JP2018185309A - 基板切断制御と検査 - Google Patents
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Abstract
Description
1)画質が基板表面上のレーザー切断処理中に作り出された汚れの存在によって制限される。基板は、当然に各検査の前に洗浄され得るが、この洗浄は、生産性を大いに減少させる。
2)画像化技術は、基板の上面のみに感応性である。基板材料に関する情報が得られない。
3)画像化技術は、トポロジーにおいて大きなばらつきを追従するという点で制約がある。例えば、深くて狭い切り口は正確に検出できない。
使用時に前記基板を支持するためのステージと、
使用時に前記ステージによって支持された前記基板の前記第1の主面を照らすように配置された第1の照明源と、
使用時に前記ステージによって支持された前記基板の前記第2の主面を照らすように配置された第2の照明源と、
前記基板が前記第1の照明源と前記第2の照明源とのいずれか一方または両方によって照らされるとき、前記基板から受け取った光を撮像するように適合された少なくとも一つのカメラと、を備える。
i)前記基板の前記第1の主面を照らす工程と、
ii)前記基板の前記第2の主面を照らす工程と、
iii)前記基板からの受け取った光を撮像する工程と、を備える。
使用時に前記基板をその上で支持する表面と、
前記ステージ内にあるキャビティと、
使用時に前記照明源によって放射された光が前記キャビティから脱出し、前記基板に入射するように前記キャビティ内に取り付けられた照明源と、を備える。
透明または半透明な本体を備え、
前記本体は、使用時に基板の下面をその上で支持するための上面と、上面に対して反対側である下面と、を有し、
前記下面は、光を内部反射させる。
使用時に前記ステージによって支持された前記基板の前記上面を照らすように配置された上部照明源と、
前記基板から受け取った光を撮像するように適合された少なくとも一つのカメラと、を備えてもよい。
光源の熱影響が十分に低い場合、単一のIR光源は、不透明または半透明のステージ内で使用されてもよい。
不透明または半透明のステージが使用される場合、IR光源のアレイは、ステージに対して外部の下方にある支持体内に設けられてもよい。
第1の照明源は、UV光を出射しなくてもよいが、例えば他の波長の光を出射し、例えば緑光またはIR光を出射し得る。
第2の照明源は、IR光を出射しなくてもよいが、例えば広帯域光を出射し得る。広帯域な照明が使用される場合、広帯域な光路内でカメラの直前に信号対雑音比を増加させるために好適なフィルターが適用されてもよい。
第1の照明源および第2の照明源によって使用される波長に応じて、上述の第1のカメラおよび第2のカメラを単一のカメラに置き換えてもよい。そのようなカメラは、第1の照明源から受け取った光と第2の照明源から受け取った光を区別できるものでなければならない。
上記の実施形態は全てレーザー切断装置を使用するが、本検査システムも機械的切断装置(mechanical-cutting equipment)と共に使用されてもよい。
本発明は、他の工程を同様に適用可能である。他の工程は、例えば非定常光吸収プロファイルが存在する切断を含まない工程である。好適な工程は、例えば成形試料中のボイド検出またはシリコン基板中のクラック検出を含んでもよい。
2,2’,2’’ シリコン基板/基板/ウエハ
2A 基板の第1の面/第1の主面
2B 基板の第2の面/第2の主面
3, 3’, 3’’ デバイス
4, 34, 44 ステージ/チャック
5 第1の照明源/第1の上部照明源
6 第2の照明源
7 個別のLED
8 キャビティ
9 第1のカメラ/第1のUV感光性カメラ
10 第2のカメラ
11 第1の結像レンズ
12 第2の結像レンズ
13 集束レンズ
14 切り口/切断部分
15 第1のビームスプリッター
16 第2のビームスプリッター
17 溝
18 モールドダイシング切断部
19 成形複合材料
20 切断レーザー/第2の照明源
21 支持体
22 IR光源
23 ダイシングテープ/ダイシングテープ台紙
24 レーザーミラー/ミラー
42 ステージ本体の上面
45 鏡面加工された面/下面
46 鏡面加工された面/側壁
47 鏡面加工されない領域/領域
48 レーザー入力装置/レーザー/IRレーザー
Claims (39)
- 基板を検査するための検査システムであって、前記基板は、略平面であり、その両側に第1の主面と、第2の主面とを有し、
使用時に前記基板を支持するためのステージと、
使用時に前記ステージによって支持された前記基板の前記第1の主面を照らすように配置された第1の照明源と、
使用時に前記ステージによって支持された前記基板の前記第2の主面を照らすように配置された第2の照明源と、
前記基板が前記第1の照明源と前記第2の照明源とのいずれか一方または両方によって照らされるとき、前記基板から受け取った光を撮像するように適合された少なくとも一つのカメラと、を備える検査システム。 - 第1のカメラと、第2のカメラとを備え、前記第1のカメラは、前記第1の主面から反射された前記第1の照明源からの光を受け取るように位置し、前記第2のカメラは、前記基板を通って透過された前記第2の照明源からの光を受け取るように位置する請求項1に記載の検査システム。
- 前記第1の照明源と、前記第2の照明源とは、それぞれの周波数範囲で光を放射するように配置され、第1の周波数範囲と、第2の周波数範囲とは同一ではない請求項1に記載の検査システム。
- 前記第1のカメラと、前記第2のカメラとは、両方ともに前記基板の前記第1の主面に位置する請求項2に記載の検査システム。
- 前記第1の照明源は、使用時に約10nmから約400nmの範囲内の波長を有する紫外光を放射するように配置される請求項1に記載の検査システム。
- 前記第1の照明源は、約10nmから約400nmの範囲内の波長を有する光を放射するように配置される請求項5に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、使用時に広帯域波長光を放射するように配置される請求項1に記載の検査システム。
- 前記広帯域波長光の光路内にあるフィルターを備える請求項7に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、使用時に約600nmから約2000nmの範囲内の波長を有する赤外光を放射するように配置される請求項1に記載の検査システム。
- 前記ステージは、透明または半透明である請求項1に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、前記第2の照明源が、前記第2の照明源の放射光の前記ステージを通る透過に追従して前記基板の前記第2の主面を照らすように、前記ステージに対して外部に配置される請求項10に記載の検査システム。
- 前記ステージは、使用時に前記基板が支持される上面と、前記上面の反対側であり、前記第2の照明源からの光を内部反射する下面と、を有する請求項11に記載の検査システム。
- 前記ステージは、光を内部反射する少なくとも一方の側壁を有する請求項12に記載の検査システム。
- 内部反射する面または内部反射する各面は、鏡面加工された面を有する請求項12に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、使用時に前記ステージの側部を照らすように動作する請求項12に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、レーザーを含む請求項15に記載の検査システム。
- 使用時に前記第2の照明源から放射された光を前記側部に導くように動作する光学的指向システムを備える請求項16に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、前記ステージ内に取り付けられる請求項1に記載の検査システム。
- 前記ステージは、
使用時に前記基板をその上で支持する表面と、
前記ステージ内にあるキャビティと、を備え、
前記第2の照明源は、使用時に前記第2の照明源によって放射された光が前記キャビティから脱出し、前記基板に入射するように前記キャビティ内に取り付けられる請求項18に記載の検査システム。 - 前記表面は、使用時に前記基板が支持された第1の側にある透明な窓を備え、前記キャビティは、前記第1の側とは反対側である前記窓の第2の側に隣接して設置される請求項19に記載の検査システム。
- 前記表面は、使用時に支持された前記基板の下方に開口部を備える請求項19に記載の検査システム。
- 前記第2の照明源は、光源のアレイを備える請求項1に記載の検査システム。
- 前記アレイの前記光源は、個別に制御可能である請求項22に記載の検査システム。
- 請求項1に記載の検査システムと、基板切断手段と、を備える基板切断装置。
- 前記基板切断手段は、機械的カッターを備える請求項24に記載の基板切断装置。
- 前記基板切断手段は、レーザーカッターを備える請求項24に記載の基板切断装置。
- 前記レーザーカッターを制御するための制御手段を備え、前記制御手段は第1のカメラおよび第2のカメラからの画像情報を受け取り、受け取った前記画像情報に基づいて前記レーザーカッターを制御するように動作可能である請求項26に記載の基板切断装置。
- 基板検査方法であって、前記基板は、略平面であり、その両側に第1の主面と、第2の主面とを有し、
i)前記基板の前記第1の主面を照らす工程と、
ii)前記基板の前記第2の主面を照らす工程と、
iii)前記基板からの受け取った光を撮像する工程と、を備える基板検査方法。 - 前記工程iii)は、受光光を撮像するために第1のカメラおよび第2のカメラを使用することを含み、前記第1のカメラは、前記第1の主面から反射された第1の照明源からの光を受け取るように位置し、前記第2のカメラは、前記基板を通って透過された第2の照明源からの光を受け取るように位置する請求項28に記載の基板検査方法。
- 前記工程ii)は、前記基板が支持された透明または半透明のステージの少なくとも側壁の領域を照らすことを含む請求項28に記載の基板検査方法。
- 前記工程i)は、前記基板の前記第1の主面を第1の周波数範囲の光で照らすことを含み、前記工程ii)は、前記基板の前記第2の主面を第2の周波数範囲の光で照らすことを含み、前記第1の周波数範囲と、前記第2の周波数範囲とは同一ではない請求項28に記載の基板検査方法。
- 前記工程i)、前記工程ii)および前記工程iii)は、同時に実行される請求項28に記載の基板検査方法。
- 基板切断工程の一部として実行され、前記工程i)、前記工程ii)および前記工程iii)は、前記基板の切断中に実行される請求項28に記載の基板検査方法。
- 前記基板切断工程は、レーザー切断工程である請求項33に記載の基板検査方法。
- 前記基板切断工程は、基板溝切り工程である請求項33に記載の基板検査方法。
- 前記基板切断工程は、基板ダイシング工程である請求項33に記載の基板検査方法。
- 前記基板切断工程は、基板モールドダイシング工程である請求項33に記載の基板検査方法。
- さらに、iv)前記工程ii)で実行された照明からの受光光を使用して前記基板を位置合わせする工程を含む請求項28に記載の基板検査方法。
- 請求項28に記載の基板検査方法を実行することを含む基板切断処理。
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KR102021033B1 (ko) * | 2019-03-25 | 2019-09-11 | (주)제이스텍 | 디스플레이 패널의 모서리 정렬에 의한 cf필름 또는 tft필름 절단용 디스플레이 패널의 정렬 회전 절단장치 |
KR102273359B1 (ko) * | 2020-12-04 | 2021-07-06 | (주)네온테크 | 다이싱 장치, 그 제조방법 및 스텝컷된 전자 부품칩의 검사방법 |
ES2921930A1 (es) * | 2021-02-19 | 2022-09-02 | Fund Tekniker | Microperforadora y metodo para monitorizar y controlar procesos de microperforacion laser de pulso unico |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264488A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | ウェハスクライブ装置及び方法 |
JP2001165632A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2003098677A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Pentax Corp | 露光システム |
JP2008502929A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ビズテック セミコンダクター システムズ ゲーエムベーハー | 反射または透過赤外光による微細構造の検査装置または検査方法 |
JP2008109015A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
JP2009538538A (ja) * | 2006-05-25 | 2009-11-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 裏面ウェーハダイシング |
JP2009266636A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Imac Co Ltd | 照明装置 |
JP2012199374A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2014154708A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの割れ検出方法及びウエーハの割れ検出装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501061B1 (en) * | 1999-04-27 | 2002-12-31 | Gsi Lumonics Inc. | Laser calibration apparatus and method |
JP4049723B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2008-02-20 | 沖電気工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子の製造装置 |
US20080220590A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Thin wafer dicing using UV laser |
TWM350825U (en) * | 2008-06-06 | 2009-02-11 | Universal Optoelectronics Co Ltd | Cutting, measurement, and classification integration mechanism of light emitting element |
KR101024932B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2011-03-31 | 주식회사 포스코 | 결함 검출 장치 |
TW201143947A (en) | 2009-12-07 | 2011-12-16 | J P Sercel Associates Inc | Laser machining and scribing systems and methods |
WO2012115013A1 (ja) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 株式会社ニコン | 検査装置および半導体装置の製造方法 |
CN202079354U (zh) * | 2011-05-04 | 2011-12-21 | 苏州天弘激光股份有限公司 | 带有ccd自动对焦系统的激光切割机 |
US20130050468A1 (en) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | Camtek Ltd. | Inspection system and a method for inspecting multiple wafers |
FR2981161B1 (fr) * | 2011-10-10 | 2014-06-13 | Altatech Semiconductor | Dispositif d'inspection de plaquettes semi-conductrices a champ noir. |
US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
CN104685970B (zh) * | 2012-09-28 | 2016-10-19 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 检查具有不规则凹凸表面的基板的装置及使用该装置的检查方法 |
JP6236348B2 (ja) * | 2014-04-17 | 2017-11-22 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN105643096B (zh) * | 2016-03-28 | 2017-07-21 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 基于激光加工机台的标靶定位方法、装置和激光加工机台 |
-
2017
- 2017-04-26 US US15/497,754 patent/US20180311762A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-03-23 TW TW107109922A patent/TWI686603B/zh active
- 2018-03-26 SG SG10201802469PA patent/SG10201802469PA/en unknown
- 2018-04-19 CN CN201810354813.9A patent/CN108788487A/zh active Pending
- 2018-04-20 PH PH12018000113A patent/PH12018000113A1/en unknown
- 2018-04-23 EP EP18000389.9A patent/EP3396706A1/en not_active Withdrawn
- 2018-04-25 JP JP2018083843A patent/JP2018185309A/ja active Pending
- 2018-04-26 KR KR1020180048524A patent/KR20180120115A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-11-27 HK HK18115195.1A patent/HK1256117A1/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08264488A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | ウェハスクライブ装置及び方法 |
JP2001165632A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Sony Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2003098677A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Pentax Corp | 露光システム |
JP2008502929A (ja) * | 2004-06-16 | 2008-01-31 | ビズテック セミコンダクター システムズ ゲーエムベーハー | 反射または透過赤外光による微細構造の検査装置または検査方法 |
JP2009538538A (ja) * | 2006-05-25 | 2009-11-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 裏面ウェーハダイシング |
JP2008109015A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
JP2009266636A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Imac Co Ltd | 照明装置 |
JP2012199374A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体チップの製造方法 |
JP2014154708A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの割れ検出方法及びウエーハの割れ検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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