JP2018523309A - 太陽電池の光吸収体の製造方法 - Google Patents

太陽電池の光吸収体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018523309A
JP2018523309A JP2018504142A JP2018504142A JP2018523309A JP 2018523309 A JP2018523309 A JP 2018523309A JP 2018504142 A JP2018504142 A JP 2018504142A JP 2018504142 A JP2018504142 A JP 2018504142A JP 2018523309 A JP2018523309 A JP 2018523309A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solar cell
pbi
light absorber
chemical formula
adduct
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018504142A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6693555B2 (ja
Inventor
へ キム、ジ
へ キム、ジ
チュン、スン−ホ
ハ パク、ジュン
ハ パク、ジュン
ユプ チュン、チャン
ユプ チュン、チャン
セオブ リー、タエ
セオブ リー、タエ
Original Assignee
エルジー・ケム・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・ケム・リミテッド filed Critical エルジー・ケム・リミテッド
Publication of JP2018523309A publication Critical patent/JP2018523309A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6693555B2 publication Critical patent/JP6693555B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/24—Lead compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344—Organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)

Abstract

本発明は、太陽電池の光吸収体として使用できるペロブスカイト化合物の製造方法に関し、ペロブスカイト化合物の結晶性を高めて太陽電池の安定性および効率を高められる太陽電池の光吸収体の製造方法を提供する。

Description

関連出願との相互参照
本出願は、２０１５年１０月２７日付の韓国特許出願第１０−２０１５−０１４９４７１号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本発明は、太陽電池の光吸収体として使用できるペロブスカイト化合物の製造方法に関する。
化石エネルギーの枯渇とその使用による地球環境的な問題を解決するために、太陽エネルギー、風力、水力のような、再生可能で、クリーンな代替エネルギー源に対する研究が活発に進められている。
このうち、太陽光から直接電気的エネルギーを変化させる太陽電池に対する関心が大きく増加している。ここで、太陽電池とは、太陽光から光エネルギーを吸収して電子と正孔を発生させる光起電効果を利用して電流−電圧を生成する電池を意味する。
太陽光から光エネルギーを吸収してエキシトンを形成できる多様な物質が報告されており、最近はペロブスカイト型化合物が注目されている。ペロブスカイト型化合物は、一般に、陽イオン（ＡおよびＭ）と陰イオン（Ｘ）がＡＭＸ３の化学式で構成され、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３が太陽電池の吸収体として使用できることが報告されて以来（Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｒｅｐｏｒｔｓ２，５９１）、多様な化合物が報告されている。
このようなペロブスカイト化合物は、陽イオンと陰イオンの置換など構造の変更が可能であるが、これによるバンドギャップの変化により太陽電池に適した吸収体を製造することができる。また、最近は、多様な電子伝達層および正孔伝達層がペロブスカイト化合物と共に使用され、太陽電池の効率を高められることが報告されている。
しかし、ペロブスカイト化合物は、太陽電池の吸収体としての使用にいくつかの限界がある。まず、ペロブスカイト化合物は水分に敏感で、水分への露出時に分解などの問題があり、太陽電池への適用時、長期安定性に劣るという欠点がある。これを解決するために、ペロブスカイト化合物の構成元素を置換する研究が進められているが、水分に対する安定性が高いながらも太陽電池の吸収体として有用な化合物は非常に制限的である。
また、ペロブスカイト化合物は、特定の結晶を有しているが、製造条件によってｄｅｆｅｃｔが発生する傾向があり、このようなｄｅｆｅｃｔによって太陽電池の効率が低下する問題がある。
Ｄｅｆｅｃｔの形成を抑制するために多様な反応物が研究されており、最近は、ＤＭＳＯ付加体（ＰｂＩ２−ＤＭＳＯ）をペロブスカイト前駆体として使用する例が報告された（Ｓｃｉｅｎｃｅ２０１５，Ｖｏｌ．３４８，ｎｏ．６２４０，ｐｐ．１２３４−１２３７）。しかし、前記ＤＭＳＯ付加体（ＰｂＩ２−ＤＭＳＯ）は、ＰｂＩ２−ＤＭＳＯとＰｂＩ２−ＤＭＳＯ２が存在して物質自体の安定性に劣り、また、合成が難しい問題がある。
そこで、本発明者らは、ペロブスカイト化合物の結晶性を高めて太陽電池の安定性および効率を高められる太陽電池の光吸収体の製造方法を鋭意研究した結果、後述するような製造方法で前記の問題を解決できることを確認して、本発明を完成した。
本発明は、太陽電池の光吸収体として使用できるペロブスカイト化合物の製造方法に関し、ペロブスカイト化合物の結晶性を高めて太陽電池の安定性および効率を高められる太陽電池の光吸収体の製造方法を提供する。
上記の課題を解決するために、本発明は、下記の段階を含む太陽電池の光吸収体の製造方法を提供する：
（ａ）ｉ）下記化学式１で表される化合物、およびｉｉ）ＮＨまたはＮＣＨ３構造を含む極性非プロトン性溶媒の付加体、および（ｂ）下記化学式２で表される化合物を１種または２種含む溶液を、電極上に塗布する段階（段階１）；および
前記段階１の電極を熱処理する段階（段階２）：
［化学式１］
ＭＸＸ'
前記化学式１において、
Ｍは、２価の金属陽イオンであり、
ＸおよびＸ'は、それぞれ独立に、互いに同一または異なるハロゲンであり、
［化学式２］
ＡＸ"
前記化学式２において、
Ａは、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋または（Ｒ５Ｒ６Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ７Ｒ８）＋の有機陽イオンであり、
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素、またはＣ１−１０アルキルであり、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも１つは、Ｃ１−１０アルキルであり、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、水素、またはＣ１−１０アルキルであり、
Ｘ"は、ハロゲンである。
本発明で製造しようとする太陽電池の光吸収体は、ペロブスカイト化合物である。本発明で使用される用語「ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）」とは、ロシアの鉱物学者Ｌｅｖ Ｐｅｒｏｖｓｋｉの名前から名付けられたもので、陽イオン（ＡおよびＭ）と陰イオン（Ｘ）がＡＭＸ３の化学式で構成され、最初のペロブスカイト型物質のＵｒａｌ酸から発見されたＣａＴｉＯ３のような構造を有する物質を意味する。
一般的なペロブスカイト化合物（ＡＭＸ３）の製造方法は、ＡＭ化合物とＭＸ２化合物とを反応させてペロブスカイト結晶を生成させる段階を含む。しかし、前記反応条件による結晶の形成時にｄｅｆｅｃｔが発生することがあり、これは、太陽電池の効率を低下させる一原因とされている。
Ｄｅｆｅｃｔが少ない、つまり、結晶性の高いペロブスカイト化合物を製造するためには、ＡＭ化合物とＭＸ２化合物との反応時、結晶構造の形成のために反応物質間の配置がよく行われなければならない。そこで、本発明では、ＭＸ２に相当する反応物質としてそのＮ−メチルピロリドンまたはジメチルアセトアミドの付加体を使用し、これを用いて結晶性の高いペロブスカイト化合物を製造することを特徴とする。
以下、各段階別に本発明を詳細に説明する。
ｉ）下記化学式１で表される化合物、およびｉｉ）ＮＨまたはＮＣＨ３構造を含む極性非プロトン性溶媒の付加体、および（ｂ）下記化学式２で表される化合物を１種または２種含む溶液を、電極上に塗布する段階（段階１）
太陽電池の光吸収体を製造するために使用される化学式１で表される化合物について、本発明ではこれを付加体として使用する。
本発明で使用される用語「付加体（ａｄｄｕｃｔ）」とは、２個以上の別個の分子を直接添加した単一反応物を意味する。本発明では、ＭＸＸ'の化合物にＮＨまたはＮＣＨ３構造を含む極性非プロトン性溶媒が添加された形態の化合物を意味する。
このような付加体を使用する場合、理論的に制限されるわけではないが、化学式２のＡＸ"化合物との反応時、前記極性非プロトン性溶媒が反応物質を介してペロブスカイト結晶構造を誘導し、この後、前記極性非プロトン性溶媒が除去されながらペロブスカイト結晶構造を形成するため、ｄｅｆｅｃｔの生成を抑制してペロブスカイト化合物の結晶性を高められる。
したがって、本発明で付加体を形成する物質は、化学式１で表される化合物と反応して効果的に付加体が形成され、また、化学式２で表される化合物との反応時には除去されやすい特性を有しなければならない。そこで、本発明で使用する極性非プロトン性溶媒は、ＮＨまたはＮＣＨ３構造を含むことによって適切な分極力（ｐｏｌａｒｉｚａｂｉｌｉｔｙ）を有しているため、化学式２で表される化合物との反応前は付加体を効果的に形成し、化学式２で表される化合物との反応時には化学式１で表される化合物の金属元素（Ｍ）との結合力が弱くて効果的に除去される。また、前記極性非プロトン性溶媒は、分子体積が大きいため、付加体の形成時、化学式１で表される化合物間の間隔が広くて、化学式２で表される化合物の置換がより容易である。
前記付加体は、当業界における通常の方法で製造することができる。また、一般に、付加体は製造過程で様々な付加体が製造できるが、本発明で使用する付加体は、単一物質として存在したり、相互間で変化せず、物質自体の安定性が高いという特徴がある。
好ましくは、前記極性非プロトン性溶媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピペリジン、またはアニリンである。
好ましくは、前記化学式１において、Ｍは、Ｐｂ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃａ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｓｎ２＋、Ｙｂ２＋、またはＥｕ２＋である。
また、好ましくは、ＸおよびＸ'は、それぞれ独立に、Ｃｌ−、Ｂｒ−、またはＩ−である。ＸおよびＸ'は、互いに異なっていてもよいので、前記化学式１で表される化合物は、２種のハロゲンを含むことができる。
好ましくは、前記付加体は、ＰｂＣｌ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＢｒ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＩ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＢｒ２（Ｎ−メチルピロリドン）、ＰｂＩ２（Ｎ−メチルピロリドン）、ＰｂＣｌ２（Ｎ−メチル−２−ピリドン）２、ＰｂＩ２（Ｎ−メチル−２−ピリドン）２、ＰｂＩ２（ピペリジン）、ＰｂＣｌ２（アニリン）、またはＰｂＩ２（アニリン）である。
好ましくは、前記化学式２において、Ａは、ＣＨ３ＮＨ３ ＋、または（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）＋である。
また、好ましくは、Ｘ"は、Ｃｌ−、Ｂｒ−、またはＩ−である。
前記化学式２で表される化合物の代表例は、ＣＨ３ＮＨ３Ｉ、ＣＨ３ＮＨ３Ｂｒ、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｉ、および（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｂｒである。
また、前記化学式２で表される化合物は、１種または２種を使用することができ、２種を使用する場合には、２種の有機陽イオンを含むペロブスカイト化合物を製造することができる。
好ましくは、前記化学式２で表される化合物を２種使用し、この時、２種の化合物のＡはそれぞれ、ＣＨ３ＮＨ３ ＋、または（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）＋であることが好ましい。
前記溶液の塗布方法は特に制限されず、一例として、スピン−コーティング、ディップコーティング、スクリーンコーティング、スプレーコーティング、電気紡糸などを使用することができる。この場合、前記溶液の塗布は、１０秒〜１０分間行うことができる。さらに、前記溶液の塗布は、２５〜７０℃で行うことが好ましい。
また、前記溶液の溶媒としては、前記付加体および化学式２で表される化合物を溶解させることができる溶媒であれば特に限定されるものではないが、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ガンマ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシドなどが好ましい。
好ましくは、前記付加体および前記化学式２で表される化合物のモル比は、１：０．８〜１：１．５である。前記範囲でペロブスカイト結晶が効果的に生成できる。
一方、前記電極は、太陽電池に使用できる電極であれば特に制限されない。一例として、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ；Ｆｏｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム含有酸化スズ（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどを使用することができる。
また、前記電極上には多孔性金属酸化物が形成されていてもよい。前記多孔性金属酸化物は、光吸収体が光を吸収できる面積を広くするだけでなく、光吸収体から発生する電子を伝達する電子伝達層の役割を果たすことができる。前記金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｗ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、ＰｂＯ、またはＣｄＯを使用することができる。
前記多孔性金属酸化物は、金属酸化物粒子を含むスラリーを塗布および乾燥した後、これを熱処理して形成することができる。前記多孔性金属酸化物は、平均粒子サイズが５〜５００ｎｍであってもよいし、多孔性金属酸化物層の厚さは、５０ｎｍ〜１０μｍであってもよい。
一方、前記段階１は、前記付加体を含む第１溶液、および前記化学式２で表される化合物を含む第２溶液を、電極上に順次に塗布して行うことができる。この時、前記第１溶液と第２溶液の溶媒は、先に前記段階１で説明したのと同じであり、互いに同一または異なる溶媒を使用することができる。
また、前記のように第１溶液および第２溶液を順次に塗布する場合、第１溶液の塗布後に、非溶媒を塗布する段階を追加的に含むことができる。
前記使用可能な非溶媒としては、イソプロパノール、メチルエチルケトン、エチルアセテート、酢酸、ジメチルエーテル、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキセン、シクロヘキセン、またはクロロホルムが挙げられる。前記非溶媒の塗布方法は特に制限されず、一例として、スピン−コーティング、ディップコーティング、スクリーンコーティング、スプレーコーティング、電気紡糸などを使用することができる。この場合、前記溶液の塗布は、１０秒〜１０分間行うことができる。さらに、前記非溶媒の塗布は、常温で行うことが好ましい。
前記段階１の電極を熱処理する段階（段階２）
前記段階２は、前記段階１で塗布されたペロブスカイト前駆体化合物を反応および固定させて、ペロブスカイト光吸収体を製造する段階である。
前記熱処理は、３０〜２００℃で行うことが好ましく、より好ましくは、１５０℃で行う。また、前記熱処理は、１分〜６０分間行うことが好ましく、より好ましくは、３０分間行う。
一方、前記段階２の後に、当業界で一般に使用される太陽電池の構成を形成するために、正孔伝達層および電極を形成する段階を含むことができる。
前記電子伝達層は、多孔性金属酸化物を使用することができ、好ましくは、金属酸化物粒子によって多孔構造を有することが好ましい。前記金属酸化物としては、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｗ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、ＰｂＯ、またはＣｄＯを使用することができる。
前記正孔伝達層は、固体型正孔伝達物質または液状電解質を使用することができる。前記固体型正孔伝達物質としては、スピロ−ＯＭｅＴＡＤ（２，２'，７，７'−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）９，９'−スピロビフルオレン））、Ｐ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン））、ＰＣＰＤＴＢＴ（ポリ［２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル［４，４−ビス（２−エチルヘキシル）−４Ｈ−シクロペンタ［２，１−ｂ：３，４−ｂ'］ジチオフェン−２，６−ジイル］］）、ＰＶＫ（ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール））、ＨＴＭ−ＴＦＳＩ（１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド）、Ｌｉ−ＴＦＳＩ（リチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド）、ｔＢＰ（ｔｅｒｔ−ブチルピリジン）、ＰＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））などを使用することができる。前記液状電解質としては、ヨードと添加剤を溶媒に溶解させたものを使用することができる。例えば、ウレア（ｕｒｅａ）、チオウレア（ｔｈｉｏｕｒｅａ）、ブチルピリジン（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）、およびグアニジンチオシアネート（ｇｕａｎｉｄｉｕｍ ｔｈｉｏｃｙａｎａｔｅ）などからなる群より選択された１つ以上の添加剤に、エチルアセテート、アセトニトリル、トルエン、およびメトキシプロピオニトリルなどからなる群より選択された１つ以上の溶媒を使用することができる。
前記第２電極としては、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、およびスズ系酸化物からなる群より選択される１種以上の物質を含むガラス基板またはプラスチック基板に、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃ、および導電性高分子からなる群より選択された１つ以上の物質を含む導電層が形成される。
太陽電池の光吸収体
前記本発明により製造される太陽電池の光吸収体は、付加体を用いて製造することにより、ｄｅｆｅｃｔが実質的にない高い結晶性のペロブスカイト結晶を製造することができる。
本発明の一実施例によれば、本発明の付加体を用いて製造した太陽電池の光吸収体は、結晶性が高く、太陽電池の効率が高くて、太陽電池の光吸収体として有用に使用できることを確認した。
一方、本発明により製造される太陽電池の光吸収体が適用できる太陽電池は、前記光吸収体を用いることを除けば、当業界で使用する太陽電池の構成を含むことができる。
本発明による太陽電池の光吸収体の製造方法は、太陽電池の光吸収体として使用できるペロブスカイト化合物の結晶性を高めて太陽電池の安定性および効率を高められるという特徴がある。
本発明の実施例および比較例で使用された付加体のＸＲＤグラフを示すものである。 本発明の実施例で付加体を基板にコーティングした後、その表面をＳＥＭイメージで示すものである。 本発明の実施例で製造された光吸収体の表面をＳＥＭイメージで示すものである。 本発明の実施例で製造された光吸収体の表面をＳＥＭイメージで示すものである。
以下、本発明の理解のために好ましい実施例を提示する。しかし、下記の実施例は本発明をより容易に理解するために提供されるものに過ぎず、これによって本発明の内容が限定されるものではない。
製造例１：ＰｂＩ２−ＮＭＰ付加体の製造
ＰｂＩ２に、ＰｂＩ２対比１５倍のモル当量のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を入れて、６０℃で撹拌した。ＰｂＩ２がすべて溶解したことを確認した後、ＮＭＰ体積対比１．５倍のトルエンを撹拌しながらゆっくり滴下させた。生成された白色固体をフィルタして、真空オーブンにて３０分間乾燥させて、ＰｂＩ２−ＮＭＰ付加体を得た。これをＸＲＤおよびＮＭＲで分析し、その結果をそれぞれ図１および下記に示した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，標準物質ＴＭＳ）：δ３．３２（２Ｈ，ｔ），２．６９（３Ｈ，ｓ），２．１９（２Ｈ，ｔ），１．９９（２Ｈ，ｍ）
製造例２：ＰｂＩ２−ＤＭＡｃ付加体の製造
ＰｂＩ２に、ＰｂＩ２対比３０倍のモル当量のジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）を入れて、６０℃で撹拌した。ＰｂＩ２がすべて溶解したことを確認した後、ＤＭＡｃ体積対比１．５倍のトルエンを撹拌しながらゆっくり滴下させた。生成された白色固体をフィルタして、真空オーブンにて３０分間乾燥させて、ＰｂＩ２−ＤＭＡｃ付加体を得た。これをＸＲＤおよびＮＭＲで分析し、その結果をそれぞれ図１および下記に示した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，標準物質ＴＭＳ）：δ２．９７（３Ｈ，ｔ），２．８３（３Ｈ，ｓ），１．９５（３Ｈ，ｓ）
製造例３：ＰｂＢｒ２−ＮＭＰ付加体の製造
ＰｂＢｒ２に、ＰｂＢｒ２対比２０倍のモル当量のＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）を入れて、６０℃で撹拌した。ＰｂＢｒ２がすべて溶解したことを確認した後、ＮＭＰ体積対比１．５倍のトルエンを撹拌しながらゆっくり滴下させた。生成された白色固体をフィルタして、真空オーブンにて３０分間乾燥させて、ＰｂＢｒ２−ＮＭＰ付加体を得た。これをＸＲＤおよびＮＭＲで分析し、その結果をそれぞれ図１および下記に示した。
１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，標準物質ＴＭＳ）：δ３．３０（２Ｈ，ｔ），２．７１（３Ｈ，ｓ），２．２０（２Ｈ，ｔ），１．９７（２Ｈ，ｍ）
製造例４：ＰｂＩ２−ＤＭＳＯ付加体の製造
ＰｂＩ２に、ＰｂＩ２対比１５倍のモル当量のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を入れて、６０℃で撹拌した。ＰｂＩ２がすべて溶解したことを確認した後、ＤＭＳＯ体積対比２倍のトルエンを撹拌しながらゆっくり滴下させた。生成された白色固体をフィルタして、真空オーブンにて４５時間乾燥させて、ＰｂＩ２−ＤＭＳＯ付加体を得た。これをＸＲＤで分析し、その結果を図１に示した。
実施例１：光吸収体の製造
（段階１）
２５×２５ｍｍの大きさのＦＴＯ基板の端部分をエッチングして、部分的にＦＴＯを除去した。０．１Ｍの［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］２Ｔｉ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２（ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄｅ ｂｉｓ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ））１−ブタノール溶液を、計４回にわたってＦＴＯ基板にａｉｒ−ｓｐｒａｙでコーティングし、５００℃で２５分間焼結して、厚さ約７０ｎｍのＴｉＯ２緻密膜を製造した。次に、平均４０ｎｍの大きさ（直径）のＴｉＯ２ペースト１．５ｇおよびエタノール１０ｍＬを含む分散溶液を、前記緻密膜上に５０００ｒｐｍで６０秒間スピンコーティングした。ホットプレートにて１２５℃で熱処理した後、ｍｕｆｆｌｅ ｆｕｒｎａｃｅを用いて、５００℃で１時間焼結した。
（段階２）
製造例１で製造した化合物をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に６５℃で溶かして、１．８Ｍの溶液を製造した。前記溶液を前記段階１で製造した基板上に、３０００ｒｐｍで３０秒間スピンコーティングした。
（段階３）
前記段階２のスピンコーティングが終わるやいなや、８００ｍＭ ＦＡＩ（１−ｘ）ＭＡＢｒ（ｘ）（ｘ＝０．３）溶液（ｉｎ ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ）をその上に散布した後、５０００ｒｐｍで３０秒間コーティングし、１５０℃で２０分間熱処理した。次に、イソプロパノールで２０秒間洗浄した後、５０００ｒｐｍで３０秒間溶媒を除去し、８０℃で３分間熱処理した。
実施例２：光吸収体の製造
実施例１の段階２で、製造例２で製造した化合物をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に６５℃で溶かした１．６Ｍの溶液を用いたことを除けば、実施例１と同様の方法で光吸収体を製造した。
実施例３：光吸収体の製造
（段階１）
２５×２５ｍｍの大きさのＦＴＯ基板の端部分をエッチングして、部分的にＦＴＯを除去した。０．１Ｍの［（ＣＨ３）２ＣＨＯ］２Ｔｉ（Ｃ５Ｈ７Ｏ２）２（ｔｉｔａｎｉｕｍ ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄｅ ｂｉｓ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ））１−ブタノール溶液を、計４回にわたってＦＴＯ基板にａｉｒ−ｓｐｒａｙでコーティングし、５００℃で２５分間焼結して、厚さ約７０ｎｍのＴｉＯ２緻密膜を製造した。次に、平均４０ｎｍの大きさ（直径）のＴｉＯ２ペースト１．５ｇおよびエタノール１０ｍＬを含む分散溶液を、前記緻密膜上に５０００ｒｐｍで６０秒間スピンコーティングした。ホットプレートにて１２５℃で熱処理した後、ｍｕｆｆｌｅ ｆｕｒｎａｃｅを用いて、５００℃で１時間焼結した。
（段階２）
製造例１で製造した化合物および製造例３で製造した化合物を８５：１５のモル比、ＦＡＩおよびＭＡＢｒを８５：１５のモル比でＤＭＦに溶解させて、全体６０重量％の溶液を製造した。前記溶液を前記段階１で製造した基板上に、５００ｒｐｍで５秒、１０００ｒｐｍで４０秒、５０００ｒｐｍで５０秒間スピンコーティングし、終わる５秒前にトルエン１ｍＬを滴下させた。次に、１５０℃で２０分間熱処理した。
実施例４
実施例３の段階２で、製造例１で製造した化合物および１モル当量のＭＡＩをＧＢＬ：ＤＭＳＯ＝７：３の溶液（全体６０重量％）を用いることを除けば、実施例３と同様の方法で光吸収体を製造した。
比較例１
実施例１の段階２で、ＰｂＩ２をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に６５℃で溶かした１．６Ｍの溶液を用いたことを除けば、実施例１と同様の方法で光吸収体を製造した。
比較例２：光吸収体の製造
実施例１の段階２で、製造例４で製造した化合物をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に６５℃で溶かした１．６Ｍの溶液を用いたことを除けば、実施例１と同様の方法で光吸収体を製造した。
実験例１：光吸収体の表面観察
実施例１の段階２および段階３で製造した基板の表面を観察し、その結果をそれぞれ図２および図３に示した。また、実施例２で製造した基板の表面を観察し、その結果を図４に示した。
実験例２：太陽電池の性能評価
５８ｍＭのＳｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ溶液（ｉｎ ｃｈｌｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ）１ｍＬに、ＬｉＴＦＳｉ（１７．５μＬ）およびｔＢＰ（２８．８μＬ）を添加した。前記溶液を、前記実施例および比較例で製造したそれぞれの光吸収体上に、６０００ｒｐｍで３０秒間スピンコーティングして、正孔伝達層を製造した。前記正孔伝達層上に熱蒸着器でＡｕを真空蒸着して、太陽電池を製造した。
前記製造した太陽電池に対して、Ｓｏｌａｒ ｓｙｓｔｅｍ（Ｎｅｗｐｏｒｔ社）で太陽電池の性能を測定し、その結果を下記表１に示した。
Figure 2018523309

Claims (10)

  1. （ａ）ｉ）下記化学式１で表される化合物、およびｉｉ）ＮＨまたはＮＣＨ３構造を含む極性非プロトン性溶媒の付加体、および（ｂ）下記化学式２で表される化合物を１種または２種含む溶液を、電極上に塗布する段階（段階１）；および
    前記段階１の電極を熱処理する段階（段階２）を含む、太陽電池の光吸収体の製造方法：
    ［化学式１］
    ＭＸＸ'
    前記化学式１において、
    Ｍは、２価の金属陽イオンであり、
    ＸおよびＸ'は、それぞれ独立に、互いに同一または異なるハロゲンであり、
    ［化学式２］
    ＡＸ"
    前記化学式２において、
    Ａは、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋または（Ｒ５Ｒ６Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ７Ｒ８）＋の有機陽イオンであり、
    ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、水素、またはＣ１−１０アルキルであり、ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４のうちの少なくとも１つは、Ｃ１−１０アルキルであり、
    Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、水素、またはＣ１−１０アルキルであり、
    Ｘ"は、ハロゲンである。
  2. 前記極性非プロトン性溶媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピペリジン、またはアニリンであることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記付加体は、ＰｂＣｌ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＢｒ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＩ２（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＰｂＢｒ２（Ｎ−メチルピロリドン）、ＰｂＩ２（Ｎ−メチルピロリドン）、ＰｂＣｌ２（Ｎ−メチル−２−ピリドン）２、ＰｂＩ２（Ｎ−メチル−２−ピリドン）２、ＰｂＩ２（ピペリジン）、ＰｂＣｌ２（アニリン）、またはＰｂＩ２（アニリン）であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  4. 前記段階１の溶媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ガンマ−ブチロラクトン、またはジメチルスルホキシドであることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  5. Ｍは、Ｐｂ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃａ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｓｎ２＋、Ｙｂ２＋、またはＥｕ２＋であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  6. Ｘ、Ｘ'およびＸ"は、それぞれ独立に、Ｃｌ−、Ｂｒ−、またはＩ−であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  7. Ａは、ＣＨ３ＮＨ３ ＋、または（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）＋であることを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  8. 前記段階１は、前記付加体を含む第１溶液、および前記化学式２で表される化合物を含む第２溶液を、電極上に順次に塗布して行うことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  9. 前記段階２の熱処理は、３０〜２００℃で１分〜６０分間行うことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
  10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法で製造された太陽電池の光吸収体を含む、太陽電池。
JP2018504142A 2015-10-27 2016-10-27 太陽電池の光吸収体の製造方法 Active JP6693555B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150149471A KR101994429B1 (ko) 2015-10-27 2015-10-27 태양전지의 광흡수체 제조 방법
KR10-2015-0149471 2015-10-27
PCT/KR2016/012182 WO2017074069A1 (ko) 2015-10-27 2016-10-27 태양전지의 광흡수체 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018523309A true JP2018523309A (ja) 2018-08-16
JP6693555B2 JP6693555B2 (ja) 2020-05-13

Family

ID=58631750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018504142A Active JP6693555B2 (ja) 2015-10-27 2016-10-27 太陽電池の光吸収体の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10651401B2 (ja)
EP (1) EP3319129B1 (ja)
JP (1) JP6693555B2 (ja)
KR (1) KR101994429B1 (ja)
CN (1) CN108012569B (ja)
WO (1) WO2017074069A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021001906A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07 花王株式会社 光吸収層及びその製造方法、光電変換素子、並びに中間バンド型太陽電池

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108493341A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 苏州大学 以五氧化二钽作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备
CN114843406B (zh) * 2022-04-02 2024-05-24 湖北文理学院 有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法及半透明太阳能电池的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014180789A1 (en) * 2013-05-06 2014-11-13 Abengoa Research S.L High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells
WO2015127494A1 (en) * 2014-02-26 2015-09-03 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process of forming a photoactive layer of a perovskite photoactive device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140007045A (ko) 2012-07-05 2014-01-16 한국화학연구원 나노구조 유-무기 하이브리드 태양전지
KR101461634B1 (ko) 2013-01-10 2014-11-21 한국화학연구원 고효율 무―유기 하이브리드 태양전지의 제조 방법
EP2804232A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-19 Abengoa Research S.L. High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells
EP2822009A1 (en) 2013-07-01 2015-01-07 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Solar cell and process for producing the same
JP6047525B2 (ja) 2013-07-31 2016-12-21 富士フイルム株式会社 光電変換素子および太陽電池
KR101549659B1 (ko) * 2013-10-24 2015-09-03 한국과학기술원 풀러렌 부가체를 포함하는 ３중 혼합물 광활성화층을 이용한 유기물 태양전지
KR101462025B1 (ko) 2013-11-29 2014-11-19 한국화학연구원 무―유기 하이브리드 광흡수체를 이용한 태양전지의 제조방법
US9895714B2 (en) * 2015-02-27 2018-02-20 Cornell University Crystalline organic-inorganic halide perovskite thin films and methods of preparation
EP3298630B1 (en) * 2015-05-19 2022-10-26 Alliance for Sustainable Energy, LLC Method of making organo-metal halide perovskite films
KR101869915B1 (ko) * 2015-06-25 2018-06-25 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 할로겐화 납 어덕트 화합물 및 이를 이용한 페로브스카이트 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014180789A1 (en) * 2013-05-06 2014-11-13 Abengoa Research S.L High performance perovskite-sensitized mesoscopic solar cells
WO2015127494A1 (en) * 2014-02-26 2015-09-03 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process of forming a photoactive layer of a perovskite photoactive device

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JEONG-HYEOK IM, HUI-SEON KIM, AND NAM-GYU PARK: "Morphology-photovoltaic property correlation in perovskite solar cells: One-step versus two-step dep", APL MATERIALS, vol. 2, JPN7018004170, 28 July 2014 (2014-07-28), pages 081510, ISSN: 0004069020 *
JUNG, HYUN SUK ET AL.: "Perovskite Solar Cells: From Materials to Devices", SMALL, vol. 11, no. 1, JPN7020000727, 7 January 2015 (2015-01-07), pages 10 - 25, XP055360937, ISSN: 0004233036, DOI: 10.1002/smll.201402767 *
LV, MINGHANG ET AL.: "A promising alternative solvent of perovskite to induce rapid crystallization for high-efficiency ph", RSC ADVANCES, vol. 5, JPN7020000728, 12 February 2015 (2015-02-12), pages 20521 - 20529, XP055491191, ISSN: 0004233037, DOI: 10.1039/C4RA16253F *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021001906A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07 花王株式会社 光吸収層及びその製造方法、光電変換素子、並びに中間バンド型太陽電池
WO2021002327A1 (ja) * 2019-07-01 2021-01-07 花王株式会社 光吸収層及びその製造方法、光電変換素子、並びに中間バンド型太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
CN108012569B (zh) 2020-12-25
EP3319129A4 (en) 2018-08-15
JP6693555B2 (ja) 2020-05-13
EP3319129B1 (en) 2021-10-13
CN108012569A (zh) 2018-05-08
US10651401B2 (en) 2020-05-12
WO2017074069A1 (ko) 2017-05-04
US20180226590A1 (en) 2018-08-09
EP3319129A1 (en) 2018-05-09
KR20170048854A (ko) 2017-05-10
KR101994429B1 (ko) 2019-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. Hydrophobic Cu2O quantum dots enabled by surfactant modification as top hole‐transport materials for efficient perovskite solar cells
US20200013559A1 (en) Pedot in perovskite solar cells
JP6386458B2 (ja) 有機金属ハロゲン化物ペロブスカイトヘテロ接合太陽電池およびその製造方法
US10332689B2 (en) Solar cell and process for producing the same
US9437825B2 (en) Hole-transporting material for inorganic/organic hybrid perovskite solar cells
Shahbazi et al. Ag doping of organometal lead halide perovskites: morphology modification and p-type character
WO2017104792A1 (ja) 錯体及びペロブスカイト材料、並びに該錯体若しくはペロブスカイト材料を用いたペロブスカイト型太陽電池
KR20180122393A (ko) 알킬아민을 사용한 a/m/x 재료의 제조 방법
JP6598971B2 (ja) 有機−無機混合ペロブスカイト、その製造方法およびこれを含む太陽電池
KR101740654B1 (ko) 유무기 하이브리드 페로브스카이트 화합물, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지
JP6418469B2 (ja) 太陽電池
KR101811243B1 (ko) Pb 이온 누출 방지를 위한 신규한 전도성 화합물, 그를 포함하는 페로브스카이트 태양전지
ES2575511B1 (es) Nuevo compuesto y su uso como material de transporte de huecos
JP6693555B2 (ja) 太陽電池の光吸収体の製造方法
KR101619780B1 (ko) 무/유기 하이브리드 페로브스카이트 태양전지용 정공전달 화합물
JP2021095307A (ja) アナターゼ型酸化チタンナノ粒子およびその製造方法並びにアナターゼ型酸化チタンナノ粒子を用いた光電変換素子およびその製造方法
KR101976115B1 (ko) 흡수체로서 아크릴기를 포함하는 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지
KR101994427B1 (ko) 태양전지의 광흡수체 제조 방법
Gu et al. A novel azo dye molecule enables defect passivation and crystallization toward efficient perovskite solar cells
KR20170072079A (ko) 태양전지의 광흡수체 제조 방법
KR102022688B1 (ko) 흡수체로서 3-피콜리뉴밀암모늄을 포함하는 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지
WO2017095196A1 (ko) 유무기 혼합 페보브스카이트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180207

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191008

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200317

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200330

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6693555

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250