JP2018185925A - 有機デバイスの製造方法 - Google Patents
有機デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018185925A JP2018185925A JP2017086103A JP2017086103A JP2018185925A JP 2018185925 A JP2018185925 A JP 2018185925A JP 2017086103 A JP2017086103 A JP 2017086103A JP 2017086103 A JP2017086103 A JP 2017086103A JP 2018185925 A JP2018185925 A JP 2018185925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- cutting
- organic device
- layer
- cutting blade
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical class [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical compound C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical compound CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003263 cyclopentamine Drugs 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000011120 plywood Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N trans,trans-1,4-Diphenyl-1,3-butadiene Chemical group C=1C=CC=CC=1\C=C\C=C\C1=CC=CC=C1 JFLKFZNIIQFQBS-FNCQTZNRSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
- B26D7/08—Means for treating work or cutting member to facilitate cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F1/00—Perforating; Punching; Cutting-out; Stamping-out; Apparatus therefor
- B26F1/38—Cutting-out; Stamping-out
- B26F1/44—Cutters therefor; Dies therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
Abstract
【課題】有機デバイスの信頼性の低下を抑制しつつ効率的に個片化することができる有機デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】有機デバイス1の製造方法は、一方向に延在する支持基板3の一方の主面3a上に、少なくとも第1電極層5、有機機能層7及び第2電極層9をこの順番で積層した有機デバイス部10を、一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各有機デバイス部10における第1電極層5及び第2電極層9それぞれの一部が露出し且つ複数の有機デバイス部10に跨がるように、一方向に延在する封止部材11を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、封止部材11が貼合された複数の有機デバイス部10を個片化する裁断工程と、を含み、貼合工程では、封止部材11を感圧接着剤により有機EL部10に貼り合わせ、裁断工程では、封止部材11側から裁断刃Bを進入させる。
【選択図】図4
【解決手段】有機デバイス1の製造方法は、一方向に延在する支持基板3の一方の主面3a上に、少なくとも第1電極層5、有機機能層7及び第2電極層9をこの順番で積層した有機デバイス部10を、一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各有機デバイス部10における第1電極層5及び第2電極層9それぞれの一部が露出し且つ複数の有機デバイス部10に跨がるように、一方向に延在する封止部材11を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、封止部材11が貼合された複数の有機デバイス部10を個片化する裁断工程と、を含み、貼合工程では、封止部材11を感圧接着剤により有機EL部10に貼り合わせ、裁断工程では、封止部材11側から裁断刃Bを進入させる。
【選択図】図4
Description
本発明は、有機デバイスの製造方法に関する。
従来の有機デバイスの製造方法としては、例えば、特許文献1に記載された方法が知られている。特許文献1に記載の有機デバイスの製造方法は、基材上に有機機能素子を形成する工程の後に、有機機能素子を覆うように基材上に封止材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程と、封止材を接着後、熱硬化型接着剤が硬化する前に熱溶融断裁を行い、有機デバイスごとに個片化する断裁工程と、を含んでいる。
従来の有機デバイスの製造方法では、封止部材を接着する熱硬化型接着剤が硬化する前に熱溶融断裁を行うことにより、裁断の際における封止部材の有機機能素子からの剥離の抑制を図っている。従来の方法では、熱溶融断裁のために、加熱手段により加熱される裁断刃を用いる。しかしながら、熱溶融断裁では、デバイスに熱が伝わることがあり、デバイスに熱劣化が生じるおそれがある。また、熱溶融断裁では、溶融した熱硬化型接着剤等が裁断刃に付着することがあり、裁断刃から付着する作業が発生し得るため、メンテナンス性が良くない。さらに、熱溶融断裁では、上述のように、裁断刃を加熱手段で加熱する構成であるため、構成が複雑化する。そのため、有機デバイスの信頼性が低下しやすくなったり、効率的に有機デバイスごとに個片化することが難しかった。
本発明の一側面は、有機デバイスの信頼性の低下を抑制しつつ効率的に個片化することができる有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第1電極層、有機機能層及び第2電極層をこの順番で積層した有機デバイス部を、一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各有機デバイス部における第1電極層及び第2電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の有機デバイス部に跨がるように、一方向に延在する封止部材を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、封止部材が貼合された複数の有機デバイス部を個片化する裁断工程と、を含み、貼合工程では、封止基材及び感圧接着剤を有する封止部材を有機デバイス部に貼り合わせ、裁断工程では、封止部材側から裁断刃を進入させる。
本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法では、封止基材及び感圧接着剤を有する封止部材を有機デバイス部に貼り合わせている。そして、封止部材側から裁断刃を進入させて、有機デバイスを個片化している。感圧接着剤は、圧力が加えられることにより接着すると共に、接着後も硬化せずに柔軟性を有する。そのため、裁断刃が進入するときの圧力により感圧接着剤が封止部材と有機デバイス部とを接着すると共に、裁断刃が退避するときに封止基材と感圧接着剤とが剥離することを抑制できる。したがって、有機デバイスの製造方法では、層間剥離に起因する不具合の発生を抑制できるため、信頼性の低下を抑制できる。また、有機デバイスの製造方法では、熱硬化型接着剤を用いていないため、熱溶融断裁を必要としない。そのため、有機デバイスの製造方法では、デバイスに熱劣化が生じることがなく、裁断刃に熱硬化型接着剤等が付着しないためメンテナンス性が良く、更に加熱手段が必要ないため構成の簡易化を図れる。したがって、有機デバイスの製造方法では、有機デバイスの信頼性の低下を抑制しつつ効率的に個片化することができる。
一実施形態においては、形成工程では、一方向に直交する他方向において所定の間隔をあけて有機デバイス部を複数形成し、貼合工程では、他方向において並列する複数の有機デバイス部の列のそれぞれに封止部材を一方向に沿って貼り合わせてもよい。このように、封止部材を複数条貼合することにより、効率的に有機デバイスを製造できる。
一実施形態においては、裁断工程では、枠状を呈する裁断刃を複数用いて、複数の有機デバイス部を同じタイミングで個片化してもよい。これにより、効率的に個片化することができる。従来の熱溶融断裁の方法では、加熱手段を有する裁断刃を用いている。従来の方法において、複数の裁断刃を使用する場合には、各裁断刃に加熱手段を設ける必要があるため、構成が複雑化する。一実施形態に係る有機デバイスの製造方法では、加熱手段が必要ないため、複数の裁断刃を用いる場合であっても、簡易な構成で効率的に個片化することができる。
一実施形態においては、裁断工程では、基部に設けられた裁断刃と、基部において裁断刃を間に挟む位置に一対配置され且つ先端部が裁断刃の先端よりも突出すると共に弾性を有する弾性部材と、を有する裁断部を用いており、裁断刃が封止部材側から進入したときには弾性部材が縮み、裁断刃が退避するときに弾性部材が伸びてもよい。この方法では、先端部が裁断刃の先端よりも突出する弾性部材を用いることにより、裁断刃が進入及び退避するときに、弾性部材により封止部材が押さえ付けられる。これにより、裁断刃を進入させるときに感圧接着剤に圧力を加えることができると共に、裁断刃を退避させるときに、裁断刃により封止基材が引っ張られることで封止基材と感圧接着剤とが剥離することを抑制できる。したがって、層間剥離に起因するダークスポットの発生等の不具合が生じることを抑制できる。その結果、有機デバイスの信頼性の低下を抑制できる。
本発明の一側面によれば、有機デバイスの信頼性の低下を抑制しつつ効率的に個片化することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図1に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機EL素子(有機デバイス)1は、支持基板3と、陽極層(第1電極層)5と、有機機能層7と、陰極層(第2電極層)9と、封止部材11と、を備えている。陽極層5、有機機能層7及び陰極層9は、有機EL部(有機デバイス部)10を構成している。
[支持基板]
支持基板3は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板3は、フィルム状の基板(フレキシブル基板、可撓性を有する基板)である。支持基板3の厚さは、例えば、30μm以上500μm以下である。支持基板3が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、及び伸びの観点からは45μm以上、可撓性の観点からは125μm以下が好ましい。
支持基板3は、可視光(波長400nm〜800nmの光)に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板3は、フィルム状の基板(フレキシブル基板、可撓性を有する基板)である。支持基板3の厚さは、例えば、30μm以上500μm以下である。支持基板3が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、及び伸びの観点からは45μm以上、可撓性の観点からは125μm以下が好ましい。
支持基板3は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板3の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン(PES);ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリイミド樹脂;エポキシ樹脂等を含む。
支持基板3の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
支持基板3の一方の主面3a上には、ガスバリア層、或いは、水分バリア層が配置されていてもよい。支持基板3の他方の主面3bは、発光面である。支持基板3の他方の主面3bには、光取り出しフィルムが設けられていてもよい。光取り出しフィルムは、粘着層によって、支持基板3の他方の主面3bに貼合されていてもよい。なお、支持基板3は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板3が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点からは30μm以上、可撓性の観点からは100μm以下が好ましい。
[陽極層]
陽極層5は、支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陽極層5には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
陽極層5は、支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陽極層5には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。
陽極層5として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層5として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。
陽極層5の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層5の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜200nmである。
陽極層5の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のドライ成膜法、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法を挙げることができる。また、陽極層5は、さらにフォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いてパターンを形成することができる。塗布法を用いて支持基板3上に直接塗布することで、フォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いることなくパターンを形成することもできる。
[有機機能層]
有機機能層7は、陽極層5の主面(支持基板3に接する面の反対側)及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。有機機能層7は、発光層を含んでいる。有機機能層7は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層7を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料や、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。
有機機能層7は、陽極層5の主面(支持基板3に接する面の反対側)及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。有機機能層7は、発光層を含んでいる。有機機能層7は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層7を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び/又はりん光を発光する発光材料や、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。
(色素材料)
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。
(金属錯体材料)
金属錯体材料としては、例えばTb、Eu、Dy等の希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
金属錯体材料としては、例えばTb、Eu、Dy等の希土類金属、又はAl、Zn、Be、Pt、Ir等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。
(高分子材料)
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。
(発光層用ドーパント材料)
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。
有機機能層7の厚さは、通常約2nm〜200nmである。有機機能層7は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液(例えばインク)を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着によって形成されてもよい。
[陰極層]
陰極層9は、有機機能層7の主面(陽極層5に接する面の反対側)及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陰極層9の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第13族金属等を用いることができる。陰極層9の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
陰極層9は、有機機能層7の主面(陽極層5に接する面の反対側)及び支持基板3の一方の主面3a上に配置されている。陰極層9の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第13族金属等を用いることができる。陰極層9の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
また、陰極層9としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、IZO等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層9は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、後述の電子注入層が陰極層9として用いられる場合もある。
陰極層9の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層9の厚さは、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
陰極層9の形成方法としては、例えば、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等を挙げることができ、真空蒸着法、又はスパッタリング法が好ましい。
[封止部材]
封止部材11は、少なくとも有機機能層7を覆うように有機EL素子1において最上部に配置されている。封止部材11は、粘接着部17と、バリア層18と、封止基材19と、を有している。封止部材11は、粘接着部17、バリア層18及び封止基材19の順番で積層されている。粘接着部17は、バリア層18及び封止基材19を陽極層5、有機機能層7及び陰極層9に接着させるために用いられる。粘接着部17は、具体的には、感圧接着剤である。感圧接着剤は、好ましくは、α−オレフィン系樹脂及び粘着付与剤を含有する。α−オレフィン系樹脂及び粘着付与剤に特に限定は無く、従来公知のものを使用することができる。α−オレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリイソブチレン等の単独重合体又は共重合体等が挙げられる。該共重合体としては、2種以上のα−オレフィンを重合して得られる共重合体、α−オレフィンとα−オレフィン以外の単量体(例えば、スチレン、非共役ジエン等)とを重合して得られる共重合体等が挙げられる。また、感圧接着剤は、添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、吸湿性金属酸化物(例えば、酸化カルシウム、焼成ハイドロタルサイト等)、吸湿性金属酸化物以外の無機充填剤(例えば、シリカ、マイカ、タルク等)が挙げられる。
封止部材11は、少なくとも有機機能層7を覆うように有機EL素子1において最上部に配置されている。封止部材11は、粘接着部17と、バリア層18と、封止基材19と、を有している。封止部材11は、粘接着部17、バリア層18及び封止基材19の順番で積層されている。粘接着部17は、バリア層18及び封止基材19を陽極層5、有機機能層7及び陰極層9に接着させるために用いられる。粘接着部17は、具体的には、感圧接着剤である。感圧接着剤は、好ましくは、α−オレフィン系樹脂及び粘着付与剤を含有する。α−オレフィン系樹脂及び粘着付与剤に特に限定は無く、従来公知のものを使用することができる。α−オレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリイソブチレン等の単独重合体又は共重合体等が挙げられる。該共重合体としては、2種以上のα−オレフィンを重合して得られる共重合体、α−オレフィンとα−オレフィン以外の単量体(例えば、スチレン、非共役ジエン等)とを重合して得られる共重合体等が挙げられる。また、感圧接着剤は、添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、吸湿性金属酸化物(例えば、酸化カルシウム、焼成ハイドロタルサイト等)、吸湿性金属酸化物以外の無機充填剤(例えば、シリカ、マイカ、タルク等)が挙げられる。
バリア層18は、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。封止基材19は、金属箔、透明なプラスチックフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス等からなる。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、又はステンレスが好ましい。金属箔の厚さは、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると10μm〜50μmが好ましい。
[有機EL素子の製造方法]
続いて、上記構成を有する有機EL素子1の製造方法について説明する。
続いて、上記構成を有する有機EL素子1の製造方法について説明する。
支持基板3が可撓性を有し、長手方向に延在する基板である形態では、図2に示される基板乾燥工程S01から貼合工程S05まで、ロールツーロール方式が採用され得る。
有機EL素子1を製造する場合、最初に、支持基板3を加熱し、乾燥させる(基板乾燥工程S01)。次に、乾燥された支持基板3の一方の主面3a上に、陽極層5を形成する(陽極層形成工程(形成工程)S02)。陽極層5は、陽極層5の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。支持基板3上には、陽極層5が、支持基板3の長手方向において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板3の幅方向(一方向に直交する他方向)において所定の間隔をあけて複数(本実施形態では2つ)形成される。
続いて、陽極層5上に、有機機能層7を形成する(有機機能層形成工程(形成工程)S03)。有機機能層7は、有機機能層7の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。次に、有機機能層7上に、陰極層9を形成する(陰極層形成工程(形成工程)S04)。陰極層9は、陰極層9の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。以上により、図3に示されるように、支持基板3上には、有機EL部10が、支持基板3の長手方向(図3のY方向)において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板3の幅方向(図3のX方向)において所定の間隔をあけて複数(本実施形態では2つ)形成される。つまり、支持基板3の長手方向に沿って、有機EL部10の列が2列形成される。
続いて、封止部材11を貼り合わせる(貼合工程S05)。封止部材11は、所定の幅を有し、支持基板3の長手方向に延在する。具体的には、封止部材11は、図3に示されるように、陽極層5及び陰極層9のそれぞれの一部が露出するように幅が設定され、帯状を呈している。封止部材11は、可撓性を有している。封止部材11は、封止基材19の一方の面に粘接着部17が設けられている。封止部材11は、封止基材19の一方の面にバリア層18を介して粘接着部17が形成された後に帯状に切断されてもよいし、封止基材19を帯状に切断した後に封止基材19の一方の面にバリア層18を介して粘接着部17を形成してもよい。
封止部材11は、陽極層5の一部及び陰極層9の一部が露出するように、有機EL部10上に貼付される。具体的には、封止部材11は、複数の有機EL部10に跨って一方向に沿って貼付される。ロールツーロール方式では、支持基板3を搬送しながら、支持基板3上に形成された有機EL部10と封止部材11とを貼り合わせる。支持基板3と封止部材11とは、ローラ(図示省略)の間を通過する。これにより、支持基板3及び封止部材11は、ローラによって、圧力が付与される。これにより、粘接着部17と有機EL部10とが密着する。有機EL部10と封止部材11とを貼り合わせるときは、水分濃度の低い環境で行うことが好ましく、特に窒素雰囲気で行われることが好ましい。
続いて、封止部材11が貼合された複数の有機EL部10を個片化する(裁断工程S06)。図3に示されるように、裁断工程S06では、裁断線Lに沿って支持基板3及び封止部材11を裁断し、封止部材11が貼合された複数の有機EL部10を個片化する。具体的には、図4及び図5に示されるように、支持基板3を支持体100で支持して、裁断刃Bで支持基板3を裁断する。図4は、図3のX方向に沿った断面をY方向から見た図であり、陽極層5及び有機機能層7を含む位置での断面を示している。図5は、図3のX方向に沿った断面をY方向から見た図であり、陽極層5及び有機機能層7を含まない位置での断面を示している。
図6に示されるように、裁断刃Bは、裁断部50に設けられている。裁断部50は、裁断刃Bと、裁断刃Bを保持する保持部(基部)52と、弾性部材54,55と、を有している。保持部52は、例えば、ベニヤ板等の板部材である。裁断刃Bは、裁断線Lに応じた形状であり、枠状を呈している。本実施形態では、裁断刃Bは、4枚の刃部材が一体に設けられている。裁断刃Bは、例えば、裁断刃Bの保持部52側の端部が保持部52に埋設されることにより、保持部52に保持されている。また、他の一例として、裁断刃Bは、NC(numerical control)加工機を使用して保持部52の一部を切削して削り出された刃であって、裁断刃Bと保持部52とが一体となっていてもよい。この場合、裁断刃Bと保持部52とは同じ素材になりうる。
弾性部材54,55は、例えば、ゴム、スポンジ等が挙げられる。弾性部材54,55は、保持部52に固定されている。弾性部材54,55は、裁断刃Bを間に挟む位置に対向して一対配置されている。本実施形態では、弾性部材54,55の組が、所定の間隔をあけて複数(ここでは10組)設けられている。弾性部材54,55の先端部(保持部52に接合されている端部とは反対側の端部)は、図6に示されるように、裁断刃Bの先端(刃先)よりも突出している。
弾性部材54,55の作用(機能)について、図7(a)〜図7(c)を参照して説明する。図7(a)〜図7(c)では、支持基板3を裁断する形態を一例に説明する。図7(a)に示されるように、切断箇所に裁断刃Bを位置させる。このとき、裁断刃Bよりも先端部が突出する弾性部材54,55が支持基板3を押さえ付ける。図7(b)に示されるように、裁断刃Bを支持基板3に進入させると、弾性部材54,55が支持基板3と保持部52との間に挟まれ、保持部52により押圧されることで縮む。そして、図7(c)に示されるように、裁断刃Bが支持基板3を裁断して元の位置に戻ると、弾性部材54,55も伸びて元の状態に戻る。裁断刃Bが支持基板3から退避するとき、弾性部材54,55により支持基板3が押圧されている。これにより、裁断刃Bが支持基板3から引き上げられるときに、裁断刃Bに支持基板3が引っ張られて、支持基板3が反り上がることが抑制される。裁断刃Bが封止部材11、有機EL部10及び支持基板3を切断するときには、封止部材11の封止基材19が反り上がることを抑制できる。裁断工程S06では、以上のような構成を有する裁断部50を複数用いる。これにより、裁断工程S06では、一度に複数の有機EL素子1を個片化できる。
裁断工程S06では、図4及び図5に示されるように、複数の有機EL部10が形成された支持基板3を支持体100で支持させる。そして、裁断部50の裁断刃Bを、支持基板3の一方の主面3a側(封止部材11が貼合されている領域は封止部材11側)から進入させる。裁断刃Bは、その先端が支持基板3の他方の主面3bに到達する位置まで進行させる。これにより、封止部材11が貼合された複数の有機EL部10が個片化される。以上により、図1に示される有機EL素子1が製造される。
以上説明したように、本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、封止基材19及び感圧接着剤である粘接着部17を有する封止部材11を有機EL部10に貼り合わせている。そして、封止部材11側から裁断刃Bを進入させて、封止部材11が貼合された複数の有機EL部10を個片化している。粘接着部17は、圧力が加えられることにより接着すると共に、接着後も硬化せずに柔軟性を有する。そのため、裁断刃Bが進入するときの圧力により粘接着部17が封止部材11と有機EL部10とを接着すると共に、裁断刃Bが退避するときに封止基材19と粘接着部17とが剥離することを抑制できる。したがって、有機EL素子1の製造方法では、層間剥離に起因する不具合の発生を抑制できるため、信頼性の低下を抑制できる。
また、本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、熱硬化型接着剤を用いていないため、熱溶融断裁を必要としない。そのため、有機EL素子1の製造方法では、素子に熱劣化が生じることがなく、裁断刃Bに熱硬化型接着剤等が付着しないためメンテナンス性が良く、更に加熱手段が必要ないため構成の簡易化を図れる。したがって、有機EL素子1の製造方法では、有機EL素子1の信頼性の低下を抑制しつつ効率的に個片化することができる。
本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、支持基板3の長手方向に直交する幅方向において所定の間隔をあけて有機EL部10を複数形成する。貼合工程S05では、支持基板3の幅方向において並列する有機EL部10の列のそれぞれに封止部材11を一方向に沿って貼り合わせる。このように、封止部材11を複数条貼合することにより、効率的に有機EL素子1を製造できる。
本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、裁断工程S06では、枠状を呈する裁断刃Bを複数用いて、複数の有機EL素子1を同じタイミングで個片化する。これにより、効率的に有機EL素子1を個片化することができる。従来の熱溶融断裁の方法では、加熱手段を有する裁断刃を用いている。従来の方法において、複数の裁断刃を使用する場合には、各裁断刃に加熱手段を設ける必要があるため、構成が複雑化する。本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、加熱手段が必要ないため、複数の裁断刃Bを用いる場合であっても、簡易な構成で効率的に個片化することができる。
本実施形態に係る有機EL素子1の製造方法では、裁断工程S06では、保持部52に設けられた裁断刃Bと、保持部52において裁断刃Bを間に挟む位置に一対配置され且つ先端部が裁断刃Bの先端よりも突出すると共に弾性を有する弾性部材54,55と、を有する裁断部50を用いている。裁断部50では、裁断刃Bが封止部材11側から進入したときには弾性部材54,55が縮み、裁断刃Bが退避するときに弾性部材54,55が伸びる。この方法では、先端部が裁断刃Bの先端よりも突出する弾性部材54,55を用いることにより、裁断刃Bが進入及び退避するときに、弾性部材54,55により封止部材11が押さえ付けられる。これにより、裁断刃Bを進入させるときに粘接着部17に圧力を加えることができると共に、裁断刃Bを退避させるときに、裁断刃Bにより引っ張られることで封止基材19と粘接着部17とが剥離することを抑制できる。したがって、層間剥離に起因するダークスポットの発生等の不具合が生じることを抑制できる。その結果、有機EL素子1の信頼性の低下を抑制できる。
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、上記実施形態では、陽極層5と陰極層9との間に発光層を含む有機機能層7が配置された有機EL素子1を例示した。しかし、有機機能層7の構成はこれに限定されない。有機機能層7は、以下の構成を有していてもよい。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記(a)に示す構成は、上記実施形態における有機EL素子1の構成を示している。
(a)(陽極層)/発光層/(陰極層)
(b)(陽極層)/正孔注入層/発光層/(陰極層)
(c)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(d)(陽極層)/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(e)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/(陰極層)
(f)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/(陰極層)
(g)(陽極層)/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
(h)(陽極層)/発光層/電子注入層/(陰極層)
(i)(陽極層)/発光層/電子輸送層/電子注入層/(陰極層)
ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記(a)に示す構成は、上記実施形態における有機EL素子1の構成を示している。
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層7と同様に塗布法により形成できる。
ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは0.5nm〜20nmが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機EL素子1の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜であることが好ましく、その厚さは、例えば、0.5nm〜10nmであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、2nm〜7nmであることが好ましい。
有機EL素子1は、単層の有機機能層7を有していてもよいし、2層以上の有機機能層7を有していてもよい。上記(a)〜(i)の層構成のうちのいずれか1つにおいて、陽極層5と陰極層9との間に配置された積層構造を「構造単位A」とすると、2層の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、下記(j)に示す層構成を挙げることができる。2個ある(構造単位A)の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
(j)陽極層/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極層
(j)陽極層/(構造単位A)/電荷発生層/(構造単位A)/陰極層
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ITO、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。
また、「(構造単位A)/電荷発生層」を「構造単位B」とすると、3層以上の有機機能層7を有する有機EL素子の構成として、例えば、以下の(k)に示す層構成を挙げることができる。
(k)陽極層/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極層
(k)陽極層/(構造単位B)x/(構造単位A)/陰極層
記号「x」は、2以上の整数を表し、「(構造単位B)x」は、(構造単位B)がx段積層された積層体を表す。また複数ある(構造単位B)の層構成は同じでも、異なっていてもよい。
電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層7を直接的に積層させて有機EL素子を構成してもよい。
上記実施形態では、支持基板3上に陽極層5を形成する形態を一例に説明した。しかし、支持基板3上に陽極層5を予め形成したロールを用いてもよい。
上記実施形態では、有機EL素子1の製造方法において、支持基板3を加熱して乾燥させる工程を実施する形態を一例に説明した。しかし、支持基板3の乾燥工程は必ずしも実施しなくてもよい。
上記実施形態では、裁断工程S06において裁断部50を用いる形態を一例に説明した。しかし、裁断工程S06に用いる裁断刃は、弾性部材54,55を備えていなくてもよい。すなわち、裁断刃を単体で用いてもよい。
上記実施形態では、図6に示される裁断部50を用いる形態を一例に説明した。しかし、裁断部は、図8に示される構成であってもよい。図8に示されるように、裁断部50Aは、裁断刃Bと、保持部52と、弾性部材54A,55Aと、を有している。裁断部50Aは、弾性部材54A,55Aの構成が、裁断部50と異なる。弾性部材54A,55Aは、裁断刃Bを間に挟む位置に対向して配置されている。弾性部材54Aは、裁断刃Bの外側に位置し、所定の間隔をあけて複数(ここでは8個)設けられている。弾性部材55Aは、枠状の裁断刃Bの内側に配置されており、裁断刃Bに沿った形状(矩形状)を呈している。弾性部材54A,55Aの先端部(保持部52に接合されている端部とは反対側の端部)は、図8に示されるように、裁断刃Bの先端よりも突出している。
上記実施形態では、裁断刃Bが枠状を呈している形態を一例に説明した。しかし、裁断刃の形状はこれに限定されない。裁断刃は、裁断線に沿って裁断可能な形状であれば、いなかる形状であってもよい。
上記実施形態では、図3に示されるように、支持基板3上に、支持基板3の長手方向(図3のY方向)において所定の間隔をあけて有機EL部10を複数形成すると共に、支持基板3の幅方向(図3のX方向)において所定の間隔をあけて有機EL部10を複数形成する形態を一例に説明した。つまり、支持基板3上に有機EL部10を2列(複数列)形成する形態を一例に説明した。しかし、有機EL部10は、少なくとも、支持基板3上に1列形成されればよい。
上記実施形態では、有機デバイスとして、有機EL素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。
1…有機EL素子(有機デバイス)、3…支持基板、3a…一方の主面、5…陽極層(第1電極層)、7…有機機能層、9…陰極層(第2電極層)、10…有機EL部(有機デバイス部)、11…封止部材、17…粘接着部(感圧接着剤)、19…封止基材、50,50A…裁断部、52…保持部(基部)、54,55,54A,55A…弾性部材、B…裁断刃。
Claims (4)
- 一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第1電極層、有機機能層及び第2電極層をこの順番で積層した有機デバイス部を、前記一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、
各前記有機デバイス部における前記第1電極層及び前記第2電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の前記有機デバイス部に跨がるように、前記一方向に延在する封止部材を前記一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、
前記封止部材が貼合された複数の前記有機デバイス部を個片化する裁断工程と、を含み、
前記貼合工程では、封止基材及び感圧接着剤を有する前記封止部材を前記有機デバイス部に貼り合わせ、
前記裁断工程では、前記封止部材側から裁断刃を進入させる、有機デバイスの製造方法。 - 前記形成工程では、前記一方向に直交する他方向において所定の間隔をあけて前記有機デバイス部を複数形成し、
前記貼合工程では、前記他方向において並列する複数の前記有機デバイス部の列のそれぞれに前記封止部材を前記一方向に沿って貼り合わせる、請求項1に記載の有機デバイスの製造方法。 - 前記裁断工程では、枠状を呈する前記裁断刃を複数用いて、複数の前記有機デバイス部を同じタイミングで個片化する、請求項1又は2に記載の有機デバイスの製造方法。
- 前記裁断工程では、基部に設けられた前記裁断刃と、前記基部において前記裁断刃を間に挟む位置に対向して一対配置され且つ先端部が前記裁断刃の先端よりも突出すると共に弾性を有する弾性部材と、を有する裁断部を用いており、
前記裁断刃が前記封止部材側から進入したときには前記弾性部材が縮み、前記裁断刃が退避するときに前記弾性部材が伸びる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086103A JP6393362B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機デバイスの製造方法 |
PCT/JP2018/014548 WO2018198705A1 (ja) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | 有機デバイスの製造方法 |
US16/608,094 US20200099016A1 (en) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | Method for manufacturing organic device |
EP18790113.7A EP3618574A4 (en) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | ORGANIC DEVICE MANUFACTURING PROCESS |
KR1020197031581A KR20200002854A (ko) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | 유기 디바이스의 제조 방법 |
CN201880027332.5A CN110547048A (zh) | 2017-04-25 | 2018-04-05 | 有机器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017086103A JP6393362B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6393362B1 JP6393362B1 (ja) | 2018-09-19 |
JP2018185925A true JP2018185925A (ja) | 2018-11-22 |
Family
ID=63579951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017086103A Expired - Fee Related JP6393362B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 有機デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200099016A1 (ja) |
EP (1) | EP3618574A4 (ja) |
JP (1) | JP6393362B1 (ja) |
KR (1) | KR20200002854A (ja) |
CN (1) | CN110547048A (ja) |
WO (1) | WO2018198705A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200243803A1 (en) * | 2017-08-02 | 2020-07-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for manufacturing organic device, and organic device |
KR102608523B1 (ko) * | 2022-03-15 | 2023-11-30 | 주식회사 엘지화학 | 내측지지판이 구비된 oled 패널용 봉지재(fspm)의 프레스 재단장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007034647A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2008077854A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2010103040A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロニクス素子、その製造方法、及び製造装置 |
WO2010055746A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2014065248A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの切断方法 |
WO2016017807A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 日東電工株式会社 | 可撓性薄膜構造の表示セルを取り扱う方法 |
JP2017052964A (ja) * | 2008-12-03 | 2017-03-16 | テーザ・ソシエタス・ヨーロピア | 電子的装置のカプセル化方法 |
JP6284670B1 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-02-28 | 住友化学株式会社 | 有機デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010170776A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロニクス素子およびその製造方法 |
US20150357572A1 (en) * | 2013-03-22 | 2015-12-10 | Nitto Denko Corporation | Method for producing organic electroluminescence device |
WO2016103889A1 (ja) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2017
- 2017-04-25 JP JP2017086103A patent/JP6393362B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-04-05 EP EP18790113.7A patent/EP3618574A4/en not_active Withdrawn
- 2018-04-05 WO PCT/JP2018/014548 patent/WO2018198705A1/ja unknown
- 2018-04-05 US US16/608,094 patent/US20200099016A1/en not_active Abandoned
- 2018-04-05 KR KR1020197031581A patent/KR20200002854A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-04-05 CN CN201880027332.5A patent/CN110547048A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007034647A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2008077854A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2010103040A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロニクス素子、その製造方法、及び製造装置 |
WO2010055746A1 (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-20 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2017052964A (ja) * | 2008-12-03 | 2017-03-16 | テーザ・ソシエタス・ヨーロピア | 電子的装置のカプセル化方法 |
WO2014065248A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムの切断方法 |
WO2016017807A1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | 日東電工株式会社 | 可撓性薄膜構造の表示セルを取り扱う方法 |
JP6284670B1 (ja) * | 2017-04-25 | 2018-02-28 | 住友化学株式会社 | 有機デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110547048A (zh) | 2019-12-06 |
JP6393362B1 (ja) | 2018-09-19 |
WO2018198705A1 (ja) | 2018-11-01 |
EP3618574A4 (en) | 2021-02-17 |
US20200099016A1 (en) | 2020-03-26 |
KR20200002854A (ko) | 2020-01-08 |
EP3618574A1 (en) | 2020-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6393362B1 (ja) | 有機デバイスの製造方法 | |
JP2017069031A (ja) | 有機el素子及び有機el素子の製造方法 | |
JP6284670B1 (ja) | 有機デバイスの製造方法 | |
JP2017212127A (ja) | 有機デバイスの製造方法 | |
JP6559758B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
JP6375015B1 (ja) | 有機電子デバイスの製造方法 | |
JP6129938B1 (ja) | 有機デバイスの製造方法及び有機デバイス用基板 | |
WO2017154575A1 (ja) | 有機デバイスの製造方法 | |
WO2017130955A1 (ja) | 有機el素子 | |
KR20200100097A (ko) | 유기 전자 디바이스의 제조 방법 | |
WO2019027014A1 (ja) | 有機デバイスの製造方法及び有機デバイス | |
JP6097369B1 (ja) | パターンの製造方法 | |
CN108029176B (zh) | 有机电子设备的制造方法及密封构件的制造方法 | |
JP2018185992A (ja) | 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180731 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180824 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6393362 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |