JP2018518677A - プッシュ−プルx軸磁気抵抗センサ - Google Patents
プッシュ−プルx軸磁気抵抗センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018518677A JP2018518677A JP2017564329A JP2017564329A JP2018518677A JP 2018518677 A JP2018518677 A JP 2018518677A JP 2017564329 A JP2017564329 A JP 2017564329A JP 2017564329 A JP2017564329 A JP 2017564329A JP 2018518677 A JP2018518677 A JP 2018518677A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- push
- pull
- magnetoresistive
- soft ferromagnetic
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0011—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables comprising means, e.g. flux concentrators, flux guides, for guiding or concentrating the magnetic flux, e.g. to the magnetic sensor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0005—Geometrical arrangement of magnetic sensor elements; Apparatus combining different magnetic sensor types
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
A=[-(n1+0.5), -n1, …, -1.5, -1, 0, 1, 1.5, …, n1, n1+0.5]であり、
奇数のかみ合わせられた間隙の集合は、A1=[-n1, …, -1, 1, …, n1]であり、
奇数のかみ合わせられていない間隙の集合は、
A2=[-(n1+0.5), …, -1.5, 1.5, …, n1+0.5]であり、
前記軟強磁性磁束コンセントレータの数Kが偶数である場合、偶数の間隙の集合Bは、
B=[-(n2+0.5), -n2, …, -1, -0.5, 0, 0.5, 1, …, n2, (n2+0.5)]であり(n2は、0以上の整数である)、
偶数のかみ合わせられた間隙の集合は、B1=[-n2; …, -1, 1, …, n2]であり、
偶数のかみ合わせられてない間隙の集合は、B2=[-n2-0.5, …, -0.5, 0.5, n2+0.5]であり、
ここで、0は、中央の間隙のラベルに対応し、正の整数および正の小数はそれぞれ、前記プラスX方向における前記かみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応し、負の整数および負の小数はそれぞれ、前記マイナスX方向における前記かみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応し、
Kが奇数である場合、奇数のプッシュアームの集合は、
A11=[1, 2, 3, …, n1]およびA12=[-1, -2, -3, …, -n1]であり、
ここで、前記かみ合わせられた間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プッシュアームの集合を形成し、
奇数のプルアームの集合は、
A21=[1.5, 2.5, 3.5, …, n1+0.5]およびA22=[-1.5, -2.5, -3.5, …, -(n1+0.5)]であり、
ここで、前記かみ合わせられていない間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プルアームの集合を形成し、
Kが偶数である場合、偶数のプッシュアームの集合は、
B11=[1, 2, 3, …, n2]およびB12=[-1, -2, -3, …, -n2]であり、
ここで、前記かみ合わせられた間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プッシュアームの集合を形成し、
偶数のプルアームの集合は、
B21=[0.5, 1.5, 2.5, …, (n2+0.5)]およびB22=[-0.5, -1.5, -2.5, …, -(n2+0.5)]であり、
ここで、前記かみ合わせられていない間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プルアームの集合を形成し、
n1=(K-1)/2およびn2=(K-2)/2である。
a1J, a2J, a3J, …, anJであり、ここで、2つの隣接する要素間の差は2より大きく、
a11J=a1J±1, a21J=a2J±1, a31J=a3J±1, …, an1J=anJ±1が存在し、
Push(J)の集合は、
Push(J)=[a1J, a11J, a2J, a21J, a3J, a31J, …, anJ, an1J]
および[-a1J, -a11J, -a2J, -a22J, -a3J, -a31J, …, -anJ, -an1J]として形成され、
a10J=a1J±0.5, a110J=a11J±0.5, a20J=a2J±0.5, a210J=a21J±0.5, a30J=a3J±0.5, a310J=a31J±0.5, …, an0J=anJ±0.5, an10J=an1J±0.5が存在し、
Pull(J)の集合は、
Pull(J)=[a10J, a110J, a20J, a210J, a30J, a310J, …, an0J, an10J]
および[-a10J, -a110J, -a20J, -a210J, -a30J, -a310J, …, -an0J, -an10J]として形成され、
前記Pull(J)の集合における前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記J番目のかみ合わせられた間隙の列の前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングを形成し、前記Pull(J)の集合における前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記J番目のかみ合わせられた間隙の列の前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングを形成する。
Pull={Pull(1), Pull(2), Pull(3), …, Pull(M)}、およびPushの集合、
Push={Push(1), Push(2), Push(3), …, Push(M)}を形成し、
そして、前記プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサの前記プッシュアームは、前記J列に対応する前記Push(J)の集合に対応する前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリング間の直列接続であり、前記プルアームは、前記J列に対応する前記Pull(J)の集合に対応する前記プル磁気抵抗検知ユニットストリング間の直列接続である。
2の間にも形成される。
A=[-(n1+0.5), -n1, …, -1.5, -1, 0, 1, 1.5, …, n1, n1+0.5]と定義され、
奇数のかみ合わせられた間隙は、A1=[-n1, …, -1, 1, …, n1]と定義され、n1=(K-1)/2であり、
奇数のかみ合わせられていない間隙は、
A2=[-(n1+0.5), …, -1.5, 1.5, …, n1+0.5]と定義され、
間隙の列における軟強磁性磁束コンセントレータの数Kが図5Bに示すように偶数である場合、このケースでは、偶数の間隙の集合は、B=[-(n2-0.5), -n2, …, -1, -0.5, 0, 0.5, 1, …, n2, (n2+0.5)]と定義され、
偶数のかみ合わせられた間隙は、B1=[-n2; …, -1, 1, …, n2]と定義され、n2=(K-2)/2であり、
偶数のかみ合わせられていない間隙は、B2=[-n2-0.5, …, -0.5, 0.5, n2+0.5]と定義され、
ここで、0は、中央の間隙のラベルに対応し、正の整数および正の小数はそれぞれ、プラスX方向におけるかみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応し、負の整数および負の小数はそれぞれ、マイナスX方向におけるかみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応する。
ここで、奇数のプッシュアームの集合A11およびA12は、プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングに対応し、
奇数のプルアームの集合A21およびA22は、以下のように定義される。
ここで、奇数のプルアームの集合A21およびA22は、プル磁気抵抗検知ユニットストリングに対応し、
Kが偶数である場合、偶数のプッシュアームの集合B11およびB12は、以下のように定義される。
ここで、偶数のプッシュアームの集合B11およびB12は、プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングに対応し、
偶数のプルアームの集合B21およびB22は、以下のように定義される。
ここで、偶数のプルアームの集合B21およびB22は、プル磁気抵抗検知ユニットストリングに対応する。
偶数の間隙の集合は、[G-2.5, -G2, -G1.5, -G1, -G0.5, G0, G0.5, G1, G1.5, G2, G2.5]であり、
偶数のかみ合わせられた間隙は、[-G2, -G1, G1, G2]であり、
偶数のかみ合わせられていない間隙は、[G-2.5, -G1.5, -G0.5, G0.5, G1.5, G2.5]であり、
偶数のプッシュアームの集合は、[G1, G2]および[-G2, -G1]であり、
偶数のプルアームの集合は、[G0.5, G1.5, G2.5]および[G-2.5, -G1.5, -G0.5]であり、
プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサのプッシュアームPushおよびプルアームPullとそのフルブリッジ接続は、図11および図12に示すとおりである。図11において、プッシュアームPushはそれぞれ、プッシュアームの集合における要素G1とG2との間および要素G-1とG-2との間の直列接続であり、プルアームPullはそれぞれ、プルアームの集合における要素G0.5とG1.5との間および要素G-0.5とG-1.5との間の直列接続である。図12において、プッシュアームPushは変わらないままであり、プルアームPullはそれぞれ、プルアームの集合における要素G1.5とG2.5との間および要素G-1.5とG-2.5との間の直列接続である。
かみ合わせられた間隙の集合は、[G-6, G-5, G-4, G-3, G-2, G-1, G1, G2, G3, G4, G5, G6]であり、
かみ合わせられていない間隙の集合は、[G-6.5, G-5.5, G-4.5, G-3.5, G-2.5, G-1.5, G1.5, G2.5, G3.5, G4.5, G5.5, G6.5]であり、
プッシュアームの集合は、[G1, G2, G3, G4, G5, G6]または[G-l, G-2, G-3, G-4, G-5, G-6]であり、
プルアームの集合は、[G6.5, G5.5, G4.5, G3.5, G2.5, G1.5]または[G-6.5, G-5.5, G-4.5, G-3.5, G-2.5, G-1.5]であり、
プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサのフルブリッジ構造が形成される場合、その接続構造図は、図18に示すとおりであり、プッシュアームPushはそれぞれ、プッシュアームの集合のユニットG1, G2, G3, G4, G5, G6の直列接続、およびG-1, G-2, G-3, G-4, G-5, G-6の直列接続であり、プルアームPullはそれぞれ、プルアームの集合のユニットG1.5, G2.5, G3.5, G4.5, G5.5, G6.5の直列接続、およびG-1.5, G-2.5, G-3.5, G-4.5, G-5.5, G-6.5の直列接続である。
Claims (24)
- プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサであって、基板と、前記基板上に配置された、軟強磁性磁束コンセントレータのかみ合わせられたアレイ及びプッシュ−プル磁気抵抗ブリッジ検知ユニットとを備え、
軟強磁性磁束コンセントレータの前記かみ合わせられたアレイは、少なくとも2つの軟強磁性磁束コンセントレータを備え、前記軟強磁性磁束コンセントレータの各々は、長方形のプラスX方向のバーbar1と、マイナスX方向のバーbar2と、磁気抵抗ブリッジ−0とを備え、前記バーbar1および前記バーbar2は、Y軸方向に平行な長軸と、X軸方向に平行な短軸とを有し、前記磁気抵抗ブリッジ−0は、前記X軸に平行な長軸と、前記Y軸に平行な短軸とを有し、前記長軸の2つの端は、それぞれ前記バーbar1および前記バーbar2と相互接続され、前記軟強磁性磁束コンセントレータは、かみ合い構造を形成し、前記X方向に沿ってかみ合わせられた間隙GapX1とかみ合わせられていない間隙GapX2とを形成し、
前記プッシュ−プル磁気抵抗ブリッジ検知ユニットは、少なくともプッシュアームおよびプルアームを備え、前記プッシュアームは、少なくとも1つのプッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記プルアームは、少なくとも1つのプル磁気抵抗検知ユニットストリングを備え、前記プッシュおよびプル磁気抵抗検知ユニットストリングは両方とも、複数の相互接続された磁気抵抗検知ユニットを備え、前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記かみ合わせられた間隙GapX1に設けられ、前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記かみ合わせられていない間隙GapX2に設けられ、前記磁気抵抗検知ユニットは、前記X方向に沿った磁場に対し感度が高い、プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - キャリブレーションコイルおよび/または初期化コイルをさらに備え、前記キャリブレーションコイルは、前記プッシュおよびプル磁気抵抗検知ユニットストリングにパラレルに走るプッシュストレートキャリブレーション導体およびプルストレートキャリブレーション導体で構成され、キャリブレーション電流が前記キャリブレーションコイルを通って流れる場合、前記X方向および前記−X方向に沿って同一の振幅を有するキャリブレーション磁場成分が、前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよび前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングでそれぞれ発生させられ、
前記初期化コイルは、前記磁気抵抗検知ユニットストリングに対し垂直に走るストレート初期化導体で構成され、初期化電流が前記初期化コイルの中に流れる場合、前記Y方向に沿って同一の振幅を有する初期化磁場成分がすべての前記磁気抵抗検知ユニットで発生させられる、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - 前記軟強磁性磁束コンセントレータは、U字型またはH字型であり、前記U字型軟強磁性磁束コンセントレータの前記バーbar1および前記バーbar2のプラスY端またはマイナスY端は、アラインメントさせられ、前記磁気抵抗ブリッジ−0に接続され、U間隙が前記バーbar1と前記バーbar2との間に形成され、前記H字型軟強磁性磁束コンセントレータの前記磁気抵抗ブリッジ−0は、前記バーbar1および前記バーbar2の中点に接続され、H間隙が前記バーbar1と前記バーbar2との間に形成され、前記H間隙は、前記Y軸方向にしたがってプラスH間隙とマイナスH間隙とに分類される、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 軟強磁性磁束コンセントレータの前記かみ合わせられたアレイは、U字型軟強磁性磁束コンセントレータ、またはH字型軟強磁性磁束コンセントレータ、またはU字型軟強磁性磁束コンセントレータおよびH字型軟強磁性磁束コンセントレータによって形成され、1つのかみ合わせられた間隙の列が前記X方向に沿って形成され、前記軟強磁性磁束コンセントレータのいずれかのために、少なくとも別の前記軟強磁性磁束コンセントレータが、かみ合い構造が形成され得るように存在し、前記プラスX方向のバーbar1および前記マイナスX方向のバーbar2の長軸は、前記Y方向におけるすべての前記かみ合わせられた間隙にわたる、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 軟強磁性磁束コンセントレータの前記かみ合わせられたアレイは、U字型およびH字型軟強磁性磁束コンセントレータによって形成されるか、または、単にH字型軟強磁性磁束コンセントレータによって形成され、M行およびN列を有する間隙のかみ合わせられたアレイが形成され、前記Y方向において、前記かみ合わせられた間隙の1番目の列およびN番目の列は、前記H字型およびU字型軟強磁性磁束コンセントレータ間の前記かみ合わせられた間隙、または前記H字型軟強磁性磁束コンセントレータ間の前記かみ合い構造であり、Nが3以上の整数である場合、中央にある前記かみ合わせられた間隙の2番目の列から(N-1)番目の列はすべて、前記H字型軟強磁性磁束コンセントレータ間の前記かみ合い構造に対応し、
前記X方向において、各々の列は、M個のかみ合わせられた間隙を備え、すべての最上部の軟強磁性磁束コンセントレータの前記プラスX方向のバーbar1およびすべての最下部の軟強磁性磁束コンセントレータの前記マイナスX方向のバーbar2はそれぞれ、D1の端のバーおよびD2の端のバーに組み合わせられ、前記D1およびD2の端のバーの長軸は、前記Y方向のすべての前記かみ合わせられた間隙にわたり、MおよびNは、2以上の整数である、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - 前記かみ合わせられた間隙の列における前記軟強磁性磁束コンセントレータの総数Kが奇数である場合、前記かみ合わせられた間隙および前記かみ合わせられていない間隙の数字ラベルによって形成される奇数の間隙の集合Aは、
A=[-(n1+0.5), -n1, …, -1.5, -1, 0, 1, 1.5, …, n1, n1+0.5]であり、
奇数のかみ合わせられた間隙の集合は、A1=[-n1, …, -1, 1, …, n1]であり、
奇数のかみ合わせられていない間隙の集合は、
A2=[-(n1+0.5), …, -1.5, 1.5, …, n1+0.5]であり、
前記軟強磁性磁束コンセントレータの数Kが偶数である場合、偶数の間隙の集合Bは、
B=[-(n2+0.5), -n2, …, -1, -0.5, 0, 0.5, 1, …, n2, (n2+0.5)]であり、
偶数のかみ合わせられた間隙の集合は、B1=[-n2; …, -1, 1, …, n2]であり、
偶数のかみ合わせられてない間隙の集合は、B2=[-n2-0.5, …, -0.5, 0.5, n2+0.5]であり、
ここで、0は、中央の間隙のラベルに対応し、正の整数および正の小数はそれぞれ、前記プラスX方向における前記かみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応し、負の整数および負の小数はそれぞれ、前記マイナスX方向における前記かみ合わせられた間隙およびかみ合わせられていない間隙のラベルに対応し、
Kが奇数である場合、奇数のプッシュアームの集合は、
A11=[1, 2, 3, …, n1]およびA12=[-1, -2, -3, …, -n1]であり、
ここで、前記かみ合わせられた間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プッシュアームの集合を形成し、
奇数のプルアームの集合は、
A21=[1.5, 2.5, 3.5, …, n1+0.5]およびA22=[-1.5, -2.5, -3.5, …, -(n1+0.5)]であり、
ここで、前記かみ合わせられていない間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プルアームの集合を形成し、
Kが偶数である場合、偶数のプッシュアームの集合は、
B11=[1, 2, 3, …, n2]およびB12=[-1, -2, -3, …, -n2]であり、
ここで、前記かみ合わせられた間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プッシュアームの集合を形成し、
偶数のプルアームの集合は、
B21=[0.5, 1.5, 2.5, …, (n2+0.5)]およびB22=[-0.5, -1.5, -2.5, …, -(n2+0.5)]であり、
ここで、前記かみ合わせられていない間隙での前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記プルアームの集合を形成し、
n1=(K-1)/2およびn2=(K-2)/2である、請求項4または5に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - いずれかのJ番目のかみ合わせられた間隙の列において、nJの要素が、前記奇数または偶数のプッシュアームの集合A11(J)またはB11(J)からランダムに選択され、n1≧J≧1またはn2≧J≧1、およびnJ≧lであり、
a1J, a2J, a3J, …, anJであり、ここで、2つの隣接する要素間の差は2より大きく、
a11J=a1J±1, a21J=a2J±1, a31J=a3J±1, …, an1J=anJ±1が存在し、
Push(J)の集合は、
Push(J)=[a1J, a11J, a2J, a21J, a3J, a31J, …, anJ, an1J]
および[-a1J, -a11J, -a2J, -a22J, -a3J, -a31J, …, -anJ, -an1J]として形成され、
a10J=a1J±0.5, a110J=a11J±0.5, a20J=a2J±0.5, a210J=a21J±0.5, a30J=a3J±0.5, a310J=a31J±0.5, …, an0J=anJ±0.5, an10J=an1J±0.5が存在し、
Pull(J)の集合は、
Pull(J)=[a10J, a110J, a20J, a210J, a30J, a310J, …, an0J, an10J]
および[-a10J, -a110J, -a20J, -a210J, -a30J, -a310J, …, -an0J, -an10J]として形成され、
前記Pull(J)の集合における前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記J番目のかみ合わせられた間隙の列の前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングを形成し、前記Pull(J)の集合における前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングは、前記J番目のかみ合わせられた間隙の列の前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングを形成する、請求項6に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - 軟強磁性磁束コンセントレータの前記かみ合わせられたアレイがM個のかみ合わせられた間隙の列によって形成される場合、前記J番目のかみ合わせられた間隙の列のために、1つの前記Pull(J)および1つの前記Push(J)が存在し、かくして、Pullの集合、
Pull={Pull(1), Pull(2), Pull(3), …, Pull(M)}、およびPushの集合、
Push={Push(1), Push(2), Push(3), …, Push(M)}を形成し、
そして、前記プッシュ−プルX軸磁気抵抗センサの前記プッシュアームは、前記J列に対応する前記Push(J)の集合に対応する前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリング間の直列接続であり、前記プルアームは、前記J列に対応する前記Pull(J)の集合に対応する前記プル磁気抵抗検知ユニットストリング間の直列接続である、請求項7に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。 - 同一の抵抗を有する2つの磁気抵抗検知ユニットストリングが、2つのH字型軟強磁性磁束コンセントレータによって形成される第1のタイプのかみ合わせられていない間隙に同時に設けられる場合、前記磁気抵抗検知ユニットストリングは、1つの磁気抵抗検知ユニットストリングに組み合わせられ、その抵抗は、前記2つの磁気抵抗検知ユニットストリングのいずれかの抵抗の2倍である、請求項4または8に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記プッシュ−プルブリッジセンサは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、または準ブリッジ構造として接続により形成され得る、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記磁気抵抗検知ユニットは、GMRスピンバルブまたはTMR検知ユニットであり、ピンニング層の方向は、前記X軸にパラレルであり、自由層の方向は、前記Y軸にパラレルである、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 外部磁場の存在のもとで、前記磁気抵抗検知ユニットは、永久磁石バイアシング、二重交換相互作用、形状異方性、またはそれらのいずれかの組み合わせによって、その磁気ピンニング層の磁化方向に対し垂直な磁気自由層の磁化方向を作る、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記プッシュアームおよび前記プルアームは、同一の数の磁気抵抗検知ユニットを有する、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記キャリブレーションコイルは、プッシュストレートキャリブレーション導体およびプルストレートキャリブレーション導体を備え、前記プッシュストレートキャリブレーション導体と前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングとの間の位置関係は、前記プルストレートキャリブレーション導体と前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングとの間の位置関係と同一であり、前記位置関係は、前記ストレート導体が対応する磁気抵抗検知ユニットストリングの真上または真下に設けられるものであり、前記プッシュストレートキャリブレーション導体および前記プルストレートキャリブレーション導体は、直列に接続され、反対の電流方向を有する、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化コイルは平面コイルであり、その中に備えられる前記ストレート初期化導体は、前記プッシュ磁気抵抗検知ユニットストリングおよび前記プル磁気抵抗検知ユニットストリングに対し垂直であり、各々の磁気抵抗検知ユニットストリングの真上または真下に設けられ、同一の電流方向を有する、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記キャリブレーションコイルは、プラスのポートおよびマイナスのポートを備え、電流が前記2つのポートを通って流れる場合、それによって発生させられるキャリブレーション磁場の振幅範囲は、前記磁気抵抗検知ユニットの線形作動領域内である、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記キャリブレーション電流は、1つの電流値または複数の電流値に設定される、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化コイルは2つのポートを備え、電流が前記2つのポートを通って流れる場合、それによって発生させられる初期化磁場の大きさは、前記磁気抵抗検知ユニットの飽和磁場値より高い、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化電流は、パルス電流または直流である、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化コイルおよび前記キャリブレーションコイルは、CU、AU、またはAgを備える高導電性材料で作られる、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記軟強磁性磁束コンセントレータは、Fe、Ni、Co、等の1つ以上の要素を備える合金の軟強磁性材料で作られる、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記基板の材料は、ガラスまたはシリコンウェーハであり、前記基板はASICを備えるかまたは前記基板は別のASICチップに接続される、請求項1に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化コイルおよび/または前記キャリブレーションコイルは、前記基板の上部および前記磁気抵抗検知ユニットの下部、または前記磁気抵抗検知ユニットと前記軟強磁性磁束ガイドとの間、または前記軟強磁性磁束ガイドの上部に設けられる、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
- 前記初期化コイルおよび/または前記キャリブレーションコイルは、絶縁材料を使用することによって、かみ合わせられたU字型または/およびH字型軟強磁性磁束ガイドおよび前記プッシュ−プル磁気抵抗ブリッジ検知ユニットから分離され、前記絶縁材料は、SiO2、Al2O3、Si3N4、ポリイミド、またはフォトレジストである、請求項2に記載のプッシュ−プルX軸磁気抵抗センサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510312173.1 | 2015-06-09 | ||
CN201510312173.1A CN105093139B (zh) | 2015-06-09 | 2015-06-09 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
PCT/CN2016/084227 WO2016197840A1 (zh) | 2015-06-09 | 2016-06-01 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018518677A true JP2018518677A (ja) | 2018-07-12 |
JP6991862B2 JP6991862B2 (ja) | 2022-01-13 |
Family
ID=54574012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017564329A Active JP6991862B2 (ja) | 2015-06-09 | 2016-06-01 | プッシュ-プルx軸磁気抵抗センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10330748B2 (ja) |
EP (1) | EP3309571B1 (ja) |
JP (1) | JP6991862B2 (ja) |
CN (1) | CN105093139B (ja) |
WO (1) | WO2016197840A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021513061A (ja) * | 2018-01-30 | 2021-05-20 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 3軸アップストリーム変調式低ノイズ磁気抵抗センサ |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093139B (zh) * | 2015-06-09 | 2017-11-24 | 江苏多维科技有限公司 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
CN107479010B (zh) | 2016-06-07 | 2019-06-04 | 江苏多维科技有限公司 | 一种具有补偿线圈的磁电阻传感器 |
CN106569001B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-12-31 | 芯海科技(深圳)股份有限公司 | 一种低功耗电桥阵列信号处理电路 |
CN107037382B (zh) * | 2017-04-05 | 2023-05-30 | 江苏多维科技有限公司 | 一种预调制磁电阻传感器 |
CN107064829B (zh) * | 2017-05-04 | 2023-02-21 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片高灵敏度磁电阻线性传感器 |
US11422206B2 (en) * | 2020-11-25 | 2022-08-23 | Robert Bosch Gmbh | Magnetic field sensor with optimized coil configurations for flux guide reset |
CN115825826B (zh) * | 2022-12-22 | 2023-09-15 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 一种三轴全桥电路变换式线性磁场传感器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0642181A1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-03-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Composant et capteur magnétorésistifs à motif géométrique répété |
US20140266185A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Alan L. Sidman | Magnetic field sensing apparatus and methods |
CN104280700A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片差分自由层推挽式磁场传感器电桥及制备方法 |
US20150028863A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Innovative Micro Technology | Microfabricated magnetic field transducer with flux guide |
WO2015014277A1 (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5166736B2 (ja) * | 2003-12-23 | 2013-03-21 | エリポスキ リモート リミテッド エルエルシー | 高感度磁気内蔵電流センサ |
DE102009008265B4 (de) * | 2009-02-10 | 2011-02-03 | Sensitec Gmbh | Anordnung zur Messung mindestens einer Komponente eines Magnetfeldes |
WO2012116933A1 (de) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover | Magnetfeld-messanordnung |
CN202230192U (zh) * | 2011-03-03 | 2012-05-23 | 江苏多维科技有限公司 | 推挽桥式磁电阻传感器 |
CN202013413U (zh) * | 2011-04-06 | 2011-10-19 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片桥式磁场传感器 |
CN102540112B (zh) * | 2011-04-06 | 2014-04-16 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片推挽桥式磁场传感器 |
CN102226836A (zh) * | 2011-04-06 | 2011-10-26 | 江苏多维科技有限公司 | 单一芯片桥式磁场传感器及其制备方法 |
JP5937227B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2016-06-22 | アドバンスド マイクロセンサーズ コーポレーション | 磁界検知装置及び方法 |
CN202494772U (zh) * | 2012-02-20 | 2012-10-17 | 江苏多维科技有限公司 | 用于测量磁场的磁电阻传感器 |
EP2853909A4 (en) * | 2012-05-16 | 2016-01-20 | Murata Manufacturing Co | BRIDGE CIRCUIT AND MAGNETIC SENSOR COMPRISING THE SAME |
DE112013004975T5 (de) * | 2012-10-12 | 2015-08-13 | Memsic Inc. | Monolithischer Drei-Achsen-Magnetfeldsensor |
CN104656045B (zh) * | 2013-11-17 | 2018-01-09 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测模块、测量方法及磁场感测模块的制作方法 |
CN103630855B (zh) * | 2013-12-24 | 2016-04-13 | 江苏多维科技有限公司 | 一种高灵敏度推挽桥式磁传感器 |
CN104569870B (zh) * | 2015-01-07 | 2017-07-21 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片具有校准/重置线圈的z轴线性磁电阻传感器 |
CN204758807U (zh) * | 2015-06-09 | 2015-11-11 | 江苏多维科技有限公司 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
CN105093139B (zh) | 2015-06-09 | 2017-11-24 | 江苏多维科技有限公司 | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 |
-
2015
- 2015-06-09 CN CN201510312173.1A patent/CN105093139B/zh active Active
-
2016
- 2016-06-01 JP JP2017564329A patent/JP6991862B2/ja active Active
- 2016-06-01 EP EP16806738.7A patent/EP3309571B1/en active Active
- 2016-06-01 WO PCT/CN2016/084227 patent/WO2016197840A1/zh active Application Filing
- 2016-06-01 US US15/578,508 patent/US10330748B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0642181A1 (fr) * | 1993-09-02 | 1995-03-08 | Commissariat A L'energie Atomique | Composant et capteur magnétorésistifs à motif géométrique répété |
US20140266185A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Alan L. Sidman | Magnetic field sensing apparatus and methods |
US20150028863A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Innovative Micro Technology | Microfabricated magnetic field transducer with flux guide |
WO2015014277A1 (zh) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 江苏多维科技有限公司 | 单芯片推挽桥式磁场传感器 |
CN104280700A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-14 | 江苏多维科技有限公司 | 一种单芯片差分自由层推挽式磁场传感器电桥及制备方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021513061A (ja) * | 2018-01-30 | 2021-05-20 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司Multidimension Technology Co., Ltd. | 3軸アップストリーム変調式低ノイズ磁気抵抗センサ |
JP7249673B2 (ja) | 2018-01-30 | 2023-03-31 | 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司 | 3軸アップストリーム変調式低ノイズ磁気抵抗センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105093139A (zh) | 2015-11-25 |
WO2016197840A1 (zh) | 2016-12-15 |
CN105093139B (zh) | 2017-11-24 |
US20180149715A1 (en) | 2018-05-31 |
US10330748B2 (en) | 2019-06-25 |
EP3309571B1 (en) | 2023-05-24 |
JP6991862B2 (ja) | 2022-01-13 |
EP3309571A1 (en) | 2018-04-18 |
EP3309571A4 (en) | 2019-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6991862B2 (ja) | プッシュ-プルx軸磁気抵抗センサ | |
JP6525335B2 (ja) | シングルチップ・ブリッジ型磁場センサ | |
JP6812367B2 (ja) | 櫛形y軸磁気抵抗センサ | |
US10066940B2 (en) | Single-chip differential free layer push-pull magnetic field sensor bridge and preparation method | |
US10024930B2 (en) | Single chip referenced bridge magnetic sensor for high-intensity magnetic field | |
JP6474822B2 (ja) | 高感度プッシュプルブリッジ磁気センサ | |
JP5297539B2 (ja) | 磁気センサ | |
US9739850B2 (en) | Push-pull flipped-die half-bridge magnetoresistive switch | |
EP3062119B1 (en) | Push-pull bridge-type magnetic sensor for high-intensity magnetic fields | |
US9804235B2 (en) | Single magnetoresistor TMR magnetic field sensor chip and magnetic currency detector head | |
CN107976645A (zh) | 集成多层磁阻传感器及其制造方法 | |
CN203658561U (zh) | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 | |
JP2015219227A (ja) | 磁気センサ | |
JP2020520088A (ja) | 単一チップ高感度磁気抵抗リニア・センサ | |
US11169225B2 (en) | TMR high-sensitivity single-chip push-pull bridge magnetic field sensor | |
CN204758807U (zh) | 一种推挽式x轴磁电阻传感器 | |
CN204740335U (zh) | 一种交叉指状y轴磁电阻传感器 | |
JP2004117367A (ja) | 磁気センサ及び同磁気センサの製造方法 | |
JP2002071775A (ja) | 磁気センサ | |
CN104483638A (zh) | 可提高z轴方向磁感应强度的磁传感装置及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210728 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210914 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211019 |
|
C092 | Termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C092 Effective date: 20211102 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20211102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6991862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |