JP2018182293A - 多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法 - Google Patents
多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018182293A JP2018182293A JP2017246987A JP2017246987A JP2018182293A JP 2018182293 A JP2018182293 A JP 2018182293A JP 2017246987 A JP2017246987 A JP 2017246987A JP 2017246987 A JP2017246987 A JP 2017246987A JP 2018182293 A JP2018182293 A JP 2018182293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- silicon cell
- metal complex
- current injection
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 69
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 69
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02595—Microstructure polycrystalline
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3215—Doping the layers
- H01L21/32155—Doping polycristalline - or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76853—Barrier, adhesion or liner layers characterized by particular after-treatment steps
- H01L21/76865—Selective removal of parts of the layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去して、多結晶シリコンセルの変換効率を向上させ、且つ、プロセスのステップがシンプルで、処理時間が短く、低コストな量産方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンセルの生産プロセスにおいて、多結晶シリコンセルに、250〜350℃の温度条件にて、正のバイアス電圧を印加して600〜800mA/cm2の電流注入を行い、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去する。
【選択図】なし
【解決手段】多結晶シリコンセルの生産プロセスにおいて、多結晶シリコンセルに、250〜350℃の温度条件にて、正のバイアス電圧を印加して600〜800mA/cm2の電流注入を行い、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去する。
【選択図】なし
Description
本発明は多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法に関する。
多結晶シリコンセルの生産プロセスにおいて、金属化されるときの高温焼結によりシリコンウエハー内の一次金属が沈殿されて分解して不安定な金属複合体になり、これら金属複合体は一定の複合活性を有することから、電池の効率を低下させる恐れがある。さらに、多結晶シリコンセルの使用過程で、これら金属複合体は電池変換効率をさらに低下させる複合活性の高い準安定状態に変換される。さらに、これら準安定状態の金属複合体は続けて分解して、電池効率を一層低下させる複合活性の高い金属原子となる。
本発明の目的は、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去し、さらに多結晶シリコンセルの変換効率を向上させ、且つ、プロセスのステップがシンプルで、処理時間が短く、低コストで、量産に適合する多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法を提供することにある。
上記目的を達成させるために、本発明の技術案は、所定の温度条件において、電流注入方式により、多結晶シリコンセルに電流を注入して、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去する、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法を設計することである。
好ましくは、前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
好ましくは、250〜350℃の温度条件において、電流注入を行う。
好ましくは、前記電流注入過程において、注入電流は600〜800mA/cm2に制御される。
好ましくは、前記電流注入時間は0.5〜1minに制御される。
好ましくは、300〜350℃の温度条件において、電流注入を行う。
好ましくは、前記多結晶シリコンセルでは、正面は湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は、不動態化され、アルミナと窒化ケイ素との積層膜がめっきされるとともに最外層に印刷されたアルミペーストが設けられる。
好ましくは、前記多結晶シリコンセルでは、正面は、湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は印刷されたアルミペーストが設けられる。
好ましくは、電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性を比較することにより、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去効果をテストする。
好ましくは、比較される特性には、電池効率、開回路電圧、短絡電流及びフィルファクターが含まれる。
本発明の利点及び有益な効果は以下のとおりである。多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去して、更に多結晶シリコンセルの変換効率を向上させ、且つ、プロセスのステップがシンプルで、処理時間が短く、低コストで、量産に適合する多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法を提供する。
本発明は、金属複合体の変換を促進して、金属イオンにして表面により捕獲されて、電池の効率を向上させることができる。具体的に、本発明は、多結晶シリコンセルにおける金属複合体を迅速に分解して金属原子にし、且つ金属原子を多結晶シリコンセルの表面へ迅速に拡散させ、最終的に複合活性の高い金属原子をすべて捕獲し、複合活性をなくすことにより、電池効率を高める。さらに、多結晶シリコンセルの後続使用過程に、効率低下を引き起こすことがない。
本発明は、多結晶シリコン太陽電池の変換効率を高め、具体的に多結晶シリコン太陽電池の効率の絶対値を約0.2%高めることができ、特に高効率多結晶PERC電池に適用できる。
本発明は、プロセスのステップがシンプルで、低コストの装置で実現でき、且つ処理時間が短く、装置のエネルギー消費量が低く、量産に適する。
以下、実施例を利用して、本発明の実施形態についてさらに説明する。以下の実施例は、本発明の技術案を明瞭に説明するためのものに過ぎず、本発明の保護範囲を制限するものではない。
実施例1
多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法では、所定の温度条件において、電流注入方式により、多結晶シリコンセルに電流を注入して、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去した。電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性を比較することにより、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去効果をテストした。比較される特性は電池効率Eff、開回路電圧Voc、短絡電流Isc及びフィルファクターFFを含む。
前記多結晶シリコンセルでは、正面は湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は、不動態化され、アルミナと窒化ケイ素との積層膜がめっきされ、且つ最外層に印刷されたアルミペーストが設けられる。
具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
350℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は800mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は0.5minに制御される。
350℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は800mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は0.5minに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表1に示される。
表1
表1のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.2%向上した。
実施例2
プロセスの条件を変更する以外、実施例1と同様である。具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
300℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は700mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は45sに制御される。
300℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は700mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は45sに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表2に示される。
表2
表2のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.17%向上した。
実施例3
プロセスの条件を変更する以外、実施例1と同様である。具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
250℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は600mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は1minに制御される。
250℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は600mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は1minに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表3に示される。
表3
表3のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.18%向上した。
実施例4
多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法では、所定の温度条件において、電流注入方式により、多結晶シリコンセルに電流を注入して、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去した。電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性を比較することにより、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去効果をテストした。比較される特性は電池効率Eff、開回路電圧Voc、短絡電流Isc及びフィルファクターFFを含む。
前記多結晶シリコンセルでは、正面は湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は印刷されたアルミペーストが設けられる。
具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
300℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は800mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は0.5minに制御される。
300℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は800mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は0.5minに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表4に示される。
表4
表4のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.18%向上した。
実施例5
プロセス条件を変更する以外、実施例4と同様である。具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
330℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は650mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は50sに制御される。
330℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は650mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は50sに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表5に示される。
表5
表5のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.12%向上した。
実施例6
プロセス条件を変更する以外、実施例4と同様である。具体的なプロセス条件は以下のとおりである。
280℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は750mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は55sに制御される。
280℃の温度条件において、電流注入を行う。
前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することである。
前記電流注入過程に、注入電流は750mA/cm2に制御される。
前記電流注入時間は55sに制御される。
電流注入前後の多結晶シリコンセルの特性のテスト結果は下表6に示される。
表6
表6のデータから明らかなように、電流注入過程は、多結晶シリコンにおける金属沈殿を除去し、シリコンウエハー内部の複合を低下させ、電流注入後の電池効率は0.14%向上した。
以上は本発明の好適な実施形態に過ぎず、なお、当業者であれば、本発明の技術原理を脱逸せずにいくつかの改良及び修飾を行うことができ、これら改良及び修飾も本発明の保護範囲に属する。
Claims (10)
- 多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法であって、
所定の温度条件において、電流注入方式により、多結晶シリコンセルに電流を注入して、多結晶シリコンセル内部の金属複合体を除去することを特徴とする多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。 - 前記電流注入方式は、多結晶シリコンセルに正のバイアス電圧を印加することであることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 250〜350℃の温度条件において、電流注入を行うことを特徴とする請求項2に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 前記電流注入過程において、注入電流は600〜800mA/cm2に制御されることを特徴とする請求項3に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 前記電流注入時間は0.5〜1minに制御されることを特徴とする請求項4に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 300〜350℃の温度条件において、電流注入を行うことを特徴とする請求項5に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 前記多結晶シリコンセルでは、正面は、湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は、不動態化され、且つ、アルミナと窒化ケイ素との積層膜がめっきされるとともに、最外層に印刷されたアルミペーストが設けられることを特徴とする請求項6に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 前記多結晶シリコンセルでは、正面は、湿式ブラックシリコンテクスチャリングによりテクスチャリング面として加工され、さらに5本のバスバーが設けられ、且つ、窒化ケイ素の保護膜がめっきされており、裏面は印刷されたアルミペーストが設けられることを特徴とする請求項6に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 電流注入前後の多結晶シリコンセルの電池効率、開回路電圧、短絡電流及びフィルファクターを比較することにより、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去効果をテストすることを特徴とする請求項7に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
- 電流注入前後の多結晶シリコンセルの電池効率、開回路電圧、短絡電流及びフィルファクターを比較することにより、多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去効果をテストすることを特徴とする請求項8に記載の多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710255951.7A CN107068806B (zh) | 2017-04-19 | 2017-04-19 | 消除多晶硅电池片内部金属复合体的方法 |
CN201710255951.7 | 2017-04-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018182293A true JP2018182293A (ja) | 2018-11-15 |
JP6434607B2 JP6434607B2 (ja) | 2018-12-05 |
Family
ID=59600933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017246987A Expired - Fee Related JP6434607B2 (ja) | 2017-04-19 | 2017-12-22 | 多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10276741B2 (ja) |
JP (1) | JP6434607B2 (ja) |
KR (2) | KR20180117522A (ja) |
CN (1) | CN107068806B (ja) |
MY (1) | MY184983A (ja) |
SG (1) | SG10201800661UA (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106910697A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-06-30 | 常州时创能源科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法 |
CN112310241B (zh) * | 2020-04-14 | 2021-07-16 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 太阳能电池的电注入再生方法及基于电注入的太阳能电池 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS614283A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置のエイジング方法 |
JPH01117371A (ja) * | 1981-03-23 | 1989-05-10 | Hughes Aircraft Co | 太陽電池のアニール装置 |
WO2007107351A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Universität Konstanz | Method for fabricating a photovoltaic element with stabilised efficiency |
JP2011166021A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
US20130146576A1 (en) * | 2010-03-01 | 2013-06-13 | First Solar, Inc. | Method and apparatus for photovoltaic device manufacture |
CN103762275A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-04-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片的衰减方法及衰减装置 |
JP2015531582A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-11-02 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat Al’Energie Atomique Et Aux Energiesalternatives | 超音波トランスデューサを用いてシリコン系太陽電池を回復させる装置および方法 |
CN105140347A (zh) * | 2015-09-21 | 2015-12-09 | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 | 快速改善p型晶硅电池光致衰减的量产装置及其使用方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6852371B2 (en) * | 2000-03-03 | 2005-02-08 | Midwest Research Institute | Metal processing for impurity gettering in silicon |
US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US8008107B2 (en) * | 2006-12-30 | 2011-08-30 | Calisolar, Inc. | Semiconductor wafer pre-process annealing and gettering method and system for solar cell formation |
CN103681889B (zh) * | 2013-12-26 | 2017-02-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法 |
CN103794473B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-04-06 | 北京大学 | 一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法 |
CN103872180A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-06-18 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种利用碳离子注入吸杂的方法 |
-
2017
- 2017-04-19 CN CN201710255951.7A patent/CN107068806B/zh active Active
- 2017-12-15 KR KR1020170172825A patent/KR20180117522A/ko active Application Filing
- 2017-12-22 JP JP2017246987A patent/JP6434607B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-01-04 MY MYPI2018700039A patent/MY184983A/en unknown
- 2018-01-11 US US15/868,755 patent/US10276741B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-01-25 SG SG10201800661UA patent/SG10201800661UA/en unknown
-
2019
- 2019-12-17 KR KR1020190168438A patent/KR102154937B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01117371A (ja) * | 1981-03-23 | 1989-05-10 | Hughes Aircraft Co | 太陽電池のアニール装置 |
JPS614283A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置のエイジング方法 |
WO2007107351A1 (en) * | 2006-03-21 | 2007-09-27 | Universität Konstanz | Method for fabricating a photovoltaic element with stabilised efficiency |
JP2011166021A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
US20130146576A1 (en) * | 2010-03-01 | 2013-06-13 | First Solar, Inc. | Method and apparatus for photovoltaic device manufacture |
JP2015531582A (ja) * | 2012-09-14 | 2015-11-02 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブCommissariat Al’Energie Atomique Et Aux Energiesalternatives | 超音波トランスデューサを用いてシリコン系太陽電池を回復させる装置および方法 |
CN103762275A (zh) * | 2014-01-17 | 2014-04-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片的衰减方法及衰减装置 |
CN105140347A (zh) * | 2015-09-21 | 2015-12-09 | 中节能太阳能科技(镇江)有限公司 | 快速改善p型晶硅电池光致衰减的量产装置及其使用方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180309015A1 (en) | 2018-10-25 |
CN107068806B (zh) | 2018-10-19 |
CN107068806A (zh) | 2017-08-18 |
US10276741B2 (en) | 2019-04-30 |
KR102154937B1 (ko) | 2020-09-11 |
KR20200000394A (ko) | 2020-01-02 |
MY184983A (en) | 2021-04-30 |
SG10201800661UA (en) | 2018-11-29 |
KR20180117522A (ko) | 2018-10-29 |
JP6434607B2 (ja) | 2018-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102343352B (zh) | 一种太阳能硅片的回收方法 | |
TWI669830B (zh) | 一種局部背接觸太陽能電池的製造方法 | |
CN104538500B (zh) | 用于晶体硅太阳能电池抗lid和pid的pecvd镀膜和烧结工艺 | |
CN101916787B (zh) | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 | |
CN101414648B (zh) | 结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法 | |
CN110993700A (zh) | 一种异质结太阳电池及其制备工艺 | |
CN102181935B (zh) | 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液 | |
CN103579596A (zh) | 锂离子电池负极材料的制备方法 | |
CN109167112A (zh) | 一种钛酸锂电池的高温夹具化成方法 | |
JP6434607B2 (ja) | 多結晶シリコンセル内部の金属複合体の除去方法 | |
CN106229572A (zh) | 一种抑制高镍三元电池高温循环产气的化成方法 | |
CN103700733A (zh) | 太阳能电池的n型晶体硅衬底的清洗处理方法 | |
CN103928568A (zh) | 一种可以提高p型背面钝化电池效率的热处理方法 | |
CN107275445A (zh) | 一种多晶硅太阳能电池片隔离返工工艺 | |
CN107123810A (zh) | 一种基于磷化镍骨架结构复合材料的制备方法及其应用 | |
CN103208564A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
CN104701417B (zh) | 一种用于背接触太阳能电池的印刷方法 | |
CN112382678A (zh) | 一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法 | |
CN108754594B (zh) | 一种中高压电子铝箔发孔腐蚀后半v阴极加电保护的方法 | |
CN103367118B (zh) | 一种多晶制绒高温碱清洗方法 | |
CN105858636A (zh) | 松针叶衍生微纳结构硬碳材料的制备方法 | |
CN102903786A (zh) | 一种新型超浅结晶体硅太阳能电池 | |
CN108183150A (zh) | 一种异质结光伏电池及其制备方法 | |
CN105632771B (zh) | 一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法 | |
CN104201362A (zh) | 碳掺杂氧化钛纳米管阵列锂电池阳极材料的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6434607 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |