JP2018518889A - オンチップ整合および一体型チューナブルフィルタを有する無線周波数低雑音増幅器 - Google Patents
オンチップ整合および一体型チューナブルフィルタを有する無線周波数低雑音増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018518889A JP2018518889A JP2017558553A JP2017558553A JP2018518889A JP 2018518889 A JP2018518889 A JP 2018518889A JP 2017558553 A JP2017558553 A JP 2017558553A JP 2017558553 A JP2017558553 A JP 2017558553A JP 2018518889 A JP2018518889 A JP 2018518889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- frequency
- input signal
- wireless device
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 82
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000729 poly(L-lysine) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000013515 script Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/347—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback using transformers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
- H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/3827—Portable transceivers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/489—A coil being added in the source circuit of a common source stage, e.g. as degeneration means
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/10—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference
- H04B1/1027—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal
- H04B2001/1072—Means associated with receiver for limiting or suppressing noise or interference assessing signal quality or detecting noise/interference for the received signal by tuning the receiver frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
- H04B2001/485—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter inhibiting unwanted transmission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
・(たとえば、図9の動作902、904、906、908、910に関して説明した)トランシーバ211内に設けられた1つまたは複数のLNAの様々な動作を制御するための増幅器制御ソフトウェアモジュール1044と、
・(たとえば、図9の動作912、914、および916に関して説明した)フィルタリングもしくは減衰される信号の1つまたは複数の周波数範囲を選択するための、および/または入力信号インピーダンス整合を提供するように共振周波数を選択するためのフィルタ制御ソフトウェアモジュール1046と
を記憶する場合がある非一時的コンピュータ可読媒体(たとえば、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリ、ハードドライブなどの1つまたは複数の不揮発性メモリ要素)を含む場合もある。
各ソフトウェアモジュールは、プロセッサ1030によって実行されると、ワイヤレスデバイス1000に対応する機能を実行させる命令を含む。したがって、メモリ1040の非一時的コンピュータ可読媒体は、図9に示す動作の全部または一部を実行するための命令を含む。
120 ワイヤレス通信システム
130 基地局
132 基地局
134 放送局
140 システムコントローラ
150 衛星
210 1次アンテナ
212 2次アンテナ
220 1次トランシーバ
222 2次トランシーバ
224 1次アンテナインターフェース回路
226 2次アンテナインターフェース回路
230 レシーバ
240 低雑音増幅器
242 受信回路
250 トランスミッタ
252 送信回路
254 電力増幅器
280 データプロセッサ/コントローラ
282 メモリ
400 LNA
401 LNA
404 ゲイントランジスタ
406 バイアス抵抗器
407 抵抗器
408 カスコードトランジスタ
410 変圧器
412 ディジェネレーションインダクタ
414 シャントインダクタ
416 電磁結合
420 ノッチフィルタ
422 可変キャパシタ
440 出力回路
450 変圧器
452 第1のインダクタコイル
454 第2のインダクタコイル
600 LNA
612 可変キャパシタ
613 第2のフィルタ
800 LNA
801 LNA
812 可変キャパシタ
830 制御回路
832 WLANコントローラ
834 LTEコントローラ
836 周波数決定回路
838 信号発生器
1000 ワイヤレスデバイス
1010 PHYデバイス
1011 トランシーバ
1020 MAC
1021 コンテンションエンジン
1030 プロセッサ
1040 メモリ
1042 キャパシタンス値テーブル
1044 増幅器制御ソフトウェアモジュール
1046 フィルタ制御ソフトウェアモジュール
1050 アンテナ
Claims (30)
- いくつかのトランシーバチェーンを含むワイヤレスデバイスであって、前記トランシーバチェーンの各々が増幅器を含み、前記増幅器が、
第1の端子を含み、かつ入力信号を受信するための制御端子を含む、少なくとも1つのゲイントランジスタと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタの前記第1の端子とグランドとの間に結合されるディジェネレーションインダクタと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタの前記制御端子とグランドとの間に直列に結合されるシャントインダクタおよび第1のキャパシタであって、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが前記増幅器にインピーダンス整合を提供することになる変圧器を形成する、シャントインダクタおよび第1のキャパシタと
を備える、ワイヤレスデバイス。 - 前記シャントインダクタおよび前記第1のキャパシタが、第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるために第1のフィルタを形成する、請求項1に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記第1のキャパシタが、前記第1の周波数範囲を選択するために第1の調整信号を受信するための制御端子を有する第1の可変キャパシタを備える、請求項2に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記ディジェネレーションインダクタに並列に結合される第2のキャパシタをさらに備え、前記第2のキャパシタおよび前記ディジェネレーションインダクタが第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるために第2のフィルタを形成する、請求項3に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記第2のキャパシタが、前記第2の周波数範囲を選択するために第2の調整信号を受信するための制御端子を有する第2の可変キャパシタを備える、請求項4に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記入力信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成するための制御回路
をさらに備える、請求項5に記載のワイヤレスデバイス。 - 前記制御回路が、別の信号の周波数にも少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成することになる、請求項6に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記入力信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第1のトランシーバチェーンに関連付けられ、他の信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第2のトランシーバチェーンに関連付けられる、請求項7に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記入力信号が、5G Wi-Fi信号およびLTE-U信号からなるグループのメンバーであり、他の信号が、2.4G Wi-Fi信号およびLTE-L信号からなるグループのメンバーである、請求項7に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記少なくとも1つのゲイントランジスタの前記制御端子と前記第1の端子との間に結合される第3の可変キャパシタをさらに備え、前記第3の可変キャパシタが第3の調整信号に少なくとも部分的に基づいて前記増幅器の共振周波数を選択することになる、請求項5に記載のワイヤレスデバイス。
- 前記少なくとも1つのゲイントランジスタが、直列入力インダクタなしで前記入力信号を受信することになる、請求項1に記載のワイヤレスデバイス。
- 各々が増幅器を含む、いくつかのトランシーバチェーンを含む、ワイヤレスデバイスを動作させる方法であって、
前記増幅器の入力端子において入力信号を受信するステップと、
少なくとも1つのゲイントランジスタを用いて前記入力信号を増幅するステップと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタおよびディジェネレーションインダクタを介して前記増幅器の出力端子からグランドに流れる電流を生成するステップと、
前記入力端子とグランドとの間に互いに直列に結合されるシャントインダクタと第1のキャパシタとを介して前記入力信号をグランドに分流するステップであって、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが変圧器を形成する、ステップと
を備える、方法。 - 前記変圧器を使用して前記入力信号にインピーダンス整合を提供するステップ
をさらに備える、請求項12に記載の方法。 - 前記シャントインダクタと前記第1のキャパシタとによって形成された第1のフィルタを使用して第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるステップと、
第1の調整信号を用いて前記第1のキャパシタを調整することによって前記第1の周波数範囲を選択するステップと
をさらに備える、請求項12に記載の方法。 - 前記ディジェネレーションインダクタに並列に結合される第2のキャパシタによって形成された第2のフィルタを使用して第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるステップと、
第2の調整信号を用いて前記第2のキャパシタを調整することによって前記第2の周波数範囲を選択するステップと
をさらに備える、請求項14に記載の方法。 - 前記入力信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成するステップ
をさらに備える、請求項15に記載の方法。 - 別の信号の周波数にも少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成するステップ
をさらに備える、請求項16に記載の方法。 - 前記入力信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第1のトランシーバチェーンに関連付けられ、他の信号が、前記いくつかのトランシーバチェーンのうちの第2のトランシーバチェーンに関連付けられる、請求項17に記載の方法。
- 前記入力信号が、5G Wi-Fi信号およびLTE-U信号からなるグループのメンバーであり、他の信号が、2.4G Wi-Fi信号およびLTE-L信号からなるグループのメンバーである、請求項17に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのゲイントランジスタの制御端子と第1の端子との間に結合される第3のキャパシタを使用して前記増幅器の共振周波数を選択するステップ
をさらに備える、請求項15に記載の方法。 - 増幅器を含むワイヤレスデバイスの1つまたは複数のプロセッサによって実行されると、前記ワイヤレスデバイスに、
前記増幅器の入力端子において入力信号を受信することと、
少なくとも1つのゲイントランジスタを用いて前記入力信号を増幅することと、
前記少なくとも1つのゲイントランジスタおよびディジェネレーションインダクタを介して前記増幅器の出力端子からグランドに流れる電流を生成することと、
前記入力端子とグランドとの間に互いに直列に結合されるシャントインダクタと第1のキャパシタとを介して前記入力信号をグランドに分流することであって、前記ディジェネレーションインダクタおよび前記シャントインダクタが変圧器を形成する、分流することと
を備える動作を実行させる命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記命令の実行が前記ワイヤレスデバイスに、
前記変圧器を使用して前記入力信号にインピーダンス整合を提供すること
をさらに備える動作を実行させる、請求項21に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記命令の実行が前記ワイヤレスデバイスに、
前記シャントインダクタと前記第1のキャパシタとによって形成された第1のフィルタを使用して第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させることと、
第1の調整信号を用いて前記第1のキャパシタを調整することによって前記第1の周波数範囲を選択することと
をさらに備える動作を実行させる、請求項21に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記命令の実行が前記ワイヤレスデバイスに、
前記ディジェネレーションインダクタに並列に結合される第2のキャパシタによって形成された第2のフィルタを用いて第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させることと、
第2の調整信号を用いて前記第2のキャパシタを調整することによって前記第2の周波数範囲を選択することと
をさらに備える動作を実行させる、請求項23に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記命令の実行が前記ワイヤレスデバイスに、
前記入力信号の周波数および別の信号の周波数に少なくとも部分的に基づいて前記第1の調整信号および第2の調整信号を生成すること
をさらに備える動作を実行させる、請求項24に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。 - 前記入力信号が、5G Wi-Fi信号およびLTE-U信号からなるグループのメンバーであり、他の信号が、2.4G Wi-Fi信号およびLTE-L信号からなるグループのメンバーである、請求項25に記載の非一時的コンピュータ可読記録媒体。
- 増幅器であって、
前記増幅器の入力端子において入力信号を受信するための手段と、
前記入力信号を増幅するための手段と、
前記増幅器の出力端子からグランドに流れる電流を生成するための手段と、
前記入力信号をグランドに分流するための手段と、
前記入力信号にインピーダンス整合を提供するための手段であって、分流するための前記手段とインピーダンス整合を提供するための前記手段が、前記入力端子とグランドとの間に結合されるシャントインダクタを共有する、手段と
を備える、増幅器。 - 分流するための前記手段が、第1の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させることになる、請求項27に記載の増幅器。
- 第2の周波数範囲内の前記入力信号の周波数を減衰させるための手段
をさらに備える、請求項28に記載の増幅器。 - 前記減衰させるための手段とインピーダンス整合を前記提供するための手段がディジェネレーションインダクタを共有する、請求項29に記載の増幅器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/711,623 | 2015-05-13 | ||
US14/711,623 US9712195B2 (en) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | Radio frequency low noise amplifier with on-chip matching and built-in tunable filter |
PCT/US2016/027949 WO2016182691A1 (en) | 2015-05-13 | 2016-04-15 | Radio frequency low noise amplifier with on-chip matching and built-in tunable filter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018518889A true JP2018518889A (ja) | 2018-07-12 |
JP2018518889A5 JP2018518889A5 (ja) | 2018-11-08 |
JP6581215B2 JP6581215B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=55861231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017558553A Active JP6581215B2 (ja) | 2015-05-13 | 2016-04-15 | オンチップ整合および一体型チューナブルフィルタを有する無線周波数低雑音増幅器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9712195B2 (ja) |
EP (1) | EP3295559B1 (ja) |
JP (1) | JP6581215B2 (ja) |
KR (1) | KR101973138B1 (ja) |
CN (1) | CN107636975B (ja) |
BR (1) | BR112017024269A2 (ja) |
WO (1) | WO2016182691A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022145183A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社村田製作所 | 増幅器 |
WO2022176067A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | 株式会社ソシオネクスト | 無線通信回路 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2913922A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (publ) | A low noise amplifier circuit |
US10517021B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-12-24 | Evolve Cellular Inc. | Long term evolution-primary WiFi (LTE-PW) |
US20180083473A1 (en) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | Qualcomm Incorporated | Variable capacitor series tuning configuration |
JP6536525B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2019-07-03 | 株式会社村田製作所 | バイアスt回路 |
US10574286B2 (en) * | 2017-09-01 | 2020-02-25 | Qualcomm Incorporated | High selectivity TDD RF front end |
JP6788562B2 (ja) * | 2017-09-19 | 2020-11-25 | 株式会社東芝 | 受信回路および無線通信装置 |
US10530314B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-01-07 | Qualcomm Incorporated | Gain-dependent impedance matching and linearity |
US10700655B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-06-30 | Qualcomm Incorporated | Gain-dependent impedance matching and linearity |
TWI660594B (zh) * | 2017-11-27 | 2019-05-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 收發器電路及其佈線配置方法 |
EP3493401B1 (en) * | 2017-12-04 | 2021-06-30 | National Chung Shan Institute of Science and Technology | Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier |
US10298182B1 (en) * | 2017-12-19 | 2019-05-21 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier |
TWI656727B (zh) * | 2017-12-26 | 2019-04-11 | 國家中山科學研究院 | RF amplifier structure improvement |
TWI656726B (zh) * | 2017-12-26 | 2019-04-11 | 國家中山科學研究院 | Integrated circuit structure using RF amplifier |
US10536119B2 (en) | 2018-02-28 | 2020-01-14 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Amplifier with second-harmonic trap |
CN108768312B (zh) * | 2018-07-23 | 2024-02-20 | 上海亮牛半导体科技有限公司 | 利用可调电感和改善功率放大器线性度的电路结构及方法 |
US20200091955A1 (en) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | Qualcomm Incorporated | Second-order harmonic reduction for radio frequency transmitter |
CN109245786B (zh) * | 2018-11-13 | 2023-12-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种应用在射频前端接收机的模组电路 |
KR102657358B1 (ko) | 2019-02-15 | 2024-04-15 | 한국전자통신연구원 | 변압기를 이용하여 전류를 재사용하기 위한 증폭기 및 그의 동작 방법 |
EP3719993B1 (en) | 2019-04-02 | 2022-12-07 | QuantalRF AG | A radio frequency power amplifier system and a method of linearizing an output signal thereof |
US11245372B2 (en) * | 2019-08-30 | 2022-02-08 | Skyworks Solutions, Inc. | Variable-gain amplifier with degeneration circuit |
US11942912B2 (en) * | 2019-09-18 | 2024-03-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Amplifier with tunable impedance circuit |
TWI692782B (zh) * | 2019-12-18 | 2020-05-01 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 積體變壓器 |
GB2599986A (en) | 2020-06-30 | 2022-04-20 | Skyworks Solutions Inc | Tunable filter with mutually coupled inductors |
CN112003571B (zh) * | 2020-08-26 | 2021-06-25 | 东南大学 | 一种抗干扰网络及其应用 |
US12003263B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio frequency front end with tunable filters |
US11159191B1 (en) * | 2020-09-11 | 2021-10-26 | Apple Inc. | Wireless amplifier circuitry for carrier aggregation |
EP4218132A1 (en) | 2020-09-28 | 2023-08-02 | QuantalRF AG | Amplifier including magnetically coupled feedback loop and stacked input and output stages adapted for dc current reuse |
CN112671357B (zh) * | 2020-12-31 | 2021-09-17 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 低噪声放大电路 |
CN114079428B (zh) * | 2022-01-19 | 2022-04-22 | 成都明夷电子科技有限公司 | 一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器 |
US20230327693A1 (en) * | 2022-04-07 | 2023-10-12 | Qualcomm Incorporated | Amplifier with integrated notch filter |
CN114531171B (zh) * | 2022-04-24 | 2022-07-05 | 安徽矽磊电子科技有限公司 | 一种内嵌滤波器的射频前端电路 |
US20240045986A1 (en) * | 2022-08-03 | 2024-02-08 | Sony Interactive Entertainment Inc. | Tunable filtering of voice-related components from motion sensor |
US20240080017A1 (en) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | QuantalRF AG | System and method for integrated filtering and amplification |
KR20240107212A (ko) * | 2022-12-29 | 2024-07-09 | 충남대학교산학협력단 | 증폭기 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257541A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Alps Electric Co Ltd | 増幅回路 |
JP2002505541A (ja) * | 1998-02-26 | 2002-02-19 | マンネスマン ファウ デー オー アクチエンゲゼルシャフト | 入力回路 |
US6407640B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-06-18 | Qualcomm, Incorporated | Two-stage LNA with good linearity |
JP2012524476A (ja) * | 2009-04-14 | 2012-10-11 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 入力整合、バラン、及び送受信スイッチと組み合わされた低雑音増幅器 |
JP2014519284A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-08-07 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | チューナブル・マルチバンド受信機 |
JP2016524432A (ja) * | 2013-08-01 | 2016-08-12 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 構成可能な相互結合ソースディジェネレーションインダクタを持つ増幅器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1129266C (zh) * | 2000-09-02 | 2003-11-26 | 华为技术有限公司 | 宽带数据接入电路及其信道自适应调整方法 |
US7091788B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-08-15 | Intel Corporation | Biased Darlington transistor pair, method, and system |
WO2005081402A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-09-01 | Xceive Corporation | Integrated tunable filter for broadband tuner |
KR100689743B1 (ko) * | 2004-10-01 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 저잡음 증폭기의 정전기 보호 및 입력 임피던스 정합 회로및 저잡음 증폭기 |
US20090075597A1 (en) * | 2007-09-18 | 2009-03-19 | Ofir Degani | Device, system, and method of low-noise amplifier |
US8301101B2 (en) | 2009-04-17 | 2012-10-30 | Broadcom Corporation | Frequency translated filter |
US8374557B2 (en) * | 2009-07-06 | 2013-02-12 | Rfaxis, Inc. | Radio frequency front end circuit with antenna diversity for multipath mitigation |
US8102213B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Multi-mode low noise amplifier with transformer source degeneration |
EP2466746B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-09-18 | TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) | Low noise amplifier |
US8975981B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-03-10 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuits with multiple configurations |
KR101326442B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2013-11-08 | 중앙대학교 산학협력단 | 저잡음 증폭기 |
US8803615B2 (en) | 2012-01-23 | 2014-08-12 | Qualcomm Incorporated | Impedance matching circuit with tunable notch filters for power amplifier |
US20130203369A1 (en) | 2012-02-07 | 2013-08-08 | Qualcomm Atheros, Inc. | Notch filter integrated in lna of a coexisting radio |
US9154356B2 (en) | 2012-05-25 | 2015-10-06 | Qualcomm Incorporated | Low noise amplifiers for carrier aggregation |
US9603187B2 (en) | 2012-11-14 | 2017-03-21 | Qualcomm Incorporated | Omni-band amplifiers |
US9106185B2 (en) | 2013-03-11 | 2015-08-11 | Qualcomm Incorporated | Amplifiers with inductive degeneration and configurable gain and input matching |
-
2015
- 2015-05-13 US US14/711,623 patent/US9712195B2/en active Active
-
2016
- 2016-04-15 WO PCT/US2016/027949 patent/WO2016182691A1/en active Application Filing
- 2016-04-15 BR BR112017024269A patent/BR112017024269A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2016-04-15 EP EP16719666.6A patent/EP3295559B1/en not_active Not-in-force
- 2016-04-15 KR KR1020177032709A patent/KR101973138B1/ko active IP Right Grant
- 2016-04-15 JP JP2017558553A patent/JP6581215B2/ja active Active
- 2016-04-15 CN CN201680027022.4A patent/CN107636975B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002505541A (ja) * | 1998-02-26 | 2002-02-19 | マンネスマン ファウ デー オー アクチエンゲゼルシャフト | 入力回路 |
JP2001257541A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-21 | Alps Electric Co Ltd | 増幅回路 |
US6407640B1 (en) * | 2000-09-22 | 2002-06-18 | Qualcomm, Incorporated | Two-stage LNA with good linearity |
JP2012524476A (ja) * | 2009-04-14 | 2012-10-11 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 入力整合、バラン、及び送受信スイッチと組み合わされた低雑音増幅器 |
JP2014519284A (ja) * | 2011-05-27 | 2014-08-07 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | チューナブル・マルチバンド受信機 |
JP2016524432A (ja) * | 2013-08-01 | 2016-08-12 | クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated | 構成可能な相互結合ソースディジェネレーションインダクタを持つ増幅器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022145183A1 (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 株式会社村田製作所 | 増幅器 |
WO2022176067A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | 株式会社ソシオネクスト | 無線通信回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9712195B2 (en) | 2017-07-18 |
EP3295559A1 (en) | 2018-03-21 |
US20160336983A1 (en) | 2016-11-17 |
JP6581215B2 (ja) | 2019-09-25 |
KR20180006913A (ko) | 2018-01-19 |
KR101973138B1 (ko) | 2019-08-16 |
WO2016182691A1 (en) | 2016-11-17 |
CN107636975A (zh) | 2018-01-26 |
CN107636975B (zh) | 2019-12-13 |
BR112017024269A2 (pt) | 2018-07-24 |
EP3295559B1 (en) | 2018-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6581215B2 (ja) | オンチップ整合および一体型チューナブルフィルタを有する無線周波数低雑音増幅器 | |
EP3227999B1 (en) | Amplifier with triple-coupled inductors | |
JP6224293B1 (ja) | マルチバンド受信機のための2段低雑音増幅器 | |
US9692368B2 (en) | Dual-band low noise amplifier | |
US9543900B1 (en) | Switchable supply and tunable load impedance power amplifier | |
KR101793148B1 (ko) | 멀티-대역 전력 증폭기 | |
US9800280B2 (en) | Noise suppression in radio frequency receivers | |
CN105934882B (zh) | 滤除信号的阻滞分量 | |
KR20180044288A (ko) | 저잡음 증폭기 및 노치 필터 | |
EP3189588B1 (en) | Multi-band low noise amplifier | |
US10832848B2 (en) | Low DC resistance and high RF resistance power amplifier choke inductor | |
US20170201408A1 (en) | Wireless receiver for carrier aggregation | |
US10075138B2 (en) | Inductor shielding |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180926 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180926 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190116 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190829 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6581215 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |