JP2018133463A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体モジュールの小型化に有効な2層リードフレーム構造において、2層目のリードフレームの位置不安定化や、長いボンディングワイヤで発生するたるみ、モールド樹脂成形工程のワイヤ流れ等の不具合を抑制し、電気的ショートや断線故障を防止することができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュールの内部配線材のリードフレーム3(31、32)が2層の立体配線構造であり、2層目のリードフレーム32の面方向の位置決めを行う位置決め部材71を備えたことである。【選択図】図1
Description
本発明は、電動パワーステアリングのモータ駆動用の半導体モジュールに関する。
従来の半導体モジュールの一つに、放熱板上に取り付けられた誘電体板を設けたセラミック基板に半導体チップ(以降、本明細書では「パワー半導体素子」ともいう)を搭載し、ケース内にシリコーンゲルで封止した構成となっているものがある(例えば特許文献1参照)。このセラミック基板における導電体板の周囲端部にはエポキシ樹脂などの固体絶縁物が配置され、上記ケースは、セラミック基板の四方を囲うようにして放熱板上に設置される等している。
この構成は、半導体モジュールに求められる放熱性や絶縁性を満足させるための構成となっている反面、構成要素が多くなり、半導体モジュールのサイズ肥大化を招く。又、半導体チップもセラミック基板に対して平面上に配置されるためチップのサイズ、その数から必然的に半導体モジュールのサイズが大きくなってしまう。
そこで、発明者は、この問題を解決するため、トランスファー成形を用い樹脂でモールドした半導体モジュールにおいて内部配線材のリードフレームを2層構造にして、パワー半導体素子がそれぞれの層に搭載された構造を採用することより各層のパワー半導体素子間の配線距離を短くでき、さらにパワー半導体間の接続バスバ及びその搭載スペースを削減でき、パワーモジュールの小型化を図ることを考えた。さらに、シャント抵抗3相分とバスバを一体に形成し、2層目上のFETに接続することで、部品面積を飛躍的に小さくすることを可能とした。
この構成は、半導体モジュールに求められる放熱性や絶縁性を満足させるための構成となっている反面、構成要素が多くなり、半導体モジュールのサイズ肥大化を招く。又、半導体チップもセラミック基板に対して平面上に配置されるためチップのサイズ、その数から必然的に半導体モジュールのサイズが大きくなってしまう。
そこで、発明者は、この問題を解決するため、トランスファー成形を用い樹脂でモールドした半導体モジュールにおいて内部配線材のリードフレームを2層構造にして、パワー半導体素子がそれぞれの層に搭載された構造を採用することより各層のパワー半導体素子間の配線距離を短くでき、さらにパワー半導体間の接続バスバ及びその搭載スペースを削減でき、パワーモジュールの小型化を図ることを考えた。さらに、シャント抵抗3相分とバスバを一体に形成し、2層目上のFETに接続することで、部品面積を飛躍的に小さくすることを可能とした。
しかしながら、前記2層構造は、小型化に特化した構造であったため、2層目のリードフレームをタイバー(リードフレームを作成する際に各リードフレームをつなぐ部分をいう。)で固定できず、実装時に位置が不安定になることが懸念される。また、ボンディングワイヤの引き回しも信号用リードフレームと各点での距離及び高さに差ができ、長いワイヤでは、トランスファー成形時にモールド樹脂によってワイヤ流れが発生してしまう虞がある。
そこで、本発明は、実装時の2層目のリードフレームの位置を安定させると共に、モールド樹脂成形工程のモールド樹脂の流動に伴うワイヤ流れを抑制し、電気的ショートや断線故障を防止することができる半導体モジュールを提供することを目的とする。
かかる課題を解決するべく、第一の発明は、半導体モジュールにおいて、内部配線部材のリードフレームが2層の立体配線構造であり、2層目のリードフレームの面方向の位置決めを行う位置決め部材を備えたことを特徴する。
第二の発明は、第一の発明において、前記位置決め部材は、下方に開口を有し、2層目リードフレームの幅より幅の広いコの字型曲げ部分を有することを特徴とする。
第三の発明は、第一の発明または第二の発明において、前記位置決め部材は、前記2の層目リードフレームに溝部が設けられ、1層目のリードフレームに穴部が設けられ、前記位置決め部材は、前記溝部及び前記穴部に配置されることを特徴とする。
第四の発明は、第一の発明乃至第三の発明のいずれかにおいて前記位置決め部材の上方には、ボンディングワイヤを中継する中継点部材を備えていることを特徴とする。
第二の発明は、第一の発明において、前記位置決め部材は、下方に開口を有し、2層目リードフレームの幅より幅の広いコの字型曲げ部分を有することを特徴とする。
第三の発明は、第一の発明または第二の発明において、前記位置決め部材は、前記2の層目リードフレームに溝部が設けられ、1層目のリードフレームに穴部が設けられ、前記位置決め部材は、前記溝部及び前記穴部に配置されることを特徴とする。
第四の発明は、第一の発明乃至第三の発明のいずれかにおいて前記位置決め部材の上方には、ボンディングワイヤを中継する中継点部材を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、実装時の2層目のリードフレームの位置を安定させると共に、モールド樹脂成形工程のモールド樹脂の流動に伴うワイヤ流れを抑制し、電気的ショートや断線故障を防止することができる。
以下、図面を参照しつつ本発明に係る半導体モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する(図1―図12参照)。なお、各図面は、半導体モジュールの内部構造の説明図であるため樹脂モールドは示されていない。
図1及び図2に示すように、半導体モジュール(パワーモジュール)1は、パワー半導体素子(半導体チップ)2と2層のリードフレーム3を積層した立体配線構造を有し、はんだ5、バスバ6、位置決め中継点部材7(位置決め部材71、中継点部材72)などで構成されている。
本実施形態のパワー半導体素子2は、例えばMOSFETであって、SiまたはSiCのベアチップ(ベアダイ)の状態のものを指す。MOSFETは縦構造で、厚み方向に電流を流す構造のため、ベアチップ上面及び下面に電極を有した構造とされる。
リードフレーム3は、その上に固定されたパワー半導体素子2を支持し、外部配線との接続をする部品(内部配線材)であり、所望の回路動作をさせるためにプレス成形によって任意のパターン形状に形成される。本実施形態において、リードフレーム3は2層の立体配線構造となっている(図1参照。)。なお、図1において、1層目のリードフレームを符号31、2層目のリードフレームを符号32、及び1層目のリードフレーム31の一部である信号用リードフレームを符号33で表している。
また、パワー半導体素子2は、2層のリードフレーム3(31、32)に対して交互に積層された状態で搭載される。なお、図1において、1層目のパワー半導体素子(2個)を符号21で、2層目のパワー半導体素子を符号22で表している。最下層が1層目のリードフレーム31であり、その上にはんだ5、1層目のパワー半導体素子21、はんだ5、2層目のリードフレーム32、はんだ5、2層目のパワー半導体素子22の順に積層される。1層目のパワー半導体素子21は、1層目のリードフレーム31と2層目のリードフレーム32との間に介在している。
また、2層目のパワー半導体素子22は、バスバ6を使い、1層目のリードフレーム31にはんだ付けで配線される。バスバ6は、3相インバータに対応して三叉状に分けて形成されており、図示しないインバータ回路における電流検出経路上に配置され、その一部がシャント抵抗9で構成されている(図2参照。)。また、3相インバータにおける各相のシャント抵抗9が1つのバスバ6に一体化されて形成され、2層目のパワー半導体素子22に接続することで、部品面積を飛躍的に小さくすることが可能となった。
さらに、バスバ6の内、シャント抵抗9の両端の部分が平坦な部分を有する構造となっている。これにより、シャント抵抗9の両端にボンディングワイヤによる配線がしやすくなっている。
なお、バスバ6は、導電率の高い銅や銅合金などからなる。また、シャント抵抗9は、Cu−Ni系やCu−Mn系などの材料からなる。
さらに、バスバ6の内、シャント抵抗9の両端の部分が平坦な部分を有する構造となっている。これにより、シャント抵抗9の両端にボンディングワイヤによる配線がしやすくなっている。
なお、バスバ6は、導電率の高い銅や銅合金などからなる。また、シャント抵抗9は、Cu−Ni系やCu−Mn系などの材料からなる。
本実施形態の半導体モジュール1は、位置決め中継点部材7を備えており、2層目のリードフレーム3を生産時に安定して位置を出す部品として追加されるものである。
その位置決め中継点部材7は、平面方向(図1の矢印符号のX方向とY方向)の位置決め部材71と、パワー半導体素子22等各部品と信号リードフレーム33とのボンディングワイヤの中継点部材72との、2つの機能を併せ持った構成としている。先ず、位置決め中継点部材7の全体構造が分る位置決め部材71の説明から行う。
その位置決め中継点部材7は、平面方向(図1の矢印符号のX方向とY方向)の位置決め部材71と、パワー半導体素子22等各部品と信号リードフレーム33とのボンディングワイヤの中継点部材72との、2つの機能を併せ持った構成としている。先ず、位置決め中継点部材7の全体構造が分る位置決め部材71の説明から行う。
本実施形態において、位置決め中継点部材7の内、2層目のリードフレームの面方向の位置決めを行う位置決め部材71を備えている。この位置決め部材71は、図1、図2に示すように、正面視で下方に開口を有し、2層目のリードフレーム32の幅より幅の広いコの字型曲げ部分71cを有し、2層目のリードフレーム32の面方向の位置決めを行う。
具体的には、いわゆる桁橋状で下方に開口を有し、主桁に相当する部分の板状部71aと、橋台に相当する柱部71bで構成されている。本実施形態では、位置決め部材71は2層リードフレーム32を跨ぐように配置され、U相、V相、W相の三相分のそれぞれの2層リードフレーム32が収まる構造となっている(図3参照。)。
具体的には、いわゆる桁橋状で下方に開口を有し、主桁に相当する部分の板状部71aと、橋台に相当する柱部71bで構成されている。本実施形態では、位置決め部材71は2層リードフレーム32を跨ぐように配置され、U相、V相、W相の三相分のそれぞれの2層リードフレーム32が収まる構造となっている(図3参照。)。
また、前後方向の位置抑制として、図4、図5に示すように、位置決め部材71は、2の層目リードフレーム32に溝部3aが設けられ、1層目のリードフレーム31に穴部3bが設けられ、溝部3a及び穴部3bに配置される。
溝部3aは、図4に示すように、2層目のリードフレーム32上方に形成されている。この溝部3aは、位置合わせ用としての位置決め部材71の板状部71aの下方が嵌めこまれ収まる形状と寸法に切り欠かれおり、位置ずれがしにくい構造となっている。
溝部3aは、図4に示すように、2層目のリードフレーム32上方に形成されている。この溝部3aは、位置合わせ用としての位置決め部材71の板状部71aの下方が嵌めこまれ収まる形状と寸法に切り欠かれおり、位置ずれがしにくい構造となっている。
柱部71bは、図5に示すように、2層目のリードフレーム32の幅と同等の寸法間隔で、その2層目のリードフレーム32を挟むように立っている。
また、図5に示すように、1層目のリードフレーム31上に、柱部71bに合った矩形状の穴部3bが形成されており固定されることで、この位置合わせに対して、位置決め中継点部材7そのものの位置ずれができない構造となっている。
また、図5に示すように、1層目のリードフレーム31上に、柱部71bに合った矩形状の穴部3bが形成されており固定されることで、この位置合わせに対して、位置決め中継点部材7そのものの位置ずれができない構造となっている。
これらの溝部3aと穴部3bが位置決め部材71との嵌合により、タイバーで接続されていない2層目のリードフレーム32は、平面方向(X方向、Y方向)に安定性が増し、3相同時に固定する場合に実装性が向上させることができる。
すなわち、本願発明は、従来のパワーモジュールよりも小型化を図ると共に、2層目のリードフレーム32を生産時に安定して位置を出す部品として追加されるだけで済み、半導体モジュールの大幅な設計変更をしなくても良い。
すなわち、本願発明は、従来のパワーモジュールよりも小型化を図ると共に、2層目のリードフレーム32を生産時に安定して位置を出す部品として追加されるだけで済み、半導体モジュールの大幅な設計変更をしなくても良い。
また、位置決め部材71は、図6乃至図8に示すように、3つの2層目のリードフレーム32を同時に一位置決めするのではなく、別々に位置決めすることもできる。すなわち、位置決め部材71は、3相同時ではなく、1相ごとに固定することができる。
1相ごとに固定する位置決め部材71は、図1の3相の内の1相分だけ固定する場合を図6に示している。また、図2の3相の内の1相分だけを固定する場合を図7に示している。また、図3の3相の内の1相分だけを固定した場合を図8に示している。なお、これら図6乃至図8において、共通する符号は同じ符号を用いている。
これらの図6乃至図8において、1相ごとに固定する位置決め部材71は、いわゆる桁橋状で正面視下方に開口を有し、2層目のリードフレーム32の幅より幅の広いコの字型曲げ部分71cを有し、跨ぐように配置され、一相分のリードフレーム3を収める構造となっている。
これらの図6乃至図8において、1相ごとに固定する位置決め部材71は、いわゆる桁橋状で正面視下方に開口を有し、2層目のリードフレーム32の幅より幅の広いコの字型曲げ部分71cを有し、跨ぐように配置され、一相分のリードフレーム3を収める構造となっている。
また、位置決め部材71は、前後方向の位置抑制のために、2層目のリードフレーム32に溝部3aが設けられ、1層目のリードフレーム31上に柱部71bに合った矩形状の穴部3bが設けられ、当該溝部3a及び穴部3bに配置され、これらの固定構造によって位置決めされる。
次に、パワー半導体素子22等と信号リードフレーム33とのボンディングワイヤの配線における中継点部材72の説明を行う。
位置決め中継点部材7の中継点部材72は、図1に示されるように、位置決め部材71の上側位置(図1のZ方向)に、はんだ付けまたは接着固定により実装される。本実施形態での中継点部材72は、位置決め部材71上に縦に12個が並べられ、セラミック材料を素体とし、表面に導電性材料でなる電極を有している。その電極は中継点部材72の片面または両面どちらに形成されてもよい。片面の場合には接着剤で、両面の場合にははんだ付けで、位置決め部材71上に実装される。但し、両面電極の場合は、表裏の電極同士は電気的に絶縁している事が必要である。
位置決め中継点部材7の中継点部材72は、図1に示されるように、位置決め部材71の上側位置(図1のZ方向)に、はんだ付けまたは接着固定により実装される。本実施形態での中継点部材72は、位置決め部材71上に縦に12個が並べられ、セラミック材料を素体とし、表面に導電性材料でなる電極を有している。その電極は中継点部材72の片面または両面どちらに形成されてもよい。片面の場合には接着剤で、両面の場合にははんだ付けで、位置決め部材71上に実装される。但し、両面電極の場合は、表裏の電極同士は電気的に絶縁している事が必要である。
そして、長い配線ワイヤの場合、材料がアルミや金ワイヤを使ったボンディングワイヤ8により中継点部材72を中継して信号用リードフレーム33に配線される。
例えば、ボンディングワイヤ8の配線例として、中継点部材72が無い場合は、シャント抵抗9の上部両端と信号用リードフレーム33とがボンディングワイヤ8で直接配線されるが、中継点部材72が有る場合は、シャント抵抗9と中継点部材72とがボンディングワイヤ8aで配線され、さらに中継点部材72と信号用リードフレーム33とがボンディングワイヤ8bで配線される(図9参照。)。すなわち、長い1本のボンディングワイヤ8がボンディングワイヤ8aとボンディングワイヤ8bに短い2本に分割され、ボンディングワイヤ8の配線長(ワイヤ長)を短くすることができる。
例えば、ボンディングワイヤ8の配線例として、中継点部材72が無い場合は、シャント抵抗9の上部両端と信号用リードフレーム33とがボンディングワイヤ8で直接配線されるが、中継点部材72が有る場合は、シャント抵抗9と中継点部材72とがボンディングワイヤ8aで配線され、さらに中継点部材72と信号用リードフレーム33とがボンディングワイヤ8bで配線される(図9参照。)。すなわち、長い1本のボンディングワイヤ8がボンディングワイヤ8aとボンディングワイヤ8bに短い2本に分割され、ボンディングワイヤ8の配線長(ワイヤ長)を短くすることができる。
このように、絶縁材料であるセラミックを主とし表面に導電性材料を形成した中継点部材72を用いて、ボンディングワイヤ8が中継点部材72の電極を中継することにより、1本あたりの配線長(ワイヤ長)を短くすることで、モールドを形成するときに、ボンディングワイヤ8が樹脂の流れる方向に押し流れてしまうことを阻止し、ボンディングワイヤ8自体の断線やボンディングワイヤ8間のショート発生を減らす効果を奏することができる。
次に、これまでの実施形態では、図2に示すように、位置決め中継点部材7の中継点部材72を縦に並べて成形していたが、三つの変形例について、図10から図12を用いて説明する。
なお、位置決め中継点部材7を、このように各種成形したことに伴い、中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なるもの、その他の構造は縦並びの説明内容と同じで重複するため説明を省略する。
なお、位置決め中継点部材7を、このように各種成形したことに伴い、中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なるもの、その他の構造は縦並びの説明内容と同じで重複するため説明を省略する。
第一の変形例は、図10のように、中継点部材72の形状を横方向に長い横置きに成形したものである。これにより、ボンディングワイヤ8の接続方向が主に左右である場合に有効である。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、X方向に幅広くに肉厚に形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている点が本実施形態と異なる。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、X方向に幅広くに肉厚に形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている点が本実施形態と異なる。
第二の変形例は、図11のように、中継点部材72を縦置き6個と横置き2個組を4個とを複合させた十字文字形状であって、2つの中継点部材72の間隔を置いて横並びにしたものである。これにより、複数の部品間を接続しやすくすることができる。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、中継点部材72の横並び部分がX方向に長くに形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なる。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、中継点部材72の横並び部分がX方向に長くに形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なる。
第三の変形例として、図12のように、中継点部材72を縦置き6個と横置き4個とを複合させた十字文字形状であって、中継点部材72の内、横置き4個の中継箇所の寸法を長くして中継面を広くしている。このように中継箇所をボンディングワイヤ8のワイヤ方向に長くしたことにより、この長さ分のボンディングワイヤ8の配線ピッチを短くでき、ワイヤ長を抑制することができる。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、中継点部材72の横並び部分がX方向に長くに形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なる。
なお、位置決め中継点部材7を、このように成形したことに伴い、中継点部材72の横並び部分がX方向に長くに形成される点が中継点部材72を縦方向に並べている本実施形態と異なる。
以上の各変形によれば、半導体モジュールの立体配線構造に適応した中継点の形状とすることで、モールドを形成するときのボンディングワイヤ8自体の断線やボンディングワイヤ8相互間の電気ショート発生を減らすことができる。
なお、上述の実施形態は本発明の好適な実施の一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。
本発明は、各種産業機械や各種駆動装置、さらには、これらが搭載された車両などにおける半導体モジュールに適用して好適である。
1 半導体モジュール
2 パワー半導体素子
3 リードフレーム
3a 溝部
3b 穴部
5 はんだ
6 バスバ
7 位置決め中継点部材
8 ボンディングワイヤ
9 シャント抵抗
21 1層目のパワー半導体素子
22 2層目のパワー半導体素子
31 1層目のリードフレーム
32 2層目のリードフレーム
33 信号用リードフレーム
71 位置決め部材
72 中継点部材
2 パワー半導体素子
3 リードフレーム
3a 溝部
3b 穴部
5 はんだ
6 バスバ
7 位置決め中継点部材
8 ボンディングワイヤ
9 シャント抵抗
21 1層目のパワー半導体素子
22 2層目のパワー半導体素子
31 1層目のリードフレーム
32 2層目のリードフレーム
33 信号用リードフレーム
71 位置決め部材
72 中継点部材
Claims (4)
- 半導体モジュールにおいて、
内部配線部材のリードフレームが2層の立体配線構造であり、
2層目のリードフレームの面方向の位置決めを行う位置決め部材を備えたことを特徴する半導体モジュール。 - 前記位置決め部材は、下方に開口を有し、2層目リードフレームの幅より幅の広いコの字型曲げ部分を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記位置決め部材は、前記2の層目リードフレームに溝部が設けられ、1層目のリードフレームに穴部が設けられ、前記位置決め部材は、前記溝部及び前記穴部に配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体モジュール。
- 前記位置決め部材の上方には、ボンディングワイヤを中継する中継点部材を備えていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体モジュール。
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