JP2018511799A

JP2018511799A - ビームステアリングｌａｄａｒセンサ

Info

Publication number: JP2018511799A
Application number: JP2017549336A
Authority: JP
Inventors: ビー．ギリランドパトリック; ステットナーロジャー
Original assignee: Continental Advanced Lidar Solutions US LLC
Current assignee: Continental Advanced Lidar Solutions US LLC
Priority date: 2015-03-13
Filing date: 2016-03-11
Publication date: 2018-04-26
Also published as: US11175384B2; DE112016001187T5; US20220035006A1; US20160266242A1; WO2016149118A1; US20190101626A1; US10126411B2

Abstract

エアボーン用途および自動車用途において一般的であると考えられる限定的なレーザ送信出力でもって動作するＬＡＤＡＲセンサのためのビームステアリング能力が提案される。ＬＡＤＡＲシステムはまた、利用可能なレーザ送信出力が電力、サイズおよび／またはコスト上の制限によって限定されている場合に、受信器において信号対雑音比を高めるように動作する受信器における光学利得素子を使用することができる。１つの実施の形態においては、ＬＡＤＡＲセンサにおける各ピクセルの較正が、多数のピクセル増幅器を備えている電気増幅器アレイによって提供される。各ピクセル増幅器を個別に較正して、検出素子を整合させ、それによって検出器アレイにおけるすべてのピクセル間の利得の変動および暗電流の変動を除去することができる。検出器アレイの多数の新規の設計が記載されており、それらによってコストをより削減することができ、性能を改善することができ、また検出器アレイ、増幅器アレイおよび読出し集積回路の低コストかつ高性能の新規のパッケージが導入される。

Description

発明者：パトリック・ギリーランド、ロジャー・ステットナー
背景技術
発明の分野
本明細書において開示する実施の形態は、一般的には、３Ｄ画像生成および対象物の識別およびトラッキングに関し、また特に、交通災害回避、衝突回避および自律航法のような自動車用途のためのＬＡＤＡＲセンサに関する。本発明は、光出力が制限されているＬＡＤＡＲセンサの動作に起因して生じる問題を補償する。

関連技術の参照
ステットナー等の米国特許第５，４４６，５２９号、第６，１３３，９８９号および第６，４１４，７４６号に開示されている３Ｄ撮像技術では、単一の光パルス、一般的にはパルスレーザ光を用いることにより、慣例の２Ｄ写真のすべての情報が３次元座標に沿って提供される。つまり、視野（ｆｉｅｌｄｏｆｖｉｅｗ）内のあらゆるものの３Ｄ座標がもたらされる。この使用形態は、一般的には、フラッシュ３Ｄ撮像（Ｆｌａｓｈ３Ｄｉｍａｇｉｎｇ）と称され、自己完結型の光源のためにフラッシュ装置を使用する通常のディジタル２Ｄカメラに類似するものである。通常の２Ｄディジタルカメラを用いる場合と同様に、光はレンズによって、ＬＡＤＡＲセンサの焦平面に焦点合わせされる。このＬＡＤＡＲセンサは、焦平面アレイ（ＦＰＡ：ＦｏｃａｌＰｌａｎｅＡｒｒａｙ）と称される複数のピクセルから成るアレイを含んでいる。ＬＡＤＡＲセンサの場合には、それらのピクセルは「スマート」であって、データを収集することができ、プロセッサは、それらのデータを用いることによって、関心のある対象物における反射性の特徴部までのレーザパルスの飛行のラウンドトリップタイムを計算することができる。

光学的な撮像カメラおよびビデオカメラを車両システムにおいて使用して、シーンの３Ｄマップおよび固体の対象物のモデルを作成し、また３Ｄデータベースを使用してナビゲートおよびステアリングを行い、静止している対象物または動いている対象物との衝突を回避することに取り組むシステムが多数提案されている。ステレオシステム、ホログラフィックキャプチャシステム、および運動から形状を取得するシステムは、この用途において十分な性能を証明することはまだできていないが、しかしながら３ＤＬＡＤＡＲを基礎とするシステムは、移動する車両の進路内の、または車両が交差点を走行する際の対象物および道路の特徴部の３Ｄ画像を、十分な速度および精度で高速に捕捉する能力を示しており、それによってホスト車両は、衝突および交通災害を回避して、最善の経路を運転することができる。低コストかつ頑丈な設計をもたらすためには、光出力が制限されている、半導体タイプのレーザパルス送信器の使用が必要なると予見される。

したがって、ＬＡＤＡＲセンサの視野を照明するために、低出力の半導体レーザアレイと共に動作することができるＬＡＤＡＲセンサを提供することが所望される。さらに、ＬＡＤＡＲセンサによって、車両周囲の領域全体をマッピングでき、かつ移動する他の車両、交通災害および歩行者を回避できることが所望される。

発明の概要
本発明の実施の形態によるＬＡＤＡＲセンサには、ＬＡＤＡＲセンサの視野内のシーンを照明するためのパルス半導体レーザが組み込まれている。一般的には、非常に出力が高い単一のレーザパルスが、固定された拡散光学系によって視野全体にわたり光学的に拡散される。半導体レーザの低減された出力を、ＬＡＤＡＲ受信器の改善された感度によって、または半導体レーザの出力を空間的に集中させて、その集中させたビームで視野を掃引することによって相殺することができる。光学検出器の焦平面アレイは、受光および集束レンズの後方に配置されており、また読出し集積回路が焦平面アレイの検出器の電気的な出力に接続されている。読出し集積回路内では、ユニットセル電気回路のアレイが、焦平面アレイの検出素子において電気パルスに変換されている、到来した光パルスを増幅および検出する。各ユニットセル電気回路は、高速タイミングクロックに接続されており、各ユニットセル内においてディジタルタイマである。ディジタルタイマは、シーン照明光パルスのフラッシュによって計数を開始し、タイミングクロックの周期の数を計数する。ディジタルカウンタは、到来する光パルスの到着時点に発生する電気パルスがユニットセルにおいて検出された時点に停止される。したがって、ＬＡＤＡＲシステムの視野内の各反射性の表面までの射程距離をセンシングして、ディジタル式に測定することができる。

代替的な実施の形態において、各ＬＡＤＡＲセンサは、集光および集束レンズと光学検出器の焦平面アレイとの間の光受信器経路内に、光学利得素子を含むことができる。この光学利得素子を、例えばエルビウムドープ型ファイバ増幅器の例のように、光学的にポンピングすることができるか、または半導体光増幅器の場合のように電気的にポンピングすることができる。

別の実施の形態においては、各ＬＡＤＡＲセンサが、リン化インジウム、ヒ化ガリウムまたはシリコンから成る基板上に形成された、ヒ化インジウムガリウムから成る検出器の焦平面アレイを有することができる。１つの別の実施の形態においては、電気増幅器アレイを、光学検出器の焦平面アレイと読出し集積回路との間に挿入することができる。さらに別の実施の形態においては、電気増幅器アレイおよび読出し集積回路に基板を貫通するスルーホールビアを設けて、ワイヤボンディングを省略することができ、それによって、低コストで寄生容量が少ない、焦平面アレイおよび読出し集積回路のパッケージングが実現される。

上記において説明した特徴、機能および利点を、本発明の種々の実施の形態において、独立して達成することができるか、またはさらに別の実施の形態において、以下の説明および添付の図面を参照することによって明らかにすることができるさらなる詳細と組み合わせることができる。

舗道に設けられているレトロリフレクタによって後方散乱された強い光と、表面に同様に再帰反射性の部材が設けられている一時停止標識によって後方散乱された光と、を受信する、車両の前部右側における第１のＬＡＤＡＲセンサについての、一般的な光学的過負荷シナリオを示す。図１に示した光学的過負荷シナリオに関する１つの解決手段を示す。前方に向けられている２つのＬＡＤＡＲセンサは、車両の前部に配置されており、レトロリフレクタのアングルの最も近くに位置する右側のＬＡＤＡＲセンサは、最も左側のＬＡＤＡＲセンサから送信されたレーザパルスに応答する。ＬＡＤＡＲセンサ間に双方向のコネクションが示されており、それらの双方向のコネクションによって、最も左側のＬＡＤＡＲセンサからのシーン照明レーザパルスの伝送を指示する正確な時間ゼロ基準信号が最も右側のＬＡＤＡＲセンサに供給され、またそれとは反対に、最も右側のＬＡＤＡＲセンサからのシーン照明レーザパルスの伝送を指示する正確な時間ゼロ基準信号が最も左側のＬＡＤＡＲセンサに供給される。車両電気系統と、ＣＰＵと、車両サスペンションを制御し、慣性航法基準を提供し、グローバルポジショニングシステム基準を提供し、エアバッグの展開についての判定を行い、また二重無線リンクを介して外界と通信する複数のサブシステムと、を含む、典型的な車載構成要素のブロック図を示す。ＬＡＤＡＲセンサ制御プロセッサと、レーザ照明パルスを生成し、反射されたレーザパルスを受信し、データを分類し、画像を保存し、かつ画像データセット内の対象物を識別するためのサブシステムと、の間のコネクションおよび機能を表す、ビームステアリングＬＡＤＡＲセンサのブロック図を示す。図４の読出し集積回路（ＲＯＩＣ）のユニットセルのブロック図を示す。端面発光レーザ、固定されたミラーアングルブロック、２軸で撓むことができるＭＥＭＳ型マイクロミラーによって特徴付けられている、ビームステアリングメカニズムの部分側面図を示す。２つの端面発光レーザ、２つのロッドレンズおよび２軸で撓むことができる２つのＭＥＭＳ型マイクロミラーによって特徴付けられている、ビームステアリングメカニズムの部分側面図を示す。端面発光レーザ、ロッドレンズおよび２軸で撓むことができる２つのＭＥＭＳ型マイクロミラーの縦続接続によって特徴付けられている、ビームステアリングメカニズムの部分側面図を示す。垂直キャビティ表面放射型レーザ、シリコン基板および２軸で撓むことができる２つのＭＥＭＳ型マイクロミラーによって特徴付けられている、ビームステアリングメカニズムの部分側面図を示す。図６Ｂに示した構造を等角図で表したものと、パルスレーザ送信器によって掃引される、ピクセル化された遠距離場パターンとを示す。４つの面それぞれに拡散オプティカルフラットが接合されている、エルビウムドープ型ファイバから成る溶融型バンドルファイバを表す光学利得ブロックの等角図を示す。４つの面のうちの１つに、垂直キャビティ表面放射型レーザ（ＶＣＳＥＬ）から成るアレイのアセンブリが表されている、光学利得ブロックの等角図を示す。４つの面それぞれに拡散オプティカルフラットおよびＶＣＳＥＬアレイが接合されている、エルビウムドープ型ファイバから成る溶融型バンドルファイバを表す、図７Ｃの光学利得ブロックの端面図を示す。拡散素子および４５°のダイクロイックミラーを介して接続されているＶＣＳＥＬアレイによって光学的にポンピングされる溶融型ファイバの光学利得ブロックを有している、ＬＡＤＡＲセンサの部分側面図を示す。光受信経路内に配置されている半導体光増幅器（ＳＯＡ）のアレイを有している、ＬＡＤＡＲセンサの部分側面図を示す。図９の半導体光増幅器（ＳＯＡ）のアレイの個々の素子の部分側面図を示す。オプティカルフラットが形成されている、図９の半導体光増幅器（ＳＯＡ）のアレイの個々の素子の部分側面図を示す。廉価なＧａＡｓ基板上に成長された変性エピタキシャル層上に成長されているＩｎＧａＡｓ検出器アレイを使用する、ハイブリッド型の焦平面アレイ（ＦＰＡ）の部分側面図を示す。検出器アレイは、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）に接続されており、表面から裏面まで延びる基板貫通ビアによって形成された相互接続部を多数有している。図１１のハイブリッド型の焦平面アレイ（ＦＰＡ）を含む気密パッケージの部分側面図を示す。廉価なＧａＡｓ基板上に成長された変性エピタキシャル層上に成長されているＩｎＧａＡｓ検出器アレイを使用する、ハイブリッド型の焦平面アレイ（ＦＰＡ）の部分側面図を示す。検出器アレイは、表面から裏面まで延びる基板貫通ビア（ＴＳＶ）によって形成された電気的なコンタクトを有している電気増幅器アレイに取り付けられている。増幅器アレイは、気密窓カバーを有している基板に取り付けられている。基板の裏面には、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）が取り付けられている。表面から裏面まで延びる基板貫通ビアによって形成された電気的なコンタクトを有している電気増幅器アレイに取り付けられている離散的なＩｎＧａＡｓ検出器のアレイを使用する、ハイブリッド型の焦平面アレイ（ＦＰＡ）の部分側面図を示す。増幅器アレイは、プリント回路基板に取り付けられている。回路基板の裏面には、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）が取り付けられている。Ｐ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｎ（ＰＩＮ）検出器構成に適した、ヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層を有している、リン化インジウムのウェハに接合されている、シリコンウェハを示す。リン化インジウムウェハの厚みの大部分が除去されている、シリコンウェハに接合されたリン化インジウムウェハを示す。ヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層およびリン化インジウムにおけるトレンチの形成による、ヒ化インジウムガリウムエピタキシャル層におけるＰＩＮ構造の絶縁されたメサの構造を示す。絶縁されたＰＩＮメサ構造におけるアノードおよびカソードの両コンタクトの構成を示す。支持回路基板に取り付けられており、かつ長手方向に沿って取り付けられているデカップリングコンデンサを有している、図１５Ｄの検出器アレイの平面図を示す。図４、図５、図８および図１１から図１６に記載されているタイプの検出器アレイの検出素子を含む、図１３および図１４の増幅器アレイのピクセル増幅器素子を概略的に示す。

詳細な説明
本出願は、先行特許第５，６９６，５７７号、第６，１３３，９８９号、第５，６２９，５２４号、第６，４１４，７４６号、第６，３６２，４８２号、第Ｄ４６３，３８３号、および２００２年１月３１日に出願され、米国特許出願公開第２００２／０１１７３４０号明細書（ＵＳ２００２／０１１７３４０Ａ１）として公開されている、米国特許出願第１０／０６６３４０号に関連する新たな発明の主題を含むものである。ここに挙げた刊行物の開示内容は、参照により本願に含まれる。

本明細書に開示されている実施の形態によって、性能が改善された小型の撮像ＬＡＤＡＲシステムが実現される。そのようなシステムの用途は、自動車衝突回避および自律航法、地形マッピング、着陸およびドッキング、ならびに３Ｄ動画／グラフィックキャプチャであってよい。これらの改善形態は、エルビウムドープ型ファイバから構成することができるか、または半導体に形成することができる光学利得ブロックを含んでいる。複数のＬＡＤＡＲの設置形態において、第１のＬＡＤＡＲ送信器の照明パルスを第２のＬＡＤＡＲの受信器と協働させる機能を説明する。この機能によって、視野内の隅にある反射器に起因する飽和の影響を低減することができる。さらに、検出器アレイサブアセンブリについての多数の改善形態を紹介する。検出器アレイおよび読出し集積回路（ＲＯＩＣ）から成るハイブリッドアセンブリには、多数の新規の特徴が組み込まれている。検出器アレイと読出しＩＣとの間に設けられている別個のアナログ増幅器アレイの使用によって、システム応答度を高めることができる。小型のハイブリッド焦平面アレイ（ＦＰＡ）アセンブリを実現するために、増幅器アレイおよび読出しＩＣにおいてシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）が使用されており、そのようなハイブリッド焦平面アレイ（ＦＰＡ）アセンブリは、廉価に組み立てることができ、かつパッケージにおける寄生インダクタンスの低下に起因して、より高い電気的性能を有している。２つの新規の検出器技術も説明する。ヒ化インジウムガリウムのＰＩＮ検出器構造は、ヒ化ガリウム基板にわたり張られた変性層上に形成されており、これによって、直径６ｉｎまでの廉価なＧａＡｓウェハの処理が実現される。第２の検出器構造は、ウェハレベルで廉価なシリコン基板に接合されているＩｎＧａＡｓのＰＩＮ構造を含んでいる。この技術によって、拡張された熱的性能が実現され、またはんだバンプ相互接続のための標準的なプロセスも実現される。レーザビームステアリングメカニズムの使用によって、ＬＡＤＡＲセンサは、逐次的な複数のステップで視野を照明することができ、これによってレーザビームに関するピーク出力要求が低減される。ビームステアリングメカニズムの使用によって、パルス半導体レーザの使用も実現され、それらのパルス半導体レーザは、固体レーザに比べて低い出力を有していることで知られている。ＬＡＤＡＲセンサが低出力パルス半導体レーザを使用でき、かつビームによって視野全体を逐次的に走査することができるレーザビームステアリングの設計を多数説明する。車載ＬＡＤＡＲシステムは、側面に取り付けられているか、後部に取り付けられているか、または前方に向けられている、本明細書に記載のタイプのＬＡＤＡＲセンサを多数含むことができる。それらのＬＡＤＡＲセンサを、中央ＬＡＤＡＲシステムコントローラに接続することができ、この中央ＬＡＤＡＲシステムコントローラは、独立した各ＬＡＤＡＲセンサからの利用可能なデータを統合して、車両周囲の３６０°全周における近接領域の合成３Ｄマップを形成する。１つの好適な実施の形態においては、慣例の２Ｄ静止画像またはビデオシーケンスを使用して、３Ｄ固体モデルおよびシーンマップの品質を改善することができる。

車両の用途においては、ＬＡＤＡＲセンサをヘッドライト、テールライト、または他の補助ランプアセンブリに組み込むことができる。ＬＡＤＡＲセンサは、後退灯、バックミラーアセンブリの一部であってもよいし、バンパまたはグリルアセンブリにおける開口部の裏側に取り付けられてもよいし、フロントガラスの裏の高い位置に取り付けられてもよいし、ルーフサポートに取り付けられてもよいし、車両表面の車体パネルにおける空所を介して取り付けられているモジュールアセンブリ内に取り付けられてもよい。ＬＡＤＡＲセンサには、一般的には、焦平面アレイおよび読出し集積回路から成るハイブリッドアセンブリが組み込まれており、また読出しＩＣは、ユニットセル電気回路のアレイとして設けられており、各ユニットセルは、対応する焦平面アレイ（ＦＰＡ）と同じ間隔および順序のアレイに適合されるように構成されている。１つの好適な実施形態におけるＬＡＤＡＲセンサは、状況に応じて、上記において説明したようなフラッシュモードで動作することができるか、またはマルチパルスモードで動作することができるか、またはパルス連続波モードで動作することができる。ＬＡＤＡＲセンサが組み込まれているＬＡＤＡＲシステムは、フル３Ｄオブジェクトのモデリングおよびトラッキング、ならびに２Ｄデータベースおよび３Ｄデータベースのマージと、３ＤＬＡＤＡＲセンサおよび慣例の２Ｄビデオカメラの管理から導き出されるシーンエンハンスメントを実現する多数の特徴を有することもできる。

ＦＰＡの各感光性検出器は、レーザ光出力の反射された部分に由来する電気応答信号を形成する出力を有している。電気的な応答信号は、ユニットセル電気回路の相応のアレイを備えている読出し集積回路（ＲＯＩＣ）に供給される。各ユニットセル電気回路は、感光性検出器出力、電気応答信号増幅器および復調器、電気応答信号復調器の出力に接続されている距離測定回路、のうちの１つに接続されている入力を有している。復調器は、電圧サンプラおよび電気応答信号の連続的なサンプルを記憶するためのアナログシフトレジスタであってよいし、ミキサ、積分器または整合フィルタを含んでいてもよい。サンプリングモードにおいては、各ユニットセルが、ターゲット表面から反射されたレーザ光の捕捉に応答してサンプルを取得するタイミングを制御するために基準クロックを使用する。各ピクセルからのディジタル化された一連のサンプルに基づいて動作する第１のディジタルプロセッサによって、読出し集積回路の外部で復調を行うこともできる。第１のディジタルプロセッサは、一連のアナログサンプルの重み付けされた合計を利用するか、高速フーリエ変換、畳み込み、積分、微分、カーブフィッティング、または電気的な応答のディジタル化されたアナログサンプルについての他のディジタル処理を使用するアルゴリズムを用いることができる。第１のディジタルプロセッサは、他の対象物から道路を分離または区分けするか、対象物を相互に分離または区分けするアルゴリズムを用いることもできる。そのような対象物として、自動車、自転車、オートバイ、トラック、人間、動物、壁、標識、道路障害物等が考えられる。それらのアルゴリズムは、位置および向きならびに対象物の速度を計算することができる。対象物の向き、位置および速度を、中央コンピュータに伝送し、さらなる処理および判定を行うことができる。各ユニットセル回路は、返ってきたＬＡＤＡＲパルスの形状を保存し、反射された光パルスの形状に基づいて、焦平面アレイから所定の距離に投影されていると見なせるピクセル境界内の表面の形状を推論することができる。距離測定回路には、変調されたレーザ光出力に関するゼロ距離基準を提供する基準信号がさらに供給される。

図１には、本発明のＬＡＤＡＲセンサの適用分野において直面する問題のうちの１つを表す状況が示されている。この図において、車両２は、車両の前部におけるヘッドライトアセンブリに取り付けられている、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ４を有している。関連する照明パターン６は、破線で示されているように、扇状である。照明パターン６は、横断歩道２０における舗道に設けられている「キャットアイ」型のレトロリフレクタ１２において反射され、それによって反射光線１４が生じる。キャットアイレトロリフレクタはプリズム反射器であり、このプリズム反射器は光学設計の点においてコーナキューブに類似するものである。キャットアイレトロリフレクタは、光が弱い状況下および暗い状況下で、道路境界の優れたマーキングを提供するように設計されたものである。照明パターン６は、また、再帰反射性の一次停止標識１６の表面においても反射され、それによって反射光線１８が生じる。多くの一時停止標識では、例えば３Ｍ^TMダイヤモンドグレード^TM反射シートのような再帰反射性のフィルムが使用されており、この再帰反射性のフィルムは、交通整理および案内標識および案内装置にも使用されている。このフィルムは、反射性および耐久性が高く、またあらゆる光条件下およびあらゆる天候条件下での、標識可視性の広範な要求を満たすものである。その他の一時停止標識では、３Ｍ^TMハイ・インテンシティグレードプリズム型高輝度反射シートのようなプリズム型マイクロ構造を有している強化フィルムが使用されている。このシートは、種々の交通シナリオに関して高いレベルの再帰反射性を提供し、また長い期間にわたり優れた反射性および耐久性を有する。照明パターン１０を有する、第２のロングレンジＬＡＤＡＲセンサ８は、車両２の運転手側のヘッドライトアセンブリに取り付けられている。再帰反射光線１４および再帰反射光線１８は、非常に高強度の光信号を表し、ＬＡＤＡＲセンサ４の焦平面アレイの検出器を飽和させる可能性がある。高強度の再帰反射光線１４および１８は、ＬＡＤＡＲセンサ４の焦平面アレイにおいて光学的なクロストークを発生させる虞がある。

図２には、本発明の利点が示されている。ここでは、運転手側のヘッドライトアセンブリに設けられているロングレンジＬＡＤＡＲセンサ８の照明パターン１０が、斜角でキャットアイレトロリフレクタ１２を照明している。同乗者側のＬＡＤＡＲセンサ４は、スイッチオフされているか、またはパルス間隔中に動作する。斜角の照明に起因するキャットアイレトロリフレクタ１２からの反射２２は、通常の拡散反射器表面における反射に類似し、図１に示したような同乗者側のロングレンジＬＡＤＡＲセンサ４から直角に入射する光によって照明されたときのキャットアイプリズム型レトロリフレクタ１２の低強度発散特性を有さない。ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ４の照明ビームに対して垂直に位置しているレトロリフレクタ１２からの強い反射が存在するときであっても正確な距離測定を行うために、同乗者側のＬＡＤＡＲセンサ４は、規則的な間隔で送信することができるパルス間に受信専用モードで動作する。協働運転者側のＬＡＤＡＲセンサ８は、シーンおよびキャットアイレトロリフレクタ１２を照明する。レトロリフレクタ１２までの、または視野内の任意の対象物までの距離を正確に測定するために、同乗者側のＬＡＤＡＲセンサは、運転手側のＬＡＤＡＲセンサ８からの照明レーザパルスの伝送の指示を受信しなければならない。この指示を、２つの経路のうちの一方において送信することができる。一方の経路では、レーザフラッシュ信号が直接的に、運転手側のＬＡＤＡＲセンサ８から双方向のコネクション２４を介して到来する。双方向のコネクション２４は、車両の設計に応じて、電気的なコネクションとしてもよいし、光ファイバコネクションとしてもよい。照明パルスの伝送を指示するための第２の経路は、中央ＬＡＤＡＲシステムコントローラ２８から、双方向のコネクション２６を介して延びている。双方向のコネクション２４または２６を介するレーザフラッシュ信号の伝送によって惹起される遅延に関してシステムが一度較正されれば、いずれのアプローチを使用しても同様の結果を得ることができる。同様に、運転手側のＬＡＤＡＲセンサ８を、同乗者側のＬＡＤＡＲセンサ４におけるレーザ送信器から到来するシーン照明レーザパルスを用いて、受信専用モードで動作させることができる。多数のショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２が、ウィンカ、テールライト、ブレーキライト等のための通常の車体パネルの空所内で、車両２のコーナーに取り付けられていることも示されている。また、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサを収容している同一のアセンブリ３２に取り付ける形で、ウィンカ、テールライト、ブレーキライトのような自動車信号灯、および可視光または赤外線光２Ｄカメラ４０が設けられていてもよい。ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４が、ヘッドライトアセンブリ４，８において、可視光または赤外線光２Ｄカメラ４０と空間を共有してもよい。

図３は、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０の詳細およびホスト車両２のコオペレーティングシステムとの相互接続の詳細を示すブロック図である。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、ホスト車両に搭載されている種々のＬＡＤＡＲセンサの状態を監視し、かつそれらのセンサに制御入力を供給しながら、それらのセンサによって捕捉されたすべての３Ｄデータを統合する中間機能である。車両の設計に応じて、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０を、ソフトウェアまたはハードウェアの一部として車両ＣＰＵ４８に組み込むことができる。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサＳＲＵ１〜４３２およびロングレンジＬＡＤＡＲセンサＬＲＵ１〜２３４にコマンドを伝送する。ファイバケーブルおよびワイヤハーネス２６は、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０から種々のＬＡＤＡＲセンサにコマンドを伝達するための物理的な媒体を提供する。種々のＬＡＤＡＲセンサからＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０に、ファイバケーブルおよびワイヤハーネス２６を介して、３Ｄデータおよび状態信号が返される。同様に、コマンド信号が複数（ｎ個）の２Ｄカメラ４０に送信され、２Ｄカメラからは、状態および画像データがワイヤハーネス２６を介してＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０に返される。２つのロングレンジセンサユニット３４はいずれも、各ロングレンジセンサユニット３４における送信器および受信器と、ファイバケーブルおよびワイヤハーネス２６の物理的な媒体と、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０の送信器および受信器と、を論理的に含む一連の双方向のコネクションを介して接続されている。各ショートレンジセンサユニット３２は、各ショートレンジセンサユニットにおける送信器および受信器と、ファイバケーブルおよびワイヤハーネス２６の物理的な媒体と、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０の送信器および受信器と、を論理的に含む一連の双方向のコネクションを介して接続されている。設置形態に応じて、双方向のコネクション２４を介して、ＬＡＤＡＲセンサ３４間に直接的にコネクションを確立してもよい。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、Ｄ／Ａ信号変換器およびＡ／Ｄ信号変換器を含んでおり、またＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０を完全にまたは部分的に、読出し集積回路（図４を参照されたい）に設けてもよい。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、シーン処理能力を有することができ、このシーン処理能力によって、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、動作中の各ＬＡＤＡＲセンサから受信した３Ｄフレームを組み合わせて、車両２の目の前の空間および車両の周囲の空間を含む全体の空間の合成３Ｄマップを形成することができ、またその３Ｄマップと、複数（ｎ個）の２Ｄスチルまたはビデオカメラ４０から受信した２Ｄ画像データをマージすることによって、向上された解像度、色およびコントラストを提供することもできる。慣例の２Ｄスチルまたはビデオカメラ４０を追加することによって、対象物の識別に関して向上された能力がシステムに提供される。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、ＬＡＤＡＲセンサから、レーザ温度、伝送されたレーザパルスの出力およびパルス形状、受信器温度、背景光レベル等を表す状態データを受信し、制御している種々のＬＡＤＡＲセンサに対する包括的な入力パラメータの調整に関する判定を行う。検出器バイアス、トリガ感度、捕捉モード、フィルタ帯域幅等に関する包括的な設定を、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０から所定のＬＡＤＡＲセンサに送信することができ、またその所定のＬＡＤＡＲセンサは、そこに設けられているローカル制御プロセッサによって最初に設定または調整されたローカルセッティングを無効にすることができる。ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０において実行されるプログラムの格納場所を提供するために、内部に不揮発性メモリを有することもできる。この不揮発性メモリを、システムの起動時に有用な状態データおよび他のデータを記憶するために使用することもできる。双方向のコネクション４２を介して、データおよび制御コマンドおよび状態信号を伝送するための通信ポートがＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０に設けられている。通信ポートは、一般的にイーサネットポートまたはギガビットイーサネットポートであるが、ＣＡＮバス、ＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、インフィニバンドまたは他のタイプのデータポートであってもよく、また双方向の通信を提供するために、車両電気系統および中央処理装置４８に接続されている。コネクション４２は、光学的なコネクション、電気的なコネクションまたはそれら２つの組合せであってよく、また双方向でのデータ信号の調整および伝送に必要な任意の送信器および受信器を含むことができる。変調されたレーザ光の反射から導出された３Ｄ距離データによって、初期対象物モデルを求めることができ、また一部の対象物識別では、車両２に搭載されている個々のＬＡＤＡＲセンサのプロセッサにおいて初期対象物モデルを求めることができる。対象物モデルを、システムにおけるより高いレベルで洗練することができ、その際に種々のセンサからのデータを先行のフレームに由来するデータと統合することができる。過去のデータならびに現在のデータを調べるこの能力によって、何らかの交通災害および衝突の脅威を、車両２が前進する際の複数の角度から考察することができ、したがって複数の角度から観察することによって付加的な形状情報を取得しながら、一部の陰を除去することができる。

個々のＬＡＤＡＲセンサはそれぞれ、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０、車両ＣＰＵ４８および衝突プロセッサ４４における処理負荷、例えば、点群の生成、および点群からの視野内の対象物および対象物速度の分離／区分けを低減するためにデータプロセッサを含むことができる。慣例の２Ｄ可視光または赤外線光ビューイングカメラ４０は、ＬＡＤＡＲセンササブシステム内に設けられていてもよく、またＬＡＤＡＲセンサを含むサブアセンブリの一部であってよい。複数（ｎ個）の他の可視光２Ｄスチルまたはビデオカメラ５６は、車両衝突プロセッサ４４に直接的に接続されていてもよく、また車両に取り付けられている種々のＬＡＤＡＲセンサによって生成された３Ｄデータを補完するシーンデータを生成することができる。２Ｄスチルまたはビデオカメラ５６は、可視の波長または赤外線の波長で動作することもできる。電気的な双方向のコネクション４２は、３Ｄデータマップ、状態および制御信号を、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０と車両電気系統および中央処理装置（ＣＰＵ）４８との間で伝達するためにも使用される。車両のコアにおいては、電子脳が車両２のあらゆる機能を制御することができ、また一般的に他のすべてのサブシステムおよびコプロセッサを制御する。電子脳または中央処理装置（ＣＰＵ４８）は、ここでは、バッテリ、ヘッドライト、ワイヤハーネス等を含む、車両の基本電気系統に統合されている。車両サスペンションシステム４６は、電気的な双方向のコネクションを介して、制御コマンドを受信して状態を返し、また各車輪の最低地上高、ばね定数、および減衰率を個別に変更することができる。慣性基準５０は、ＣＰＵ４８への入力として重力センサまたは垂直基準も有している。グローバルポジショニングシステム基準５４を、車両ＣＰＵ４８に接続することもできる。ＧＰＳ基準５４は、無線リンクを介して周期的に更新することができる、領域内のすべての利用可能な道路および条件のデータベースを有することもできる。二重無線リンク５２をＣＰＵ４８に接続することもでき、またこの二重無線リンク５２は、衝突回避および交通の流れの円滑化を容易にするために、場所、速度、方向および車両固有の情報を共有する、近接領域内の他の車両と直接的に通信することができる。二重無線リンクは、ローカル位置基準、道路データ、天候条件、および車両２の運転にとって重要な他の情報を、中央道路条件データベースから、路側アンテナまたはセルラ局を介して受信することもできる。車両２は、無線リンク５２を介して、車両状態および道路条件の更新を、中央道路条件データベースに提供することができ、それによって中央道路条件データベースは、ＬＡＤＡＲセンサおよび無線リンクを装備しているいずれかの車両によって増補することができる。また衝突プロセッサおよびエアバッグ制御ユニット４４は、ＣＰＵ４８にも同様に双方向で接続されており、これによって、加速度計、ブレーキセンサ、車輪回転センサ、ＬＡＤＡＲセンサ等の多数のセンサからの入力を受信する。ＡＣＵ４４は、エアバッグおよび他の拘束手段のタイミングおよび展開についての判定を行う。システムが名目上搭載されており、また自動車であることが多い車両２に統合されたものとして図３のシステムは示されているが、このシステム、上述のコンポーネントおよびサブシステムはいずれも、任意の数の移動する車両または固定のプラットフォームに搭載されるように設計されている。

図４は、好適な実施の形態に特有の、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４およびショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２の両方を表すＬＡＤＡＲセンサのブロック図である。ここで説明する主要な改良点には、ビームステアリングメカニズム７０、光学利得ブロック７６、電子増幅器アレイ８０、ならびに新規の検出器および焦平面アレイ（ＦＰＡ）パッケージングオプションの追加が含まれる。第１の実施の形態は、１２８×１２８個または１２８×６４個の光検出素子から成る検出器アレイ７８を提供し、この検出器アレイ７８は、ハイブリッド組立て法を用いて、読出し集積回路８２の上に積載されている。この設計の別の実施の形態においては、Ｍ×Ｎ個（ただし、ＭおよびＮは、それぞれ２〜１，０２４以上の数である）の光検出素子から成る焦平面アレイが考えられる。図４に示した機能素子を、先ず、一般的なロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４の構成要素に関して説明する。制御プロセッサ５８は、ＬＡＤＡＲセンサ３４の主要なコンポーネントの機能を制御する。制御プロセッサ５８は、（インタフェースロジック、アナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器およびディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６を含む）電気的な双方向のコネクションを介して、パルスレーザ送信器６８に接続されており、この双方向のコネクションは、制御プロセッサ５８からパルスレーザ送信器６８にコマンドを伝達し、またパルスレーザ送信器６８から制御プロセッサ５８に監視信号を返す。アナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器およびディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６を含むインタフェースロジックを、完全にまたは部分的に集積回路に設けることができる。感光性ダイオード検出器（フラッシュ検出器）６７は、パルスレーザ送信器６８によって形成されたレーザ光パルスの一部を捕捉するために、レーザのバックファセットに配置されている。パルスレーザ送信器６８のフロントファセットから光サンプラによって取得された出発レーザパルスの光サンプルは、一般的に光ファイバケーブルを介して、自動距離補正（ＡＲＣ：ＡｕｔｏｍａｔｉｃＲａｎｇｅＣｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）として、検出器アレイ７８のコーナーに送られる。パルスレーザ送信器６８は、固体レーザ、モノブロックレーザ、半導体レーザ、ファイバレーザ、または半導体レーザのアレイであってよい。データレートを高めるために、個別のレーザを２つ以上使用することもできる。１つの好適な実施の形態においては、パルスレーザ送信器６８が、垂直キャビティ表面放射型レーザ（ＶＣＳＥＬ）のアレイである。代替的な実施の形態においては、パルスレーザ送信器６８が、９７６ｎｍの半導体レーザ光によってポンピングされる、エルビウムドープ型リン酸ガラスのディスク状固体レーザである。

動作時に、制御プロセッサ５８は、ロジックコマンドまたは変調信号をパルスレーザ送信器６８に送信することによってレーザ照明パルスを始動させ、パルスレーザ送信器６８は、ビームステアリングメカニズム７０および伝送光学系７２を介する光強度の突発波としてのレーザ光の伝送によって応答する。エルビウムガラス、ネオジウムＹＡＧまたは他の固体利得媒体を基礎とするＱスイッチ型の固体レーザの場合には、単純な２値ロジックコマンドによって、一定時間にわたる利得媒体へのポンプレーザダイオードの放射を開始させることができ、これによって最終的にはパルスレーザ送信器６８の１回のフラッシュが生じる。電気的にポンピングされ、かつレーザダイオードに注入される電流信号の変調によって即座に変調することができる半導体レーザの場合には、より一般的な性質の変調信号が実現され、またその変調信号を主要な有益効果と共に使用することができる。変調信号は、平頂の矩形波パルスまたは台形波パルス、またはガウス状のパルス、またはパルスシーケンスであってよい。変調信号は、正弦波、ゲーテッド正弦波またはパルス状正弦波、チャープ正弦波、または周波数変調された正弦波、または振幅変調された正弦波、またはパルス幅変調された一連のパルスであってもよい。変調信号は、一般的には、代表的なアナログ値が記載されているディジタルメモリのルックアップテーブルとして、メモリ６４に記憶されており、このルックアップテーブルが、制御プロセッサ５８によって順次読み出されて、搭載されているディジタル／アナログ（Ｄ／Ａ）変換器６６によってアナログ値に変換されて、パルスレーザ送信器６８のドライバ回路へと供給される。メモリ６４に記憶されているルックアップテーブルが、必要とされるロジック回路、クロック、および制御プロセッサ５８に設けられているタイマ６２と共に、Ｄ／Ａ変換器と組み合わされたものは、任意波形発生器（ＡＷＧ：ＡｒｂｉｔｒａｒｙＷａｖｅｆｏｒｍＧｅｎｅｒａｔｏｒ）回路ブロックも含んでいる。択一的に、ＡＷＧ回路ブロックを、パルスレーザ送信器６８の一部としてのレーザドライバ内に設けることもできる。伝送光学系７２は、パルスレーザ送信器６８によって形成された光輝度スポットを、ＬＡＤＡＲセンサ３４によって撮像されるべき所望の視野にわたり実質的に均一に拡散させる。伝送されたレーザパルスの光学サンプル（ＡＲＣ信号と称する）は、光ファイバを介して、検出器アレイ７８にも送信される。検出器アレイ７８のコーナーにある幾つかのピクセルは、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）８２におけるタイミング回路のためのゼロ時間基準を確立するＡＲＣ（自動距離補正）信号によって照明される。読出し集積回路８２の各ユニットセルは、関連付けられたタイミング回路を有しており、このタイミング回路は、ＡＲＣ信号から導出された電気パルスによって計数を開始する。択一的に、フラッシュ検出器６７の信号を、第２のタイミングモードにおけるゼロ基準として使用することができる。ＡＲＣ信号は、検出器アレイ７８による伝送時間に関連付けられたある程度の可変の遅延を適切に取り除くが、その結果、付加的なコストおよび複雑性が生じる。画像フレームがディジタルで表現される場合、同一のタスクを、場合によっては設けられているプロセッサ、例えばデータ分類プロセッサ８６によって、ソフトウェア／ファームウェアで処理することができる。伝送されたパルスの一部がＬＡＤＡＲセンサ３４の視野内のシーンにおける特徴部によって反射されると、反射されたパルスは受信光学系７４に入射することができ、この受信光学系７４は一般的に、ヘッドランプアセンブリのレンズおよびマイクロレンズ頂面検出器アレイ７８のアレイを含んでいる。代替的な実施の形態は、マイクロレンズの使用を必要としない拡張型検出器を使用する。受信光学系７４の別の代替的な実施の形態は、到来する光を収集して、検出器アレイ７８の個々の素子に誘導するために、回折アレイを使用する。受信光学系７４の視野内のシーンにおける特徴部によって反射されたパルスレーザ光は、検出器アレイ７８の個々の検出素子に焦点合わせされる。この反射されたレーザ光信号は、続けて、影響を受けた検出素子によって検出されて、電流パルスに変換され、この電流パルスが、続いて光増幅器アレイ８０の関連付けられたピクセル増幅回路、および読出し集積回路８２のユニットセル電気回路、および測定された飛行時間によって増幅される。したがって、視野内のシーンにおける反射性の各特徴部までの距離を、ＬＡＤＡＲセンサ３４によって測定することができる。検出器アレイ７８、増幅器アレイ８０および読出し集積回路８２は、Ｍ×ＮまたはＮ×Ｍの大きさのアレイであってよい。制御プロセッサ５８は、ビームステアリングメカニズム７０を制御して、図１に示したように、パルスレーザ送信器６８の出力ビームを、車両２の前方の経路におけるシーンの選択された部分に偏向させる。

図４の参照を続けると、受信光学系７４は、凸レンズ、球面レンズ、シリンドリカルレンズまたは回折格子アレイであってよい。システムの較正または検出器アレイ７８の保護のために、制御プロセッサ５８によって、オプションとしての機械式シャッタを使用することができる。この能力は、図９と関連させて詳細に説明する。受信光学系７４は、シーンから反射された光を収集し、その収集された光を検出器アレイ７８に焦点合わせする。１つの好適な実施の形態においては、検出器アレイ７８が、リン化インジウム半導体基板の上にエピタキシャルに堆積されたヒ化ガリウムの薄膜に形成されている。典型的には、検出器アレイ７８は、光に晒されるカソードコンタクトのセットおよびアノードコンタクトのセットを有しており、それらのコンタクトは、検出器アレイ７８に堆積された複数のインジウムバンプを介して支持増幅器アレイ８０および読出し集積回路８２に接続されている。検出器アレイ７８の個々の検出器のカソードコンタクトは、アレイの照明される側の検出器バイアス電圧グリッドに接続されている。したがって、検出器アレイ７８の検出素子の各アノードコンタクトは、オプションとしての増幅器アレイ８０のピクセル増幅器の入力に個別に接続されているか、または読出し集積回路８２のユニットセル電子回路に直接的に接続されている。検出器アレイ７８および読出し集積回路８２のこの従来のハイブリッドアセンブリを依然として使用することができるが、新規の技術では、素子間結合またはクロストークを低減することができ、また漏れ電流（暗電流）を低減することができ、さらに検出器アレイ７８の個々の検出素子の効率を改善することができる。ここでは他の検出器アレイの構造が開発されており、その構造は図１１，１５および１６と関連させて説明する。読出し集積回路８２は、ユニットセル電気回路の矩形のアレイを含んでいる。各ユニットセルは、検出器アレイ７８の光電検出素子から受信した低レベルの光電流を増幅することができ、また増幅器出力をサンプリングすることができる。ユニットセルは、一般的には、シーンによって反射された光パルスに関連付けられており、かつ検出器アレイ７８の検出素子によって捕捉された、ピクセル増幅器出力における電気パルスの存在を検出することができる。検出器アレイ７８は、アバランシェフォトダイオードのアレイであってよく、光電増幅能力を有しており、また設計波長にある入射光信号によって変調することができる。検出器アレイ７８の素子は、優勢キャリアがそれぞれ正孔または電子である、Ｐ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｎ（ＰＩＮ）フォトダイオードまたはＮ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−Ｐ（ＮＩＰ）フォトダイオードであってもよい。ＮＩＰ検出器構造の場合には、対応するＲＯＩＣ８２は、バイアス電圧の極性および相応に調整された増幅器入力を有することになる。前述の好適な実施の形態の検出器アレイ７８および読出し集積回路８２のハイブリッドアセンブリは、図１１から図１７に示されており、またそこではアセンブリが支持回路アセンブリに、一般的にはＦＲ−４基板またはセラミック基板に取り付けられている。回路アセンブリは、一般的には、調整された電力、基準クロック信号、較正定数、および行列を読み出すための選択入力を供給する支持回路、とりわけサポート機能を提供し、その一方で、検出器アレイ７８の個々の素子のための読出し集積回路８２からの距離および強度出力を受信および記録する。それらのサポート機能の多くを、同一の回路基板に設けられている、収縮命令セットコンピュータ（ＲＩＳＣ：ＲｅｄｕｃｅｄＩｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎＳｅｔＣｏｍｐｕｔｅｒ）で実現することができる。検出器バイアス変換回路９６は、時変性の検出器バイアスを検出器アレイ７８に適用し、この検出器アレイ７８は、検出器アレイ７８の近接視野における飽和の危険を低減することに最も適した検出器バイアスレベルを提供しながら、検出器アレイ７８の視野内の遠位の対象物の検出に関する可能性を最大化する。検出器バイアス変換器９６から供給される時変性の検出器バイアスの輪郭は、検出器アレイ７８の視野内のシーンにおける対象物または地点の反射率および距離を表す、データ分類プロセッサ８６からのフィードバックに基づいて、制御プロセッサ５８によって定式化される。また制御プロセッサ５８は、種々のクロックおよびタイミング信号をタイミングコア６２から読出し集積回路８２、データ分類プロセッサ８６、アナログ／ディジタル変換器８４、対象物トラッキングプロセッサ９８、およびそれらに関連付けられたメモリに供給する。制御プロセッサ５８は、温度安定化または温度補償された周波数基準９４に依存して、種々のクロックおよびタイミング信号を生成する。温度安定化された周波数基準９４は、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、誘電体共振器発振器（ＤＲＯ）、または弾性表面波（ＳＡＷ）装置であってよい。制御プロセッサ５８に設けられているタイミングコア６２は、高周波数調整可能発振器、プログラミング可能なプリスケーラ分周器、位相比較器、および誤差増幅器を含むことができる。

図４の参照を続けると、制御プロセッサ５８、データ分類プロセッサ８６および対象物トラッキングプロセッサ９８はそれぞれ、プログラム、データ、定数、演算結果および計算結果を記憶するための、関連付けられたメモリを有している。付随するディジタルプロセッサにそれぞれ関連付けられているそれらのメモリには、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、またはフラッシュメモリのような他の不揮発性メモリが含まれると考えられる。それらのメモリには、ＳＲＡＭまたはＤＲＡＭのような揮発性メモリが含まれていてもよく、また揮発性メモリおよび不揮発性メモリの両方を各プロセッサにそれぞれ集積することもできる。共通のフレームメモリ８８は、それぞれが単一のレーザパルスから得られた画像である、複数のフレームを保持するために使用される。データ分類プロセッサ８６および対象物トラッキングプロセッサ９８のいずれも、より高次のレベルのプロセッサ、例えばＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０に通常は関連付けられているシーン処理ユニットにおける負荷を低減するために、３Ｄ画像処理を実行することができる。データ収集には２つのモードが存在する。第１のモードはＳＵＬＡＲであるか、または深さ方向のプログレッシブスキャンである。各レーザパルスによって、一般的には、ＣＡＴスキャンと同様に、データの２０個の「スライス」が生じ、各「スライス」を、単一のページとして、共通のフレームメモリ８８に記憶することができる。各ピクセルサンプリングが２ｎｓの間隔で行われる場合、各「スライス」は、深さ方向において大凡１フィートの差にある画像空間の層である。２０個のスライスは、データの１フレームを表し、また連続するレーザパルスのサンプリングを、深さ方向においてさらに２０フィート進んだ位置で開始することができ、その結果、１，０００フィートの距離または深さまでの画像空間全体を、連続する５０個のレーザ照明パルスで掃引することができ、各レーザパルス応答は、単一のフレームエントリに保持されるデータの２０個の「スライス」から成る。必要に応じて、フレームメモリは、データの５０個すべてのフレームを保持するには十分な大きさであってよい。記憶されるスライスの数は、トリガモード動作が要求されることなく、関連する任意の距離をマッピングするには十分であると考えられる。水中の所定の深さにある面、または樹木で覆われた森、または任意の静的な風景をマッピングするためにデータが取得される場合のように、データの分類を外部のコンピュータにおいて行うことも考えられ、そこでは、ソフトウェアでの洗練された事後処理技術によって、より優れた精度または解像度を得ることができる。第２のデータ取得モードは、ＴＲＩＧＧＥＲモードであり、このモードでは、個々のピクセルそれぞれがパルス応答を探し、閾値判定基準に合致している所定のパルスに基づいて、パルス到着時間をまとめた２０個のアナログサンプルが、ピクセルアナログメモリに保持され、また動作中のディジタルカウンタが、名目上の距離測定でもって停止される。２０個のアナログサンプルは、本願の設計の１２８×１２８個のピクセルのインタリーブされた列または行の値を表す、読出し集積回路８２の「Ａ」出力および「Ｂ」出力を介して、各ピクセルから出力される。「Ａ」出力および「Ｂ」出力は、アナログ出力であり、またそこに存在するアナログサンプルは、デュアルチャネルアナログ／ディジタル（Ａ／Ｄ）変換器８４によってディジタル値に変換される。出力をインタリーブするということは、出力のうちの一方の出力（「Ａ」）が、読出しＩＣ８２の奇数行を読出し、他方の出力（「Ｂ」）が、読出しＩＣ８２の偶数行を読み出すことを意味する。より大きい検出器アレイ７８および読出しＩＣ路８２は、２つより多くの数のアナログ出力を有することができる。Ａ／Ｄ変換器８４のディジタル出力は、データ分類プロセッサ８６の入力に接続されている。Ａ／Ｄ変換器８４を、読出し集積回路８２に集積することもできる。ディジタル出力は、一般的には、読出しＩＣ８２の各ピクセルにおいて測定された未修正のアナログサンプルの、１０ビットまたは１２ビットのディジタル表現であるが、しかしながら用途に応じて、より大きいまたはより小さいビットでの他の表現を使用することができる。ディジタル出力のレートは、フレームレートおよびアレイにおけるピクセルの数に依存する。ＴＲＩＧＧＥＲモードにおいては、既に大量のデータ分類が行われている。何故ならば、全体の距離または深さ空間を、単一のレーザパルスの時間フレーム内で掃引することができ、またデータ分類プロセッサ８６は、アレイの各ピクセル（ユニットセル）から受信した名目上の距離測定を精錬するために、各ユニットセルに記憶されている２０個のアナログサンプルのみに基づいて動作するからである。データ分類プロセッサ８６は、基準ＡＲＣパルス信号によって保存されている、出力レーザ照明パルスの形状へのアナログサンプルのカーブフィッティングによって、各ピクセルから受信した名目上の距離測定を精錬する。それらのパルスは、一般的にガウス状であるが、しかしながら、矩形状、台形状、半正矢関数状、正弦関数状等であってよく、またフィッティングアルゴリズムは、フーリエ解析、最小二乗解析、または多項式へのフィッティング、指数関数等を使用することができる。距離測定を、十分公知の基準パルス特性形状へのカーブフィッティングによって精錬することができる。ＴＲＩＧＧＥＲ取得モードにおいては、フレームメモリ８８は、照明レーザパルス毎の「点群」画像を保持することだけが必要になる。用語「点群」は、本願の設計の１２８×１２８個の各ピクセルから成るアレイによって検出されるような、反射光パルスの距離および強度によって生成された画像を表す。ＴＲＩＧＧＥＲモードにおいては、データ分類プロセッサ８６が主として、データバス８７を介するフレームメモリ８８への距離および強度（Ｒ＆Ｉ）データの供給に先行して、各ピクセルによって行われたＲ＆Ｉ測定を精錬するために使用され、「スライス」データまたはアナログサンプルが、この取得モードにおけるＲ＆Ｉ「点群」データから独立して、メモリに保持されることはない。フレームメモリ８８は、個々のまたは複数のフレーム、もしくは完全な点群画像を、データバス９０を介して制御プロセッサ５８に供給し、また必要に応じてデータバス８９を介して、オプションとしての対象物トラッキングプロセッサ９８に供給する。

さらに図４に示されているように、データ分類プロセッサ８６および制御プロセッサ５８は同一のタイプであってよく、収縮命令セット（ＲＩＳＣ）ディジタルプロセッサは、ハードウェアで実施されている整数算術ユニットおよび浮動小数点算術ユニットを備えている。対象物トラッキングプロセッサ９８は、ＲＩＳＣプロセッサ８６および制御プロセッサ５８と同一のタイプであってもよいが、しかしながら、場合によっては、高度で複雑なグラフィック処理に適した、より高い性能を備えているプロセッサであってもよい。対象物トラッキングプロセッサ９８は、ハードウェアで実施されている整数算術ユニットおよび浮動小数点算術ユニットに加えて、ハードウェアで実施されている複数のマトリクス算術機能も有することができ、このマトリクス算術機能には、マトリクス行列式、行列乗算、逆行列が含まれるが、これらに限定されるものでもない。動作時に、制御プロセッサ５８は、増幅器アレイ８０、読出し集積回路８２、Ａ／Ｄ変換器８４、フレームメモリ８８、データ分類プロセッサ８６および対象物トラッキングプロセッサ９８を、双方向の制御バス９２を介して制御し、この双方向の制御バス９２によって、マスタである制御プロセッサ５８は、コマンドを優先順位ベースで、独立した周辺機能に、すなわち増幅器アレイ８０、読出しＩＣ８２、Ａ／Ｄ変換器８４、フレームメモリ８８、データ分類プロセッサ８６および対象物トラッキングプロセッサ９８に供給することができる。双方向の制御バス９２は、増幅器アレイ８０、読出しＩＣ８２、Ａ／Ｄ変換器８４、フレームメモリ８８、データ分類プロセッサ８６および対象物トラッキングプロセッサ９８からの状態データおよびプロセスパラメータデータを制御プロセッサ５８に返すためにも使用される。データ分類プロセッサ８６は、名目上の距離データを精錬し、Ａ／Ｄ変換器８４から受信した、ディジタル化されたアナログサンプルから展開された各ピクセル強度データを調整し、完全な画像フレームを、単方向のデータバス８７を介してフレームメモリ８８に出力し、このフレームメモリ８８は、用途に応じて、数フレームから数千フレームまでを保持することができるデュアルポートメモリである。対象物トラッキングプロセッサ９８は、画像データの多数のフレームを保持するには十分な容量を備えている内部メモリを有しており、これによって、ビデオ圧縮、シングルフレームまたはマルチフレームの解像度の向上、統計的な処理ならびに対象物識別およびトラッキングを含む、マルチフレーム合成プロセスが実現される。対象物トラッキングプロセッサ９８の出力は、単方向のデータバス９９を介して、制御プロセッサ５８に設けることができる通信ポート６０に伝送される。すべてのスライスデータ、距離および強度データの伝送、制御および通信は、双方向のコネクション２６を介して、通信ポート６０と、中央のＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０（図３を参照されたい）と、の間で行われる。電力コネクションおよびグラウンドコネクション（図示せず）を、電気機械式のインタフェースを介して提供することができる。双方向のコネクション２６は、電気的または光学的な伝送線であってよく、電気機械式のインタフェースは、ＤＢ−２５の電気的なコネクタ、またはハイブリッド型の光学的かつ電気的なコネクタ、またはＬＡＤＡＲセンサ３４に関して双方向に信号を伝送するように構成されている、特別な自動車用コネクタであってよい。双方向のコネクション２６は、また、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２を有することができる補助ランプアセンブリの場合には、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０に接続されてもよい。双方向のコネクション２６は、例えばイーサネット、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）またはファイバチャネルのような高速シリアルコネクションであってもよいし、インフィニバンド等のような高速パラレルコネクションであってもよいし、高速シリアルコネクションおよび高速パラレルコネクションの組合せであってもよいが、これらに限定されるものではない。双方向のコネクション２６は、データ分類プロセッサ８６、対象物トラッキングプロセッサ９８に対するプログラム更新、およびグローバルポジション基準データ、ならびにＬＡＤＡＲセンサ３４の残りの機能ブロックのための用途固有の制御パラメータを含む情報を制御プロセッサ５８にアップロードするためにも使用される。また慣性および垂直基準５０（図３を参照されたい）は、必要に応じて、ホスト車両２から車両電気系統およびＣＰＵ４８ならびにＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０を介して、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２およびロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４にデータを供給する。同様に、ＬＡＤＡＲセンサ３４にとって有用であると考えられる、ホスト車両２からの他の任意のデータを、慣性および垂直基準のデータと同じやり方で提供することができる。慣性および垂直基準のデータを、外部位置基準に加えて、制御プロセッサ５８によって使用することができ、この制御プロセッサ５８は、位置基準データおよび慣性基準データを、距離および強度データの調整のためにデータ分類プロセッサ８６に供給することができ、またマルチフレームデータ合成プロセスにおいて使用するために対象物トラッキングプロセッサ９８に供給することができる。垂直基準は、一般的には、ピッチおよびロールの測定に供され、また仰角を読み出すために、および重力に対して垂直な水平な面に関する捻れ角度（ロールに類似）を読み出すために適合されている。ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２は、一般的には、半導体レーザを使用し、この半導体レーザを種々のやり方で変調することができる。ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４は、一般的には、Ｑスイッチ型の固体レーザを使用し、この固体レーザは、ガウス状のプロフィールを有する単一の出力パルスを生成する。このタイプの固体レーザのパルス形状の変調は容易ではなく、したがってロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４の受信セクションによって、「そのまま」処理されなければならない。一般的には、テールライト、ウィンカまたはパーキングライトのような補助ランプアセンブリに設けられているタイプのショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２の動作は、幾つかの例外を除いて、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４の動作と同一である。ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４およびショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２は、使用されるレーザのタイプおよびレーザ変調のタイプのみが異なっていると考えられる。伝送光学系７２および受信光学系７４も、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４に関するより狭い角度の視野によって異なると考えられる。ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４とショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２との、伝送されるレーザパルスの変調の差異を、読出しＩＣ８２のサンプリングモードのフレキシブルな性質およびデータ分類プロセッサ８６のプログラミングによって適応させることができる。ホスト車両２は、一般的にＵＳＢ、イーサネット、ＲＪ−４５または他のインタフェースコネクションに由来する組合せコネクタプラグを受容することができるコネクタレセプタクルを複数有することができ、また代替的に、この組合せコネクタプラグを、本明細書において説明したタイプの、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４またはショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２を取り付けるために使用することができる。

図４の参照を続ける。これは、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２のヴァリエーションの検討にとって有用である。ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２では、著しく低い電力しか要求されないので、それによって、半導体レーザおよびマルチパルス変調スキームを使用することができる。半導体レーザの１つの例は、垂直キャビティ表面放射型レーザ（ＶＣＳＥＬ）であり、多くの優先的な特徴を有していることから好適な実施の形態において使用される。ＶＣＳＥＬは、一般的には、円形のビームプロフィールを有しており、また絞りにおいてより低いピーク出力密度を有している。またＶＣＳＥＬでは、より少ない二次的機械作業、例えばクリービング、ポリッシング等しか要求されず、アレイに非常に容易に形成することができる。僅かな偏差しか伴わないガウス状の光パルス形状を生成するために、半導体レーザの使用によって、駆動電流パルスを調整することができる。ＶＣＳＥＬ応答時間は、サブｎｓの範囲にあり、また典型的な光パルス幅は、電力半値点において５〜１００ｎｓであってよい。図４において、ＶＣＳＥＬおよびレーザドライバは、パルスレーザ送信器６８の一部であってよく、また所望のパルスまたは波形自体が、２００〜３００ＭＨｚの典型的な変換率を有しているディジタル／アナログ変換器６６によって形成され、それによって、出力パルス形状における、理想的なガウス形状からの何らかの偏差を、制御プロセッサ５８に関連付けられているメモリ６４におけるルックアップテーブルにおいて補償することができ、このルックアップテーブルは、Ｄ／Ａ変換器によってパルスレーザ送信器６８内のレーザドライバに供給される駆動電流波形のディジタル基準として使用される。ガウス状の単一パルスの変調スキームは、ＶＣＳＥＬから利用可能な光出力が制限されているショートレンジにおいて十分に機能する。ＶＣＳＥＬ送信器のレンジは、より洗練された変調スキーム、例えばマルチパルスシーケンス、正弦波バースト等を使用して拡張することができる。ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２を参照しながらここで説明したようなＶＣＳＥＬおよび変調スキームは、ロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４のパルスレーザ送信器６８において一般的に使用されている固体レーザに代わるものである。パルスレーザ送信器６８におけるＶＣＳＥＬアレイの使用は、コスト、サイズ、消費電力を低減する、かつ／または信頼性を向上させる可能性を有している。ＬＡＤＡＲセンサを、車両２の多数の場所に、すなわちヘッドランプ、補助ランプ、ドアパネル、バックミラー、バンパ等に取り付けることができる。イメージ管ＦＰＡのような、より感度の高い検出器アレイ７８が設けられている場合には、ここで説明したタイプのＬＡＤＡＲセンサは、照明源としてＶＣＳＥＬアレイを使用することができ、またより長い距離をサポートすることができる。図４のＬＡＤＡＲセンサの主要な機能を参照する際、視野内のシーンを照明するために急激に放出される光をサポートし、かつ／または生成するそれらの機能として「光送信器」を参照することが便利な場合もある。それらの構成要素は、一般的には、プロセスを開始する制御プロセッサ５８、パルスレーザ送信器６８、ビームステアリングメカニズム７０および伝送光学系７２であってよい。「光受信器」という用語を、視野内のシーンから反射された光を収集し、受信した光をフィルタリングし、受信した光をピクセル化された複数の電気信号に変換し、それらのピクセル化された電気信号を増幅し、その信号におけるパルスまたは変調を検出し、距離測定を実行し、また受信したデータの洗練または分類を行うために必要とされるそれらの構成要素を参照するために使用することができる。それらの機能は、受信光学系７４、光学利得ブロック７６、検出器アレイ７８、増幅器アレイ８０、読出しＩＣ８２、Ａ／Ｄ変換器８４およびデータ分類プロセッサ８６を含んでいてよい。

図５に示したユニットセル電子装置は、ガウス状の単一パルスの変調スキームを用いて動作することに良く適しており、また有利には、平頂の形状、ガウス状の形状または他の形状の一連のパルスを含む他の変調スキームを用いても動作する。それらのパルスは、距離の曖昧性を低減するために可変の幅および間隔を有することができ、またランダムパルスシーケンスであってよいか、またはその他のケースでは、バーカー符号化されたパルスシーケンスであってよい。単一のガウス状の出力パルスを形成する半導体レーザを備えているショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２の一般的な動作時には、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２の視野内の表面から反射されたパルスレーザ光の一部が集中されて、受信光学系７４によって焦点合わせされ、光学利得ブロック７６を通過して、検出器アレイ７８の個々の検出素子１００に入射する。個々の素子１００は、一般的には、アバランシェフォトダイオードであるが、ＰＩＮまたはＮＩＰであってもよいし、または他の構造であってもよい。検出器アレイ７８の個々の素子１００はそれぞれ、シリコン、ヒ化インジウムガリウム、リン化インジウムガリウムヒ素、ヒ化アルミニウムガリウム、窒化インジウムガリウム、または動作の波長に適した他の半導体化合物から成る半導体膜に形成されている。個々の素子１００にはそれぞれ、バイアス電圧分配網Ｖ_DET１０２によってバイアス電圧が掛けられている。個々の検出素子１００に入射した反射光信号は、電子信号に変換され、一般的には光電流に変換され、また入力増幅器１０４によって、一般的にはトランスインピーダンスアンプによって増幅される。入力増幅器１０４の出力は、トリガ回路１０６ならびに多数のアナログサンプリングゲート１０８に分配される。各アナログサンプリングゲート１０８は、アナログメモリセル１２０に接続されている出力を有している。トリガ回路１０６は、一般的に閾値電圧比較器であり、所定の振幅を上回るパルスが受信されたときにトリガをセットするが、他のパルス検出スキームを使用することもできる。プログラミング可能な遅延が遅延回路１１０を介して行われた後に、ユニットセルがＴＲＩＧＧＥＲモードにおいて動作している場合には、循環セレクタ（ｃｉｒｃｕｌａｒｓｅｌｅｃｔｏｒ）１１２の状態が、トリガ回路１０６の出力のロジック遷移によって停止される。トリガ回路１０６によって受信されたパルスの検出に先行して、サンプルクロック１１４によって、循環セレクタ１１２の状態が進められ、それによってサンプリング制御出力Ｓ１〜Ｓ３のうちの１つをイネーブルすることができ、このイネーブルされた信号自体が、サンプリングゲート１０８のうちの１つによる、入力増幅器１０４の出力のサンプリングを惹起する。循環セレクタ１１２は、アクティブなローリセット線１１８の解放後に、サンプリングクロックの周期毎にロジック遷移をカウンタ１１６に出力するので、サンプルクロック１１４の遷移の回数がカウンタ１１６によって計数される。循環セレクタ１１２は、プログラミングに応じて、出力Ｓ１〜Ｓ３の順に循環することができるか、または異なる順序を有することができる。第２の循環セレクタ１１２およびサンプルクロック１１４は、カウンタ１１６、アナログサンプリングゲート１０８およびアナログメモリセル１２０と共に、並列に動作することができる。サンプルクロック１１４、カウンタ１１６、循環セレクタ１１２、サンプリングゲート１０８およびメモリセル１２０の組合せを、ユニットセルサンプリング構造１２２と称することができ、ここでは破線で画定されることによって示唆されている。２つ、３つまたはそれ以上の数のそれらのサンプリング構造１２２を、距離の曖昧性に関して後述するそのような構造の利点を伴って、入力増幅器１０４の出力において並列に動作させることができる。図５においては、３つのサンプリングゲート１０８および３つのアナログメモリセル１２０が示されているが、この数は、読出しＩＣ８２によっては数百以上になる場合もある。すべてのアナログサンプルデータが取得されると、制御プロセッサ５８からの制御コマンドによって出力制御部１２４および出力増幅器１２６が起動されて、読出しサイクルが開始され、事前に定められた順序でのアナログメモリセル１２０の内容の読出しが行われる。

５ｋＷ／ｃｍ²の電力密度を有する１ｃｍ²のＶＣＳＥＬアレイを前提とし、また視野内の対象物の反射率、検出器アレイ７８の応答性および過剰雑音に依存する、典型的なショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２においては、ガウス状の単一パルスの変調スキームの有効範囲は、単純な閾値検出技術を使用すれば、１０ｍ〜２０ｍの範囲になると考えられる。高価になると考えられ、また大きい電流パルスを供給するために大きい放電コンデンサが必要になると考えられる、大きいＶＣＳＥＬアレイに頼らずに、より洗練された変調技術および検出技術を使用して、付加的な処理利得を生じさせることができ、また信号対雑音比を効果的に高めることができ、したがってピーク出力の増加を要することなく、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２のレンジを拡張することができる。ガウス状の単一パルスの変調が行われる第１の変調スキームにおいては、各ユニットセル電気回路からのディジタル化されたアナログサンプルを使用し、それらのサンプルをディジタル整合フィルタにおいて処理して、受信したパルスの重心を発見し、それによって顕著な処理利得を得る検出技術を使用することができる。この構造により得られる処理利得は、フィルタリングアルゴリズムにおいて使用されるサンプルの数の平方根に比例する。例えば、２５６個のアナログメモリセル１２０を備えているユニットセル電気回路は、利用可能なすべてのアナログサンプルが整合フィルタアルゴリズムにおいて使用されていた場合は、ガウス状の単一パルスの変調および通常のノイズ分布を想定すると、１６の処理利得をもたらすことができると考えられる。ここで、「処理利得」という用語は、電圧サンプルに基づいて上述の動作を実行することによって実現される効果的な信号対雑音比（ＳＮＲ）の上昇を表すために使用される。パルスレーザ光が受信光学系７４の視野だけにわたり均一に分散される場合には、ＬＡＤＡＲの有効レンジも、伝送出力（またはＳＮＲ）の平方根として上昇し、また４０ｍ〜８０ｍまでのレンジの拡張をもたらすことができる。単一パルスのガウス状の変調は、単純なドライバを備えている固体レーザまたは半導体レーザのいずれかの特徴を表すことができ、したがってロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４またはショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２のいずれかの属性を表すことができる。

図５のユニットセル電子回路は、単一パルスの変調に良好に適合されているか、またはより複雑な変調シナリオに良好に適合されている。第２の変調スキームにおいては、バーカー符号化された、平頂な形状またはガウス状の一連のパルスを用いて変調されたＶＣＳＥＬアレイを、図５のユニットセル電子回路によってサンプリングして、距離および強度の評価のためにデータ分類プロセッサ８６によって解析することができる。第３の変調スキームにおいては、パルス正弦波によって変調されたＶＣＳＥＬアレイが、ピーク出力の増加を要することなく、ショートレンジＬＡＤＡＲセンサ３２またはロングレンジＬＡＤＡＲセンサ３４のいずれかの視野内のシーンにおける特徴部から反射されるべきより大きい蓄積エネルギを実現することができる。パルス正弦波の各ピークは、ＬＡＤＡＲセンサ５２の視野内のシーンにおける対象物または特徴部からの別個の反射を有することになり、また図５のユニットセル電気回路によって、ＬＡＤＡＲセンサ受信器は、最小限の回路構成を使用して、それらの多数の反射されたパルスに由来する蓄積エネルギに応答することができる。１つの好適な実施の形態における波形は、多数の正弦波サイクルであり、そのサイクルの数は多数の要因に応じて、非常に大きくなると考えられる。図５に示したユニットセル電子回路の受信器回路構成は、返されたパルスピークの蓄積エネルギをサンプリングすることができるか、または同期検出することができる。２つのサンプリングモードを、図５に示したユニットセルサンプリング構造によってサポートすることができる。到来する波形を連続的に取得することによって、到来する波形の、単一のパルスまたは複数のパルスから成るパルスシーケンスのアナログサンプルが連続的に取得されると、循環セレクタ１１２へのサンプリングインピーダンス制御値１２８（Ｚ）は最小値にセットされる。サンプルクロック１１４のサンプリング周波数は、各パルス幅の間に１０個または２０個のアナログサンプルが形成されるように選択される。サンプリングインピーダンス制御値１２８が最小値にセットされると、サンプル制御Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、サンプリングサイクルの間に完全な電圧でターンオンされる。各サンプリングゲート１０８は、電界効果トランジスタであるので、サンプリング制御電圧Ｓ１〜Ｓ３の上昇によって、サンプリングＦＥＴにおけるゲート・ソース電圧も上昇し、したがってソースとドレインとの間のチャネルのインピーダンスが低下し、サンプリングゲートインピーダンスが最小値にセットされる。サンプリングゲート１０８のインピーダンスが最小値にセットされると、アナログメモリセル１２０として使用される蓄積コンデンサは、入力増幅器１０４の出力に存在する電圧に急速に充電される。このモードを、サンプリングインピーダンス制御値１２８がより高い値、それどころか最大値にセットされたときに選択される第２のサンプリングモードに由来するモードと区別するために、「即時電圧サンプリング」モードと称することができる。サンプリングインピーダンス制御値１２８が、高いインピーダンス値または最大直列抵抗値に関して選択されると、出力Ｓ１〜Ｓ３は、イネーブルされたときに最小電圧値にあるか、または最小電圧値に近い値にあり、その結果、各サンプリングゲートＦＥＴ１０８にわたりより低いゲート・ソース電圧が生じ、したがって各サンプリングゲート１０８のＦＥＴのソースとドレインとの間のチャネルにより高いサンプリングゲート直列抵抗が生じる。サンプリングゲート１０８の直列抵抗が高い値または最大値にセットされると、その効率によってＲ−Ｃフィルタが形成され、アナログメモリセル１２０の蓄積コンデンサによって、積分コンデンサが実現される。この第２のサンプリングモードは、レーザが一般的に高効率ＶＣＳＥＬである半導体レーザである場合に、正弦波変調がパルスレーザ送信器６８に適用されると非常に有効であると考えられる。Ｓ１によって駆動されるサンプリングゲート１０８にサンプリングクロックが印加されることによって、またこれが正弦波変調と同じ周波数であることによって、和周波数および差周波数は、サンプリングされた信号に現れ、アナログメモリセル１２０の蓄積コンデンサは、和周波数をフィルタリング除去し、また差周波数がゼロになり、その結果ＤＣ電圧成分のみが残り、これは位相差の三角関数になる。入力増幅器１０４の出力に由来する正弦波変調の多数のサイクルにわたり、このＤＣ電圧は、送信された波形と受信した波形との間の位相差の正弦波または余弦波として現れることになる。この位相差は、反射性の表面までの距離に比例する。処理利得を改善するために、Ｓ２信号によって駆動される第２のサンプリングゲートは、同一であるが、しかしながら９０°位相シフトされているサンプリングクロック周波数によって駆動され、２つのＤＣ電圧のうちの高い方、または２つの電圧の比率を、位相の評価のために、またそれによって距離を評価するために使用することができる。一般的には所定の比率が好ましい。何故ならば、それによって、到来する正弦波の振幅の変動が誤差項として除去されるからである。このタイプの検出は、「同相」および「直角位相」の局所的な基準に依拠し、「Ｉ＆Ｑ」検出スキームと称されることが多い。したがって、サンプリングゲート１０８は、サンプリングインピーダンス制御値１２８の状態およびサンプルクロック１１４によって適用される周波数に応じて、第１のサンプリングモードにおいては即時電圧サンプラとして動作することができるか、または第２のサンプリングモードにおいては周波数ミキサとして動作することができる。第１のサンプリングモードにおいては、単一のパルスまたはパルスシーケンスの形状を取得することができ、また第２のサンプリングモードにおいては、周期的な波形変調、例えば正弦波を周波数混合効果および蓄積コンデンサおける積分を介して復調することができ、その結果、位相測定が行われ、またそれによって距離が求められる。ユニットセル電気回路内の復調は、早期の時点においてデータを分類し、それによってメモリおよび高速ディジタルプロセッサに対する要求が低減される。択一的に、正弦波または他の周期的な波形の復調を、高速算術ユニットを前提としたアナログサンプルのディジタル化された表現および適切なアルゴリズムに基づいて、データ分類プロセッサ８６において実行することができる。これは、即時電圧サンプリングモードの電力およびフレキシビリティを表し、何故ならば、ＳＮＲを高めるために、位相を測定するために、もしくは距離測定エラーを低減するために、ＰＷＤ、ＣＳＣ、ＦＩＲフィルタ、ＩＩＲフィルタ、Ｉ＆Ｑ、または任意の数のカーブフィッティングアルゴリズムが実行されるように、データ分類プロセッサ８６を適合させることができるからである。

図６Ａは、パルスレーザ送信器６８、フラッシュ検出器６７およびビームステアリングメカニズム７０の好適な実施の形態の中心セクションを示す。シリコン基板１３０が、キャビティ１４２、片持ち式の撓み部材１３８、ならびに端面発光レーザ１３２およびビーム調整レンズ１３４を実装するための２つの凹部区間を有するために、フォトリソグラフィ技術およびＭＥＭＳ製造技術を介して処理される。ビーム調整レンズ１３４は、一般的には、ボールレンズまたはロッドレンズであるが、端面発光レーザ１３２の長円の出力ビームの円形化および／またはコリメートに有用な他のタイプのレンズであってもよい。アングルブロック１３６は、端面発光レーザ１３２の調整された出力ビームを、撓み部材１３８のミラー表面１４６に偏向するために使用される。ミラー表面１４６は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタニウムまたは他の反射性金属であってよく、また種々の金属膜から成るスタックであってよい。ミラー表面１４６は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、フッ化カルシウムまたは他の適切な誘電体膜から形成された、多層誘電体反射器であってもよい。動作時に、種々のインターディジタル型コンタクト１４８には異なる電圧が印加され、撓み部材１３８の裏面には圧電歪みが生じる。圧電歪みが圧縮性である場合には、撓み部材１３８は上方に曲がる（基板１３０の上面よりも上に曲がる）。圧電歪みが伸張性である場合には、撓み部材１３８は、キャビティ１４２の内部に向かって下側に撓む。インターディジタル型コンタクト１４８に印加される異なる電圧の符号に応じて、歪みは圧縮性または伸張性になる。このようにして、出力光ビーム１４０は、図示されているように角度θにわたり掃引を行うことができる。この角度θは、一般的に１７°の範囲にあって、１ｍｓ未満で掃引を完了することができ、また場合によっては、設計の詳細に応じて、１００μｓ未満で掃引を完了することができる。端面発光レーザ１３２の後側においては、端面発光レーザ１３２のバックファセットを介して伝送された出力の一部を捕捉するために、エッジ検出ＰＩＮダイオード１４４が光出力検出器として配置されている。パルスレーザ送信器６８は、レーザ１３２以外に、電気駆動回路および制御プロセッサ５８との電子インタフェースを含む、複数の他のコンポーネントを有している。それらの回路は、ここでは図示していないが、他の刊行物には開示されている。同様に、フラッシュ検出器６７は、電気増幅器および閾値検出回路を含む、ＰＩＮダイオード１４４とは別の構成要素を有している。それらの回路もまた他の刊行物に詳細に記載されており、本発明にとってあまり重要ではない。

図６Ｂは、ビームステアリングメカニズム７０の第２の実施の形態の中心セクションを示す。ビームステアリングメカニズム７０については種々の実施の形態が見込まれ、またそれらの各実施の形態を図６Ａ，６Ｂ，６Ｃおよび６Ｄと関連させて説明する。ビームステアリングメカニズム７０の動作モードを、ＬＡＤＡＲセンサ（３２，３４）の動作と関連させて説明する。シリコン基板１５０が、キャビティ１５６、片持ち式の撓み部材１５８、ならびに端面発光レーザ１５２およびビーム調整レンズ１５４を第１の面に実装するための２つの凹部区間を有するために、フォトリソグラフィ技術およびＭＥＭＳ製造技術を介して処理される。ビーム調整レンズ１５４は、一般的には、ボールレンズまたはロッドレンズであるが、端面発光レーザ１５２の長円の出力ビームの円形化および／またはコリメートに有用な他のタイプのレンズであってもよい。端面発光レーザ１５２の出力ビームは、レンズ１５４によって偏向されて、撓み部材１５８のミラー表面１６０に入射する。ミラー表面１６０は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタニウムまたは他の反射性金属であってよく、また種々の金属膜から成るスタックであってよい。ミラー表面１６０は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、フッ化カルシウムまたは他の適切な誘電体膜から形成された、多層誘電体反射器であってもよい。動作時に、種々のインターディジタル型コンタクト１６２には異なる電圧が印加され、撓み部材１５８の裏面には圧電歪みが生じる。圧電歪みが伸張性である場合には、撓み部材１５８は上方に曲がる（基板１５０の上面よりも上に曲がる）。圧電歪みが圧縮性である場合には、撓み部材１５８は、キャビティ１５６の内部に向かって下側に撓む。インターディジタル型コンタクト１６２に印加される異なる電圧の符号に応じて、歪みは圧縮性または伸張性になる。このようにして、出力光ビーム１６４は、図示されているように角度θにわたり掃引を行うことができる。この角度θは、一般的に１７°の範囲にあって、１ｍｓ未満で掃引を完了することができ、また場合によっては、設計の詳細に応じて、１００μｓ未満で掃引を完了することができる。相補的な構造を、同じやり方で、基板１５０の裏面に形成することができ、また同一の構造が、第１の表面における構造と組み合わされて使用されることによって、この場合には３４°の範囲になる角度２θが掃引される。場合によっては、基板１５０の裏面における構造は、ウェハボンディングまたは他のプロセスによって、２つの類似のＭＥＭＳ基板１５０および１５１を１つに組み付けることによって形成される。２つの基板１５０および１５１が接合されている個所には結合線１６６が示されている。

図６Ｃは、ビームステアリングメカニズム７０の第３の実施の形態の中心セクションを示す。第１のシリコン基板１６８が、キャビティ１７８、片持ち式の第１の撓み部材１８０、ならびに端面発光レーザ１７０およびビーム調整レンズ１７２を上面に実装するための２つの凹部区間を有するために、フォトリソグラフィ技術およびＭＥＭＳ製造技術を介して処理される。第３の凹部区間１７５は、例えば化学機械研磨のような、ＭＥＭＳ技術によって形成されている。凹部区間１７５は、側壁における角度付けられた輪郭および鏡面化された表面１７４を有している。ビーム調整レンズ１７２は、レーザ１７０の出力ビームの中心線から垂直方向にずらされており、かつそのビームを鏡面化された表面１７４に偏向させる。ビーム調整レンズ１７２は、一般的には、ボールレンズまたはロッドレンズであるが、端面発光レーザ１７０の長円の出力ビームの円形化および／またはコリメートに有用な他のタイプのレンズであってもよい。出力ビームは、続いて、第２の撓み部材１８８のミラー表面１９０に向けられる。第２の撓み部材１８８は、第２のシリコン基板１８４に形成されており、この第２の基板１８４には、ＭＥＭＳプロセスによってキャビティ１８６が形成されている。第２のシリコン基板１８４は、第１のシリコン基板１６８の上に配置されており、かつ第１のシリコン基板１６８にボンディングされている。ボンディングプロセスは、接着性の手段、エポキシ性の手段、または表面活性化の他の化学的／物理的手段を含むことができる。ミラー表面１９０は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタニウムまたは他の反射性金属であってよく、また種々の金属膜から成るスタックであってよい。ミラー表面１９０は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、フッ化カルシウムまたは他の適切な誘電体膜から形成された、多層誘電体反射器であってもよい。動作時に、種々のインターディジタル型コンタクト１９２には異なる電圧が印加され、第２の撓み部材１８８の裏面には圧電歪みが生じる。圧電歪みが圧縮性である場合には、撓み部材１８８は上方に曲がる（第２のシリコン基板１８４の上面よりも上に曲がる）。圧電歪みが伸張性である場合には、撓み部材１８８は、キャビティ１８６の内部に向かって下側に撓む。インターディジタル型コンタクト１９２に印加される異なる電圧の符号に応じて、歪みは圧縮性または伸張性になる。このようにして、出力光ビーム１９４は、図示されているように約１７°の角度にわたり掃引を行うことができる。第２の撓み部材１８８によって偏向された出力ビームは、続いて、第１の撓み部材１８０の鏡面化された表面１８２に入射する。動作時に、種々のインターディジタル型コンタクト１７６には異なる電圧が印加され、第１の撓み部材１８０の裏面には圧電歪みが生じる。圧電歪みが伸張性である場合には、撓み部材１８０は上方に曲がる（シリコン基板１６８の上面よりも上に曲がる）。圧電歪みが圧縮性である場合には、撓み部材１８０は、キャビティ１７８の内部に向かって下側に撓む。インターディジタル型コンタクト１７６に印加される異なる電圧の符号に応じて、歪みは圧縮性または伸張性になる。このようにして、出力光ビーム１９４は、２つのＭＥＭＳ撓み部材の縦続接続に基づき、３４°の範囲の角度θにわたり掃引を行うことができる。この角度θは、１ｍｓ未満で掃引を完了することができ、また場合によっては、設計の詳細に応じて、１００μｓ未満で掃引を完了することができる。

図６Ｄは、ビームステアリングメカニズム７０の第４の実施の形態の中心セクションを示す。シリコン基板１９６が、キャビティ１９８、片持ち式の撓み部材２００および角度付けられたミラー表面２０４を有するために、フォトリソグラフィ技術およびＭＥＭＳ製造技術を介して処理される。垂直キャビティ表面放射型レーザ（ＶＣＳＥＬ）２０６は、シリコン基板１９６の底面に実装されている。ＶＣＳＥＬレーザ２０６の出力ビームは、一般的に円形であり、また通常の場合、調整の必要はないが、設計に応じてビームの前方に配置された集束レンズおよび／または視準レンズを有していてもよい。ＶＣＳＥＬレーザ２０６の光出力ビームは、角度付けられたミラー表面２０４によって偏向されて、撓み部材２００のミラー表面２０２に入射する。ミラー表面２０２，２０４は、金、銀、アルミニウム、ニッケル、チタニウムまたは他の反射性金属であってよく、また種々の金属膜から成るスタックであってよい。ミラー表面２０２，２０４は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、フッ化カルシウムまたは他の適切な誘電体膜から形成された、多層誘電体反射器であってもよい。動作時に、種々のインターディジタル型コンタクト２０８には異なる電圧が印加され、撓み部材２００の裏面には圧電歪みが生じる。圧電歪みが圧縮性である場合には、撓み部材２００は上方に曲がる（基板１９６の上面よりも上に曲がる）。圧電歪みが伸張性である場合には、撓み部材２００は、キャビティ１９８の内部に向かって下側に撓む。インターディジタル型コンタクト２０８に印加される異なる電圧の符号に応じて、歪みは圧縮性または伸張性になる。このようにして、出力光ビーム２１０は、図示されているように角度θにわたり掃引を行うことができる。この角度θは、一般的に１７°の範囲にあって、１ｍｓ未満で掃引を完了することができ、また場合によっては、設計の詳細に応じて、１００μｓ未満で掃引を完了することができる。

図６Ｅは、図６Ｂに示した構造を等角図で表したものと、ピクセル化された遠距離場パターン１６５とを示し、この遠距離場パターン１６５がパルスレーザ送信器６８によって掃引される。動作時には、ビームステアリングメカニズム７０の利点によって、パルスレーザ送信器６８に対するより低いピーク出力要求が実現される。ここでは、第１の基板１５０に実装されている端面発光レーザ１５２の１×８行のアレイ、ロッドレンズ１５４、および鏡面化された表面１６０を備えている撓み部材１５８が図示されている。分かり易くするために、ここでは８×８の遠距離場パターン１６５が図示されている。実際には、各端面発光レーザ１５２の総エネルギ１６４を、ＬＡＤＡＲセンサ（３２，３４）の視野内の単一のピクセルに向けることができる。各ピクセルは特定の立体角を規定し、またパルスレーザ送信器６８の目的は、視野内のピクセルを照明することであり、またＬＡＤＡＲセンサは、そのように照明された各ピクセルまでの距離を計算する。ネオジウムＹＡＧエルビウムガラスのような固体レーザの場合には、照明エネルギが、１つの巨大なパルスで供給されることになり、遠距離場１６５全体が照明されなければならない。典型的な検出器アレイは、全部で１６，３８４ピクセルの１２８×１２８ピクセルの正方形アレイである。１ｍＪレーザの場合、これは遠距離場における各ピクセルに約６１μＪが供給されることを意味する。ステアリング可能なレーザ送信器の利点が、この例によって証明されている。６１μＪ半導体レーザは十分可能な範囲にあるが、これに対し１ｍＪ半導体レーザは、現在の技術ではほぼ実現不可能である。類似の構造（図示せず）が、裏面において第２の基板１５１に組み立てられており、これによって、照明空間１６５の幅を実質的に２倍にすることができる。

図７Ａは、光学利得ブロック７６の等角図を示し、この光学利得ブロック７６を、ＬＡＤＡＲセンサ受信経路に配置し、視野内の遠位の対象物または低反射性の対象物から反射された、弱い戻り光信号を増幅することができる。この場合、光学利得ブロックは、矩形の溶融型バンドルファイバ２１２を含み、この溶融型バンドルファイバ２１２は、多数の個々のエルビウムドープ型ファイバ２１６から形成されている。拡散板２１４が、４つの面にそれぞれ接合されており、それらの面がポンプレーザダイオードアレイによって照明される。

図７Ｂは、光学利得ブロック７６のアセンブリの等角図を示す。多数のＶＣＳＥＬレーザ２２０から成るポンプレーザＶＣＳＥＬアレイ２１８は、溶融型バンドルファイバ２１２および拡散板２１４から成るサブアセンブリに接合されている。到来する反射光は、露出されている端面において、溶融型バンドルファイバ２１２の各エルビウムドープ型ファイバ２１６に入射する。ファイバ横断面は、ここでは矩形または正方形として示されているが、六角形、円形等の他の形状のファイバ横断面も使用することができる。

図７Ｃは、各拡散板２１４の外面にポンプレーザＶＣＳＥＬアレイ２１８が接合されている、光学利得ブロック７６の完成したアセンブリの端面図を示す。ＶＣＳＥＬアレイ２１８の個々のＶＣＳＥＬ２２０それぞれのアノードおよびカソードのための電気的なコンタクト２２２が、基板を貫通してエッチングされて金属めっきされたビアによって、ＶＣＳＥＬアレイ２１８の外面に設けられている。到来する反射光は、露出されている端面において、溶融型バンドルファイバ２１２の各エルビウムドープ型ファイバ２１６に入射する。ファイバ横断面は、ここでは矩形または正方形として示されているが、六角形、円形等の他の形状のファイバ横断面も使用することができる。

図８は、光学利得ブロック７６の第２の実施の形態の中心セクションを示す。図７Ａ〜図７Ｃに示されているように側方からのポンピングが行われる、エルビウムドープ型ファイバから成るバンドルファイバ２１２の代わりに、この設計では、溶融型バンドルファイバ２１２のエルビウムドープ型ファイバ２１６の端面においてポンピングが行われる。受信器ハウジング２２４は、クイックコネクト型の光学マウントであって、外部のレンズアセンブリ２２８を取り付けるための雌ねじを有することができる円筒フランジ２２６を有している。代替的に、円筒フランジ２２６は、バヨネット式の光学マウントを提供することができ、このバヨネット式の光学マウントを、レンズアセンブリ２２８のボディにおける相補的な特徴部に係合させることができる。レンズアセンブリ２２８は、ここでは凸レンズとして示されている、複数のレンズ素子２３０を有することができる。しかしながら、凹レンズ、球面レンズおよび拡散アレイを含む他のタイプのレンズもレンズ素子２３０に使用することができる。各レンズ素子２３０は、レンズアセンブリ２２８の内面に形成された凹部２３２の内側に取り付けられている。剛体のレンズ素子２３０と、レンズアセンブリ２２８の金属ボディとの間のコンプライアンスを提供するために、複数のＯリング２３４を使用することができる。動作時に、反射光２３６は、レンズ素子２３０およびダイクロイックオプティカルフラット２３８を通過して、溶融型バンドルファイバ２１２に入射する。反射光２３６の波長は、一般的には、エルビウムガラスレーザの１．５４μｍの波長であるか、またはリン化インジウムで形成された半導体レーザの１，５３０ｎｍ〜１，６５０ｎｍの帯域にある。ダイクロイックオプティカルフラット２３８は、１，５３０μｍ〜１，６５０μｍの範囲の広帯域の波長を通過させ、また９８０ｎｍを中心にしたより狭い帯域の光を反射する。９８０個のポンプレーザダイオードから成る矩形のアレイ２４０が、受信器ハウジング２２４の側壁の凹部において、反射光２３６の伝播方向に対して所定の角度で配置されている。この設計においては、レーザダイオードアレイ２４０の各素子２４２は、電気的なコンタクト２４１を介して供給される電気的な駆動信号に応答して、ディフューザ２４６に入射する光ビーム２４４を生成するＶＣＳＥＬである。ディフューザ２４６は、一般的には、回折格子またはホログラフィックレンズ素子であり、これは各光ビーム２４４に由来する光を均一にディフューザ２４６の出力面を介して均一に分散させるものであり、分散された光は、ここでは、それぞれが単一の入力ビーム２４４から生成された、多数の小さい光出力ビーム２４８として示されている。このようにして、溶融型バンドルファイバ２１２の各エルビウムドープ型ファイバ２１６を均一に照明する、高度に均一な柱状の光が形成される。出力ビーム２４８は、ダイクロイックオプティカルフラット２３８の下面に入射し、溶融型バンドルファイバ２１２の入力面に向かって反射される。このようにして、一体的に溶融されることによって溶融型バンドルファイバ２１２になったエルビウムドープ型ファイバ２１６は、９８０ｎｍの光エネルギで光学的にポンピングされる。溶融型バンドルファイバ２１２の他方の端部においては、別のダイクロイックオプティカルフラット２５０が設けられており、この別のダイクロイックオプティカルフラット２５０もまた、１，５３０μｍ〜１，６５０μｍの範囲の広帯域の波長を通過させ、また９８０ｎｍを中心にしたより狭い帯域の光を反射する特性を有している。減衰したポンプ光が溶融型バンドルファイバ２１２から出射すると、この減衰したポンプ光は、ダイクロイックオプティカルフラット２５０の反射性の表面に入射し、溶融型バンドルファイバを介して返されることにより、２回目の通過が行われ、これによって光学ポンピングプロセスの効率が高められる。またダイクロイックオプティカルフラット２５０は、ポンプレーザダイオードアレイ２４０によって光学的にポンピングされて励起状態にされている、エルビウムドープ型ファイバ増幅器として動作するエルビウムドープ型ファイバ２１６によって増幅された反射光信号を通過させる。溶融型バンドルファイバ２１２のエルビウムドープ型ファイバ２１６における励起状態の最大レベルを実現して、最大の光学利得を達成することができるようにするために、照明パルスの放射より１．２ｍｓ前にポンプレーザダイオードアレイ２４０を始動させることができる。エルビウムドープされたガラスの蛍光発光時間は１．２ｍｓであるので、最大利得は、電気的なコンタクト２４１を介するポンプレーザダイオードアレイ２４０への電気的な駆動信号が印加されるタイミングにおいて、この大きく先取りした始動時間にほぼ相当する時間を必要とする。ナノ粒子がドープされている、新たなタイプのエルビウムドープ型ファイバは、旧型の製品に関する２％〜３％のレベルに比較して、１０％を上回るドーピングレベルを有することができる。これによって、ファイバの長さ当りのより高い利得が実現される。ＤｒａｋａＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓのＤｒａｋａＥｌｉｔｅファイバ、およびＫｉｇｒｅ，Ｉｎｃ．のＱＸエルビウムドープ型リン酸塩ガラスファイバのような製品は、そのような特性を示し、また本願の設計に良く適している。また、エルビウムドーピングを増感するためのイットリウムドーピングと、１，４８０ｎｍのポンプ光を使用する方法によって、Ｌバンド（１，５７５ｎｍ〜１，６３０ｎｍ）において、僅か８．８ｃｍ（３．５ｉｎ）のファイバ長で２６ｄＢの利得が得られる。この方法は、パルスレーザ送信器６８の波長の変更およびダイクロイックオプティカルフラット２３８および２５０に対する変更を要求する。ＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓａｎｄＯｐｔｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＣｅｎｔｅｒ，ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＵＮＣＣｈａｒｌｏｔｔｅ，Ｃｈａｒｌｏｔｔｅ，ＮＣのＡｙｍａｎＭ．Ｓａｍａｒａ等著の論文「Ｈｉｇｈ−ＧａｉｎＳｈｏｒｔ−ＬｅｎｇｔｈＰｈｏｓｐｈａｔｅＧｌａｓｓＥｒｂｉｕｍ−Ｙｔｔｅｒｂｉｕｍ−ＤｏｐｅｄＦｉｂｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒｓ」には、イットリウムで増感されたエルビウムドープ型ファイバを使用するための構造および方法論が記載されている。さらに、ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｕｌａｙｍａｎｉａ，ＫｕｒｄｉｓｔａｎＲｅｇｉｏｎ，ＩｒａｑのＰａｒｅｋｈａｎＭ．Ｊａｆｆ等著の論文「ＴｈｅＧａｉｎＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＹｔｔｅｒｂｉｕｍＤｏｐｅｄＦｉｂｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ」には、イットリウムのみがドープされたファイバの性能が記載されており、このファイバは、非常に短いファイバ長に関して２０ｄＢを超える利得を達成するが、それにもかかわらずやはり、最適なポンプ波長は９１０ｎｍにシフトし、また最適なパルス伝送波長は９７５ｎｍにシフトする。ここでもまた、パルスレーザ送信器６８の波長についての変更およびダイクロイックオプティカルフラット２３８および２５０に対する変更が要求される。光学ポンピング、ポンプ波長、パルス伝送波長およびファイバ組成の適切なレベルが設定されれば、２０ｄＢを上回る光学利得を、短い（６ｉｎ未満の）長さのエルビウムドープ型ファイバ２１６でもって実現できることが期待される。より高い利得を得るためには、より長い区間のファイバを、本発明の設計によって収容することができる。

最終的に、増幅された反射光２３６は、溶融型バンドルファイバ２１２の出力面から出射して、検出器アレイ７８に入射する。検出器アレイ７８は、増幅器アレイ８０に取り付けられた状態で示されており、この増幅器アレイ８０自体は、回路基板２５２に取り付けられている。回路基板２５２は、４つのねじ２５４によって所定の位置に保持されているが、変形可能なプラスチックを用いた頭付け、はんだリフロー、リベット、金属クリップおよび／または接着剤系／エポキシ系を含む他の固定手段を使用することもできる。回路基板２５２の裏面には、読出し集積回路８２が取り付けられており、この読出し集積回路８２は、回路基板２５２におけるビアを介して、増幅器アレイ８０に接続されている。択一的に、検出器アレイ７８、増幅器アレイ８０、回路基板２５２および読出しＩＣ（ＲＯＩＣ）８２から成る焦平面アレイ（ＦＰＡ）アセンブリを、図１１から図１７に詳細に示した多種多様なＦＰＡのオプションのうちのいずれかに置換することができる。

図９は、光学利得ブロック７６の第３の実施の形態の中心セクションを示す。受信器ハウジング２２４、円筒フランジ２２６、レンズアセンブリ２２８、レンズ素子２３０、ダイクロイックオプティカルフラット２５０、回路基板２５２、固定部材２５４、検出器アレイ７８、電子増幅器アレイ８０およびＲＯＩＣ８２は、図８の設計と類似または同一の設計であるが、受信器ハウジング２２４の長さは短縮されている。溶融型バンドルファイバ２１２の代わりに、垂直キャビティ半導体増幅器（ＶＣＳＯＡ）アレイ２５６が設けられている。ＶＣＳＯＡアレイ２５６は、リン化インジウム基板の頂面に形成されており、また基板および構造については、図１０と関連させて詳細に説明する。代替的な設計においては、リン化インジウム基板を、化学機械研磨（ＣＭＰ）を介して除去することができ、またガラス製オプティカルフラットに置換することができる。個々のＶＣＳＯＡ素子２６４は、到来する反射光２３６を光学的に増幅する。ＶＣＳＯＡ２６４の光学利得領域は、電気的なコネクション２５８を介して電気的にポンピングされる。１つの好適な実施の形態における電気的なコネクション２５８は、その電気的なコネクション２５８の各導体が絶縁材２６０によって包囲されているリボンケーブルによって形成されている。ＶＣＳＯＡアレイ２５６の裏面への接続部は、基板貫通ビア２６２によって形成されている。動作時に、ダイクロイックプレート２５０は、光ファイバとして機能し、周囲可視光および赤外線光が検出器アレイ７８に到達することを維持する。光学機械式シャッタ２５７を、（１つまたは複数の）ワイヤ２６３によってシステム制御プロセッサ５８に接続されているアクチュエータ２５９によって電気的に動作させることができ、それらのワイヤ２６３は、絶縁体２６１によってレンズアセンブリ２２８のハウジングから絶縁されている。機械式のシャッタ２５７は、ベネチアンブラインド型、回転絞り、クラッパまたはスライドであってよい。アクチュエータ２５９は、設計に固有のシャッタのタイプに応じて、線形アクチュエータまたは小型電気モータまたは回転出力を有するステッピングモータであってよい。

図１０Ａは、ＶＣＳＯＡ素子２６４の中心セクションを示す。到来する反射光２３６は、反射防止（ＡＲ）コーティング２６６を介してＶＣＳＯＡに入射して、リン化インジウムであってよい基板２６８を通過するか、または代替的な実施の形態においてはオプティカルフラットを通過する。キャビティの頂面における分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２７０は、反射光２３６が、光パルスの伝送および反射の波長に合わせられた多重量子井戸（ＭＱＷ）材料である利得領域２７２に入射する前に、その反射光２３６を減衰させる。反射光信号２３６は、続いて、アノード２７８およびカソード２８０の電気的なコンタクトを介して電気的にポンピングされた利得領域において増幅される。キャビティの底部におけるＤＢＲ２７４は、光学モードを閉じ込め、これによって利得領域の複数回の通過が実現され、したがって一種の共振増幅器が形成される。最終的に、ＡＲコーティング２７６は、検出器アレイ７８への最適な伝送を提供する。キャビティが過度に強くポンピングされないようにするために、何らかの処置が行われなければならないか、またはレージングモードを実行することができる。この構造を、レージング閾値以下で動作するＶＣＳＥＬの構造と見なすことができる。ＤＢＲを、伝送波長に応じて、屈折率のコントラストを生じさせるためにドープされたリン化インジウム（ＩｎＰ）に形成することができるか、またはこの構造を、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）または他の適切な光半導体に形成することができる。

図１０Ｂは、ＶＣＳＯＡ素子２６４をウェハボンディングによって形成することができるやり方を示す。このプロセスにおいて、オプティカルフラット２６８が出発点であり、ＡＲコーティング２６６が上面に設けられている。オプティカルフラット２６８の底面には、ＤＢＲ２７０が、誘電材料の交番層によって形成されており、この誘電材料は、任意の光学材料、例えばホウケイ酸ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタニウム、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛、アンチモン化インジウム等であってよい。それらの膜は、一般的には、物理気相成長（ＰＶＤ：ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｉｔｉｏｎ）によって堆積される。上面にＭＱＷ利得領域２７２を有しているＩｎＰウェハが続けて、オプティカルフラット２６８の底面に接合され、露出されているＩｎＰ基板の大部分が続けてＣＭＰによって除去される。ここで、底部ＤＢＲ２７４は、頂部ＤＢＲ２７０と同様に、誘電材料の交番層によって形成されている。最終的に、ＡＲコーティング２７６が設けられ、メサエッチングされ、アノード２７８およびカソード２８０の電気的なコンタクトを形成するために金属パターンが堆積される。

図１１は、検出器アレイ７８を有している焦平面アレイの１つの好適な実施の形態の中心セクションを示す。この設計において、検出器アレイ７８は、廉価なヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）基板２８２に形成されている。グレーデッドヒ化インジウムガリウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＡｓ）の薄膜変性層２８４が、ＧａＡｓ基板上に成長され、ＩｎＧａＡｓに整合された結晶構造格子が形成される。ＩｎＧａＡｓ２８６の薄層が続いてエピタキシャルに成長される。最終的に、エピタキシャル層のスタックがＩｎＧａＡｓに成長され、このスタックは、ｐ導電型またはｎ導電型にドープされるか、または真正である。続いて、この層スタックはエッチングされてメサ２８８が形成される。エピタキシャル成長されたスタックは、ＰＩＮ、ＮＩＰまたＡＰＤタイプの検出器を提供することができる。ここでは、Ｎアップ構造のＰＩＮが示されており、ｎ導電型材料が基板を介して照明され、またｐ導電型材料が各メサ２８８の頂面に設けられている。この図においては、より良い理解のために１２個の検出器が示されているが、１２８×１２８個の検出素子２８８を有しているアレイが一般的である。続いて、金属が格子パターンで堆積されて、共通のカソードコンタクト２９０が形成される。各検出素子２８８のアノードは、インジウムバンプ２９２を介して、読出し集積回路（ＲＯＩＣ）８２のユニットセルの増幅器入力に接続される。インジウムバンプ２９２を、冷間ボンディングしてもよいし、代替的な実施の形態においては、はんだから形成して、また電気的な接続部を形成するためにリフローしてもよい。読出し集積回路８２は、多数の基板貫通ビア（ＴＳＶ）２９４を有しており、これらのＴＳＶ２９４によって、ＲＯＩＣ８２の上面における回路が裏面に接続される。ボンディングパッド２９６は、ワイヤボンディング２９８を介する、支持回路基板３０２上の導電性パッド３００との何らかの電気的な接続部を形成するために使用することができる。他の電気的な接続部は、ＲＯＩＣ８２からはんだバンプ３０４を介して回路基板３０２に形成されている。ＲＯＩＣ８２ダイを、はんだ３０６によって、または代替的には熱伝導性エポキシによって、回路基板３０２に共晶的に取り付けることができる。

図１２は、検出器アレイ７８を有している焦平面アレイの好適なパッケージング設計の中心セクションを示す。検出器アレイ７８は、Ｍ×Ｎの矩形アレイであってよく、ＮおよびＭは、各軸において大凡２個から数百個のピクセルであってよい。回路基板３０２は、一般的にセラミックであり、用途に応じてアルミナ、窒化アルミニウムであるか、または酸化ベリリウムである。導体３１４は、一般的には、導電性インクがシルクスクリーンマスクまたはステンシルを介して供給されて高温で焼結される、付加的な薄膜プロセスによって形成される。導体３１４を薄膜プロセスによって形成することもでき、この薄膜プロセスでは、回路基板３０２の上面全体がスパッタリングまたは物理気相成長（ＰＶＤ）によって堆積された導電膜によって覆われる。回路基板３０２の表面は続けて、一般的なプリント回路基板（ＰＣＢ）プロセスにおいて行われているように、フォトレジストを用いてパターン形成されてエッチングされる。続けて、シルクスクリーンまたはステンシルを使用して、薄膜絶縁層３０８が印刷され、また焼結される。導電性ビア３１０を埋めるための開口部が絶縁層３０８に残され、それらは、画枠状の導電性パッド３１２と同じ順序で印刷および焼結される。検出器アレイ７８が取り付けられているＲＯＩＣ８２は、はんだ３０６によって、または代替的には熱伝導性エポキシによって、回路基板３０２に共晶的に取り付けられる。電気的な接続部は、はんだバンプ３０４によってＲＯＩＣ８２から回路基板３０２に形成されており、はんだバンプ３０４は、アセンブリの封止に先行してリフローされる。次に、ＣｏＶａｒ^(R)フレーム３１８に保持されている平坦な窓ガラス３２０から成る気密窓カバーが、連続的なはんだシーム３１６によって取り付けられる。フレーム３１８は、はんだ付け性を高めるために、ニッケルめっきおよび金めっきされている。窓ガラス３２０は、平坦でなくてもよく、またレンズ湾曲部を有していてもよい。窓ガラス３２０は、関心の対象となる波長、本願の設計では一般的に１．５４μｍ〜１．５７μｍの波長を除き、あらゆる光を遮断する薄膜光学フィルムの形態で表面に設けられたフィルタを有していてもよい。フレーム３１８は、押し出し成形または機械加工によって形成することができるか、または深絞りプロセスによって形成することができ、この場合フレーム３１８は、窓ガラス３２０に接触する角においてより大きい半径を有することができ、また矩形の桶型の形状を取る。窓ガラス３２０は、フリットシールプロセスによってフレーム３１８に取り付けられており、このフリットシールプロセスでは、低温ガラス合金がフリット粉末の形態で供給され、続いて、ガラスフリット粉末がリフローするまでアセンブリが加熱されて、それによって窓ガラス３２０がフレーム３１８に永続的に取り付けられる。このようにして、ＦＰＡアセンブリに関して、低コストであるにもかかわらず、気密で高性能のパッケージを実現することができる。

図１３は、ＲＯＩＣ８２の各ユニットセルに関連付けられている入力増幅器を置換および増補するために増幅器アレイが組み込まれている検出器アレイ７８を有している、ＦＰＡの別の好適なパッケージング設計の中心セクションを示す。図１２の設計からの変更点は単純に１つだけであり、ＲＯＩＣ８２が回路基板３０２の裏面に移動されているが、それに対し検出器は依然として２次元増幅器アレイ８０の上に配置されていることである。ＲＯＩＣ８２は、一般的には、高速ＣＭＯＳプロセスで製造されている。使用されるプロセスは、非常に高密度を有しており、利用可能なユニットセル領域の大部分は、サンプリング回路およびアナログメモリセルによって消費される。これは、本願の設計における増幅器アレイ８０に設けられているタイプの高利得トランスインピーダンス増幅器を実現するための、回路設計者の能力を制限する。増幅器アレイ８０は、２つの重要な機能を実行する。第１の機能は、検出素子２８８から受け取った低レベルの光電流の増幅である。増幅器アレイ８０に関して選択された技術はＢｉＣＭＯＳプロセスであるので、高フォワード利得増幅回路が実現される。トランスインピーダンス増幅器のためにユニットセルの領域全体を利用できるということは、増幅器アレイ８０の製造に関する電力密度規則に反することなく、所望の利得を得るために、十分なバイアス電流を利用できることを意味している。増幅器アレイ８０によって実行される第２の重要な機能は、検出素子２８８の出力インピーダンスを、非常に高いインピーダンスから、基板３０２を介する伝送に適した、遙かに低いインピーダンスに変換することである。増幅器アレイ８０のピクセル増幅回路の設計は、図１７と関連させて論じる。増幅器アレイ８０の各ピクセル増幅器は、インジウムバンプまたははんだバンプ３３０を介して検出器アレイ７８の検出素子２８８の端子に接続されている入力を有しており、また一般的には、ＴＳＶ３２２を介して、裏面のはんだバンプ３２４に接続されているシングルエンド型の出力を有している。はんだバンプ３２４は、回路基板３０２における第２のＴＳＶ３２６との接続のためにリフローされ、この回路基板３０２は、別のはんだバンプ３２８を介して、ＲＯＩＣ８２のユニットセル電気回路の入力に接続されている。パッケージングが図１２において説明したように組み立てられて封止された後に、増幅器アレイ８０を、金属パッド３１４またはＴＳＶ３２６を介して、電気的に接続することができる。回路基板３０２は、一般的に薄膜セラミックであり、用途に応じてアルミナ、窒化アルミニウムであるか、または酸化ベリリウムであるが、しかしながら薄膜回路であってもよい。図１２に示したように、ＣｏＶａｒ^(R)フレーム３１８に保持されている平坦な窓ガラス３２０から成る気密窓カバーが、連続的なはんだシームによって取り付けられる。

図１４は、離散的な検出素子３３２の２次元アレイから成る検出器アレイ７８が組み込まれている、さらに別の好適な焦平面アレイの設計の中心セクションを示す。各離散的な検出素子３３２は、慣例の方法を使用してＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓのｐ導電型層、ｎ導電型層または真正層のエピタキシャル成長によって形成されており、また検出素子３３２間をエッチングして「通路」を形成することによってメサが設けられている。離散的な検出素子３３２が、続いて検査およびマーキングされ、スクライビングおよび破断またはダイシングによって個別化される。個々の検出素子３３２は、現在の設計では０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度に小さいと考えられる。図示されている離散的な検出素子３３２は、アノードおよびカソードの両方のコンタクトを上面に有しており、これを基板貫通ビア３５２によって実現することができるか、またはｎ導電型層またはｐ導電型層の横方向の処理によって実現することができる。個々の検出素子３３２を性能に関して等級付けることができ、またそれらの検出素子３３２は、ピック・アンド・プレイスロボットによって増幅器アレイ８０の頂面に配置される。最新のピック・アンド・プレイスアセンブリロボットは、非常に高スループットであり、また０．２ｍｍ程度の小ささの特徴部を備えているコンポーネントを処理することができる。各検出素子３３２は、はんだバンプ３３４を介して、増幅器アレイ８０のピクセル増幅器３３６に接続されている。はんだバンプ３３４は、検出素子３３２のアノードおよびカソードをピクセル増幅器の入力に接続しており、またピクセル増幅器によって検出素子３３２に分配されるバイアス電圧出力に接続している。基板貫通ビア３３８は、ピクセル増幅器の出力を増幅器アレイ８０の裏面に接続しており、その裏面では、はんだバンプ３４０を介して、回路基板３０２上の金属パッド３４２に接続されている。基板貫通ビア３４４は、金属パッド３４２を基板３０２の裏面および金属パッド３４６に接続している。金属パッド３４６は、はんだバンプ３４８を介して、読出しＩＣ８２のユニットセル電気回路に接続されている。離散的な検出素子３３２間の溝には、炭素が付加されたエポキシインク３５４が分配されて硬化され、これによって検出器アレイ７８の検出素子３３２間に光学的な絶縁部が提供される。したがって、画像におけるピクセル間で光学的クロストークが発生する可能性が大幅に低減される。エポキシインク３５４をスピニングして、フォトレジストを適用できるやり方と同じように、撮影して現像することができるか、またはシリンジ先端およびロボット並進テーブルを使用して適用することができる。代替的な設計において、エポキシインク３５４に他のＩＲ吸収材料、例えばゲルマニウム等を付加することができる。金属パッド３５０は、気密窓カバーのフレーム３１８に対して、図１２および図１３に示した所定の位置においてはんだ付けを行うための面を提供する。したがって、反射光パルスが検出されて、電気信号に変換されて、支持回路基板を介する伝送のために増幅および調整され、また読出しＩＣの入力に供給され、この読出しＩＣは、反射光パルスのアナログ波形を増幅し、閾値と比較し、またディジタルサンプリングするように設計されている。これらはいずれも、図１４の構造によって最適なやり方で達成される。

図１５Ａは、図１３のＦＰＡパッケージング設計において特徴付けられている、好適な検出器アレイ７８の設計の中心セクションを示す。この検出器アレイ７８は、ウェハボンディング技術によって製造されている。強くドープされたｐ導電型ＩｎＰ基板３６４は、その上にエピタキシャルに形成されたＩｎＧａＡｓのＰＩＮ構造を有しており、このＰＩＮ構造は、ｐ導電型層３６２にわたり形成された真正層３６０上に成長されたｎ導電型層３５８を有している。このＩｎＰ基板３６４は、続いて、高温での親水性ボンディングを使用して、または表面活性化を使用した常温プロセスによって、シリコンウェハ３５６に接合される。常温プロセスは好適であり、また三菱重工のウェハ接合装置ＭＷＢ０４／０６Ｅの特徴である。図１５Ｂは、アレイの処理の次のステップを示し、ここでは、ＩｎＰ基板の大部分が化学機械研磨（ＣＭＰ）によって除去される。図１５Ｂの底部には、ＣＭＰ薄膜化プロセス後に残ったｐ導電型ＩｎＰ３６４の残余半導体膜が示されている。このような材料の除去によって、図１５Ｃに示されているような、慣例の半導体プロセス技術を使用した接合ウェハのパターニングおよびエッチングによるメサ構造３６６の形成が実現される。最終的に、オームコンタクトが形成され、また検出器アレイ７８の各検出素子２８８のための、共通のカソード３６８と、個々のアノードコンタクト３７０と、の両方に金属電極が堆積される。好適な金属化部は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕであるが、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕまたは他の系を使用することもできる。構造は反転されてもよいし、より高い感度のためにアバランシェフォトダイオードであってもよい。動作時に、２ＶＤＣ〜１０ＶＤＣの正のバイアス電圧が、カソードコンタクト３６８を介して、各検出素子２８８のカソードに印加される。カソードコンタクト３６８は、アレイの周辺に図示されており、かつ２Ｄグリッドパターンを形成するメサ間の溝に位置している。アノードコンタクト３７０は、ピクセル増幅器の入力にされ、また、ＰＩＮダイオードは、反転バイアスモードで動作する。シリコン検出器アレイ７８におけるこのＩｎＧａＡｓのＰＩＮによって、単純化されてより信頼性の高い組立てプロセスが実現される。通常の場合、ＩｎＧａＡｓのＰＩＮダイオードは、ＩｎＰ基板に整合された格子に成長されなければならない。しかしながら、その後に検出器アレイ７８が接合されるシリコンＲＯＩＣ８２は、ＩｎＰとは大きく異なる熱膨張率（ＣＴＥ）を有している。使用温度は、１００℃を超える範囲で変化する可能性があるので、その結果、横方向の応力が蓄積されて、慣例のＩｎＰ／シリコンＲＯＩＣハイブリッドＦＰＡにおけるはんだ接合部を破壊する可能性がある。インジウムは、−５５℃の非常に低い温度においてさえも延性のままであり、このことが、インジウムボンディングが一般的なＩｎＰ／シリコンＲＯＩＣの組合せにおける好適なオプションであることの理由である。図１５の新たな設計によって、シリコンのＣＴＥを有しているシリコン基板３５６上にハイブリッドＩｎＧａＡｓ検出器アレイ７８を形成することができ、これによって、検出器アレイ７８をシリコンＲＯＩＣ８２または増幅器アレイ８０に接合するための慣例のはんだ技術を使用することができる。

図１６は、窓カバーが外された状態の、図１３のパッケージングの平面図を示す。回路基板３０２は、窓カバーのフレーム３１８を所定の位置にはんだ付けすることに適している金属化パターン３１２により形付けられた画枠を有している。検出器アレイ７８は、増幅器アレイ８０に接合されており、また多数のコンデンサ３７２が、パッケージ外辺部の内側に示されており、それらのコンデンサ３７２は、検出器アレイ７８および増幅器アレイ８０に供給されるバイアス電圧を減結合するために有効である。多数の抵抗３７４およびインダクタ３７６も示されている。抵抗３７４を、閾値の設定、出力レベルの調整等に使用することができる。インダクタ３７６を、フィルタ素子として使用することができるか、またはパルス回路にピーキングをもたらすために使用することができる。水晶、ダイオード等の他の電子コンポーネントは、検出器アレイ７８のパッケージング内で有効であると考えられ、また同様のやり方で配置およびはんだ付けすることができる。

図１７は、増幅器アレイ８０のピクセル増幅器３３６の１つの好適な設計の詳細を示す。１つの好適な設計における検出素子２８８は、ＰＩＮダイオードであり、また破線２８８内のコンポーネントによってＳＰＩＣＥシミュレーションでモデリングされている。光電流Ｉ１は、一般的には、２μＡ〜１００μＡの間で変化し、また逆バイアス下のＰＩＮダイオードの寄生容量は、一般的には、０．３ｐＦ以下である。ＮＰＮトランジスタＱ３およびＱ４から成る差動増幅器は、抵抗Ｒ２を介する７５ｋΩのトランスインピーダンス利得を生じさせるために、十分な利得を提供する。差動増幅器構造を補完するものとして、可変電流源Ｉ２、スピードアップコンデンサＣ２およびＱ４のベース回路が設けられている。Ｉ２を流れる電流は、通常の場合、１．２ｍＡに設定されているが、しかしながら所望の利得の変化に適応するために広範に変化させることができる。Ｑ４のベース回路は、抵抗Ｒ１０が直列に接続されている、可変電圧発生器Ｖ_OFFである。Ｑ４のコレクタは、＋５ＶＤＣ給電部に直接的に接続されている。Ｑ３のコレクタは、可変電流源Ｉ３に接続されており、かつ単にＱ８のエミッタである第２の段増幅器の入力に接続されている。動作時に、検出素子２８８は、逆バイアス漏れ電流（暗電流）を有しており、この漏れ電流は、検出素子毎に多少は変化する可能性がある。バイアス電流におけるこの変動は、オフセット電圧を生じさせるが、このオフセット電圧は、可変電圧発生器Ｖ_OFFの調整によって０にすることができる。Ｖ_OFFは、一般的には、１．５５ＶＤＣに設定されているが、しかしながら検出素子２８８における変動を補償するために±１０％の範囲で容易に変更することができる。増幅回路および検出素子２８８における温度および経年変化の作用を補償するために、Ｖ_OFFを変更することもできる。ＤＣエラーのそれらの原因をそれぞれ、利得およびオフセット調整回路３７８のＶＣＴＲＬ出力によってＶ_OFFの適切な調整する図１７の回路によって補償することができる。抵抗Ｒ２は、一般的には、７５ｋΩであるが、しかしながら種々の用途に適応させるために、５ｋΩ程度の低さから１２５ｋΩ程度の高さまでの範囲で変更することができる。オプションとしての反転バッファ増幅器段を使用して、ピクセル増幅器３３６をレガシーＲＯＩＣ８２の入力に適合させるために使用することができる。このオプションとしての反転段は、トランジスタＱ８を含んでおり、このトランジスタＱ８には、反転増幅器Ｑ７のためのダイオードバイアスとしての抵抗Ｒ７が直列に接続されている。設計に応じて、Ｒ７を小型の５μＡ〜１０μＡの電流源に置換することができる。Ｑ７のエミッタは、１．１４ＶＤＣバイアス電圧に接続されており、この場合、Ｒ１およびＲ３の抵抗分割器によって形成されている。Ｑ７のコレクタは、出力であり、また抵抗Ｒ８を介して正のバイアス供給部に接続されている。本願の設計では、＋５ＶＤＣを利用することができ、またこの＋５ＶＤＣは、より高い性能を提供するために使用されるが、しかしながらこの設計は、３．３ＶＤＣおよび２．５ＶＤＣ供給電圧を用いて試験されており、それにもかかわらず、利得、オフセットおよびバイアス設定点は、適切なヘッドルームを提供するために調整されなければならない。動作時に、ＤＣエラーが、調整回路３７８に対するＶ_CTRL入力を変更することによって０にされ、その一方で、検出器アレイ７８はバイアス下にあり、機械式のシャッタ２５７によって暗くされる。検出器アレイ７８を、そのような装備が設けられているシステムにおいてＶＣＳＯＡアレイ２５６に対する電気的な駆動部を除去することによって部分的に暗くすることができる。一度オフセットが０にされれば、値は、ＬＡＴＣＨ入力における遷移によって、調整回路３７８内のメモリセルにラッチされる。

ＬＡＤＡＲセンサの受信レンズにおける拡散レーザパルスの適用によって、またはサブアセンブリレベルでの拡散レーザパルスの適用によって、各ピクセル増幅器３３６に関する利得曲線の設定点を確立することができる。利得設定点を求めるための１つの有効な方法は、２つまたは３つのレベルでの、一般的には最大レベル、低レベルおよび中間レベルでの均一なパルス照明によって、検出器アレイ７８を溢れさせることである。ピクセル増幅器の利得は、電圧制御式電流源Ｉ２から供給される電流の量によって設定され、またＩ２における変化を追跡して、Ｑ３のコレクタにおいて最適な負荷およびバイアス状態を生じさせるために、電圧制御式電流源Ｉ３を流れる電流が設定される。各レベルにおいて、行選択（Ｒ_SEL）出力および列選択（Ｃ_SEL）出力のアクティブ化、ならびにＲＯＩＣ８２を介する出力電気信号レベルの読出しによって、各ピクセル増幅器３３６が選択される。続いて、利得調整が制御プロセッサ５８によって計算され、またピクセル増幅器における調整された利得が、Ｇ_CTRL入力によって計算される。Ｇ_CTRL入力ならびに調整回路３７８への他の入力を、制御プロセッサ５８に直接的に供給することができるか、またはＲＯＩＣ８２を介して供給することができる。ＭＯＤＥ入力は、較正モードに設定され、またＧ_CTRL値が、ＬＡＴＣＨ入力における遷移によって調整回路３７８にラッチされる。ピクセル増幅器３３６に関する利得曲線における他の設定点は、１つまたは２つの残りの光入力レベルにおいて、選択された較正モードに応じて求められる。ＭＯＤＥ線は、それらの他の設定点にアクセスするために切り換えられる。高速利得モードにおいては、ＭＯＤＥ選択線が、感度時間調整（ＳＴＣ：ＳｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙＴｉｍｅＣｏｎｔｒｏｌ）モードにセットされる。ＳＴＣモードが選択された場合、初期利得は、多数のピクセルを飽和させる近接場からの強い反射の可能性、また図１と関連させて説明した「ブルーミング」とも称される隣接ピクセルへの溢れ出しを低減するための最低値にセットされる。照明レーザパルスが伝送される瞬間に、高いＧ_CTRL入力電圧が印加され、また利得は低い第１の利得設定点から高い第２の利得設定点まで急速に上昇する。この上昇は、短いランプ時間（ｒａｍｐｔｉｍｅ）ＲＴにわたり行われ、このランプ時間ＲＴは、最大増幅利得が所望される範囲によって決定されている。ＴＲは、ショートレンジシステムでは２００ｎｓ程度の短さであることが多いが、しかしながらより大きいレンジ能力を有するシステムでは１μｓ〜１０μｓ程度の長さであってよい。一般的には、１，０００フィートの距離では、飛行往復時間に２μＳを要し、それによって、照明レーザパルスで伝送される出力に応じて、利得は２μＳ以下で最大値まで上昇することになる。

本明細書に記載した好適な実施の形態において、一部はホスト車両に関連付けられており、一部はＬＡＤＡＲサブシステムに関連付けられており、また一部は個々のＬＡＤＡＲセンサに関連付けられている、多数のディジタルプロセッサを明らかにした。それらの種々のディジタルプロセッサの分類および命名は、工学的判断に基づき行ったが、範囲または意図を変更することなく、または発明の有用性に影響を及ぼすことなく、他の分類および命名規則を使用することができる。車両に関連付けられたそれらのプロセッサ、すなわち車両ＣＰＵ４８および衝突プロセッサおよびエアバッグ制御ユニット４４の機能を、何らかの将来の実施の形態においては、単一のディジタルプロセッサにおいて組み合わせることができる。組み合わされた車両ＣＰＵ４８および衝突プロセッサおよびエアバッグ制御ユニット４４には、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０を組み込むこともでき、このＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０は、通常の場合、ＬＡＤＡＲサブシステムに関連付けられている。幾つかの代替的な実施の形態において、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０（制御プロセッサ５８を含む）は、スタンドアローン型の回路として除くことができ、またそれらの機能は、通常の場合、ＬＡＤＡＲシステムコントローラ３０によって実行され、本願において説明したように、より高性能の車両ＣＰＵ４８によって受け入れられる。同様に、個々のＬＡＤＡＲセンサの対象物トラッキングプロセッサ９８を、車両ＣＰＵ４８に吸収することができ、また他のＬＡＤＡＲセンサプロセッサ、例えばデータ分類プロセッサ８６および制御プロセッサ５８も吸収することもできる。これは、車両における計算能力のより強い集中化へと向かう傾向に追従する。これとは逆に、分散化へと向かう傾向に追従することもでき、幾つかの代替的な実施の形態は、ＬＡＤＡＲセンササブシステムへと引き下げられる処理能力を常に有している（図４を参照されたい）。別の代替的な実施の形態においては、おそらく、単一のＬＡＤＡＲセンサだけが設置されることになるロボット車両において、実質的にすべての処理能力を、個別のＬＡＤＡＲセンサ自体に組み込むことができる。ディジタルプロセッサという用語は、一般的には、多くのコントローラが、純粋な数学的計算を実行することができるか、またはデータ分類を実行することができ、また多くのディジタルコンピュータが制御演算も実行することができることから、ディジタルコントローラまたはディジタルコンピュータを表すために用いることができる。ディジタルプロセッサがコントローラを表しているかまたはコンピュータを表しているかは、記述上の区別でしかなく、どちらの装置の用途または機能を制限することを意図したものではない。

本発明の種々の実施の形態を特許法の要求に応じて詳細に説明したが、当業者であれば、本明細書で説明した特定の実施の形態について変更および置換を行えることが分かる。そのような修正は、添付の特許請求の範囲において規定されているような本発明の範囲および意図内にある。

Claims

ＬＡＤＡＲシステムにおいて、
前記ＬＡＤＡＲシステムは、
第１のＬＡＤＡＲセンサおよび第２のＬＡＤＡＲセンサを含んでおり、
前記第１のＬＡＤＡＲセンサは、
前記第１のＬＡＤＡＲセンサの第１の視野内の反射性の表面を照明するように適合されている拡散光学系を介して第１の波長で光を伝送するパルスレーザ光出力を備えている、レーザ送信器と、
前記パルスレーザ光出力の開始をシグナリングするように適合されており、かつケーブルを介して前記第２のＬＡＤＡＲセンサに接続されている、時間ゼロ基準出力と、
を有しており、
前記第２のＬＡＤＡＲセンサは、
前記第１の視野と重畳する、第２の視野と、
前記ケーブルに接続されている、時間ゼロ基準入力と、
時間ゼロ基準電気出力を備えており、かつ前記時間ゼロ基準入力に接続されている、時間ゼロ基準回路と、
前記反射性の表面から反射されたパルスレーザ光を収集および調整するように適合されている、受信光学系と、
前記受信光学系の焦平面に配置されている複数の感光性検出器から成る２次元アレイであって、前記感光性検出器のそれぞれが、前記表面から反射された前記パルスレーザ光出力のピクセル化された一部を捕捉し、かつ電気応答信号を形成する出力を備えている、２次元アレイと、
前記感光性検出器のアレイの電圧分配グリッドに接続されている、検出器バイアス回路と、
クロック回路および複数のユニットセル電気回路を備えている、読出し集積回路と、
を有しており、
前記ユニットセル電気回路はそれぞれ、前記クロック回路および前記時間ゼロ基準電気出力に接続されている入力と、前記感光性検出器の出力のうちの１つに接続されている入力を備えている増幅器と、を有しており、各増幅器は出力を有しており、該増幅器の出力にはパルス検出回路が接続されており、該パルス検出回路は、終了出力と、前記時間ゼロ基準電気出力および前記クロック回路に接続されているカウンタと、を有しており、前記カウンタは、前記時間ゼロ基準電気出力によって計数を開始し、かつ前記終了出力に接続されており、該終了出力によって計数を停止し、かつ前記表面までの距離に比例する出力を有する、
ＬＡＤＡＲシステム。
前記第２のＬＡＤＡＲセンサは、車両に取り付けられている、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記第２のＬＡＤＡＲセンサは、前記増幅器それぞれの出力に接続されている電圧サンプリング回路を有している、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記ケーブルは、光ファイバケーブルである、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記ケーブルは、少なくとも１つの導電体を有している、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記レーザ送信器は、少なくとも１つの半導体レーザを含んでいる、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記レーザ送信器は、固体レーザである、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
前記第２のＬＡＤＡＲセンサは、ヘッドライト、ウィンカ、テールライト、パーキングライトおよびブレーキライトから成るセットから選択されたアセンブリに統合されている、
請求項１記載のＬＡＤＡＲシステム。
ＬＡＤＡＲセンサにおいて、
前記ＬＡＤＡＲセンサは、
前記ＬＡＤＡＲセンサの視野内の反射性の表面を照明するように適合されている、パルスレーザ光のビームを生成するレーザ送信器と、
反射面を有しており、かつレーザ光出力ビームを少なくとも１つの軸において前記視野にわたり操作するように適合されている、ビームステアリングメカニズムと、
パルスレーザ光の伝送の開始をシグナリングするように適合されている時間ゼロ基準電気出力を備えている、時間ゼロ基準回路と、
前記反射性の表面から反射されたパルスレーザ光を収集および調整するように適合されている、受信光学系と、
前記受信光学系の焦平面に配置されている複数の感光性検出器から成る２次元アレイであって、前記感光性検出器のそれぞれが、前記表面から反射された前記パルスレーザ光のピクセル化された一部を捕捉し、かつ電気応答信号を形成する出力を備えている、２次元アレイと、
前記感光性検出器のアレイの電圧分配グリッドに接続されている、検出器バイアス回路と、
クロック回路および複数のユニットセル電気回路を備えている、読出し集積回路と、
を有しており、
前記ユニットセル電気回路はそれぞれ、前記クロック回路および前記時間ゼロ基準電気出力に接続されている入力と、前記感光性検出器の出力のうちの１つに接続されている入力を備えている増幅器と、を有しており、各増幅器は出力を有しており、該増幅器の出力にはパルス検出回路が接続されており、該パルス検出回路は、終了出力と、前記時間ゼロ基準電気出力および前記クロック回路に接続されているカウンタと、を有しており、前記カウンタは、前記時間ゼロ基準電気出力によって計数を開始し、かつ前記終了出力に接続されており、該終了出力によって計数を停止し、かつ前記表面までの距離に比例する出力を有している、
ＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、車両に取り付けられている、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記レーザ送信器は、半導体レーザのアレイである、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、ヘッドライト、ウィンカ、テールライト、パーキングライトおよびブレーキライトから成るセットから選択されたアセンブリに統合されている、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記受信光学系は、光受信経路内に取り付けられている電気機械式のシャッタを有している、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
感光性検出器の前記２次元アレイは、ヒ化インジウムガリウムアルミニウムの変性層にわたり成長されたヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層に形成されている、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ビームステアリングメカニズムは、ＭＥＭＳタイプの撓み部材である、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ビームステアリングメカニズムは、シリコン基板上に形成されている、
請求項９記載のＬＡＤＡＲセンサ。
ＬＡＤＡＲセンサにおいて、
前記ＬＡＤＡＲセンサの視野内の反射性の表面を照明するように適合されている、パルスレーザ光の出力を備えているレーザ送信器と、
パルスレーザ光の伝送の開始をシグナリングするように適合されている時間ゼロ基準電気出力を備えている、時間ゼロ基準回路と、
前記反射性の表面から反射されたパルスレーザ光を収集および調整するように適合されている、受信光学系と、
前記収集および調整されたパルスレーザ光を受信するように配置されている入力面を備えており、かつ、前記パルスレーザ光を光学的に増幅し、該光学的に増幅されたパルスレーザ光を出力面に伝送する、光学利得ブロックと、
前記光学利得ブロックの前記出力面からの光を捕捉するように配置されている複数の感光性検出器から成る２次元アレイであって、前記感光性検出器のそれぞれが、前記表面から反射された前記パルスレーザ光のピクセル化された一部を捕捉し、かつ電気応答信号を形成する出力を備えている、２次元アレイと、
前記感光性検出器のアレイの電圧分配グリッドに接続されている、検出器バイアス回路と、
クロック回路および複数のユニットセル電気回路を備えている、読出し集積回路と、
を有しており、
前記ユニットセル電気回路はそれぞれ、前記クロック回路および前記時間ゼロ基準電気出力に接続されている入力と、前記感光性検出器の出力のうちの１つに接続されている入力を備えている増幅器と、を有しており、各増幅器は出力を有しており、該増幅器の出力にはパルス検出回路が接続されており、該パルス検出回路は、終了出力と、前記時間ゼロ基準電気出力および前記クロック回路に接続されているカウンタと、を有しており、前記カウンタは、前記時間ゼロ基準電気出力によって計数を開始し、かつ前記終了出力に接続されており、該終了出力によって計数を停止し、かつ前記表面までの距離に比例する出力を有する、
ＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、車両に取り付けられている、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記レーザ送信器は、半導体レーザのアレイである、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、ヘッドライト、ウィンカ、テールライト、パーキングライトおよびブレーキライトから成るセットから選択されたアセンブリに統合されている、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記受信光学系は、光受信経路内に取り付けられている電気機械式のシャッタを有している、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
感光性検出器の前記２次元アレイは、ヒ化インジウムガリウムアルミニウムの変性層にわたり成長されたヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層に形成されている、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
感光性検出器の前記２次元アレイは、シリコン基板に接合されているヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層に形成されている、
請求項２１記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記光学利得ブロックは、エルビウムドープ型ファイバのバンドルである、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記光学利得ブロックは、垂直キャビティ型の半導体光増幅器である、
請求項１７記載のＬＡＤＡＲセンサ。
ＬＡＤＡＲセンサにおいて、
前記ＬＡＤＡＲセンサの視野内の反射性の表面を照明するように適合されている、パルスレーザ光の出力を備えているレーザ送信器と、
パルスレーザ光の伝送の開始をシグナリングするように適合されている時間ゼロ基準電気出力を備えている、時間ゼロ基準回路と、
前記視野内の前記反射性の表面から反射されたパルスレーザ光を収集および調整するように適合されている、受信光学系と、
前記受信光学系の焦平面に配置されている複数の感光性検出器から成る２次元アレイであって、前記感光性検出器のそれぞれが、前記表面から反射されたパルスレーザ光のピクセル化された一部を捕捉し、かつ電気応答信号を形成する出力を備えている、２次元アレイと、
前記感光性検出器のアレイの電圧分配グリッドに接続されている、検出器バイアス回路と、
それぞれが前記感光性検出器のうちの１つの出力に接続されている入力と、ピクセル増幅器電気出力と、を備えているピクセル増幅器を複数有している、増幅器アレイと、
クロック回路および複数のユニットセル電気回路を備えている読出し集積回路であって、前記ユニットセル電気回路のそれぞれが、前記クロック回路に接続されている入力と、前記ピクセル増幅器電気出力のうちの１つに接続されているアナログ入力と、該アナログ入力に接続されており、かつ出力を有しているパルス増幅器と、を備えている、読出し集積回路と、
終了出力と、前記時間ゼロ基準電気出力および前記クロック回路に接続されているカウンタと、を備えており、かつ前記パルス増幅器の出力に接続されているパルス検出回路であって、前記カウンタは、前記時間ゼロ基準電気出力によって計数を開始し、かつ前記終了出力に接続されており、該終了出力によって計数を停止し、かつ前記表面までの距離に比例する出力を備えている、パルス検出回路と、
を有している、
ＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、車両に取り付けられている、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記レーザ送信器は、半導体レーザのアレイである、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ＬＡＤＡＲセンサは、ヘッドライト、ウィンカ、テールライト、パーキングライトおよびブレーキライトから成るセットから選択されたアセンブリに統合されている、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記受信光学系は、光受信経路内に取り付けられている電気機械式のシャッタを有している、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
感光性検出器の前記２次元アレイは、シリコン基板に接合されているヒ化インジウムガリウムのエピタキシャル層に形成されている、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ピクセル増幅器は、オフセット制御部を有している、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。
前記ピクセル増幅器は、利得制御部を有している、
請求項２６記載のＬＡＤＡＲセンサ。