JP2018205018A - 検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光学要素の欠陥を検出する。【解決手段】検査装置（１８）は、光（ＥＬ２）が入射可能な入射領域（１４ａ）に配置された複数の光学要素（１４１）を備える空間光変調器（１４）を検査する検査装置であって、入射領域に検査光（ＤＬ１）を照射する第１光学系（ＩＬ１）と、入射領域への検査光の照射により入射領域から発生する第１出射光（ＤＬ２）のうち、検査光の正反射光（ＤＬ２（０））を含む第２出射光以外の第３出射光を検出する検出器（１８７）と、検出器の検出結果を用いて、複数の光学要素のうちの欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素を特定するコントローラ（１８８）とを備える。【選択図】図３

Description

本発明は、空間光変調器を検査する検査装置及び検査方法、空間光変調器を用いて物体を露光する露光装置及び露光方法、並びに、露光方法を用いたデバイス製造方法の技術分野に関する。

マスクに代えて、それぞれが入射する光を反射可能な複数の光学要素（例えば、微小ミラー）を有する空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）を備える露光装置が提案されている（特許文献１参照）。更には、それぞれが入射する光を透過可能な複数の光学要素（例えば、液晶素子）を有する空間光変調器を備える露光装置もまた提案されている。このような空間光変調器では、光学要素に欠陥が生ずる可能性があるがゆえに、当該光学要素の欠陥を検出することが望まれる。

国際公開第２００４／０６３６９５号パンフレット

第１の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を検査する検査装置であって、前記入射領域に検査光を照射する第１光学系と、前記入射領域への前記検査光の照射により前記入射領域から発生する第１出射光のうち、前記検査光の正反射光を含む第２出射光以外の第３出射光を検出する検出器と、前記検出器の検出結果を用いて、前記複数の光学要素のうちの欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素を特定するコントローラとを備える検査装置が提供される。

第２の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を検査する検査方法であって、前記入射領域に検査光を照射することと、前記入射領域への前記検査光の照射により前記入射領域から発生する第１出射光のうち、前記検査光の正反射光を含む第２出射光以外の第３出射光を検出することと、前記検出器の検出結果を用いて、前記複数の光学要素のうちの欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素を特定することとを備える検査方法が提供される。

第３の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光装置であって、前記空間光変調器と、上述した第１の態様における検査装置とを備える露光装置が提供される。

第４の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光装置であって、前記空間光変調器と、上述した第２の態様における検査方法の検査結果を用いて、前記空間光変調器を制御する制御装置とを備える露光装置が提供される。

第５の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光することと、上述し他第２の態様における検査方法を用いて前記空間光変調器を検査することとを備える露光方法が提供される。

第６の態様によれば、光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光方法であって、上述した第２の態様における検査方法を用いた前記空間光変調器の検査結果を取得することと、前記空間光変調器の検査結果を用いて、前記空間光変調器を制御することとを備える露光方法が提供される。

第７の態様によれば、上述した第５又は第６の態様における露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法が提供される。
上記態様の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、第１実施形態の露光装置の構造の一例を示す側面図である。 図２（ａ）は、空間光変調器の光変調面の構造を示す平面図であり、図２（ｂ）は、空間光変調器の光変調面の一部の構造を示す斜視図であり、図２（ｃ）は、空間光変調器の１つのミラー要素の構成を示す斜視図であり、図２（ｄ）は、空間光変調器が備えるミラー要素がとりえる２つの状態を示す側面図である。 図３（ａ）は、検査装置の断面（具体的には、ＹＺ平面に沿った断面）を、空間光変調器の断面と共に示す断面図であり、図３（ｂ）及び図３（ｃ）の夫々は、検査装置が備える瞳絞りを示す平面図である。 図４は、第１実施形態の露光装置の動作の流れを示すフローチャートである。 図５（ａ）は、ウェハの表面上における露光領域の移動経路の一例を示す平面図であり、図５（ｂ）及び図５（ｃ）の夫々は、複数のミラー要素の状態分布の一例を示す平面図である。 図６（ａ）から図６（ｆ）の夫々は、複数のミラー要素の状態の一例を示す断面図である。 図７（ａ）は、露光光によるウェハの露光が行われている露光期間中の検査装置の位置を示す露光装置の側面図であり、図７（ｂ）は、検査装置が空間光変調器を検査する検査期間中の検査装置の位置を示す露光装置の側面図である。 図８は、検出強度の一例を示すグラフである。 図９は、第２実施形態の露光装置の構造の一例を示す側面図である。 図１０は、第２実施形態の露光装置の動作の流れを示すフローチャートである。 図１１は、第３実施形態の露光装置の構造の一例を示す側面図である。 図１２（ａ）は、露光光によるウェハの露光が行われている露光期間中の空間光変調器の位置を示す露光装置の側面図であり、図１２（ｂ）は、検査装置が空間光変調器を検査する検査期間中の空間光変調器の位置を示す露光装置の側面図である。 図１３は、第４実施形態の検査装置の断面（具体的には、ＹＺ平面に沿った断面）を、空間光変調器の断面と共に示す断面図である。 図１４は、第５実施形態の露光装置の構造の一例を示す側面図である。 図１５は、第５実施形態の検査装置の断面（具体的には、ＹＺ平面に沿った断面）を、空間光変調器の断面と共に示す断面図である。 図１６は、マイクロデバイスを製造する方法を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しながら、検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法の実施形態について説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。

以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、露光装置及び検査装置の夫々を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。
（１）第１実施形態の露光装置１
図１から図８を参照しながら、第１実施形態の露光装置１について説明する。
（１−１）第１実施形態の露光装置１の構造
（１−１−１）第１実施形態の露光装置１の全体の構造
初めに、図１を参照しながら、第１実施形態の露光装置１の構造について説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１の構造の一例を示す側面図である。

図１に示すように、露光装置１は、光源１１と、照明光学系１２と、ミラー１３と、空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）１４と、投影光学系１５と、ステージ１６と、コントローラ１７と、検査装置１８と、移動装置１９とを備えている。

光源１１は、コントローラ１７によって制御され、露光光ＥＬ１を射出する。光源１１は、露光光ＥＬ１として、所定の周波数で明滅を繰り返すパルス光を射出する。つまり、光源１１は、所定の発光時間（以下、当該発光時間を“パルス幅”と称する）で発光するパルス光を所定の周波数で射出する。例えば、光源１１は、パルス幅が５０ｎｓとなるパルス光を４ｋＨｚから６ｋＨｚの周波数で射出してもよい。光源１１からパルス発光される露光光ＥＬ１は、波長が１９３ｎｍとなるＡｒＦエキシマレーザ光であってもよい。

照明光学系１２は、例えば米国特許第８，７９２，０８１号公報などに開示されるように、フライアイレンズやロッド型インテグレータ等のオプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及び照野絞り（いずれも不図示）を有していてもよい。照明光学系１２は、光源１１からの露光光ＥＬ１の光量を均一化して露光光ＥＬ２として射出する。この露光光ＥＬ２によって空間光変調器１４の光変調面１４ａが照明される。尚、空間光変調器の光変調面１４ａ上には、照明光学系１２の照野絞り（マスキングシステム）で規定された矩形状の照明領域が形成される。尚、照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での露光光ＥＬ２の強度分布を変更するビーム強度分布変更部等を含んでいてもよい。
ミラー１３は、照明光学系１２から出力される露光光ＥＬ２を偏向して、空間光変調器１４の光変調面１４ａに導く。

空間光変調器１４は、後述するように、２次元的に配列された複数のミラー要素１４１を備える。複数のミラー要素１４１が配列されている面を、光変調面１４ａと称する。光変調面１４ａには、照明光学系１２からミラー１３を介して伝搬してくる露光光ＥＬ２が入射する。光変調面１４ａは、ＸＹ平面に平行な平面であって、露光光ＥＬ２の進行方向に交わる面である。光変調面１４ａは、矩形の形状を有している。露光光ＥＬ２は、光変調面１４ａをほぼ均一な照度分布で照明する。

空間光変調器１４は、当該空間光変調器１４の光変調面１４ａに照射された露光光ＥＬ２を、投影光学系１５に向けて反射する。空間光変調器１４は、露光光ＥＬ２を反射する際に、当該露光光ＥＬ２を、ウェハ１６１に転写するべきデバイスパターンに応じて空間変調する。ここで、「光を空間変調する」とは、当該光の進行方向を横切る断面における当該光の振幅（強度）、光の位相、光の偏光状態、光の波長及び光の進行方向（言い換えれば、偏向状態）のうちの少なくとも１つである光特性の分布を変化させることを意味していてもよい。本実施形態では、空間光変調器１４は、反射型の空間光変調器である。

次に、図２（ａ）から図２（ｄ）を参照しながら、空間光変調器１４について更に説明を加える。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１を備えている。尚、図２（ｂ）は、図面の見易さを考慮して、図２（ａ）に示す複数のミラー要素１４１の一部を抜粋した図面である。

複数のミラー要素１４１は、光変調面１４ａに平行な面であるＸＹ平面上において、二次元のアレイ状に（言い換えれば、マトリクス状に）配列されている。例えば、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数は、数百から数千である。例えば、複数のミラー要素１４１のＸ軸方向に沿った配列数は、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数の数倍から数十倍である。複数のミラー要素１４１のＸ軸方向に沿った配列数の一例は、数百から数万である。複数のミラー要素１４１は、Ｘ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｘの間隔を隔て且つＹ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｙの間隔を隔てるように、配列されている。配置間隔ｐｘは、配置間隔ｐｙと同じであるが、異なっていてもよい。配置間隔ｐｘ及びｐｙの夫々の一例は、例えば、１０マイクロメートルから１マイクロメートルである。

各ミラー要素１４１は、正方形の形状（或いは、その他任意の板状の形状）を有している。各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢が変更されるため、各ミラー要素１４１のサイズＬは、配置間隔ｐｘ及びｐｙよりも小さくなる。つまり、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間及びＹ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間には、ミラー要素１４１を構成しない隙間１４２が存在する。但し、サイズＬに対して隙間１４２のサイズが十分に小さいため、第１実施形態では、説明の簡略化のために、各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向の夫々のサイズＬは、上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙと同じであるものとする。

各ミラー要素１４１のうち露光光ＥＬ２が照射される面は、露光光ＥＬ２を反射する反射面１４１ａとなっている。各ミラー要素１４１のＸＹ平面に平行な２つの表面のうち−Ｚ側に位置する表面は、反射面１４１ａとなっている。反射面１４１ａには、例えば反射膜が形成されている。反射面１４１ａの反射膜としては、例えば金属膜や誘電体多層膜を用いてもよい。複数のミラー要素の１４１の反射面１４１ａの集合が、実質的には、露光光ＥＬ２が照射される光変調面１４ａとなる。

図２（ｃ）に示すように、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１は、第１接続部材１４３によってヒンジ部１４４と接続されている。ヒンジ部１４４は、弾性変形を利用してＺ軸方向に撓むことが可能な可撓性を有している。このヒンジ部１４４は、支持基板１４９上に設けられた一対のポスト部１４５によって支持されている。また、ヒンジ部１４４には、後述する電極１４８によって静電力（引力又は斥力）の作用を受けるアンカー部１４６とヒンジ部１４４とを接続する第２接続部材１４７が設けられている。このように、アンカー部１４６とミラー要素１４１とは、第１接続部材１４３及び第２接続部材１４７並びにヒンジ部１４４を介して機械的に接続されている。そして、支持基板１４９の表面には電極１４８が形成されている。なお、ポスト部１４５は一対には限定されず、２以上の数であってもよい。

電極１４８に所定の電圧が印加されると、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力が作用する。上述の通り、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力を作用させると、アンカー部１４６が支持基板１４９側に移動し、この移動に伴ってミラー要素１４１も支持基板１４９側に移動する。

各ミラー要素１４１の状態は、アンカー部１４６と電極１４８との間に作用する静電力及びヒンジ部１４４の弾性力に起因して、反射面１４１ａに直交する方向（つまり、Ｚ軸方向）に沿った位置が異なる２つの状態の間で切り替わる。例えば、図２（ｄ）の左側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用していない場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいない場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１に一致する第１状態となる。例えば、図２（ｄ）の右側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用している場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいる場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１から＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした変位平面Ａ２に一致する第２状態となる。

第２状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａは、第１状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａから＋Ｚ側に向かって距離ｄ１だけシフトした位置にある。このため、第２状態にあるミラー要素１４１が露光光ＥＬ２を反射することで得られる露光光ＥＬ３の波面の位相と、第１状態にあるミラー要素１４１が露光光ＥＬ２を反射することで得られる露光光ＥＬ３の波面の位相とは異なる。この位相差は、距離ｄ１の倍の長さに相当する。第１実施形態では、距離ｄ１は、露光光ＥＬ１の波長の１／４と一致する。この場合、第２状態にあるミラー要素１４１が露光光ＥＬ２を反射することで得られる露光光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が露光光ＥＬ２を反射することで得られる露光光ＥＬ３の波面の位相と比較して、１８０度（πラジアン）だけ異なる。尚、以下では、説明の便宜上、第１状態を「０状態」と称し、第２状態を「π状態」と称する。

空間光変調器１４は、コントローラ１７の制御下で、ウェハ１６１に転写するべきデバイスパターンに応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。具体的には、不図示のパターン設計装置は、ウェハ１６１に転写するべきデバイスパターンに応じて、複数のミラー要素１４１の状態の分布（言い換えれば、配列）を決定する。例えば、パターン設計装置は、複数のミラー要素１４１のそれぞれが０状態となるべきか又はπ状態となるべきかを決定することで、複数のミラー要素１４１の状態の分布を決定する。これにより、複数のミラー要素１４１で反射される露光光ＥＬ３の、当該露光光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）面における位相分布が決定される。コントローラ１７は、パターン設計装置から、複数のミラー要素１４１の状態の分布を規定する変調パターンデータを取得する。コントローラ１７は、変調パターンデータを用いて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。
尚、このような空間光変調器１４の一例は、例えば、米国特許出願公開第２０１３／０２２２７８１号明細書に記載されている。

再び図１において、投影光学系１５は、空間光変調器１４によって空間変調された露光光ＥＬ３でウェハ１６１に明暗パターンを投影する。投影光学系１５は、露光光ＥＬ３でウェハ１６１の表面（具体的には、ウェハ１６１に塗布されているレジスト膜の表面）に、空間光変調器１４による空間変調に応じた明暗パターンを投影する。

投影光学系１５は、露光光ＥＬ３を、ウェハ１６１の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡに投影する。つまり、投影光学系１５は、ウェハ１６１の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡが露光光ＥＬ３によって露光されるように、露光領域ＥＬＡに露光光ＥＬ３を投影する。投影光学系１５の光軸ＡＸは、面状の露光領域ＥＬＡに直交する。面状の露光領域ＥＬＡは投影光学系１５の光軸ＡＸから外れた位置に形成される。ウェハ１６１の表面と投影光学系１５の光軸ＡＸとが一致する部分から外れた所定領域が、面状の露光領域ＥＬＡとなる。

投影光学系１５は、デバイスパターンに基づく位相分布を有する露光光ＥＬ３を、位相分布に応じた強度分布を持つ空間像としてウェハ１６１の表面に投影する。

投影光学系１５は、縮小系である。第１実施形態では、投影光学系１５の投影倍率は、一例として１／２００である。第１実施形態における投影光学系１５の解像度は、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１のサイズＬに投影倍率を乗じた値よりも大きくなるように設定されている。従って、単一のミラー要素１４１によって反射された露光光ＥＬ３は、露光領域ＥＬＡ上では解像されることはない。尚、投影光学系１５の投影倍率は、１／２００の縮小倍率には限定されず、例えば１／４００の縮小倍率であってもよく、等倍や拡大倍率であってもよい。

ステージ１６は、ウェハ１６１を保持可能であり、保持したウェハ１６１をリリース可能である。ステージ１６は、コントローラ１７の制御下で、ウェハ１６１を保持した状態で、露光領域ＥＬＡを含む平面（例えば、ＸＹ平面）に沿って移動可能である。ステージ１６は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。例えば、ステージ１６は、平面モータを含むステージ駆動系１６２の動作により移動してもよい。尚、平面モータを含むステージ駆動系１６２の一例は、例えば、米国特許第６，４５２，２９２号に開示されている。但し、ステージ駆動系１６２は、平面モータに加えて又は代えて、他のモータ（例えば、リニアモータ）を含んでいてもよい。

ステージ１６のＸＹ平面内での位置（但し、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿った回転角度を含んでいてもよい）は、レーザ干渉計１６３によって、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時計測されている。レーザ干渉計１６３の計測結果は、コントローラ１７に出力される。但し、露光装置１は、レーザ干渉計１６３に加えて又は代えて、ステージ１６のＸＹ平面内での位置を計測可能なその他の計測装置（例えば、エンコーダ）を備えていてもよい。

コントローラ１７は、露光装置１の動作を制御する。コントローラ１７は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）や、メモリを含んでいてもよい。例えば、コントローラ１７は、光源１１による露光光ＥＬ１の射出動作を制御する。具体的には、コントローラ１７は、所定のパルス幅を有すると共に所定の周波数でパルス発光するパルス光を露光光ＥＬ１として適切なタイミングで射出するように光源１１を制御する。更に、コントローラ１７は、空間光変調器１４による露光光ＥＬ２の空間変調動作を制御する。具体的には、コントローラ１７は、パターン設計装置から取得した変調パターンデータを用いて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。更に、コントローラ１７は、ステージ１６の移動を制御する。具体的には、コントローラ１７は、露光領域ＥＬＡがウェハ１６１の表面上を所望の移動経路を通って相対的に移動していくように、ステージ駆動系１６２を制御する。

検査装置１８は、空間光変調器１４を検査する。検査装置１８は、空間光変調器１４が備える各ミラー要素１４１を検査する。具体的には、検査装置１８は、各ミラー要素１４１に欠陥が生じているか否かを判定する。言い換えれば、検査装置１８は、空間光変調器１４を検査することで、欠陥が生じているミラー要素１４１を特定する。検査装置１８の検査結果は、コントローラ１７に対して出力される。コントローラ１７は、検査装置１８の検査結果を用いて、所望のデバイスパターンがウェハ１６１に適切に転写されるように、露光装置１の動作を制御する。

検査装置１８は、コントローラ１７の制御下で、移動可能である。検査装置１８は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。例えば、検査装置１８は、平面モータを含む移動装置１９の動作により移動してもよい。但し、移動装置１９は、平面モータに加えて又は代えて、他のモータ（例えば、リニアモータ）を含んでいてもよい。

尚、照明光学系１２は、露光光ＥＬ２が光変調面１４ａの一部に照射されるように露光光ＥＬ１を調整してもよい。照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での露光光ＥＬ２が照射される照射領域が光変調面１４ａよりも小さくなるように、露光光ＥＬ１を調整してもよい。照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での露光光ＥＬ１が照射される照射領域の形状が光変調面１４ａの形状と一致しないように、露光光ＥＬ１を調整してもよい。また、照明光学系１２は、露光光ＥＬ２のビーム断面内での強度分布を変更して、光変調面１４ａに達する露光光ＥＬ２の照度分布をほぼ均一にしてもよい。この場合、照明光学系１２は、照明光学系１２が備えるオプティカルインテグレータの射出側の光路に配置されるビーム強度分布変更部を備えていてもよい。

空間光変調器１４は、露光光ＥＬ３の位相分布を制御することに加えて又は代えて、露光光ＥＬ３の強度分布（つまり、露光光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）方向に沿った面上における強度分布）を制御してもよい。空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１に代えて、露光光ＥＬ２を空間変調することが可能な任意の装置（例えば、液晶パネル等）を備えていてもよい。

上述の例における空間光変調器１４は、それぞれの上下方向（つまり、露光光ＥＬ２の進行方向）に沿った位置が可変である複数のミラー要素１４１を備える位相型（ピストン型）の空間光変調器である。しかしながら、空間光変調器１４は、それぞれが傾斜可能な（例えば、Ｘ軸又はＹ軸に対して傾斜可能な）複数のミラー要素を備える傾斜型の空間光変調器であってもよい。また、空間光変調器１４は、傾斜型の空間光変調器が備える複数のミラー要素の反射面に段差を設けた位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器であってもよい。位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器は、光変調面１４ａに平行な反射面１４１ａが反射する光と光変調面１４ａに対して傾斜している反射面１４１ａが反射する光との間の位相差を、露光光ＥＬ１の波長の半分（１８０度（πラジアン））に設定する空間光変調器である。また、国際公開第２００５／０５９５９６号パンプレットに開示されている、それぞれの上下方向の位置が可変である複数のミラー要素と、当該複数のミラー要素の間に位置する固定反射面とを備え、ミラーの上下方向の移動によって光強度を空間変調する空間光変調器が用いられてもよい。また、上述の例における空間光変調器は、２次元的に配置されている複数のミラー要素１４１を備えたものである。しかしながら、空間光変調器は、移動可能或いは傾斜可能な複数のミラー要素１４１を１次元方向に配置した空間光変調器であってもよい。このような空間光変調器は、例えば米国特許第９，３９５，５３１号公報や米国特許第７，９０３，３３７号公報に開示されている。
（１−１−２）検査装置１８の構造

続いて、図３（ａ）から図３（ｃ）を参照しながら、検査装置１８の構造について説明する。図３（ａ）は、検査装置１８の断面（具体的には、ＹＺ平面に沿った断面）を、空間光変調器１４の断面と共に示す断面図である。図３（ｂ）及び図３（ｃ）の夫々は、検査装置１８が備える瞳絞り１８５の一例を示す平面図である。

図３（ａ）に示すように、検査装置１８は、照明光学系ＩＬ１と、結像光学系ＩＭ１と、検出器１８７と、コントローラ１８８とを備える。照明光学系ＩＬ１は、光源１８１と、導光光学系１８２と、ビームスプリッタ１８３と、レンズ１８４とを含む。結像光学系ＩＭ１は、レンズ１８４と、瞳絞り１８５と、ビームスプリッタ１８３と、レンズ１８６とを含む。つまり、レンズ１８４及びビームスプリッタ１８３の夫々は、照明光学系ＩＬ１及び結像光学系ＩＭ１によって共用される。

光源１８１は、コントローラ１８８の制御下で、空間光変調器１４を検査するための検査光ＤＬ１を射出する。検査光ＤＬ１は、複数のミラー要素１４１が反射可能な光である限りは、どのような光であってもよい。検査光ＤＬ１の波長λは、複数のミラー要素１４１が反射可能な光である限りは、どのような波長λであってもよい。例えば、検査光ＤＬ１は、可視光であってもよいし、紫外光であってもよい。

光源１８１が出射した検査光ＤＬ１は、レンズ１８２ａ及び１８２ｂを含む導光光学系１８２に入射する。導光光学系１８２は、検査光ＤＬ１の光量を均一化して収束光として射出する。導光光学系１８２から射出した検査光ＤＬ１は、ビームスプリッタ１８３に入射する。ビームスプリッタ１８３は、検査光ＤＬ１を、ビームスプリッタ１８３と空間光変調器１４（特に、光変調面１４ａ）との間に配置されているレンズ１８４に向けて反射する。レンズ１８４は、ビームスプリッタ１８３によって反射されて発散光となった検査光ＤＬ１を、平行光に変換する。レンズ１８４を通過して平行光になった検査光ＤＬ１は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの少なくとも一部に相当する検査領域１４ｂに垂直入射する。従って、照明光学系ＩＬ１は、平行光である検査光ＤＬ１を検査領域１４ｂに照射する。

検査領域１４ｂは、光変調面１４ａのうち少なくとも一部の領域である。検査領域１４ｂは、少なくとも１つのミラー要素１４１（特に、その反射面１４１ａ）を包含する領域である。本実施形態では、検査領域１４ｂは、隣接する２つ以上のミラー要素１４１を包含する領域であるものとする。具体的には、検査領域１４ｂは、Ｘ軸方向に沿って隣接する（言い換えれば、配列される）少なくとも２つのミラー要素１４１を包含する領域であってもよい。検査領域１４ｂは、Ｙ軸方向に沿って隣接する（言い換えれば、配列される）少なくとも２つのミラー要素１４１を包含する領域であってもよい。検査領域１４ｂは、Ｘ軸方向に沿って隣接する少なくとも２つのミラー要素１４１と、Ｙ軸方向に沿って隣接する少なくとも２つのミラー要素１４１を包含する領域であってもよい。また、検査領域１４ｂは、空間光変調器１４が備える全てのミラー要素１４１を包含する領域であってもよいし、空間光変調器１４が備える全てのミラー要素１４１のうちの一部を包含する領域であってもよい。

検査光ＤＬ１が照射された検査領域１４ｂからは、検査光ＤＬ１の照射に起因して発生する出射光ＤＬ２が出射する。出射光ＤＬ２は、レンズ１８４、ビームスプリッタ１８３、瞳絞り１８５及びレンズ１８６を含む結像光学系ＩＭ１を介して、結像光学系ＩＭ１の像面に配置される検出器１８７の検出面１８７ａに入射する。つまり、出射光ＤＬ２は、結像光学系ＩＭ１を介して、検出器１８７の検出面１８７ａにおいて結像する。検出器１８７は、検出面１８７ａに入射した出射光ＤＬ２を検出することで、検出面１８７ａ上における出射光ＤＬ２の強度分布に関する情報を取得する。このため、検出器１８７は、撮像面が検出面１８７ａに一致するように規則的に配列された複数の撮像素子を含む。複数の撮像素子の配列ピッチは、複数のミラー要素１４１の配列ピッチに、出射光ＤＬ２を空間光変調器１４から検出器１８へと導く結像光学系ＩＭ１の結像倍率を掛け合わせて得られる配列ピッチと同じであってもよいし、小さくてもよいし、大きくてもよい。複数の撮像素子の配列ピッチが小さくなればなるほど、検出器１８７の解像度が高くなる。

第１実施形態では特に、瞳絞り１８５は、出射光ＤＬ２の一部を遮光して検出器１８７に導かない一方で、出射光ＤＬ２の他の一部を通過させて検出器１８７に導くように構成されている。具体的には、出射光ＤＬ２は、検査光ＤＬ１の正反射光ＤＬ２（０）を含んでいる。瞳絞り１８５は、少なくとも正反射光ＤＬ２（０）を遮光して検出器１８７に導かないように構成されている。このため、瞳絞り１８５は、図３（ｂ）に示すように、正反射光ＤＬ２（０）の光路上に配置される遮光素子１８５ｃを含んでいる。一方で、瞳絞り１８５は、出射光ＤＬ２のうち正反射光ＤＬ２（０）以外の他の光成分の少なくとも一部を通過させて検出器１８７に導くように構成されている。このため、瞳絞り１８５は、図３（ｂ）に示すように、出射光ＤＬ２のうち正反射光ＤＬ２（０）以外の他の光成分（以降、適宜“非正反射光ＤＬ２（ＮＲ）”と称する）の少なくとも一部が通過可能な開口１８５ｂを規定する絞り部材１８５ａを含んでいる。

出射光ＤＬ２は、非正反射光ＤＬ２（ＮＲ）として、ミラー要素１４１の欠陥による散乱光ＤＬ２（Ｓ）の少なくとも一部を含む。従って、瞳絞り１８５は、ミラー要素１４１の欠陥による散乱光ＤＬ２（Ｓ）の少なくとも一部を通過させて検出器１８７に導くように構成されている。ここで、欠陥による散乱光ＤＬ２（Ｓ）は、高次の回折光を含まなくてもよい。開口１８５ｂの形状や配置位置によっては、図３（ｃ）に示すように、遮光素子１８５ｃが絞り部材１８５ａと一体化されることがある尚、図３（ｃ）は、開口１８５ｂが光軸に関して偏心している瞳絞り１８５の一例を示す。

検出器１８７には、出射光ＤＬ２のうち瞳絞り１８５を通過した光成分（つまり、瞳絞り１８５によって遮光されなかった光成分）が入射する。従って、検出器１８７は、出射光ＤＬ２のうち正反射光ＤＬ２（０）以外の他の光成分（つまり、非正反射光ＤＬ２（ＮＲ））の少なくとも一部を、検出光ＤＬ３として検出する。その結果、検出器１８７は、検出面１８７ａ上における検出光ＤＬ３の強度分布に関する情報を取得する。尚、検出面１８７ａは、光変調面１４ａと光学的に共役な位置に配置される。

ここで、上述したように、検出面１８７ａに入射する出射光ＤＬ２（つまり、検出光ＤＬ３）には、欠陥による散乱光ＤＬ２（Ｓ）の少なくとも一部が含まれる。従って、検出器１８７は、例えば、散乱光ＤＬ２（Ｓ）の少なくとも一部の強度分布に関する情報を取得可能である。

コントローラ１８８は、検出器１８７の検出結果（つまり、検出光ＤＬ３の強度分布に関する情報）を用いて、空間光変調器１４が備える複数のミラー要素１４１の状態を推定する。具体的には、コントローラ１８８は、検出器１８７の検出結果を用いて、各ミラー要素１４１に欠陥が生じているか否かを判定する。言い換えれば、コントローラ１８８は、欠陥が生じているミラー要素１４１を特定する。尚、コントローラ１８８が複数のミラー要素１４１に欠陥が生じているか否かを判定する動作については、後に詳述するため（図４等参照）、ここでの説明を省略する。
（１−２）第１実施形態の露光装置１の動作

続いて、図４を参照しながら、第１実施形態の露光装置１の動作について説明する。図４は、第１実施形態の露光装置１の動作の流れを示すフローチャートである。

図４に示すように、まず、レジストが塗布された未露光のウェハ１６１が露光装置１にローディングされる（ステップＳ１１）。つまり、ステージ１６上にウェハ１６１が搭載される。その後、コントローラ１７は、ウェハ１６１を露光するように露光装置１を制御する（ステップＳ１２）。

ここで、図５（ａ）から図５（ｃ）を参照しながら、ウェハ１６１を露光する動作について更に詳細に説明する。図５（ａ）は、ウェハ１６１の表面上における露光領域ＥＬＡの移動経路の一例を示す平面図である。図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、それぞれ、複数のミラー要素１４１の状態分布の一例を示す平面図である。

図５（ａ）に示すように、露光光ＥＬ３は、ウェハ１６１の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡに照射される。露光光ＥＬ３は、露光領域ＥＬＡを露光する。露光領域ＥＬＡは、露光光ＥＬ３であるパルス光のうちの１回又は複数回のパルス発光によって露光される。その結果、露光光ＥＬ３は、ウェハ１６１の表面のうち露光領域ＥＬＡと重なる少なくとも一部の面部分である露光対象面１１０に照射される。

露光領域ＥＬＡがウェハ１６１の表面上を所望の移動経路を通って相対的に移動していくようにステージ１６が移動する。図５（ａ）中に示す矢印は、露光領域ＥＬＡの移動経路の一例を示している。図５（ａ）に示す例では、ステージ１６は、あるタイミングで露光領域ＥＬＡが＋Ｙ方向に向かって移動するように、−Ｙ方向に向かって移動する。その後、ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが−Ｘ方向に向かって移動するように、＋Ｘ方向に向かって移動する。その後、ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが−Ｙ方向に向かって移動するように、＋Ｙ方向に向かって移動する。その後、ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが−Ｘ方向に向かって移動するように、＋Ｘ方向に向かって移動する。以降、ステージ１６は、−Ｙ方向に向かう移動、＋Ｘ方向に向かう移動、＋Ｙ方向に向かう移動及び＋Ｘ方向に向かう移動を繰り返す。その結果、露光領域ＥＬＡは、ウェハ１６１の表面を図５（ａ）中の矢印が示す経路を通って相対的に移動する。

ウェハ１６１の表面は、複数の露光対象面１１０に区分可能である。この場合、ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが複数の露光対象面１１０に順次重なるように移動する。ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが複数の露光対象面１１０を順次トレースするように移動する。図５（ａ）に示す例では、ステージ１６は、露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−１に重なるように−Ｙ方向に向かって移動する。露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−１に重なるタイミングで露光光ＥＬ３が露光領域ＥＬＡ（つまり、露光対象面１１０−１）を露光するように、光源１１は、露光光ＥＬ１を射出する。つまり、光源１１は、露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−１に重なるタイミングと光源１１が射出するパルス光のうちの１回のパルス発光のタイミングとが一致するように、露光光ＥＬ３を射出する。その後、ステージ１６は、Ｙ軸方向に沿って露光対象面１１０−１に隣接する露光対象面１１０−２ａに露光領域ＥＬＡが重なるように−Ｙ方向に向かって移動する。露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−１から露光対象面１１０−２に向かって移動している間は、光源１１は、露光光ＥＬ１を射出しない。つまり、露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−１から露光対象面１１０−２に向かって移動している間は、パルス発光が行われることはない。露光領域ＥＬＡが露光対象面１１０−２に重なるタイミングで露光光ＥＬ３が露光領域ＥＬＡ（つまり、露光対象面１１０−２）を露光するように、光源１１は、露光光ＥＬ１を射出する。以降、Ｙ軸に沿って並ぶ一連の露光対象面１１０に対しても同様の動作が繰り返される。その後、Ｙ軸に沿って並ぶ一連の露光対象面１１０に対する露光が終了する（つまり、露光対象面１１０−３に対する露光が終了する）と、ステージ１６は、露光対象面１１０−３にＸ軸方向に沿って隣接する露光対象面１１０−４に露光領域ＥＬＡが重なるように−Ｘ方向に向かって移動する。以降、露光対象面１１０−４を起点として、Ｙ軸に沿って並ぶ一連の露光対象面１１０に対しても同様の動作が繰り返される。以降は、図５（ａ）に示す移動経路を通って露光対象面ＥＬＡが移動するように、上述した動作が繰り返される。

空間光変調器１４が備える複数のミラー要素１４１は、１回の露光（つまり、１回のパルス発光）毎に、１回のパルス発光による露光によってウェハ１６１に転写されるべきデバイスパターンに基づく状態に遷移する。つまり、複数のミラー要素１４１は、変調パターンデータが規定する、１回のパルス発光による露光を行う際の複数のミラー要素１４１の状態に遷移する。

図５（ａ）に示す例では、露光対象面１１０−１が露光される場合には、複数のミラー要素１４１は、露光対象面１１０−１に対する１回の露光によってウェハ１６１に転写されるべきデバイスパターン（つまり、露光対象面１１０−１の下部に位置するウェハ１６１に転写されるべきデバイスパターン）に基づく状態に遷移する。その後、露光対象面１１０−１に続いて露光対象面１１０−２が露光される場合には、複数のミラー要素１４１は、露光対象面１１０−２に対する１回の露光によってウェハ１６１に転写されるべきデバイスパターン（つまり、露光対象面１１０−２の下部に位置するウェハ１６１に転写されるべきデバイスパターン）に基づく状態に遷移する。例えば、図５（ｂ）は、露光対象面１１０−１を露光するための複数のミラー要素１４１の状態の一例を示す。例えば、図５（ｃ）は、露光対象面１１０−２を露光するための複数のミラー要素１４１の状態の一例を示す。

尚、図５（ｂ）及び図５（ｃ）中の白抜き領域で示すミラー要素１４１は、０状態にあるミラー要素１４１を示している。一方で、図５（ｂ）及び図５（ｃ）中の網掛け領域で示すミラー要素１４１は、π状態にあるミラー要素１４１を示している。

再び図４において、その後、コントローラ１７は、ウェハ１６１の露光が完了したか否かを判定する（ステップＳ１３）。つまり、コントローラ１７は、ウェハ１６１上の全ての露光対象面１１０の露光が完了したか否かを判定する。ステップＳ１３の判定の結果、ウェハ１６１の露光が完了していないと判定される場合には（ステップＳ１３：Ｎｏ）、コントローラ１７は、ウェハ１６１の露光を継続するように露光装置１を制御する（ステップＳ１２）。他方で、ステップＳ１３の判定の結果、ウェハ１６１の露光が完了したと判定される場合には（ステップＳ１３：Ｙｅｓ）、露光済みのウェハ１６１が露光装置１からアンローディングされる（ステップＳ１４）。アンローディングされたウェハ１６１は、不図示のデベロッパーによって現像される。その後、ウェハ１６１は、不図示のエッチング装置によってエッチングされる。その結果、ウェハ１６１上に、デバイスパターンが転写（言い換えれば、形成）される。

ウェハ１６１がアンローディングされた後又はウェハ１６１のアンローディングと並行して、検査装置１８は、空間光変調器１４を検査する（ステップＳ２１からステップＳ２７）。つまり、検査装置１８は、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が行われていない（言い換えれば、ステージ１６がウェハ１６１を保持していない）非露光期間中に、空間光変調器１４を検査する。

第１実施形態では、検査装置１８は、空間光変調器１４を検査する動作として、各ミラー要素１４１に欠陥が生じているか否かを判定する。特に、検査装置１８は、各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定する。ミラー要素１４１が固着する欠陥は、ミラー要素１４１の反射面１４１ａの位置（つまり、Ｚ軸方向の位置であり、実質的には高さに相当）を変更することができなくなる欠陥である。つまり、ミラー要素１４１が固着する欠陥は、ミラー要素１４１の反射面１４１ａの位置を制御又は調整することができなくなる欠陥である。以下、ミラー要素１４１が固着する欠陥の一例について説明する。

例えば、図６（ａ）は、全てのミラー要素１４１が０状態にある空間光変調器１４を示す。全てのミラー要素１４１に欠陥が生じていない場合には、全てのミラー要素１４１の状態を０状態からπ状態に遷移させるための制御信号をコントローラ１７が空間光変調器１４に出力すると、空間光変調器１４の状態は、図６（ａ）に示す状態から、図６（ｂ）に示す状態へと遷移する。つまり、全てのミラー要素１４１の状態が０状態からπ状態へと遷移する。一方で、あるミラー要素１４１に欠陥（特に、反射面１４１ａの位置が基準平面Ａ１で固着する欠陥）が生じている場合には、全てのミラー要素１４１の状態を０状態からπ状態に遷移させるための制御信号をコントローラ１７が空間光変調器１４に出力すると、空間光変調器１４の状態は、図６（ａ）に示す状態から、図６（ｃ）に示す状態へと遷移する。つまり、あるミラー要素１４１の状態が０状態からπ状態へと遷移しない。

同様に、例えば、図６（ｄ）は、全てのミラー要素１４１がπ状態にある空間光変調器１４を示す。全てのミラー要素１４１に欠陥が生じていない場合には、全てのミラー要素１４１の状態をπ状態から０状態に遷移させるための制御信号をコントローラ１７が空間光変調器１４に出力すると、空間光変調器１４の状態は、図６（ｄ）に示す状態から、図６（ｅ）に示す状態へと遷移する。つまり、全てのミラー要素１４１の状態がπ状態から０状態へと遷移する。一方で、あるミラー要素１４１に欠陥（特に、反射面１４１ａの位置が変位平面Ａ２で固着する欠陥）が生じている場合には、全てのミラー要素１４１の状態をπ状態から０状態に遷移させるための制御信号をコントローラ１７が空間光変調器１４に出力すると、空間光変調器１４の状態は、図６（ｄ）に示す状態から、図６（ｆ）に示す状態へと遷移する。つまり、あるミラー要素１４１の状態がπ状態から０状態へと遷移しない。

或いは、あるミラー要素１４１に、反射面１４１ａの位置が基準平面Ａ１と変位平面Ａ２との間の中間位置Ａ３で固着する欠陥が生じている場合には、全てのミラー要素１４１の状態を０状態又はπ状態にするための制御信号をコントローラ１７が空間光変調器１４に出力したとしても、あるミラー要素１４１の状態が０状態にもならず且つπ状態にもならない。

再び図４において、このような欠陥が生じているミラー要素１４１を特定するために、コントローラ１７は、まず、空間光変調器１４（特に、その検査領域１４ｂ）に対して検査装置１８が検査光ＤＬ１を照射することが可能な検査位置に位置するようになるまで検査装置１８が移動するように、移動装置１９を制御する（ステップＳ２１）。その結果、検査装置１８は、検査位置に位置することになる。
ここで、図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照しながら、検査装置１８の移動について更に説明する。

図７（ａ）は、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が行われている（言い換えれば、ステージ１６がウェハ１６１を保持している）露光期間中の検査装置１８の位置を示す。図７（ａ）に示すように、露光期間中は、空間光変調器１４の光変調面１４ａには、露光光ＥＬ２が照射される。更に、空間光変調器１４が空間変調した露光光ＥＬ３は、投影光学系１５を介してウェハ１６１に照射される。一方で、露光期間中は、検査装置１８は、検査領域１４ｂに対して検査光ＤＬ１を照射しなくてもよい。このため、図７（ａ）に示すように、露光期間中は、検査装置１８は、ウェハ１６１への露光光ＥＬ３の照射を検査装置１８が妨げることがない非検査位置に位置する。具体的には、検査装置１８は、露光光ＥＬ１、ＥＬ２及びＥＬ３の光路に重ならない非検査位置に位置する。

一方で、図７（ｂ）は、検査装置１８が空間光変調器１４を検査する検査期間中の検査装置１８の位置を示す。尚、検査期間は、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が行われていない非露光期間の少なくとも一部である。図７（ｂ）に示すように、検査期間中は、ウェハ１６１に露光光ＥＬ３が照射されない。このため、検査期間中は、検査装置１８は、ウェハ１６１への露光光ＥＬ３の照射を妨げることがない非検査位置に位置していなくてもよい。従って、露光期間中は非検査位置に位置していた検査装置１８は、移動装置１９の動作により、空間光変調器１４（特に、その検査領域１４ｂ）に対して検査光ＤＬ１を照射することが可能な検査位置に位置するようになるまで移動する。

再び図４において、その後、コントローラ１８８は、検査光ＤＬ１を検査領域１４ｂに照射するように、光源１８１を制御する。その結果、光源１８１は、検査領域１４ｂに対して検査光ＤＬ１が照射されるように、検査光ＤＬ１を射出する（ステップＳ２２）。その結果、検査光ＤＬ１の照射に起因して、検査領域１４ｂからは、出射光ＤＬ２が出射する。検出器１８７は、出射光ＤＬ２を検出する（ステップＳ２３）。特に、検出器１８７は、出射光ＤＬ２のうち正反射光ＤＬ２（０）以外の他の光成分（つまり、非正反射光ＤＬ２（ＮＲ））の少なくとも一部を、検出光ＤＬ３として検出する。その結果、検出器１８７は、検出光ＤＬ３の強度分布に関する情報を取得する。

検査領域１４ｂが、空間光変調器１４が備える全てのミラー要素１４１の一部を包含する領域である場合には、ステップＳ２２及びステップＳ２３の処理が、空間光変調器１４に対する検査装置１８の相対位置を変えながら繰り返される。具体的には、光変調面１４ａ上の第１位置に設定される検査領域１４ａに対して検査光ＤＬ１が照射され且つ当該第１位置に設定される検査領域１４ａからの出射光ＤＬ２が検出される。その後、移動装置１９は、コントローラ１８８の制御下で、光変調面１４ａ上の第１位置とは異なる第２位置に設定される検査領域１４ａに対して検査光ＤＬ１が照射され且つ当該第２位置に設定される検査領域１４ａからの出射光ＤＬ２が検出されるように、空間光変調器１４に対して検査装置１８を移動させる。その結果、光変調面１４ａ上の第２位置に設定される検査領域１４ａに対して検査光ＤＬ１が照射され且つ当該第２位置に設定される検査領域１４ａからの出射光ＤＬ２が検出される。以降、同様の動作が、光変調面１４ａ上の全ての位置に検査領域１４ｂが設定されるまで繰り返される。つまり、検査装置１８は、光変調面１４ａの全体に渡って検査領域１４ｂが順次設定されるように、空間光変調器１４に対する検査装置１８の相対位置を変えながら検査光ＤＬ１を検査領域１４ｂに照射する。その結果、検査装置１８は、光変調面１４ａの各部分に検査光ＤＬ１を順次照射することで、光変調面１４ａの全体に検査光ＤＬ１を照射することができる。従って、検出器１８７は、光変調面１４ａの各部分からの出射光ＤＬ２を順次検出することで、光変調面１４ａの全体からの出射光ＤＬ２を検出することができる。

一方で、検査領域１４ｂが、空間光変調器１４が備える全てのミラー要素１４１を包含する領域である場合には、ステップＳ２２及びステップＳ２３の処理は、空間光変調器１４に対する検査装置１８の相対位置を固定したまま少なくとも１回行われればよい。つまり、検査装置１８は、空間光変調器１４に対する検査装置１８の相対位置を固定したまま、検査光ＤＬ１を検査領域１４ｂ（つまり、光変調面１４ａの全体）に照射すればよい。その結果、検出器１８７は、光変調面１４ａの全体からの出射光ＤＬ２をまとめて検出することができる。

ステップＳ２２及びステップＳ２３の処理が行われている間は、コントローラ１７は、コントローラ１８８の制御下で、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全て（或いは、空間光変調器１４が備える複数のミラー要素１４１の全て、以下この段落において同じ）を同じ状態にするための制御信号を空間光変調器１４に出力する。つまり、コントローラ１７は、コントローラ１８８の制御下で、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全てが０状態及びπ状態のいずれかになるように、空間光変調器１４を制御する。この場合、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全てを０状態にするための制御信号がコントローラ１７から空間光変調器１４に出力されている状態でステップＳ２２及びステップＳ２３の処理が行われ、その後、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全てをπ状態にするための制御信号がコントローラ１７から空間光変調器１４に出力されている状態でステップＳ２２及びステップＳ２３の処理が行われてもよい。その結果、コントローラ１８８は、固着する欠陥が生じているミラー要素１４１を特定することに加えて、生じている欠陥が、反射面１４１ａの位置が基準平面Ａ１で固着する欠陥であるのか、反射面１４１ａの位置が変位平面Ａ２で固着する欠陥であるのか、又は、反射面１４１ａの位置が基準平面Ａ１と変位平面Ａ２との間の中間位置Ａ３で固着する欠陥であるのかをも特定することができる。

その後、コントローラ１８８は、ステップＳ２３で取得される検出光ＤＬ３の強度分布（つまり、検出光ＤＬ３の検出強度）を用いて、各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定する（ステップＳ２４からステップＳ２５）。

ここで、検出面１８７ａ上のある撮像位置（ｘ，ｙ）において検出される検出光ＤＬ３の検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）は、当該撮像位置（ｘ，ｙ）に対応する検査領域１４ｂ中のある検査位置（Ｘ，Ｙ）に位置するミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さ（より具体的には、反射面１４１ａの基準位置からのＺ軸方向の変位量）ｄと、検査光ＤＬ１の周波数νに依存して変動する。具体的には、検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）は、Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）×（１−ｃｏｓ（４πｄν／ｃ））という数式で近似可能である。尚、Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）は、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄが所定の高さｄ_０である場合に撮像位置（ｘ，ｙ）において検出される検出光ＤＬ３の検出強度（以降、“基準強度”と称する）を示す。ｃは、光速を示す。ここで、検査光ＤＬ１の周波数ν及び光速ｃは、コントローラ１８８にとって既知のパラメータである。このため、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）がコントローラ１８８にとって既知のパラメータとなれば、検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）は、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄに依存して変動することになる。従って、ある検査位置（Ｘ１、Ｙ１）のミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）に欠陥が生じている場合に検査位置（Ｘ１、Ｙ１）に対応する撮像位置（ｘ１、ｙ１）で検出される検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）は、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）に欠陥が生じていない場合に検出される検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）とは異なる。例えば、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）に欠陥が生じている場合に検出される検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）は、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）に欠陥が生じていない場合に検出される検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）よりも大きくなる（或いは、場合によっては小さくなる）。このため、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）に欠陥が生じている一方でミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）以外の他のミラー要素１４１に欠陥が生じていない場合には、図８に示すように、検出光ＤＬ３の強度分布は、検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）が極大値（或いは、場合によっては極小値）となる強度分布となる。更に、検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）の大きさは、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）の高さｄに依存して変動する。例えば、検出強度Ｉ（ｘ１，ｙ１）は、ミラー要素１４１（Ｘ１，Ｙ１）の高さｄが高くなるほど（或いは、場合によって低くなるほど）大きくなる。

このため、コントローラ１８８は、ステップＳ２３で取得された検出強度（以降、実際に取得した検出強度を、“検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）”と称する）から、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄが、欠陥が生じている高さとなっているのか又は正常な高さであるのかを特定することができる。例えば、コントローラ１８８は、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全てを０状態にするための制御信号がコントローラ１７から空間光変調器１４に出力されている状態で取得された検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）から、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄが、正常な高さ（つまり、基準平面Ａ１に相当する高さ）であるのか又は欠陥が生じている高さ（例えば、変位平面Ａ２又は中間位置Ａ３に相当する高さ）であるのかを特定することができる。例えば、コントローラ１８８は、検査領域１４ｂに含まれるミラー要素１４１の全てをπ状態にするための制御信号がコントローラ１７から空間光変調器１４に出力されている状態で取得された検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）から、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄが、正常な高さ（つまり、変位平面Ａ２に相当する高さ）であるのか又は欠陥が生じている高さ（例えば、基準平面Ａ１又は中間位置Ａ３に相当する高さ）であるのかを特定することができる。

コントローラ１８８は、このような方法で各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定する。このため、コントローラ１８８は、まず、上述した基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）を取得する（ステップＳ２４）。基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）は、全てのミラー要素１４１の高さｄが既知の空間光変調器１４に対して検査装置１８が行うテスト検査動作によって取得されてもよい。テスト検査動作は、全てのミラー要素１４１の高さｄが所定の高さｄ_０であって且つ全てのミラー要素１４１に欠陥が生じていない空間光変調器１４_０に対して検査光ＤＬ１を照射し、当該空間光変調器１４_０からの出射光ＤＬ２を検出することで検出光ＤＬ３の強度分布を取得する動作である。テスト検査動作は、図４に示す露光動作が行われる前に露光装置１外で予め行われる。但し、テスト検査動作は、図４に示す露光動作中に行われてもよいし、露光装置１内で行われてもよい。この場合には、露光装置１が、基準となる空間光変調器１４_０を備えている。或いは、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）は、全てのミラー要素１４１の高さｄが所定の高さｄ_０となる空間光変調器１４_０を模擬するシミュレーションモデルを用いてテスト検査動作をシミュレートすることで取得されてもよい。

その後、コントローラ１８８は、ステップＳ２３で取得した検出光ＤＬ３の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）及びステップＳ２４で取得した基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）を用いて、各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定する（ステップＳ２５）。具体的には、コントローラ１８８は、上述した検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）の数式に対して、ステップＳ２３で実際に取得した検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）及びステップＳ２４で取得した基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）を代入することで、各ミラー要素１４１の高さｄを特定することができる。その後、コントローラ１８８は、特定した各ミラー要素１４１の高さｄが正常な高さであるのか又は欠陥が生じている高さであるのかを特定する。その結果、コントローラ１８８は、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定することができると共に、欠陥が生じているミラー要素１４１における欠陥の程度（例えば、反射面１４１ａの固着位置等）を特定することができる

或いは、コントローラ１８８は、ステップＳ２３で取得した検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）からステップＳ２４で取得した基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）に応じた変動成分を排除する補正を行ってもよい。その結果、コントローラ１８８は、補正後の検出強度Ｉ_ａｍｄ（ｘ，ｙ）として、各ミラー要素１４１の高さｄに依存して変動する検出強度を取得できる。その後、コントローラ１８８は、補正後の検出強度Ｉ_ａｍｄ（ｘ，ｙ）の分布中に、ある一定強度以上の極大値が存在しなければ、全てのミラー要素１４１に欠陥が生じていない（つまり、正常である）と判定してもよい。例えば、コントローラ１８８は、補正後の検出強度Ｉ_ａｍｄ（ｘ，ｙ）の分布中に、ある一定強度以上の極大値が存在していれば、当該極大値が存在する撮像位置（ｘ２，ｙ２）に対応する検査位置（Ｘ２，Ｙ２）のミラー要素１４１（Ｘ２，Ｙ２）に欠陥が生じていると判定してもよい。更に、この場合には、コントローラ１８８は、極大値の大きさから、ミラー要素１４１（Ｘ２，Ｙ２）に生じている欠陥の程度を特定してもよい。

検出器１８７が備える複数の撮像素子の配列ピッチが、複数のミラー要素１４１の配列ピッチ（但し、出射光ＤＬ２を空間光変調器１４から検出器１８へと導く結像光学系ＩＭ１の結像倍率を考慮した配列ピッチ）と同じである場合には、複数の撮像素子の数は、複数のミラー要素１４１の数に一致する。つまり、複数の撮像素子と複数のミラー要素１４１とは、１対１で対応する。具体的には、検出面１８７ａ上のある１つの撮像位置（ｘ３，ｙ３）に位置する１つの撮像素子は、当該１つの撮像位置（ｘ３，ｙ３）に対応する１つの検査位置（Ｘ３，Ｙ３）に位置する１つのミラー要素１４１（Ｘ３，Ｙ３）に対応する。この場合には、コントローラ１８８は、ある１つの撮像位置（ｘ３，ｙ３）における検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ３，ｙ３）に基づいて、ある１つのミラー要素１４１（Ｘ３，Ｙ３）に欠陥が生じているか否かを判定することができる。

複数の撮像素子の配列ピッチが、複数のミラー要素１４１の配列ピッチ（但し、結像光学系ＩＭ１の結像倍率を考慮した配列ピッチ）よりも小さい場合には、複数の撮像素子の数は、複数のミラー要素１４１の数よりも多い。つまり、複数の撮像素子と複数のミラー要素１４１とは、ｎ対１（但し、ｎは１以上の実数）で対応する。具体的には、検出面１８７ａ上のある複数の撮像位置（ｘ４，ｙ４）に夫々位置する複数の撮像素子は、当該複数の撮像位置（ｘ４，ｙ４）に共通して対応する１つの検査位置（Ｘ４，Ｙ４）に位置する１つのミラー要素１４１（Ｘ４，Ｙ４）に対応する。この場合には、コントローラ１８８は、複数の撮像位置（ｘ４，ｙ４）における複数の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ４，ｙ４）に基づいて、ある１つのミラー要素１４１（Ｘ４，Ｙ４）に欠陥が生じているか否かを判定することができる。例えば、コントローラ１８８は、複数の撮像位置（ｘ４，ｙ４）における複数の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ４，ｙ４）の平均値を算出し、当該検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ４，ｙ４）の平均値に基づいて、ある１つのミラー要素１４１（Ｘ４，Ｙ４）に欠陥が生じているか否かを判定することができる。

複数の撮像素子の配列ピッチが、複数のミラー要素１４１の配列ピッチ（但し、結像光学系ＩＭ１の結像倍率を考慮した配列ピッチ）よりも大きい場合には、複数の撮像素子の数は、複数のミラー要素１４１の数よりも少ない。つまり、複数の撮像素子と複数のミラー要素１４１とは、１：ｍ（但し、ｍは１以上の実数）で対応する。具体的には、検出面１８７ａ上のある１つの撮像位置（ｘ５，ｙ５）に位置する１つの撮像素子は、当該１つの撮像位置（ｘ５，ｙ５）に共通して対応する複数の検査位置（Ｘ５，Ｙ５）に位置する複数のミラー要素１４１（Ｘ５，Ｙ５）に対応する。この場合には、コントローラ１８８は、撮像位置（ｘ５，ｙ５）の周辺位置における検出光ＤＬ３の強度を、検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）を補間することで推定すると共に、当該推定した検出光ＤＬ３の強度に基づいて、当該１つの撮像位置（ｘ５，ｙ５）に共通して対応する複数の検査位置（Ｘ５，Ｙ５）に位置する複数のミラー要素１４１（Ｘ５，Ｙ５）に欠陥が生じているか否かを判定することができる。この場合には、複数の撮像素子の配列ピッチが複数のミラー要素１４１の配列ピッチよりも大きいままでよい（つまり、結像光学系１８６の開口数が相対的に小さくてもよい）ため、結像光学系ＩＭ１の負荷が相対的に緩和されるというメリットもある。但し、コントローラ１８８は、１つの撮像位置（ｘ５，ｙ５）における１つの検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ５，ｙ５）に基づいて、複数のミラー要素１４１（Ｘ５，Ｙ５）に欠陥が生じているか否かを判定してもよい。

ミラー要素１４１に欠陥が生じているか否かが判定された後には、コントローラ１７は、検査装置１８がウェハ１６１への露光光ＥＬ３の照射を妨げない非検査位置に位置するまで検査装置１８が移動するように、移動装置１９を制御する（ステップＳ２６）。その結果、検査装置１８は、非検査位置に位置することになる。

その後、コントローラ１７は、露光装置１が新たなウェハ１６１を露光するか否かを判定する（ステップＳ２７）。ステップＳ２７の判定の結果、露光装置１が新たなウェハ１６１を露光しないと判定される場合には（ステップＳ２７：Ｎｏ）、図４に示す動作が終了する。

他方で、ステップＳ２７の判定の結果、露光装置１が新たなウェハ１６１を露光すると判定される場合には（ステップＳ２７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１１以降の動作が繰り返される。つまり、露光装置１は、新たなウェハ１６１に対して露光光ＥＬ３を照射することで、新たなウェハ１６１を露光する。このとき、コントローラ１７は、検査装置１８の検査結果（つまり、複数のミラー要素１４１の欠陥の有無の判定結果）を用いて、露光光ＥＬ３でウェハ１６１を露光する動作を制御してもよい。具体的には、コントローラ１７は、所望のデバイスパターンをウェハ１６１に適切に転写可能な適切な露光光ＥＬ３がウェハ１６１に照射されるように、光源１１、照明光学系１２、空間光変調器１４、投影光学系１５及びステージ１６の少なくとも一つを制御してもよい。例えば、少なくとも１つのミラー要素１４１に欠陥が生じている場合には、全てのミラー要素１４１に欠陥が生じていない場合と比較して、ウェハ１６１上の各領域部分に対する露光光ＥＬ３の露光量が変わる可能性がある。このため、コントローラ１７は、複数のミラー要素１４１の欠陥の有無に依存することなく、ウェハ１６１上の各領域部分に対する露光光ＥＬ３の露光量が適切な露光量となるように、光源１１、照明光学系１２、空間光変調器１４、投影光学系１５及びステージ１６の少なくとも一つを制御してもよい。

以上説明したように、第１実施形態の露光装置１は、空間光変調器１４に対して検査光ＤＬ１を照射すると共に、当該検査光ＤＬ１の照射に起因して発生する出射光ＤＬ２を検出することで、空間光変調器１４を検査することができる。このため、露光装置１は、空間光変調器１４を比較的容易に検査することができる。加えて、第１実施形態の露光装置１は、出射光ＤＬ２のうち正反射光ＤＬ２（０）以外の他の光成分の少なくとも一部を検出光ＤＬ３として検出することで、空間光変調器１４を検査することができる。このため、検出光ＤＬ３の強度分布において、欠陥が発生しているミラー要素１４１に起因する強度と欠陥が発生していないミラー要素１４１に起因する強度が明確に分離可能となる。このため、空間光変調器１４の検査精度が相対的に向上する。つまり、検査装置１８のＳＮ比が相対的に向上する。

尚、出射光ＤＬ２には、複数のミラー要素１４１の間の隙間１４２を介したノイズ光が含まれる可能性がある。例えば、出射光ＤＬ２には、ノイズ光として、複数の隙間１４２を介して反射面１４１ａ以外の部材に照射された検査光ＤＬ１の当該部材から反射光が含まれている可能性がある。例えば、出射光ＤＬ２には、ノイズ光として、複数の隙間１４２の周期的な配列に起因して発生する回折光が含まれている可能性がある。このノイズ光は、複数のミラー要素１４１の反射面１４１ａに関係なく発生する光である。このため、検出器１８７がこのノイズ光を検出すると、検査装置１８の検査精度が悪化する可能性がある。このため、瞳絞り１８５は、出射光ＤＬ２のうち隙間１４２を介したノイズ光を遮光して検出器１８７に導かないように構成されていてもよい。例えば、瞳絞り１８５が備える遮光素子１８５ｃが、ノイズ光の少なくとも一部を遮光してもよい。例えば、瞳絞り１８５の絞り部材１８５ａが、ノイズ光の少なくとも一部を遮光してもよい。その結果、空間光変調器１４の検査精度が相対的に向上する。尚、光変調面１４ａに対するノイズ光の出射角度は、相対的に大きくなる可能性が高い。このため、出射光ＤＬ２のうち２次以上の高次の回折光ＤＬ２（±２、±３、・・・）を遮光して検出器１８７に導かないように構成されている瞳絞り１８５は、実質的には、出射光ＤＬ２のうちノイズ光を遮光して検出器１８７に導かないように構成されている可能性が相対的に高い。つまり、瞳絞り１８５を含む結像光学系ＩＭ１の開口数が相対的に小さい場合には、結像光学系１８６は、出射光ＤＬ２のうちノイズ光を検出器１８７に導かないように構成されている可能性が相対的に高い。

上述した説明では、検査装置１８は、露光光ＥＬ３によって露光されたウェハ１６１がアンロードされた後に又は露光光ＥＬ３によって露光されたウェハ１６１のアンロードと並行して、空間光変調器１４を検査している。しかしながら、検査装置１８は、露光光ＥＬ３がウェハ１６１に照射されていない任意の期間中に、空間光変調器１４を検査してもよい。例えば、検査装置１８は、ウェハ１６１がローディングされる前に、空間光変調器１４を検査してもよい。例えば、検査装置１８は、ウェハ１６１がローディングされてからウェハ１６１の露光を開始するまでの期間の少なくとも一部において、空間光変調器１４を検査してもよい。例えば、検査装置１８は、ウェハ１６１の露光が完了してからウェハ１６１がアンローディングされるまでの期間の少なくとも一部において、空間光変調器１４を検査してもよい。例えば、ウェハ１６１が露光される露光期間中であっても、ステージ１６がＸ軸方向に沿って移動している期間（つまり、ステップ移動期間、図３（ａ）参照））中は、ウェハ１６１に対する露光光ＥＬ３の照射が一時的に中断される。このため、検査装置１８は、ステップ移動期間の少なくとも一部において、空間光変調器１４を検査してもよい。

上述した説明では、検査装置１８は、１枚のウェハ１６１の露光が完了する都度、空間光変調器１４を検査している。しかしながら、検査装置１８は、２枚以上の（或いは、所定枚数の）ウェハ１６１の露光が完了する都度、空間光変調器１４を検査してもよい。

上述した説明では、コントローラ１７は、検査装置１８の出力を用いて、ウェハ１６１上の各領域部分に対する露光光ＥＬ３の露光量が適切な露光量となるように、光源１１、照明光学系１２、空間光変調器１４、投影光学系１５及びステージ１６の少なくとも一つを制御している。しかしながら、コントローラ１７は、検査装置１８の出力に基づいて、空間光変調器１４の交換を促す警告を不図示の表示装置に出力させてもよい。また、コントローラ１７は、検査装置１８の出力に基づいて、空間光変調器１４の交換時期を推測してもよい。

上述した説明では、露光装置１が検査装置１８を備えている。しかしながら、露光装置１は、検査装置１８を備えていなくてもよい。この場合には、空間光変調器１４を検査するタイミングで、露光装置１の外部から検査装置１８が露光装置１の内部（特に、検査位置）に搬送されてもよい。
（２）第２実施形態の露光装置２
続いて、第２実施形態の露光装置２について説明する。
（２−１）第２実施形態の露光装置２の構造

はじめに、図９を参照しながら、第２実施形態の露光装置２の構造について説明する。第２実施形態の露光装置２は、第１実施形態の露光装置１と比較して、検査装置１８に代えて検査装置２８を備えているという点で異なっている。図９に示すように、検査装置２８は、検査装置１８と比較して、照明光学系ＩＬ１、結像光学系ＩＭ１及びコントローラ１８８に代えて、照明光学系ＩＬ２、結像光学系ＩＭ２及びコントローラ２８８を備えているという点で異なっている。照明光学系ＩＬ２は、照明光学系ＩＬ１と比較して、光源１８１に代えて光源２８１を備えているという点で異なっている。結像光学系ＩＭ２は、結像光学系ＩＭ１と比較して、瞳絞り１８５に代えて瞳絞り２８５を備えているという点で異なっている。第２実施形態の露光装置２のその他の構成要件は、第１実施形態の露光装置１のその他の構成要件と同一であってもよい。このため、第１実施形態の露光装置１の構成要件と同一の構成要件については、同一の参照符号を付することでその詳細な説明を省略する。

光源２８１は、光源１８１と比較して、複数の異なる波長λの検査光ＤＬ１を出射可能であるという点で異なる。光源２８１のその他の機能は、光源１８１のその他の機能と同一であってもよい。瞳絞り２８５は、瞳絞り１８５と比較して、絞り部材１８５ａに代えて、開口１８５ｂの形状や配置位置を変更するように動作可能な可変絞り部材２８５ａを含むという点で異なる。瞳絞り２８５のその他の構成要件は、瞳絞り１８５のその他の構成要件と同一であってもよい。コントローラ２８８は、コントローラ１８８と比較して、複数の異なる波長λの検査光ＤＬ１を順次出射するように光源２８１を制御するという点で異なる。更に、コントローラ２８８は、コントローラ１８８と比較して、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）（図４のステップＳ２４）を取得することなく、各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定するという点で異なる。コントローラ２８８のその他の構成要件は、コントローラ１８８のその他の構成要件と同一であってもよい。
（２−２）第２実施形態の露光装置２の動作

続いて、図１０を参照しながら、第２実施形態の露光装置２の動作について説明する。尚、第１実施形態の露光装置１が行う処理と同一の処理については、同一のステップ番号を付することでその詳細な説明を省略する。

図１０に示すように、第２実施形態の露光装置２は、第１実施形態の露光装置１と同様に、ステップ１１からステップＳ２１までの動作を行う。つまり、未露光のウェハ１６１が露光装置２にローディングされ（ステップＳ１１）、ウェハ１６１が露光され（ステップＳ１２）、露光されたウェハ１６１がアンローディングされ（ステップＳ１４）、検査装置２８が検査位置に位置するようになるまで検査装置２８が移動する（ステップＳ２１）。

その後、第２実施形態においても、コントローラ２８８は、検査光ＤＬ１を検査領域１４ｂに照射するように、光源２８１を制御する（ステップＳ２２）。その結果、検出器１８７は、出射光ＤＬ２を検出する（ステップＳ２３）。

第２実施形態では、ステップＳ２２及びＳ２３の処理は、光源２８１が出射する検査光ＤＬ１の波長λを変更しながら繰り返される（ステップＳ３１）。具体的には、光源２８１は、第１の波長λ１の検査光ＤＬ１を出射し、検出器１８７は、第１の波長λ１の検査光ＤＬ１が照射された検査領域１４ｂからの出射光ＤＬ２を検出する。その後、光源２８１は、第１の波長λ１とは異なる第２の波長λ２の検査光ＤＬ１を出射し、検出器１８７は、第２の波長λ２の検査光ＤＬ１が照射された検査領域１４ｂからの出射光ＤＬ２を検出する。以降、同様の動作が、検査光ＤＬ１の波長λの変更が不要であると判定されるまで繰り返される。

検査光ＤＬ１の波長λの切替と並行して、コントローラ２８８は、波長λの切替前後において結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡを検査光ＤＬ１の波長λで除算することで得られるパラメータ（つまり、ＮＡ／λ）が一定になるように、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡを調整する。例えば、コントローラ２８８は、検査光ＤＬ１の波長λが第１の波長λ１に設定されている場合には、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡが第１の開口数ＮＡ１に設定され、検査光ＤＬ１の波長λが第２の波長λ２に設定されている場合には、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡが第２の開口数ＮＡ２（但し、ＮＡ２は、ＮＡ２／λ２＝ＮＡ１／λ１を満たす）に設定されるように、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡを調整する。コントローラ２８８は、結像光学系ＩＭの開口数ＮＡを調整するために、瞳絞り２８５の可変絞り部材２８５ａを制御する。但し、コントローラ２８８は、その他の方法で、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡを調整してもよい。

その後、コントローラ２８８は、ステップＳ２３で取得される検出光ＤＬ３の強度分布（つまり、検出光ＤＬ３の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ））を用いて、各ミラー要素１４１に、各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定する（ステップＳ３１）。具体的には、上述したように、検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）は、ミラー要素１４１（Ｘ，Ｙ）の反射面１４１ａの高さｄを用いた「Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）×（１−ｃｏｓ（４πｄν／ｃ））」という数式で近似可能である。上述した第１実施形態では、コントローラ１８８は、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）を既知のパラメータとして取得している。一方で、第２実施形態では、コントローラ２８８は、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）を既知のパラメータとして取得することなく、異なる複数の波長の検査光ＤＬ１を照射することで取得される複数の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）を用いて、各ミラー要素１４１の高さｄを特定する。具体的には、上述したように、検出強度Ｉ（ｘ，ｙ）は、基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）及びミラー要素１４１の高さｄという２つの変数を含む数式（つまり、方程式）によって特定される。第２実施形態では、コントローラ２８８は、２つの変数を含む数式に、ステップＳ２３で取得した複数の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ，ｙ）を代入することで得られる連立方程式を解くことで、各ミラー要素１４１の高さｄを特定する。

或いは、結像光学系ＩＭ２の開口数ＮＡを検査光ＤＬ１の波長λで除算することで得られるパラメータ（つまり、ＮＡ／λ）が一定に維持されると、検査光ＤＬ１の周波数νに対する基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）の依存性がなくなる。つまり、周波数νの変動（つまり、波長λの変動）に対して基準強度Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）が固定される。その結果、「Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ_０（ｘ，ｙ，ν，ｄ_０）×（１−ｃｏｓ（４πｄν／ｃ））」という数式に従えば、ある撮像位置（ｘ６，ｙ６）で検出される検出強度Ｉ（ｘ６，ｙ６）は、検査光ＤＬ１の周波数ν（＝１／λ）に対して、撮像位置（ｘ６，ｙ６）に対応する検査位置（Ｘ６、ｙ６）に位置するミラー要素１４１（Ｘ６，Ｙ６）の高さｄに応じた周期で正弦波状に変化することになる。つまり、検出強度Ｉ（ｘ６，ｙ６）は、検出強度Ｉ（ｘ６，ｙ６）を縦軸とし且つ検査光ＤＬ１の周波数νを横軸とする座標平面上において、ミラー要素１４１（Ｘ６，Ｙ６）の高さｄに応じた周期で変化するコサインカーブの曲線となる。このため、コントローラ２８８は、異なる複数の波長の検査光ＤＬ１を照射することで撮像位置（ｘ６，ｙ６）において夫々検出される複数の検出強度Ｉ_{ｄｅｔｅｃｔ}（ｘ６，ｙ６）をこの座標平面上でフィッティング（つまり、プロット）し、その結果得られるコサインカーブの曲線の周期を特定することで、ミラー要素１４１（Ｘ６，Ｙ６）の高さｄを特定してもよい。コントローラ２８８は、この動作を、全ての撮像位置（ｘ，ｙ）において繰り返すことで、複数のミラー要素１４１の高さｄを特定可能である。

このように、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、コントローラ２８８は、各ミラー要素１４１に各ミラー要素１４１が固着する欠陥が生じているか否かを判定することができる。このため、第２実施形態の露光装置２もまた、第１実施形態の露光装置１が享受可能な効果と同様の効果を享受可能である。
（３）第３実施形態の露光装置３

続いて、図１１を参照しながら、第３実施形態の露光装置３について説明する。図１１に示すように、第３実施形態の露光装置３は、第１実施形態の露光装置１と比較して、検査装置１８を移動するための移動装置１９に代えて、空間光変調器１４を移動するための移動装置３９を備えているという点で異なっている。第３実施形態の露光装置３のその他の構成要件は、第１実施形態の露光装置１のその他の構成要件と同一であってもよい。このため、第１実施形態の露光装置１の構成要件と同一の構成要件については、同一の参照符号を付することでその詳細な説明を省略する。

空間光変調器１４は、コントローラ１７の制御下で、移動可能である。空間光変調器１４は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。例えば、空間光変調器１４は、平面モータを含む移動装置３９の動作により移動してもよい。但し、移動装置３９は、平面モータに加えて又は代えて、他のモータ（例えば、リニアモータ）を含んでいてもよい。

空間光変調器１４は、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が行われている露光期間中は、図１２（ａ）に示すように、照明光学系１２からの露光光ＥＬ２が照射され且つ投影光学系１５を介してウェハ１６１に露光光ＥＬ３を照射可能な露光位置に位置する。一方で、空間光変調器１４は、検査装置１８が空間光変調器１４を検査する検査期間中は、図１２（ｂ）に示すように、検査装置１８からの検査光ＤＬ１が照射され且つ出射光ＤＬ２を検査装置１８に向けて出射可能な被検査位置に位置する。つまり、検査期間の開始に伴い、露光期間中は露光位置に位置していた空間光変調器１４は、移動装置３９の動作により被検査位置に位置するようになるまで移動する。同様に、露光期間の開始に伴い、検査期間中は被検査位置に位置していた空間光変調器１４は、移動装置３９の動作により露光位置に位置するようになるまで移動する。
このような第３実施形態の露光装置３もまた、第１実施形態の露光装置１が享受可能な効果と同様の効果を享受可能である。

尚、第３実施形態では、検査装置１８は、移動可能ではないが、移動可能であってもよい。つまり、露光装置３は、移動装置３９に加えて、第１実施形態で説明した移動装置１９も備えていてもよい。
（４）第４実施形態の露光装置４

続いて、第４実施形態の露光装置４について説明する。第４実施形態の露光装置４は、第１実施形態の露光装置１と比較して、検査装置１８に代えて検査装置４８を備えているという点で異なる。従って、以下では、図１３を参照しながら、検査装置４８について説明を進める。尚、第４実施形態の露光装置４のその他の構成要件は、第１実施形態の露光装置１のその他の構成要件と同一であってもよい。このため、第１実施形態の露光装置１の構成要件と同一の構成要件については、同一の参照符号を付することでその詳細な説明を省略する。

図１３に示すように、検査装置４８は、検査装置１８と比較して、照明光学系ＩＬ１及び結像光学系ＩＭ１に代えて、照明光学系ＩＬ４及び結像光学系ＩＭ４を備えているという点で異なっている。照明光学系ＩＬ４は、検査領域１４ｂに対して検査光ＤＬ１が斜入射するように検査領域１４ｂに検査光ＤＬ１を照射するという点で、検査領域１４ｂに対して検査光ＤＬ１が垂直入射するように検査領域１４ｂに検査光ＤＬ１を照射する照明光学系ＩＬ１と異なっている。図１３に示す例では、照明光学系ＩＬ４は、照明光学系ＩＬ１と比較して、レンズ１８２ｂ、ビームスプリッタ１８３及びレンズ１８４を含んでいなくてもよいという点で異なっている。但し、照明光学系ＩＬ４は、検査領域１４ｂに対して検査光ＤＬ１が斜入射するように検査領域１４ｂに検査光ＤＬ１を照射することができる限りは、どのような構造を有していてもよい。結像光学系ＩＭ４は、検査光ＤＬ１が斜入射した検査領域１４ｂからの出射光ＤＬ２の一部を検出器１８７に導くという点で、検査光ＤＬ１が垂直入射した検査領域１４ｂからの出射光ＤＬ２の一部を検出器１８７に導く結像光学系ＩＭ１と異なっている。図１３に示す例では、結像光学系ＩＭ４は、結像光学系ＩＭ１と比較して、ビームスプリッタ１８３を含んでいなくてもよいという点で異なっている。但し、結像光学系ＩＬ４は、検査光ＤＬ１が斜入射した検査領域１４ｂからの出射光ＤＬ２の一部を検出器１８７に導くことができる限りは、どのような構造を有していてもよい。第４実施形態の検査装置４８のその他の構成要件は、第１実施形態の検査装置１８のその他の構成要件と同一であってもよい。
このような第４実施形態の露光装置４もまた、第１実施形態の露光装置１が享受可能な効果と同様の効果を享受可能である。

加えて、斜入射に起因して、照明光学系ＩＬ４、結像光学系ＩＭ４及び検出器１８７を、空間光変調器１４に入射する露光光ＥＬ２及び空間光変調器１４から出者する露光光ＥＬ３の光路に重ならないように配置することも可能である。この場合には、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が行われる露光期間中の検査装置４８の位置と、検査装置４８が空間光変調器１４を検査する検査期間中の検査装置４８の位置とが同じであっても、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が検査装置４８によって妨げられることはない。つまり、検査装置４８が移動しない場合であっても、露光光ＥＬ３によるウェハ１６１の露光が検査装置４８によって妨げられることはない。このため、この場合には、露光装置４は、移動装置１９を備えていなくてもよい。その結果、露光装置４の構造が相対的に簡易になる。
（５）第５実施形態の露光装置５

続いて、図１４を参照しながら、第５実施形態の露光装置５について説明する。図１４に示すように、第５実施形態の露光装置５は、第４実施形態の露光装置４と比較して、光変調面１４ａがカバーガラス５１によって保護されているという点で異なっている。第５実施形態の露光装置５のその他の構成要件は、第４実施形態の露光装置４のその他の構成要件と同一であってもよい。このため、第４実施形態の露光装置４の構成要件と同一の構成要件については、同一の参照符号を付することでその詳細な説明を省略する。

光変調面１４ａがカバーガラス５１によって保護されている場合は、露光光ＥＬ２は、カバーガラス５１を介して光変調面１４ａに照射される。更に、光変調面１４ａによって空間変調された露光光ＥＬ３は、カバーガラス５１を介して投影光学系１５に入射する。更に、検査光ＤＬ１は、カバーガラス５１を介して検査領域１４ｂに照射される。

このようなカバーガラス５１を露光装置５が備えている場合には、露光装置５は、検査装置４８に代えて、検査装置５８を備える。図１５に示すように、検査装置５８は、検査装置４８と比較して、照明光学系ＩＬ４に代えて、照明光学系ＩＬ５を備えているという点で異なっている。照明光学系ＩＬ５は、照明光学系ＩＬ４と比較して、偏光板５８９を更に備えているという点で異なっている。偏光板５８９は、光源１８１とカバーガラス５１との間における検査光ＤＬ１の光路上に配置される。偏光板５８９は、検査光ＤＬ１をｐ偏光に変換する。第５実施形態では更に、カバーガラス５１に対する検査光ＤＬ１（つまり、ｐ偏光に変換された検査光ＤＬ１）の入射角θｉが、ブルースター角（言い換えれば、偏光角）となるように、カバーガラス５１に対して照明光学系ＩＬ５が位置合わせされている。その結果、第５実施形態では、検査光ＤＬ１がカバーガラス５１の表面で殆ど反射しなくなる。このため、検査光ＤＬ１のカバーガラス５１での反射に起因したノイズが、出射光ＤＬ２に重畳されることがない。従って、検査光ＤＬ１のカバーガラス５１での反射に起因した検査精度の悪化が適切に防止される。
（６）その他の変形例

尚、図１から図１５を用いて説明した露光装置１及び検査装置１８の構造及び動作は一例である。従って、露光装置１及び検査装置１８の構造及び動作の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、露光装置１及び検査装置１８の構造及び動作の少なくとも一部の改変の例について説明する。

上述の説明では、露光装置１は、液体を介することなくウェハ１６１を露光するドライタイプの露光装置である。しかしながら、露光装置１は、露光光ＥＬ３の光路を含む液浸空間を投影光学系１５とウェハ１６１との間に形成すると共に、投影光学系１５及び液浸空間を介してウェハ１６１を露光する液浸露光装置であってもよい。尚、液浸露光装置の一例は、例えば、欧州特許出願公開第１，４２０，２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号及び米国特許第６，９５２，２５３号明細書等に開示されている。

露光装置１は、複数のステージ１６を備えるツインステージ型又はマルチステージ型の露光装置であってもよい。露光装置１は、複数のステージ１６及び計測ステージを備えるツインステージ型又はマルチステージ型の露光装置であってもよい。ツインステージ型の露光装置の一例は、例えば、援用によって本願明細書に取り込まれる米国特許第６，３４１，００７号、米国特許第６，２０８，４０７号及び米国特許第６，２６２，７９６号に開示されている。

光源１１は、露光光ＥＬ１として、波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ光とは異なる任意の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、波長が２４８ｎｍであるＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光：Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、所望の波長を有する任意のレーザ光又はその他任意の光（例えば、水銀ランプから射出される輝線であり、例えば、ｇ線、ｈ線若しくはｉ線等）を射出してもよい。光源１１は、米国特許第７，０２３，６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（或いは、エルビウムとイットリウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅すると共に非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換することで得られる高調波を射出してもよい。光源１１は、波長が１００ｎｍ以上の光に限らず、波長が１００ｎｍ未満の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、軟Ｘ線領域（例えば、５から１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を射出してもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、露光光ＥＬ１として用いることが可能な電子線ビームを射出する電子線ビーム源を備えていてもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザ等）から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源を備えていてもよい。固体パルスレーザ光源は、露光光ＥＬ１として用いることが可能な波長が１９３ｎｍ（これ以外の種々の波長、例えば２１３ｎｍ、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ等の波長が可能）でパルス幅１ｎｓ程度のパルスレーザ光を１〜２ＭＨｚ程度の周波数で射出可能である。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、露光光ＥＬ１として用いることが可能な任意のエネルギビームを射出するビーム源を備えていてもよい。

デバイスパターンが転写される物体は、ウェハ１６１に限らず、ガラス板や、セラミック基板や、フィルム部材や、マスクブランクス等の任意の物体であってもよい。露光装置１は、ウェハ１６１に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置であってもよい。露光装置１は、液晶表示素子製造用の又はディスプレイ製造用の露光装置であってもよい。露光装置１は、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（例えば、ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ及びフォトリソグラフィーに用いられるマスク若しくはレチクルのうちの少なくとも一つを製造するための露光装置であってもよい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１６に示す各ステップを経て製造されてもよい。マイクロデバイスを製造するためのステップは、マイクロデバイスの機能及び性能設計を行うステップＳ２０１、機能及び性能設計を用いて空間光変調器１４を制御するための制御データ（つまり、複数のミラー要素１４１の状態の分布を規定する変調パターンデータ）を生成するステップＳ２０２、デバイスの基材であるウェハ１６１を製造するステップＳ２０３、空間光変調器１４が露光光ＥＬ２を反射することで得られる露光光ＥＬ３を用いてウェハ１６１を露光し且つ露光されたウェハ１６１を現像するステップＳ２０４、デバイス組み立て処理（ダイシング処理、ボンディング処理、パッケージ処理等の加工処理）を含むステップＳ２０５及びデバイスの検査を行うステップＳ２０６を含んでいてもよい。

上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う検査装置及び検査方法、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１ 露光装置
１１ 光源
１２ 照明光学系
１４ 空間光変調器
１４ａ 光変調面
１４１ ミラー要素
１５ 投影光学系
１６ ステージ
１６１ ウェハ
１７ コントローラ
１８ 検査装置
１８１ 光源
１８５ 瞳絞り
１８７ 検出器
１８８ コントローラ
ＩＬ１ 照明光学系
ＩＭ１ 結像光学系
ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３ 露光光
ＤＬ１ 検査光
ＤＬ２ 出射光
ＤＬ３ 検出光

Claims (30)

1. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を検査する検査装置であって、
   前記入射領域に検査光を照射する第１光学系と、
   前記入射領域への前記検査光の照射により前記入射領域から発生する第１出射光のうち、前記検査光の正反射光を含む第２出射光以外の第３出射光を検出する検出器と、
   前記検出器の検出結果を用いて、前記複数の光学要素のうちの欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素を特定するコントローラと
   を備える検査装置。
2. 前記第２出射光は、更に、前記複数の光学要素の間の隙間を介した第４出射光を含む
   請求項１に記載の検査装置。
3. 前記第１光学系は、平行光である前記検査光を前記入射領域に照射する
   請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記第１光学系は、前記検査光が前記入射領域に対して垂直入射又は斜入射するように、前記検査光を照射する
   請求項３に記載の検査装置。
5. 前記第１光学系は、前記コントローラが前記複数の光学要素の状態を同じにするための制御信号を用いて前記複数の光学要素を制御している状態で、前記検査光を照射する
   請求項１から４のいずれか一項に記載の検査装置。
6. 前記第１光学系は、単一波長を有する前記検査光を照射する
   請求項１から５のいずれか一項に記載の検査装置。
7. 前記第１光学系は、夫々異なる波長を有する複数の前記検査光を順に照射する
   請求項１から６のいずれか一項に記載の検査装置。
8. 前記第１出射光のうちの前記第３出射光を前記検出器に導く一方で、前記第１出射光のうちの前記第２出射光を前記検出器に導かない第２光学系を更に備える
   請求項１から７のいずれか一項に記載の検査装置。
9. 前記第２光学系は、前記空間光変調器と前記検出器との間における前記第２出射光の光路上に配置され且つ前記第２出射光を遮光する第１光学素子を含む
   請求項８に記載の検査装置。
10. 前記第２光学系は、前記第３出射光が通過可能な開口を有する第２光学素子を含む
    請求項８又は９に記載の検査装置。
11. 前記第２光学系は、前記空間光変調器と前記検出器との間における前記第２出射光の光路上に配置され且つ前記第２出射光を遮光する第１光学素子と、前記第３出射光が通過可能な開口を有し且つ前記第１光学素子と一体化された第２光学素子とを含む
    請求項８から１０のいずれか一項に記載の検査装置。
12. 前記第２出射光は、前記複数の光学要素の間の隙間を介した第４出射光を更に含み、
    前記第２光学素子は、前記第４出射光を通過させない
    請求項１０又は１１に記載の検査装置。
13. 前記第２光学系は、前記第２光学系の開口数を、前記第１光学系が照射する前記検査光の波長に応じて変化させる
    請求項８から１２のいずれか一項に記載の検査装置。
14. 前記第２光学系は、前記第１光学系が照射する前記検査光の波長に対する前記第２光学系の開口数の比が一定になるように、前記第２光学系の開口数を変化させる
    請求項１３に記載の検査装置。
15. 前記検出器は、前記入射領域と光学的に共役な所定の光学面上での前記第３出射光の強度分布を検出する
    請求項１から１４のいずれか一項に記載の検査装置。
16. 前記コントローラは、前記第３出射光の強度が極大又は極小となる前記光学面上の第１領域に対応する前記入射領域中の第２領域に存在する前記光学要素を、前記欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素として特定する
    請求項１５に記載の検査装置。
17. 前記第１光学系は、状態が既知である複数の光学要素を備える基準器に前記検査光を照射し、
    前記検出器は、前記基準器への前記検査光の照射により前記基準器から発生する第５出射光のうち、前記検査光の正反射光を含む第６出射光以外の第７出射光を検出し、
    前記コントローラは、前記第７出射光の検出結果に基づいて、前記第３出射光の強度の基準値を算出し、
    前記コントローラは、前記基準値と前記第３出射光の検出結果とに基づいて、前記欠陥が生じている前記少なくとも一つの光学要素を特定する
    請求項１から１６のいずれか一項に記載の検査装置。
18. 前記欠陥は、前記少なくとも一つの光学要素の位置が固着する欠陥である
    請求項１から１７のいずれか一項に記載の検査装置。
19. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を検査する検査方法であって、
    前記入射領域に検査光を照射することと、
    前記入射領域への前記検査光の照射により前記入射領域から発生する第１出射光のうち、前記検査光の正反射光を含む第２出射光以外の第３出射光を検出することと、
    前記検出器の検出結果を用いて、前記複数の光学要素のうちの欠陥が生じている少なくとも一つの光学要素を特定することと
    を備える検査方法。
20. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光装置であって、
    前記空間光変調器と、
    請求項１から１８のいずれか一項に記載の検査装置と
    を備える露光装置。
21. 前記検査装置は、前記物体に前記露光光が照射されていない第１期間中に、前記空間光変調器を検査する
    請求項２０に記載の露光装置。
22. 前記検査装置は、前記第１期間中に、前記入射領域に前記検査光を照射可能な第１位置に配置され、前記物体に前記露光光が照射されている第２期間中に、前記物体への前記露光光の照射を妨げない第２位置に配置される
    請求項２１に記載の露光装置。
23. 前記第１及び第２位置の間で前記検査装置を移動可能な第１移動装置を備える
    請求項２２に記載の露光装置。
24. 前記空間光変調器は、前記第１期間中に、前記検査光が照射される第３位置に配置され、前記物体に前記露光光が照射されている第２期間中に、前記露光光が照射される第４位置に配置される
    請求項２１から２３のいずれか一項に記載の露光装置。
25. 前記第３及び第４位置の間で前記空間光変調器を移動可能な第２移動装置を備える
    請求項２４に記載の露光装置。
26. 前記検査装置の検査結果に基づいて前記空間光変調器を制御する制御装置を備える
    請求項２０から２５のいずれか一項に記載の露光装置。
27. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光装置であって、
    前記空間光変調器と、
    請求項１９に記載の検査方法の検査結果に基づいて、前記空間光変調器を制御する制御装置と
    を備える露光装置。
28. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光することと、
    請求項１９に記載の検査方法を用いて前記空間光変調器を検査することと
    を備える露光方法。
29. 光が入射可能な入射領域に配置された複数の光学要素を備える空間光変調器を介して露光光を物体に照射することで前記物体を露光する露光方法であって、
    請求項１９に記載の検査方法を用いた前記空間光変調器の検査結果を取得することと、
    前記空間光変調器の検査結果に基づいて、前記空間光変調器を制御することと
    を備える露光方法。
30. 請求項２８又は２９に記載の露光方法を用いて、感光剤が塗布された前記物体を露光し、当該物体に所望のパターンを転写し、
    露光された前記感光剤を現像して、前記所望のパターンに対応する露光パターン層を形成し、
    前記露光パターン層を介して前記物体を加工するデバイス製造方法。

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