JP2018182112A - ウェハの表面処理方法及び該方法に用いる組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
ハイドロフルオロエーテル、ハイドロクロロフルオロカーボンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の含フッ素溶剤を93.5〜97.499質量%;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを2〜5質量%;
ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザンからなる群より選ばれた少なくとも1種以上のシラザン化合物を0.5〜5質量%;
トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、トリメチルシリルトリフルオロアセテートからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の酸を0.001〜0.25質量%
含むことを特徴とする薬液、及びそれを用いるウェハの処理方法について開示されている。
また、薬液を蒸気化するに際して、安全性の観点から該蒸気の大部分を占める溶剤の引火点が高いこと(難燃性又は不燃性であること)が望ましい。上述のように低沸点かつ高引火点(難燃性又は不燃性)を満たす溶剤として含フッ素エーテル系の溶剤が挙げられる。
ただし、本発明者らが鋭意検討した結果、単純に従来のシリル化剤とそれよりも低沸点の含フッ素エーテル系溶剤を組み合わせただけでは、両者の組み合わせによっては薬液の安定性が低く、特にシリル化剤の濃度が2質量%以上の薬液では不溶物の析出や沈殿が生じ易い問題があった。
上記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、
下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、
上記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8〜100質量%である溶媒とを
含み、上記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が、2〜30質量%である組成物(以降、単に「組成物」と記載する場合がある)の蒸気を
上記凹凸パターン表面に供して、ウェハ表面にて該蒸気を上記組成物の液体状態に状態変化して、上記凹部に保持された液体を該組成物の液体に置換して保持することにより、少なくとも上記凹部表面に撥水性保護膜(以降、単に「保護膜」と記載する場合がある)を形成する、ウェハの表面処理方法である。
(R1)y(H)4−x−ySi[N(R2)2]x [1]
[式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1〜10の炭化水素基、及び、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換された炭素数が1〜8の炭化水素基から選択される基であり、R2は、それぞれ互いに独立して、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換されていてもよいメチル基、エチル基、アセチル基から選択される基である。xは1〜3の整数であり、yは1〜3の整数であり、4−x−yは0〜2の整数である。]
CnF2n+1−O−CmH2m+1 [2]
[式[2]中、CnF2n+1は、炭素数n=4〜5の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、CmH2m+1は、炭素数m=2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。]
表面に凹凸パターンを有し、少なくとも該凹部にSi元素を有するウェハの洗浄において、
上記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、該凹凸パターン表面に蒸気として供され、ウェハ表面にて蒸気から液体状態に状態変化して、上記凹部に保持された液体を置換して該凹部に保持される、
下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、
上記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8〜100質量%である溶媒とを
含み、上記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が、2〜30質量%である組成物である。
(R1)y(H)4−x−ySi[N(R2)2]x [1]
[式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1〜10の炭化水素基、及び、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換された炭素数が1〜8の炭化水素基から選択される基であり、R2は、それぞれ互いに独立して、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換されていてもよいメチル基、エチル基、アセチル基から選択される基である。xは1〜3の整数であり、yは1〜3の整数であり、4−x−yは0〜2の整数である。]
CnF2n+1−O−CmH2m+1 [2]
[式[2]中、CnF2n+1は、炭素数n=4〜5の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、CmH2m+1は、炭素数m=2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。]
本発明の組成物は、
表面に凹凸パターンを有し、少なくとも該凹部にSi元素を有するウェハの洗浄において、
上記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、該凹凸パターン表面に蒸気として供される組成物であって、上記ウェハ表面にて蒸気から液体状態に状態変化して、元々凹部に保持されていた液体を置換するものである。そして、当該置換によって上記凹部に液体状態の組成物が保持されることによって、該凹部表面に撥水性保護膜が形成される。
下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、
上記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8〜100質量%である溶媒とを
含み、上記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が、2〜30質量%である組成物である。
(R1)y(H)4−x−ySi[N(R2)2]x [1]
[式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1〜10の炭化水素基、及び、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換された炭素数が1〜8の炭化水素基から選択される基であり、R2は、それぞれ互いに独立して、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換されていてもよいメチル基、エチル基、アセチル基から選択される基である。xは1〜3の整数であり、yは1〜3の整数であり、4−x−yは0〜2の整数である。]
CnF2n+1−O−CmH2m+1 [2]
[式[2]中、CnF2n+1は、炭素数n=4〜5の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、CmH2m+1は、炭素数m=2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。]
(CH3)3SiN(CH3)2、C2H5Si(CH3)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(CH3)N(CH3)2、(C2H5)3SiN(CH3)2、C3H7Si(CH3)2N(CH3)2、(C3H7)2Si(CH3)N(CH3)2、(C3H7)3SiN(CH3)2、C4H9Si(CH3)2N(CH3)2、(C4H9)3SiN(CH3)2、C5H11Si(CH3)2N(CH3)2、C6H13Si(CH3)2N(CH3)2、C7H15Si(CH3)2N(CH3)2、C8H17Si(CH3)2N(CH3)2、C9H19Si(CH3)2N(CH3)2、C10H21Si(CH3)2N(CH3)2、C11H23Si(CH3)2N(CH3)2、C12H25Si(CH3)2N(CH3)2、C13H27Si(CH3)2N(CH3)2、C14H29Si(CH3)2N(CH3)2、C15H31Si(CH3)2N(CH3)2、C16H33Si(CH3)2N(CH3)2、C17H35Si(CH3)2N(CH3)2、C18H37Si(CH3)2N(CH3)2、(CH3)2Si(H)N(CH3)2、CH3Si(H)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(H)N(CH3)2、C2H5Si(H)2N(CH3)2、C2H5Si(CH3)(H)N(CH3)2、(C3H7)2Si(H)N(CH3)2、C3H7Si(H)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C2F5CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C3F7CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C4F9CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C5F11CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C6F13CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C7F15CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C8F17CH2CH2Si(N(CH3)2)3、CF3CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、CF3CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(CH3)(H)N(CH3)2、あるいは、上記ジメチルアミノシランのジメチルアミノ基(−N(CH3)2基)が、−N(C2H5)2、−N(CH3)C(O)CH3、−N(CH3)C(O)CF3である化合物等が挙げられる。
中でも、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種は、より撥水性付与効果に優れるため好ましい。
また、上記のような所定のシリル化剤と溶媒を用いることで、蒸気化前の組成物中で、シリル化剤が分解し難く(組成物の安定性が高く)、不溶物の析出や沈殿を生じ難くすることができる。
不溶物の析出や沈殿を生じ難くする観点から、上記組成物に含まれる溶媒が上記含フッ素エーテルのみであることがさらに好ましい。
当然ながら、上記組成物に含まれるシリル化剤と含フッ素エーテルの組み合わせとしては、シリル化剤の沸点よりも含フッ素エーテルの沸点が低い組み合わせが選択される。さらには、上記組成物に含まれるシリル化剤と含フッ素エーテルは、両者の沸点の差が20℃以内であると、両成分が同時に沸騰・蒸発しやすいため特に好ましい。
酸の具体例としては、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及び、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
本発明において、撥水性保護膜とは、ウェハ表面に形成されることにより、該ウェハ表面の濡れ性を低くする膜、すなわち撥水性を付与する膜のことである。本発明において撥水性とは、物品表面の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該物品表面との間(界面)で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる意味である。特に水に対して相互作用を低減させる効果が大きいが、水と水以外の液体の混合液や、水以外の液体に対しても相互作用を低減させる効果を有する。該相互作用の低減により、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。なお、撥水性保護膜は、上記シリル化剤から形成されたものであってもよいし、シリル化剤を主成分とする反応物を含むものであっても良い。
上記のウェハとしては、ウェハ表面にシリコン、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素などSi元素を含む膜が形成されたもの、あるいは、上記凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの表面の少なくとも一部がシリコン、酸化ケイ素、又は窒化ケイ素などSi元素を含むものが含まれる。なお、上記組成物で保護膜を形成できるのは上記凹凸パターン中のSi元素を含む部分の表面である。
なお、本発明の組成物及び表面処理方法の処理対象としては、上述の構造のウェハに限らず、例えば、三次元構造の半導体ウェハを対象とすることもできる。
上記のようにエッチングによって得られた、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハは、本発明の表面処理方法に先立って、エッチングの残渣などを除去するために、水系洗浄液で洗浄されてもよいし、該洗浄後に凹部に保持された水系洗浄液を該水系洗浄液とは異なる洗浄液(以降、「洗浄液A」と記載する)に置換してさらに洗浄されてもよい。
本発明の組成物の蒸気を上記凹凸パターン表面に供する方法としては、例えば、チャンバ内に、凹凸パターンの少なくとも凹部に上記液体を保持したウェハを配置し、別途組成物を蒸発させて得た蒸気を配管やノズルを介して凹凸パターン表面に供給する方法等が挙げられる。蒸気の供給に際して窒素や乾燥空気などのキャリアガスを用いてもよい。
例えば、所定量の液体状態の組成物を気化室に導入して、該組成物が全量蒸発するのに十分な加熱を行い、全量蒸発した後に該蒸気を、上記凹凸パターン表面に供給するべく、配管やノズルへ送り出す、バッチ式の蒸気化方法が挙げられる。
また、例えば、特許5674851号に記載のような、小規模な気化部を配管の一部に設けて組成物を加熱し、蒸発するようにして、該蒸気を配管やノズルへ送り出す、連続式の蒸気化方法が挙げられる。
なお、蒸気化の温度は、保護膜形成成分である上記シリル化剤の熱分解が引き起こされる恐れがない温度であり、該シリル化剤の沸点近傍(保護膜形成成分の沸点+5℃程度)までに抑えることが好ましい。
好ましい蒸気処理の条件としては、例えば、特許5254120号に記載のような、上述のように得た蒸気と、窒素ガスやアルゴンガスのようなキャリアガスを混合してから上記凹凸パターン表面に該混合気体を供給することが挙げられる。
処理中の基板付近の雰囲気温度すなわち蒸気の温度は元々凹部に保持されていた液体の沸点よりも低いことが好ましい。雰囲気温度(蒸気の温度)が当該沸点以上であると、元々凹部に保持されていた液体を、蒸気を用いて十分に置換する前に、該液体が揮発して該凹凸パターンが倒れる恐れがあるためである。
洗浄液Bの供給は、該洗浄液を液体として供給する方法であってもよいし、該洗浄液を蒸気として供給する方法であってもよい。
(A)組成物の安定性評価
組成物の原料を混合後、25℃で6時間静置した後の組成物の外観を観察し、不溶物の析出や沈殿の生成がないものを合格とした。また、上記混合後4日間静置した後の組成物の外観も観察し、より長期間での安定性も評価した。
保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約2μlを置き、水滴とウェハ表面とのなす角(接触角)を接触角計(協和界面科学製:CA−X型)で測定し、70°以上を合格とした。
(1)組成物の調製
表1に示すように組成物の原料として、シリル化剤としてトリメチルシリルジメチルアミン〔(CH3)3Si−N(CH3)2〕(沸点約86℃、以降「TMSDMA」と記載する場合がある);5.0g、溶媒としてノナフルオロ−n−ブチルエチルエーテル〔C4F9−O−C2H5〕(沸点約76℃、3M製Novec7200);95.0gを混合し、溶液状態の組成物を得た。すなわち、表2に示すような組成比の組成物が得られた。当該組成物は、混合後、25℃で6時間及び4日間静置した後でも不溶物の析出や沈殿の生成はなく、良好な安定性を示した。
平滑な熱酸化膜付きシリコンウェハ(表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するSiウェハ)を1質量%のフッ酸水溶液に室温で10分浸漬し、純水に室温で1分、2−プロパノール(iPA)に室温で1分浸漬した。
上記洗浄後にシリコンウェハを、iPAを液盛りした状態で蒸気処理室に水平に配置し、上記にて調製した溶液状態の組成物を、後述する方法で、蒸気化し該蒸気を蒸気処理室に供給した。そして、60℃以下のウェハ表面にて蒸気を上記組成物の液体状態に状態変化して、元々ウェハ表面に保持されていたiPAを該組成物の液体に置換した。その後、シリコンウェハを蒸気処理室から取り出し、iPAに室温で1分、純水に室温で1分浸漬した。最後に、シリコンウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて、表面の純水を除去した。
組成物の原料として実験例1で用いたシリル化剤の種類、含フッ素エーテルの溶媒中の含有量、その他溶媒の種類や含有量、酸の種類や濃度、蒸気化室の温度などの条件を変更して、それ以外は実験例1と同様にウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。原料、組成物、及び評価結果を表1〜6に示す。なお、表中で、「TMSDEA」はトリメチルシリルジエチルアミンを意味し、「TFAA」は無水トリフルオロ酢酸を意味し、「HMDS」は1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザンを意味し、「TMSTFA」はトリメチルシリルトリフルオロアセテートを意味し、「TFA」はトリフルオロ酢酸を意味し、「TMDS」は1,1,3,3−テトラメチルジシラザンを意味し、「PGMEA」はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを意味し、「DCTFP」は1,2−ジクロロ−3,3,3−トリフルオロプロペンを意味する。
なお、実験例2では、組成物原料を混合すると、TMSDMAとTFAAが反応して、原料の酸化合物であるTFAAは反応により消費され、
酸であるTMSTFA、
副生物であるN,N−ジメチル−2,2,2−トリフルオロアセトアミド(以降、DMTFAA)、
及び、余剰のTMSDMAが含有された表2に示す組成物が得られた。
また、比較実験例11では、組成物原料を混合すると、HMDSとTFAが反応して、原料の酸化合物であるTFAは反応により消費され、
酸であるTMSTFA、
副生物であるNH3、
及び、余剰のHMDSが含有された表2に示す組成物が得られた。
また、比較実験例12では、組成物原料を混合すると、HMDSとTFAAが反応して、原料の酸化合物であるTFAAは反応により消費され、
酸であるTMSTFA、
副生物であるトリメチルシリルトリフルオロアセトアミド(以降、TMSTFAA)、
及び、余剰のHMDSが含有された表2に示す組成物が得られた。
また、比較実験例15では、組成物原料を混合すると、TMDSとTFAが反応して、原料の酸化合物であるTFAは反応により消費され、
酸であるDMSTFA、
副生物であるNH3、
及び、余剰のTMDSが含有された表2に示す組成物が得られた。
また、比較実験例16では、組成物原料を混合すると、TMDSとTFAAが反応して、原料の酸化合物であるTFAAは反応により消費され、
酸であるDMSTFA、
副生物であるジメチルシリルトリフルオロアセトアミド(以降、DMSTFAA)、
及び、余剰のTMDSが含有された表2に示す組成物が得られた。
また、比較実験例18では、組成物原料を混合すると、HMDSとTFAが反応して、原料の酸化合物であるTFAは反応により消費され、
酸であるTMSTFA、
副生物であるNH3、
及び、余剰のHMDSが含有された表5に示す組成物が得られた。
また、比較実験例19では、組成物原料を混合すると、HMDSとTFAAが反応して、原料の酸化合物であるTFAAは反応により消費され、
酸であるTMSTFA、
副生物であるTMSTFAA、
及び、余剰のHMDSが含有された表5に示す組成物が得られた。
また、比較実験例22では、組成物原料を混合すると、TMDSとTFAが反応して、原料の酸化合物であるTFAは反応により消費され、
酸であるDMSTFA、
副生物であるNH3、
及び、余剰のTMDSが含有された表5に示す組成物が得られた。
また、本発明で規定する組成物を用いた実験例1〜7は、いずれも良好な撥水性付与効果を示した。
2 ウェハ表面の微細な凹凸パターン
3 パターンの凸部
4 パターンの凹部
5 凹部の幅
6 凸部の高さ
7 凸部の幅
8 凹部4に保持された液体
9 組成物の蒸気
10 凹部4に保持された液体
11 保護膜
Claims (24)
- 表面に凹凸パターンを有し、少なくとも該凹部にSi元素を有するウェハの洗浄において、
前記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、
下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、
前記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8〜100質量%である溶媒とを
含み、前記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が、2〜30質量%である組成物の蒸気を
前記凹凸パターン表面に供して、ウェハ表面にて該蒸気を前記組成物の液体状態に状態変化して、前記凹部に保持された液体を該組成物の液体に置換して保持することにより、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成する、ウェハの表面処理方法。
(R1)y(H)4−x−ySi[N(R2)2]x [1]
[式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1〜10の炭化水素基、及び、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換された炭素数が1〜8の炭化水素基から選択される基であり、R2は、それぞれ互いに独立して、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換されていてもよいメチル基、エチル基、アセチル基から選択される基である。xは1〜3の整数であり、yは1〜3の整数であり、4−x−yは0〜2の整数である。]
CnF2n+1−O−CmH2m+1 [2]
[式[2]中、CnF2n+1は、炭素数n=4〜5の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、CmH2m+1は、炭素数m=2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。] - 前記シリル化剤が、(CH3)3SiN(CH3)2、C2H5Si(CH3)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(CH3)N(CH3)2、(C2H5)3SiN(CH3)2、C3H7Si(CH3)2N(CH3)2、(C3H7)2Si(CH3)N(CH3)2、(C3H7)3SiN(CH3)2、C4H9Si(CH3)2N(CH3)2、(C4H9)3SiN(CH3)2、C5H11Si(CH3)2N(CH3)2、C6H13Si(CH3)2N(CH3)2、C7H15Si(CH3)2N(CH3)2、C8H17Si(CH3)2N(CH3)2、C9H19Si(CH3)2N(CH3)2、C10H21Si(CH3)2N(CH3)2、C11H23Si(CH3)2N(CH3)2、C12H25Si(CH3)2N(CH3)2、C13H27Si(CH3)2N(CH3)2、C14H29Si(CH3)2N(CH3)2、C15H31Si(CH3)2N(CH3)2、C16H33Si(CH3)2N(CH3)2、C17H35Si(CH3)2N(CH3)2、C18H37Si(CH3)2N(CH3)2、(CH3)2Si(H)N(CH3)2、CH3Si(H)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(H)N(CH3)2、C2H5Si(H)2N(CH3)2、C2H5Si(CH3)(H)N(CH3)2、(C3H7)2Si(H)N(CH3)2、C3H7Si(H)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C2F5CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C3F7CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C4F9CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C5F11CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C6F13CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C7F15CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C8F17CH2CH2Si(N(CH3)2)3、CF3CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、CF3CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(CH3)(H)N(CH3)2、あるいは、前記ジメチルアミノシランのジメチルアミノ基(−N(CH3)2基)が、−N(C2H5)2、−N(CH3)C(O)CH3、−N(CH3)C(O)CF3である化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載のウェハの表面処理方法。
- 前記一般式[1]の−N(R2)2で表される基が、−N(CH3)2基又は−N(C2H5)2基である、請求項1又は2に記載のウェハの表面処理方法。
- 前記シリル化剤が、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載のウェハの表面処理方法。
- 前記含フッ素エーテルが、ノナフルオロ−n−ブチルエチルエーテルである、請求項1〜4のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記組成物中の、前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルの質量比(シリル化剤/含フッ素エーテル)が、1/99〜30/70である、請求項1〜5のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記組成物が、前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルのみからなる、請求項1〜6のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記組成物が、さらに酸を含む、請求項1〜6のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記組成物が、前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルと酸のみからなる、請求項1〜6及び8のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記酸が、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及び、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項8又は9に記載のウェハの表面処理方法。
- 前記凹部に保持された液体が、非水溶媒である、請求項1〜10のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成した後で、該凹部に保持された液体状態の前記組成物を乾燥により除去する、請求項1〜11のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成した後で、該凹部に保持された液体状態の前記組成物を該組成物とは異なる洗浄液に置換し、該洗浄液を乾燥により除去する、請求項1〜11のいずれかに記載のウェハの表面処理方法。
- 前記乾燥後のウェハ表面に、加熱処理、光照射処理、オゾン曝露処理、プラズマ照射処理、及びコロナ放電処理からなる群から選ばれる少なくとも1つの処理を施して前記撥水性保護膜を除去する、請求項12又は13に記載のウェハの表面処理方法。
- 表面に凹凸パターンを有し、少なくとも該凹部にSi元素を有するウェハの洗浄において、
前記凹凸パターンの少なくとも凹部に液体を保持した状態で、該凹凸パターン表面に蒸気として供され、ウェハ表面にて蒸気から液体状態に状態変化して、前記凹部に保持された液体を置換して該凹部に保持される、
下記一般式[1]で表されるシリル化剤と、
前記シリル化剤の沸点よりも低沸点の下記一般式[2]で表される含フッ素エーテルが、総量100質量%のうち99.8〜100質量%である溶媒とを
含み、前記シリル化剤と溶媒の総量に対する該シリル化剤の量が、2〜30質量%である組成物。
(R1)y(H)4−x−ySi[N(R2)2]x [1]
[式[1]中、R1は、それぞれ互いに独立して、炭素数が1〜10の炭化水素基、及び、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換された炭素数が1〜8の炭化水素基から選択される基であり、R2は、それぞれ互いに独立して、水素元素の一部又は全てがフッ素元素に置換されていてもよいメチル基、エチル基、アセチル基から選択される基である。xは1〜3の整数であり、yは1〜3の整数であり、4−x−yは0〜2の整数である。]
CnF2n+1−O−CmH2m+1 [2]
[式[2]中、CnF2n+1は、炭素数n=4〜5の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表し、CmH2m+1は、炭素数m=2〜6の直鎖状又は分枝状のアルキル基を表す。] - 前記シリル化剤が、(CH3)3SiN(CH3)2、C2H5Si(CH3)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(CH3)N(CH3)2、(C2H5)3SiN(CH3)2、C3H7Si(CH3)2N(CH3)2、(C3H7)2Si(CH3)N(CH3)2、(C3H7)3SiN(CH3)2、C4H9Si(CH3)2N(CH3)2、(C4H9)3SiN(CH3)2、C5H11Si(CH3)2N(CH3)2、C6H13Si(CH3)2N(CH3)2、C7H15Si(CH3)2N(CH3)2、C8H17Si(CH3)2N(CH3)2、C9H19Si(CH3)2N(CH3)2、C10H21Si(CH3)2N(CH3)2、C11H23Si(CH3)2N(CH3)2、C12H25Si(CH3)2N(CH3)2、C13H27Si(CH3)2N(CH3)2、C14H29Si(CH3)2N(CH3)2、C15H31Si(CH3)2N(CH3)2、C16H33Si(CH3)2N(CH3)2、C17H35Si(CH3)2N(CH3)2、C18H37Si(CH3)2N(CH3)2、(CH3)2Si(H)N(CH3)2、CH3Si(H)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(H)N(CH3)2、C2H5Si(H)2N(CH3)2、C2H5Si(CH3)(H)N(CH3)2、(C3H7)2Si(H)N(CH3)2、C3H7Si(H)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C2F5CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C3F7CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C4F9CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C5F11CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C6F13CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C7F15CH2CH2Si(N(CH3)2)3、C8F17CH2CH2Si(N(CH3)2)3、CF3CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)(N(CH3)2)2、CF3CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(CH3)(H)N(CH3)2、あるいは、前記ジメチルアミノシランのジメチルアミノ基(−N(CH3)2基)が、−N(C2H5)2、−N(CH3)C(O)CH3、−N(CH3)C(O)CF3である化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項15に記載の組成物。
- 前記一般式[1]の−N(R2)2で表される基が、−N(CH3)2基又は−N(C2H5)2基である、請求項15又は16に記載の組成物。
- 前記シリル化剤が、トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミンからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項15に記載の組成物。
- 前記含フッ素エーテルが、ノナフルオロ−n−ブチルエチルエーテルである、請求項15〜18のいずれかに記載の組成物。
- 前記組成物中の、前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルの質量比(シリル化剤/含フッ素エーテル)が、1/99〜30/70である、請求項15〜19のいずれかに記載の組成物。
- 前記組成物が、前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルのみからなる、請求項15〜20のいずれかに記載の組成物。
- さらに酸を含む、請求項15〜20のいずれかに記載の組成物。
- 前記シリル化剤と前記含フッ素エーテルと酸のみからなる、請求項15〜20及び22のいずれかに記載の組成物。
- 前記酸が、トリメチルシリルトリフルオロアセテート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルシリルトリフルオロアセテート、ジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ブチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ブチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、ヘキシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、オクチルジメチルシリルトリフルオロアセテート、オクチルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート、デシルジメチルシリルトリフルオロアセテート、及び、デシルジメチルシリルトリフルオロメタンスルホネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項22又は23に記載の組成物。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023199824A1 (ja) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | セントラル硝子株式会社 | 表面処理組成物、およびウェハの製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3979004A4 (en) * | 2019-06-21 | 2022-08-03 | Central Glass Company, Limited | SURFACE TREATMENT AGENT AND METHOD FOR MAKING SURFACE TREATMENT BODY |
CN115699259A (zh) * | 2020-05-21 | 2023-02-03 | 中央硝子株式会社 | 半导体基板的表面处理方法及表面处理剂组合物 |
US20230282473A1 (en) * | 2020-05-21 | 2023-09-07 | Central Glass Company, Limited | Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129932A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 表面処理方法及び表面処理液 |
JP2011071172A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP2012033873A (ja) * | 2010-05-19 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
JP2013161833A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2015233108A (ja) * | 2014-06-11 | 2015-12-24 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法 |
JP2017063179A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5254120B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
CN102971836B (zh) * | 2010-06-28 | 2016-06-08 | 中央硝子株式会社 | 拒水性保护膜形成剂、拒水性保护膜形成用化学溶液和使用该化学溶液的晶片的清洗方法 |
WO2012002346A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | セントラル硝子株式会社 | ウェハパターンの保護膜形成用薬液、薬液の調製方法およびウェハ処理方法 |
JP6191372B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-09-06 | セントラル硝子株式会社 | ウェハの洗浄方法 |
EP3085749B1 (en) * | 2015-04-20 | 2017-06-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluoropolyether-containing polymer-modified silane, surface treating agent, and treated article |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010129932A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 表面処理方法及び表面処理液 |
JP2011071172A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP2012033873A (ja) * | 2010-05-19 | 2012-02-16 | Central Glass Co Ltd | 保護膜形成用薬液 |
JP2013161833A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Central Glass Co Ltd | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 |
JP2015233108A (ja) * | 2014-06-11 | 2015-12-24 | 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 | 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法 |
JP2017063179A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023199824A1 (ja) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | セントラル硝子株式会社 | 表面処理組成物、およびウェハの製造方法 |
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