JP2018145844A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記半導体素子の動作を制御する制御回路(2)と、を有し、
前記制御回路は、前記半導体素子及び前記制御回路の少なくとも一方を保護するための保護回路(3)と、前記保護回路に接続されるとともに、前記保護回路が作動したことを記憶する記憶素子(4)とを有する、半導体装置(1)にある。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
半導体装置の実施形態につき、図1〜図8を用いて説明する。
本実施形態の半導体装置1は、図1に示すごとく、スイッチング動作を行う半導体素子11と制御回路2とを有する。制御回路2は、半導体素子11の動作を制御する。制御回路2は、保護回路3と記憶素子4とを有する。保護回路3は、半導体素子11及び制御回路2の少なくとも一方を保護するための回路である。図2に示すごとく、記憶素子4は、保護回路3に接続されるとともに、保護回路3が作動したことを記憶する。
イグナイタ1は、イグナイタ本体1bと、イグナイタ本体1bから突出した複数のイグナイタ端子1tとを有する。イグナイタ本体1bは、半導体素子11及び制御回路2を樹脂モールドしてなる。なお、図5において、イグナイタ本体1bの外形を一点鎖線にて表している。図4に示すごとく、本実施形態において、イグナイタ1は、5本のイグナイタ端子1tを有する。5本のイグナイタ端子1tは、一次コイル10cに接続されるIGC端子11tと、エンジンコントロールユニット9eからの点火信号が入力される信号端子12tと、接地される接地端子13tと、外部電源9bに接続される2つの電源端子14tとからなる。
なお、図6に示すごとく、便宜上、過熱保護回路31に接続されたタイマー回路21、記憶制御素子42、記憶素子4を、第一タイマー回路21a、第一記憶制御素子42a、第一記憶素子4aという。また、過通電保護回路32に接続されたタイマー回路21、記憶制御素子42、記憶素子4を、第二タイマー回路21b、第二記憶制御素子42b、第二記憶素子4bという。また、過電圧保護回路33に接続されたタイマー回路21、記憶制御素子42、記憶素子4を、第三タイマー回路21c、第三記憶制御素子42c、第三記憶素子4cという。
半導体装置1において、制御回路2は、保護回路3が作動したことを記憶する記憶素子4を有する。すなわち、半導体装置1自体に、保護回路3が作動したことを記憶する記憶素子4が備えられている。それゆえ、市場から回収された使用済みの半導体装置1を分解調査することにより、半導体装置1において保護回路3が作動したか否かを判断することが可能となる。それゆえ、使用済みの半導体装置1の品質調査を行いやすい。
本実施形態は、図9に示すごとく、複数の保護回路3が、1つの記憶素子4に接続されている実施形態である。本実施形態において、保護回路3は、実施形態1と同様、過熱保護回路31、過通電保護回路32、及び過電圧保護回路33の3つからなる。3つの保護回路3は、1つのORゲート403に接続されている。ORゲート403は、3つの保護回路3の出力信号の論理和をとるものである。そして、ORゲート403の出力側は、1つのタイマー回路21を介して1つの記憶素子4に接続された1つの記憶制御素子42のベース電極に接続されている。
なお、実施形態2以降において用いた符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図10、図11に示すごとく、制御回路2が、電流判定回路24を有する実施形態である。電流判定回路24は、記憶素子4に流れる電流が、予め定めた設定電流値pc以上か未満かを判定する。そして、制御回路2は、電流判定回路24が、記憶素子4に流れる電流の電流値が設定電流値pc以上であると判定したとき、記憶素子4への通電を遮断するよう構成されている。なお、本実施形態の基本構成は、実施形態1と同様である。
なお、通電遮断回路25から第一記憶制御素子42aに出力される通電遮断信号をS1とする。通電遮断回路25から、High状態の通電遮断信号S1が第一記憶制御素子42aに入力されたとき、第一記憶制御素子42aはオフ状態となる。一方、通電遮断回路25から、Low状態の通電遮断信号S1が第一記憶制御素子42aに入力されたとき、第一記憶制御素子42aはオン状態に切り替わることができるオン可能状態となる。図11において、S1は、上段がHigh状態、下段がLow状態を示している。
そして、実施形態1と同様、時刻t3において、制御回路2は、第一記憶制御素子42aのSW1をオフ状態からオン状態にするよう構成されている。SW1がオン状態となっている間、記憶回路40において、第一記憶素子4aに電流が流れる。第一記憶素子4aに電流が流れている間、電流判定回路24において、第一記憶素子4aに流れる電流が、電流判定回路24の設定電流値pc以上か否かについて判定する。そして、電流判定回路24において、第一記憶素子4aに流れる電流の電流値が、設定電流値pc以上となったとき、通電遮断回路25は、第一記憶制御素子42aをオン状態からオフ状態に強制的に切り替え、第一記憶素子4aに流れる電流を遮断する。図11において、通電遮断回路25が、第一記憶制御素子42aをオン状態からオフ状態に強制的に切り替えた時刻をt6で表している。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図12に示すごとく、実施形態1に対して、記憶素子4の構成を変更した実施形態である。本実施形態において、記憶素子4は、電流の通電方向に直交する断面積が部分的に小さくなる小断面積部43を有する導体である。本実施形態においても、記憶素子4は、当該記憶素子4に接続された保護回路3が作動したことを、記憶素子4の外部から視認できる痕跡を残すことにより記憶する。具体的には、記憶素子4は、当該記憶素子4に接続された保護回路3が作動したことを、焼損痕を残すことにより記憶する。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
図13、図14に示すごとく、本実施形態も、実施形態1に対して、記憶素子4の構成を変更した実施形態である。本実施形態において、記憶素子4は、ボンディングワイヤである。図14に示すごとく、具体的には、イグナイタ1の電源リードフレーム14rと、記憶回路40の抵抗41とを接続するボンディングワイヤである。記憶素子4は、当該記憶素子4に接続された保護回路3が作動したことを、焼損痕を残すことにより記憶する。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図15に示すごとく、実施形態1に対して、イグナイタ1の内部構造を変更した実施形態である。具体的には、接地リードフレーム13r上において、保護回路3及び駆動回路22を同一の半導体チップ1pに内蔵するとともに、半導体チップ1pから離隔した領域に、記憶回路40を別の半導体チップ2pに内蔵した回路を配している。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図16、図17に示すごとく、実施形態1に対して、抵抗41の放熱性を向上させるために工夫した実施形態である。すなわち、図17に示すごとく、リードフレーム1rにおいて、抵抗41が配された部位を、保護回路3が配された部位よりも、大きい熱容量を有するものとした。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図18に示すごとく、半導体素子11と保護回路3と記憶素子4とを、互いに同一の半導体チップ5pに内蔵した実施形態である。本実施形態において、半導体素子11と、保護回路3と、記憶素子4を有する記憶回路40とは、互いに同一の半導体チップ5pに内蔵されているとともに、IGCリードフレーム11r上に配されている。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図19、図20に示すごとく、制御回路2が、制御回路2の外部から記憶素子4への通電を遮断できるよう構成された強制遮断回路44を更に有する実施形態である。強制遮断回路44は、保護回路3とタイマー回路21との間の部位と、イグナイタ1外部の外部制御装置9cと、の間に接続される。強制遮断回路44は、遮断制御素子441を有する。本実施形態において、遮断制御素子441は、バイポーラトランジスタである。遮断制御素子441のベース電極は、外部制御装置9cに接続されている。遮断制御素子441のコレクタ電極は、保護回路3と記憶回路40との間の部位に接続されており、遮断制御素子441のエミッタ電極は、接地されている。なお、遮断制御素子441は、例えばMOS型電界効果トランジスタとすることもできる。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
本実施形態は、図21に示すごとく、半導体装置1を、電力変換装置100に用いられるものとした実施形態である。
電力変換装置100は、直流電力と交流電力との間で電力変換を行う。本実施形態において、電力変換装置100は、直流電源90bと回転電機Mとの間において電力変換を行うよう構成される。電力変換装置100は、例えば、電気自動車、ハイブリッド自動車等の車両に搭載されて用いられる。
その他は、実施形態1と同様である。
その他、実施形態1と同様の作用効果を有する。
11 半導体素子
2 制御回路
3 保護回路
4 記憶素子
Claims (19)
- スイッチング動作を行う半導体素子(11)と、
前記半導体素子の動作を制御する制御回路(2)と、を有し、
前記制御回路は、前記半導体素子及び前記制御回路の少なくとも一方を保護するための保護回路(3)と、前記保護回路に接続されるとともに、前記保護回路が作動したことを記憶する記憶素子(4)とを有する、半導体装置(1)。 - 前記記憶素子は、当該記憶素子に接続された前記保護回路が作動したことを、前記記憶素子の外部から視認できる痕跡を残すことにより記憶する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記記憶素子は、当該記憶素子に接続された前記保護回路が作動したことを、焼損痕を残すことにより記憶する、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記記憶素子は、ツェナーダイオードである、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記記憶素子は、電流の通電方向に直交する断面積が部分的に小さくなる小断面積部(43)を有する導体である、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記記憶素子は、ボンディングワイヤである、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記記憶素子に接続された前記保護回路からの信号に基づいてスイッチング動作を行う記憶制御素子(42)を有し、前記記憶素子と前記記憶制御素子とは、直列接続されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、複数の前記保護回路を有し、前記各保護回路は、互いに別の前記記憶素子に接続されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、複数の前記保護回路を有し、複数の前記保護回路は、1つの前記記憶素子に接続されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記保護回路の作動時間を計測する作動時間計測部を更に有し、前記作動時間計測部による計測時間が所定時間(Δtα)を超えたとき、前記保護回路が作動したことを前記記憶素子に記憶するよう構成されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記記憶素子への通電時間を計測する通電時間計測部を有し、前記通電時間計測部の計測時間が所定時間(Δtβ)を超えたとき、前記記憶素子への通電を遮断するよう構成されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記記憶素子に流れる電流が、予め定めた設定電流値(pc)以上か未満かを判定する電流判定回路(24)を有し、かつ、前記電流判定回路が、前記記憶素子に流れる電流の電流値が前記設定電流値以上であると判定したとき、前記記憶素子への通電を遮断するよう構成されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記記憶素子への通電を遮断できるよう構成された強制遮断回路(44)を更に有する、請求項1〜12に記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記半導体素子に接続されて前記半導体素子を駆動させる駆動回路(22)を有し、前記保護回路及び前記駆動回路と、前記記憶素子とは、互いに異なる領域に配されている、請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記制御回路において、前記記憶素子には、抵抗(41)が直列接続されている、請求項1〜14のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、リードフレーム(1r)を内蔵しており、前記抵抗及び前記保護回路は、前記リードフレーム上に搭載されており、前記リードフレームは、前記抵抗が配された部位が、前記保護回路が配された部位よりも、大きい熱容量を有する、請求項15に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、リードフレーム(1r)を内蔵しており、前記抵抗及び前記保護回路は、前記リードフレーム上に搭載されており、前記抵抗は、前記リードフレームに対して、第一接合部(61)を介して接合されており、前記保護回路は、前記リードフレームに対して第二接合部(62)を介して接合されており、前記第一接合部は、前記第二接合部よりも高い熱伝導性を有する、請求項15又は16に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子と前記保護回路と前記記憶素子とは、互いに同一の半導体チップ(5p)に内蔵されている、請求項1〜17のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置は、内燃機関用の点火コイル(10a)を駆動するイグナイタである、請求項1〜18のいずれか一項に記載の半導体装置。
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