JP2018123254A - Adhesive sheet for producing semiconductor device, and method for producing semiconductor device using the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet that can be bonded to an object and can be easily peeled off, satisfactorily and stably, even when heated.SOLUTION: An adhesive layer contains a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin having a structure represented by formula (1) (b), a compound containing two or more maleimide groups (c), and a reactive siloxane compound (d).SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、QFN(Quad Flat Non−lead)方式により半導体装置を組み立てる際にマスクテープとして好適に使用される接着シートと、それを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet suitably used as a mask tape when a semiconductor device is assembled by a QFN (Quad Flat Non-lead) method, and a method of manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet.

近年、携帯電話を始めとするIT機器の小型化、薄型化、多機能化の要求に対し、半導体装置(半導体パッケージ)におけるさらなる高密度実装技術の必要性が高まっている。
この要求に応えるCSP(Chip Size Package)技術として、QFN方式が注目され(特許文献1および特許文献2参照。)、特に100ピン以下の少ピンタイプにおいては広く採用されている。
In recent years, the demand for further high-density mounting technology in semiconductor devices (semiconductor packages) has been increasing in response to demands for downsizing, thinning, and multi-functionalization of IT devices such as mobile phones.
As a CSP (Chip Size Package) technology that meets this requirement, the QFN method has attracted attention (see Patent Document 1 and Patent Document 2), and is widely used particularly in a small pin type of 100 pins or less.

ここで、QFN方式による一般的なQFNパッケージの組立方法として、概略下記の方法が知られている。まず、貼着工程において、リードフレームの一方の面に接着シートを貼着し、次いで、ダイアタッチ工程において、リードフレームに複数形成された半導体素子搭載部(ダイパッド部)に、ICチップ等の半導体素子を各々搭載する。次に、ワイヤボンディング工程において、リードフレームの各半導体素子搭載部の外周に沿って配設された複数のリードと半導体素子とをボンディングワイヤにより電気的に接続する。次に、封止工程において、リードフレームに搭載された半導体素子を封止樹脂により封止する。その後、剥離工程において、接着シートをリードフレームから剥離することにより、複数のQFNパッケージが配列されたQFNユニットを形成することができる。最後に、ダイシング工程において、このQFNユニットを各QFNパッケージの外周に沿ってダイシングすることにより、複数のQFNパッケージを製造できる。   Here, the following method is generally known as a general method of assembling a QFN package by the QFN method. First, in the attaching step, an adhesive sheet is attached to one surface of the lead frame, and then in the die attaching step, a plurality of semiconductor element mounting portions (die pad portions) formed on the lead frame are attached to a semiconductor such as an IC chip. Each element is mounted. Next, in the wire bonding step, the plurality of leads arranged along the outer periphery of each semiconductor element mounting portion of the lead frame and the semiconductor elements are electrically connected by bonding wires. Next, in the sealing step, the semiconductor element mounted on the lead frame is sealed with a sealing resin. Thereafter, in the peeling step, the QFN unit in which a plurality of QFN packages are arranged can be formed by peeling the adhesive sheet from the lead frame. Finally, in the dicing step, a plurality of QFN packages can be manufactured by dicing the QFN unit along the outer periphery of each QFN package.

このような用途に使用される接着シートには、剥離工程の前まではリードフレームの裏面および封止樹脂の裏面から剥がれることなく十分かつ安定に貼着し、かつ、剥離工程では容易に剥離でき、リードフレームの裏面や封止樹脂の裏面に接着剤が残留する糊残りや、接着シートの破断などの不都合がないものであることが要求される。
特に近年は、半導体装置のコスト低減のために銅合金からなるリードフレームが使用されるようになっている。このような銅合金からなるリードフレームは、遷移金属である銅の高分子材料に対する酸化劣化の触媒作用もあり、テーピング工程後のQFNパッケージ組み立てに伴う熱履歴により、接着剤が酸化劣化されやすく、シート剥離時に重剥離及び糊残りしやすくなる。
Adhesive sheets used in such applications can be sufficiently and stably attached to the adhesive sheet without peeling from the back surface of the lead frame and the back surface of the sealing resin before the peeling process, and can be easily peeled off in the peeling process. It is required that there is no inconvenience such as adhesive residue remaining on the back surface of the lead frame and the back surface of the sealing resin, and breakage of the adhesive sheet.
Particularly in recent years, lead frames made of copper alloys have been used to reduce the cost of semiconductor devices. The lead frame made of such a copper alloy also has a catalytic action of oxidative degradation to the copper polymer material which is a transition metal, and the adhesive is likely to be oxidatively degraded due to the thermal history accompanying the QFN package assembly after the taping process, Heavy peeling and adhesive residue are likely to occur when the sheet is peeled off.

しかしながら、従来使用されていた接着シートは、銅合金からなるリードフレームに使用できる実用レベルを十分に満足するものではなかった。
例えば、従来の接着シートには、耐熱性フィルムからなる基材に、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体とビスマレイミド樹脂とを含有する接着剤層が積層した形態のものがあるが(特許文献3参照。)、これを使用した場合、テーピング工程後のダイアタッチキュア処理、ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程で加えられる熱により、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体が劣化しやすく、剥離工程において、剥離困難となったり、接着シートが破断したり、糊残りが生じる、という問題を有していた。
However, the conventionally used adhesive sheet does not sufficiently satisfy a practical level that can be used for a lead frame made of a copper alloy.
For example, a conventional adhesive sheet has a form in which an adhesive layer containing an acrylonitrile-butadiene copolymer and a bismaleimide resin is laminated on a base material made of a heat resistant film (see Patent Document 3). When this is used, the acrylonitrile-butadiene copolymer is likely to deteriorate due to the heat applied in the die attach curing process, the wire bonding process, and the resin sealing process after the taping process, making it difficult to remove in the peeling process. Or the adhesive sheet breaks or adhesive residue occurs.

特開2003−165961号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-165961 特開2005−142401号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-142401 特開2008−095014号公報JP 2008-095014 A

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、剥離工程の前までは、QFN組み立てに伴う熱履歴を受けても、リードフレームの裏面および封止樹脂の裏面から剥がれることなくこれらに十分かつ安定に貼着し、封止樹脂の漏れもなく、しかも、剥離工程では容易に剥離でき、接着剤が残留する糊残りが生じたり破断したりしない接着シートと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and until the peeling step, even if it receives a thermal history associated with the QFN assembly, it is sufficiently and stable without being peeled off from the back surface of the lead frame and the back surface of the sealing resin. Adhesive sheet that adheres to the substrate, has no leakage of sealing resin, and can be easily peeled off in the peeling step, and no adhesive residue remains or breaks, and a semiconductor device manufacturing method using the same It is an issue to provide.

本発明の半導体装置製造用接着シートは、基材と、該基材の一方の面に設けられた熱硬化型の接着剤層とを備え、半導体装置のリードフレーム又は配線基板に剥離可能に貼着される半導体装置製造用接着シートにおいて、前記接着剤層は、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)と、下記構造式(1)を有するエポキシ樹脂(b)と、マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)と、反応性シロキサン化合物(d)とを含有することを特徴とする。   The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes a base material and a thermosetting adhesive layer provided on one surface of the base material, and is detachably attached to a lead frame or a wiring board of the semiconductor device. In the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device to be attached, the adhesive layer comprises a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), and a maleimide group. It contains a compound (c) containing at least one and a reactive siloxane compound (d).

Figure 2018123254
Figure 2018123254

また、前記(a)成分は、アクリロニトリル含有量が5〜50質量%で、かつ、数平均分子量から算出されるカルボキシル基当量が100〜20000のカルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体であることが好ましい。   The component (a) is a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer having an acrylonitrile content of 5 to 50% by mass and a carboxyl group equivalent calculated from the number average molecular weight of 100 to 20000. preferable.

前記(a)成分100質量部に対し、前記(b)成分と前記(c)成分と前記(d)成分との合計が30〜300質量部であることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記記載の半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム又は配線基板に半導体装置製造用接着シートを貼着する貼着工程と、
前記リードフレーム又は配線基板に半導体素子を搭載するダイアタッチ工程と、
前記半導体素子と外部接続端子とを導通させるワイヤボンディング工程と、
前記半導体素子を封止樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程の後、半導体装置製造用接着シートをリードフレーム又は配線基板から剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする。
The total of the component (b), the component (c), and the component (d) is preferably 30 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (a).
Moreover, the manufacturing method of the semiconductor device of this invention is a manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor device manufacture described above,
An adhering step of adhering an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device to a lead frame or a wiring board;
A die attach step of mounting a semiconductor element on the lead frame or the wiring substrate;
A wire bonding step for conducting the semiconductor element and the external connection terminal;
A sealing step of sealing the semiconductor element with a sealing resin;
After the sealing step, a peeling step of peeling the semiconductor device manufacturing adhesive sheet from the lead frame or the wiring board is provided.

本発明によれば、剥離工程の前までは、QFN組み立てに伴う熱履歴を受けても、リードフレームの裏面および封止樹脂の裏面から剥がれることなくこれらに十分かつ安定に貼着し、封止樹脂の漏れもなく、しかも、剥離工程では容易に剥離でき、接着剤が残留する糊残りが生じたり破断したりしない接着シートと、これに用いた半導体装置の製造方法を提供できる。   According to the present invention, before the peeling process, even if it receives a thermal history associated with QFN assembly, it is sufficiently and stably attached to the back surface of the lead frame and the back surface of the sealing resin, and sealed. It is possible to provide an adhesive sheet that does not leak resin, can be easily peeled off in the peeling step, and does not cause adhesive residue in which adhesive remains or breaks, and a method of manufacturing a semiconductor device used therefor.

本発明の半導体装置の製造方法に用いられるリードフレームの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the lead frame used for the manufacturing method of the semiconductor device of this invention. 本発明の半導体装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device of this invention.

以下、本発明について詳細に説明する。
[半導体装置製造用接着シート]
本発明の半導体装置製造用接着シート(以下、接着シートという)は、基材と、該基材の一方の面に設けられた熱硬化型の接着剤層とを備え、半導体装置のリードフレーム又は配線基板に剥離可能に貼着される接着シートにおいて、前記接着剤層は、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)と、下記構造式(1)を有するエポキシ樹脂(b)と、マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)と、反応性シロキサン化合物(d)とを含有するものであって、QFN方式により半導体装置を組み立てる際にマスクテープとして使用される。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[Adhesive sheet for manufacturing semiconductor devices]
An adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention (hereinafter referred to as an adhesive sheet) includes a base material and a thermosetting adhesive layer provided on one surface of the base material. In the adhesive sheet that is detachably attached to the wiring board, the adhesive layer includes a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), and maleimide It contains a compound (c) containing two or more groups and a reactive siloxane compound (d), and is used as a mask tape when assembling a semiconductor device by the QFN method.

Figure 2018123254
Figure 2018123254

カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)は、加熱初期における接着剤層の溶融粘度を適度に維持する役割などを果たすとともに、硬化した接着剤層に対して良好な柔軟性、接着性を付与するものであって、これを含有することによって、耐熱性フィルムなどからなる基材への密着性がよく、割れのない接着剤層を形成することができる。カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)としては、公知のものを制限なく使用できるが、アクリロニトリル含有量が5〜50質量%のものが好ましく、10〜40質量%のものがより好ましい。アクリロニトリル含有量が上記範囲未満であると、溶媒への溶解性や他の成分との相溶性が低下するため、得られる接着剤層の均一性が低下する傾向がある。一方、アクリロニトリル含有量が上記範囲を超えると、得られる接着剤層はリードフレームや封止樹脂への接着性が過度となり、これを接着シートに使用した場合、剥離工程での剥離が困難となったり、接着シートが破断したりする可能性がある。   The carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a) plays a role of appropriately maintaining the melt viscosity of the adhesive layer in the initial stage of heating and has good flexibility and adhesion to the cured adhesive layer. By providing and containing this, it is possible to form an adhesive layer that has good adhesion to a substrate made of a heat-resistant film or the like and that does not crack. As the carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), known ones can be used without limitation, but those having an acrylonitrile content of 5 to 50% by mass are preferred, and those having 10 to 40% by mass are more preferred. When the acrylonitrile content is less than the above range, the solubility in a solvent and the compatibility with other components are lowered, and the uniformity of the resulting adhesive layer tends to be lowered. On the other hand, when the acrylonitrile content exceeds the above range, the resulting adhesive layer becomes excessively adherent to the lead frame and the sealing resin, and when this is used for an adhesive sheet, it becomes difficult to peel in the peeling step. Or the adhesive sheet may break.

カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体における数平均分子量から算出されるカルボキシル基当量は100〜20000の範囲のものが好ましく、200〜10000のものがより好適である。カルボキシル基当量が上記範囲未満であると、他の成分との反応性が高くなりすぎ、得られる接着剤層の保存安定性が低下する傾向にある。一方、カルボキシル基当量が上記範囲を超えると、他の成分との反応性が不足するため、得られる接着剤層は、低Bステージとなりやすい。その結果、これを接着シートに使用した場合、加熱初期、すなわち接着シートの貼着工程や、ダイアタッチキュア処理などにおいて、接着シートが加熱された際に、接着剤層が低粘度化し、接着剤層で発泡を起こしたり、流れ出したりしやすく、熱安定性が低下する傾向にある。
なお、数平均分子量から算出されるカルボキシル基当量とは、数平均分子量(Mn)を1分子当たりのカルボキシル基数(官能基数)で除したものであって、下記式で示される。
カルボキシル基当量=Mn/官能基数
The carboxyl group equivalent calculated from the number average molecular weight in the carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer is preferably in the range of 100 to 20000, more preferably 200 to 10,000. When the carboxyl group equivalent is less than the above range, the reactivity with other components becomes too high, and the storage stability of the resulting adhesive layer tends to be lowered. On the other hand, when the carboxyl group equivalent exceeds the above range, the reactivity with other components is insufficient, so that the resulting adhesive layer tends to be a low B stage. As a result, when this is used for an adhesive sheet, the adhesive layer is reduced in viscosity when the adhesive sheet is heated in the initial stage of heating, that is, in the adhesive sheet sticking process or die attach curing process. The layer tends to foam or flow out, and the thermal stability tends to decrease.
The carboxyl group equivalent calculated from the number average molecular weight is obtained by dividing the number average molecular weight (Mn) by the number of carboxyl groups (number of functional groups) per molecule, and is represented by the following formula.
Carboxyl group equivalent = Mn / number of functional groups

エポキシ樹脂(b)とマレイミド基を2個以上含有する化合物(c)は、接着剤層の熱硬化性を担うものであって、これらを併用することにより、熱安定性に優れ、しかも、剥離工程では容易に剥離でき、糊残りや破断が生じない接着剤層を形成することができる。特にエポキシ樹脂(b)は、接着剤層に対して靱性を付与するものであって、これを含有することによって、剥離工程で接着剤層が割れることによる糊残りを抑えることができる。   The epoxy resin (b) and the compound (c) containing two or more maleimide groups are responsible for the thermosetting property of the adhesive layer, and by using these in combination, they are excellent in thermal stability and are peelable. In the process, an adhesive layer that can be easily peeled off and does not cause adhesive residue or breakage can be formed. In particular, the epoxy resin (b) imparts toughness to the adhesive layer. By containing this, the adhesive residue due to the cracking of the adhesive layer in the peeling step can be suppressed.

マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)は、接着剤層に対して熱安定性を付与するとともに、接着剤層の接着性を調整する作用を奏し、これを含有することによって、接着性が適度に制御され、剥離工程で容易に剥離できる接着剤層を形成することができる。
マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)の具体例としては、ビスマレイミド樹脂を構成する化合物が好ましく使用され、下記式(2−1)〜(2−3)のものなどが挙げられるが、中でも特に下記式(2−1)または(2−3)で示される化合物が溶媒に対する溶解性の点で有用である。
The compound (c) containing two or more maleimide groups imparts heat stability to the adhesive layer and also has an effect of adjusting the adhesiveness of the adhesive layer. Is appropriately controlled, and an adhesive layer that can be easily peeled in the peeling step can be formed.
As a specific example of the compound (c) containing two or more maleimide groups, a compound constituting a bismaleimide resin is preferably used, and examples thereof include those of the following formulas (2-1) to (2-3). Of these, the compound represented by the following formula (2-1) or (2-3) is particularly useful in terms of solubility in a solvent.

Figure 2018123254
Figure 2018123254

反応性シロキサン化合物(d)は、接着剤層を構成する各成分の相溶性を高めるとともに、接着剤層の封止樹脂からの剥離性を向上させるためのものであって、これを含有することによって、各成分が良好に相溶し、成分の分離、析出などの不都合のない均一な接着剤層を形成できる。その結果、接着剤層は接着強度が均一なものとなり、部分的に接着強度が高いことに起因する剥離性の低下、糊残りなどの不都合を抑制することができる。
反応性シロキサン化合物(d)としては、アミノ変性、エポキシ変性、カルボキシル変性、メルカプト変性等の反応基により反応性が付与されたシロキサン化合物が制限なく使用できる。これらのなかでも、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、アミノプロピル末端のジメチルシロキサン4量体または8量体、ビス(3−アミノフェノキシメチル)テトラメチルジシロキサンが(b)成分および(c)成分との反応が速やかに進行する点で好適である。反応性シロキサン化合物(d)としては、このようにシロキサン構造の両末端に反応基が結合したものを使用することが反応性の点から好ましいが、片末端のものや、末端の一方が反応性で他方が非反応性であるシランカップリング剤も使用できる。
The reactive siloxane compound (d) is for improving the compatibility of each component constituting the adhesive layer and improving the peelability of the adhesive layer from the sealing resin, and contains this Thus, each component can be satisfactorily compatible with each other, and a uniform adhesive layer free from inconveniences such as separation and precipitation of components can be formed. As a result, the adhesive layer has a uniform adhesive strength, and it is possible to suppress inconveniences such as a decrease in peelability and adhesive residue due to a partially high adhesive strength.
As the reactive siloxane compound (d), a siloxane compound imparted with reactivity by a reactive group such as amino modification, epoxy modification, carboxyl modification, mercapto modification and the like can be used without limitation. Among these, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, aminopropyl-terminated dimethylsiloxane tetramer or octamer, and bis (3-aminophenoxymethyl) tetramethyldisiloxane are (b ) Component and (c) component are preferred in that the reaction proceeds rapidly. As the reactive siloxane compound (d), it is preferable from the viewpoint of reactivity that the reactive group is bonded to both ends of the siloxane structure as described above, but one at one end or one at the end is reactive. A silane coupling agent in which the other is non-reactive can also be used.

なお、上述の(a)〜(d)の各成分としては、いずれも、1種の化合物から構成されたものを使用してもよいし、2種以上の化合物の混合物を使用してもよい。   In addition, as each component of said (a)-(d), all may consist of 1 type of compounds, and may use the mixture of 2 or more types of compounds. .

各成分の比率は、(a)成分100質量部に対し、(b)成分と(c)成分と(d)成分との合計が30〜300質量部であることが好ましく、30〜200質量部がより好ましい。(b)成分と(c)成分と(d)成分の合計が上記範囲未満であると、接着剤層の反応性が低下し、加熱によっても不溶不融化が進行しにくくなり、熱安定性が低下することにより接着力が強くなる傾向がある。一方、上記範囲を超えると、加熱初期における接着剤層の溶融粘度が不足し、この接着剤層を使用した接着シートでは、テーピング工程後のダイアタッチキュア処理などで、接着剤層が流れ出したり発泡したりするおそれがある。   As for the ratio of each component, it is preferable that the sum total of (b) component, (c) component, and (d) component is 30-300 mass parts with respect to 100 mass parts of (a) component, 30-200 mass parts Is more preferable. When the sum of the component (b), the component (c), and the component (d) is less than the above range, the reactivity of the adhesive layer is lowered, and insolubility and infusibilization are difficult to proceed even by heating, and the thermal stability is improved. There exists a tendency for adhesive force to become strong by reducing. On the other hand, when the above range is exceeded, the melt viscosity of the adhesive layer at the initial stage of heating is insufficient, and in the adhesive sheet using this adhesive layer, the adhesive layer flows out or foams due to die attach curing treatment after the taping process. There is a risk of doing so.

さらに、(b)成分に対する(c)成分の質量比((c)/(b))は、0.1〜10の範囲が好ましい。上記範囲未満では、得られる接着剤層は常温での硬化反応が進行し易くなり保存安定性が乏しくなる場合や、接着力が強くなりすぎて、これを使用した接着シートは剥離工程で剥離不能となったり、破断したりするおそれがある。一方、上記範囲を超えると、接着シートの製造時において、この接着剤層と耐熱性フィルムからなる基材との接着性が低下する場合や、接着剤層が発泡したり、得られた接着シートが糊残りしやすいものとなる傾向がある。   Furthermore, the mass ratio ((c) / (b)) of the component (c) to the component (b) is preferably in the range of 0.1 to 10. If it is less than the above range, the resulting adhesive layer is likely to undergo a curing reaction at room temperature, resulting in poor storage stability, or the adhesive strength becomes too strong, and an adhesive sheet using this cannot be peeled off in the peeling step. Or may break. On the other hand, if the above range is exceeded, when the adhesive sheet is produced, when the adhesiveness between the adhesive layer and the substrate made of the heat-resistant film is reduced, the adhesive layer is foamed, or the obtained adhesive sheet There is a tendency that glue tends to remain.

さらに、(b)成分のエポキシ基数と(c)成分のマレイミド基数との合計に対する(d)成分の反応基数の比が0.05〜1.2であることが好ましく、より好ましくは0.1〜0.8である。上記範囲未満では、接着剤層全体としての反応性が低下して、ダイアタッチキュア処理などで硬化反応が進行し難くなり、その結果、接着力が強くなりすぎる場合がある。一方、上記範囲を超えると、反応が過剰に進行しすぎて、接着剤層の調製時にゲル化などの問題が起こりやすく、接着力が弱くなりやすい。   Furthermore, the ratio of the number of reactive groups in component (d) to the total number of epoxy groups in component (b) and maleimide groups in component (c) is preferably 0.05 to 1.2, more preferably 0.1. ~ 0.8. If it is less than the said range, the reactivity as the whole adhesive bond layer will fall, and it will become difficult for hardening reaction to advance by the die attach cure process etc., As a result, adhesive force may become strong too much. On the other hand, when the above range is exceeded, the reaction proceeds excessively, and problems such as gelation tend to occur during the preparation of the adhesive layer, and the adhesive strength tends to be weakened.

接着剤層には、(a)〜(d)の各必須成分の他に、有機過酸化物、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン等の反応促進剤を添加してもよい。これらの添加により、接着剤層の常温での状態を良好なBステージにコントロールすることも可能である。
さらに、溶融粘度のコントロール、熱伝導性向上、難燃性付与などの目的のために、平均粒径1μm以下のフィラーを添加してもよい。フィラーとしては、シリカ、アルミナ、マグネシア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化チタン、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム等の無機フィラー、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の有機フィラーなどが挙げられる。フィラーを使用する場合には、その含有量は、接着剤層中、1〜40質量%とすることが好ましい。
In addition to the essential components (a) to (d), a reaction accelerator such as an organic peroxide, imidazoles, or triphenylphosphine may be added to the adhesive layer. By adding these, it is also possible to control the state of the adhesive layer at room temperature to a good B stage.
Furthermore, a filler having an average particle size of 1 μm or less may be added for the purpose of controlling the melt viscosity, improving thermal conductivity, imparting flame retardancy, and the like. Examples of the filler include inorganic fillers such as silica, alumina, magnesia, aluminum nitride, boron nitride, titanium oxide, calcium carbonate, and aluminum hydroxide, and organic fillers such as silicone resin and fluorine resin. When using a filler, it is preferable that the content shall be 1-40 mass% in an adhesive bond layer.

本発明の接着シートは、基材である耐熱性フィルムの片面に、上述の接着剤層が形成されたものである。
このような接着シートを製造する場合には、まず、少なくとも上述のカルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)、前記構造式(1)を有するエポキシ樹脂(b)、マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)及び反応性シロキサン化合物(d)と溶媒とからなる接着剤塗料を調製する。ついで、この塗料を耐熱性フィルムの片面に、乾燥後の接着剤層の厚さが好ましくは1〜50μm、より好ましくは3〜20μmになるように塗布し、乾燥すればよい。また、接着剤層の保護のために、形成された接着剤層上には、さらに剥離性の保護フィルムを設けることが好ましく、その場合には、保護フィルム上に塗料を塗布、乾燥して接着剤層を形成し、その上に耐熱性フィルムを設ける方法で接着シートを製造してもよい。なお、保護フィルムは、接着シートの使用時には剥離されるものである。
In the adhesive sheet of the present invention, the above-mentioned adhesive layer is formed on one side of a heat-resistant film as a base material.
When producing such an adhesive sheet, first, at least the carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), the epoxy resin (b) having the above structural formula (1), and two or more maleimide groups are used. An adhesive paint comprising a compound (c) and a reactive siloxane compound (d) and a solvent is prepared. Next, this coating material may be applied to one side of the heat-resistant film so that the thickness of the adhesive layer after drying is preferably 1 to 50 μm, more preferably 3 to 20 μm, and dried. In order to protect the adhesive layer, it is preferable to further provide a peelable protective film on the formed adhesive layer. In that case, a paint is applied on the protective film, and then dried and adhered. You may manufacture an adhesive sheet by the method of forming an agent layer and providing a heat resistant film on it. The protective film is peeled off when the adhesive sheet is used.

耐熱性フィルムとしては、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等からなる耐熱性プラスチックフィルム、エポキシ樹脂−ガラスクロス等の複合耐熱フィルム等が挙げられるが、特にポリイミドフィルムが好ましい。
ポリイミドフィルムの厚さは、12.5〜125μmが好ましく、より好ましくは25〜50μmである。上記範囲未満であると、接着シートのコシが不充分になって扱い難くなる傾向があり、上記範囲を超えると、QFN組み立て時のテーピング工程や剥離工程での作業が困難になる傾向がある。
Examples of heat resistant films include heat resistant plastic films made of polyimide, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and composite heat resistant films such as epoxy resin-glass cloth. However, a polyimide film is particularly preferable.
The thickness of the polyimide film is preferably 12.5 to 125 μm, more preferably 25 to 50 μm. If it is less than the above range, the adhesive sheet will have insufficient stiffness and tend to be difficult to handle, and if it exceeds the above range, work in the taping process or peeling process during QFN assembly tends to be difficult.

接着剤塗料に使用される溶媒としては、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エーテル類(テトラヒドロフランなど)等の有機溶剤、水等のうち1種以上を好ましく使用でき、その使用量は、塗料として適切な粘度となるように適宜調整すればよい。また、塗料の性状は、溶液、エマルジョン、サスペンジョンのいずれでもよく、使用する塗布装置および環境条件などに応じて適宜選択すればよい。   As the solvent used in the adhesive coating, one or more of organic solvents such as hydrocarbons, alcohols, ketones, ethers (such as tetrahydrofuran), water, etc. can be preferably used. And may be adjusted as appropriate so as to obtain an appropriate viscosity. The properties of the paint may be any of a solution, an emulsion, and a suspension, and may be appropriately selected according to the coating apparatus to be used and environmental conditions.

剥離性の保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル、フッ素系樹脂、シリコーン等のプラスチックフィルムや、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、紙等にシリコーン被覆等で剥離性を付与したものが挙げられる。   Examples of the peelable protective film include plastic films such as polyethylene, polypropylene, vinyl chloride, fluororesin, and silicone, and polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, paper, and the like that have been made peelable by silicone coating or the like.

[半導体装置の製造方法]
本発明の接着シートを用いた半導体装置の製造方法は、リードフレーム又は配線基板に接着シートを貼着する貼着工程と、リードフレーム又は配線基板に半導体素子を搭載するダイアタッチ工程と、半導体素子と外部接続端子とを導通させるワイヤボンディング工程と、半導体素子を封止樹脂で封止する封止工程と、封止工程の後、接着シートをリードフレーム又は配線基板から剥離する剥離工程とを備えるものである。
[Method for Manufacturing Semiconductor Device]
A manufacturing method of a semiconductor device using an adhesive sheet of the present invention includes an attaching step of attaching an adhesive sheet to a lead frame or a wiring substrate, a die attaching step of mounting a semiconductor element on the lead frame or the wiring substrate, and a semiconductor element A wire bonding step for conducting electrical connection with the external connection terminal, a sealing step for sealing the semiconductor element with a sealing resin, and a peeling step for peeling the adhesive sheet from the lead frame or the wiring substrate after the sealing step. Is.

以下、本発明の接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例について、図1〜2を参照して説明する。図1は、半導体素子を搭載する側から見たリードフレームの平面図であり、図2(a)〜(f)は、図1に示すリードフレームを用いてQFNパッケージを製造する方法を示す工程図であって、図1のリードフレームのA−A’断面図である。   Hereinafter, an example of the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet of this invention is demonstrated with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of a lead frame as viewed from the side on which a semiconductor element is mounted, and FIGS. 2A to 2F are steps showing a method of manufacturing a QFN package using the lead frame shown in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the lead frame of FIG. 1 along AA ′.

まず、図1に示す概略構成のリードフレーム20を用意する。リードフレーム20は、ICチップ等の半導体素子を搭載する複数の半導体素子搭載部(ダイパッド部)21がマトリックス状に形成され、各半導体素子搭載部21の外周に沿って多数のリード22(外部接続端子)が形成されたものである。
リードフレーム20の材質としては、従来公知のものが挙げられ、例えば、銅板及び銅合金板、またはこれらにストライクメッキを設けたもの、や銅合金板の表面に、ニッケルメッキ層とパラジウムメッキ層と金メッキ層とがこの順に設けられたものが挙げられる。
First, a lead frame 20 having a schematic configuration shown in FIG. 1 is prepared. In the lead frame 20, a plurality of semiconductor element mounting portions (die pad portions) 21 for mounting semiconductor elements such as IC chips are formed in a matrix, and a large number of leads 22 (external connection) are provided along the outer periphery of each semiconductor element mounting portion 21. Terminal) is formed.
Examples of the material of the lead frame 20 include conventionally known materials. For example, a copper plate and a copper alloy plate, or those provided with strike plating, or a nickel plating layer and a palladium plating layer on the surface of the copper alloy plate. The thing provided with the gold plating layer in this order is mentioned.

図2(a)に示すように、リードフレーム20の一方の面(下面)に、接着シート10を接着剤層(図示略)がリードフレーム20に当接するように貼着する(貼着工程)。接着シート10をリードフレーム20に貼着する方法としては、ラミネート法・プレス法等があるが、生産性の観点で、テーピング工程を連続的に行うことができるラミネート法が好適である。本工程における接着シート10の温度は、例えば、常温(5〜35℃)から150℃とされ、60〜120℃がより好ましい。150℃より高い温度で貼着するとリードフレームに反りが生じやすくなる。
本工程でリードフレーム20に反りが生じると、ダイアタッチ工程やワイヤボンディング工程での位置決めが困難になることや、加熱炉への搬送が困難になり、QFNパッケージの生産性を低下させるおそれがある。
As shown in FIG. 2A, the adhesive sheet 10 is adhered to one surface (lower surface) of the lead frame 20 so that the adhesive layer (not shown) contacts the lead frame 20 (adhesion step). . As a method for adhering the adhesive sheet 10 to the lead frame 20, there are a laminating method, a pressing method, and the like. From the viewpoint of productivity, a laminating method capable of continuously performing a taping process is preferable. The temperature of the adhesive sheet 10 in this step is, for example, normal temperature (5-35 ° C.) to 150 ° C., and more preferably 60-120 ° C. If it is attached at a temperature higher than 150 ° C., the lead frame is likely to warp.
If the lead frame 20 is warped in this process, positioning in the die attach process or wire bonding process becomes difficult, and transport to the heating furnace becomes difficult, which may reduce the productivity of the QFN package. .

図2(b)に示すように、リードフレーム20の半導体素子搭載部21における接着シート10が貼着されていない側に、ダイアタッチ剤(図示略)を介してICチップ等の半導体素子30を載置する。この際、リードフレーム20は、反りが抑制されているため、容易に位置決めされる。そして、半導体素子30が所定の位置に正確に載置される。その後、100〜200℃程度に加熱して、ダイアタッチ剤を硬化し、半導体素子30を半導体素子搭載部21に固定して搭載する(ダイアタッチ剤硬化処理。以上、ダイアタッチ工程。)。この際、接着シート10は、接着剤層が硬化して、リードフレームに接着される。   As shown in FIG. 2B, a semiconductor element 30 such as an IC chip is attached to the side of the semiconductor element mounting portion 21 of the lead frame 20 where the adhesive sheet 10 is not attached via a die attach agent (not shown). Place. At this time, the lead frame 20 is easily positioned because warpage is suppressed. Then, the semiconductor element 30 is accurately placed at a predetermined position. Then, it heats to about 100-200 degreeC, a die attach agent is hardened, and the semiconductor element 30 is fixed and mounted in the semiconductor element mounting part 21 (die attach agent hardening process. As mentioned above, a die attach process). At this time, the adhesive sheet 10 is bonded to the lead frame after the adhesive layer is cured.

接着シート10やダイアタッチ剤等から発生するアウトガス成分がリードフレーム20や半導体素子30に付着していると、ワイヤボンディング工程においてワイヤの接合不良による歩留低下を生じやすい。そこで、ダイアタッチ工程の後、ワイヤボンディング工程の前に、リードフレーム20や半導体素子30にプラズマ処理を施す(プラズマクリーニング工程)。プラズマ処理としては、例えば、接着シート10が貼着され半導体素子30が搭載されたリードフレーム20(以下、仕掛品ということがある)をアルゴンガス、又はアルゴンガスと水素ガスとの混合ガス等の雰囲気でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理におけるプラズマの照射出力は、例えば、150〜600Wとされる。また、プラズマ処理の時間は、例えば、0.1〜15分間とされる。   If an outgas component generated from the adhesive sheet 10 or the die attach agent or the like is attached to the lead frame 20 or the semiconductor element 30, the yield is likely to decrease due to poor bonding of the wires in the wire bonding process. Therefore, plasma processing is performed on the lead frame 20 and the semiconductor element 30 after the die attach process and before the wire bonding process (plasma cleaning process). As the plasma treatment, for example, a lead frame 20 (hereinafter sometimes referred to as work-in-process) on which the adhesive sheet 10 is attached and the semiconductor element 30 is mounted is made of argon gas or a mixed gas of argon gas and hydrogen gas. A method of plasma irradiation in an atmosphere can be mentioned. The plasma irradiation output in the plasma processing is, for example, 150 to 600 W. Moreover, the time of plasma processing shall be 0.1 to 15 minutes, for example.

図2(c)に示すように、半導体素子30とリードフレーム20のリード22(外部接続端子)とを金ワイヤ、銅ワイヤ、パラジウムで被覆された銅ワイヤ等のボンディングワイヤ31で電気的に導通する(ワイヤボンディング工程)。本工程は、仕掛品をヒーターブロック上で150〜250℃程度に加熱しながら行われる。本工程における加熱時間は、例えば、5〜60分間とされる。
ワイヤボンディング工程で仕掛品が加熱されると、接着剤層中にフッ素添加剤が含有されている場合は、フッ素添加剤が接着剤層の表面に移行するため、後述の剥離工程において接着シート10は、リードフレーム20及び封止樹脂40から剥離しやすくなる。
As shown in FIG. 2C, the semiconductor element 30 and the lead 22 (external connection terminal) of the lead frame 20 are electrically connected by a bonding wire 31 such as a gold wire, a copper wire, or a copper wire covered with palladium. (Wire bonding process). This step is performed while heating the work-in-process to about 150 to 250 ° C. on the heater block. The heating time in this step is, for example, 5 to 60 minutes.
When the work-in-process is heated in the wire bonding process, when the fluorine additive is contained in the adhesive layer, the fluorine additive moves to the surface of the adhesive layer. Is easily peeled off from the lead frame 20 and the sealing resin 40.

図2(d)に示すように、図2(c)に示す仕掛品を金型内に載置し、封止樹脂(モールド材)を用いて金型内に射出して充填する。任意の量を金型内に充填した後、金型内を任意の圧力で維持することにより、半導体素子30を封止樹脂40により封止する(封止工程)。封止樹脂としては、従来公知のものが用いられ、例えば、エポキシ樹脂及び無機フィラー等の混合物が挙げられる。
図2(e)に示すように、接着シート10を封止樹脂40及びリードフレーム20から剥離することにより、複数のQFNパッケージ50が配列されたQFNユニット60を得る(剥離工程)。
As shown in FIG. 2 (d), the work-in-process shown in FIG. 2 (c) is placed in the mold, and is injected and filled into the mold using a sealing resin (mold material). After filling an arbitrary amount into the mold, the semiconductor element 30 is sealed with the sealing resin 40 by maintaining the inside of the mold at an arbitrary pressure (sealing process). A conventionally well-known thing is used as sealing resin, For example, mixtures, such as an epoxy resin and an inorganic filler, are mentioned.
As shown in FIG. 2E, the adhesive sheet 10 is peeled from the sealing resin 40 and the lead frame 20 to obtain a QFN unit 60 in which a plurality of QFN packages 50 are arranged (peeling step).

図2(f)に示すように、QFNユニット60を各QFNパッケージ50の外周に沿ってダイシングすることにより、複数のQFNパッケージ50を得る(ダイシング工程)。   As shown in FIG. 2F, a plurality of QFN packages 50 are obtained by dicing the QFN unit 60 along the outer periphery of each QFN package 50 (dicing step).

なお、上述の実施形態では、リードフレームを用いたQFNパッケージの製造方法を例にして説明したが、本発明はこれに限定されず、リードフレームを用いたQFNパッケージ以外の半導体装置の製造方法、配線基板を用いた半導体装置の製造方法にも適用できる。   In the above-described embodiment, the QFN package manufacturing method using the lead frame has been described as an example. However, the present invention is not limited thereto, and the semiconductor device manufacturing method other than the QFN package using the lead frame, The present invention can also be applied to a method for manufacturing a semiconductor device using a wiring board.

本発明の接着シートにおける接着剤層は、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)のカルボキシル基とエポキシ樹脂(b)のグリシジル基とを架橋してBステージ状態(半硬化状態)をとることにより、低いガラス転移温度(10℃〜50℃)とすることができる。低いガラス転移温度の接着剤層を有する接着シートは、比較的低温の加熱条件、具体的には60〜150℃でロールラミネータなどによりテーピング工程を連続的に行うことができ生産性に優れる。   The adhesive layer in the adhesive sheet of the present invention takes a B-stage state (semi-cured state) by crosslinking the carboxyl group of the carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a) and the glycidyl group of the epoxy resin (b). Thereby, it can be set as a low glass transition temperature (10 degreeC-50 degreeC). An adhesive sheet having an adhesive layer having a low glass transition temperature can be continuously subjected to a taping process using a roll laminator or the like under relatively low-temperature heating conditions, specifically 60 to 150 ° C., and has excellent productivity.

また、本発明の接着シートにおける低いガラス転移温度(10℃〜50℃)の接着剤層は、加熱されたときに高弾性率の特性が得られる。近年、ワイヤボンディング工程でのコストダウンを目的として、従来の金ワイヤに換わり低コストな銅ワイヤまたは、パラジウム被覆された銅ワイヤによるボンディングをした製品が普及し始めている。銅ワイヤまたは、パラジウム被覆された銅ワイヤは、金より高弾性の金属のため、安定した形状を作るためには従来の金ワイヤより高荷重での加工が必要となる。
このような大きな荷重をリードフレームに加えると、リードフレーム下部に貼着されている接着シートにおける接着剤層が低弾性率であると、該接着剤層が変形しその変形された接着剤層の状態で樹脂封止される。そうすると、変形された接着剤層部分から封止樹脂の漏れが発生する。また、リードフレームから接着シートを剥離する際には、該変形された接着剤層部分から接着剤層が破断してリードフレーム表面上に接着剤が残留するという問題も生じる。加えて、ワイヤボンディング時に、接着剤が低弾性率であると、接着剤が変形してしまうことで、ワイヤ荷重が伝わりにくく、ワイヤボンディング不良も起こりやすくなる。本発明の接着シートにおける接着剤層は、上記のように高弾性率の特性を有するため、銅ワイヤまたは、パラジウム被覆された銅ワイヤを用いて、ワイヤボンディングしても、ワイヤボンディング不良や、封止樹脂の漏れや接着剤層の残留の問題が生じにくい。
Moreover, the adhesive layer having a low glass transition temperature (10 ° C. to 50 ° C.) in the adhesive sheet of the present invention has a high elastic modulus property when heated. In recent years, for the purpose of reducing the cost in the wire bonding process, products that are bonded with low-cost copper wires or palladium-coated copper wires in place of conventional gold wires have started to spread. The copper wire or the copper wire coated with palladium is a metal having higher elasticity than gold, so that a process with a higher load than that of a conventional gold wire is required to form a stable shape.
When such a large load is applied to the lead frame, if the adhesive layer in the adhesive sheet attached to the lower part of the lead frame has a low elastic modulus, the adhesive layer is deformed and the deformed adhesive layer Resin-sealed in a state. Then, leakage of the sealing resin occurs from the deformed adhesive layer portion. Further, when the adhesive sheet is peeled from the lead frame, there is a problem that the adhesive layer breaks from the deformed adhesive layer portion and the adhesive remains on the lead frame surface. In addition, if the adhesive has a low elastic modulus at the time of wire bonding, the adhesive is deformed, so that the wire load is difficult to be transmitted and wire bonding defects are likely to occur. Since the adhesive layer in the adhesive sheet of the present invention has a high elastic modulus characteristic as described above, even if wire bonding is performed using a copper wire or a copper wire coated with palladium, wire bonding failure or sealing is prevented. It is difficult to cause problems such as leakage of the stop resin and residual adhesive layer.

また、本発明の接着シートにおける接着剤層には、マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)を有するため、接着シートの製造時における乾燥過程で接着剤層の硬化を適切にコントロールすることが可能で、接着剤層を高Bステージ状態とすることができる、そのため、リードフレームへの接着強度が高くなることを抑え、その結果、封止樹脂の漏れ、接着剤のリードフレームへの残留及び剥離時の接着剤層の破断を抑制することができる。   Moreover, since the adhesive layer in the adhesive sheet of the present invention has a compound (c) containing two or more maleimide groups, the curing of the adhesive layer can be appropriately controlled during the drying process during the production of the adhesive sheet. The adhesive layer can be in a high B-stage state, and therefore, the adhesive strength to the lead frame is prevented from being increased. As a result, leakage of the sealing resin, and the adhesive remaining on the lead frame And the fracture | rupture of the adhesive bond layer at the time of peeling can be suppressed.

以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。
[実施例1〜6および比較例1〜4]
(接着剤塗料の組成)
表1に示す質量比率で、(a)〜(d)成分及びその他の成分と溶媒であるテトラヒドロフラン(THF)とを混合して、接着剤塗料を調製した。
ついで、この接着剤塗料を厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製、商品名カプトン100EN)の片面に、乾燥後の接着剤層厚さが5μmとなるよう塗布後、180℃に設定した熱風循環型オーブン中で乾燥し、接着シートを得た。
なお、使用した各成分の詳細は以下の通りである。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.
[Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4]
(Composition of adhesive paint)
Adhesive paints were prepared by mixing the components (a) to (d) and other components and tetrahydrofuran (THF) as a solvent at a mass ratio shown in Table 1.
Next, this adhesive paint was applied to one side of a 25 μm-thick polyimide film (trade name Kapton 100EN, manufactured by Toray DuPont) so that the adhesive layer thickness after drying was 5 μm, and then set to 180 ° C. It dried in the hot air circulation type oven, and obtained the adhesive sheet.
In addition, the detail of each used component is as follows.

・カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体:数平均分子量より算出されるカルボキシル基当量1500、アクリロニトリル含有量27質量%
・アクリロニトリル−ブタジエン共重合体:アクリロニトリル含有量27質量%
・構造式(1)を有するエポキシ樹脂:分子量630、官能基当量210g/eq
・ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド:分子量570、官能基当量285g/eq
・1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン:分子量248、官能基当量62g/eq
Carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer: carboxyl group equivalent 1500 calculated from number average molecular weight, acrylonitrile content 27% by mass
Acrylonitrile-butadiene copolymer: 27% by mass of acrylonitrile
Epoxy resin having the structural formula (1): molecular weight 630, functional group equivalent 210 g / eq
Bisphenol A diphenyl ether bismaleimide: molecular weight 570, functional group equivalent 285 g / eq
1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane: molecular weight 248, functional group equivalent 62 g / eq

Figure 2018123254
Figure 2018123254

上述のようにして得られた各例の接着シートについて、下記のようにして、(1)リードフレーム材に対する剥離強度と、(2)ダイアタッチ工程後の熱特性、(3)封止樹脂材に対する剥離強度及びシート剥離後の接着剤残留物の有無、(4)樹脂封止工程後の試験体の封止樹脂漏れ有無を測定または、確認した。   About the adhesive sheet of each example obtained as described above, (1) peel strength with respect to the lead frame material, (2) thermal characteristics after the die attach step, (3) sealing resin material And the presence or absence of adhesive residue after sheet peeling and (4) the presence or absence of sealing resin leakage of the test specimen after the resin sealing step were measured or confirmed.

(1)リードフレーム材に対する剥離強度
(i)試験体の作製
各例で得られた接着シートを幅50mm×長さ60mmに裁断し、これを外寸57.5mm×53.5mm銅合金製のテスト用リードフレーム(表面ストライクメッキ、8×8個のマトリクス配列、パッケージサイズ5mm×5mm、32ピン)にロールラミネータを使用して貼り付けたものを試験体とした。その際のラミネート条件は、温度80℃、圧力4N/cm、圧着速度1m/分とした。
(ii)剥離強度の測定
上述の試験体について、万能引張試験機を使用して、90°ピール強度を測定した。なお、リードフレームを固定し、接着シートを垂直方向に引っ張って測定した。引張速度は50mm/分とした。結果を表2に示す。
(1) Peel strength against lead frame material (i) Production of test specimen The adhesive sheet obtained in each example was cut into a width of 50 mm x a length of 60 mm, and this was made of a copper alloy having an outer dimension of 57.5 mm x 53.5 mm A test lead frame (surface strike plating, 8 × 8 matrix arrangement, package size 5 mm × 5 mm, 32 pins) attached using a roll laminator was used as a test specimen. The lamination conditions at that time were a temperature of 80 ° C., a pressure of 4 N / cm, and a pressure bonding speed of 1 m / min.
(Ii) Measurement of peel strength The 90 ° peel strength of the above test specimen was measured using a universal tensile tester. The measurement was performed by fixing the lead frame and pulling the adhesive sheet in the vertical direction. The tensile speed was 50 mm / min. The results are shown in Table 2.

(2)ダイアタッチ工程後の熱特性
各例で得られる接着シートにおいて、厚さ25μmのポリイミドフィルムを、厚さ38μmの離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)としたものを作製し、ダイアタッチキュア処理を想定し、通風オーブンを使用して175℃で1時間加熱した。
加熱後の接着シートにおける接着剤層をPETフィルムから取り出し、引張貯蔵弾性率をDMA(Dynamic Mechanical Analyzer)を用いて測定した。DMAとしてバイブロン測定器(オリエンテック社製、RHEOVIBRON DDV−II−EP)を用いて、周波数11Hz、昇温速度10℃/min、荷重1.0gfにて測定を行った。ワイヤボンディング工程時を想定した際にかかる温度、180℃における引張貯蔵弾性率の結果を表2に示す。
(2) Thermal characteristics after the die attach step In the adhesive sheet obtained in each example, a polyimide terephthalate film (PET film) obtained by subjecting a 25 μm thick polyimide film to a 38 μm thick release treatment was prepared. Assuming a die attach cure treatment, heating was performed at 175 ° C. for 1 hour using a ventilated oven.
The adhesive layer in the adhesive sheet after heating was taken out from the PET film, and the tensile storage modulus was measured using DMA (Dynamic Mechanical Analyzer). Measurement was performed at a frequency of 11 Hz, a temperature increase rate of 10 ° C./min, and a load of 1.0 gf using a Vibron measuring device (RHEOVIBRON DDV-II-EP, manufactured by Orientec Corp.) as DMA. Table 2 shows the results of the tensile storage modulus at 180 ° C. at the time of assuming the wire bonding process.

(3)樹脂封止工程後の試験体に対する剥離強度及びシート剥離後の接着剤残留物の有無
(i)試験体の作製と熱処理
各例で得られた接着シートを実際のQFNの組み立てに伴う熱履歴などを想定して、まず、下記の(a)〜(d)を順次実施した。
(a)各例で得られた接着シートを幅50mm×長さ60mmに裁断し、これを外寸57.5mm×53.5mm銅合金製のテスト用リードフレーム(表面ストライクメッキ、8×8個のマトリクス配列、パッケージサイズ5mm×5mm、32ピン)にロールラミネータを使用して貼り付けた。その際のラミネート条件は、温度80℃、圧力4N/cm、圧着速度1m/分とした。
(b)接着シートが貼着された銅合金製のテスト用リードフレームを通風オーブンで175℃/1時間加熱した。これは、ダイアタッチキュア処理を想定した処理である。
(c)プラズマ照射処理:Yieldエンジニアリング社製1000Pにより、ガス種にArを使用して、450W/60秒間処理した。
(d)200℃/30分加熱:ワイヤボンディング工程を想定した処理であって、ホットプレートを使用して加熱した。
ついで、(a)〜(d)の熱処理が済んだ被着体の接着シートが貼りあわされた面とは逆の銅材露出面に、モールドプレス機を用いて、175℃/3分の条件で封止樹脂を積層した(樹脂封止工程)。封止樹脂としては住友ベークライト社製のエポキシモールド樹脂(EME−G631BQ)を使用した。
(3) Peel strength for specimen after resin sealing step and presence / absence of adhesive residue after sheet peeling (i) Preparation and heat treatment of specimen Along with assembly of actual QFN, adhesive sheet obtained in each example First, the following (a) to (d) were sequentially performed assuming a heat history and the like.
(A) The adhesive sheet obtained in each example was cut into a width of 50 mm × a length of 60 mm, and this was cut into a test lead frame (surface strike plating, 8 × 8 pieces) having an outer dimension of 57.5 mm × 53.5 mm (Matrix arrangement, package size 5 mm × 5 mm, 32 pins) using a roll laminator. The lamination conditions at that time were a temperature of 80 ° C., a pressure of 4 N / cm, and a pressure bonding speed of 1 m / min.
(B) A copper alloy test lead frame to which the adhesive sheet was attached was heated in a ventilation oven at 175 ° C./1 hour. This is a process assuming a die attach cure process.
(C) Plasma irradiation treatment: Treated for 450 W / 60 seconds using 1000P manufactured by Yield Engineering, using Ar as the gas species.
(D) Heating at 200 ° C./30 minutes: A process assuming a wire bonding process, which was heated using a hot plate.
Next, using a mold press machine, a condition of 175 ° C./3 minutes is applied to the copper material exposed surface opposite to the surface on which the adhesive sheet of the adherend subjected to the heat treatments (a) to (d) is bonded. And sealing resin was laminated (resin sealing step). As the sealing resin, an epoxy mold resin (EME-G631BQ) manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. was used.

(ii)剥離強度の測定及びシート剥離後の接着剤残留物の有無
上述の樹脂封止工程後の試験体について、万能引張試験機を使用して、90°ピール強度を測定した。なお、試験体を固定し、接着シートのコーナー部分を垂直方向に引っ張って測定した。引張速度は300mm/分とした。また、シート剥離後の接着剤残留物の有無を、光学顕微鏡(キーエンス社製 デジタルマイクロスコープ VHX−500)を用いて、倍率100倍で確認した。結果を表2に示す。
(4)樹脂封止工程後の試験体の封止樹脂漏れ有無
上述の樹脂封止工程後の試験体について、封止樹脂漏れの有無を、光学顕微鏡(キーエンス社製 デジタルマイクロスコープ VHX−500)を用いて、倍率100倍で確認した。結果を表2に示す。
(Ii) Measurement of peel strength and presence / absence of adhesive residue after sheet peeling About the test body after the resin sealing step described above, a 90 ° peel strength was measured using a universal tensile tester. In addition, it measured by fixing the test body and pulling the corner part of an adhesive sheet to the orthogonal | vertical direction. The tensile speed was 300 mm / min. Moreover, the presence or absence of the adhesive residue after sheet | seat peeling was confirmed at 100-times multiplication factor using the optical microscope (Keyence Corporation digital microscope VHX-500). The results are shown in Table 2.
(4) Presence or absence of sealing resin leakage of test specimen after resin sealing process Regarding the specimen after the above-mentioned resin sealing process, the presence or absence of sealing resin leakage was measured using an optical microscope (Digital Microscope VHX-500 manufactured by Keyence Corporation). Was confirmed at a magnification of 100 times. The results are shown in Table 2.

なお、表2中における判定欄の記号は、以下の内容を示す。
(1)リードフレーム材に対する剥離強度の測定
○:剥離強度が10gf/50mm以上である。
△:剥離強度が5gf/50mm以上10gf/50mm未満である。
×:剥離強度が5gf/50mm未満である。
The symbols in the determination column in Table 2 indicate the following contents.
(1) Measurement of peel strength for lead frame material ○: The peel strength is 10 gf / 50 mm or more.
Δ: Peel strength is 5 gf / 50 mm or more and less than 10 gf / 50 mm.
X: Peel strength is less than 5 gf / 50 mm.

(2)ダイアタッチ工程後の熱特性
○:180℃における引張貯蔵弾性率が10MPa以上
△:180℃における引張貯蔵弾性率が1MPa以上10MPa未満
×:180℃における引張貯蔵弾性率が1MPa未満
(2) Thermal characteristics after the die attach step ○: Tensile storage modulus at 180 ° C. is 10 MPa or more Δ: Tensile storage modulus at 180 ° C. is less than 10 MPa ×: Tensile storage modulus at 180 ° C. is less than 1 MPa

(3)樹脂封止工程後の試験体に対する剥離強度及びシート剥離後の接着剤残留物の有無
○:剥離強度が1000gf/50mm未満であって、剥離した接着シートが破断しておらず、リードフレーム材表面および封止樹脂表面に接着剤が残留していない。
△:剥離強度が1000gf/50mm以上であって、剥離した接着シートが破断しておらず、リードフレーム材表面および封止樹脂表面に接着剤が残留していない。
×:接着シートの破断が認められるか、リードフレーム材表面および封止樹脂表面に接着剤の残留が認められるかのいずれか少なくとも1つに該当する。
(4)樹脂封止工程後の試験体の封止樹脂漏れ有無
○:接着シート剥離後の、樹脂封止済のテスト用リードフレーム材表面に、封止樹脂が漏れ出していない。
×:接着シート剥離後の、樹脂封止済のテスト用リードフレーム材表面に、封止樹脂が漏れ出している。
(3) Peel strength for specimen after resin sealing step and presence / absence of adhesive residue after sheet peeling ○: Peel strength is less than 1000 gf / 50 mm, peeled adhesive sheet is not broken, lead No adhesive remains on the frame material surface and the sealing resin surface.
Δ: Peel strength is 1000 gf / 50 mm or more, the peeled adhesive sheet is not broken, and no adhesive remains on the lead frame material surface and the sealing resin surface.
X: Corresponds to at least one of rupture of the adhesive sheet or the presence of residual adhesive on the lead frame material surface and the sealing resin surface.
(4) The presence or absence of leakage of the sealing resin in the test body after the resin sealing step ○: The sealing resin does not leak onto the surface of the resin-sealed test lead frame material after peeling of the adhesive sheet.
X: The sealing resin leaks to the surface of the resin-sealed test lead frame material after the adhesive sheet is peeled off.

Figure 2018123254
Figure 2018123254

上記の表2から明らかなように、実施例1〜6の接着シートは、銅合金製のテスト用リードフレームに対する剥離強度が5gf/50mm以上でリードフレーム材に対して優れた接着性を有していた。また、実施例1〜6の接着シートは、180℃における引張貯蔵弾性率が10MPa以上であってワイヤボンディング工程における荷重によって生じる接着剤層の変形に十分に耐えうる特性を有することが確認された。また、実施例1〜6の接着シートは、封止樹脂の漏れがなく、接着シートの基材及び接着剤層が破断しておらず、リードフレーム材表面および封止樹脂表面に接着剤が残留しない優れた特性であった。
これに対して、比較例1、比較例2及び比較例4の接着シートは、180℃における引張貯蔵弾性率が10MPa未満であってワイヤボンディング工程における荷重によって生じる接着剤層の変形に耐えにくいことが確認された。また、比較例1〜4の接着シートは、封止樹脂材からの剥離時に接着シートが破断し、シート剥離が可能であった箇所においても、リードフレーム材表面および剥離封止樹脂表面に接着剤が残留していた。
As is apparent from Table 2 above, the adhesive sheets of Examples 1 to 6 have excellent adhesion to the lead frame material with a peel strength of 5 gf / 50 mm or more with respect to the test lead frame made of copper alloy. It was. Moreover, it was confirmed that the adhesive sheets of Examples 1 to 6 have a tensile storage elastic modulus at 180 ° C. of 10 MPa or more and have sufficient characteristics to withstand the deformation of the adhesive layer caused by the load in the wire bonding process. . In addition, the adhesive sheets of Examples 1 to 6 have no leakage of the sealing resin, the base material and the adhesive layer of the adhesive sheet are not broken, and the adhesive remains on the lead frame material surface and the sealing resin surface. It did not have excellent characteristics.
On the other hand, the adhesive sheets of Comparative Example 1, Comparative Example 2 and Comparative Example 4 have a tensile storage elastic modulus at 180 ° C. of less than 10 MPa and are difficult to withstand the deformation of the adhesive layer caused by the load in the wire bonding process. Was confirmed. In addition, the adhesive sheets of Comparative Examples 1 to 4 are adhesives on the lead frame material surface and the peeled sealing resin surface even at locations where the adhesive sheet was broken when peeled from the sealing resin material and the sheet could be peeled off. Remained.

10 半導体装置製造用接着シート
20 リードフレーム
30 半導体素子
31 ボンディングワイヤ
40 封止樹脂
50 QFNパッケージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Adhesive sheet for semiconductor device manufacture 20 Lead frame 30 Semiconductor element 31 Bonding wire 40 Sealing resin 50 QFN package

Claims (4)

基材と、該基材の一方の面に設けられた熱硬化型の接着剤層とを備え、半導体装置のリードフレーム又は配線基板に剥離可能に貼着される半導体装置製造用接着シートにおいて、
前記接着剤層は、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(a)と、下記構造式(1)を有するエポキシ樹脂(b)と、マレイミド基を2個以上含有する化合物(c)と、反応性シロキサン化合物(d)とを含有することを特徴とする半導体装置製造用接着シート。
Figure 2018123254
In an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device, comprising a base material and a thermosetting adhesive layer provided on one surface of the base material, and releasably attached to a lead frame or a wiring board of a semiconductor device,
The adhesive layer comprises a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), a compound (c) containing two or more maleimide groups, An adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device, comprising a functional siloxane compound (d).
Figure 2018123254
前記(a)成分は、アクリロニトリル含有量が5〜50質量%で、かつ、数平均分子量から算出されるカルボキシル基当量が100〜20000のカルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造用接着シート。   The component (a) is a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer having an acrylonitrile content of 5 to 50% by mass and a carboxyl group equivalent calculated from the number average molecular weight of 100 to 20000. The adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記(a)成分100質量部に対し、前記(b)成分と前記(c)成分と前記(d)成分との合計が30〜300質量部であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置製造用接着シート。   2. The total amount of the component (b), the component (c), and the component (d) is 30 to 300 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (a). Adhesive sheet for manufacturing semiconductor devices. 請求項1に記載の半導体装置製造用接着シートを用いた半導体装置の製造方法であって、
リードフレーム又は配線基板に半導体装置製造用接着シートを貼着する貼着工程と、
前記リードフレーム又は配線基板に半導体素子を搭載するダイアタッチ工程と、
前記半導体素子と外部接続端子とを導通させるワイヤボンディング工程と、
前記半導体素子を封止樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程の後、半導体装置製造用接着シートをリードフレーム又は配線基板から剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
A method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device according to claim 1,
An adhering step of adhering an adhesive sheet for manufacturing a semiconductor device to a lead frame or a wiring board;
A die attach step of mounting a semiconductor element on the lead frame or the wiring substrate;
A wire bonding step for conducting the semiconductor element and the external connection terminal;
A sealing step of sealing the semiconductor element with a sealing resin;
A semiconductor device manufacturing method comprising: a peeling step of peeling the semiconductor device manufacturing adhesive sheet from the lead frame or the wiring board after the sealing step.
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