JP2018148110A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018148110A JP2018148110A JP2017043646A JP2017043646A JP2018148110A JP 2018148110 A JP2018148110 A JP 2018148110A JP 2017043646 A JP2017043646 A JP 2017043646A JP 2017043646 A JP2017043646 A JP 2017043646A JP 2018148110 A JP2018148110 A JP 2018148110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- wavelength conversion
- conversion layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
図2(a)は、発光素子12及び波長変換層13が形成された搭載基板11を示す図である。まず、パターン化された金属配線を有する搭載基板11を準備する。そして、搭載基板11上に発光素子12を搭載する(工程1)。次に、発光素子12上に、蛍光体を含む波長変換層13を形成する(工程2)。本実施例においては、波長変換層13として、発光素子12とほぼ同一形状及び同一サイズの平面形状を有する蛍光体プレートを発光素子12の上面上に接着した。
図2(b)は、光反射部材14が形成された搭載基板11を示す図である。工程2に続いて、発光素子12及び波長変換層13の側面を覆うように、搭載基板11上に光反射部材14を形成する(工程3)。本実施例においては、白色樹脂を搭載基板11上に塗布し、これを硬化させることで光反射部材14を形成した。なお、光反射部材14としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化タンタル及び酸化ニオブなどを含む樹脂材料を用いることができる。
図2(c)は、透光層15となる透光溶液15Pが塗布された搭載基板11を示す図である。工程3に続いて、波長変換層13の上面上に、樹脂が希釈された透光溶液15Pを塗布する(工程4)。本実施例においては、透光溶液15Pとして、揮発性の液体(希釈液)を溶媒とし、当該希釈液にシリコン樹脂を希釈した溶液を波長変換層13の上面上に塗布した。また、透光溶液15Pが波長変換層13の上面全体に塗れ広がるように、透光溶液15Pの粘度及び塗布量を調節した。
図5(a)は、透光層21となる投光溶液21Pが塗布された搭載基板11を示す図である。上記した工程3に続いて、波長変換層13の上面及び光反射部材14の上面上に、樹脂が希釈された透光溶液21Pを塗布する(工程4A)。本実施例においては、透光溶液21Pとして、投光溶液15Pと同様の溶液を波長変換層13及び光反射部材14の上面上に塗布した。本実施例においては、透光溶液21Pが波長変換層13及び光反射部材14の上面全体に塗れ広がるように、透光溶液21Pの粘度及び塗布量を調節した。
11 搭載基板
12 発光素子
13 波長変換層
14 光反射部材
15、21、22 透光層
15A、21A、22A、22B 凸部
Claims (8)
- 搭載基板と、
前記搭載基板上に形成された発光素子と、
前記発光素子上に形成された波長変換層と、
前記波長変換層上に形成され、前記波長変換層よりも小さな光屈折率を有し、前記波長変換層の上面の外周部上に凸部を有する透光層と、を有する発光装置。 - 前記透光層の前記凸部は、前記波長変換層の前記上面の前記外周部上に環状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記透光層は、前記波長変換層の前記上面の中央部上に形成された平坦部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記発光素子及び前記波長変換層の側面を取り囲むように前記搭載基板上に形成された光反射部材を有し、
前記透光層は、前記光反射部材上に形成され、前記光反射部材の上面の外周部上に凸部を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の発光装置。 - 前記透光層は、樹脂材料からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 搭載基板上に発光素子を搭載する工程と、
前記発光素子上に波長変換層を形成する工程と、
前記波長変換層上に樹脂が希釈された透光溶液を塗布する工程と、
前記透光溶液を硬化させ、前記波長変換層よりも光屈折率が小さくかつ前記波長変換層の上面の外周部上に凸部を有する透光層を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記搭載基板上に、前記発光素子及び前記波長変換層の側面を取り囲む光反射部材を形成する工程を含み、
前記透光溶液を塗布する工程においては、前記透光溶液を前記光反射部材上に亘って塗布することを特徴とする請求項6に記載の発光装置の製造方法。 - 前記透光溶液を塗布する工程及び前記透光層を形成する工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項6又は7に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017043646A JP2018148110A (ja) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017043646A JP2018148110A (ja) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148110A true JP2018148110A (ja) | 2018-09-20 |
Family
ID=63592433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017043646A Pending JP2018148110A (ja) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018148110A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6849139B1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および面発光光源 |
CN113823723A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196637A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2003086846A (ja) * | 2000-07-21 | 2003-03-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
JP2004087630A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオードおよびledライト |
JP2005093896A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009043836A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2010170734A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Led照明装置 |
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
CN102130277A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 昆山琉明光电有限公司 | 一种发光二极管封装 |
JP2011258675A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2013016588A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2013057858A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Enplas Corp | 光束制御部材およびこれを備えた発光装置 |
JP2014082404A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
US20150102373A1 (en) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
-
2017
- 2017-03-08 JP JP2017043646A patent/JP2018148110A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196637A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
JP2003086846A (ja) * | 2000-07-21 | 2003-03-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法 |
JP2004087630A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオードおよびledライト |
JP2005093896A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2009043836A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2010170734A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Led照明装置 |
JP2010219324A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Nichia Corp | 発光装置 |
JP2011258675A (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
CN102130277A (zh) * | 2010-12-31 | 2011-07-20 | 昆山琉明光电有限公司 | 一种发光二极管封装 |
JP2013016588A (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Citizen Electronics Co Ltd | Led発光装置 |
JP2013057858A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Enplas Corp | 光束制御部材およびこれを備えた発光装置 |
JP2014082404A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置 |
US20150102373A1 (en) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6849139B1 (ja) * | 2019-08-02 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および面発光光源 |
JP2021170623A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および面発光光源 |
CN113823723A (zh) * | 2020-06-18 | 2021-12-21 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6097084B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5736203B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI401820B (zh) | 發光元件及其製作方法 | |
WO2019009033A1 (ja) | 光源装置及び発光装置 | |
US11005008B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
JP2013175531A (ja) | 発光装置 | |
JP2013110199A (ja) | Led発光装置 | |
KR20090002835A (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR20130043077A (ko) | 반도체 발광 장치 및 차량용 램프 | |
US9368700B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
JP2010225791A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP7235944B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP6493348B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017152475A (ja) | 発光装置 | |
CN105981187A (zh) | 光电组件 | |
US20210296541A1 (en) | Light emitting device with high near-field contrast ratio | |
JP2018148110A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5681532B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP5970215B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2017076673A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6005958B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP6383539B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6189661B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US10777713B2 (en) | Method of producing an optoelectronic lighting device and optoelectronic lighting device | |
JP2013179132A (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220308 |