JP2018205003A - 半導体素子の試験用治具及び信頼性試験装置 - Google Patents

半導体素子の試験用治具及び信頼性試験装置 Download PDF

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Abstract

【課題】信頼性試験時に放電を抑制し、かつリーク電流を低減できる試験用治具及び信頼性試験装置を提供する。
【解決手段】試験用治具14は、金属製の端子と端子を支持する絶縁材からなる絶縁部とを含むコネクタ部24と、コネクタ部24の絶縁部を保持する金属製の基台22と、電極が形成された被試験基板20を基台22から離れた位置で支持するための絶縁材からなるスペーサ36と、端子に電気的に接続され且つ被試験基板20の電極に電気的に接続するためのプローブ50を保持する絶縁材からなる保持部52と、基台22に支持され、保持部52を支持する絶縁材からなる支柱と、を備えている。
【選択図】図3

Description

本発明は、半導体素子の試験用治具及び信頼性試験装置に関するものである。
従来、半導体素子の信頼性を確認するための試験として種々の試験が行われている。例えば特許文献1には、信頼性試験として、半導体素子を高温環境下におき、非導通状態で電圧を印加する高温逆バイアス試験を行うことが開示されている。このような信頼性試験を行う際には、半導体素子をチャンバー内に固定するための試験用治具が用いられる(例えば特許文献2参照)。試験用治具は、半導体素子を保持するための構造を有する一方で、半導体素子に電圧を印加するための導通構造が設けられている。また、高温環境下で行う信頼性試験にも適するように、金属板で構成された基台を有するものもある。
特開2001−91571号公報 特開平5−183027号公報
半導体素子に高電圧を印加したときには、基台と半導体素子との間で予期せぬ放電が生ずることがある。また、半導体素子に要求される特性の高まりを受け、試験用治具において、高電圧側から試験用治具へのリーク電流を低減させることが望まれている。
そこで、本発明は、前記従来技術を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、信頼性試験時に放電を抑制し、かつリーク電流を低減できる試験用治具及び信頼性試験装置を提供することにある。
前記の目的を達成するため、本発明は、金属製の端子と前記端子を支持する絶縁材からなる絶縁部とを含むコネクタ部と、前記コネクタ部の前記絶縁部を保持する金属製の基台と、電極が形成された被試験基板を前記基台から離れた位置で支持するための絶縁材からなるスペーサと、前記端子に電気的に接続され且つ前記被試験基板の前記電極に電気的に接続するためのプローブを保持する絶縁材からなる保持部と、前記基台に支持され、前記保持部を支持する絶縁材からなる支柱と、を備えている、半導体素子の試験用治具である。
本発明では、絶縁材からなるスペーサによって、被試験基板と金属製基台とを離間させることにより、被試験基板と金属製基台との間で放電が生ずることを防止することができる。また、プローブを保持する保持部が、基台に直接取り付けられるのではなく、支柱を介して基台に支持されている。すなわち、保持部よりも断面積の小さな支柱が、基台と保持部との間に介装されているので、保持部と基台との間の体積抵抗率を上げることができる。これにより、プローブから基台側へのリーク電流を低減することができる。
前記支柱には、その長さ方向に貫通する貫通孔が形成されていてもよい。この態様では、支柱が中実状に形成される場合に比べ、支柱の断面積を小さくすることができる。したがって、保持部と基台との間の体積抵抗率をさらに高くすることができ、プローブから基台側へのリーク電流をさらに低減することができる。
前記支柱の先端及び基端に有底穴が形成されていてもよい。この態様では、支柱が中実状に形成される場合に比べ、支柱の断面積を部分的に小さくすることができる。この場合でも、保持部と基台との間の体積抵抗率をさらに高くすることができるため、プローブから基台側へのリーク電流をさらに低減することができる。
前記プローブにおいて前記電極に接触する先端面からつながる部位を被覆する被覆部を備えていてもよい。この態様では、プローブと被試験基板の電極との接触を確保しつつ、プローブの露出面積を低減することができる。このため、プローブの機能を確保しつつプローブからの放電をより抑制することができる。
前記プローブの前記先端面は丸曲面に形成されていてもよい。この態様では、プローブによって被試験基板の電極に高電圧を印加する場合に有用な構成となる。
前記プローブが前記被試験基板に接触した状態にあるときに、前記プローブは、前記先端面と前記部位の外周面との接続部分が前記被覆部によって被覆された状態にあってもよい。この態様では、丸曲面に形成されている先端面と前記部位の外周面との接続部分が例えば僅かに段差状に接続することがあったとしても、この部分が被覆部によって被覆される。これにより、この部分からの放電が生ずることを防止することができる。
前記コネクタ部の前記絶縁部は、前記端子を囲む囲み部を有していてもよい。この態様では、コネクタ部の端子が絶縁部の囲み部によって囲まれているので、試験用治具が信頼性試験装置のラック部に装着された状態では、コネクタ部の端子が露出することを防止することができる。これにより、コネクタ部の端子からの放電が生ずることを防止することができる。
本発明は、前記半導体素子の試験用治具と、前記半導体試験用治具を装着するためのチャンバーと、を有し、前記チャンバーには、前記コネクタ部の前記端子に結合される端子が設けられている、半導体素子の信頼性試験装置である。
本発明では、信頼性試験時において、試験用治具内での放電を抑制し、かつ試験用治具からのリーク電流を低減できるので、より精度の高い試験結果を得ることができる。
以上説明したように、本発明の試験用治具及び信頼性試験装置によれば、信頼性試験時に放電を抑制し、かつリーク電流を低減することができる。
本発明の実施形態に係る信頼性試験装置を前側から見た図である。 前記信頼性試験に用いられる試験用治具の平面図である。 前記試験用治具の側面図である。 (a)はチャンバーに設けられた接続部の構成を示す図であり、(b)は試験用治具のコネクタ部の構成を示す図である。 図2中のV−V線における断面図である。 図5を部分的に拡大して示す図である。 図2中のVII−VII線における断面図である。 図7中のVIII−VIII線における断面図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体素子の信頼性試験装置(以下、単に試験装置)10は、試験室を有するチャンバー12と、チャンバー12内に固定されたラック部13と、ラック部13によってチャンバー12内に位置決めされてチャンバー12に装着される半導体素子の試験用治具14と、を備えている。また、試験装置10は、チャンバー12の横に配置され、試験条件等を入力するための操作を行う操作部15を備えている。チャンバー12は、試験室内の温度を調整する機器が配設された空調室を備えているが、空調室は図1において、試験室の奥側に配置されているため、図示されていない。なお、図1は、手前の扉体が取り外されて、試験室内が露出した状態を示しているが、試験中は扉体で試験室を密閉するように構成されている。
この試験装置10は、半導体素子の高温逆バイアス試験、高温ゲートバイアス試験、高温高湿バイアス試験、静電破壊試験等の信頼性試験を行うための制御を行うことができる。このため、試験装置10は、操作部15を通して入力された試験条件に基づき、試験室内を例えば150℃以上の高温に維持する制御を行うことができる。また、試験装置10は、ラック部13を通して試験用治具14に例えば10kV以上(例えば15kV程度)の高電圧を印加する制御を行うことができる。チャンバー12は、恒温槽によって構成されているが、高温高湿バイアス試験等を可能にすべく、恒温恒湿槽によって構成されていてもよい。
チャンバー12は、試験用治具14の後述するコネクタ部24を接続するための接続部16を有している。接続部16は、ラック部13の位置に対応して配置されている。接続部16には、高圧側のコネクタ部24を接続する第1接続部16と、低圧側(又はマイナス側)のコネクタ部24を接続する第2接続部16と、が含まれている。第1接続部16及び第2接続部16は、手前側(すなわち、扉体側)を向いている。したがって、試験用治具14を手前側からラック部13に装着することができる。第1接続部16及び第2接続部16には、雌端子16a(図4(a)参照)が設けられており、雌端子16aは、図外の電圧供給装置に電気的に接続されて、電圧供給装置から電圧供給を受ける。
試験装置10には、図1に示すように、上下に3段のラック部13が設けられていて、試験装置10は、最大で3つの試験用治具14を接続できる構成となっている。なお、図1は下の2段のラック部13に試験用治具14が接続され、最上段のラック部13には試験用治具14が接続されていない状態を示している。
試験用治具14は、半導体素子を装着可能な被試験基板20を固定するとともに、チャンバー12を通して印加された電圧を被試験基板20に印加できるように構成されている。以下、試験用治具14の構成について、具体的に説明する。
試験用治具14は、図2及び図3に示すように、基台22と、取っ手23と、コネクタ部24とを、備えている。基台22は、金属板を組み合わせて偏平な直方体状に構成したものである。図2は、基台22の正面となる正面板22a側から見た状態を示しており、基台22の正面板22aには、複数(図例では4つ)の被試験基板20を取り付けることができるようになっている。本実施形態では、正面板22aが上を向き、背面板22bが下を向く姿勢でチャンバー12に装着される。このため、正面板22aは上面板となり、背面板22bは下面板となる。
基台22の正面板22aと背面板22bとは、互いに間隔をおいた状態で配置されて側面板22cによって互いに結合されている。側面板22cは、矩形状の正面板22aの一辺を除く三辺に沿って配置されている。側面板22cの配置されていない一辺側には、正面板22aと背面板22bとの間に開口が形成され、この開口にコネクタ部24が挿入されている。コネクタ部24と対向する側に配置された図略の側面板22cには、取っ手23が固定されている。この取っ手23が手前側となり且つコネクタ部24が奥側になった状態で、試験用治具14をラック部13に装着することができる。
コネクタ部24には、低電圧側のコネクタ部24と高電圧側のコネクタ部24とがあるが、これらは同様の構成である。コネクタ部24は、図4(b)に示すように、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる絶縁部24aと、金属製の雄端子24bと、を有している。絶縁部24aは、直方体状のブロック状に形成されている。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂又はセラミック材等を例示できる。
絶縁部24aは、その一部が基台22の正面板22a及び背面板22bの間の間隙から突出している。この突出した部位の平面状の端面(直方体の一面)24cには、該端面24cから凹むように2つの凹部24dが形成されている。凹部24dは、端面24cに平行な円形状の底面24eと、端面24cと底面24eの外周部とを繋ぎ、雄端子24bの周囲を囲む内周面24fと、を有する。雄端子24bは、底面24eから端面24cに向かって延びる姿勢で配置され、絶縁部24aに支持されている。ただし、雄端子24bは、凹部24d内に完全に収まっていて、端面24cから外側に突出していない。凹部24dの内周面24fは、雄端子24bを囲む囲み部として機能する。内周面24fと雄端子24bとの間の隙間幅は、接続部16に設けられた雌端子16aを挿入可能な隙間幅となっている。
一方、第1接続部16は、図4(a)に示すように、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる端子台16bと、端子台16bの前面16dに取り付けられた雌端子16aとを有している。雌端子16aの根元には、コネクタ部24の凹部24dの内周面24fに適合した外周面を有する嵌合部材16cが固定されている。
端子台16bは、雌端子16aがチャンバー12の前側(扉体側)を向くように固定されている。雌端子16aが取り付けられた端子台16bの前面16dは平面状に形成されている。このため、試験用治具14をラック部13に装着する操作を行うと、雄端子24bが雌端子16a内に挿入され、嵌合部材16cが凹部24dの内周面24fに嵌め合わされる。この状態で、端子台16bの前面16dと絶縁部24aの端面24cとが、端子台16b及び絶縁部24aの間に隙間が形成されないように接触する。したがって、雄端子24b及び雌端子16aは、絶縁材によって完全に囲まれた状態となる。これにより、端子24b,16aからの放電を防止することができる。なお、第2接続部16の構成は図示していないが、第2接続部16も第1接続部16と同様に構成されている。本実施形態では、試験用治具14に設けられた端子が雄端子24bとして構成され、チャンバー12に設けられた端子が雌端子16aとして構成されているが、これに限られない。試験用治具14に雌端子が設けられ、チャンバー12に雄端子が設けられてもよい。この場合、雌端子は、試験用治具14のコネクタ部24の凹部24d内に設けられる。
図2に示すように、基台22の正面板22a上には、被試験基板20の低電圧側の電極20aに接続するための構造を有する低電圧側の電気接続部27と、被試験基板20の高電圧側の電極20bに接続するための構造を有する高電圧側の電気接続部28と、被試験基板20の測定用電極20cに接続するための構造を有する測定用電気接続部29と、が設けられている。本実施形態では、複数(図例では4つ)の被試験基板20を試験用治具14に取付け可能な構成となっているため、これらの電気接続部27,28,29は、いずれも複数(図例では4つ)設けられている。低電圧側の電極20a、高電圧側の電極20b及び測定用電極20cは何れも、被試験基板20の同じ面(表面)に設けられている。
低電圧側の電気接続部27と測定用電気接続部29の構成は同じであるため、ここでは、低電圧側の電気接続部27の構造について説明し、測定用電気接続部29の構造についての説明は省略する。
図5及び図6に示すように、低電圧側の電気接続部27は、被試験基板20の低電圧側の電極20aに接触可能に設けられたプローブ31(低電圧側プローブ31)と、第1接続部材32と、第2接続部材33と、プローブ31の先端面から繋がる部位を被覆する絶縁材からなる被覆部34と、基台22から離れた位置(及び第2接続部材33から離れた位置)で被覆部34を保持する支柱部35と、被試験基板20を基台22から離れた位置で支持するためのスペーサ36と、を備えている。
本実施形態では、各低電圧側の電気接続部27にそれぞれ複数(図例では2つ)のプローブ31が設けられているため、第1接続部材32及び第2接続部材33は、これら複数のプローブ31に電気的に接続するように設けられている。第1接続部材32及び第2接続部材33は、導通可能なようにステンレス等の金属製の板で構成されている。
プローブ31は、第1接続部材32に電気的に接続された状態で第1接続部材32に保持されている。第1接続部材32は一方向に細長い板状に形成されている。第1接続部材32と第2接続部材33とは、後述するネジ40によって電気的に接続されている。第2接続部材33は、低電圧側のコネクタ部24に設けられた雄端子24bに図略の導電線によって電気的に接続されている。
被覆部34は第1接続部材32と同様に一方向に長い形状に形成されている。そして、被覆部34は、第1接続部材32と支柱部35との間に挟み込まれている。被覆部34には、プローブ31が貫通する貫通孔が形成されている。被覆部34は、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
スペーサ36は、基台22と第2接続部材33との間に配置された基側部36aと、プローブ31に対向する位置で第2接続部材33に保持された先側部36bと、を有する。基側部36aは、一端に雌ネジが形成されるとともに他端に雄ネジ38が形成されたナット部材によって構成されている。雄ネジ38が正面板22aを貫通するとともに図略のナットが雄ネジ38に螺合することにより、基側部36aは、正面板22aに固定される。また、ビス39が第2接続部材33を貫通して基側部36aの雌ネジに螺合することにより、基側部36aは第2接続部材33に固定される。第2接続部材33と基台22の間に基側部36aを挟み込むことにより、グラウンドとして機能する基台22から第2接続部材33を離した位置で第2接続部材33を位置決めすることができる。先側部36bは、雄ネジ部を有しており、この雄ネジ部が第2接続部材33のネジ孔に螺合することにより、第2接続部材33に固定されている。
なお、スペーサ36は、基側部36aと先側部36bとが別体に構成されているものに限られない。スペーサ36は、第2接続部材33を貫通する一体構成の部材で構成されていてもよい。この場合、第2接続部材33が基台22から離れた位置で固定されるように図略の支持部材が設けられることになる。
スペーサ36の基側部36a及び先側部36bは、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等の電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。スペーサ36(先側部36b)は、被試験基板20におけるプローブ31が接触する面(表面)とは反対側の面(裏面)に接触する。
支柱部35は、被覆部34よりも体積の小さな部材によって構成されており、第2接続部材33と被覆部34との間に配置されている。支柱部35は、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
支柱部35は、その長さ方向に貫通孔が形成された筒状に形成されている。これにより、支柱部35の断面積を低減することができ、体積抵抗率を上げることができる。
第2接続部材33及び第1接続部材32は、ステンレス等の導電性を有する金属製のネジによって結合されている。すなわち、第2接続部材33にネジ孔が設けられており、被覆部34及び支柱部35には貫通孔が形成されている。そして、ネジ40の頭部と第2接続部材33との間に支柱部35、被覆部34及び第1接続部材32が挟み込まれた状態で、ネジ40が第2接続部材33のネジ孔に螺合している。これにより、第2接続部材33と第1接続部材32との電気的な導通が確保されている。なお、支柱部35の中にステンレス等の金属製のナット42が配設されており、ネジ40はこのナット42にも螺合している。このナット42により、ネジ40と第2接続部材33との電気的な接続をより強固なものにしている。
なお、本実施形態では、被覆部34が第1接続部材32と第2接続部材33とを結合するネジ40によって固定される構成であるが、被覆部34はこれと別個に設けられた図略のボルトによって第1接続部材32と締結されていてもよい。このボルトは絶縁材で構成されることとなる。
また、本実施形態では、各低電圧側の電気接続部27において、複数(図例では2つ)のプローブ31が設けられた構成を示しているが、これに限られるものではない。1つのプローブ31が設けられる構成でも、3つ以上のプローブ31が設けられる構成でもよい。1つのプローブ31が設けられる構成の場合、これらプローブ31間の導電を確保するための第2接続部材33に代えて、図略の導電線によって、プローブ31と低電圧側のコネクタ部24に設けられた雄端子24bとを接続する構成としてもよい。この場合の第1接続部材32は、導電性の材質で構成されるのはなく、絶縁材によって構成されることになる。この場合でも、第1接続部材32は、支柱部35及びスペーサ36の基側部36aを介して基台22に支持された状態でプローブ31を保持する構成に変わりはない。第2接続部材33が省略される構成の場合には、スペーサ36は、基側部36aと先側部36bとに分かれた構成ではなくなり、一体ものの構成となり、基台22の正面板22aに取り付けられる構成となる。
プローブ31が1つのみ設けられる場合であっても、本実施形態と同様に、第2接続部材33を用いてもよい。この場合、第2接続部材33と第1接続部材32とが導通可能なように電気的に接続され、プローブ31は、第1接続部材32及び第2接続部材33を通して、コネクタ部24の雄端子24bと電気的に接続される。
プローブ31は、頭部31aと頭部31aよりも幅の狭い軸部31bとを有する。頭部31aは、丸曲面に形成された先端面31cと、先端面31cからつながる周面を有する胴部31dとからなる。
プローブ31の軸部31bは、外周面に雄ネジが形成された筒部を有するスリーブ31e内に挿通されている。スリーブ31eの筒部の一端には、フランジ部31fが形成されていて、スリーブ31eは、フランジ部31fがプローブ31の先端面31c側になる姿勢でプローブ31に嵌められている。筒部は、第1接続部材32に形成された挿通孔を貫通しており、フランジ部31fは、第1接続部材32におけるプローブ31の頭部31aに対向する面(第1面;図6における下面)に接触している。第1接続部材32における第1面とは反対側の面(第2面)側においては、ナット44が筒部の雄ネジに螺合している。ナット44とフランジ部31fによって第1接続部材32を挟み込んでおり、この状態で、スリーブ31eが第1接続部材32に固定されている。
プローブ31はスリーブ31e内を移動可能に貫通しているため、プローブ31には抜け止めのためのカラー45が固定されている。また、スリーブ31eのフランジ部31fとプローブ31の頭部31aにおける胴部31dとの間にはコイルバネ46が配設されている。コイルバネ46は、フランジ部31fを第1接続部材32側に押圧しつつプローブ31をスペーサ36側(先側部36b側)に付勢している。これにより、プローブ31が外から押圧されない自然状態では、カラー45がスリーブ31eに当接してプローブ31は被覆部34から突出する方向に位置づけられる。一方で、プローブ31の頭部31aをスペーサ36から離す方向に外から押圧すると、プローブ31の先端面31cが被覆部34内に引っ込む方向にプローブ31を移動させることができる。このような状態で、プローブ31は第1接続部材32に保持されている。被試験基板20が試験用治具14に装着されると、低電圧側プローブ31の先端面31cは、被試験基板20の低電圧側の電極20aと接触する。
図7及び図8に示すように、高電圧側の電気接続部28は、被試験基板20の高電圧側の電極20bに接触可能に設けられたプローブ50(高電圧側プローブ50)と、プローブ50を保持する保持部52と、プローブ50の先端面50cから繋がる部位を被覆する絶縁材からなる被覆部54と、基台22から離れた位置で保持部52及び被覆部54を支持する支柱55と、を備えている。
保持部52は、一方向に長い形状に形成されており、厚みの厚い厚肉部52aと、厚肉部52aよりも薄肉に形成された薄肉部52bと、を備えている。薄肉部52bは、厚肉部52aの両側に配置されている。保持部52は第1対向面52d(図8における下側の面)と、第1対向面52dとは反対側を向く第1外側面52eとを有する。第1対向面52dは、厚肉部52a及び薄肉部52bに亘って平坦な平面状に形成されている。第1外側面52eは、厚肉部52aのところで薄肉部52bのところよりも盛り上がった形状に形成されている。
厚肉部52aには、第1対向面52dから凹むように形成された有底の凹部52cが形成されている。この凹部52c内にはプローブ(高電圧側プローブ)50が挿入されている。
保持部52は、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
保持部52の薄肉部52bには、第1ネジ57を挿通させる図略の挿通孔と、第2ネジ58を挿通させる挿通孔とが形成されている。これら挿通孔は、第1対向面52dから第1外側面52eに亘って保持部52の薄肉部52bを貫通している。保持部52には、第2ネジ58によって被覆部54が固定されている。第2ネジ58は、保持部52の挿通孔から被覆部54に形成された挿通孔に亘って挿通されている。第2ネジ58には、ナット59が螺合されている。
第1ネジ57、第2ネジ58及びナット59は、コネクタ部24の雄端子24bから電気的に隔絶されているため金属製ではなく、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
被覆部54は、保持部52と支柱55との間に挟み込まれている。被覆部54は、保持部52と同じ方向に長い形状に形成されており、厚みの厚い厚肉部54aと、厚肉部54aよりも薄肉に形成された薄肉部54bと、を備えている。薄肉部54bは、厚肉部54aの両側に配置されている。被覆部54は、保持部52の第1対向面52dに対向する第2対向面54cと、第2対向面54cとは反対側を向き基台22に対向する第2外側面54dと、を有する。
第2対向面54cは、厚肉部54aから薄肉部54bに亘って平坦に形成されるとともに、厚肉部54aに相当する部位に凹部54eが形成されている。第2外側面54dは、厚肉部54aから薄肉部54bに亘って形成されて、長手方向中央部分の厚肉部54aに相当する部分が薄肉部54bに相当する部分よりも盛り上がった形状に形成されている。
被覆部54は、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
被覆部54の厚肉部54aには、高電圧側プローブ50が貫通する貫通孔54fが形成されている。貫通孔54fは、第2対向面54cに形成された凹部54eの底面と、第2外側面54dとの間に亘って形成されている。
被覆部54の薄肉部54bには、保持部52を支柱55に固定するための第1ネジ57を挿通させる図略の挿通孔と、被覆部54を保持部52に固定するための第2ネジ58を挿通させる挿通孔と、が形成されている。
なお、第2ネジ58を省略し、第1ネジ57のみによって被覆部54が保持部52に固定される構成としてもよい。また、被覆部54は、保持部52と支柱55との間に挟み込まれた状態で固定される構成に限られない。被覆部54が保持部52と支柱55との間に挟み込まれない構成の場合、被覆部54は、第2ネジ58のみによって保持部52に固定される構成となる。
高電圧側プローブ50は、頭部50aと頭部50aよりも幅の狭い軸部50bとを有し、保持部52の凹部52c、被覆部54の凹部54e及び貫通孔54fに配置されている。頭部50aは、丸曲面に形成された先端面50cと、先端面50cからつながる円周面を有する胴部50dとからなる。
プローブ50の軸部50bは、外周面に雄ネジが形成された筒部を有するスリーブ50e内に挿通されている。スリーブ50eの筒部の一端には、フランジ部50fが形成されていて、スリーブ50eは、フランジ部50fがプローブ50の先端面50c側になる姿勢でプローブ50に嵌められている。筒部は、保持部52に形成された凹部52cに挿入されており、フランジ部50fが保持部52の第1対向面52dに接触している。筒部は、凹部52cに固定された筒状の雌ネジ部材61に固定されている。すなわち、雌ネジ部材61の内周面には雌ネジが形成されており、この雌ネジにスリーブ50eの雄ネジが螺合することにより、スリーブ50eが保持部52に固定されている。
プローブ50はスリーブ50e内を移動可能に貫通しているため、プローブ50には抜け止めのためのカラー63が固定されている。また、スリーブ50eのフランジ部50fとプローブ50の頭部50aにおける胴部50dとの間にはコイルバネ65が配設されている。コイルバネ65は、フランジ部50fを保持部52側に押圧しつつプローブ50を基台22側に付勢している。これにより、プローブ50が外から押圧されない自然状態では、カラー63がスリーブ50eに当接してプローブ50は被覆部54から突出する方向に位置づけられる一方で、プローブ50の頭部50aを被試験基板20から引き離す方向に外から押圧してプローブ50の先端面50cが被覆部54内に引っ込む方向に移動させることができる。このような状態で、プローブ50は保持部52に保持されている。被試験基板20が試験用治具14に装着されると、高電圧側プローブ50の先端面50cは、被試験基板20の高電圧側の電極20bと接触する。
プローブ50が被試験基板20に接触した状態にあるときには、プローブ50は、プローブ50の頭部50aの胴部50d及び軸部50bが被覆部54によって被覆された状態となっている。また、プローブ50が被試験基板20に接触した状態にあるときには、プローブ50の頭部50aの先端面50cと胴部50dの外周面との接続部分50gも、被覆部54によって被覆された状態となっている。すなわち、プローブ50が被試験基板20に接触した状態にあるときには、プローブ50は、接続部分50gが被覆部54の第2外側面54dよりも内側(第2対向面54c側)に位置する設定となっている。なお、プローブ50は、カラー63がスリーブ50eに接触した自然状態のときでも接続部分50gが被覆部54によって被覆される設定であってもよく、あるいは、自然状態では、接続部分50gが被覆部54の外側に位置する設定であってもよい。
支柱55は、一方向に長い形状に形成されており、その一端面が基台22の正面板22aに対向し、他端面が被覆部54及び保持部52に対向している。本実施形態では、支柱55は、その長さ方向の全体に亘って断面積が一定となる形状に形成されているが、これに限られない。例えば、支柱55は基台22側から保持部52側に向かうにしたがって断面積が小さくなる形状に形成されていてもよい。また、支柱55は、断面が円形に限られるものではなく、多角形状に形成されていてもよい。
支柱55は、電気的な絶縁性を有する絶縁材からなる。絶縁材の材質としては、例えば、PTFE樹脂、PPS樹脂、セラミック等を例示できる。
支柱55には、その長さ方向に延びて支柱55を貫通する貫通孔55aが形成されている。貫通孔55aには、保持部52側から被覆部54を通して第1ネジ57が挿入されている。第1ネジ57は、基台22の正面板22aを貫通している。図略のナットが第1ネジ57に螺合されることにより、保持部52と基台22の間に被覆部54及び支柱55が挟み込まれた状態で、保持部52が基台22に固定される。
支柱55には貫通孔55aが形成されているので、中実状に形成される構成に比べ、支柱部35の体積抵抗率を高くすることができる。なお、長さ方向の全体に亘って設けられる貫通孔55aに代え、長さ方向の両端にそれぞれ有底の穴(図示省略)が形成される構成であってもよい。この場合、保持部52側の穴には保持部52と支柱55とを締結するネジ(図示省略)が螺合し、基台22側の穴には、支柱55と基台22とを締結するネジ(図示省略)が螺合する。この場合、支柱55の両端近傍において、断面積が小さく形成されるため、両端近傍における支柱部35の体積抵抗率を高くすることができる。なお、支柱55は、貫通孔55aが形成されない中実状に形成されていてもよい。
以上説明したように、本実施形態では、絶縁材からなるスペーサ36によって、被試験基板20と金属製基台22とを離間させるとともに被試験基板20と第2接続部材33とを離間させることにより、被試験基板20と金属製基台22との間で放電が生ずることを防止することができるとともに被試験基板20と第2接続部材33との間で放電が生ずることを防止することができる。また、プローブ50を保持する絶縁材からなる保持部52が、基台22に直接取り付けられるのではなく、支柱55を介して基台22に支持されている。すなわち、保持部52よりも断面積の小さな支柱55が、基台22と保持部52との間に介装されているので、保持部52と基台22との間の体積抵抗率を上げることができる。これにより、プローブ50から基台22側へのリーク電流を低減することができる。
また、本実施形態では、支柱55には、その長さ方向に貫通する貫通孔55aが形成されているので、支柱55が中実状に形成される場合に比べ、支柱55の断面積を小さくすることができる。したがって、保持部52と基台22との間の体積抵抗率をさらに高くすることができ、プローブ50から基台22側へのリーク電流をさらに低減することができる。
また本実施形態では、プローブ50の先端面50cからつながる部位を被覆する被覆部54を備えているので、プローブ50と被試験基板20の電極20bとの接触を確保しつつ、プローブ50の露出面積を低減することができる。このため、プローブ50の機能を確保しつつプローブ50からの放電をより抑制することができる。
さらに、プローブ50が被試験基板20に接触した状態にあるときに、プローブ50は、先端面50cと胴部50dの外周面との接続部分50gが被覆部54によって被覆された状態にあるため、丸曲面に形成さ入れている先端面50cと胴部50dの外周面との接続部分50gが例えば僅かに段差状に接続することがあったとしても、この部分50gが被覆部54によって被覆される。これにより、この部分50gからの放電が生ずることを防止することができる。
また本実施形態では、コネクタ部24の雄端子24bが絶縁部24aに形成された凹部24dの内周面24fによって囲まれているので、試験用治具14が信頼性試験装置10のラック部13に装着された状態では、コネクタ部24の雄端子24b及びチャンバー12の雌端子16aが露出することを防止することができる。これにより、端子24b,16aからの放電が生ずることを防止することができる。
10 信頼性試験装置
12 チャンバー
14 試験用治具
16a 雌端子
20 被試験基板
20a 電極
20b 電極
20c 測定用電極
22 基台
24 コネクタ部
24a 絶縁部
24b 雄端子
31 プローブ
34 被覆部
36 スペーサ
50 プローブ
50a 頭部
50c 先端面
50d 胴部
50g 接続部分
52 保持部
54 被覆部
55 支柱
55a 貫通孔

Claims (8)

  1. 金属製の端子と前記端子を支持する絶縁材からなる絶縁部とを含むコネクタ部と、
    前記コネクタ部の前記絶縁部を保持する金属製の基台と、
    電極が形成された被試験基板を前記基台から離れた位置で支持するための絶縁材からなるスペーサと、
    前記端子に電気的に接続され且つ前記被試験基板の前記電極に電気的に接続するためのプローブを保持する絶縁材からなる保持部と、
    前記基台に支持され、前記保持部を支持する絶縁材からなる支柱と、
    を備えている、半導体素子の試験用治具。
  2. 前記支柱には、その長さ方向に貫通する貫通孔が形成されている、請求項1に記載の半導体素子の試験用治具。
  3. 前記支柱の先端及び基端に有底穴が形成されている、請求項1に記載の半導体素子の試験用治具。
  4. 前記プローブにおいて前記電極に接触する先端面からつながる部位を被覆する被覆部を備えている、請求項1から3の何れか1項に記載の半導体素子の試験用治具。
  5. 前記プローブの前記先端面は丸曲面に形成されている、請求項4に記載の半導体素子の試験用治具。
  6. 前記プローブが前記被試験基板に接触した状態にあるときに、前記プローブは、前記先端面と前記部位の外周面との接続部分が前記被覆部によって被覆された状態にある、請求項5に記載の半導体素子の試験用治具。
  7. 前記コネクタ部の前記絶縁部は、前記端子を囲む囲み部を有する、請求項1から6の何れか1項に記載の半導体素子の試験用治具。
  8. 請求項1から7の何れか1項に記載の半導体素子の試験用治具と、
    前記半導体試験用治具を装着するためのチャンバーと、を有し、
    前記チャンバーには、前記コネクタ部の前記端子に結合される端子が設けられている、半導体素子の信頼性試験装置。
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