JP2018133383A - 波長可変光源の制御装置および制御方法 - Google Patents
波長可変光源の制御装置および制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018133383A JP2018133383A JP2017024678A JP2017024678A JP2018133383A JP 2018133383 A JP2018133383 A JP 2018133383A JP 2017024678 A JP2017024678 A JP 2017024678A JP 2017024678 A JP2017024678 A JP 2017024678A JP 2018133383 A JP2018133383 A JP 2018133383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage source
- optical amplifier
- current
- semiconductor optical
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 192
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 147
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る波長可変光源の制御装置の制御ブロックを示す図である。
図1に示すように、波長可変光源100は、レーザモジュール10と制御装置20とに大きく分けられる。レーザモジュール10は、制御装置20からの制御に応じて所望の波長および強度のレーザ光を出力し、後段の通信機器等に当該レーザ光を供給する。制御装置20は、例えばユーザーインターフェイスを備えた上位の制御装置と接続されており、当該上位の制御装置を介したユーザーからの指示に従って、レーザモジュール10を制御する。なお、制御装置20を構成する回路基板上にレーザモジュール10を載置して、レーザモジュール10と制御装置20とを一体的にモジュール化することも可能である。
IrevR+IrevRon_max≦V3−Vrev
ImaxR+ImaxRon_max≧V1+V3
ここで、実施形態に係る波長可変光源における波長変更時の制御方法について説明する。図3は、波長変更時の制御方法の手順を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、理解を容易ならしめるために図2に示した構成を参照するが、以下に説明する制御方法は、後に開示される実施形態においても同様に適用され得る。
ここで、本実施形態の効果を検証するために比較例との比較を行う。図4は、比較例に係る光増幅器制御回路の回路構成を概略的に示す図である。図5は、比較例に係る光増幅器制御回路における波長変更時のタイミングチャートであり、図6は、第1実施形態に係る光増幅器制御回路における波長変更時のタイミングチャートである。図2と図4とを比較すると解るように、比較例に係る光増幅器制御回路30aは、実施形態に係る光増幅器制御回路30から第1電流抑制手段34を取り除いたものであり、その他の構成については第1実施形態に係る光増幅器制御回路30と同じであるのでその説明は省略する。
ここで、第2実施形態に係る波長可変光源の制御装置について説明する。第2実施形態に係る波長可変光源の制御装置は、光増幅器制御回路の構成以外は第1実施形態と同じであるので、ここでは、第2実施形態に係る光増幅器制御回路の構成および波長変更時のタイミングチャートのみ開示する。
ここで、第3実施形態に係る波長可変光源の制御装置について説明する。第3実施形態に係る波長可変光源の制御装置は、光増幅器制御回路の構成以外は第1実施形態と同じであり、制御タイミングも同じであるので、ここでは、第3実施形態に係る光増幅器制御回路の構成のみ開示する。
10 レーザモジュール
11 熱電素子
12 温度監視素子
13 半導体レーザ素子アレイ
14 アレイ導波路回折格子
15 半導体光増幅器
16 第1光検出器
17 第2光検出器
18 第3光検出器
19 波長依存素子
20 制御装置
21 デジタル演算器
22 レーザ素子制御回路
23 温度制御回路
30,30a,30b,30c 光増幅器制御回路
31 第1電流制御素子
32 第1電流遮断素子
33 第1フィルタ
34 第1電流抑制手段
35 デジタル―アナログ変換器
36 第2フィルタ
37 第2電流遮断素子
38 第3電流遮断素子
39 第2電流抑制手段
Claims (6)
- 半導体レーザ素子と前記半導体レーザ素子が発振するレーザ光を増幅する半導体光増幅器とを有する波長可変光源の制御装置であって、
第1電圧源と、
前記第1電圧源よりも電位が低い第2電圧源と、
前記第2電圧源よりも電位が低いまたは等しい第3電圧源と、
前記第1電圧源と前記半導体光増幅器との間の回路に配置され、前記第1電圧源から前記半導体光増幅器を介して前記第2電圧源に流れる電流を制御する第1電流制御素子と、
前記第3電圧源と前記半導体光増幅器との間の回路に配置され、少なくとも前記第1電圧源から前記第3電圧源に流れる電流を遮断する第1電流遮断素子と、
前記第1電圧源と前記半導体光増幅器との間かつ前記第1電圧源と前記第3電圧源との間の回路に配置される第1のローパスフィルタと、
前記第3電圧源と前記半導体光増幅器との間かつ前記第1電圧源と前記第3電圧源との間の回路に配置され、前記第1電圧源から前記第3電圧源に流れる電流を抑制する第1電流抑制手段と、
を備えることを特徴とする波長可変光源の制御装置。 - 前記第2電圧源は、接地電源であり、前記第3電圧源は、負電圧源である、ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変光源の制御装置。
- 前記第2電圧源よりも電位が高い第4電圧源と、
前記第4電圧源と前記半導体光増幅器との間の回路に配置され、前記第4電圧源から前記半導体光増幅器に流れる電流を遮断する第2電流遮断素子と、
前記第2電圧源と前記半導体光増幅器との間かつ前記第4電圧源と前記第2電圧源との間の回路に配置され、前記第4電圧源から前記第2電圧源へ流れる電流を遮断する第3電流遮断素子と、
前記第4電圧源と前記半導体光増幅器との間かつ前記第4電圧源と前記第2電圧源との間の回路に配置され、前記第4電圧源から前記第2電圧源に流れる電流を抑制する第2電流抑制手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の波長可変光源の制御装置。 - 前記第1電圧源および前記第4電圧源は、電位が等しく、
前記第2電圧源および前記第3電圧源は、接地電源である、
ことを特徴とする請求項3に記載の波長可変光源の制御装置。 - 前記第1電流制御素子の応答性を調節する第2のローパスフィルタを備えることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載の波長可変光源の制御装置。
- 請求項1から請求項5の何れか1項に記載の波長可変光源の制御装置を用いた波長可変光源の制御方法であって、
前記第1電流制御素子を制御して前記半導体光増幅器に流れる電流を停止する駆動電流停止ステップと、
前記第1電流遮断素子を導通して前記半導体光増幅器に逆バイアス電圧を印加する逆バイアス印加ステップと、
前記半導体レーザ素子が発振するレーザ光の波長を変更するチューニングステップと、
前記第1電流遮断素子を遮断して前記半導体光増幅器の逆バイアス電圧の印加を解除する逆バイアス解除ステップと、
前記第1電流制御素子を制御して前記半導体光増幅器に流れる電流を再開する駆動電流再開ステップと、
を有することを特徴とする波長可変光源の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017024678A JP6815885B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 波長可変光源の制御装置および制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017024678A JP6815885B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 波長可変光源の制御装置および制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018133383A true JP2018133383A (ja) | 2018-08-23 |
JP6815885B2 JP6815885B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=63247600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017024678A Active JP6815885B2 (ja) | 2017-02-14 | 2017-02-14 | 波長可変光源の制御装置および制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6815885B2 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352194A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nec Corp | 光子送信器およびその制御方法と光子通信システム |
JP2008067369A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 切換装置 |
JP2009123985A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザ光発生装置 |
JP2009177140A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | 波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置 |
JP2011249617A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
JP2012222170A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
US8970948B2 (en) * | 2012-09-12 | 2015-03-03 | Innovative Photonic Solutions, Inc. | Method and system for operating semiconductor optical amplifiers |
JP2015144191A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 波長可変レーザの波長切り替え方法 |
-
2017
- 2017-02-14 JP JP2017024678A patent/JP6815885B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352194A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nec Corp | 光子送信器およびその制御方法と光子通信システム |
JP2008067369A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 切換装置 |
JP2009123985A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Fujitsu Ltd | 波長可変レーザ光発生装置 |
JP2009177140A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | 波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置 |
JP2011249617A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
JP2012222170A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Fujitsu Ltd | 光増幅装置 |
US8970948B2 (en) * | 2012-09-12 | 2015-03-03 | Innovative Photonic Solutions, Inc. | Method and system for operating semiconductor optical amplifiers |
JP2015144191A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 波長可変レーザの波長切り替え方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6815885B2 (ja) | 2021-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9020363B2 (en) | Optical transmitter | |
US7589889B2 (en) | Transient optical power suppressing apparatus, method, and network | |
EP2234224A2 (en) | Wavelength variable light source system | |
US20160204569A1 (en) | Wavelength tunable optical transmitter | |
JP2009004903A (ja) | 光データリンク及び光出力制御方法 | |
JP3989430B2 (ja) | 光増幅方法、その装置およびその装置を用いた光増幅中継システム | |
JP4103287B2 (ja) | Dfbレーザ駆動装置、dfbレーザ駆動方法、及び記憶媒体 | |
US20090316739A1 (en) | Optical wavelength control circuit and method | |
US20090154506A1 (en) | Tunable laser module | |
JP4491184B2 (ja) | 発光モジュールの温度制御回路 | |
JP3795762B2 (ja) | 光出力制御回路 | |
JP6815885B2 (ja) | 波長可変光源の制御装置および制御方法 | |
US10551642B2 (en) | Tunable light source, optical module, and method for controlling tunable light source | |
JP2020047957A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
JP6741034B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US6549549B2 (en) | Method of stabilizing the wavelength of lasers and a wavelength monitor | |
JP5473451B2 (ja) | 光送信器、安定化光源およびレーザダイオードの制御方法 | |
JP2013077801A (ja) | 波長可変半導体レーザの制御方法 | |
JP6550005B2 (ja) | 光源制御方法および光源制御装置 | |
JP6713767B2 (ja) | 光増幅装置および光増幅方法 | |
JP6278886B2 (ja) | レーザダイオードの温度制御回路、光送信器およびレーザダイオードの温度制御方法 | |
JP2004134576A (ja) | 波長可変型光源、光送信装置および波長制御方法 | |
JP2007329212A (ja) | 光送信器および光送信方法 | |
JP5995913B2 (ja) | 波長可変レーザ素子の制御方法および波長可変レーザ装置 | |
JP2009070852A (ja) | 光送信機の制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201223 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6815885 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |