JP2018148115A - 基板処理システム及び基板処理システムの搬入制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理のスループットを向上できる基板処理システムを提供する。【解決手段】一方向搬送型処理装置３０は、インデクサ部から順次、投入される複数の基板を一方向に搬送しつつ各基板を洗浄する洗浄部を含む。可変搬送型処理装置４０は、洗浄部で洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う。搬送制御部は、停止条件が満足されたときにインデクサ部に対して一方向搬送型処理装置３０への基板の投入を停止させる停止制御信号を発信する。停止条件は、処理装置３０内に存在する基板の枚数Ｍ1と、可変搬送型処理装置４０内に存在する基板の枚数Ｍ2との和Ｍ＝（Ｍ1＋Ｍ2）が、処理装置３０内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ1と、可変搬送型処理装置４０内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ2と、和Ｎ＝（Ｎ1＋Ｎ2）以上になる（Ｍ≧Ｎ）という条件である。【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理システム及び基板処理システムの搬入制御方法に関し、特にインデクサ部からの基板の投入を停止する技術に関する。

複数の処理装置を有するコータ／デベロッパ装置が知られている。例えば、特許文献１に記載のコータ／デベロッパ装置では、インデクサ部に載置されたカセットから取り出された複数の基板が順次、洗浄装置に投入され、その後、脱水ベーク装置、レジスト塗布装置、プリベーク装置、露光装置、現像装置、及び、ポストベーク装置を順番に経由して、再びカセットに収容される。

このコータ／デベロッパ装置には、所定時間を超えた基板の持続的な保持（待機）が許容された基板待機可能部と、当該待機が許容されない基板待機禁止部とが混在する。例えば脱水ベーク装置は、加熱部、冷却部、搬入側待機部および搬出側待機部を備えている。加熱部は洗浄装置によって洗浄処理が行われた基板に対して加熱処理を行う。この加熱により実質的な脱水ベーク処理が行われる。加熱部は、加熱処理後にその位置で待機することが禁止された基板待機禁止部である。冷却部は加熱処理が行われた基板に対して冷却処理を行う。冷却部は基板待機可能部である。冷却処理が行われた基板はレジスト塗布装置へと搬送される。

上述の脱水ベーク装置において、基板待機禁止部である加熱部において、加熱処理時間以上に基板を処理、すなわち待機させないように基板の搬送制御が行われる。例えば、脱水ベーク装置より下流において搬送トラブルが生じ、脱水ベーク装置より下流に基板を搬出できない場合であっても、上記搬送制御を実現するために搬入側待機部または搬出側待機部に臨時的に基板を待機させる搬送制御が行われる。

また、脱水ベーク装置内における上述の搬送制御が実行できないと判断された場合は、インデクサ部から洗浄装置への基板の投入（搬入）を停止させていた。

特開２０１５−１５６４２６号公報

ここで、インデクサ部から通常の周期（タクト）よりも遅い時間間隔で洗浄装置に基板が投入される場合がある。この場合においても、脱水ベーク装置内での搬送制御を実行するために、インデクサ部から洗浄装置への基板の搬入を停止させていた。この結果、洗浄装置や脱水ベーク装置を含む基板処理システムの全体としての処理効率（スループット）が低下するという問題が発生する。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板処理のスループットを向上できる基板処理システムおよびその搬入制御方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、基板処理システムの第１の態様は、基板に対して処理を行う基板処理システムであって、インデクサ部から順次、投入される複数の基板を一方向に搬送しつつ各基板を洗浄する洗浄部を有する一方向搬送型処理装置と、少なくとも１つの基板待機可能部が設けられており、前記洗浄部で洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う可変搬送型処理装置と、前記基板の搬送を制御する搬送制御部と、を備え、前記搬送制御部は、停止条件が満足されたときに前記インデクサ部に対して前記一方向搬送型処理装置への基板の投入を停止させる停止制御信号を発信する信号発信手段を有しており、前記停止条件は、前記一方向搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ1と、前記可変搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ2と、の和Ｍ＝（Ｍ1＋Ｍ2）が、前記一方向搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ1と、前記可変搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ2と、和Ｎ＝（Ｎ1＋Ｎ2）以上になる（Ｍ≧Ｎ）という条件である。

基板処理システムの第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理システムであって、前記可変搬送型処理装置が、前記洗浄部にて洗浄処理された基板を１枚ずつ加熱処理する複数の加熱ユニットを有する加熱部と、前記加熱部により加熱された基板を１枚ずつ冷却する複数の冷却ユニットを有する冷却部と、基板を一時的に待機させる待機部と、前記加熱部、前記冷却部及び前記待機部に対して基板を搬送し、基板の搬送経路が可変である基板搬送部と、を備え、前記冷却部及び前記待機部が前記少なくとも１つの基板待機可能部となっており、前記停止条件における数Ｍ1，Ｍ2，Ｎ1，Ｎ2は、Ｍ1＝Ｍs、Ｍ2＝（Ｍt＋Ｍh＋Ｍc＋Ｍw）、Ｎ1＝Ｎs、Ｎ2＝（Ｎw＋Ｎc）で与えられる。ここで、Ｍsは、前記洗浄部で洗浄処理を受けている基板の枚数、Ｍtは、前記基板搬送部が搬送している基板の枚数、Ｍhは、前記加熱部において加熱処理を受けている基板の枚数、Ｍcは、前記冷却部において冷却処理を受けている基板の枚数、Ｍwは、前記待機部に待機している基板の枚数、Ｎsは、前記洗浄部内に待機させることができる基板の枚数、Ｎwは、前記待機部内に待機させることができる基板の枚数、Ｎcは、前記冷却ユニットの数、である。

基板処理システムの第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理システムであって、前記信号発信手段は、再開条件が満足されたときに、前記一方向搬送型処理装置への基板の投入を再開させる再開制御信号を発信し、前記再開条件は、和Ｍa＝（Ｍs＋Ｍh＋Ｍc＋Ｍw）が、和Ｎa＝（Ｎs＋Ｎc＋Ｎw）未満となる（Ｍa＜Ｎa）ことである。

基板処理システムの第４の態様は、第２または第３の態様にかかる基板処理システムであって、前記待機部は、前記洗浄部にて洗浄処理されて前記加熱部に搬送される前の基板を一時的に待機させる加熱前待機部を含み、前記基板搬送部は、前記停止条件が満足されたときに、基板を前記加熱部に搬送する前に前記加熱前待機部へ搬送する。

基板処理システムの第５の態様は、第３の態様にかかる基板処理システムであって、前記待機部は、前記洗浄部にて洗浄処理されて前記加熱部に搬送される前の基板を一時的に待機させる加熱前待機部と、前記冷却部により冷却された基板を一時的に待機させる冷却後待機部とを含み、前記基板搬送部は、前記加熱前待機部に基板が待機していない場合には、前記停止条件が満足されたときに、基板を前記加熱前待機部へ搬送し、前記加熱前待機部に基板が待機している場合には、前記再開条件が満足されたときに、前記加熱前待機部に待機している基板の前記加熱部への搬送を開始し、前記加熱前待機部から基板を搬送している場合には、前記停止条件が満足されたとしても、前記冷却後待機部に基板の空きがあるときには、前記加熱前待機部へと基板を搬送しない。

基板処理システムの搬送制御方法の第６の態様は、インデクサ部から順次、投入される複数の基板を一方向に搬送しつつ各基板を洗浄する洗浄部を有する一方向搬送型処理装置と、少なくとも１つの基板待機可能部が設けられており、前記洗浄部で洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う可変搬送型処理装置と、を備える基板処理システムにおける搬入制御方法であって、停止条件が満足されたか否かを判断する第１工程と、前記停止条件が満足されたと判断したときに、前記インデクサ部に対して前記一方向搬送型処理装置への基板の搬入の投入を停止させる停止制御信号を発信し、前記停止条件は、前記一方向搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ1と、前記可変搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ2と、の和Ｍ＝（Ｍ1＋Ｍ2）が、前記一方向搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ1と、前記可変搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ2と、の和Ｎ＝（Ｎ1＋Ｎ2）以上になる（Ｍ≧Ｎ）という条件である。

第１から第６の態様によれば、停止条件には、可変搬送型処理装置内の待機容量（待機可能な基板の枚数）だけでなく、その上流の一方向搬送型処理装置内の待機容量も考慮されている。この停止条件によれば、インデクサ部からの基板投入の停止時点で基板処理システム内に存在する基板の全てを、基板処理システム内の待機可能場所で待機させることが可能である。しかもその全ての待機可能場所で基板が待機することになる。よって基板処理システム全体としての待機容量を有効に利用できるため、インデクサ部からの基板の投入の停止頻度が少なくなり、基板処理のスループットを向上できる。

第３の態様によれば、可変搬送型処理装置内の基板が下流側に搬送されることにより、再開条件が成立し、インデクサ部からの基板の投入が再開される。よって、早いタイミングで基板の投入を再開でき、基板処理のスループットを向上できる。

第４の態様によれば、加熱前待機部への搬入条件として停止条件を採用する。よって、この搬入条件として停止条件とは異なる条件を採用する場合に比べて、判断の処理数を低減することができる。

第５の態様によれば、可変搬送型処理装置から下流側への基板の搬送が再開されて、再開条件が成立すると、インデクサ部からの基板の投入が開始され、また加熱前待機部からの加熱部への基板の搬送が開始される。このとき、インデクサ部からの基板の投入によって、再び停止条件が成立することがある。しかしながら、第５の態様では、加熱前待機部からの基板を搬送している状態では、停止条件が満足されたとしても、冷却後待機部に基板の空きがあるときには、加熱前待機部へと基板を搬送しない。加熱前待機部への不要な搬送を回避することができ、基板処理のスループットを向上できる。

基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。 制御部の構成の一例を概略的に示す図である。 基板処理システムの一部の構成の一例を概略的に示す図である。 洗浄装置の構成の一例を概略的に示す図である。 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 比較例にかかる処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 処理装置及びベーク装置の一例を模式的に示す図である。 制御部の動作の一例を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜基板処理システムの全体構成・全体動作＞
図１は、基板処理システム１の構成の一例を概略的に示す図である。なお図１及び以降の各図では、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

図１の例では、基板処理システム１はコータ／デベロッパ装置であり、主として、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、レジスト塗布装置１４、プリベーク装置１５、露光装置１６、現像装置１７及びポストベーク装置１８の各処理装置と、上記した装置群への基板の出入を行うインデクサ部１１と、を備えている。

インデクサ部１１から露光装置１６までの行きラインには、洗浄装置１２、脱水ベーク装置１３、レジスト塗布装置１４及びプリベーク装置１５等がこの順で配置される。露光装置１６からインデクサ部１１までの帰りラインには、現像装置１７及びポストベーク装置１８等がこの順で配置される。

インデクサ部１１には複数の基板を収納する複数のカセットが載置される。インデクサ部１１には、基板搬送手段としてのインデクサロボットが配置されている。インデクサロボットはカセットから基板を取り出し、この基板を洗浄装置１２へと搬送（投入）する。洗浄装置１２においては、基板に洗浄処理が行われる。洗浄処理が行われた基板は、脱水ベーク装置１３に搬送される。脱水ベーク装置１３においては、加熱により脱水処理（脱水ベーク処理）が行われる。脱水ベーク処理が行われた基板は、レジスト塗布装置１４に搬送され、レジスト塗布処理が行われる。レジスト塗布処理が行われた基板は、プリベーク装置１５に搬送され、加熱処理が行われる。加熱処理が行われた基板は、露光装置１６に搬送され、露光処理が行われる。基板は、例えば液晶表示装置に用いられる矩形状のガラス基板である。

これらの処理が行われた基板は、現像装置１７に搬送され、現像処理が行われる。現像処理が行われた基板は、ポストベーク装置１８に搬送され、加熱処理が行われる。その後、該基板は、インデクサロボットによってインデクサ部１１に載置される元のカセットに収容される。これらの一連の処理により、基板の表面にはレジストのパターンが形成される。

また、基板処理システム１は、各処理装置での処理及び基板の搬送を制御する制御部６０を有する。図２は、制御部６０の構成の一例を概略的に示す機能ブロック図である。

制御部６０は制御回路であって、図２に示されるように、例えば、ＣＰＵ(Central Processing Unit)６１、ＲＯＭ(Read Only Memory)６２、ＲＡＭ(Random Access Memory)６３及び記憶装置６４等が、バスライン６５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成される。ＲＯＭ６２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ６３はＣＰＵ６１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置６４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成される。

また、制御部６０では、入力部６６、表示部６７、通信部６８もバスライン６５に接続されている。入力部６６は、各種スイッチ、あるいは、タッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の各種の入力設定指示を受ける。表示部６７は、液晶表示装置及びランプ等により構成されており、ＣＰＵ６１による制御のもと各種の情報を表示する。通信部６８は、ＬＡＮ(Local Area Network)等を介したデータ通信機能を有する。

また、制御部６０には、各ロボット（インデクサロボット等の搬送ロボットなど）及び上述の各処理装置が制御対象として接続されている。つまり制御部９は基板の搬送を制御する搬送制御部として機能できる。また制御部６０は、インデクサ部１１から洗浄装置１２への基板の投入を開始させたり、あるいは、当該投入を停止させたりするための制御信号を、インデクサ部１１へと発信する信号発信手段として機能することができる。

制御部６０の記憶装置６４には、基板処理システム１を構成する各装置の搬送制御についての複数のモードが予め設定されている（設定工程）。制御部６０のＣＰＵ６１が処理プログラムＰを実行することによって、上記複数のモードのうちの１つのモードが選択され、該モードによって基板の搬送動作が制御される（実行工程）。また、処理プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部６０（コンピュータ）に処理プログラムＰをインストールすることができる。また制御部６０が実行する機能の一部または全部は必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。

図３は、上記の基板処理システム１の一部の構成の一例を概略的に示す斜視図である。図３の例においては、ベーク装置４０と、これよりも上流側に配置される処理装置３０とが示されている。このベーク装置４０は上述した脱水ベーク装置１３、プリベーク装置１５及びポストベーク装置１８のいずれかである。図３の例においては、模式的に４つの処理装置３０が示されているものの、ベーク装置４０を脱水ベーク装置１３、プリベーク装置１５及びポストベーク装置１８のいずれとみなすかによって、処理装置３０の数は変更され得る。例えばベーク装置４０が脱水ベーク装置１３である場合には、処理装置３０は一つ設けられており、その処理装置３０は洗浄装置１２である。

＜処理装置３０＞
処理装置３０の例として洗浄装置１２を説明する。洗浄装置１２は、インデクサ部１１から順次、投入される複数の基板Ｗを一方向に搬送しつつ各基板Ｗを洗浄する洗浄装置である（以下、一方向搬送型処理装置と称す）。この一方向搬送型処理装置では、基板の搬送方向に沿って互いに平行に配列された複数のローラ（コロ）を用いて基板を搬送するローラ搬送方式（コロ搬送方式、コンベア搬送方式）が採用されている。

図４は、処理装置３０たる洗浄装置１２の構成の一例を概略的に示す図である。洗浄装置１２は基板導入部３１、処理装置本体３２及び基板導出部３３を有しており、これらは上流から下流に向かってこの順で直列に配置されている一方向搬送型処理装置である。基板導入部３１は、上流の装置（インデクサ部１１）から投入された基板Ｗを受け入れる。処理装置本体３２は、基板導入部３１から搬送される基板Ｗに対して各種の洗浄処理を行い、処理後の基板Ｗを基板導出部３３へと搬送する。この基板Ｗは基板導出部３３（図３のＩＰ）からベーク装置４０へと搬送される。

基板導入部３１は複数のローラ３１１を有している。複数のローラ３１１は略円柱状の形状を有しており、その中心軸が基板Ｗの搬送方向Ｄ１に垂直かつ水平となる姿勢で設けられる。複数のローラ３１１は搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んで設けられる。各ローラ３１１は自身の中心軸を回転軸として回転することができる。各ローラ３１１の中心軸における両端は、それぞれ支持板（不図示）に回転可能に固定される。この一対の支持板は搬送方向Ｄ１に沿って延びる板状部材であり、床面に設けられた所定の架台３１２に固定される。

複数のローラ３１１は駆動部（不図示）によって駆動されて、予め定められた同じ方向に略等しい回転速度で回転（同期回転）する。駆動部はモータを有しており、制御部６０によって制御される。複数のローラ３１１の上に基板Ｗが載置された状態で、複数のローラ３１１が同じ方向に同期回転することにより、基板Ｗはローラ３１１の上を搬送方向Ｄ１に沿って移動する。

処理装置本体３２は薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６を有している。薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６は上流から下流へ向かってこの順で直列に設けられている。また処理装置本体３２は複数のローラ３２１も有している。複数のローラ３２１はローラ３１１と同様の形状を有しており、ローラ３１１と同様の姿勢で配置される。複数のローラ３２１は搬送方向Ｄ１に沿って間隔を空けて並んでいる。また複数のローラ３２１は薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６に亘って設けられている。複数のローラ３２１が駆動部（不図示）によって駆動されて同期回転する。これにより、基板Ｗを搬送方向Ｄ１に搬送して、薬液部３４、水洗部３５及び水切り部３６をこの順で通過させることができる。

薬液部３４は、ローラ３２１上の基板Ｗへと薬液を供給して基板Ｗを洗浄する装置である。薬液部３４は、薬液を吐出する複数のノズル３４１と、薬液を貯留する薬液槽３４２と、薬液槽３４２およびノズル３４１を繋ぐ供給管３４３と、供給管３４３を経由して薬液をノズル３４１へ供給するポンプ３４４とを備えている。ノズル３４１は鉛直方向において基板Ｗの両側に設けられており、基板Ｗの両面へと薬液を供給する。薬液部３４は、基板Ｗをブラッシングするためのブラシ（不図示）などを有していてもよい。薬液を基板Ｗに供給しながらブラッシングを行うことにより、洗浄効果を高めることができる。基板Ｗに供給された薬液は主として基板Ｗの周縁から落ちて、フィルタ（不図示）を介して薬液槽３４２へと回収される。

水洗部３５は、基板Ｗに対して洗浄水を供給することで基板Ｗに残留した薬液を洗い流す装置である。水洗部３５は洗浄水を貯留する第１水槽３５５及び第２水槽３５６を有している。また水洗部３５は上流から下流に向かってこの順で配置される低圧水供給部３５１、高圧水供給部３５２、超音波洗浄水供給部３５３及び純水供給部３５４を有している。各部３５１〜３５４は薬液部３４と同様に、基板Ｗに液を吐出するノズルと、当該ノズルに連結された供給管と、当該供給管を経由して当該ノズルに液を供給するポンプとを備えている。低圧水供給部３５１のポンプは低圧ポンプであって、低い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、低圧水供給部３５１は低圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。高圧水供給部３５２のポンプは高圧ポンプであって、高い圧力で第１水槽３５５から洗浄水を汲み上げてノズルに供給する。これにより、高圧水供給部３５２は高圧で洗浄水を基板Ｗに供給できる。低圧水供給部３５１及び高圧水供給部３５２によって供給された洗浄水は主として基板Ｗの周縁から落ちて第１水槽３５５へと回収される。

超音波洗浄水供給部３５３のノズルには、第２水槽３５６からの洗浄水に超音波振動を付与する超音波振動子が設けられている。超音波洗浄水供給部３５３は、振動状態の洗浄水を基板Ｗへと供給する。超音波洗浄水供給部３５３によって供給された洗浄水は主として第２水槽３５６へ回収される。純水供給部３５４のノズルからは、純水が基板Ｗに向かって供給される。この純水は主として第２水槽３５６へ回収される。

水切り部３６は基板Ｗへと高圧の気流を流すことで基板Ｗから水を吹き飛ばす装置である。水切り部３６は、基板Ｗに気体を噴射する噴射部３６１と、気体を収容する気体収容部３６２と、噴射部３６１および気体収容部３６２を連結する管路３６３とを有している。気体収容部３６２は工場設備（ユーティリティ）として設けられた高圧ボンベである。

以上のように、処理装置本体３２において基板Ｗは搬送方向Ｄ１に沿って搬送されて、各位置において各種の処理が行われる。処理装置本体３２によって全ての処理が行われた基板Ｗは基板導出部３３へと搬送される。基板導出部３３は基板導入部３１と同様の構成を有している。よってその詳細な構成の説明は省略する。処理装置３０によって処理された基板Ｗはベーク装置４０へと搬送される。

＜ベーク装置４０＞
ベーク装置４０の例として脱水ベーク装置１３を説明する。ベーク装置４０である脱水ベーク装置１３は、直前の洗浄装置１２により洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う。具体的には、図３を参照して、ベーク装置４０は、直前の処理装置３０からベーク装置４０の内部に搬入される基板を保持する搬入部ＩＰと、基板に加熱処理を行う加熱部ＨＰと、基板に冷却処理を行う冷却部ＣＰと、基板をベーク装置４０の内部から下流側の処理装置へ搬送する基板を保持する搬出部ＯＰと、を有する。

また、ベーク装置４０は、搬送トラブル等により搬出部ＯＰから下流側へと基板を搬出できない状況が生じた場合に臨時に使用される部分として、搬入部ＩＰから搬入されて加熱部ＨＰによる加熱処理が行われる前の基板を一時的に待機させる加熱前待機部ＩＮＢＦと、冷却部ＣＰによる冷却処理が行われた基板を一時的に待機させる冷却後待機部ＯＵＴＢＦと、をさらに有する。これらの加熱前待機部ＩＮＢＦ及び冷却後待機部ＯＵＴＢＦは基板が基板処理システム１内で正常に搬送されて流れているときには、通常は使用されない。

また、ベーク装置４０は搬送ロボット（基板搬送部）ＴＲを有する。搬送ロボットＴＲはベーク装置４０内の上記各部から基板を取出すこと及び上記各部に基板を渡すことが可能である。これにより、搬送ロボットＴＲは上記各部の相互間で基板を搬送できる。例えば搬送ロボットＴＲは搬入部ＩＰから基板を取り出して、加熱部ＨＰに基板を渡すことにより、基板を搬入部ＩＰから加熱部ＨＰへと搬送することができる。

搬入部ＩＰはベーク装置４０の上流側と搬送ロボットＴＲ側との両方に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。なおベーク装置４０の直前の処理装置３０の基板導出部３３が搬入部ＩＰとして機能しても構わない。

搬入部ＩＰの上には、加熱部ＨＰが設けられている。加熱部ＨＰは複数（図では３つ）の加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３を有している。加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３は下からその順に積層される。加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３はそれぞれ、搬送ロボットＴＲ側に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。また、加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３はそれぞれ、その内部に加熱手段を有し、その内部に保持する基板に加熱処理して基板の表面に付着した水分を蒸発させて脱水処理を行うことができる。加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３では、基板への加熱処理が完了した後は該基板の持続的保持（つまり待機）が禁止される。なお、加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３において、脱水処理に加え、加熱される基板にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気を供給する密着強化処理を実行してもよい。この密着強化処理により、後工程であるレジスト塗布装置１４により基板上に形成されたフォトレジスト液による塗布膜と基板表面との密着力が向上する。

上述の加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３における基板の持続的保持（つまり待機）の禁止動作は制御部６０によって実現される。つまり、制御部６０は各加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３において加熱処理が完了したときに、その完了時点から所定時間内に、搬送ロボットＴＲに各加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３から基板を取り出させる。これにより、各加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３における基板の持続的保持（所定時間を超える保持）が実質的に禁止される。したがって、必要以上の長期間に亘って基板に熱が加えられることを回避できる。

加熱部ＨＰの上には、加熱前待機部ＩＮＢＦが設けられている。加熱前待機部ＩＮＢＦは複数（図では３つ）の加熱前待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３（以下、単に待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３とも呼ぶ）を有している。これらの待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３は下からその順に積層される。待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３はそれぞれ、搬送ロボットＴＲ側に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３では、基板の持続的保持（待機）が許容される。

搬出部ＯＰは、ベーク装置４０の下流側と搬送ロボットＴＲ側との両方に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。

搬出部ＯＰの上には、冷却部ＣＰが設けられている。冷却部ＣＰは複数（図では３つ）の冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３を有している。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は下からその順に積層される。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３はそれぞれ、搬送ロボットＴＲ側に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。また、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３はそれぞれ、その内部に冷却手段を有し、その内部に保持する基板に冷却処理を行うことができる。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は加熱部ＨＰにより加熱された基板を１枚ずつ冷却する。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３では、基板への冷却処理の完了後も該基板（処理済み基板）の持続的保持（待機）が許容される。

冷却部ＣＰの上には、冷却後待機部ＯＵＴＢＦが設けられる。冷却後待機部ＯＵＴＢＦは複数（図では６つ）の冷却後待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６（以下、単に待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６とも呼ぶ）を有している。これらの待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６は下からその順に積層される。待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６はそれぞれ、搬送ロボットＴＲ側に基板受渡しのための開口部を有し、その内部に１枚の基板を保持可能な基板保持部である。待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６では、基板の持続的保持（待機）が許容される。

搬送ロボットＴＲは、ベーク装置４０内の上記各部に対して移動可能であり、上記各部から基板を取出すこと及び上記各部に基板を渡すことが可能な搬送機構である。搬送ロボットＴＲは、それぞれ独立して駆動可能な２つの基板保持ハンド（基板保持機構）を有する。このため、搬送ロボットＴＲが一方の基板保持ハンドに基板を保持し他方の基板保持ハンドが空の状態で基板保持部（例えば、加熱ユニットＨＰ１）にアクセスした場合、上記他方の基板保持ハンドで該基板保持部から基板を取出した後、上記一方の基板保持ハンドで該基板保持部に基板を搬送することで、基板保持部と搬送ロボットＴＲとの間で基板の受渡し動作（交換動作）を行うことができる。

搬送ロボットＴＲは搬入部ＩＰから基板を取り出して加熱部ＨＰへと搬送したり、あるいは、搬入部ＩＰから基板を取り出して加熱前待機部ＩＮＢＦへと搬送したりすることができる。また搬送ロボットＴＲは冷却部ＣＰから冷却処理済みの基板を取り出して搬出部ＯＰへと搬送したり、あるいは、冷却部ＣＰから冷却処理済みの基板を取り出して冷却後待機部ＯＵＴＢＦへと搬送したりすることができる。つまり、ベーク装置４０は、その内部において可変の搬送経路で基板を搬送することができる可変搬送型処理装置である。

＜ベーク装置４０の通常動作＞
ベーク装置４０の搬入部ＩＰに基板が搬入されると、搬送ロボットＴＲは搬入部ＩＰから基板を取り出し、この基板を加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３のうち空いている加熱ユニット、例えば加熱ユニットＨＰ１へと搬送する。加熱ユニットＨＰ１は当該基板に対して加熱処理を行う。この加熱ユニットＨＰ１による加熱処理中にも搬入部ＩＰに基板が搬入され得る。このとき搬送ロボットＴＲは搬入部ＩＰから基板を取り出して、空いている加熱ユニット、例えば加熱ユニットＨＰ２へと基板を搬送する。加熱ユニットＨＰ２は当該基板に対して加熱処理を行う。加熱部ＨＰは３つの加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３を有しているので、３枚の基板に対して並行して加熱処理を行うことができる。この加熱処理により、例えば基板に残留した純水を蒸発させることができる。

加熱ユニットＨＰ１において加熱処理が完了したときには、搬送ロボットＴＲが加熱ユニットＨＰ１から加熱処理済みの基板を取り出し、この基板を冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のうち空いているユニット、例えば冷却ユニットＣＰ１へと搬送する。冷却ユニットＣＰ１はこの基板に対して冷却処理を行う。冷却ユニットＣＰ１の冷却処理中に加熱ユニットＨＰ２による加熱処理が完了したときには、搬送ロボットＴＲは加熱ユニットＨＰ２から加熱処理済みの基板を取り出し、この基板を、空いている冷却ユニット、例えば冷却ユニットＣＰ２へと搬送する。冷却ユニットＣＰ２はこの基板に対して冷却処理を行う。冷却部ＣＰは３つの冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３を有しているので、３枚の基板に対して並行して冷却処理を行うことができる。なおここでいう冷却処理は自然冷却を含む。自然冷却とは、加熱された基板に対して動力（電力）を用いた冷却を行わずに、当該基板を放置して冷却することである。

＜待機禁止部及び待機可能部＞
ベーク装置４０及びその上流側の処理装置３０には、基板待機禁止部（待機禁止部）が存在する。待機禁止部とは、基板への処理が完了した後の所定時間を超える持続的保持（待機）が禁止された場所である。待機禁止部としては、加熱部ＨＰの他、処理装置３０の処理装置本体３２も例示できる。また搬送ロボットＴＲも、持続的保持（待機）が禁止されていてもよい。ここでは、搬送ロボットＴＲは待機禁止部として説明する。

その一方で、処理装置３０及びベーク装置４０には、待機可能部（基板待機可能部）も存在する。待機可能部とは、所定時間を超える基板の持続的保持（待機）が許容される場所である。待機可能部としては、処理装置３０の基板導入部３１及び基板導出部３３と、冷却後待機部ＯＵＴＢＦと、加熱前待機部ＩＮＢＦと、冷却部ＣＰとが例示される。また待機可能部として搬入部ＩＰを採用してもよい。この場合には、搬入部ＩＰは加熱前待機部ＩＮＢＦの一種とみることができる。同様に待機可能部として搬出部ＯＰを採用してもよい。この場合、搬出部ＯＰは冷却後待機部ＯＵＴＢＦの一種とみることができる。

＜待機可能部の数＞
さて、ベーク装置４０よりも下流側の装置の搬送トラブル等によって搬出部ＯＰから下流側へと基板を搬出できない場合がある。この場合には、待機禁止部で処理が完了した基板は適宜に待機可能部へと移動させる必要がある。よって、少なくともそのトラブルの発生時点で処理装置３０及びベーク装置４０に存在する基板の全てを待機可能部で待機させることができる程度に、待機可能部の数が設定されているとよい。これによって、処理装置３０及びベーク装置４０内の全ての待機禁止部から待機可能部へと基板を搬送できるからである。

次に冷却後待機部ＯＵＴＢＦにおいて待機可能な基板の枚数（つまり冷却後待機ユニットの数）について考察する。この冷却後待機部ＯＵＴＢＦは主として、待機禁止部である加熱部ＨＰ内の基板を待機させるために設けられている。具体的には、搬送ロボットＴＲが冷却部ＣＰで冷却処理済みの基板を冷却後待機部ＯＵＴＢＦへと搬送して冷却部ＣＰに空きを生じさせることにより、加熱部ＨＰ内の基板を、この空いた冷却部ＣＰへと搬送することが可能となる。よって、冷却後待機部ＯＵＴＢＦで待機可能な基板の枚数は、加熱部ＨＰ内の基板の枚数の上限（つまり加熱ユニットの数）よりも多く設定される必要がある。より具体的な一例としては、冷却後待機部ＯＵＴＢＦにおいて待機可能な基板の枚数は、加熱部ＨＰ内の基板の枚数の上限に２を加算した値以上に設定される。これにより、トラブルの発生時点で加熱部ＨＰ内に存在する基板の全てを搬出し、これを待機可能部（冷却部ＣＰまたは冷却後待機部ＯＵＴＢＦ）で待機させることができる。

加熱前待機部ＩＮＢＦは主として、ベーク装置４０よりも上流側の処理装置３０で待機できなかった基板を待機させるために設けられている。よって処理装置３０で待機できない基板の枚数が多いほど、加熱前待機部ＩＮＢＦの数を多く設定するとよい。言い換えれば、加熱前待機部ＩＮＢＦの数は、処理装置３０内の待機禁止部の総数と待機可能部の総数との差が大きいほど大きく設定されてもよい。逆に、当該差が小さく、冷却後待機部ＯＵＴＢＦで足りるときには、加熱前待機部ＩＮＢＦは設けられなくてもよい。

＜搬送トラブル＞
ベーク装置４０よりも下流側の装置において搬送トラブル等が発生すると、搬出部ＯＰから基板が搬出されなくなる。以下では、この場合について述べる。

＜冷却後待機部への搬入条件＞
まず冷却後待機部ＯＵＴＢＦへの基板の搬入を許可する搬入条件について述べる。ここでは、搬出部ＯＰから所定時間を超えて基板が搬出されないという条件を当該搬入条件に採用する。つまり、ベーク装置４０よりも下流側の搬送トラブル等により搬出部ＯＰから基板が搬送されなくなると、冷却後待機部ＯＵＴＢＦへの搬入が許可される。

搬出部ＯＰに基板が存在するか否かの情報は例えばセンサによって取得されてもよい。当該センサとしては例えば光学式のセンサなどを用いることができる。センサの検出結果を示す電気信号は制御部６０へと出力される。経過時間は例えばタイマ回路によって計時され、その計時結果を示す電気信号が制御部６０へと出力される。制御部６０は、所定時間を超えて搬出部ＯＰに基板が存在し続けているか否かを、これらの信号に基づいて判断し、肯定的な判断がなされたときに、冷却後待機部ＯＵＴＢＦへの基板の搬入を許可する。以後、冷却部ＣＰにおいて冷却処理が完了した場合には、制御部６０は搬送ロボットＴＲを制御して、冷却部ＣＰから冷却後待機部ＯＵＴＢＦへとその基板を搬送させる。

＜インデクサ部から処理装置への基板の投入停止＞
搬出部ＯＰから下流側へ基板を搬出できない状況で、インデクサ部１１が洗浄装置１２（処理装置３０）へ順次に基板を投入し続けると、処理装置３０及びベーク装置４０で待機させることができない基板が溢れることになる。そこで本基板処理システム１は適切にインデクサ部１１からの基板の投入を制限する。

図５は、基板処理システム１の動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１にて、制御部６０は以下に示す停止条件が満足されているか否かを判断する。なお以下では、条件が満足されることを、条件が成立すると言い換えることがある。

Ｍ１＋Ｍ２≧Ｎ１＋Ｎ２ ・・・（１）
ここで、Ｍ１は処理装置３０内に存在している基板の枚数を示し、Ｍ２はベーク装置４０内に存在している基板の枚数を示し、Ｎ１は処理装置３０内で待機させることが可能な基板の枚数を示し、Ｎ２はベーク装置４０内で待機させることが可能な基板の枚数を示す。よって、式（１）の左辺の和Ｍ（＝Ｍ１＋Ｍ２）は、処理装置３０及びベーク装置４０の全体に存在する基板の総在荷枚数を示し、式（１）の右辺の和Ｎ（＝Ｎ１＋Ｎ２）は、処理装置３０及びベーク装置４０の全体で待機させることが可能な基板の総数（待機可能枚数）を示す。

基板処理システム１の通常動作において、基板が正常に搬送されていれば、この停止条件が成立することはない。

枚数Ｍ１，Ｍ２，Ｎ１，Ｎ２は具体的には以下の式で表される。

Ｍ１＝Ｍｓ ・・・（２）
Ｍ２＝Ｍｔ＋Ｍｈ＋Ｍｃ＋Ｍｗ ・・・（３）
Ｎ１＝Ｎｓ ・・・（４）
Ｎ２＝Ｎｗ＋Ｎｃ ・・・（５）
ここで、Ｍｓは処理装置３０で処理（例えば洗浄処理）を受けている基板の枚数を示し、Ｍｔは搬送ロボットＴＲが搬送している基板の枚数を示し、Ｍｈは加熱部ＨＰにおいて加熱処理を受けている基板の枚数を示し、Ｍｃは冷却部ＣＰにおいて冷却処理を受けている基板の枚数を示し、Ｍｗは加熱前待機部ＩＮＢＦ及び冷却後待機部ＯＵＴＢＦに待機している基板の枚数を示し、Ｎｓは処理装置３０内に待機させることが可能な基板の枚数を示し、Ｎｗは加熱前待機部ＩＮＢＦ及び冷却後待機部ＯＵＴＢＦの全体に待機させることが可能な基板の枚数を示し、Ｎｃは冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３の数（つまり冷却部ＣＰに待機させることが可能な基板の枚数）を示す。例えば、基板導出部３３（ＩＰ）において基板を待機させても洗浄等の処理には影響がないため、この基板導出部３３に待機させることが可能な基板の枚数をＮｓとする。また、このＮｓに基板導入部３１にて待機させることが可能な枚数も加えてもよい。さらに、基板導入部３１に待機させることが可能な枚数のみをＮｓとしてもよい。なお、処理装置本体３２においては基板を連続的に搬送させつつ洗浄処理等を行っているため、処理装置本体３２内にて基板を一時的に停止させ、待機させることは好ましくない。

制御部６０は停止条件が成立していないと判断したときには、ステップＳ１を再び実行する。停止条件が成立していると判断したときには、ステップＳ２にて、制御部６０は処理装置３０への基板の投入を停止する停止制御信号をインデクサ部１１へと送信する。インデクサ部１１はこの信号を受け取ると、処理装置３０（洗浄装置１２）への基板の投入を停止する。

＜搬送トラブル発生時のより具体的な動作の一例＞
図６〜図９は、搬出部ＯＰから基板を搬出できないときの処理装置３０及びベーク装置４０の一例を模式的に示している。図６〜図９においては、処理装置３０は５つの処理部３０ａ〜３０ｅを備えている。説明の簡単のために各処理部３０ａ〜３０ｅでは１枚の基板Ｗが保持または処理されると仮定する。例えば、処理部３０ａは図３および図４に示す洗浄装置１２の基板導入部３１であり、処理部３０ｂは薬液部３４であり、処理部３０ｃは水洗部３５であり、処理部３０ｄは水切り部３６であり、処理部３０ｅは基板導出部３３（搬入部ＩＰ）である。

処理装置本体３２は、基板導入部３１から搬送される基板Ｗに対して各種の洗浄処理を行い、処理後の基板Ｗを基板導出部３３へと搬送する。この基板Ｗは基板導出部３３（図３のＩＰ）からベーク装置４０へと搬送される。

処理部３０ａ〜３０ｅはこの順で上流から下流へと直列に配置されている。また、ここでは処理部３０ｂ〜３０ｄでは待機可能部が設けられておらず、処理部３０ａ，３０ｅでは待機可能部がそれぞれ一つ設けられていると仮定する。よって、処理装置３０内で待機させることが可能な基板Ｗの枚数Ｎ１は２枚である。また、簡単のために搬送ロボットＴＲ及び搬出部ＯＰの図示を省略している。図６〜図９の例示では、ベーク装置４０内で待機させることが可能な基板Ｗの枚数Ｎ２は１２枚（＝冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３，ＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ６の総数）である。よって和Ｍ（＝Ｍ１＋Ｍ２）は１４枚である。

図６は通常動作における状態の一例を示しており、図６の例では、処理部３０ａ〜３０ｅ、加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３及び冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３には、それぞれ１枚の基板Ｗが存在している。このとき、処理装置３０内の基板Ｗの枚数Ｍ１は５枚であり、ベーク装置４０内の基板Ｗの枚数Ｍ２は６枚である。よって和Ｎ（＝Ｎ１＋Ｎ２）は１１枚であり、停止条件は成立していない。

この状態でベーク装置４０よりも下流側で搬送トラブル等が発生して搬出部ＯＰから基板Ｗが搬出されなくなると、制御部６０は冷却後待機部ＯＵＴＢＦへの基板Ｗの搬入を許可する。よって、例えば冷却ユニットＣＰ１で冷却処理が完了すると、図７に示すように、冷却ユニットＣＰ１から基板Ｗが取り出されて、これが待機ユニットＯＵＴＢＦ１へと搬送される。

次に図８に示すように、加熱処理が完了した加熱ユニット、及び、処理が完了した各処理部３０ａ〜３０ｅから次の工程へとそれぞれ基板Ｗが搬送されつつ、インデクサ部１１から処理部３０ａへと新たな基板Ｗが投入される。このときベーク装置４０内に存在する基板Ｗの枚数Ｍ２は１つ増えて１１枚となる。一方、処理装置３０内に存在する基板Ｗの枚数Ｍ１は５枚のままである。和Ｍ（＝Ｍ１＋Ｍ２）は１２枚であり、未だ和Ｎ（＝Ｎ１＋Ｎ２＝１４枚）よりも少ない。よって停止条件は成立していない（ステップＳ１でＮＯ）。

次に、例えば冷却ユニットＣＰ２において冷却処理が完了すると、冷却ユニットＣＰ２から待機ユニットＯＵＴＢＦ２へ基板Ｗが搬送される。また各部で処理が完了すると、同様に各部から次工程へと適宜に基板Ｗが搬送され、インデクサ部１１から新たな基板Ｗの投入が行われる。以下、同様の動作が繰り返される。

このようにインデクサ部１１から新たな基板Ｗが搬入される度に、基板Ｗの枚数Ｍ２は１だけ増える。したがって、いずれ和Ｍ（＝Ｍ１＋Ｍ２）は和Ｎ（＝Ｎ１＋Ｎ２）に一致する。図９は和Ｍが和Ｎと一致するときの状態を示している。図９の例では、処理部３０ａ〜３０ｅ、加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３及び待機ユニットＯＵＴＢＦ１〜ＯＵＴＢＦ３のそれぞれに１枚の基板Ｗが存在している。このとき停止条件が成立する（ステップＳ１でＹＥＳ）ので、インデクサ部１１から処理部３０ａへの新たな基板Ｗの投入が停止される（ステップＳ２）。

以後、待機禁止部である処理部３０ｂ〜３０ｄ及び加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３の基板Ｗは次の工程へと順次に搬送されて、最終的には、処理部３０ａ，３０ｅ、待機ユニットＩＮＢＢＦ１〜ＩＮＢＦ３，ＯＵＴＢＦ３〜ＯＵＴＢＦ６及び冷却部ＣＰのいずれかにおいて待機することになる。これにより、処理装置３０およびベーク装置４０の全ての待機可能部において基板Ｗが待機する。

以上のように、本基板処理システム１によれば停止条件の成立をトリガとして、インデクサ部１１からの新たな基板Ｗの投入を停止する。この停止条件には、ベーク装置４０内の待機容量（待機可能な基板Ｗの枚数：Ｎ２）だけでなく、その上流の処理装置３０において待機可能な基板Ｗの枚数（Ｎ１）も考慮されている。これにより、基板処理システム１全体としての待機容量を有効に利用できる。よってインデクサ部１１からの基板Ｗの投入の停止頻度が少なくなり、基板処理のスループットを向上できる。

図１０は処理装置３０およびベーク装置４０の構成の一例を示す図である。図１０では、図９と比較して、処理部１０ｃ，１０ｄには基板Ｗが存在していない。これは、例えばインデクサ部１１からの基板Ｗの投入タイミングが通常よりも遅れたためである。

従来では、ベーク装置４０内の基板Ｗの枚数（Ｍ２）に基づいて、インデクサ部１１からの基板Ｗの投入を停止する。具体的には、ベーク装置４０内の基板Ｗの枚数（Ｎ２）が基準値よりも多くなったときに、インデクサ部１１からの基板Ｗの投入を停止する。この基準値は、ベーク装置４０内で待機可能な基板Ｗの枚数（Ｍ２＝１２枚）よりも小さい値に設定される。これは、処理装置３０で待機できなかった基板Ｗをベーク装置４０で受け入れて待機させるためである。ここでは基準値は９枚であるとする。

図１０の例においては、ベーク装置４０内の基板Ｗの枚数（Ｍ２）は９枚であるので、インデクサ部１１からの基板Ｗの投入は停止する。しかしながら、図１０の例では処理装置３０内に存在する基板Ｗの枚数（Ｍ２）は３枚である。処理装置３０内において待機可能な基板Ｗの枚数（Ｎ２）は２枚であるので、処理装置３０から３枚の基板Ｗをベーク装置４０へと搬送すれば、処理装置３０における待機可能部（処理部３０ａ，３０ｅ）は空になる。つまり基板処理システムとしては２枚の基板Ｗを受け入れることが可能であるにも関わらず、インデクサ部１１からの基板Ｗの投入は停止されていた。

一方で、本基板処理システムによれば、図１０の状態では停止条件が成立しない。したがって、インデクサ部１１からの基板Ｗの投入は停止されず、基板Ｗが処理部３０ａへと投入される。この基板Ｗは処理部３０ｂ〜３０ｄの洗浄処理を受けた後に処理部３０ｅで待機することになる。更に１枚の基板Ｗがインデクサ部１１から処理部３０ａに投入されると停止条件が成立し、以後のインデクサ部１１からの基板Ｗの投入が停止される。以上のように従来に比べて基板処理のスループットを向上することができる。

＜加熱前待機部への搬入条件＞
加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板の搬入を許可するための条件の一例について説明する。本実施の形態では、この条件として上記停止条件を採用する。つまり、インデクサ部１１からの基板の搬入を停止するときに、制御部６０は加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板の搬送を許可する。以後、搬送ロボットＴＲは搬入部ＩＰから加熱前待機部ＩＮＢＦへ基板を適宜に搬送する。図１１は基板処理システム１の上記動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１，Ｓ２の後のステップＳ３にて、制御部６０は、加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板の搬入を許可する。

例えば図９では、停止条件が成立しているので、待機ユニットＩＮＢＦ１〜ＩＮＢＦ３への基板の搬入が許可される。そして、図９の例では、処理部３０ｅには基板が待機しているので、搬送ロボットＴＲは処理部３０ｅから基板Ｗを取り出して、これを例えば待機ユニットＩＮＢＦ１へと搬送する。

以上のように、ここでは、インデクサ部１１からの搬入を停止するための条件、及び、加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板の搬入を許可するための条件として、共通の停止条件を採用している。よって、これらの条件を異ならせて制御部６０がそれぞれ別個に各条件を判断する場合に比べて、制御部６０の処理数を低減することができる。

＜復帰動作＞
次に、ベーク装置４０よりも下流側の搬送トラブル等が解消することにより、搬出部ＯＰからの基板の搬出が再開される場合について考慮する。この場合、搬送ロボットＴＲは適宜に加熱前待機部ＩＮＢＦ及び冷却後待機部ＯＵＴＢＦから基板を搬出する。以下では、その搬出を許可する搬出条件について述べる。

＜冷却後待機部からの搬出条件＞
まず冷却後待機部ＯＵＴＢＦから基板の搬出を許可するための搬出条件の一例について述べる。この搬出条件としては、搬出部ＯＰに基板が存在しないという条件を採用する。つまり、搬送ロボットＴＲは搬出部ＯＰから基板の搬出が再開されたことを条件として、冷却後待機部ＯＵＴＢＦから基板を搬出部ＯＰへと搬送する。搬出部ＯＰに搬送した基板は順次に下流側に搬送されるので、搬送ロボットＴＲは順次に冷却後待機部ＯＵＴＢＦからの基板を搬出部ＯＰへと搬送する。

＜インデクサ部からの基板の搬入の再開条件＞
冷却後待機部ＯＵＴＢＦから搬出部ＯＰへの基板搬送により、冷却後待機部ＯＵＴＢＦには空きが生じる。よって、新たな基板を受け入れても、この基板を待機させることができる。したがって、このときインデクサ部１１からの基板の投入を再開してもよい。

図１２は基板処理システム１の動作の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１１にて、制御部６０は以下で示す再開条件が成立している否かを判断する。

Ｍａ＜Ｎａ ・・・（６）
Ｍａ＝Ｍｓ＋Ｍｈ＋Ｍｃ＋Ｍｗ ・・・（７）
Ｎａ＝Ｎｓ＋Ｎｃ＋Ｎｗ ・・・（８）
式（６）の左辺は式（７）より、処理装置３０及びベーク装置４０に存在する基板の総数とみることができる。また式（６）の右辺は式（８）より、処理装置３０及びベーク装置４０において待機させることが可能な基板の総数を意味する。この再開条件の成立は、処理装置３０及びベーク装置４０の待機可能部に空きが生じたことを意味する。

ステップＳ１１にて再開条件が成立していないと判断したときには、制御部６０は再びステップＳ１１を実行する。再開条件が成立していると判断したときには、制御部６０は基板の投入を再開させる再開制御信号をインデクサ部１１へと発信する。この信号を受け取ったインデクサ部１１は基板の投入を再開する。

図１２の動作によれば、待機可能部に空きが生じたときに、インデクサ部１１による基板の投入を再開できる。これにより、極力早いタイミングで基板の投入を再開することができ、基板処理のスループットを向上することができる。

＜加熱前待機部からの搬出条件＞
次に加熱前待機部ＩＮＢＦからの基板の搬出を許可するための条件の一例について説明する。本実施の形態では、この条件として再開条件を採用する。上述のように、搬出部ＯＰから基板の搬出再開に伴って、冷却後待機部ＯＵＴＢＦから搬出部ＯＰへと基板が搬送されると、冷却後待機部ＯＵＴＢＦには基板の空きが生じる。よって、加熱部ＨＰへと基板を搬送した後に再び搬出部ＯＰからの基板の搬出が滞ったとしても、加熱部ＨＰの基板を、この空いた冷却後待機部ＯＵＴＢＦで待機させることができる。よって、再開条件の成立をトリガとして、加熱前待機部ＩＮＢＦからの搬出を許可するのである。

＜復帰動作の詳細な一例＞
図１３〜図１５は復帰動作における処理装置３０及びベーク装置４０の一例を模式的に示す図である。図１３では、処理装置３０及びベーク装置４０の全ての待機可能部において基板Ｗが待機している。この状態で搬出部ＯＰ（図１３〜図１５において不図示）からの基板Ｗの搬出が再開されると、図１４に示すように、搬送ロボットＴＲは待機ユニットＯＵＴＢＦ１から基板を取り出す。そして、搬送ロボットＴＲはこの基板を搬出部ＯＰへと搬送する。これにより、再開条件が成立する。このとき処理部３０ａの基板Ｗは次の処理部３０ｂへと搬送され、続けてインデクサ部１１は新たな基板Ｗを処理部３０ａへと投入する。また搬送ロボットＴＲは待機ユニットＩＮＢＦ１から基板Ｗを取り出して、当該基板Ｗを加熱ユニットＨＰ３へと搬送する。

このとき停止条件が再び成立する。よってインデクサ部１１からの新たな基板Ｗの搬入は再び停止される。また上述のように停止条件を加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入条件に採用している場合、この停止条件の成立をトリガとして、加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入が許可される。しかしながら、搬出部ＯＰから基板Ｗの搬出が可能であるにも関わらず、処理部３０ｅの基板Ｗをわざわざ取り出して加熱前待機部ＩＮＢＦへと搬送することは、基板処理のスループットという点で好ましくない。なぜなら、加熱前待機部ＩＮＢＦを経由することなく直接に処理部３０ｅから加熱部ＨＰへと搬送する方が、スループットが高く、また基板Ｗが正常に流れている場合には、加熱前待機部ＩＮＢＦで基板Ｗを待機させる必要がないからである。

そこで、復帰動作における加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入条件は、通常動作における当該搬入条件とは異ならせてもよい。つまり、一旦、加熱前待機部ＩＮＢＦから基板Ｗの搬出が許可された場合には、加熱前待機部ＩＮＢＦの全ての待機ユニットが空になるまでは、通常動作における搬入条件とは異なる搬入条件を採用するのである。具体的には、当該搬入条件としては、冷却後待機部ＯＵＴＢＦに基板Ｗが満載されているという条件を採用する。逆に言えば、冷却後待機部ＯＵＴＢＦに空きが生じている場合には、加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入を許可しない。

図１６は復帰動作における基板処理システム１の上記動作の一例を示すフローチャートである。図１６に示す一連の動作は復帰動作が完了するまで例えば所定期間ごとに繰り返し行われる。ステップＳ２１にて、制御部６０は冷却後待機部ＯＵＴＢＦに空きがあるか否かを判断する。言い換えれば、制御部６０は基板Ｗが待機していない冷却後待機ユニットが存在するか否かを判断する。冷却後待機部ＯＵＴＢＦに空きがあると判断したときには、ステップＳ２２にて、制御部６０は加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入を許可しない。よって搬送ロボットＴＲは、加熱前待機部ＩＮＢＦへ基板Ｗを搬入しない。

ステップＳ２１にて、冷却後待機部ＯＵＴＢＦに空きがないと判断したときには、つまり冷却後待機部ＯＵＴＢＦに基板Ｗが満載しているときには、ステップＳ２３にて、制御部６０は加熱前待機部ＩＮＢＦへの基板Ｗの搬入を許可する。

この動作によれば、図１４の状況でも処理部３０ｅで待機中の基板Ｗが加熱前待機部ＩＮＢＦへと搬送されることがなく、加熱前待機部ＩＮＢＦへの不要な基板搬送を回避することができる。

なお制御部６０は搬送ロボットＴＲを制御して、加熱部ＨＰの基板Ｗの枚数が、冷却後待機部ＯＵＴＢＦにおいて空いている冷却後待機ユニットの数を超えないように、加熱前待機部ＩＮＢＦから加熱部ＨＰへの基板Ｗの搬送を行う。よって、図１４の状況では、加熱前待機部ＩＮＢＦから加熱部ＨＰへの更なる基板Ｗの搬送は行われない。

搬出部ＯＰの基板Ｗが下流側に搬送されると、図１５に示すように、待機ユニットＯＵＴＢＦ２から基板Ｗが取り出されて、これが搬出部ＯＰへと搬送される。このとき再開条件が再び成立する。また処理部３０ｂでの処理が完了すると、処理部３０ｂの基板Ｗが次の処理部３０ｃへと搬送される。また処理部３０ａの基板Ｗが、空いた処理部３０ｂへと搬送される。再開条件が成立し処理部３０ａが空くので、インデクサ部１１から処理部３０ａへと新たな基板Ｗが投入される。

また冷却後待機部ＯＵＴＢＦには新たな空きが生じているので、搬送ロボットＴＲは待機ユニットＩＮＢＦ２からの基板Ｗを取り出して、この基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２へと搬送する。以後、同様の動作を繰り返して、加熱前待機部ＩＮＢＦ及び冷却後待機部ＯＵＴＢＦから基板Ｗを全て搬出することで、復帰動作が完了し、続けて通常動作が行われる。

上記実施形態では、基板処理システム１としてコータ／デベロッパ装置を説明した。基板処理システムはコータ／デベロッパ装置に限定されず、上記一方向搬送型処理装置と、可変搬送型処理装置とが含まれる基板処理システムに本発明を適用することができる。

１ 基板処理システム
１１ インデクサ部
１２ 一方向搬送型処理装置（洗浄装置）
１３ 可変搬送型処理装置（脱水ベーク装置）
３０ 一方向搬送型処理装置（処理装置）
４０ 可変搬送型処理装置（ベーク装置）
６０ 搬送制御部（制御部）
ＣＰ 冷却部
ＣＰ１〜ＣＰ３ 冷却ユニット
ＩＮＢＦ 加熱前待機部
ＨＰ 加熱部
ＨＰ１〜ＨＰ３ 加熱ユニット
ＯＵＴＢＦ 冷却後待機部
ＴＲ 基板搬送部（搬送ロボット）
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板に対して処理を行う基板処理システムであって、
   インデクサ部から順次、投入される複数の基板を一方向に搬送しつつ各基板を洗浄する洗浄部を有する一方向搬送型処理装置と、
   少なくとも１つの基板待機可能部が設けられており、前記洗浄部で洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う可変搬送型処理装置と、
   前記基板の搬送を制御する搬送制御部と、
   を備え、
   前記搬送制御部は、停止条件が満足されたときに前記インデクサ部に対して前記一方向搬送型処理装置への基板の投入を停止させる停止制御信号を発信する信号発信手段を有しており、
   前記停止条件は、
   前記一方向搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ1と、
   前記可変搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ2と、
   の和Ｍ＝（Ｍ1＋Ｍ2）が、
   前記一方向搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ1と、
   前記可変搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ2と、
   の和Ｎ＝（Ｎ1＋Ｎ2）以上になる（Ｍ≧Ｎ）という条件である、基板処理システム。
2. 請求項１に記載の基板処理システムであって、
   前記可変搬送型処理装置が、
   前記洗浄部にて洗浄処理された基板を１枚ずつ加熱処理する複数の加熱ユニットを有する加熱部と、
   前記加熱部により加熱された基板を１枚ずつ冷却する複数の冷却ユニットを有する冷却部と、
   基板を一時的に待機させる待機部と、
   前記加熱部、前記冷却部及び前記待機部に対して基板を搬送し、基板の搬送経路が可変である基板搬送部と、
   を備え、
   前記冷却部及び前記待機部が前記少なくとも１つの基板待機可能部となっており、
   前記停止条件における数Ｍ1，Ｍ2，Ｎ1，Ｎ2は、
   Ｍ1＝Ｍs
   Ｍ2＝（Ｍt＋Ｍh＋Ｍc＋Ｍw）
   Ｎ1＝Ｎs
   Ｎ2＝（Ｎw＋Ｎc）
   で与えられ、
   ここで、
   Ｍsは、前記洗浄部で洗浄処理を受けている基板の枚数、
   Ｍtは、前記基板搬送部が搬送している基板の枚数、
   Ｍhは、前記加熱部において加熱処理を受けている基板の枚数、
   Ｍcは、前記冷却部において冷却処理を受けている基板の枚数、
   Ｍwは、前記待機部に待機している基板の枚数、
   Ｎsは、前記洗浄部内に待機させることができる基板の枚数、
   Ｎwは、前記待機部内に待機させることができる基板の枚数、
   Ｎcは、前記冷却ユニットの数、
   である、基板処理システム。
3. 請求項２に記載の基板処理システムであって、
   前記信号発信手段は、再開条件が満足されたときに、前記一方向搬送型処理装置への基板の投入を再開させる再開制御信号を発信し、
   前記再開条件は、
   和Ｍa＝（Ｍs＋Ｍh＋Ｍc＋Ｍw）
   が、
   和Ｎa＝（Ｎs＋Ｎc＋Ｎw）
   未満となる（Ｍa＜Ｎa）ことである、基板処理システム。
4. 請求項２または請求項３に記載の基板処理システムであって、
   前記待機部は、前記洗浄部にて洗浄処理されて前記加熱部に搬送される前の基板を一時的に待機させる加熱前待機部を含み、
   前記基板搬送部は、前記停止条件が満足されたときに、基板を前記加熱部に搬送する前に前記加熱前待機部へ搬送する、基板処理システム。
5. 請求項３に記載の基板処理システムであって、
   前記待機部は、
   前記洗浄部にて洗浄処理されて前記加熱部に搬送される前の基板を一時的に待機させる加熱前待機部と、
   前記冷却部により冷却された基板を一時的に待機させる冷却後待機部と
   を含み、
   前記基板搬送部は、
   前記加熱前待機部に基板が待機していない場合には、前記停止条件が満足されたときに、基板を前記加熱前待機部へ搬送し、
   前記加熱前待機部に基板が待機している場合には、前記再開条件が満足されたときに、前記加熱前待機部に待機している基板の前記加熱部への搬送を開始し、
   前記加熱前待機部から基板を搬送している場合には、前記停止条件が満足されたとしても、前記冷却後待機部に基板の空きがあるときには、前記加熱前待機部へと基板を搬送しない、基板処理システム。
6. インデクサ部から順次、投入される複数の基板を一方向に搬送しつつ各基板を洗浄する洗浄部を有する一方向搬送型処理装置と、
   少なくとも１つの基板待機可能部が設けられており、前記洗浄部で洗浄処理された基板を順次に受け入れて、可変の搬送経路で各基板を搬送しつつ、各基板に加熱処理と冷却処理とを行う可変搬送型処理装置と、
   を備える基板処理システムにおける搬入制御方法であって、
   停止条件が満足されたか否かを判断する第１工程と、
   前記停止条件が満足されたと判断したときに、前記インデクサ部に対して前記一方向搬送型処理装置への基板の搬入の投入を停止させる停止制御信号を発信し、
   前記停止条件は、
   前記一方向搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ1と
   前記可変搬送型処理装置内に存在する基板の枚数Ｍ2と、
   の和Ｍ＝（Ｍ1＋Ｍ2）が、
   前記一方向搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ1と、
   前記可変搬送型処理装置内で待機させることが可能な基板の枚数Ｎ2と、
   の和Ｎ＝（Ｎ1＋Ｎ2）以上になる（Ｍ≧Ｎ）という条件である、基板処理システムの搬入制御方法。

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