JP2018200205A - Method and device for measuring curvature of chip - Google Patents

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Abstract

To measure the curvature of a chip when it is destroyed in estimating deflective strength of the chip.SOLUTION: A method for measuring the curvature of a chip when the chip is destroyed in a bending test of the chip, includes: a chip holding step of holding a first area on one end of the chip on a support surface of first holding means and holding a second area on the other end of the chip on a support surface of second holding means; a first moving step of relatively moving the first holding means and the second holding means such that the cross-sectional shape of a measurement area between the first area and second area of the chip becomes an arc shape, and bringing the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means to face each other; a second moving step of moving the first holding means and the second holding means relatively in a direction in which both the holding means approach each other; a chip destruction detection step of detecting that the chip is destroyed; and a curvature detection step of detecting the curvature of the measurement area when the destruction of the chip is detected.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、チップの抗折強度を評価する際にチップの曲率を測定する方法及びチップの抗折強度を評価する際のチップの曲率を測定する装置に関する。   The present invention relates to a method for measuring the curvature of a chip when evaluating the bending strength of the chip, and an apparatus for measuring the curvature of the chip when evaluating the bending strength of the chip.

半導体ウェーハの表面には複数の分割予定ラインが格子状に並ぶように設定され、該分割予定ラインによって区画される各領域のそれぞれにICやLSI等のデバイスが形成される。そして、該分割予定ラインに沿って該半導体ウェーハが分割されると、デバイスを有する個々のチップが形成される。   A plurality of division lines are set on the surface of the semiconductor wafer so as to be arranged in a lattice pattern, and devices such as ICs and LSIs are formed in the respective regions partitioned by the division lines. When the semiconductor wafer is divided along the division line, individual chips having devices are formed.

半導体ウェーハやチップに大きな衝撃が加わると、クラックや割れ等の損傷が生じてデバイスの機能が失われる場合がある。そのため、所定の水準の抗折強度を有するチップを開発するべく、半導体ウェーハや試作されたチップの抗折強度が測定される。抗折強度を評価する手法には、例えば、SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)規格G86−0303で規定される3点曲げ(3-Point Bending)法がある。   When a large impact is applied to a semiconductor wafer or chip, damage such as cracks or cracks may occur and the function of the device may be lost. Therefore, in order to develop a chip having a predetermined level of bending strength, the bending strength of a semiconductor wafer or a prototype chip is measured. As a method for evaluating the bending strength, for example, there is a 3-point bending method defined by SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) standard G86-0303.

例えば、半導体ウェーハの抗折強度を3点曲げ法により測定する場合、2つの円柱状の支持体を倒して互いに平行に並べ、該支持体の側面上に測定対象となる半導体ウェーハを該支持体に対して固定せずに載せる。そして、円柱状の圧子を該2つの支持体の間の該半導体ウェーハの上方にかつ該2つの支持体に平行に配置する。そして、該圧子により該半導体ウェーハを上方から押圧して破壊し、その時に該半導体ウェーハに加えられていた荷重を強度として測定する(特許文献1参照)。   For example, when measuring the bending strength of a semiconductor wafer by a three-point bending method, two cylindrical supports are tilted and arranged parallel to each other, and the semiconductor wafer to be measured is placed on the side of the support. Put it on without fixing. Then, a cylindrical indenter is disposed above the semiconductor wafer between the two supports and parallel to the two supports. Then, the semiconductor wafer is pressed and broken from above by the indenter, and the load applied to the semiconductor wafer at that time is measured as the strength (see Patent Document 1).

特開2014−222714号公報JP 2014-222714 A

近年、電子機器等の小型化及び薄型化の傾向が著しい。それに伴い該電子機器等に搭載されるチップの小型化及び薄型化の傾向も著しく、例えば、厚さが30μm以下の極薄チップが製造されている。該極薄チップの抗折強度を評価するために3点曲げ法による測定を実施しようとすると、測定時に圧子でチップを押圧してもチップが撓むばかりでチップを破壊できず抗折強度を測定できないとの問題が生じる。   In recent years, the tendency of downsizing and thinning of electronic devices has been remarkable. Along with this, the tendency of miniaturization and thinning of chips mounted on the electronic devices and the like is remarkable, and for example, ultrathin chips having a thickness of 30 μm or less are manufactured. In order to evaluate the bending strength of the ultra-thin chip, if the measurement is performed by the three-point bending method, even if the chip is pressed with an indenter at the time of measurement, the chip is bent and the bending strength cannot be broken. The problem of being unable to measure occurs.

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チップの抗折強度を評価する際の該チップの破壊時における曲率を測定できる方法及び該曲率を測定できる装置を提供することである。   The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a method capable of measuring the curvature at the time of breaking the chip when evaluating the bending strength of the chip and an apparatus capable of measuring the curvature. Is to provide.

本発明の一態様によれば、チップの折り曲げ試験においてチップが破壊される時のチップの曲率を測定する方法であって、折り曲げる前の状態のチップの一端側の第1の領域を上面が支持面となる第1の支持体を含む第1の保持手段の該支持面上に保持するとともに該チップの他端側の第2の領域を上面が支持面となる第2の支持体を含む第2の保持手段の支持面上に保持するチップ保持ステップと、該保持ステップを実施した後、チップの該第1の領域と、該第2の領域と、の間の測定領域を屈曲させながら該測定領域の断面形状が円弧状になるように該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を相対移動させて、該第1の保持手段の支持面と、該第2の保持手段の支持面と、を対面させる第1の移動ステップと、該第1の移動ステップを実施した後、該第1の保持手段の支持面と、該第2の保持手段の支持面と、が対面した状態で該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を互いに近づく方向に相対的に移動させる第2の移動ステップと、該第1の移動ステップまたは該第2の移動ステップの実施中にチップが破壊されたことを検出するチップ破壊検出ステップと、該チップ破壊検出ステップにおいてチップの破壊が検出された時の該測定領域の曲率を検出する曲率検出ステップと、を備えたことを特徴とするチップの曲率を測定する方法が提供される。   According to an aspect of the present invention, there is provided a method for measuring a curvature of a chip when the chip is broken in a chip bending test, wherein the upper surface supports a first region on one end side of the chip before being bent. A first holding means including a first supporting body serving as a surface is held on the supporting surface, and the second region on the other end side of the chip includes a second supporting body whose upper surface serves as a supporting surface. A chip holding step to be held on the support surface of the holding means, and after performing the holding step, the measurement area between the first area and the second area of the chip is bent while bending the measurement area. The first support body of the first holding means and the second support body of the second holding means are relatively moved so that the cross-sectional shape of the measurement region becomes an arc shape, and the first support body A first moving step for causing the support surface of the holding means and the support surface of the second holding means to face each other. And after the first moving step is performed, the first holding means first surface with the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means facing each other. A second movement step of relatively moving the support body of the second support body and the second support body of the second holding means toward each other, and the first movement step or the second movement step. A chip breakage detecting step for detecting that the chip was broken during the execution, and a curvature detecting step for detecting the curvature of the measurement area when the chip breakage was detected in the chip breakage detecting step. A method for measuring the curvature of a chip is provided.

また、本発明の他の一態様によると、チップの折り曲げ試験においてチップが破壊される時のチップの曲率を測定する装置であって、折り曲げる前の状態のチップの一端側の第1の領域を第1の支持体上面の第1の支持面上に保持する第1の保持手段と、チップの他端側の第2の領域を第2の支持体上面の第2の支持面上に保持する第2の保持手段と、該第1の保持手段と、該第2の保持手段と、に保持されたチップの該第1の領域と、該第2の領域と、の間の測定領域を屈曲させながら該測定領域の断面形状が円弧状になるように該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を相対移動させて該第1の支持面と、該第2の支持面と、を対面させ、次いで、該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を互いに近づく方向に相対的に移動させる移動手段と、該移動手段による該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、の相対移動中にチップが破壊されたことを検出するチップ破壊検出手段と、該チップ破壊検出手段でチップの破壊が検出された時の該測定領域の曲率を検出する曲率検出手段と、を備えたことを特徴とするチップの曲率を測定する装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for measuring the curvature of a chip when the chip is broken in a chip bending test, wherein the first region on one end side of the chip before being bent is The first holding means for holding the first support surface on the first support surface and the second region on the other end side of the chip are held on the second support surface on the second support surface. Bending a measurement area between the second holding means, the first holding means, the second holding means, the first area of the chip held by the second holding means, and the second area The first support body of the first holding means and the second support body of the second holding means are moved relative to each other so that the cross-sectional shape of the measurement region becomes an arc shape. The first support surface and the second support surface face each other, and then the first support body of the first holding means and the second holding hand A second support body, a moving means for relatively moving the second support bodies in a direction approaching each other, a first support body of the first holding means by the moving means, and a second of the second holding means Chip breakage detecting means for detecting that the chip is broken during relative movement with the support, and curvature detecting means for detecting the curvature of the measurement area when the chip breakage detecting means detects the breakage of the chip A device for measuring the curvature of a chip is provided.

本発明の一態様においては、チップの一端側の第1の領域を保持する第1の保持手段と、チップの他端側の第2の領域を保持する第2の保持手段と、が用いられる。まず、測定対象となるチップを該第1の保持手段の第1の支持体上面の支持面上と、該第2の保持手段の第2の支持体上面の支持面上と、に保持する。そして、第1の保持手段の第1の支持体と、第2の保持手段に第2の支持体と、を相対移動させてチップの該第1の領域と、該第2の領域と、に挟まれる測定領域を屈曲させて、該測定領域に破壊を生じさせる。   In one aspect of the present invention, a first holding unit that holds the first region on one end side of the chip and a second holding unit that holds the second region on the other end side of the chip are used. . First, the chip to be measured is held on the support surface on the upper surface of the first support of the first holding means and on the support surface of the upper surface of the second support of the second holding means. Then, the first support body of the first holding means, and the second support body is moved relative to the second support means to move the first area of the chip and the second area. The measurement region to be sandwiched is bent to cause breakage in the measurement region.

チップの測定領域を屈曲させるには、まず、該測定領域の断面形状が円弧状になるように第1の保持手段の第1の支持体と、第2の保持手段の第2の支持体と、を相対移動させて第1の保持手段の支持面と、第2の保持手段の支持面と、を対面させる。この過程においてチップに破壊が生じた場合、破壊が生じたときの測定領域の曲率を測定する。   To bend the measurement area of the chip, first, the first support of the first holding means and the second support of the second holding means so that the cross-sectional shape of the measurement area is an arc shape Are moved relative to each other so that the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means face each other. If the chip breaks during this process, the curvature of the measurement area when the break occurs is measured.

第1の保持手段の支持面と、第2の保持手段の支持面と、を対面させるまでの間にチップが破壊されない場合、さらに、第1の保持手段の第1の支持体と、第2の保持手段の第2の支持体と、を互いに近づけて距離を小さくすることで測定領域の曲率を大きくしていく。そして、チップに破壊が生じたことが検出された場合、破壊が生じたときの測定領域の曲率を測定する。   If the chip is not broken until the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means face each other, the first support body of the first holding means, and the second The curvature of the measurement region is increased by decreasing the distance by bringing the second support of the holding means closer to each other. When it is detected that the chip is broken, the curvature of the measurement region when the break occurs is measured.

このように、第1の保持手段と、第2の保持手段と、を用いてチップを屈曲させると、上述の三点曲げ法を実施する場合よりもチップの曲率を大きくすることができる。そのため、極薄チップの抗折強度を評価する場合でも、チップが破壊されるほどに曲率を大きくできる。そして、破壊が生じたときのチップの曲率を測定すると極薄チップの抗折強度を評価できる。   Thus, if the chip is bent using the first holding means and the second holding means, the curvature of the chip can be made larger than when the above-described three-point bending method is performed. Therefore, even when the bending strength of the ultrathin chip is evaluated, the curvature can be increased to the extent that the chip is broken. The bending strength of the ultrathin chip can be evaluated by measuring the curvature of the chip when breakage occurs.

したがって、本発明によると、チップの抗折強度を評価する際の該チップの破壊時における曲率を測定できる方法及び該曲率を測定できる装置が提供される。   Therefore, according to the present invention, there are provided a method capable of measuring the curvature at the time of breaking the chip when evaluating the bending strength of the chip, and an apparatus capable of measuring the curvature.

曲率を測定する装置を模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the apparatus which measures a curvature. 曲率を測定する装置の押圧ユニットを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the press unit of the apparatus which measures a curvature. 曲率を測定する装置のテーブルを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the table of the apparatus which measures a curvature. 曲率を測定する装置の保持ユニットを模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the holding | maintenance unit of the apparatus which measures a curvature. 保持ユニットの断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of a holding unit. 図6(A)は、チップ保持ステップにおける保持ユニットと、チップと、を模式的に示す側面図であり、図6(B)は、第1の移動ステップにおける保持ユニットと、チップと、を模式的に示す側面図である。FIG. 6A is a side view schematically showing the holding unit and the chip in the chip holding step, and FIG. 6B is a schematic view of the holding unit and the chip in the first moving step. FIG. 第2の移動ステップにおける保持ユニットを模式的に示す側面図である。It is a side view which shows typically the holding | maintenance unit in a 2nd movement step.

まず、本実施形態に係るチップの曲率を測定する装置について説明する。図1は該装置を模式的に示す側面図である。該装置2は、押圧ユニット2aと、テーブル2bと、保持ユニット2cと、を備え、チップ1を屈曲させてチップ1の曲率を徐々に大きくする機能を有する。   First, an apparatus for measuring the curvature of a chip according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a side view schematically showing the apparatus. The device 2 includes a pressing unit 2a, a table 2b, and a holding unit 2c, and has a function of bending the chip 1 and gradually increasing the curvature of the chip 1.

図2に、該装置2の押圧ユニット2aを模式的に示す。押圧ユニット2aは、上面が概ね平坦な矩形状の台座6を有している。台座6の上面の四隅付近には、それぞれ、概ね同じ高さに構成された円柱状の支柱8が立設されている。各支柱8の上端には、平板状の天板4が装着されている。つまり、天板4は支柱8によって支持されている。   FIG. 2 schematically shows the pressing unit 2 a of the device 2. The pressing unit 2a has a rectangular pedestal 6 whose upper surface is substantially flat. In the vicinity of the four corners of the upper surface of the pedestal 6, columnar pillars 8 each having substantially the same height are erected. A flat plate 4 is attached to the upper end of each column 8. That is, the top plate 4 is supported by the support column 8.

台座6の上面には、昇降機10が配置されている。昇降機10は、台座6の上面に固定される固定プレート10aを有している。固定プレート10aの上面には、上下方向に伸縮する伸縮機構10bが配置されており、この伸縮機構10bの上端部には、平板状のステージ12が設けられている。   An elevator 10 is disposed on the upper surface of the base 6. The elevator 10 has a fixed plate 10 a that is fixed to the upper surface of the base 6. An expansion / contraction mechanism 10b that expands and contracts in the vertical direction is disposed on the upper surface of the fixed plate 10a, and a flat plate stage 12 is provided at the upper end of the expansion / contraction mechanism 10b.

伸縮機構10bの側部には、高さ調整ねじ14が設けられており、この高さ調整ねじ14を回転させることで、伸縮機構10bを伸縮させてステージ12の高さを変更できる。例えば、ステージ12を上昇させることで、天板4とステージ12との間に配置される物を天板4とステージとで12挟んで押圧できる。   A height adjustment screw 14 is provided on the side of the expansion / contraction mechanism 10b. By rotating the height adjustment screw 14, the expansion / contraction mechanism 10b can be expanded and contracted to change the height of the stage 12. For example, by raising the stage 12, an object placed between the top 4 and the stage 12 can be sandwiched and pressed between the top 4 and the stage 12.

天板4の上面側には、ステージ12の高さを測定するためのデジタルゲージ16の本体16aが配置されている。本体16aの下部には、上下方向に動く軸16bが挿入されている。軸16bは、天板4を上下方向に貫く貫通穴に通されている。また、軸16bの下端は、ステージ12の上面に接している。   A main body 16 a of a digital gauge 16 for measuring the height of the stage 12 is disposed on the upper surface side of the top plate 4. A shaft 16b that moves in the vertical direction is inserted in the lower portion of the main body 16a. The shaft 16b is passed through a through hole penetrating the top plate 4 in the vertical direction. Further, the lower end of the shaft 16 b is in contact with the upper surface of the stage 12.

このデジタルゲージ16によって、ステージ12の高さに相当する軸16bの下端の高さを測定できる。デジタルゲージ16の本体16aには、信号線16cを介して表示部18が接続されている。表示部18には、デジタルゲージ16で測定された軸16bの下端の高さ(すなわち、ステージ12の高さ)が表示される。   With this digital gauge 16, the height of the lower end of the shaft 16b corresponding to the height of the stage 12 can be measured. A display unit 18 is connected to the main body 16a of the digital gauge 16 via a signal line 16c. The display unit 18 displays the height of the lower end of the shaft 16b measured by the digital gauge 16 (that is, the height of the stage 12).

ステージ12の上面には、テーブル2bが設置される。図3は、テーブル2bを模式的に示す斜視図である。図3に示すように、テーブル2bは、概ね矩形の上面20を持つ平板状に構成されている。このテーブル2bの上面20側の中央付近には、テーブル2bの上面20を2つの矩形の領域20a,20bに分けるような溝22が形成されている。   A table 2 b is installed on the upper surface of the stage 12. FIG. 3 is a perspective view schematically showing the table 2b. As shown in FIG. 3, the table 2 b is configured in a flat plate shape having a substantially rectangular upper surface 20. Near the center of the upper surface 20 side of the table 2b, a groove 22 is formed so as to divide the upper surface 20 of the table 2b into two rectangular regions 20a and 20b.

溝22によって2つに分けられた上面20の一方側の領域20aには、上下方向に伸縮する4個のばね24の下端側が取り付けられている。各ばね24の上端部には、ばね上板26が設けられている。このテーブル2bの上面20には、保持ユニット2cが配置される。   The lower end side of the four springs 24 extending and contracting in the vertical direction is attached to a region 20 a on one side of the upper surface 20 divided into two by the groove 22. A sprung plate 26 is provided at the upper end of each spring 24. A holding unit 2c is disposed on the upper surface 20 of the table 2b.

図4は、保持ユニット2cを模式的に示す斜視図である。図4に示すように、保持ユニット2cは、領域20aの4個のばね24で囲まれた領域に配置される第1の保持手段28と、領域20bに配置される第2の保持手段30と、を備える。第1の保持手段28と第2の保持手段30とは、帯状ゴム38によって連結されている。第1の保持手段28及び第2の保持手段30がテーブル2bの上面20に配置された状態では、帯状のゴム38の一部が溝22に収容される。   FIG. 4 is a perspective view schematically showing the holding unit 2c. As shown in FIG. 4, the holding unit 2c includes a first holding means 28 arranged in a region surrounded by the four springs 24 in the region 20a, and a second holding means 30 arranged in the region 20b. . The first holding means 28 and the second holding means 30 are connected by a belt-like rubber 38. In a state where the first holding means 28 and the second holding means 30 are arranged on the upper surface 20 of the table 2 b, a part of the belt-like rubber 38 is accommodated in the groove 22.

保持ユニット2cの模式的な断面図を図5に示す。例えば、第1の保持手段28の上部には静電保持部32aが設けられ、第2の保持手段30の上部には静電保持部32bが設けられる。静電保持部32aは、電極44aと、該電極44aから離れた電極44bと、を備え、該電極44a及び電極44bは絶縁体46aにより囲まれることで互いに絶縁される。静電保持部32bは、電極44cと、該電極44cから離れた電極44dと、を備え、該電極44c及び電極44dは絶縁体46bにより囲まれることで互いに絶縁されている。   A schematic cross-sectional view of the holding unit 2c is shown in FIG. For example, an electrostatic holding part 32 a is provided on the upper part of the first holding means 28, and an electrostatic holding part 32 b is provided on the upper part of the second holding means 30. The electrostatic holding portion 32a includes an electrode 44a and an electrode 44b separated from the electrode 44a. The electrode 44a and the electrode 44b are insulated from each other by being surrounded by an insulator 46a. The electrostatic holding portion 32b includes an electrode 44c and an electrode 44d separated from the electrode 44c. The electrode 44c and the electrode 44d are insulated from each other by being surrounded by an insulator 46b.

該電極44aには導線42a(図4参照)の一端が接続され、該電極44bには導線42b(図4参照)の一端が接続される。導線42a及び導線42bのそれぞれの他端には高電圧印加ユニット40a(図4参照)が接続される。該高電圧印加ユニット40aは、導線42a及び導線42bを通じて、電極44a及び電極44bに高電圧を印加できる。   One end of a conducting wire 42a (see FIG. 4) is connected to the electrode 44a, and one end of a conducting wire 42b (see FIG. 4) is connected to the electrode 44b. A high voltage applying unit 40a (see FIG. 4) is connected to the other end of each of the conducting wire 42a and the conducting wire 42b. The high voltage applying unit 40a can apply a high voltage to the electrode 44a and the electrode 44b through the conducting wire 42a and the conducting wire 42b.

該電極44cには導線42c(図4参照)の一端が接続され、該電極44dには導線42d(図4参照)の一端が接続される。導線42c及び導線42dのそれぞれの他端には高電圧印加ユニット40b(図4参照)が接続される。該高電圧印加ユニット40bは、導線42c及び導線42dを通じて、電極44c及び電極44dに高電圧を印加できる。   One end of a conducting wire 42c (see FIG. 4) is connected to the electrode 44c, and one end of a conducting wire 42d (see FIG. 4) is connected to the electrode 44d. A high voltage applying unit 40b (see FIG. 4) is connected to the other end of each of the conducting wire 42c and the conducting wire 42d. The high voltage applying unit 40b can apply a high voltage to the electrode 44c and the electrode 44d through the conductor 42c and the conductor 42d.

なお、高電圧印加ユニット40aは、電極44a及び電極44bに対してそれぞれ個別に高電圧を印加できる。高電圧印加ユニット40bは、電極44c及び電極44dに対してそれぞれ個別に高電圧を印加できる。高電圧印加ユニット40a及び高電圧印加ユニット40bは、例えば、プラスマイナス2kVの高電圧を印加できる。   The high voltage application unit 40a can apply a high voltage to the electrode 44a and the electrode 44b individually. The high voltage application unit 40b can individually apply a high voltage to the electrode 44c and the electrode 44d. The high voltage application unit 40a and the high voltage application unit 40b can apply a high voltage of, for example, plus or minus 2 kV.

第1の保持手段28上にチップ1の一端側の第1の領域が載せられてチップ1の該第1の領域は第1の保持手段28に保持される。すなわち、第1の静電保持部32aは第1の支持体となり、第1の支持体の上面は第1の支持面28aとなる。電極44a及び電極44bはそれぞれ所定の形状とされており、高電圧印加ユニット40a(図4参照)により高電圧が印加されてクーロン力又はグラジエント力によりチップ1を静電吸着する。   A first area on one end side of the chip 1 is placed on the first holding means 28, and the first area of the chip 1 is held by the first holding means 28. That is, the first electrostatic holding portion 32a serves as a first support, and the upper surface of the first support serves as the first support surface 28a. Each of the electrodes 44a and 44b has a predetermined shape, and a high voltage is applied by the high voltage application unit 40a (see FIG. 4), and the chip 1 is electrostatically adsorbed by Coulomb force or gradient force.

第2の保持手段30上にチップ1の他端側の第2の領域が載せられてチップ1の該第2の領域は第2の保持手段30に保持される。すなわち、第2の静電保持部32bは第2の支持体となり、第2の支持体の上面は第2の支持面30aとなる。電極44c及び電極44dはそれぞれ所定の形状とされており、高電圧印加ユニット40b(図4参照)により高電圧が印加されてクーロン力又はグラジエント力によりチップ1を静電吸着する。   A second area on the other end side of the chip 1 is placed on the second holding means 30, and the second area of the chip 1 is held by the second holding means 30. That is, the second electrostatic holding portion 32b serves as a second support, and the upper surface of the second support serves as the second support surface 30a. Each of the electrodes 44c and 44d has a predetermined shape, and a high voltage is applied by the high voltage applying unit 40b (see FIG. 4), and the chip 1 is electrostatically adsorbed by Coulomb force or gradient force.

静電保持部32aの下方には、絶縁体34aが設けられ、静電保持部32bの下方には、絶縁体34bが設けられる。該絶縁体34aの下方には、帯状ゴム収容体36aが設けられ、該絶縁体34bの下方には、帯状ゴム収容体36bが設けられる。帯状ゴム38の一端は帯状ゴム収容体36aに収容されて固定され、他端は帯状ゴム36bに収容されて固定される。なお、図5では、帯状ゴム収容体36a,36bに収容された帯状ゴム38及び帯状ゴム収容体36a,36bの内部構造を省略している。   An insulator 34a is provided below the electrostatic holding portion 32a, and an insulator 34b is provided below the electrostatic holding portion 32b. A band-shaped rubber container 36a is provided below the insulator 34a, and a band-shaped rubber container 36b is provided below the insulator 34b. One end of the belt-like rubber 38 is housed and fixed in the belt-like rubber container 36a, and the other end is housed and fixed in the belt-like rubber 36b. In FIG. 5, the internal structure of the belt-like rubber 38 and the belt-like rubber containers 36a and 36b accommodated in the belt-like rubber containers 36a and 36b is omitted.

なお、第1の保持手段28及び第2の保持手段30は、クーロン力又はグラジエント力による静電吸着以外の方法でチップ1を保持してもよい。例えば、第1の保持手段28の第1の支持体と、第2の保持手段30の第2の支持体と、はそれぞれ第1の支持面28aと、第2の支持面28bと、に通じる吸引路を内部に有し、チップ1を吸引保持してもよい。さらに、該第1の保持手段28と、該第2の保持手段30と、は、それぞれの支持面との間でチップ1を挟持できるクランプでチップ1を保持してもよい。   Note that the first holding unit 28 and the second holding unit 30 may hold the chip 1 by a method other than electrostatic attraction by Coulomb force or gradient force. For example, the first support body of the first holding means 28 and the second support body of the second holding means 30 respectively communicate with the first support surface 28a and the second support surface 28b. A suction path may be provided inside to hold the chip 1 by suction. Furthermore, the first holding means 28 and the second holding means 30 may hold the chip 1 with a clamp that can hold the chip 1 between the respective support surfaces.

第1の保持手段28及び第2の保持手段30は、チップ1を保持したまま、チップ1の該第1の保持手段28に保持された領域と、該第2の保持手段30に保持された領域と、の間の領域を湾曲させるように図示しない対面移動手段により相対的に移動される。すなわち、該対面移動手段は、第1の保持手段28の第1の支持体及び第2の保持手段30の第2の支持体を、互いの支持面が対面するように相対的に移動させる。   The first holding means 28 and the second holding means 30 are held by the second holding means 30 and the area of the chip 1 held by the first holding means 28 while holding the chip 1. It is relatively moved by a face-to-face moving means (not shown) so as to curve the area between the area and the area. That is, the facing movement means relatively moves the first support body of the first holding means 28 and the second support body of the second holding means 30 so that the support surfaces face each other.

例えば、該対面移動手段が第2の保持手段30の第2の支持体に接続されており、チップ1の該間の領域を湾曲させるように、第2の保持手段30の第2の支持体を移動させる。すると、該第1の保持手段28の第1の支持面と、該第2の保持手段30の第2の支持面と、が互いに対面する。   For example, the facing moving means is connected to the second support of the second holding means 30 and the second support of the second holding means 30 so as to curve the area between the chips 1. Move. Then, the first support surface of the first holding means 28 and the second support surface of the second holding means 30 face each other.

また、第1の保持手段28及び第2の保持手段30は、互いの支持面が対面している状態で図2に示す押圧ユニット2aにより押圧されて、相対的に互いに近づくように移動される。   Further, the first holding means 28 and the second holding means 30 are pressed by the pressing unit 2a shown in FIG. 2 with their supporting surfaces facing each other, and are moved so as to approach each other relatively. .

該対面移動手段及び該押圧ユニット2aは、保持されたチップ1を湾曲させチップ1の曲率を増大させるように該第1の保持手段28及び該第2の保持手段30を相対的に移動させる移動手段を構成する。該移動手段によると、チップ1を湾曲させて曲率を極めて大きくできるため、チップ1を破壊することができる。   The facing moving means and the pressing unit 2a move to relatively move the first holding means 28 and the second holding means 30 so as to bend the held chip 1 and increase the curvature of the chip 1. Configure the means. According to the moving means, the chip 1 can be bent to greatly increase the curvature, so that the chip 1 can be destroyed.

なお、該移動手段は異なる2つの機構を組み合わせたものでなくてもよく、1つの移動機構により実現してもよい。この場合、例えば、第2の保持手段30に接続された1つの移動機構により、第2の保持手段30の支持体を移動させて、第1の保持手段28の支持面及び第2の保持手段30の支持面を対面させる。さらに該移動機構により、第1の保持手段28の支持体及び第2の保持手段30の支持体を互いに近づけさせる。   The moving means may not be a combination of two different mechanisms, and may be realized by a single moving mechanism. In this case, for example, the support body of the second holding means 30 is moved by one moving mechanism connected to the second holding means 30, and the support surface of the first holding means 28 and the second holding means. The 30 support surfaces face each other. Further, the moving mechanism causes the support of the first holding means 28 and the support of the second holding means 30 to approach each other.

次に、本実施形態に係る曲率を測定する装置2(図1参照)により抗折強度が評価されるチップ1について説明する。チップ1は、例えば、シリコン、サファイア等の半導体ウェーハ、または、ガラス、石英等の基板から製造される。   Next, the chip 1 whose bending strength is evaluated by the apparatus 2 (see FIG. 1) for measuring the curvature according to the present embodiment will be described. The chip 1 is manufactured from, for example, a semiconductor wafer such as silicon or sapphire, or a substrate such as glass or quartz.

該半導体ウェーハまたは該基板の表面には、例えば、格子状に設定された分割予定ラインによって区画される複数の領域のそれぞれに、ICやLSI等のデバイスが形成される。そして、該分割予定ラインに沿って被加工物が切削されて被加工物が分割されると、デバイスを有する複数のチップ1が形成される。   On the surface of the semiconductor wafer or the substrate, for example, devices such as ICs and LSIs are formed in each of a plurality of regions defined by division lines set in a lattice shape. When the workpiece is cut along the division line, and the workpiece is divided, a plurality of chips 1 having devices are formed.

該形成された該チップ1は、裏面側が研削されて薄化される。または、予め該半導体ウェーハまたは該基板が薄化され、その後に、該半導体ウェーハまたは該基板が分割されることで薄化されたチップ1が形成される。   The formed chip 1 is thinned by grinding the back side. Alternatively, the semiconductor wafer or the substrate is thinned in advance, and then the thinned chip 1 is formed by dividing the semiconductor wafer or the substrate.

例えば、厚さが30μm以下の極薄のチップ1の抗折強度について3点曲げ法により評価しようとする場合、圧子でチップを押圧してもチップが撓むばかりでチップ1を破壊できず、抗折強度を評価できない。そこで、本実施形態に係る曲率を測定する装置2を用いて曲率を測定して、抗折強度を評価する。   For example, when trying to evaluate the bending strength of a very thin chip 1 having a thickness of 30 μm or less by a three-point bending method, even if the chip is pressed with an indenter, the chip is bent and the chip 1 cannot be destroyed. The bending strength cannot be evaluated. Therefore, the bending strength is evaluated by measuring the curvature using the apparatus 2 for measuring the curvature according to the present embodiment.

次に、本実施形態に係る曲率を測定する装置2を用いて実施するチップ1の曲率を測定する方法について説明する。該方法では、まず、チップ1を保持するチップ保持ステップを実施する。図6(A)を用いて、該チップ保持ステップを説明する。図6(A)は、チップ保持ステップにおけるチップ1と、保持ユニット2cの第1の保持手段28と、保持ユニット2cの第2の保持手段30と、を示す模式的な側面図である。   Next, a method for measuring the curvature of the chip 1 implemented using the apparatus 2 for measuring curvature according to the present embodiment will be described. In this method, first, a chip holding step for holding the chip 1 is performed. The chip holding step will be described with reference to FIG. FIG. 6A is a schematic side view showing the chip 1, the first holding means 28 of the holding unit 2c, and the second holding means 30 of the holding unit 2c in the chip holding step.

チップ保持ステップでは、まず、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、に跨るように、該第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の上にチップ1を載せる。すなわち、第1の保持手段28の第1の支持体上面の第1の支持面28a上にチップ1の一端3a側の第1の領域を載せ、第2の保持手段30の第2の支持体上面の第2の支持面30a上にチップ1の他端3b側の第2の領域を載せる。   In the chip holding step, first, the chip 1 is placed on the first holding means 28 and the second holding means 30 so as to straddle the first holding means 28 and the second holding means 30. Put on. That is, the first region on the one end 3a side of the chip 1 is placed on the first support surface 28a on the upper surface of the first support body of the first holding means 28, and the second support body of the second holding means 30 is placed. The second region on the other end 3b side of the chip 1 is placed on the second support surface 30a on the upper surface.

そして、高電圧印加ユニット40a(図4参照)を稼働させ、電極44a及び電極44bに高電圧を印加し、高電圧印加ユニット40b(図4参照)を稼働させ、電極44c及び電極44dに高電圧を印加する。すると、チップ1の第1の領域が該第1の保持手段28に静電保持され、チップ1の第2の領域が該第2の保持手段30に静電保持される。   Then, the high voltage application unit 40a (see FIG. 4) is operated, a high voltage is applied to the electrodes 44a and 44b, the high voltage application unit 40b (see FIG. 4) is operated, and the high voltage is applied to the electrodes 44c and 44d. Apply. Then, the first area of the chip 1 is electrostatically held by the first holding means 28, and the second area of the chip 1 is electrostatically held by the second holding means 30.

該チップ1の第1の保持手段28に静電保持された第1の領域と、第2の保持手段30に静電保持された第2の領域と、の間の部分は、測定領域9となる。曲率を測定する装置2では、その後、第1の保持手段28の第1の支持体と、第2の保持手段30の第2の支持体と、の相対移動により該測定領域9が屈曲されて、該測定領域9が破壊されたときの該測定領域9の曲率が測定される。   A portion between the first area electrostatically held by the first holding means 28 of the chip 1 and the second area electrostatically held by the second holding means 30 is the measurement area 9. Become. In the apparatus 2 for measuring the curvature, the measurement region 9 is then bent by relative movement between the first support of the first holding means 28 and the second support of the second holding means 30. The curvature of the measurement area 9 when the measurement area 9 is destroyed is measured.

次に、第1の移動ステップについて説明する。該第1の移動ステップは、該保持ステップの後に実施される。第1の移動ステップでは、該測定領域9を屈曲させながら該測定領域9の断面形状が円弧状となるように、図示しない移動手段が該第1の保持手段28と、該第2の保持手段30と、を相対移動させる。そして、該第1の保持手段28の第1の支持面28aと、該第2の保持手段30の第2の支持面30aと、を対面させる。   Next, the first movement step will be described. The first moving step is performed after the holding step. In the first moving step, the moving means (not shown) moves the first holding means 28 and the second holding means so that the cross-sectional shape of the measurement area 9 becomes an arc shape while the measurement area 9 is bent. 30 and relative movement. Then, the first support surface 28 a of the first holding means 28 and the second support surface 30 a of the second holding means 30 are made to face each other.

図6(B)は、第1の移動ステップにおける第2の保持手段30の移動の様子を模式的に示す側面図である。図6(B)には、移動前の第2の保持手段30及びチップ1と、第1の移動ステップにおいて移動の過程にある第2の保持手段30と及びチップ1と、第1の移動ステップ完了時点における第2の保持手段30と及びチップ1と、が示されている。該第1の移動ステップでは、例えば図6(B)に示す通り、第2の保持手段30を移動させる。   FIG. 6B is a side view schematically showing the movement of the second holding means 30 in the first movement step. FIG. 6B shows the second holding means 30 and the chip 1 before movement, the second holding means 30 and the chip 1 that are in the process of movement in the first movement step, and the first movement step. The second holding means 30 and the chip 1 at the time of completion are shown. In the first moving step, for example, as shown in FIG. 6B, the second holding means 30 is moved.

第2の保持手段30bが該移動手段によりチップ1の測定領域9の断面形状が円弧状になるように移動されると、該円弧の曲率半径が徐々に小さくなる。すなわち測定領域9の曲率が徐々に大きくなる。図6(B)に示される通り、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、が対面すると、第1の移動ステップは終了する。   When the second holding means 30b is moved by the moving means so that the cross-sectional shape of the measurement region 9 of the chip 1 becomes an arc, the radius of curvature of the arc gradually decreases. That is, the curvature of the measurement region 9 gradually increases. As shown in FIG. 6B, when the first holding means 28 and the second holding means 30 face each other, the first moving step is completed.

第1の移動ステップを実施した後、第2の移動ステップを実施する。図7は、第2の移動ステップにおける第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、チップ1と、を模式的に示す側面図である。第2の移動ステップでは、該第1の保持手段28の第1の支持面28aと、該第2の保持手段30の第2の支持面30aと、が対面した状態で該第1の保持手段28と、該第2の保持手段30と、を互いに近づく方向に相対移動させて該測定領域9の曲率を増大させる。   After performing the first movement step, the second movement step is performed. FIG. 7 is a side view schematically showing the first holding means 28, the second holding means 30, and the chip 1 in the second moving step. In the second moving step, the first holding means with the first support surface 28a of the first holding means 28 and the second support surface 30a of the second holding means 30 facing each other. 28 and the second holding means 30 are moved relative to each other in the direction approaching each other to increase the curvature of the measurement region 9.

第2の移動ステップについて、さらに詳述する。図1には、第2の移動ステップにおける曲率を測定する装置2が模式的に示されている。図1では、一部のばね24が省略されている。第2の移動ステップは、チップ1を保持する保持ユニット2cが、押圧ユニット2aの昇降機10に載せられたテーブル2bと、天板4と、の間に挟まれた状態で実施される。すなわち、第2の移動ステップでは、該押圧ユニット2aが移動手段として機能する。   The second moving step will be further described in detail. FIG. 1 schematically shows a device 2 for measuring the curvature in the second movement step. In FIG. 1, some springs 24 are omitted. The second moving step is performed in a state where the holding unit 2c that holds the chip 1 is sandwiched between the table 2b mounted on the elevator 10 of the pressing unit 2a and the top plate 4. That is, in the second moving step, the pressing unit 2a functions as a moving unit.

第2の移動ステップにおいては、テーブル2bに装着されたばね24のばね上板26を第2の保持手段30に接触させ、該ばね24に第2の保持手段30を支えさせることで、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、が互いに対面する状態が維持される。第2の移動ステップでは、昇降機10の高さ調節ねじ14を回転させることで伸縮機構10bを作動させステージ12を高くしていき、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の距離を小さくする。   In the second moving step, the sprung plate 26 of the spring 24 mounted on the table 2 b is brought into contact with the second holding means 30, and the second holding means 30 is supported by the spring 24. The state in which the holding unit 28 and the second holding unit 30 face each other is maintained. In the second movement step, the height adjustment screw 14 of the elevator 10 is rotated to operate the telescopic mechanism 10b to raise the stage 12, and the first holding means 28, the second holding means 30, Reduce the distance.

次に、該第1の移動ステップまたは該第2の移動ステップの実施中にチップの破壊の発生を検出するチップ破壊検出ステップについて説明する。第1の移動ステップ及び第2の移動ステップを通して、チップ1の測定領域9の曲率が徐々に大きくなっていくと、チップ1にかかる応力も次第に増大して、やがてチップ1の測定領域9が破壊される。   Next, a chip breakage detection step for detecting occurrence of chip breakage during the execution of the first moving step or the second moving step will be described. As the curvature of the measurement region 9 of the chip 1 gradually increases through the first movement step and the second movement step, the stress applied to the chip 1 gradually increases and eventually the measurement region 9 of the chip 1 is destroyed. Is done.

チップ1の破壊の発生を検出するチップ破壊検出手段は、例えば、AE(アコースティックエミッション)センサである。チップ1に破壊が生じるとき、チップ1の内部に蓄えられていた歪みエネルギーが弾性波として放出されるため、チップ1の表面にAEセンサを設け該弾性波を検出することで、チップ1の破壊の発生を検出できる。チップ1の破壊の発生の検出は、作業者の目視、または、撮像画像による検出で行われてもよい。   The chip breakage detecting means for detecting occurrence of breakage of the chip 1 is, for example, an AE (acoustic emission) sensor. When the chip 1 breaks down, the strain energy stored in the chip 1 is released as an elastic wave. Therefore, the chip 1 is broken by providing an AE sensor on the surface of the chip 1 and detecting the elastic wave. Can be detected. Detection of the occurrence of breakage of the chip 1 may be performed by visual inspection of an operator or detection by a captured image.

次に、チップ破壊検出ステップの後に実施される曲率検出ステップについて説明する。該曲率検出ステップでは、チップ破壊検出ステップによりチップ1の破壊が検出されたとき、チップ1の抗折強度の評価に用いられるチップ1の曲率を求める。   Next, the curvature detection step performed after the chip breakage detection step will be described. In the curvature detection step, when the destruction of the chip 1 is detected in the chip destruction detection step, the curvature of the chip 1 used for evaluating the bending strength of the chip 1 is obtained.

曲率検出ステップに用いられる曲率検出手段は、例えば、撮像カメラである。測定領域9に円弧が形成され破壊の生じたチップ1の側方から撮像できる該撮像カメラから該チップ1を撮像して、得られた撮像画像からチップ1の測定領域9の曲率を求める。   The curvature detection means used in the curvature detection step is, for example, an imaging camera. The chip 1 is imaged from the imaging camera capable of imaging from the side of the chip 1 where an arc is formed in the measurement area 9 and the fracture occurs, and the curvature of the measurement area 9 of the chip 1 is obtained from the obtained captured image.

また、該曲率検出手段として、非接触式測長装置を用いてもよい。例えば、レーザー測長装置を用いてチップ1の測定領域9をプロファイル測定して、得られた該測定領域9の立体形状から曲率を検出してもよい。該レーザー測長装置には、例えば、株式会社キーエンス製の画像処理システム“XG−8000シリーズ”が用いられる。   Further, a non-contact type length measuring device may be used as the curvature detection means. For example, the measurement region 9 of the chip 1 may be profile measured using a laser length measuring device, and the curvature may be detected from the obtained three-dimensional shape of the measurement region 9. For the laser length measuring device, for example, an image processing system “XG-8000 series” manufactured by Keyence Corporation is used.

さらに、第1の移動ステップにおいてチップ1の測定領域9に破壊が生じるとき、該曲率検出手段は、チップ1の第2の保持手段30に静電吸着された部分に設けられた角度計でもよく、その場合、該角度計が示す角度からチップ1の測定領域9の曲率が計算される。   Further, when the measurement area 9 of the chip 1 is broken in the first moving step, the curvature detecting means may be an angle meter provided at a portion electrostatically attracted to the second holding means 30 of the chip 1. In this case, the curvature of the measurement region 9 of the chip 1 is calculated from the angle indicated by the goniometer.

第2の移動ステップにおいてチップ1の測定領域9に破壊が生じるとき、装置2に備えられたデジタルゲージ16を曲率検出手段として使用できる。図1を用いてデジタルゲージ16による曲率の検出について説明する。押圧ユニット2aに備えられたデジタルゲージ16によると、ステージ12の高さが測定される。   When the breakage occurs in the measurement region 9 of the chip 1 in the second movement step, the digital gauge 16 provided in the device 2 can be used as the curvature detection means. The detection of curvature by the digital gauge 16 will be described with reference to FIG. According to the digital gauge 16 provided in the pressing unit 2a, the height of the stage 12 is measured.

まず、第2の移動ステップの開始時のステージ12の高さが初期値として設定される。また、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の間の距離の第2の移動ステップ開始時の値が予め測定される。そして、チップ1の測定領域9に破壊が生じたことが検出されたとき、デジタルゲージ16を用いてステージ12の高さを測定し、測定値から第2の移動ステップにおけるステージ12の高さの上昇量を得る。   First, the height of the stage 12 at the start of the second movement step is set as an initial value. Further, the value at the start of the second movement step of the distance between the first holding means 28 and the second holding means 30 is measured in advance. When it is detected that the measurement area 9 of the chip 1 is broken, the height of the stage 12 is measured using the digital gauge 16, and the height of the stage 12 in the second moving step is measured from the measured value. Get the amount of increase.

該上昇量は、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の間の距離の第2の移動ステップの開始時からの減少量と同一である。すると、第2の移動ステップ開始時の第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の間の距離から、チップ1に破壊が生じたときの第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の間の距離が求められる。   The amount of increase is the same as the amount of decrease in the distance between the first holding means 28 and the second holding means 30 from the start of the second moving step. Then, from the distance between the first holding means 28 and the second holding means 30 at the start of the second movement step, the first holding means 28 when the chip 1 is broken, The distance between the two holding means 30 is obtained.

第2の移動ステップにおいて、該距離を徐々に小さくしていくと、チップ1の測定領域9のうち第1の保持手段28、または、第2の保持手段30に近接した部分は次々と第1の保持手段28または第2の保持手段30に接するようになる。そのため、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、の間に挟まれた測定領域9は、該距離を直径とする半円形状となる。   In the second moving step, when the distance is gradually reduced, the portion of the measurement region 9 of the chip 1 that is close to the first holding means 28 or the second holding means 30 is successively changed to the first. It comes into contact with the holding means 28 or the second holding means 30. Therefore, the measurement region 9 sandwiched between the first holding means 28 and the second holding means 30 has a semicircular shape with the distance as a diameter.

すなわち、測定領域9の曲率半径は該半円の半径であり、該距離を二等分した値である。つまり、チップ1の破壊の発生時の測定領域9の曲率は、デジタルゲージ16で示される値から求められる。   That is, the radius of curvature of the measurement region 9 is the radius of the semicircle, and is a value obtained by dividing the distance into two equal parts. That is, the curvature of the measurement region 9 when the chip 1 is broken can be obtained from the value indicated by the digital gauge 16.

以上のように曲率検出ステップを実施すると、チップ1の破壊の発生時の該測定領域9の曲率が検出される。チップ1の抗折強度が高いほど、チップ1に破壊が発生する該曲率が大きくなる。したがって、チップ1の破壊の発生時の該測定領域9の曲率を検出することで、チップ1の抗折強度を評価できる。さらに、複数の異なるチップについて破壊の発生時の該曲率を求め、それぞれの該曲率を比較すると、抗折強度の優劣を判別できる。   When the curvature detection step is performed as described above, the curvature of the measurement region 9 when the chip 1 is broken is detected. As the bending strength of the chip 1 is higher, the curvature at which the chip 1 is broken increases. Therefore, the bending strength of the chip 1 can be evaluated by detecting the curvature of the measurement region 9 when the chip 1 is broken. Furthermore, when the curvature at the time of occurrence of breakage is obtained for a plurality of different chips and the respective curvatures are compared, superiority or inferiority of the bending strength can be determined.

本実施形態に係るチップの曲率を測定する方法及び曲率を測定する装置によると、チップの曲率を従来の3点曲げ法では困難であった大きさにできるため、3点曲げ法を実施しても破壊されないチップにも破壊を生じさせて、該チップの抗折強度を評価できる。   According to the method for measuring the curvature of the chip and the apparatus for measuring the curvature according to this embodiment, the curvature of the chip can be made to be a size that is difficult with the conventional three-point bending method. Also, the chip can be broken, and the bending strength of the chip can be evaluated.

特に、第1の保持手段28と、第2の保持手段30と、を対面させ、さらに、両者を互いに近づけるように相対的に移動させると、チップ1の測定領域9の曲率を極めて大きくできる。最終的に、チップ1の第1の保持手段28に保持された部分と、第2の保持手段30に保持された部分と、を接触させると、チップ1を折り曲げることができるため、従来よりも広い範囲で抗折強度を評価できる。   In particular, when the first holding means 28 and the second holding means 30 face each other and are moved relatively close to each other, the curvature of the measurement region 9 of the chip 1 can be extremely increased. Finally, when the portion held by the first holding means 28 of the chip 1 and the portion held by the second holding means 30 are brought into contact with each other, the chip 1 can be bent. The bending strength can be evaluated in a wide range.

なお、本発明は、上記の実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、本発明の一態様に係るチップの曲率を測定する方法及び曲率を測定する装置においては、さらに、破壊の発生時のチップの曲率と、チップの材質と、チップの厚さと、から抗折強度を算出してもよい。   In addition, this invention is not limited to description of said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the method of measuring the curvature of the chip and the apparatus for measuring the curvature according to one aspect of the present invention, the bending is further determined from the curvature of the chip at the time of occurrence of the failure, the material of the chip, and the thickness of the chip. The intensity may be calculated.

さらに、抗折強度が既知の複数の異なるサンプルチップを用意し、それぞれ破壊の発生時の曲率を測定することで、抗折強度と、曲率と、の関係を予め求め、該関係を利用して抗折強度が未知のチップの破壊の発生時の曲率から抗折強度を求めてもよい。   Furthermore, by preparing a plurality of different sample chips with known bending strength and measuring the curvature at the time of occurrence of each breakage, the relationship between the bending strength and the curvature is obtained in advance, and the relationship is used. The bending strength may be obtained from the curvature at the time of occurrence of breakage of a chip whose bending strength is unknown.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

2 装置
2a 押圧ユニット
2b テーブル
2c 保持ユニット
4 天板
6 台座
8 支柱
10 昇降機
10a 固定プレート
10b 伸縮機構
12 ステージ
14 高さ調節ねじ
16 デジタルゲージ
16a 本体
16b 軸
16c 信号線
18 表示部
20 上面
20a,20b 領域
22 溝
24 ばね
26 ばね上板
28,30 保持手段
28a,30a 支持面
32a,32b 静電保持部
34a,32b 絶縁体
36a,36b 帯状ゴム収容体
38 帯状ゴム
40a,40b 高電圧印加ユニット
42a,42b,42c,42d 導線
44a,44b,44c,44d 電極
46a,46b 絶縁体
1 チップ
3a,3b 端
9 測定領域
2 Device 2a Press unit 2b Table 2c Holding unit 4 Top plate 6 Base 8 Post 10 Elevator 10a Fixing plate 10b Telescopic mechanism 12 Stage 14 Height adjusting screw 16 Digital gauge 16a Body 16b Shaft 16c Signal line 18 Display unit 20 Upper surface 20a, 20b Region 22 Groove 24 Spring 26 Spring top plate 28, 30 Holding means 28a, 30a Support surface 32a, 32b Electrostatic holding portion 34a, 32b Insulator 36a, 36b Band-shaped rubber container 38 Band-shaped rubber 40a, 40b High voltage application unit 42a, 42b, 42c, 42d Conductor 44a, 44b, 44c, 44d Electrode 46a, 46b Insulator 1 Chip 3a, 3b End 9 Measurement area

Claims (2)

チップの折り曲げ試験においてチップが破壊される時のチップの曲率を測定する方法であって、
折り曲げる前の状態のチップの一端側の第1の領域を上面が支持面となる第1の支持体を含む第1の保持手段の該支持面上に保持するとともに該チップの他端側の第2の領域を上面が支持面となる第2の支持体を含む第2の保持手段の該支持面上に保持するチップ保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、チップの該第1の領域と、該第2の領域と、の間の測定領域を屈曲させながら該測定領域の断面形状が円弧状になるように該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を相対移動させて、該第1の保持手段の支持面と、該第2の保持手段の支持面と、を対面させる第1の移動ステップと、
該第1の移動ステップを実施した後、該第1の保持手段の支持面と、該第2の保持手段の支持面と、が対面した状態で該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を互いに近づく方向に相対的に移動させる第2の移動ステップと、
該第1の移動ステップまたは該第2の移動ステップの実施中にチップが破壊されたことを検出するチップ破壊検出ステップと、
該チップ破壊検出ステップにおいてチップの破壊が検出された時の該測定領域の曲率を検出する曲率検出ステップと、
を備えたことを特徴とするチップの曲率を測定する方法。
A method of measuring the curvature of a chip when the chip is broken in a chip bending test,
The first region on one end side of the chip before being bent is held on the support surface of the first holding means including the first support body whose upper surface is the support surface, and the first region on the other end side of the chip is held. A chip holding step of holding the second region on the support surface of the second holding means including a second support body whose upper surface is a support surface;
After performing the holding step, the first measurement area is bent so that the cross-sectional shape of the measurement area becomes an arc shape while bending the measurement area between the first area and the second area of the chip. The first support body of the holding means and the second support body of the second holding means are relatively moved so that the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means And a first movement step for facing each other,
After carrying out the first moving step, the first support of the first holding means with the support surface of the first holding means and the support surface of the second holding means facing each other And a second moving step for relatively moving the second support of the second holding means in a direction approaching each other,
A chip breakage detecting step for detecting that the chip is broken during the execution of the first moving step or the second moving step;
A curvature detection step for detecting a curvature of the measurement region when chip breakage is detected in the chip breakage detection step;
A method for measuring the curvature of a chip, comprising:
チップの折り曲げ試験においてチップが破壊される時のチップの曲率を測定する装置であって、
折り曲げる前の状態のチップの一端側の第1の領域を第1の支持体上面の第1の支持面上に保持する第1の保持手段と、チップの他端側の第2の領域を第2の支持体上面の第2の支持面上に保持する第2の保持手段と、
該第1の保持手段と、該第2の保持手段と、に保持されたチップの該第1の領域と、該第2の領域と、の間の測定領域を屈曲させながら該測定領域の断面形状が円弧状になるように該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を相対移動させて該第1の支持面と、該第2の支持面と、を対面させ、次いで、該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、を互いに近づく方向に相対的に移動させる移動手段と、
該移動手段による該第1の保持手段の第1の支持体と、該第2の保持手段の第2の支持体と、の相対移動中にチップが破壊されたことを検出するチップ破壊検出手段と、
該チップ破壊検出手段でチップの破壊が検出された時の該測定領域の曲率を検出する曲率検出手段と、
を備えたことを特徴とするチップの曲率を測定する装置。
An apparatus for measuring the curvature of a chip when the chip is broken in a chip bending test,
First holding means for holding the first region on one end side of the chip in a state before bending on the first support surface on the upper surface of the first support, and the second region on the other end side of the chip Second holding means for holding on the second support surface of the upper surface of the two support bodies;
A cross section of the measurement area while bending the measurement area between the first area and the second area of the chip held by the first holding means and the second holding means. The first support surface of the first holding means and the second support body of the second holding means are moved relative to each other so that the shape becomes an arc shape, and the first support surface, The second support surface is made to face, and then the first support body of the first holding means and the second support body of the second holding means are relatively moved in a direction approaching each other. Moving means to cause
Chip breakage detecting means for detecting breakage of the chip during relative movement between the first support body of the first holding means and the second support body of the second holding means by the moving means When,
Curvature detecting means for detecting the curvature of the measurement region when chip breakage is detected by the chip breakage detecting means;
A device for measuring the curvature of a chip, comprising:
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