JP2018185271A - 原子力プラントの運転システム、その運転方法、及びその運転プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】炉心機器の腐食の進行を遅らせることができる原子力プラントの運転システム、その運転方法、及びその運転プログラムを提供する。【解決手段】SiC複合材で構成される炉心機器28に接触する炉水または冷却水の水質を監視する水質検出部29と、SiCまたはSiC複合材の電気化学データηを保持する電気化学データ保持部31と、水質及び電気化学データηに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定する電位選定部32と、選定された電位V*を炉心機器28に印加する電位調整部34と、を備える。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、原子力プラントに使用するSiC複合材の耐食性向上技術に関する。
SiC(炭化シリコン)複合材は、SiCモノリシックの弱点である脆性を改良したもので、SiC繊維とSiCモノリシックとを複合化した材料である。
このため、飛行機やガスタービンへの適用が進められており、未来の構造材料としての可能性を有している。
このため、飛行機やガスタービンへの適用が進められており、未来の構造材料としての可能性を有している。
近年、原子力プラントの安全性向上の一環として、これらのSiC複合材の適用を進めている。
SiC複合材は、融点が高い点や、高温酸化環境下における耐酸化性がある点、発熱反応時の水素発生速度が金属と比較して遅い点など、利点が多い。
また、中性子吸収断面積がジルカロイの25%程度なため、熱中性子の有効利用が可能でもある。
SiC複合材は、融点が高い点や、高温酸化環境下における耐酸化性がある点、発熱反応時の水素発生速度が金属と比較して遅い点など、利点が多い。
また、中性子吸収断面積がジルカロイの25%程度なため、熱中性子の有効利用が可能でもある。
原子力分野では、燃料被覆管又はチャンネルボックスなど炉心を構成する構成機器(以下、「炉心機器」という)を中心に適用が模索されている。
炉心機器は常に温度280℃〜390℃の高温水に接するため、炉心機器の構成材料を選定する際には、耐食性が重要項目の一つになっている。
しかし、これまでSiC複合材は、原子力プラントのような高温水域での適用が検討されておらず、耐食性については十分検討されていなかった。
炉心機器は常に温度280℃〜390℃の高温水に接するため、炉心機器の構成材料を選定する際には、耐食性が重要項目の一つになっている。
しかし、これまでSiC複合材は、原子力プラントのような高温水域での適用が検討されておらず、耐食性については十分検討されていなかった。
しかしながら、近年の耐食性評価結果より、SiC複合材は、原子力プラントの運転温度域である280℃〜390℃では、耐食性が低下して、高耐食性を維持することが困難になるという課題があった。
高温水中でSiCが溶存酸素と反応して生成されるSiO2が、高温環境下ですぐに溶解してしまうためである。
高耐食性を維持する対策として、製造プロセスの改良又は炉心機器表面のコーティングなどが検討されているが、対策は十分ではない。
高温水中でSiCが溶存酸素と反応して生成されるSiO2が、高温環境下ですぐに溶解してしまうためである。
高耐食性を維持する対策として、製造プロセスの改良又は炉心機器表面のコーティングなどが検討されているが、対策は十分ではない。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、炉心機器の腐食の進行を遅らせることができる原子力プラントの運転システム、その運転方法、及びその運転プログラムを提供することを目的とする。
本実施形態に係る原子力プラントの運転システムは、SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視する水質検出部と、SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持する電気化学データ保持部と、前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定する電位選定部と、選定された前記電位を前記炉水又は前記冷却水に接する前記炉心機器に印加する電位調整部と、を備えるものである。
本実施形態に係る原子力プラントの運転方法は、SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視するステップと、SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持するステップと、前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定するステップと、選定された前記電位を前記炉心機器に印加するステップと、を含むものである。
本実施形態に係る原子力プラントの運転プログラムは、SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視するステップ、SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持するステップ、前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定するステップ、選定された前記電位を前記炉心機器に印加するステップ、を実行するものである。
本発明により、炉心機器の腐食の進行を遅らせることができる原子力プラントの運転システム、その運転方法、及びその運転プログラムが提供される。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図1は、実施形態に係る沸騰水型(BWR:Boiling Water Reactor)原子力プラント100及びその運転システム10(以下、単に「運転システム10」という)の概略構成図である。
なお、以下BWRプラント100を例に取り説明するが、運転システム10はPWRプラントにも適用することが可能である。
なお、以下BWRプラント100を例に取り説明するが、運転システム10はPWRプラントにも適用することが可能である。
BWRプラント100においては、燃料棒11を収納したチャンネルボックス12(いずれも図4に示す)を有する燃料集合体5が複数装荷された炉心13を円筒状の炉心シュラウド14が囲んで構成されている。
炉心シュラウド14の上方で生成された乾燥蒸気は、原子炉圧力容器16から主蒸気配管15を介して導かれたタービン17の駆動に使用され、仕事をした主蒸気は復水器18で凝縮して復水とされ、復水ポンプ19、復水浄化系21が配設された復水配管25から給水ポンプ22を経て、給水配管20を介して原子炉圧力容器16内に戻される。
炉心シュラウド14の上方で生成された乾燥蒸気は、原子炉圧力容器16から主蒸気配管15を介して導かれたタービン17の駆動に使用され、仕事をした主蒸気は復水器18で凝縮して復水とされ、復水ポンプ19、復水浄化系21が配設された復水配管25から給水ポンプ22を経て、給水配管20を介して原子炉圧力容器16内に戻される。
原子炉圧力容器16の下鏡部24には、制御棒駆動機構23を格納した複数の制御棒駆動機構ハウジング40が設けられている。
制御棒駆動機構23は、制御棒26に連結されて、制御棒26を燃料集合体5間に挿入及び抜去させて原子炉出力を制御する。
実施形態にかかる運転システム10は、チャンネルボックス12又は燃料棒11の燃料被覆管27などのSiC複合材で構成された炉心機器28の腐食進行速度を制御するものである。
制御棒駆動機構23は、制御棒26に連結されて、制御棒26を燃料集合体5間に挿入及び抜去させて原子炉出力を制御する。
実施形態にかかる運転システム10は、チャンネルボックス12又は燃料棒11の燃料被覆管27などのSiC複合材で構成された炉心機器28の腐食進行速度を制御するものである。
実施形態にかかる運転システム10は、図1に示されるように、水質検出部29及び電位制御部30を備える。
電位制御部30は、主に電気化学データ保持部31、電位選定部32、及び電位調整部34で構成される。
電位制御部30は、主に電気化学データ保持部31、電位選定部32、及び電位調整部34で構成される。
水質検出部29は、SiC複合材で構成される炉心機器28に接触する炉水または冷却水の水質を監視する。
280℃以上の高温になる圧力容器16内の炉水は、温度以外の水質を測定するのは困難であるので、圧力容器16外部の、より低温な箇所に水質検出部29を設ける。
280℃以上の高温になる圧力容器16内の炉水は、温度以外の水質を測定するのは困難であるので、圧力容器16外部の、より低温な箇所に水質検出部29を設ける。
水質検出部29の設置箇所は、水圧などの関係から、復水浄化系21と給水ポンプ22との間の復水配管25が好ましい。
ただし、復水ポンプ19から復水浄化系21区間内の復水配管25(図1中の点α)又は給水ポンプ22から原子炉圧力容器16区間内の給水配管20(図1中の点β)であってもよい。
ただし、復水ポンプ19から復水浄化系21区間内の復水配管25(図1中の点α)又は給水ポンプ22から原子炉圧力容器16区間内の給水配管20(図1中の点β)であってもよい。
なお、復水ポンプ19から復水浄化系21の区間内の復水配管25に設ける場合、給水ポンプ22によって、給水の水圧が高められているので、図1に示されるように、一部分水して水質を検出することが望ましい。
取得される水質データξは、従来から既に測定可能なものも含め、温度、pH、溶存酸素、溶存水素濃度、及び伝導率等である。
取得される水質データξは、従来から既に測定可能なものも含め、温度、pH、溶存酸素、溶存水素濃度、及び伝導率等である。
電気化学データ保持部31は、SiC複合材の電気化学データηを保持する。
電気化学データηは、例えば、水質データξをパラメータとした分極曲線、及びこの分極曲線から得られる電位及び電流密度である。
また、この電流密度から換算されて、電流密度の増加に伴って大きくなるSiC複合材の腐食進行速度も電気化学データηである。
電気化学データηは、例えば、水質データξをパラメータとした分極曲線、及びこの分極曲線から得られる電位及び電流密度である。
また、この電流密度から換算されて、電流密度の増加に伴って大きくなるSiC複合材の腐食進行速度も電気化学データηである。
ここで、図2は、SiC又はSiC複合材の電気化学データηとしての分極曲線の一例を示す図である。
図2中、横軸の単位[VvsSSE]は、飽和塩化銀参照電極に対する電圧値を示す。
図2の一例では、−0.5〜−0.3[VvsSSE]の電位域Ωになるように電位V*を印加すれば、電流密度をより低いものにすることができ、腐食の進行を遅らせることができる。
図2中、横軸の単位[VvsSSE]は、飽和塩化銀参照電極に対する電圧値を示す。
図2の一例では、−0.5〜−0.3[VvsSSE]の電位域Ωになるように電位V*を印加すれば、電流密度をより低いものにすることができ、腐食の進行を遅らせることができる。
なお、電気化学データ保持部31に保持する電気化学データηは、水質検出部29で検出される水質データξで随時修正がかけられてもよい。
つまり、水質データξを測定した腐食電圧Vf及び腐食電流の関係を電気化学データηに反映させることで、電気化学データηをより現実に即したものにすることができる。
つまり、水質データξを測定した腐食電圧Vf及び腐食電流の関係を電気化学データηに反映させることで、電気化学データηをより現実に即したものにすることができる。
電位選定部32は、水質データξ及び電気化学データηに基づいて腐食進行速度が低下する電位V*を選定する。
具体的には、電位選定部32は、まず水質データξ又はその変化に基づいて分極曲線を特定し、この分極曲線に基づいて腐食進行速度がより低くなる電位域Ωを選定する。
具体的には、電位選定部32は、まず水質データξ又はその変化に基づいて分極曲線を特定し、この分極曲線に基づいて腐食進行速度がより低くなる電位域Ωを選定する。
つまり、電位選定部32は、図2の一例では、−0.5〜−0.3[VvsSSE]の電位域Ω内の電位V*を選定する。
取得した水質データξ及び印加電位V*は、適宜表示部35に表示されて作業員に監視される。
取得した水質データξ及び印加電位V*は、適宜表示部35に表示されて作業員に監視される。
電位調整部34は、電位選定部32で選定された電位V*を炉心機器28に印加する。
この電位調整部34には、作用電極36、参照電極37、及び対極38の3種類の電極を用いる三電極法を利用したポテンショスタット34aを用いるのが好ましい。
ポテンショスタット34aでは、参照電極37に対する作用電極36の電位が所望の設定値になるように、作用電極36及び対極38間の電圧が自動的に調節される。
以下、電位調整部34にポテンショスタット34aを使用した例で説明する。
この電位調整部34には、作用電極36、参照電極37、及び対極38の3種類の電極を用いる三電極法を利用したポテンショスタット34aを用いるのが好ましい。
ポテンショスタット34aでは、参照電極37に対する作用電極36の電位が所望の設定値になるように、作用電極36及び対極38間の電圧が自動的に調節される。
以下、電位調整部34にポテンショスタット34aを使用した例で説明する。
作用電極36は、流入してくる電流を読み込むことで参照電極37に対する電位、つまり腐食電圧Vfを測定するセンサ機能に加えて、印加電極機能も有する。
この作用電極36には、SiC電気センサのAg/AgCl電極、Pt電極、ZrO2隔膜を用いたAg/Ag2O電極などが使用可能である。
また、参照電極37及び対極38には、Ag/AgCl電極又はZrO2隔膜を用いたAg/Ag2O電極などが使用可能である。
この作用電極36には、SiC電気センサのAg/AgCl電極、Pt電極、ZrO2隔膜を用いたAg/Ag2O電極などが使用可能である。
また、参照電極37及び対極38には、Ag/AgCl電極又はZrO2隔膜を用いたAg/Ag2O電極などが使用可能である。
ポテンショスタット34a(34)の本体は原子炉圧力容器16の外部に設置され、電極(36〜39)が制御棒駆動機構ハウジング40(図1)から炉心13に挿入される。
炉心機器28に電位印加用電極(作用電極)36を設置することで、炉心機器28に電位V*を印加する。
炉心機器28に電位印加用電極(作用電極)36を設置することで、炉心機器28に電位V*を印加する。
図3はチャンネルボックス12への電極(36〜39)の設置例を示す図、図4は燃料被覆管27への電極(36〜39)の設置例を示す図である。
図3及び図4に示されるように、チャンネルボックス12又は燃料被覆管27に直接リード線33を固定して、炉心機器28に電位印加用電極であるとともにSiC電気化学センサである作用電極36を取り付ける。
図3及び図4に示されるように、チャンネルボックス12又は燃料被覆管27に直接リード線33を固定して、炉心機器28に電位印加用電極であるとともにSiC電気化学センサである作用電極36を取り付ける。
なお、チャンネルボックス12の上部側では、炉水が蒸気に変化している可能性があるので、電極(36〜38)の設置位置は、液体状態にある温度300℃以下の範囲となる中央部より下部側に取り付けるのが望ましい。
電極(36〜38)の設置数は、例えば炉心機器28の上部、中央部、下部の3か所など、印加電位分布を考慮して2個以上であってもよい。
電極(36〜38)の設置数は、例えば炉心機器28の上部、中央部、下部の3か所など、印加電位分布を考慮して2個以上であってもよい。
また、ポテンショスタット34aは、腐食の状況をより正確に把握するため、SiCの試料片で構成される試料極39を備えることが望ましい。
なお、試料片には、SiCを繊維に浸透させたSiC複合材を用いてもよい。
このような試料極39と参照電極37との電位差に基づいて、試料極39の腐食電圧Vfまたは腐食電流値を測定し、炉内の状況をオンラインでモニタリングする。
なお、試料片には、SiCを繊維に浸透させたSiC複合材を用いてもよい。
このような試料極39と参照電極37との電位差に基づいて、試料極39の腐食電圧Vfまたは腐食電流値を測定し、炉内の状況をオンラインでモニタリングする。
すなわち、試料極39及び参照電極37を、酸化還元電位を利用して状態を電気信号に変換するSiC電気化学センサとして用い、参照電極37に対するチャンネルボックス12と試料極39との両者の腐食電位を測定する。
例えば両者の腐食電位に一定の差異がある場合、取得すべき腐食電圧Vfをこれらの腐食電位の加重平均とする等して精度向上のための処置をとることができる。
例えば両者の腐食電位に一定の差異がある場合、取得すべき腐食電圧Vfをこれらの腐食電位の加重平均とする等して精度向上のための処置をとることができる。
なお、試料極39は、作用電極36に代わって印加用電極としても利用することができる。
試料極39を印加用電極にする場合も、一箇所あたりの印加できる範囲が狭い場合には複数箇所に設けてもよい。
また、試料極39を用いることで実機の水質における分極曲線を取得することもできる。
試料極39を印加用電極にする場合も、一箇所あたりの印加できる範囲が狭い場合には複数箇所に設けてもよい。
また、試料極39を用いることで実機の水質における分極曲線を取得することもできる。
次に、実施形態に係る原子力プラントの運転方法を図5のフローチャートを用いて説明する(図1を適宜参照)。
まず、水質検出部29が、炉水または冷却水の温度、pH、溶存酸素濃度、溶存水素濃度、及び伝導率等の水質データξの検出をくり返し、監視する(S11)。
この水質データξは、水質検出部29から電位選定部32に送られる。
電位選定部32は、電気化学データ保持部31を参照して水質データξをパラメータとして現時点での水質を反映させた分極曲線を特定する(S12)。
そして、電位選定部32は、この分極曲線からSiCの腐食進行速度が低下する電位V*を選定する(S13)。
この水質データξは、水質検出部29から電位選定部32に送られる。
電位選定部32は、電気化学データ保持部31を参照して水質データξをパラメータとして現時点での水質を反映させた分極曲線を特定する(S12)。
そして、電位選定部32は、この分極曲線からSiCの腐食進行速度が低下する電位V*を選定する(S13)。
電位調整部34は、例えばポテンショスタット34aを用いて、炉心機器28の腐食電圧Vfを測定して(S14)、電位選定部32で選定された電位V*を炉心機器28に印加する(S15)。
そして、運転制御が終了するまで繰り返し実行され(S16でNOの場合)、運転が終了されることによって制御は終了する(S16でYESの場合、)。
そして、運転制御が終了するまで繰り返し実行され(S16でNOの場合)、運転が終了されることによって制御は終了する(S16でYESの場合、)。
なお、以上の動作は、プログラムに沿ってコンピュータで実行してもよい。
例えば、電位制御部30は、CPU等のプロセッサ、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、或いはHDD(Hard Disk Drive)等の記憶装置、を具備するコンピュータとして構成することができる。
例えば、電位制御部30は、CPU等のプロセッサ、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、或いはHDD(Hard Disk Drive)等の記憶装置、を具備するコンピュータとして構成することができる。
この場合、図1に示す各部のうち、電位選定部32及び電位調整部34の機能は、記憶装置に記憶された所定のプログラムをプロセッサが実行することによって実現することができる。
また、図1に示す構成のうち、電気化学データ保持部31は、ROMまたはRAM等の記憶装置によって実現される。
また、図1に示す構成のうち、電気化学データ保持部31は、ROMまたはRAM等の記憶装置によって実現される。
また、このようなソフトウェア処理に代えて、ASIC(Application Specific Integration Circuit)やFPGA(Field-Programmable Gate Array)等のハードウェアで実現することもできる。
さらに、電位制御部30は、ソフトウェア処理とハードウェアによる処理を組み合わせて実現することもできる。
さらに、電位制御部30は、ソフトウェア処理とハードウェアによる処理を組み合わせて実現することもできる。
以上のように、実施形態に係る運転システム10によれば、水質データξを取得して炉心機器28の電位を制御することで、炉心機器28の腐食の進行を遅らせることができる。
本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。
この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。
実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、組み合わせを行うことができる。
実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100…沸騰水型原子力プラント(BWRプラント)、5…燃料集合体、10…運転システム、11…燃料棒、12…チャンネルボックス、13…炉心、14…炉心シュラウド、15…主蒸気配管、16…原子炉圧力容器、17…タービン、18…復水器、19…復水ポンプ、20…給水配管、21…復水浄化系、22…給水ポンプ、23…制御棒駆動機構、24…下鏡部、25…復水配管、26…制御棒、27…燃料被覆管、28…炉心機器、29…水質検出部、30…電位制御部、31…電気化学データ保持部、32…電位選定部、33…リード線、34…電位調整部、34a(34)…ポテンショスタット、35…表示部、36…作用電極、37…参照電極、38…対極、39…試料極、40…制御棒駆動機構ハウジング、V*…選定された電圧(印加電位)、Vf…腐食電圧、Ω…電位域、η…電気化学データ、ξ…水質データ。
Claims (5)
- SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視する水質検出部と、
SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持する電気化学データ保持部と、
前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定する電位選定部と、
選定された前記電位を前記炉心機器に印加する電位調整部と、を備えることを特徴とする原子力プラントの運転システム。 - 前記電位調整部は、ポテンショスタットを備える請求項1に記載の原子力プラントの運転システム。
- 前記ポテンショスタットは、
前記SiC又は前記SiC複合材と同一材質の試料片で構成される試料極を備える請求項2に記載の原子力プラントの運転システム。 - SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視するステップと、
SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持するステップと、
前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定するステップと、
選定された前記電位を前記炉心機器に印加するステップと、を含むことを特徴とする原子力プラントの運転方法。 - SiC複合材で構成される炉心機器に接触する炉水または冷却水の水質を監視するステップ、
SiCまたはSiC複合材の電気化学データを保持するステップ、
前記水質及び前記電気化学データに基づいて腐食進行速度が低下する電位を選定するステップ、
選定された前記電位を前記炉心機器に印加するステップ、を実行することを特徴とする原子力プラントの運転プログラム。
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