CN108029176B - 有机电子设备的制造方法及密封构件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机电子设备的制造方法，将密封构件(19)粘贴于有机电子元件(17)上，所述密封构件(19)具有：密封基材(15)、具有粘着粘接性并且设于密封基材(15)上的粘着粘接部(13)、和设于该粘着粘接部(13)的作为吸湿性固化物的吸湿部(11)。
Description
技术领域
本发明涉及有机电子设备的制造方法及密封构件的制造方法。
背景技术
作为以往的有机电子设备的制造方法，例如有专利文献1中记载的方法。专利文献1中记载的有机电子设备的制造方法是制造具备基板和形成于基板上的电子元件的电子设备的方法，包括：得到在密封基材上形成有绝缘层及粘合层的密封构件的工序、在绝缘层及粘合层上形成绝缘层除去部的工序、向绝缘性除去部中填充含有吸湿剂的树脂的工序、将密封构件粘贴于电子元件的工序、以及在将密封基材与电子元件粘贴的状态下照射紫外线而使树脂固化的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－222333号公报
发明内容
发明所要解决的问题
上述以往的有机电子设备的制造方法中，在将填充有包含吸湿材料的树脂的密封构件与电子元件粘贴后，照射紫外线而使树脂固化。该情况下，在树脂被固化时，会产生释气，或将有机电子元件暴露于紫外线中。释气及紫外线可能对电子元件造成损伤。由此，以往的有机电子设备的制造方法中，可靠性和元件性能有可能降低。
本发明的一个方面的目的在于，提供可以在具备吸湿部的构成中抑制可靠性和元件性能的降低的有机电子设备的制造方法及密封构件的制造方法。
用于解决问题的方法
本发明的一个方面的有机电子设备的制造方法是在支撑基板上形成有有机电子元件的有机电子设备的制造方法，该制造方法包括：密封构件形成工序，形成具有密封基材、具有粘着粘接性并且形成于密封基材上的粘着粘接部、和形成于该粘着粘接部的作为吸湿性固化物的吸湿部的密封构件；以及密封工序，将密封构件粘贴于有机电子元件。
本发明的一个方面的有机电子设备的制造方法中，将具有作为吸湿性固化物的吸湿部的密封构件粘贴于有机电子元件。由此，该制造方法中，在将密封构件与有机电子元件粘贴后，无需使吸湿部固化的工序。由此，该制造方法中，在将密封构件与有机电子元件粘贴后，不会产生释气。此外，支撑基板上的有机电子元件也不会暴露于紫外线中。因而，不会有释气和紫外线对有机电子元件造成损伤的情况。其结果是，该制造方法中，在具备吸湿部的构成中，可以抑制可靠性和元件性能的降低。
在一个实施方式中，密封构件形成工序也可以包括：粘着粘接部形成工序，在密封基材上形成粘着粘接部；以及吸湿部形成工序，在粘着粘接部形成吸湿部。通过包含这些工序，可以获得密封构件。
在一个实施方式中，也可以在吸湿部形成工序中，在粘着粘接部粘贴作为吸湿性固化物的吸湿部。例如，通过将作为吸湿性固化物的片状的吸湿部粘贴于粘着粘接部，可以容易地在粘着粘接部形成吸湿部。
在一个实施方式中，也可以在吸湿部形成工序中，向粘着粘接部涂布吸湿部的前体并使之固化，形成吸湿部。由此，就可以在粘着粘接部形成作为吸湿性固化物的吸湿部。
在一个实施方式中，也可以在吸湿部形成工序中，在粘着粘接部形成给定图案的凹部，向该凹部填充吸湿部的前体，使该前体固化而形成吸湿部。通过与有机电子元件的形状对应地形成凹部，就可以使吸湿部对有机电子元件有效地发挥作用。
在一个实施方式中，也可以利用激光的照射来形成凹部。由此，就可以精度优良地形成凹部。
在一个实施方式中，也可以利用印刷法将吸湿部的前体填充于凹部。通过利用喷墨打印法或涂布器法等将前体填充于凹部，可以向凹部精度优良地填充前体。
在一个实施方式中，也可以在将密封构件粘贴于有机电子元件之前，对密封构件实施脱水处理。由此，就可以使密封构件干燥。因而，可以抑制有机电子元件因密封构件中所含的水分而劣化。
在一个实施方式中，也可以在将密封构件和有机电子元件加热了的状态下施加压力而粘贴。由此，由于与有机电子元件接触的密封构件的粘着粘接部软化，因此可以使粘着粘接部与有机电子元件密合。
本发明的一个方面的密封构件的制造方法是将形成于支撑基板上的有机电子元件密封的密封构件的制造方法，该制造方法包括：粘着粘接部形成工序，在密封基材上形成具有粘着粘接性的粘着粘接部；以及吸湿部形成工序，在粘着粘接部形成作为吸湿性固化物的吸湿部。
本发明的一个方面的密封构件的制造方法中，在粘着粘接部形成作为吸湿性固化物的吸湿部。在使用如此制造的密封构件制造有机电子设备的情况下，将具有作为吸湿性固化物的吸湿部的密封构件粘贴于有机电子元件。由此，在将密封构件与有机电子元件粘贴后，无需使吸湿部固化的工序。由此，在使用了该密封构件的有机电子设备的制造方法中，在将密封构件与有机电子元件粘贴后，不会产生释气。此外，支撑基板上的有机电子元件不会暴露于紫外线中。因而，不会有释气和紫外线对有机电子元件造成损伤的情况。其结果是，在具备吸湿部的构成中，可以抑制可靠性和元件性能的降低。
发明效果
根据本发明的一个方面，在具备吸湿部的构成中，可以抑制可靠性和元件性能的降低。
附图说明
图1是利用一个实施方式的有机电子设备的制造方法制造的有机EL元件的剖视图。
图2是沿着图1的II－II线的剖视图。
图3是示意性地表示基于卷对卷方式的有机EL元件的制造方法的图。
图4是示意性地表示基于卷对卷方式的密封构件的制造方法的图。
图5是表示密封构件的制造工序的图。
图6是表示密封构件的制造工序的图。
图7是表示密封工序的图。
图8是表示基于卷对卷方式的密封工序的图。
图9是其他的实施方式的有机EL元件的剖视图。
图10是其他的实施方式的有机EL元件的剖视图。
图11是其他的实施方式的有机EL元件的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细说明。需要说明的是，在附图的说明中对于相同或相当要素使用相同符号，省略重复的说明。
如图1所示，利用本实施方式的有机EL元件的制造方法制造的有机EL元件(有机电子设备)1具备：支撑基板3、阳极层5、发光层(有机功能层)7、阴极层9、吸湿部11、粘着粘接部13、和密封基材15。阳极层5、发光层7及阴极层9构成有机EL部(有机电子元件)17。吸湿部11、粘着粘接部13及密封基材15构成密封构件19。
[支撑基板]
支撑基板3由对可见光(波长400nm～800nm的光)具有透光性的树脂构成。支撑基板3是膜状的基板(柔性基板、具有挠曲性的基板)。支撑基板3的厚度例如为30μm以上且500μm以下。
支撑基板3例如为塑料膜。支撑基板3的材料例如包含聚醚砜(PES)；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环状聚烯烃等聚烯烃树脂；聚酰胺树脂；聚碳酸酯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙烯醇树脂；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈树脂；乙缩醛类树脂；聚酰亚胺树脂；环氧树脂。
在上述树脂当中，由于耐热性高、线膨胀率低、并且制造成本低，因此支撑基板3的材料优选聚酯树脂、聚烯烃树脂，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。另外，这些树脂可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
也可以在支撑基板3的一个主面3a上，配置阻水层(屏蔽层)。支撑基板3的另一个主面3b为发光面。需要说明的是，支撑基板3也可以是薄膜玻璃。
[阳极层]
阳极层5配置于支撑基板3的一个主面3a上。作为阳极层5，使用显示出透光性的电极层。作为显示出透光性的电极，可以使用电导率高的金属氧化物、金属硫化物及金属等的薄膜，优选使用透光率高的薄膜。例如可以使用包含氧化铟、氧化锌、氧化锡、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：简称ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide：简称IZO)、金、铂、银、以及铜等的薄膜，它们当中优选使用包含ITO、IZO、或氧化锡的薄膜。
作为阳极层5，也可以使用聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等有机物的透明导电膜。
阳极层5的厚度可以考虑光的透过性、电导率等来确定。阳极层5的厚度通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
作为阳极层5的形成方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、镀敷法及涂布法等。
[发光层]
发光层7配置于阳极层5及支撑基板3的一个主面3a上。发光层7通常主要包含发出荧光和/或磷光的有机物、或该有机物和辅助该有机物的发光层用掺杂剂材料。发光层用掺杂剂材料例如是为了提高发光效率、改变发光波长而加入。需要说明的是，有机物可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物。作为构成发光层7的发光材料，例如可以举出下述的色素材料、金属络合物材料、高分子材料、发光层用掺杂剂材料。
(色素材料)
作为色素材料，例如可以举出环五胺及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物、三苯胺及其衍生物、噁二唑及其衍生物、吡唑并喹啉及其衍生物、二苯乙烯基苯及其衍生物、二苯乙烯基亚芳基(ジスチリルアリーレン)及其衍生物、吡咯及其衍生物、噻吩化合物、吡啶化合物、紫环酮及其衍生物、苝及其衍生物、低聚噻吩及其衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮及其衍生物、香豆素及其衍生物等。
(金属络合物材料)
作为金属络合物材料，例如可以举出作为中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土类金属、或Al、Zn、Be、Pt、Ir等、作为配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。作为金属络合物，例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物、羟基喹啉铝络合物、羟基苯并喹啉铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑基锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。
(高分子材料)
作为高分子材料，例如可以举出聚对苯乙炔(ポリパラフェニレンビニレン)及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对苯撑及其衍生物、聚硅烷及其衍生物、聚乙炔及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚乙烯基咔唑及其衍生物、将上述色素材料、金属络合物材料高分子化了的材料等。
(发光层用掺杂剂材料)
作为发光层用掺杂剂材料，例如可以举出苝及其衍生物、香豆素及其衍生物、红荧烯及其衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、方酸内鎓盐及其衍生物、卟啉及其衍生物、苯乙烯基色素、并四苯及其衍生物、吡唑啉酮及其衍生物、十环烯及其衍生物、吩噁嗪酮及其衍生物等。
发光层7的厚度通常约为2nm～200nm。例如利用使用包含如上所述的发光材料的涂布液(例如墨液)的涂布法来形成发光层7。作为包含发光材料的涂布液的溶剂，只要是溶解发光材料的溶剂，就没有限定。
[阴极层]
阴极层9配置于发光层7及支撑基板3的一个主面3a上。阴极层9与引出电极9a电连接。引出电极9a配置于支撑基板3的一个主面3a。与阳极层5隔开给定的间隔地配置引出电极9a。引出电极9a的厚度与阳极层5的厚度同等。引出电极9a的材料与阳极层5的材料相同。
作为阴极层9的材料，例如可以使用碱金属、碱土类金属、过渡金属及周期表第13族金属等。作为阴极层9的材料，例如使用锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属、所述金属当中的2种以上的合金、所述金属当中的1种以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡当中的1种以上的合金、或者石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁－银合金、镁－铟合金、镁－铝合金、铟－银合金、锂－铝合金、锂－镁合金、锂－铟合金、钙－铝合金等。
另外，作为阴极层9，例如可以使用包含导电性金属氧化物及导电性有机物等的透明导电性电极。
具体而言，作为导电性金属氧化物可以举出氧化铟、氧化锌、氧化锡、ITO、以及IZO，作为导电性有机物可以举出聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等。需要说明的是，阴极层9也可以由层叠有2层以上的层叠体构成。需要说明的是，电子注入层有时也被作为阴极层9使用。
阴极层9的厚度可以考虑电导率、耐久性而设定。阴极层9的厚度通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。
作为阴极层9的形成方法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、或热压接金属薄膜的层压法及涂布法等。
[吸湿部]
吸湿部11是捕获水分的干燥材料。吸湿部11也可以在水分以外，还捕获氧等。吸湿部11配置于阳极层5及阴极层9上。如图2所示，吸湿部11被以包围有机EL部17的方式配置。吸湿部11的厚度比粘着粘接部13的厚度薄。需要说明的是，在图2中，省略了设于吸湿部11的外侧的粘着粘接部13的图示。另外，图2中，以连续地形成吸湿部11的形态作为一例表示，然而吸湿部11也可以隔开给定的间隔地间歇地形成。简而言之，吸湿部11只要形成于有机EL部17的周围即可。
吸湿部11是使作为吸湿部11的前体的液体吸附材料(液体ゲッター材)固化而形成。液体吸附材料包含具有光反应性基团的交联性化合物(固化成分)。吸湿部11是通过在粘着粘接部13涂布液体吸附材料，在涂布形成后，进行紫外线(UV)照射处理，使液体吸附材料固化而形成。另外，液体吸附材料也可以包含具有热反应性基团的交联性化合物。该情况下，利用加热处理使液体吸附材料固化。
吸湿部11优选作为液体吸附材料至少包含有机金属化合物、金属氧化物、沸石等多孔物质中的1种。此外，构成有机金属化合物和金属氧化物的金属优选至少包含铝、钙、钡的至少1种。特别是有机铝化合物、氧化钙等由于水分的补水速度快，因此更优选。
另外，吸湿部11也可以包含粘结剂，特别是也可以包含丙烯酸系树脂、环氧系树脂、苯乙烯系树脂、烯烃系树脂、以及酰胺系树脂中的至少1种。
吸湿部11的形状也可以是片。该情况下，吸湿部11是通过使作为吸湿部11的前体的片吸附材料固化而形成。片吸附材料粘贴于粘着粘接部13。片吸附材料可以是吸湿性固化物，也可以在涂布于粘着粘接部13后，进行加热处理或UV照射处理，使之固化。
吸湿部11的吸湿速度在温度24℃、湿度55％RH的环境下优选为1wt％/h以上。
[粘着粘接部]
粘着粘接部13是为了将密封基材15粘接于阳极层5、发光层7及阴极层9(有机EL部17)而使用的部分。以覆盖有机EL部17的方式配置粘着粘接部13。
粘着粘接部13具体而言由光固化性或热固化性的丙烯酸酯树脂、或者光固化性或热固化性的环氧树脂构成。除此以外还可以使用能够用一般所使用的脉冲热封机熔融的树脂膜、例如乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚丙烯(PP)膜、聚乙烯(PE)膜、聚丁二烯(PB)膜等热熔融性膜。另外，也可以使用热塑性树脂。
作为粘着粘接部13中所用的粘接材料，优选有机EL部17与粘着粘接部13的粘接性高、另外抑制明显的粘接材料热收缩、由对有机EL部17的应力造成的有机EL部17的剥离、来自粘着粘接部13的对有机EL部17造成不良影响的成分的产生、以及屏蔽性高且抑制黑斑的产生、生长的效果高的粘接材料。
粘着粘接部13的厚度优选为1μm～100μm，更优选为5μm～60μm，进一步优选为10μm～30μm。如果该厚度明显薄，则无法充分地填埋有机EL部17表面的凹凸或混入的尘埃，它们对有机EL材料赋予机械的应力，容易成为黑斑的原因。另一方面，如果该厚度明显厚，则容易受到从粘着粘接部13的端面侵入的水分的影响。但是，在粘接剂的涂设量过多的情况下，会产生沟槽、渗出、细皱纹等。粘着粘接部13的含有水分量优选为300ppm以下(重量基准)。
作为形成粘着粘接部13的方法，例如可以举出热熔叠层法。所谓热熔叠层法，是将热熔粘接剂熔融而在支撑体上涂设粘接层的方法，是通常能够在1μm～50μm的宽大范围中设定粘接层的厚度的方法。作为热熔叠层法中一般所使用的粘接剂的基体树脂，使用EVA、乙烯丙烯酸乙酯共聚物(EEA)、聚乙烯、丁基橡胶等，将松香、二甲苯树脂、萜烯系树脂、苯乙烯系树脂等作为增粘剂添加，将蜡等作为增塑剂添加。
另外，作为形成粘着粘接部13的方法，可以举出挤出层压法。所谓挤出层压法，是将在高温下熔融了的树脂利用模具涂设于支撑体上的方法，是通常能够在10μm～50μm的宽大范围中设定粘接层的厚度的方法。作为挤出层压法中所使用的树脂，一般使用低密度聚乙烯(LDPE)、EVA、PP等。
[密封构件]
密封基材15在有机EL元件1中配置于最上部(粘着粘接部13上)。密封基材15由金属箔、在透明的塑料膜的表面或者背面或其两面形成有屏蔽功能层的屏蔽膜、或者具有柔性的薄膜玻璃、在塑料膜上层叠有具有屏蔽性的金属的膜等构成，具有阻气功能，特别是具有阻水功能。作为金属箔，从屏蔽性的观点考虑，优选铜、铝、不锈钢。作为金属箔的厚度，从抑制针孔的观点考虑，越厚越好，然而如果还考虑柔性的观点，则优选15μm～50μm。
[有机EL元件的制造方法]
接下来，对具有上述构成的有机EL元件1的制造方法进行说明。
在制造有机EL元件1的情况下，首先，加热支撑基板3，使之干燥(基板干燥工序S01)。其后，在经过干燥的支撑基板3上，形成有机EL部17。对于有机EL部17，依次实施在经过干燥的支撑基板3上形成阳极层5的工序(阳极层形成工序S02)、在阳极层5上形成发光层7的工序(发光层形成工序S03)、和在发光层7上形成阴极层9的工序(阴极层形成工序S04)。在形成有机EL部17的情况下，各层可以利用各层的说明时所例示的形成方法来形成。
在形成有机EL部17后，实施将有机EL部17与密封构件19粘贴、用密封构件19密封有机EL部17的工序(密封工序S05)。
在支撑基板3为挠曲性基板的方式中，如图3中示意性所示，可以采用卷对卷方式。在利用卷对卷方式制造有机EL元件1的情况下，也可以一边连续地用运送辊31运送架设于卷出辊30A与卷绕辊30B之间的长尺寸的挠曲性的支撑基板3，一边进行支撑基板3的干燥以及从支撑基板3侧依次形成构成有机EL部17的各层。
接下来，对形成粘贴于有机EL部17的密封构件19的方法(密封构件形成工序S11)进行说明。在密封基材15为挠曲性基材的方式中，如图4中示意性所示，可以采用卷对卷方式。在利用卷对卷方式制造密封构件19的情况下，也可以一边连续地用运送辊41运送架设于卷出辊40A与卷绕辊40B之间的长尺寸的挠曲性的密封基材15，一边从密封基材15侧依次形成构成密封构件19的吸湿部11及粘着粘接部13。
首先，在图5(a)中所示的密封基材15的一面上，如图5(b)所示，形成粘着粘接部13(粘着粘接部形成工序S12)。粘着粘接部13可以利用粘着粘接部13的说明时所例示的形成方法来形成。另外，粘着粘接部13也可以是将事先制成片状的材料粘贴于密封基材15而成。
接下来，如图6(a)所示，在粘着粘接部13形成给定图案的凹部H。本实施方式中，凹部H是通过照射激光L而除去粘着粘接部13来形成。本实施方式中，如图2所示，以使吸湿部11包围有机EL部17的方式，以框状形成凹部H。需要说明的是，凹部H的形成不限于激光L的照射。凹部H也可以利用光刻法、印刷法(例如纳米压印)等来形成。
然后，向凹部H填充(涂布)吸附材料。作为向凹部H填充吸附材料的方法的例子，可以举出喷墨打印法、涂布器法等印刷法。接下来，对填充于凹部H的吸附材料进行UV照射处理，使吸附材料固化。由此，就会如图6(b)所示，在凹部H形成吸湿部11(吸湿部形成工序S13)。由此制造出密封构件19。在填充(涂布)吸附材料并进行固化时，优选在水分浓度低的环境中进行，特别优选在氮气气氛中进行。
需要说明的是，吸湿部11也可以在粘着粘接部13形成经过固化处理的物质。例如，也可以将作为吸湿性固化物的片构件等粘贴于粘着粘接部13，形成吸湿部11。
如上所述地形成的密封构件19在粘贴在形成于支撑基板3上的有机EL部17之前，被实施脱水处理。脱水处理中，将密封构件19加热。作为加热密封构件19的装置，可以使用向密封构件19照射红外线的装置、供给热风的装置、与密封构件19接触的加热辊、烘箱等。密封构件19的脱水处理优选在水分浓度低的环境中进行，特别优选在氮气气氛中进行。
密封工序S05中，如图7所示，将有机EL部17与密封构件19粘贴。在卷对卷方式中，一边运送支撑基板3，一边如图8所示，将形成于支撑基板3上的有机EL部17与密封构件19粘贴。支撑基板3和密封构件19通过加热辊32a、32b之间。由此，支撑基板3及密封构件19在由加热辊32a、32b加热的同时被赋予压力。由此，粘着粘接部13发生软化，粘着粘接部13与有机EL部17密合。在将有机EL部17与密封构件19粘贴时，优选在水分浓度低的环境中进行，特别优选在氮气气氛中进行。利用以上操作，如图1所示，制造出有机EL元件1。
如上说明所示，本实施方式的有机EL元件1的制造方法中，将具有作为吸湿性固化物的吸湿部11的密封构件19粘贴于有机EL部17。因此，在该制造方法中，在将密封构件19与有机EL部17粘贴后，无需使吸湿部11固化的工序。由此，在该制造方法中，在将密封构件19与有机EL部17粘贴后，既不会产生释气，也不会将有机EL部17暴露于紫外线中。因而，不会有释气和紫外线对有机EL部17造成损伤的情况。其结果是，在该制造方法中，在具备吸湿部11的构成中，可以抑制可靠性和元件性能的降低。
另外，在有机EL元件1的制造方法中，由于在将具有作为吸湿性固化物的吸湿部11的密封构件19与有机EL部17粘贴后不会产生释气，因此无需在有机EL部17设置用于抑制由释气造成的劣化的保护层。因而，可以实现有机EL元件1的构成的简化。另外，由于无需形成保护层的工序，因此可以实现生产率的提高。
另外，在有机EL元件1的制造方法中，由于具有作为吸湿性固化物的吸湿部11的密封构件19的吸湿部11是被填充于凹部H而形成，因此在将密封构件19与有机EL部17粘贴时，在密封构件19的表面没有凹凸，可以抑制空隙等粘贴不良的产生。另外，在将密封构件19与有机EL部17粘贴时，可以避免应力集中在局部，因此可以抑制有机EL部17、支撑基板3等的损伤的产生。
本实施方式中，在吸湿部形成工序S13中，向粘着粘接部13涂布作为吸湿部11的前体的吸附材料而使之固化，形成吸湿部11。由此，可以在粘着粘接部13良好地形成作为吸湿性固化物的吸湿部11。
本实施方式中，在吸湿部形成工序中，在粘着粘接部13形成给定图案的凹部H，向凹部H填充作为吸湿部11的前体的吸附材料，使吸附材料固化而形成吸湿部11。通过与有机EL部17的形状对应地形成凹部H，可以使吸湿部11对有机EL部17有效地发挥作用。
本实施方式中，在将密封构件19粘贴于有机EL部17之前，对密封构件19实施脱水处理。由此，可以使密封构件19干燥。因而，可以抑制有机EL部17因密封构件19中所含的水分而劣化。
本实施方式中，在利用加热辊32a、32b加热了的状态下施加压力而将密封构件19与有机EL部17粘贴。由此，与有机EL部17接触的密封构件19的粘着粘接部13发生软化，因此可以使粘着粘接部13与有机EL部17密合。
需要说明的是，本发明并不限定于上述的本实施方式，可以进行各种变形。例如，上述实施方式中，例示出在阳极层5与阴极层9之间配置有发光层7的有机EL元件1。但是，有机功能层的构成并不限定于此。有机功能层也可以具有以下的构成。
(a)阳极层/发光层/阴极层
(b)阳极层/空穴注入层/发光层/阴极层
(c)阳极层/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极层
(d)阳极层/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
(e)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极层
(f)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极层
(g)阳极层/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
(h)阳极层/发光层/电子注入层/阴极层
(i)阳极层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极层
此处，记号“/”表示夹隔着记号“/”的各层被相邻地层叠。上述(a)中所示的构成表示上述实施方式的有机EL元件1的构成。
空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层的各自的材料可以使用公知的材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层例如可以分别与发光层7相同地利用涂布法形成。
有机EL元件1可以具有单层的发光层7，也可以具有2层以上的发光层7。在上述(a)～(i)的层构成中的任意一个中，如果将配置于阳极层5与阴极层9之间的层叠结构设为“结构单元A”，则作为具有2层的发光层7的有机EL元件的构成，例如可以举出下述(j)中所示的层构成。存在有2个的(结构单元A)的层构成既可以相同，也可以不同。
(j)阳极层/(结构单元A)/电荷发生层/(结构单元A)/阴极层
此处所谓电荷发生层，是通过施加电场而产生空穴和电子的层。作为电荷发生层，例如可以举出包含氧化钒、ITO、氧化钼等的薄膜。
另外如果将“(结构单元A)/电荷发生层”设为“结构单元B”，则作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成，例如可以举出以下的(k)中所示的层构成。
(k)阳极层/(结构单元B)x/(结构单元A)/阴极层
记号“x”表示2以上的整数，“(结构单元B)x”表示层叠有x段的(结构单元B)的层叠体。另外存在有多个的(结构单元B)的层构成既可以相同，也可以不同。
也可以不设置电荷发生层而是直接层叠多个发光层7来构成有机EL元件。
上述实施方式中，以利用卷对卷方式在支撑基板3上形成阳极层5的方式为一例进行了说明。但是，也可以在支撑基板3上预先形成阳极层5，在连续地利用运送辊31运送架设于卷出辊30A与卷绕辊30B之间的长尺寸的形成有阳极层5的支撑基板3的同时，实施有机EL元件1的制造的各工序。
有机EL元件也可以是图9～图11中所示的构成。如图9所示，有机EL元件1A具备吸湿部11A。吸湿部11A构成密封构件19A。吸湿部11A的厚度与粘着粘接部13的厚度同等。即，吸湿部11A的上端与密封基材15抵接。
如图10所示，有机EL元件1B具备吸湿部11B。吸湿部11B构成密封构件19B。吸湿部11B的厚度并不恒定。具体而言，吸湿部11B的一部分(图10的右侧)的厚度比粘着粘接部13的厚度薄，吸湿部11B的一部分(图10的左侧)的厚度与粘着粘接部13的厚度同等。
如图11所示，有机EL元件1C具备吸湿部11C。吸湿部11A构成密封构件19C。吸湿部11C覆盖阴极层9。图9～图11中所示的有机EL元件1A、1B、1C均可以利用上述的制造方法制造。
上述实施方式中，作为有机EL设备，以有机EL元件为一例进行了说明。有机EL设备也可以是有机薄膜晶体管、有机光检测器、有机薄膜太阳能电池等。
以上，对本发明的各种实施方式进行了说明。然而，本发明并不限定于上述的各种实施方式，可以在不脱离本发明的主旨的范围中进行各种变形。
符号的说明
1 有机EL元件(有机电子设备)，3 支撑基板，11 吸湿部，13 粘着粘接部，15 密封基材，17 有机EL部(有机电子元件)，19 密封构件，H 凹部，S05 密封工序，S11 密封构件形成工序，S12 粘着粘接部形成工序，S13 吸湿部形成工序。
Claims (11)
1.一种有机电子设备的制造方法，是在支撑基板上形成有有机电子元件的有机电子设备的制造方法，该制造方法包括：
密封构件形成工序，形成具有密封基材、具有粘着粘接性并且形成于所述密封基材上的粘着粘接部、和形成于该粘着粘接部的作为吸湿性固化物的吸湿部的密封构件；以及
密封工序，将所述密封构件粘贴于所述有机电子元件，
所述粘着粘接部与所述有机电子元件粘接，所述吸湿部被以包围所述有机电子元件的方式配置，
在所述密封工序中，所述粘着粘接部与所述有机电子元件粘接并且所述吸湿部被以包围所述有机电子元件的方式配置，以此将所述密封构件粘贴于所述有机电子元件。
2.根据权利要求1所述的有机电子设备的制造方法，其中，
所述密封构件形成工序包括：
粘着粘接部形成工序，在所述密封基材上形成所述粘着粘接部；以及
吸湿部形成工序，在所述粘着粘接部形成所述吸湿部。
3.根据权利要求2所述的有机电子设备的制造方法，其中，
所述吸湿部形成工序中，在所述粘着粘接部粘贴作为所述吸湿性固化物的所述吸湿部。
4.根据权利要求2所述的有机电子设备的制造方法，其中，
所述吸湿部形成工序中，向所述粘着粘接部涂布所述吸湿部的前体并使之固化，形成所述吸湿部。
5.根据权利要求2所述的有机电子设备的制造方法，其中，
所述吸湿部形成工序中，在所述粘着粘接部形成给定图案的凹部，向该凹部填充所述吸湿部的前体，使该前体固化而形成所述吸湿部。
6.根据权利要求5所述的有机电子设备的制造方法，其中，
利用激光的照射形成所述凹部。
7.根据权利要求5所述的有机电子设备的制造方法，其中，
利用印刷法向所述凹部填充所述吸湿部的所述前体。
8.根据权利要求6所述的有机电子设备的制造方法，其中，
利用印刷法向所述凹部填充所述吸湿部的所述前体。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的有机电子设备的制造方法，其中，
在将所述密封构件粘贴于所述有机电子元件之前，对所述密封构件实施脱水处理。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的有机电子设备的制造方法，其中，
在将所述密封构件和所述有机电子元件加热了的状态下施加压力而粘贴。
11.一种密封构件的制造方法，是将形成于支撑基板上的有机电子元件密封的密封构件的制造方法，
该制造方法包括：
粘着粘接部形成工序，在密封基材上形成具有粘着粘接性的、与所述有机电子元件粘接的粘着粘接部；以及
吸湿部形成工序，在所述粘着粘接部形成作为吸湿性固化物的、被以包围所述有机电子元件的方式配置的吸湿部。
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| JP2001035659A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
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| CN1575055A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-02-02 | 三洋电机株式会社 | 场致发光板和场致发光板的制造方法 |
| JP2008171606A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子の製造方法および製造システム |
| JP2013229243A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Konica Minolta Inc | シート状接着剤およびこれを用いてなる電子デバイス |
| JP2014157664A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Toppan Printing Co Ltd | シート状封止材、有機エレクトロルミネッセンスパネル、シート状封止材の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000195663A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子とその製造方法 |
| JP2001035659A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法 |
| CN1541031A (zh) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | �ձ������ȷ湫˾ | 有机电致发光面板及其制造方法 |
| CN1575055A (zh) * | 2003-06-18 | 2005-02-02 | 三洋电机株式会社 | 场致发光板和场致发光板的制造方法 |
| JP2008171606A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Canon Inc | 有機ｅｌ素子の製造方法および製造システム |
| JP2013229243A (ja) * | 2012-04-26 | 2013-11-07 | Konica Minolta Inc | シート状接着剤およびこれを用いてなる電子デバイス |
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