JP2018160537A - パターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの実施形態は、自己組織化リソグラフィー技術を用いて効率的にパターンを形成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。パターン形成方法は、光リソグラフィー技術を用いて、第1の領域において第1の膜に第1のパターンを形成し、第2の領域において第1の膜に第2のパターンを形成することを含む。パターン形成方法は、自己組織化リソグラフィー技術を用いて、第1の領域において第1の膜の下方の第2の膜に第1のパターンに対応した第3のパターンを形成することを含む。パターン形成方法は、第1の領域において第3のパターンを第1の膜及び第2の膜の下方の第3の膜に転写し、第2の領域において第2のパターンを第3の膜に転写することを含む。【選択図】図3
Description
本実施形態は、パターン形成方法に関する。
自己組織化リソグラフィー技術を用いて基板上に所定のパターンが形成されることがある。このとき、効率的にパターンを形成することが望まれる。
一つの実施形態は、自己組織化リソグラフィー技術を用いて効率的にパターンを形成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。パターン形成方法は、光リソグラフィー技術を用いて、第1の領域において第1の膜に第1のパターンを形成し、第2の領域において第1の膜に第2のパターンを形成することを含む。パターン形成方法は、自己組織化リソグラフィー技術を用いて、第1の領域において第1の膜の下方の第2の膜に第1のパターンに対応した第3のパターンを形成することを含む。パターン形成方法は、第1の領域において第3のパターンを第1の膜及び第2の膜の下方の第3の膜に転写し、第2の領域において第2のパターンを第3の膜に転写することを含む。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるパターン形成方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(実施形態)
実施形態にかかるパターン形成方法について説明する。パターン形成方法は、基板上に所定のパターンを形成するための方法である。基板上に所定のパターンを形成するリソグラフィー技術では、パターンを微細化することが要求される。
実施形態にかかるパターン形成方法について説明する。パターン形成方法は、基板上に所定のパターンを形成するための方法である。基板上に所定のパターンを形成するリソグラフィー技術では、パターンを微細化することが要求される。
半導体素子の製造工程中のリソグラフィー技術として、ArF液浸露光によるダブルパターニング技術、EUVリソグラフィー、ナノインプリント等が知られているが、従来のリソグラフィー技術は、パターンの微細化に伴い、コストの増加、スループットの低下などをもたらす可能性がある。
このような状況下で、リソグラフィー技術への自己組織化(DSA: Directed Self−assembly)材料の適用が期待されている。自己組織化材料(DSA材料)は、エネルギー安定という自発的な挙動によって組織化することから、寸法精度の高いパターンの形成に適用できる。
例えば、高分子ブロック共重合体のミクロ相分離を利用する技術は、簡便な塗布とアニールプロセスで、数〜数百nmの種々の形状の周期構造を形成できる。高分子ブロック共重合体のブロックの組成比によって球状(スフィア)、柱状(シリンダー)、層状(ラメラ)等に形態を変え、分子量によってサイズを変えることにより、様々な寸法のドットパターン、ホール又はピラーパターン、ラインパターン等を形成することができる。
DSA材料を用いて所望のパターンを広範囲に形成するためには、自己組織化により形成されるポリマー相の発生位置を制御するガイドを設ける必要がある。ガイドとしては、凹凸構造を有し、凹部にミクロ相分離パターンを形成する物理ガイド(grapho−epitaxy)と、DSA材料の下層に形成され、その表面エネルギーの違いに基づいてミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド(chemical−epitaxy)とが知られている。
例えば、被加工膜上にレジスト膜を形成し、レジストを露光して物理ガイドとなるホールパターンを形成し、その物理ガイドへブロックコポリマー(BCP)を埋め込み、加熱する。すると、BCPが、ガイドパターンの側壁に沿って形成される第1ポリマー部と、ガイドパターンの中心に形成される第2ポリマー部とに相分離(ミクロ相分離)する。このあと第2ポリマー部を選択的に除去し第1ポリマー部を残存させると、ガイドパターンより小さい寸法のパターン(例えば、ホールパターン)を下地膜に加工転写できる。これをDSAホールシュリンクプロセスと呼ぶ。
すなわち、ガイドパターンを光リソグラフィーにおける解像限界近傍の寸法で形成すれば、解像限界より小さい寸法のパターン(例えば、ホールパターン)を下地膜に形成できるので、光リソグラフィーの解像限界未満にパターンを微細化できる。
しかし、DSAホールシュリンクプロセスでは、BCPの分子量でホール径が決まってしまうため、寸法の異なるパターン(例えばセル部と周辺回路など)を同時に形成することが困難である。そのため、各パターンごとにリソグラフィー工程を設けると、工程数が多くなりやすく、コストが増大する可能性がある。
そこで、実施形態では、自己組織化リソグラフィー技術を用いたパターン形成を行いながら物理ガイドの一部をそのままパターン形成に用いることで、寸法の異なるパターンの形成に必要な工程数の低減を図る。
具体的には、図1〜図5に示すように、基板上に所定のパターンを形成する。図1(a)〜図1(c)、図2(a)〜図2(c)、図3(a)〜図3(c)、図4(a)〜図4(b)、図5(a)〜図5(b)は、それぞれ、パターン形成方法を示す工程断面図である。
図1(a)に示す工程では、基板1を準備する。基板1は、例えばシリコン等の半導体を主成分とする材料で形成され得る。基板1は、領域R1及び領域R2を有する。領域R1及び領域R2は、互いに寸法の異なるパターンが形成されるべき領域である。領域R1は、領域R2より小さい寸法のパターンが形成されるべき領域であり、例えば、メモリセル等の微細なパターンが配されるセル領域である。領域R2は、領域R1より大きい寸法のパターンが形成されるべき領域であり、例えば、セル領域に対する周辺回路が配される周辺領域である。領域R1及び領域R2において、基板1上に、被加工膜2、ハードマスク3、ハードマスク4、ハードマスク5が順に堆積される。
例えば、被加工膜2は、CVD(化学気相成長)法又は回転塗布法などにより、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。回転塗布法で形成される場合、被加工膜2は、SOG(Spin On Glass)膜とも呼ばれ得る。被加工膜2は、膜厚150nmで形成され得る。ハードマスク3は、CVD(化学気相成長)法又は回転塗布法などにより、炭素を主成分とする材料で形成され得る。回転塗布法で形成される場合、ハードマスク3は、SOC(Spin On Carbon)膜とも呼ばれ得る。ハードマスク3は、膜厚100nmで形成され得る。ハードマスク4は、CVD(化学気相成長)法などにより、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。ハードマスク4は、膜厚15nmで形成され得る。ハードマスク5は、CVD(化学気相成長)法などにより、シリコン窒化物を主成分とする材料で形成され得る。ハードマスク5は、膜厚15nmで形成され得る。
図1(b)に示す工程では、ハードマスク5における領域R1の部分を選択的に覆うレジストパターンRP1を形成する。
例えば、回転塗布法などにより、ハードマスク5上にレジスト材を塗布する。レジスト材は、膜厚1.5μmになるように塗布され得る。MUV(Middle UltraViolet)光にて露光・現像して、領域R1にレジスト膜を選択的に残し、領域R1上のレジスト膜を選択的に除去する。これにより、ハードマスク5における領域R1の部分を選択的に覆うレジストパターンRP1を形成する。
図1(c)に示す工程では、ハードマスク4における領域R1の部分を選択的に覆うハードマスク5aを形成する。
RIEによりレジストパターンRP1をマスクとしてハードマスク5をエッチング加工する。これにより、ハードマスク5における領域R2の部分が選択的に除去され、領域R1を選択的に覆うハードマスク5aが形成される。
図2(a)に示す工程では、ハードマスク5a及びハードマスク4の上に、ハードマスク6、反射防止膜7、レジストパターンRP2を形成する。
例えば、ハードマスク6は、CVD(化学気相成長)法又は回転塗布法などにより、炭素を主成分とする材料で形成され得る。回転塗布法で形成される場合、ハードマスク6は、SOC(Spin On Carbon)膜とも呼ばれ得る。ハードマスク6は、膜厚100nmで形成され得る。反射防止膜7は、CVD(化学気相成長)法又は回転塗布法などにより、シリコン酸化物を主成分とする材料で形成され得る。回転塗布法で形成される場合、反射防止膜7は、SOG(Spin On Glass)膜とも呼ばれ得る。反射防止膜7は、膜厚30nmで形成され得る。
回転塗布法などにより、反射防止膜7上にレジスト材を塗布する。レジスト材は、膜厚120nmになるように塗布され得る。ArF液浸エキシマレーザ等により露光・現像して、領域R1にホールパターンRP2aを有し領域R2にホールパターンRP2bを有するレジストパターンRP2を形成する。ホールパターンRP2aの最大幅は、ホールパターンRP2bの最大幅より小さい。ホールパターンRP2aの径は例えば70nmであり、ホールパターンRP2bの径は例えば200nmである。
このとき、ホールパターンRP2aの底面(ホールパターンRP2aで露出された反射防止膜7の表面)とハードマスク4との間にはハードマスク5aが存在するが、ホールパターンRP2bの底面(ホールパターンRP2bで露出された反射防止膜7の表面)とハードマスク4との間にはハードマスク5aが存在しない。
図2(b)に示す工程では、レジストパターンRP2におけるホールパターンRP2a,RP2bを反射防止膜7a及びハードマスク6aに転写する。
例えば、RIE法等により、レジストパターンRP2をマスクとして反射防止膜7をエッチング加工する。これにより、レジストパターンRP2におけるホールパターンRP2a,RP2bを反射防止膜7aに転写する。すなわち、領域R1において、ホールパターンRP2aに対応したホールパターン7a1を反射防止膜7aに形成し、領域R2において、ホールパターンRP2bに対応したホールパターン7a2を反射防止膜7aに形成する。
そして、RIE法等により、反射防止膜7aをマスクとしてハードマスク6aをエッチング加工する。これにより、反射防止膜7aにおけるホールパターン7a1,7a2をハードマスク6aに転写する。すなわち、領域R1において、ホールパターン7a1に対応したホールパターン6a1をハードマスク6aに形成し、領域R2において、ホールパターン7a2に対応したホールパターン6a2をハードマスク6aに形成する。形成された凹凸パターン(ホールパターン7a1,6a1、ホールパターン7a2,6a2)は、この後の工程の自己組織化パターンの物理ガイドとなる。
図2(c)に示す工程では、領域R1の物理ガイド(ホールパターン7a1,6a1)内及び領域R2の物理ガイド(ホールパターン7a2,6a2)内にそれぞれ自己組織化材料を埋め込む。
例えば、反射防止膜7a及びハードマスク6a上に自己組織化材料が塗布される。自己組織化材料は、例えば、ブロックポリマーとすることができる。ブロックポリマーとして、ポリスチレン(PS)及びポリメチルメタクリレート(PMMA)のブロック共重合体(PS−b−PMMA)を準備し、PSブロック/PMMAブロックの数平均分子量(Mn)が4700/24000となるようにする。このブロック共重合体はおよそ径50nm以100nm以下のガイド内で一つの縦シリンダー形状に相分離する。これを1.0wt%の濃度で含有するプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶液に溶かしてブロックコポリマーのPGMEA溶液を形成する。そして、基板1を回転数1500rpmで回転させながらブロックコポリマーのPGMEA溶液を基板1上に吐出する。このあと回転数1000rpmで基板1を30秒間回転させてスピン乾燥させることで面内に均一にブロックコポリマー膜を形成することができる。これにより、ホールパターン7a1,6a1内にはブロックポリマー膜11が埋め込まれ、ホールパターン7a2,6a2内にはブロックポリマー膜12が埋め込まれる。
なお、自己組織化材料(ブロックコポリマー)を塗布する前に、ガイドパターン(ホールパターン7a1,6a1、ホールパターン7a2,6a2)の表面の接触角を制御する工程を追加しても良い。例えば、ガイドパターンの表面にシランカップリング剤を供給して親油性に改質することで、親油性のポリスチレン(PS)がガイドパターン内に良好に塗布され得る。
図3(a)に示す工程では、ホールパターン7a1,6a1内のブロックポリマー膜11とホールパターン7a2,6a2内のブロックポリマー膜12とをそれぞれミクロ相分離する。
例えば、図2(c)までの工程で得られた積層体SLBを加熱装置で加熱して、ブロックポリマー膜11及びブロックポリマー膜12をそれぞれミクロ相分離させる。積層体SLBをホットプレート上において240℃で3分間加熱すると、ブロックポリマー膜11及びブロックポリマー膜12をミクロ相分離させることができる。
ホールパターン7a1,6a1内では、第1ポリマーブロック鎖を含む第1ポリマー部11aと第2ポリマーブロック鎖を含む第2ポリマー部11bとを含む自己組織化相が形成される。このとき、ホールパターン7a1,6a1内では、規則的なパターン(縦シリンダー形状)が形成される。ホールパターン7a1,6a1の内側面側には、PSを含む第1ポリマー部11aが形成(偏析)され、ホールパターン7a1,6a1の中心側には、PMMAを含む第2ポリマー部11bが形成される。
同様に、ホールパターン7a2,6a2内では、第1ポリマーブロック鎖を含む第1ポリマー部12aと第2ポリマーブロック鎖を含む第2ポリマー部12bとを含む自己組織化相が形成される。このとき、ホールパターン7a2,6a2内には、規則的なパターンが形成されない。ホールパターン7a2,6a2内では、PSを含む第1ポリマー部12aとPMMAを含む第2ポリマー部12bとがランダムに相分離する。これは、ホールパターン7a2,6a2の最大幅(直径)がブロックコポリマーの規則的なパターン(縦シリンダー形状)の相分離に適したガイド径の範囲から外れているためである。
図3(b)に示す工程では、ホールパターン7a1,6a1内にホールパターン11cを現像し、ホールパターン7a2,6a2内にホールパターン12cを現像する。
例えば、RIE法等により、ポリスチレン(PS)に対するポリメチルメタクリレート(PMMA)のエッチング選択比が確保できるエッチング条件でブロックポリマー膜11及びブロックポリマー膜12のエッチングを行う。これにより、ホールパターン7a1,6a1内において、第1ポリマー部11aを残存させ第2ポリマー部11bを選択的に除去することでホールパターン11cを形成し、ホールパターン7a2,6a2内において、第1ポリマー部12aを残存させ第2ポリマー部12bを選択的に除去することでホールパターン12cを形成する。ホールパターン12cは、ダミーのパターンとして形成される。
例えば、ホールパターン11cは、縦シリンダー形状を有し、その径が25nmであり、ホールパターン7a1,6a1を収縮させたものに相当する。ホールパターン11cによりハードマスク5aの表面の一部が露出されている。一方、ホールパターン12cは、ランダム形状を有する。ホールパターン12cは、ハードマスク4の表面を露出していない。
なお、ホールパターン11c,12cの現像には、RIE法に代えて、第2ポリマー部の選択除去が可能な他の方法を用いることができる。例えば、UV照射後にIPA(イソプロピルアルコール)や酢酸にさらす現像プロセスやウェットエッチングを用いても構わない。
図3(c)に示す工程では、領域R1におけるホールパターン11cをハードマスク5bに転写してホールパターン5b1を形成するとともに、領域R2におけるホールパターン12c(ダミーのパターン)を転写しない。
例えば、領域R1では、残存させた第1ポリマー部11a、及び反射防止膜7aをマスクにして、RIE法等によりハードマスク5aをエッチング加工する。ホールパターン11cにより露出されたハードマスク5aの表面の一部が選択的に除去され、ハードマスク5bにホールパターン11cが転写されて、ホールパターン5b1が形成される。ホールパターン5b1によりハードマスク4の表面の一部が露出されている。領域R2では、第1ポリマー部12aがハードマスク4を覆っており、ホールパターン12cはハードマスク4に転写されない。
図4(a)に示す工程では、領域R1のホールパターン7a1,6a1内から第1ポリマー部11aを除去し、領域R2のホールパターン7a2,6a2内から第1ポリマー部12aを除去する。
例えば、RIE法等により、ハードマスク6a(炭素)に対するポリスチレン(PS)のエッチング選択比が確保できるエッチング条件で第1ポリマー部11a及び第1ポリマー部12aのエッチングを行う。これにより、領域R1のホールパターン7a1,6a1内から第1ポリマー部11aが除去され、領域R2のホールパターン7a2,6a2内から第1ポリマー部12aが除去される。領域R2では、ホールパターン7a2,6a2の底面としてハードマスク4の表面の一部が露出される。
図4(b)に示す工程では、領域R1においてホールパターン5b1をハードマスク4aに転写してホールパターン4a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン7a2,6a2をハードマスク4aに転写してホールパターン4a2を形成する。
例えば、RIE法等によってハードマスク4をエッチング加工する。このとき、領域R1においては、ハードマスク5bをマスクとしてハードマスク4aをエッチング加工し、ホールパターン4a1を形成する。ハードマスク5bは、エッチングストッパーとして機能するため、物理ガイド(ホールパターン6a1)より小さい径のホールパターン4a1を形成することができる。領域R2においては、ハードマスク6aをマスクとしてハードマスク4aをエッチング加工し、ホールパターン4a2を形成する。
これによって、寸法の異なるパターン(ホールパターン4a1及びホールパターン4a2)を一括してハードマスク4aに形成できる。例えば、ハードマスク4に対して、領域R1には25nmのホールパターン4a1、領域R2には200nmのホールパターン4a2を形成することができる。
図5(a)に示す工程では、領域R1においてホールパターン4a1をハードマスク3aに転写してホールパターン3a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン4a2をハードマスク3aに転写してホールパターン3a2を形成する。
例えば、RIE法等によって、ハードマスク4(シリコン酸化物)に対するハードマスク3(炭素)のエッチング選択比が確保できるエッチング条件でハードマスク3aをエッチング加工する。このとき、領域R1においては、ハードマスク5b及びハードマスク4aをマスクとしてハードマスク3aをエッチング加工し、ホールパターン3a1を形成する。領域R2においては、ハードマスク4aをマスクとしてハードマスク3をエッチング加工し、ホールパターン3a2を形成する。
これによって、寸法の異なるパターン(ホールパターン3a1及びホールパターン3a2)を一括してハードマスク3aに形成できる。例えば、ハードマスク3aに対して、領域R1には25nmのホールパターン3a1、領域R2には200nmのホールパターン3a2を形成することができる。
図5(b)に示す工程では、領域R1においてホールパターン3a1を被加工膜2aに転写してホールパターン2a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン3a2を被加工膜2aに転写してホールパターン2a2を形成する。
例えば、RIE法等によって、ハードマスク3a(炭素)に対する被加工膜2(シリコン酸化物)のエッチング選択比が確保できるエッチング条件で被加工膜2aをエッチング加工する。このとき、領域R1においては、ハードマスク5b、ハードマスク4a、及びハードマスク3aをマスクとして被加工膜2aをエッチング加工し、ホールパターン2a1を形成する。領域R2においては、ハードマスク4a及びハードマスク3aをマスクとして被加工膜2aをエッチング加工し、ホールパターン2a2を形成する。
これによって、寸法の異なるパターン(ホールパターン2a1及びホールパターン2a2)を一括して被加工膜2aに形成できる。例えば、被加工膜2aに対して、領域R1には25nmのホールパターン2a1、領域R2には200nmのホールパターン2a2を形成することができる。
以上のように、実施形態では、自己組織化リソグラフィー技術を用いたパターン形成を行いながら物理ガイドの一部をそのままパターン形成に用いる。これにより、寸法の異なるパターンの形成に必要な工程数を低減できる。すなわち、自己組織化リソグラフィー技術を用いて効率的にパターンを形成できる。
また、実施形態では、領域R1にハードマスク5aを選択的に形成し、自己組織化リソグラフィー技術で現像した領域R1のホールパターン11cをハードマスク5aに転写するとともに領域R2のダミーのホールパターン12cを下層に転写しない。これにより、ハードマスク5aをエッチングストッパーとしながら領域R1のホールパターン5b1と領域R2のホールパターン6a2(物理ガイド)とを下層膜に一括して転写でき、寸法の異なるパターンの形成に必要な工程数を低減できる。
なお、領域R2にダミーのホールパターン12cを形成して下層に転写しないようにする代わりに、領域R2のホールパターン6a2(物理ガイド)をレジストパターンで覆うことで自己組織化リソグラフィー技術によるホールパターンが領域R1で選択的に下層に転写されるようにしてもよい。
具体的には、図6〜図10に示すように、以下の点で実施形態と異なる処理が行われる。図6(a)〜図6(c)、図7(a)〜図7(c)、図8(a)〜図8(c)、図9(a)〜図9(c)、図10(a)〜図10(b)は、それぞれ、実施形態の変形例にかかるパターン形成方法を示す工程断面図である。
図6(a)に示す工程では、基板1上に、被加工膜2、ハードマスク3、ハードマスク4、ハードマスク6、反射防止膜7が順に堆積され、その後、図2(a)と同様のレジストパターンRP2が形成される。
図6(b)に示す工程では、図2(b)に示す工程と同様に、レジストパターンRP2におけるホールパターンRP2a,RP2bを反射防止膜7a及びハードマスク6aに転写する。形成された凹凸パターン(ホールパターン7a1,6a1、ホールパターン7a2,6a2)は、この後の工程の自己組織化パターンの物理ガイドとなる。
図6(c)に示す工程では、領域R2の物理ガイド(ホールパターン7a2,6a2)を選択的に覆うレジストパターンRP3を形成する。
図7(a)に示す工程では、図6(c)までの工程で得られた積層体SLBa上にALD法等によって側壁スペーサー膜8を成膜する。側壁スペーサー膜8は、例えば、シリコン酸化物を主成分とする材料で成膜される。側壁スペーサー膜8は、領域R1のホールパターン7a1,6a1の内側面を覆うとともにホールパターン7a1,6a1の底面(ホールパターン7a1,6a1により露出されたハードマスク4の表面の一部)を覆うように形成される。
図7(b)に示す工程では、領域R1の物理ガイド(ホールパターン7a1,6a1)内に自己組織化材料を埋め込む。このとき、領域R2の物理ガイド(ホールパターン7a2,6a2)は、レジストパターンRP3で覆われているため、自己組織化材料が埋め込まれない。すなわち、ホールパターン7a1,6a1内にはブロックポリマー膜11が埋め込まれ、ホールパターン7a2,6a2内にはブロックポリマー膜が埋め込まれない。また、側壁スペーサー膜8上にブロックコポリマーの薄膜22が形成される。
図7(c)に示す工程では、図7(b)までの工程で得られた積層体SLBbを加熱装置で加熱して、ブロックポリマー膜11をミクロ相分離させる。積層体SLBbをホットプレート上において240℃で3分間加熱すると、ブロックポリマー膜11をミクロ相分離させることができる。すなわち、ホールパターン7a1,6a1の内側面側には、PSを含む第1ポリマー部11aが形成(偏析)され、ホールパターン7a1,6a1の中心側には、PMMAを含む第2ポリマー部11bが形成される。
図8(a)に示す工程では、ホールパターン7a1,6a1内にホールパターン11cを現像する。例えば、RIE法等により、ホールパターン7a1,6a1内において、第1ポリマー部11aを残存させ第2ポリマー部11bを選択的に除去することでホールパターン11cを形成する。このとき、側壁スペーサー膜8上に第2ポリマー部に相当する薄膜22aが残る。
図8(b)に示す工程では、RIE法等により、領域R2に残っているブロックコポリマーの薄膜22aを除去する。領域R2では、側壁スペーサー膜8が露出される。
図8(c)に示す工程では、領域R1におけるホールパターン11cを側壁スペーサー膜8aに転写してホールパターン8a1を形成する。
例えば、領域R1では、残存させた第1ポリマー部11aをマスクにして、RIE法等により側壁スペーサー膜8aをエッチング加工する。ホールパターン11cにより露出された側壁スペーサー膜8aの表面の一部が選択的に除去され、側壁スペーサー膜8aにホールパターン11cが転写されて、ホールパターン8a1が形成される。ホールパターン8a1によりハードマスク4の表面の一部が露出されている。領域R2では、物理ガイド(ホールパターン7a2,6a2)がレジストパターンRP3で覆われている。
図9(a)に示す工程では、領域R1のホールパターン7a1,6a1内から第1ポリマー部11aを除去するとともに、領域R2のレジストパターンRP3を除去する。
図9(b)に示す工程では、領域R1においてホールパターン8a1をハードマスク4aに転写してホールパターン4a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン7a2,6a2をハードマスク4aに転写してホールパターン4a2を形成する。
図9(c)に示す工程では、RIE法等により、側壁スペーサー膜8a及び反射防止膜7aを除去する。
図10(a)に示す工程では、領域R1においてホールパターン4a1をハードマスク3aに転写してホールパターン3a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン4a2をハードマスク3aに転写してホールパターン3a2を形成する。そして、領域R1においてホールパターン3a1を被加工膜2aに転写してホールパターン2a1を形成するとともに、領域R2においてホールパターン3a2を被加工膜2aに転写してホールパターン2a2を形成する。
図10(b)に示す工程では、RIE法等により、ハードマスク4a及びハードマスク3aを除去する。
このような方法によっても、自己組織化リソグラフィー技術を用いたパターン形成を行いながら物理ガイドの一部をそのままパターン形成に用いる。これにより、寸法の異なるパターンの形成に必要な工程数を低減できる。すなわち、自己組織化リソグラフィー技術を用いて効率的にパターンを形成できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 基板、2a1,2a2,3a1,3a2,4a1,4a2,5b1,6a1,6a2,7a1,7a2,8a1,11c,12c ホールパターン。
Claims (5)
- 光リソグラフィー技術を用いて、第1の領域において第1の膜に第1のパターンを形成し、第2の領域において前記第1の膜に第2のパターンを形成することと、
自己組織化リソグラフィー技術を用いて、前記第1の領域において前記第1の膜の下方の第2の膜に前記第1のパターンに対応した第3のパターンを形成することと、
前記第1の領域において前記第3のパターンを前記第1の膜及び前記第2の膜の下方の第3の膜に転写し、前記第2の領域において前記第2のパターンを前記第3の膜に転写することと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記第3のパターンの転写と前記第2のパターンの転写は、前記第3のパターン及び前記第2のパターンをマスクとしたエッチングにより一括して行われる
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記第3のパターンの形成は、
前記第1のパターン内及び前記第2のパターン内に自己組織化材料を埋め込んでミクロ相分離させることと、
前記第1のパターン内に第4のパターンを現像するとともに前記第2のパターン内にダミーのパターンを現像することと、
前記第4のパターンを前記第2の膜に転写して前記第3のパターンを形成するとともに前記ダミーのパターンを転写しないことと、
を含む
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。 - 前記第3のパターンの形成は、
前記第2のパターンを選択的に覆うレジストパターンを形成することと、
前記第1のパターン内に自己組織化材料を埋め込んでミクロ相分離させることと、
前記第1のパターン内に第4のパターンを現像することと、
前記第4のパターンを前記第2の膜に転写して前記第3のパターンを形成することと、
前記レジストパターンを除去することと、
を含む
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。 - 前記第1のパターンの最大幅は、前記第2のパターンの最大幅より小さく、
前記第3のパターンの最大幅は、前記第1のパターンの最大幅より小さい
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
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