至第3のレンズ付き基板の3枚のレンズ付き基板が少なくとも積層され、
前記第1のレンズ付き基板の上方に、前記第2のレンズ付き基板が配置され、
前記第1のレンズ付き基板の下方に、前記第3のレンズ付き基板が配置され、
前記第2と第3のレンズ付き基板は、基板の厚さが異なり、
前記第2および第3のレンズ付き基板のうち、基板の厚さが薄い方の基板においては、前記貫通孔の径が、前記第1のレンズ付き基板の方向に向かって小さくなり、かつ、前記第1と第2のレンズ付き基板の基板どうし、および、前記第1と第3のレンズ付き基板の基板どうしが、直接接合により接合されている
積層レンズ構造体。
(23)
基板に貫通孔が形成され、その貫通孔の内側にレンズが形成されたレンズ付き基板である第1乃至第3のレンズ付き基板の3枚のレンズ付き基板が少なくとも積層され、
前記第1のレンズ付き基板の上方に、前記第2のレンズ付き基板が配置され、
前記第1のレンズ付き基板の下方に、前記第3のレンズ付き基板が配置され、
前記第2と第3のレンズ付き基板は、前記レンズの体積が異なり、
前記第2および第3のレンズ付き基板のうち、前記貫通孔の内側に形成されたレンズの体積が小さい方の基板においては、前記貫通孔の径が、第1のレンズ付き基板の方向に向かって小さくなり、かつ、前記第1と第2のレンズ付き基板の基板どうし、および、前記第1と第3のレンズ付き基板の基板どうしが、直接接合により接合されている
積層レンズ構造体。
(24)
第1の貫通孔を有する第1の基板と、第2の貫通孔を有する第2の基板とを含む複数の基板と、
前記第1の貫通孔に配置された第1のレンズと、前記第2の貫通孔に配置された第2のレンズとを含む複数のレンズと、
を備え、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、積層レンズ構造体。
(25)
前記第1の基板に第1の層が形成され、前記第2の基板に第2の層が形成され、前記第1及び前記第2の層の各々は、酸化物、窒化物材料、又はカーボンのうちの1つ以上を含む、前記(24)に記載の積層レンズ構造体。
(26)
前記第1の基板は、前記第1の層及び前記第2の層を介して前記第2の基板に直接接合される、前記(25)に記載の積層レンズ構造体。
(27)
前記第1の層及び前記第2の層は、プラズマ接合された部分を含む、前記(26)に記載の積層レンズ構造体。
(28)
前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板の接合表面に、反射防止膜が形成される、前記(24)乃至前記(27)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(29)
前記反射防止膜は、前記複数のレンズのうちの少なくとも1つの前記レンズの表面に形成される、前記(28)に記載の積層レンズ構造体。
(30)
前記反射防止膜は、異なる屈折率を有する複数の膜を備える、前記(28)に記載の積層レンズ構造体。
(31)
前記複数の膜は、少なくとも、第1の屈折率を有する低屈折膜と、第2の屈折率を有する高屈折膜とを備え、
前記反射防止膜の最上層における膜は前記低屈折膜である、前記(30)に記載の積層レンズ構造体。
(32)
前記第1及び前記第2の貫通孔のうちの少なくとも1つの側壁に、遮光膜が形成される、前記(24)乃至(31)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(33)
光学絞りが形成されるカバーガラスをさらに備え、前記光学絞りは、遮光膜に形成されるアパチャを含む、前記(24)乃至(32)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(34)
前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板に形成された前記貫通孔の直径に基づいた光学絞りは、少なくとも1つの前記基板を通過する光量を低減させる、前記(24)乃至(33)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(35)
レンズを有さない貫通孔を含む基板と、前記第1の基板又は前記第2の基板のうちの少なくとも1つとが積層され、
前記レンズを有さない前記貫通孔の直径に基づいた光学絞りは、前記レンズを有さない前記貫通孔を通過する光量を制御する、前記(24)乃至(34)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(36)
前記レンズを有さない前記貫通孔の前記直径は、前記複数のレンズのうちの少なくとも1つの前記レンズの曲面部分の直径よりも小さい、前記(35)に記載の積層レンズ構造体。
(37)
前記レンズを有さない前記貫通孔の前記直径は、前記積層レンズ構造体を形成する前記複数の基板のうちの前記基板の最上位層に配置される、前記(35)に記載の積層レンズ構造体。
(38)
前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板は、異なる不純物濃度を有する2つの領域に分けられる、前記(24)乃至(37)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(39)
前記第1及び前記第2の貫通孔のうちの少なくとも1つの前記貫通孔の側壁は、階段形状を有する、前記(24)乃至(38)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(40)
前記階段形状の幅は、400nm乃至1μmの範囲である、前記(24)乃至(39)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(41)
第3の貫通孔と、前記第3の貫通孔に配置された第3のレンズとを含む第3の基板をさらに備え、
前記第2の基板は、前記第1の基板の上方に配置され、
前記第3の基板は、前記第1の基板の下方に配置され、
(i)前記第2の基板の厚さが前記第3の基板の厚さと異なるか、又は(ii)前記第2の基板における前記第2のレンズの厚さが前記第3の基板における前記第3のレンズの厚さと異なるかの少なくとも一方であり、
前記第1及び前記第2の基板は直接接合され、前記第1及び前記第3の基板は直接接合される、前記(24)乃至(40)のいずれかに記載の積層レンズ構造体。
(42)
第1のレンズが内部に配置される第1の貫通孔を含む第1の基板を形成することと、
第2のレンズが内部に配置される第2の貫通孔を含む第2の基板を形成することと、
を含み、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、積層レンズ構造体の製造方法。
(43)
積層レンズ構造体を含むカメラモジュールを備え、
前記積層レンズ構造体は、
第1の貫通孔を有する第1の基板と、第2の貫通孔を有する第2の基板とを含む複数の基板と、
前記第1の貫通孔に配置された第1のレンズと、前記第2の貫通孔に配置された第2のレンズとを含む複数のレンズと、
を備え、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、電気機器。
11 積層レンズ構造体
12 受光素子
13 光学ユニット
21 レンズ
41(41a乃至41e) レンズ付き基板
43 センサ基板
51 絞り板
52 開口部
81 担体基板
82 レンズ樹脂部
83 貫通孔
121 遮光膜
122 上側表面層
123 下側表面層
141 エッチングマスク
142 保護膜
1501 カバーガラス
1502 遮光膜
1503 開口部
1511 基板
1531 レンズ付き基板
1542 金属膜
1551 第1の領域
1552 第2の領域
1561W 高濃度ドープ基板
2000 撮像装置
2001 イメージセンサ
2002 カメラモジュール
Claims (20)
- 第1の貫通孔を有する第1の基板と、第2の貫通孔を有する第2の基板とを含む複数の基板と、
前記第1の貫通孔に配置された第1のレンズと、前記第2の貫通孔に配置された第2のレンズとを含む複数のレンズと、
を備え、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、積層レンズ構造体。 - 前記第1の基板に第1の層が形成され、前記第2の基板に第2の層が形成され、前記第1及び前記第2の層の各々は、酸化物、窒化物材料、又はカーボンのうちの1つ以上を含む、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 前記第1の基板は、前記第1の層及び前記第2の層を介して前記第2の基板に直接接合される、請求項2に記載の積層レンズ構造体。
- 前記第1の層及び前記第2の層は、プラズマ接合された部分を含む、請求項3に記載の積層レンズ構造体。
- 前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板の接合表面に、反射防止膜が形成される、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 前記反射防止膜は、前記複数のレンズのうちの少なくとも1つの前記レンズの表面に形成される、請求項5に記載の積層レンズ構造体。
- 前記反射防止膜は、異なる屈折率を有する複数の膜を備える、請求項5に記載の積層レンズ構造体。
- 前記複数の膜は、少なくとも、第1の屈折率を有する低屈折膜と、第2の屈折率を有する高屈折膜とを備え、
前記反射防止膜の最上層における膜は前記低屈折膜である、請求項7に記載の積層レンズ構造体。 - 前記第1及び前記第2の貫通孔のうちの少なくとも1つの側壁に、遮光膜が形成される、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 光学絞りが形成されるカバーガラスをさらに備え、前記光学絞りは、遮光膜に形成されるアパチャを含む、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板に形成された前記貫通孔の直径に基づいた光学絞りは、少なくとも1つの前記基板を通過する光量を低減させる、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- レンズを有さない貫通孔を含む基板と、前記第1の基板又は前記第2の基板のうちの少なくとも1つとが積層され、
前記レンズを有さない前記貫通孔の直径に基づいた光学絞りは、前記レンズを有さない前記貫通孔を通過する光量を制御する、請求項1に記載の積層レンズ構造体。 - 前記レンズを有さない前記貫通孔の前記直径は、前記複数のレンズのうちの少なくとも1つの前記レンズの曲面部分の直径よりも小さい、請求項12に記載の積層レンズ構造体。
- 前記レンズを有さない前記貫通孔の前記直径は、前記積層レンズ構造体を形成する前記複数の基板のうちの前記基板の最上位層に配置される、請求項12に記載の積層レンズ構造体。
- 前記複数の基板のうちの少なくとも1つの前記基板は、異なる不純物濃度を有する2つの領域に分けられる、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 前記第1及び前記第2の貫通孔のうちの少なくとも1つの前記貫通孔の側壁は、階段形状を有する、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 前記階段形状の幅は、400nm乃至1μmの範囲である、請求項1に記載の積層レンズ構造体。
- 第3の貫通孔と、前記第3の貫通孔に配置された第3のレンズとを含む第3の基板をさらに備え、
前記第2の基板は、前記第1の基板の上方に配置され、
前記第3の基板は、前記第1の基板の下方に配置され、
(i)前記第2の基板の厚さが前記第3の基板の厚さと異なるか、又は(ii)前記第2の基板における前記第2のレンズの厚さが前記第3の基板における前記第3のレンズの厚さと異なるかの少なくとも一方であり、
前記第1及び前記第2の基板は直接接合され、前記第1及び前記第3の基板は直接接合される、請求項1に記載の積層レンズ構造体。 - 第1のレンズが内部に配置される第1の貫通孔を含む第1の基板を形成することと、
第2のレンズが内部に配置される第2の貫通孔を含む第2の基板を形成することと、
を含み、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、積層レンズ構造体の製造方法。 - 積層レンズ構造体を含むカメラモジュールを備え、
前記積層レンズ構造体は、
第1の貫通孔を有する第1の基板と、第2の貫通孔を有する第2の基板とを含む複数の基板と、
前記第1の貫通孔に配置された第1のレンズと、前記第2の貫通孔に配置された第2のレンズとを含む複数のレンズと、
を備え、
前記第1の基板は、前記第2の基板に直接接合される、電気機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015152921 | 2015-07-31 | ||
JP2015152921 | 2015-07-31 | ||
PCT/JP2016/003350 WO2017022188A1 (en) | 2015-07-31 | 2016-07-15 | Stacked lens structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018525684A true JP2018525684A (ja) | 2018-09-06 |
JP2018525684A5 JP2018525684A5 (ja) | 2019-08-08 |
JP6764578B2 JP6764578B2 (ja) | 2020-10-07 |
Family
ID=56684204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018524588A Active JP6764578B2 (ja) | 2015-07-31 | 2016-07-15 | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10431618B2 (ja) |
EP (1) | EP3329314B1 (ja) |
JP (1) | JP6764578B2 (ja) |
KR (1) | KR20180033167A (ja) |
CN (1) | CN107771357B (ja) |
TW (1) | TWI741988B (ja) |
WO (1) | WO2017022188A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112582803A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 阵列透镜、透镜天线和电子设备 |
JP2022169472A (ja) * | 2021-04-27 | 2022-11-09 | アップル インコーポレイテッド | ポータブル電子デバイスのカメラ統合 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI781085B (zh) * | 2015-11-24 | 2022-10-21 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 複眼透鏡模組及複眼相機模組 |
MX2019008199A (es) * | 2017-01-06 | 2019-11-25 | Avidity Biosciences Llc | Composiciones de acido nucleico polipeptido y metodos de induccion de la omision de exon. |
US10222555B2 (en) | 2017-01-10 | 2019-03-05 | International Business Machines Corporation | Integrated optoelectronic chip and lens array |
JP6949515B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
US10852460B2 (en) * | 2017-08-04 | 2020-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Diffraction optical element, manufacturing method thereof, and optical apparatus |
JP7032103B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2022-03-08 | 日本電産コパル株式会社 | 撮像装置 |
KR101855274B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2018-05-08 | 에스케이씨 주식회사 | 플라스틱 렌즈의 이형 방법 및 이형 장치 |
US10818778B2 (en) | 2017-11-27 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Heterogeneous semiconductor device substrates with high quality epitaxy |
JP2019184719A (ja) | 2018-04-05 | 2019-10-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに、電子機器 |
AU2019275113B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-12-16 | International Electronic Machines Corp. | Sensitive area management |
DE102019107075A1 (de) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | HELLA GmbH & Co. KGaA | Beleuchtungsvorrichtung für Fahrzeuge |
TWI701127B (zh) * | 2019-05-16 | 2020-08-11 | 趙崇禮 | 透鏡陣列的模具設備 |
TWI748791B (zh) * | 2020-07-31 | 2021-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 光感測器及其製造方法 |
TWI752802B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 指紋感測模組及指紋辨識裝置 |
JP2022170447A (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
TWI769814B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-07-01 | 聯華電子股份有限公司 | 改善半導體鍵合品質的方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08199118A (ja) * | 1995-01-19 | 1996-08-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン―シリコン接合方法 |
CN100440544C (zh) * | 2002-09-17 | 2008-12-03 | 安特约恩股份有限公司 | 照相装置、制造照相装置的方法以及晶片尺度的封装 |
TWI289352B (en) * | 2005-07-06 | 2007-11-01 | Asia Optical Co Inc | Micro lens and its manufacturing method |
US20080181558A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Hartwell Peter G | Electronic and optical circuit integration through wafer bonding |
CN101269917B (zh) * | 2007-03-21 | 2011-11-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 低辐射玻璃 |
KR100969987B1 (ko) * | 2008-01-10 | 2010-07-15 | 연세대학교 산학협력단 | 광학패키지 웨이퍼스케일 어레이 및 그 제조방법 |
JP2009279790A (ja) | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Sharp Corp | レンズ及びその製造方法、並びに、レンズアレイ、カメラモジュール及びその製造方法、電子機器 |
FR2931585B1 (fr) * | 2008-05-26 | 2010-09-03 | Commissariat Energie Atomique | Traitement de surface par plasma d'azote dans un procede de collage direct |
US20100028311A1 (en) * | 2008-07-09 | 2010-02-04 | Baxter International Inc. | Using of scaffold comprising fibrin for delivery of stem cells |
GB2465607A (en) | 2008-11-25 | 2010-05-26 | St Microelectronics | CMOS imager structures |
JP2010204631A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Fujifilm Corp | ウェハレベルレンズアレイの製造方法、ウェハレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット |
US8184195B2 (en) | 2009-04-01 | 2012-05-22 | Aptina Imaging Corporation | Lens shielding structures for digital image sensors |
JP2010256563A (ja) | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Sharp Corp | レンズアレイおよび当該レンズアレイの製造方法、並びに、その利用 |
JP2011138089A (ja) | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Fujifilm Corp | ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット |
JP2011186306A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | ウェハレンズユニットおよびウェハレンズユニットの製造方法 |
US8194335B2 (en) * | 2010-04-13 | 2012-06-05 | Himax Technologies Limited | Optical lens on wafer level and related method for forming the optical lens one wafer level |
US8557679B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-10-15 | Corning Incorporated | Oxygen plasma conversion process for preparing a surface for bonding |
JP5977745B2 (ja) * | 2010-08-17 | 2016-08-24 | ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. | カメラ用の複数の光学装置を製造する方法 |
JP2012084608A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
EP2667225A4 (en) * | 2011-01-21 | 2014-07-09 | Fujifilm Corp | STACKING LINE ARRANGEMENT AND LENS MODULE |
WO2012117986A1 (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-07 | 富士フイルム株式会社 | レンズモジュールの製造方法、及びレンズモジュール |
JP2014112116A (ja) * | 2011-03-14 | 2014-06-19 | Fujifilm Corp | 反射防止テープ及びウェハレベルレンズ並びに撮像装置 |
JP2013001091A (ja) | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Konica Minolta Advanced Layers Inc | 光学素子の製造方法 |
US8388793B1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-03-05 | Visera Technologies Company Limited | Method for fabricating camera module |
TWI509292B (zh) * | 2011-09-07 | 2015-11-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 鏡片及具有該鏡片的鏡頭模組 |
KR101262597B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2013-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 |
JP6257285B2 (ja) | 2013-11-27 | 2018-01-10 | キヤノン株式会社 | 複眼撮像装置 |
-
2016
- 2016-07-07 TW TW105121638A patent/TWI741988B/zh active
- 2016-07-15 CN CN201680035947.3A patent/CN107771357B/zh active Active
- 2016-07-15 US US15/567,289 patent/US10431618B2/en active Active
- 2016-07-15 JP JP2018524588A patent/JP6764578B2/ja active Active
- 2016-07-15 KR KR1020187000558A patent/KR20180033167A/ko unknown
- 2016-07-15 WO PCT/JP2016/003350 patent/WO2017022188A1/en active Application Filing
- 2016-07-15 EP EP16751017.1A patent/EP3329314B1/en active Active
-
2019
- 2019-09-09 US US16/564,444 patent/US10818717B2/en active Active
-
2020
- 2020-07-31 US US16/945,247 patent/US11342371B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112582803A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 阵列透镜、透镜天线和电子设备 |
CN112582803B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-08-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 阵列透镜、透镜天线和电子设备 |
JP2022169472A (ja) * | 2021-04-27 | 2022-11-09 | アップル インコーポレイテッド | ポータブル電子デバイスのカメラ統合 |
JP7461983B2 (ja) | 2021-04-27 | 2024-04-04 | アップル インコーポレイテッド | ポータブル電子デバイスのカメラ統合 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6764578B2 (ja) | 2020-10-07 |
CN107771357B (zh) | 2022-01-14 |
US11342371B2 (en) | 2022-05-24 |
KR20180033167A (ko) | 2018-04-02 |
CN107771357A (zh) | 2018-03-06 |
US20200006415A1 (en) | 2020-01-02 |
US10431618B2 (en) | 2019-10-01 |
US10818717B2 (en) | 2020-10-27 |
US20200365639A1 (en) | 2020-11-19 |
TW201710726A (zh) | 2017-03-16 |
TWI741988B (zh) | 2021-10-11 |
EP3329314B1 (en) | 2022-04-20 |
US20180108697A1 (en) | 2018-04-19 |
WO2017022188A1 (en) | 2017-02-09 |
EP3329314A1 (en) | 2018-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11342371B2 (en) | Stacked lens structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
WO2017090437A1 (ja) | カメラモジュールおよび電子機器 | |
US10627549B2 (en) | Stacked lens structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
CN108025515B (zh) | 透镜基板、半导体装置的制造方法以及电子设备 | |
JP2018120115A (ja) | Afモジュール、カメラモジュール、および、電子機器 | |
CN107850757B (zh) | 层叠透镜结构及其制造方法、电子设备、模具及其制造方法和基板 | |
CN110199215B (zh) | 堆叠透镜结构、相机模块和电子装置 | |
JP6660115B2 (ja) | レンズ付き基板、及び、積層レンズ構造体の製造方法 | |
WO2018173794A1 (ja) | 積層レンズ構造体及びその製造方法、並びに、電子機器 | |
JP2018120114A (ja) | カメラモジュールおよびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2018120113A (ja) | カメラモジュールおよびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2018109716A (ja) | レンズモジュールおよびレンズモジュールの製造方法、撮像装置、並びに電子機器 | |
JP2019184719A (ja) | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに、電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190621 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190621 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200826 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6764578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |