JP2018185502A - マイクロledディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 26
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- JFDAACUVRQBXJO-UHFFFAOYSA-N ethylcyclopentane;magnesium Chemical compound [Mg].CC[C]1[CH][CH][CH][CH]1.CC[C]1[CH][CH][CH][CH]1 JFDAACUVRQBXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
- H01L2224/16148—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L2924/141—Analog devices
- H01L2924/1426—Driver
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】複数のマイクロLEDピクセルが行と列に配列された平面視で矩形状のマイクロLEDパネル、及び前記複数のマイクロLEDピクセルに対応する複数のCMOSセルを備えるAM(Active Matrix、アクティブマトリクス)回路部405と、前記AM回路部の外郭に配置される制御回路部410〜480とを含むマイクロLED駆動基板(backplane)400を含み、前記制御回路部は、前記マイクロLEDパネルの4辺のうち隣接する2辺に沿って配置されることを特徴とする。
【選択図】図15
Description
図1は本発明の一実施形態によるマイクロLEDパネル100の断面図であり、図2は本発明の一実施形態によるマイクロLEDパネル100の平面図である。
図3を参照すれば、成長基板110上に第1導電型半導体層120、活性層130及び第2導電型半導体層140を順次成長させて発光構造物120、130、140を形成することができる。
この時、第1及び第2導電型メタル層160、150は蒸着工程又はメッキ工程によって形成されるが、特にこれに限定されない。
図8及び図9を参照すれば、本発明に係るマイクロLEDパネル200は、ウェハー上に積層された複数の発光素子(即ち、複数のマイクロLEDピクセル)がマトリクス状に配列されたアレイ(array)構造を有するLEDパネルであって、画像表示機器の画像信号に対応する光(light)を出力する機能を果たす。
図15を参照すれば、一般的なCMOSバックプレーン(又は、マイクロLED駆動基板)400は、マイクロLEDパネル100と対向するように配置され、入力画像信号に対応してマイクロLEDパネル100に備えられる複数のマイクロLEDピクセルを駆動する機能を果たす。
図16を参照すれば、本発明の一実施形態によるCMOSバックプレーン(又は第1タイプのCMOSバックプレーン)500は、マイクロLEDパネル200と互いに対向するように配置され、入力画像信号に対応してマイクロLEDパネル200に備えられる複数のマイクロLEDピクセルを駆動する機能を果たす。
図17を参照すれば、本発明の他の実施形態によるCMOSバックプレーン(又は第2タイプのCMOSバックプレーン)600は、上述の図16示されに示されたマイクロLEDパネル200に対して図において左右鏡像対象なマイクロLEDパネル300(図示せず)と互いに対向するように配置され、入力画像信号に対応してマイクロLEDパネル300に備えられる複数のマイクロLEDピクセルを駆動する機能を果たす。
図18を参照すれば、本発明の一実施形態によるマイクロLEDディスプレイ装置1000は、マイクロLEDパネル200、第1タイプのCMOSバックプレーン500及びバンプ1010を含む。この時、第1タイプのCMOSバックプレーン500は、アクティブマトリクス回路部505と、アクティブマトリクス回路部505の(平面視で)左辺及び下辺に隣接した領域に配置される制御回路部510〜580とを含む。
図19を参照すれば、本発明の他の実施形態によるマイクロLEDディスプレイ装置1100は、マイクロLEDパネル300、第2タイプのCMOSバックプレーン600及びバンプ1110を含む。この時、第2タイプのCMOSバックプレーン600は、アクティブマトリクス回路部605と、アクティブマトリクス回路部605の右辺及び下辺に隣接した領域に配置される制御回路部610〜680とを含む。
図20を参照すれば、第1タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1000と第2タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1100を平面視で互いに横方向(即ち、水平方向)に配置してディスプレイの大きさを2倍に拡張したマイクロLEDディスプレイ装置10を実現する。
[数1]
d = 40+2α+β (一般式1)
図21を参照すれば、第1タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1000と第2タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1100を平面視で縦方向(即ち、垂直方向)に配置してディスプレイ大きさを2倍に拡張したマイクロLEDディスプレイ装置20を実現する。
図22を参照すれば、2個の第1タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1000と2個の第2タイプのマイクロLEDディスプレイ装置1100をマトリクス状に配列してディスプレイの大きさを4倍に拡張したマイクロLEDディスプレイ装置30を実現する。
100、200 ・・・マイクロLEDパネル、マイクロLEDアレイ
110、210 ・・・成長基板
120、220 ・・・第1導電型半導体層
130、230 ・・・活性層
140、240 ・・・第2導電型半導体層
150、250、350 ・・・第2導電型メタル層
160、260、360 ・・・第1導電型メタル層
170、270 ・・・パッシベーション層
180,280、380 ・・・マイクロLEDピクセル
400、500、600 ・・・CMOSバックプレーン
401、501,601 ・・・CMOSセル
405、505,605 ・・・アクティブマトリクス(Active Matrix)回路部
410、510,610 ・・・スキャン駆動部
420,520,620 ・・・第1データ駆動部
430,530,630 ・・・第2データ駆動部
440,540,640 ・・・ガンマ電圧生成部
450,550,650 ・・・タイミング制御部
460,560,660 ・・・スキャン信号検知パッド部
470,570,670 ・・・データ出力検知パッド部
480,580,680 ・・・入力パッド部
1000,1100 ・・・マイクロLEDディスプレイ装置
1010,1110 ・・・バンプ
Claims (12)
- マイクロLEDディスプレイ装置であって、
複数のマイクロLEDピクセルが行と列に配列された平面視で矩形状のマイクロLEDパネル、及び
前記複数のマイクロLEDピクセルに対応する複数のCMOSセルを備えるAM(Active Matrix、アクティブマトリクス)回路部と、前記AM回路部の外郭に配置される制御回路部とを含むマイクロLED駆動基板(backplane)を含み、
前記制御回路部は、前記マイクロLEDパネルの4辺のうち隣接する2辺に沿って配置されることを特徴とするマイクロLEDディスプレイ装置。 - 前記複数のマイクロLEDピクセルと前記複数のCMOSセルとを電気的に接続するバンプをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記マイクロLEDパネルは、前記マイクロLED駆動基板上にフリップチップボンディング(flip chip bonding)によって結合されることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記複数のマイクロLEDピクセルは、基板上に第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を順次成長させた後にエッチングして形成され、前記複数のマイクロLEDピクセルの垂直構造は、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層を順に含み、前記複数のマイクロLEDピクセルが形成されていない部分は、活性層及び第2導電型半導体層が除去されて第1導電型半導体層が露出されることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記複数のマイクロLEDピクセルが形成されていない部分の第1導電型半導体層上には、前記複数のマイクロLEDピクセルから離隔するように第1導電型メタル層が形成されることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記第1導電型メタル層は、前記第1導電型半導体層上で前記マイクロLEDパネルの外郭に沿って形成されることを特徴とする、請求項5に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記第1導電型メタル層は、前記複数のマイクロLEDピクセルの共通電極として機能することを特徴とする、請求項5に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記マイクロLED駆動基板は、前記第1導電型メタル層に対応するように形成された共通セルを含み、前記第1導電型メタル層と前記共通セルはバンプによって電気的に接続されることを特徴とする、請求項5に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記第1導電型メタル層は共通電極として前記マイクロLEDパネルの4辺に位置し、前記制御回路部の配置に応じて前記マイクロLEDパネルの2辺に位置する第1導電型メタル層を用いることを特徴とする、請求項8に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記第1導電型はn型であり、前記第2導電型はp型であることを特徴とする、請求項4に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記バンプは、前記複数のCMOSセルの各々に形成され、加熱によって溶解することによって、前記複数のCMOSセルの各々と前記複数のCMOSセルの各々に対応するマイクロLEDピクセルとが電気的に接続されることを特徴とする、請求項2に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
- 前記制御回路部は、スキャン駆動部、第1データ駆動部、第2データ駆動部、ガンマ電圧生成部、タイミング制御部、スキャン信号検知パッド部、データ出力検知パッド部及び入力パッド部のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項1に記載のマイクロLEDディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0052792 | 2017-04-25 | ||
KR1020170052792A KR102305180B1 (ko) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 마이크로 led 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018095661A Division JP6636084B2 (ja) | 2017-04-25 | 2018-05-17 | マイクロledディスプレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6343082B1 JP6343082B1 (ja) | 2018-06-13 |
JP2018185502A true JP2018185502A (ja) | 2018-11-22 |
Family
ID=62556029
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017194601A Active JP6343082B1 (ja) | 2017-04-25 | 2017-10-04 | マイクロledディスプレイ装置及びその製造方法 |
JP2018095661A Active JP6636084B2 (ja) | 2017-04-25 | 2018-05-17 | マイクロledディスプレイ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018095661A Active JP6636084B2 (ja) | 2017-04-25 | 2018-05-17 | マイクロledディスプレイ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10128308B1 (ja) |
JP (2) | JP6343082B1 (ja) |
KR (1) | KR102305180B1 (ja) |
WO (1) | WO2018199428A1 (ja) |
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2017
- 2017-04-25 KR KR1020170052792A patent/KR102305180B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-04 JP JP2017194601A patent/JP6343082B1/ja active Active
-
2018
- 2018-01-09 WO PCT/KR2018/000392 patent/WO2018199428A1/ko active Application Filing
- 2018-02-05 US US15/889,002 patent/US10128308B1/en active Active
- 2018-05-17 JP JP2018095661A patent/JP6636084B2/ja active Active
- 2018-10-09 US US16/154,939 patent/US10847572B2/en active Active
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JP7314269B2 (ja) | 2019-06-26 | 2023-07-25 | 京セラ株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
Also Published As
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---|---|
KR102305180B1 (ko) | 2021-09-28 |
JP6636084B2 (ja) | 2020-01-29 |
US20190043916A1 (en) | 2019-02-07 |
KR20180119273A (ko) | 2018-11-02 |
US20180308832A1 (en) | 2018-10-25 |
US10847572B2 (en) | 2020-11-24 |
JP2018185515A (ja) | 2018-11-22 |
WO2018199428A1 (ko) | 2018-11-01 |
US10128308B1 (en) | 2018-11-13 |
JP6343082B1 (ja) | 2018-06-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A601 | Written request for extension of time |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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