KR20190111911A - Adhesive sheet for semiconductor device manufacture and manufacturing method of semiconductor device using same - Google Patents

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쇼우지 이와사키
웬펑 후
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가부시키가이샤 도모에가와 세이시쇼
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Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조용 접착 시트에 관한 것이며, 이 반도체 장치 제조용 접착 시트는, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 마련된 열경화형의 접착제층을 구비하고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)과, 반응성 실록산 화합물(d)을 함유한다. 또, 본 발명은 이것에 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.This invention relates to the adhesive sheet for semiconductor device manufacture, This adhesive sheet for semiconductor device manufacture is equipped with a base material and the thermosetting adhesive bond layer provided in one surface of the said base material, and peels to the lead frame or wiring board of a semiconductor device. In the adhesive sheet for semiconductor device manufacture possibly stuck, the said adhesive layer is a carboxyl group-containing acrylonitrile- butadiene copolymer (a), the epoxy resin (b) which has following structural formula (1), and two or more maleimide groups Compound (c) to contain and reactive siloxane compound (d) are contained. Moreover, this invention provides the manufacturing method of the semiconductor device used for this.

Description

반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법Adhesive sheet for semiconductor device manufacture and manufacturing method of semiconductor device using same

본 발명은 QFN(Quad Flat Non-lead) 방식에 의해 반도체 장치를 조립할 때에 마스크 테이프로서 적합하게 사용되는 접착 시트와, 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet suitably used as a mask tape when assembling a semiconductor device by a quad flat non-lead (QFN) method, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

본원은 2017년 2월 2일에, 일본에 출원된 특원 2017-017490호에 근거해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2017-017490 for which it applied to Japan on February 2, 2017, and uses the content here.

최근 휴대 전화를 비롯한 IT 기기의 소형화, 박형화, 다기능화의 요구에 대해, 반도체 장치(반도체 패키지)에서의 추가적인 고밀도 실장 기술의 필요성이 높아지고 있다.In recent years, in response to the demand for miniaturization, thinning, and multifunction of IT devices including mobile phones, the need for additional high-density packaging technology in semiconductor devices (semiconductor packages) is increasing.

이 요구에 부응하는 CSP(Chip Size Package) 기술로서 QFN 방식이 주목되고(특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조.), 특히 100 핀 이하의 소(少)핀 타입에서 널리 채용되고 있다.As a CSP (Chip Size Package) technology that meets this demand, the QFN method has been noted (see Patent Documents 1 and 2). In particular, it is widely employed in the small pin type of 100 pins or less.

여기서, QFN 방식에 의한 일반적인 QFN 패키지의 조립 방법으로서, 대략 하기 방법이 알려져 있다. 우선, 첩착 공정에서, 리드 프레임의 일방의 면에 접착 시트를 첩착하고, 그 다음에, 다이 어태치 공정에서, 리드 프레임에 복수 형성된 반도체 소자 탑재부(다이 패드부)에, IC 칩 등의 반도체 소자를 각각 탑재한다. 다음에, 와이어 본딩 공정에서, 리드 프레임의 각 반도체 소자 탑재부의 외주를 따라서 배설된 복수의 리드와 반도체 소자를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속한다. 다음에, 봉지(封止) 공정에서, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 봉지 수지에 의해 봉지한다. Here, as a method of assembling a general QFN package by the QFN method, the following method is known. First, in an adhering process, an adhesive sheet is affixed to one surface of a lead frame, and then, in a die attach process, a semiconductor element, such as an IC chip, in the semiconductor element mounting part (die pad part) formed in multiple in the lead frame. Mount each one. Next, in the wire bonding step, the plurality of leads and the semiconductor elements disposed along the outer circumference of each semiconductor element mounting portion of the lead frame are electrically connected by the bonding wires. Next, at the sealing process, the semiconductor element mounted in the lead frame is sealed with sealing resin.

그 후, 박리 공정에서, 접착 시트를 리드 프레임으로부터 박리함으로써, 복수의 QFN 패키지가 배열된 QFN 유닛을 형성할 수 있다. 마지막으로, 다이싱 공정에서, 이 QFN 유닛을 각 QFN 패키지의 외주를 따라서 다이싱함으로써, 복수의 QFN 패키지를 제조할 수 있다.Then, in a peeling process, by peeling an adhesive sheet from a lead frame, the QFN unit in which the some QFN package was arranged can be formed. Finally, in the dicing step, by dicing this QFN unit along the outer periphery of each QFN package, a plurality of QFN packages can be manufactured.

이와 같은 용도에 사용되는 접착 시트에는, 박리 공정의 전까지는 리드 프레임의 이면(裏面) 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 충분하고 안정하게 첩착하고, 또한 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있어, 리드 프레임의 이면이나 봉지 수지의 이면에 접착제가 잔류하는 점착제 잔류나, 접착 시트의 파단 등의 문제점이 없는 것이 요구된다.The adhesive sheet used in such a use is sufficiently and stably adhered to the adhesive sheet used without such peeling from the back surface of the lead frame and the back surface of the sealing resin until the peeling process, and can be easily peeled off in the peeling process. It is desired that there is no problem such as residual adhesive or residual adhesive on the back of the frame or the back of the sealing resin.

특히 최근에는, 반도체 장치의 코스트 저감을 위해서 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임이 사용되고 있다. 이와 같은 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임은 천이 금속인 구리의 고분자 재료에 대한 산화 열화의 촉매 작용도 있어, 테이핑 공정 후의 QFN 패키지 조립에 수반하는 열 이력에 의해, 접착제가 산화 열화되기 쉽고, 시트 박리시에 중(重)박리 및 점착제 잔류가 되기 쉬워진다.Especially in recent years, the lead frame which consists of copper alloys is used for cost reduction of a semiconductor device. The lead frame made of such a copper alloy also has a catalytic action of oxidative deterioration with respect to the polymer material of copper, which is a transition metal, and the adhesive is liable to oxidatively deteriorate due to the thermal history accompanying the QFN package assembly after the taping process. It becomes easy to become heavy peeling and an adhesive remainder in the process.

그렇지만, 종래 사용되고 있던 접착 시트는, 구리 합금으로 이루어지는 리드 프레임에 사용할 수 있는 실용 레벨을 충분히 만족하는 것은 아니었다.However, the adhesive sheet used conventionally did not fully satisfy the practical level which can be used for the lead frame which consists of copper alloys.

예를 들면, 종래의 접착 시트에는, 내열성 필름으로 이루어지는 기재에, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체와 비스말레이미드 수지를 함유하는 접착제층이 적층한 형태의 것이 있지만(특허문헌 3 참조.), 이것을 사용한 경우, 테이핑 공정 후의 다이 어태치 큐어 처리, 와이어 본딩 공정, 수지 봉지 공정에서 가해지는 열에 의해, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체가 열화하기 쉽고, 박리 공정에서, 박리 곤란해지거나, 접착 시트가 파단하거나, 점착제 잔류가 생긴다는 문제를 가지고 있었다.For example, although the adhesive sheet containing the acrylonitrile butadiene copolymer and bismaleimide resin laminated | stacked on the base material which consists of a heat resistant film in the conventional adhesive sheet (refer patent document 3), this When used, the acrylonitrile-butadiene copolymer is likely to deteriorate due to the heat applied in the die attach cure treatment, the wire bonding step, and the resin encapsulation step after the taping step, and in the peeling step, it becomes difficult to peel off or the adhesive sheet breaks. In addition, there existed a problem that adhesive residue remained.

일본 특개 2003-165961호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-165961 일본 특개 2005-142401호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-142401 일본 특개 2008-095014호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2008-095014

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착해, 봉지 수지의 누출도 없고, 게다가 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있어, 접착제가 잔류하는 점착제 잔류가 생기거나 파단하거나 하지 않는 접착 시트와, 이것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.This invention is made | formed in view of the said situation, Until it peels from the back surface of a lead frame and the back surface of sealing resin, even if it receives the heat history accompanying QFN assembly until a peeling process, it adheres to these sufficiently and stably and encapsulates. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet which does not leak resin and can be easily peeled off in the peeling step, and does not cause or break the residual adhesive due to the adhesive, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.

본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트는, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 마련된 열경화형의 접착제층을 구비하고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)과, 반응성 실록산 화합물(d)을 함유하는 것을 특징으로 한다.The adhesive sheet for semiconductor device manufacture of this invention is equipped with the base material and the thermosetting adhesive bond layer provided in one surface of the said base material, and is attached to the adhesive sheet for semiconductor device manufacture which is peelable and stuck to the lead frame or wiring board of a semiconductor device. The adhesive layer includes a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), a compound (c) containing two or more maleimide groups, and a reactive siloxane. It is characterized by containing a compound (d).

[화 1][Tue 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

또, 상기 (a)성분은 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%이고, 또한 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이 100~20000인 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said (a) component is a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer whose acrylonitrile content is 5-50 mass%, and the carboxyl group equivalent computed from a number average molecular weight is 100-20000.

상기 (a)성분 100 질량부에 대해, 상기 (b)성분과 상기 (c)성분과 상기 (d)성분과의 합계가 30~300 질량부인 것이 바람직하다.It is preferable that the sum total of the said (b) component, the said (c) component, and the said (d) component is 30-300 mass parts with respect to 100 mass parts of said (a) component.

또, 상기 (b)성분에 대한 (c)성분의 질량비((c)/(b))는, 0.1~10의 범위인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the mass ratio ((c) / (b)) of (c) component with respect to said (b) component is the range of 0.1-10.

또, 상기 (b)성분의 에폭시기 수와 (c)성분의 말레이미드기 수와의 합계에 대한 (d)성분의 반응기 수의 비가 0.05~1.2인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that ratio of the reactor number of (d) component with respect to the sum of the number of epoxy groups of the said (b) component and the number of maleimide groups of (c) component is 0.05-1.2.

또, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은 상기 기재의 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서, Moreover, the manufacturing method of the semiconductor device of this invention is a manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor device manufacture of the said base material,

리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과, An adhering step of adhering the adhesive sheet for semiconductor device production to a lead frame or a wiring board;

상기 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이 어태치 공정과, A die attach step of mounting a semiconductor element on the lead frame or a wiring board;

상기 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통시키는 와이어 본딩 공정과, A wire bonding step of conducting the semiconductor element and an external connection terminal with each other;

상기 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과,A sealing step of sealing the semiconductor element with a sealing resin;

상기 봉지 공정 후, 반도체 장치 제조용 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.After the said sealing process, the peeling process of peeling the adhesive sheet for semiconductor device manufacture from a lead frame or a wiring board is provided.

본 발명에 의하면, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착해, 봉지 수지의 누출도 없고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있어, 접착제가 잔류하는 점착제 잔류가 생기거나 파단하거나 하지 않는 접착 시트와, 이것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, even before the peeling step, even if the heat history accompanying QFN assembly is received, it is not peeled off from the back side of the lead frame and the back side of the encapsulating resin, and it adheres to them sufficiently and stably, and there is no leakage of the encapsulating resin, Furthermore, in the peeling process, it can peel easily, and the adhesive sheet which does not produce the adhesive residue which an adhesive remains or breaks can be provided, and the manufacturing method of the semiconductor device using the same can be provided.

도 1은 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 리드 프레임의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법을 설명하는 공정도이다.
1 is a plan view illustrating an example of a lead frame used in a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention.
2 is a flowchart for explaining a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention.

이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

[반도체 장치 제조용 접착 시트][Adhesive sheet for semiconductor device manufacture]

본 발명의 반도체 장치 제조용 접착 시트(이하, 접착 시트라고 함)는, 기재와, 상기 기재의 일방의 면에 마련된 열경화형의 접착제층을 구비하고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 접착 시트에 있어서, 상기 접착제층은 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)과, 반응성 실록산 화합물(d)을 함유하는 것으로서, QFN 방식에 의해 반도체 장치를 조립할 때에 마스크 테이프로서 사용된다.The adhesive sheet (henceforth an adhesive sheet) for semiconductor device manufacture of this invention is equipped with a base material and the thermosetting adhesive layer provided in one surface of the said base material, and is peelable to the lead frame or wiring board of a semiconductor device. In the adhesive sheet to be stuck, the adhesive layer contains a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), and two or more maleimide groups (c): ) And a reactive siloxane compound (d), which are used as a mask tape when assembling a semiconductor device by the QFN method.

[화 2][Tue 2]

Figure pct00002
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카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)는, 가열 초기에서의 접착제층의 용융 점도를 적절히 유지하는 역할 등을 하면서, 경화한 접착제층에 대해서 양호한 유연성, 접착성을 부여하는 것으로서, 이것을 함유함으로써, 내열성 필름 등으로 이루어지는 기재에 대한 밀착성이 좋고, 갈라짐이 없는 접착제층을 형성할 수 있다. 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)로서는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있지만, 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%인 것이 바람직하고, 10~40 질량%인 것이 보다 바람직하다. 아크릴로니트릴 함유량이 상기 범위 미만이면, 용매에 대한 용해성이나 다른 성분과의 상용성이 저하되기 때문에, 얻어지는 접착제층의 균일성이 저하되는 경향이 있다. 한편, 아크릴로니트릴 함유량이 상기 범위를 넘으면, 얻어지는 접착제층은 리드 프레임이나 봉지 수지에 대한 접착성이 과도해져, 이것을 접착 시트에 사용한 경우, 박리 공정에서의 박리가 곤란해지거나, 접착 시트가 파단하거나 할 가능성이 있다.The carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a) has a role of appropriately maintaining the melt viscosity of the adhesive layer in the initial stage of heating, and imparts good flexibility and adhesion to the cured adhesive layer. Thereby, adhesiveness with respect to the base material which consists of a heat resistant film etc. is good, and the adhesive bond layer which is not cracked can be formed. As a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), although a well-known thing can be used without a restriction | limiting, it is preferable that it is 5-50 mass%, and, as for an acrylonitrile content, it is more preferable that it is 10-40 mass%. When acrylonitrile content is less than the said range, since the solubility to a solvent and compatibility with another component fall, there exists a tendency for the uniformity of the adhesive bond layer obtained to fall. On the other hand, when an acrylonitrile content exceeds the said range, the adhesive layer obtained will become adhesiveness with respect to a lead frame or sealing resin, and when this is used for an adhesive sheet, peeling in a peeling process will become difficult or an adhesive sheet will break There is a possibility.

카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체에서의 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량은 100~20000의 범위인 것이 바람직하고, 200~10000인 것이 보다 적합하다. 카르복실기 당량이 상기 범위 미만이면, 다른 성분과의 반응성이 너무 높아져서 얻어지는 접착제층의 보존 안정성이 저하되는 경향이 있다. 한편, 카르복실기 당량이 상기 범위를 넘으면, 다른 성분과의 반응성이 부족하기 때문에, 얻어지는 접착제층은 낮은 B 스테이지가 되기 쉽다. 그 결과, 이것을 접착 시트에 사용한 경우, 가열 초기, 즉 접착 시트의 첩착 공정이나, 다이 어태치 큐어 처리 등에서, 접착 시트가 가열되었을 때에, 접착제층이 저점도화되어, 접착제층에서 발포를 일으키거나, 흘러 나가거나 하기 쉽고, 열안정성이 저하되는 경향이 있다.It is preferable that it is the range of 100-20000, and, as for the carboxyl group equivalent computed from the number average molecular weight in a carboxyl group-containing acrylonitrile- butadiene copolymer, it is more preferable that it is 200-10000. When the carboxyl group equivalent is less than the above range, the reactivity with other components is too high, and the storage stability of the adhesive layer obtained tends to be lowered. On the other hand, when the carboxyl group equivalent exceeds the above range, since the reactivity with other components is insufficient, the adhesive layer obtained tends to be a low B stage. As a result, when it is used for an adhesive sheet, when an adhesive sheet is heated in the initial stage of heating, ie, the sticking process of an adhesive sheet, die-attach treatment, etc., an adhesive layer becomes low viscosity, and foaming arises in an adhesive layer, It tends to flow out, and there exists a tendency for thermal stability to fall.

또한 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이란, 수평균 분자량(Mn)을 1 분자당의 카르복실기 수(관능기 수)로 나눈 것으로서, 하기 식으로 나타낸다.The carboxyl group equivalent calculated from the number average molecular weight is obtained by dividing the number average molecular weight (Mn) by the number of carboxyl groups (number of functional groups) per molecule and represented by the following formula.

카르복실기 당량 = Mn/관능기 수Carboxyl Equivalent = Mn / Function

에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)은 접착제층의 열경화성을 담당하는 것으로서, 이들을 병용함으로써, 열안정성이 뛰어나고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있어, 점착제 잔류나 파단이 생기지 않는 접착제층을 형성할 수 있다. 특히 에폭시 수지(b)는, 접착제층에 대해서 인성을 부여하는 것으로서, 이것을 함유하는 것에 의해서, 박리 공정에서 접착제층이 갈라지는 것에 의한 점착제 잔류를 억제할 수 있다.The epoxy resin (b) and the compound (c) containing two or more maleimide groups are responsible for the thermosetting property of the adhesive layer, and by using them in combination, the thermal stability is excellent, and in the peeling step, the compound can be easily peeled off, The adhesive layer which does not produce adhesive residue or breakage can be formed. In particular, the epoxy resin (b) imparts toughness to the adhesive layer, and by containing it, it is possible to suppress the adhesive residue due to cracking of the adhesive layer in the peeling step.

말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)은 접착제층에 대해서 열안정성을 부여하면서, 접착제층의 접착성을 조정하는 작용을 나타내며, 이것을 함유하는 것에 의해서, 접착성이 적절히 제어되어 박리 공정에서 용이하게 박리할 수 있는 접착제층을 형성할 수 있다.The compound (c) containing two or more maleimide groups exhibits the function of adjusting the adhesiveness of the adhesive layer while providing thermal stability to the adhesive layer, and by containing this, the adhesiveness is appropriately controlled and in the peeling step The adhesive layer which can be peeled easily can be formed.

말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)의 구체예로서는, 비스말레이미드 수지를 구성하는 화합물이 바람직하게 사용되고, 하기 식(2-1)~(2-3)의 것 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 특히 하기 식(2-1) 또는 (2-3)으로 나타내는 화합물이 용매에 대한 용해성의 점에서 유용하다.As a specific example of the compound (c) containing 2 or more maleimide groups, the compound which comprises bismaleimide resin is used preferably, The thing of following formula (2-1)-(2-3), etc. are mentioned, Especially, the compound represented by following formula (2-1) or (2-3) is useful at the point of solubility to a solvent.

[화 3][Tue 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

반응성 실록산 화합물(d)은 접착제층을 구성하는 각 성분의 상용성을 높이면서, 접착제층의 봉지 수지로부터의 박리성을 향상시키기 위한 것으로서, 이것을 함유함으로써, 각 성분이 양호하게 상용되어, 성분의 분리, 석출 등의 문제점이 없는 균일한 접착제층을 형성할 수 있다. 그 결과, 접착제층은 접착 강도가 균일한 것이 되어, 부분적으로 접착 강도가 높은 것에 기인하는 박리성의 저하, 점착제 잔류 등의 문제점을 억제할 수 있다. The reactive siloxane compound (d) is for improving the peelability from the encapsulating resin of the adhesive layer while increasing the compatibility of each component constituting the adhesive layer. A uniform adhesive layer can be formed without problems of separation and precipitation. As a result, an adhesive bond layer becomes uniform, and it can suppress problems, such as peeling fall and adhesive residue which arise in part because adhesive strength is high.

반응성 실록산 화합물(d)로서는, 아미노 변성, 에폭시 변성, 카르복실 변성, 머캅토 변성 등의 반응기에 의해 반응성이 부여된 실록산 화합물을 제한없이 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 아미노프로필 말단의 디메틸실록산 4량체 또는 8량체, 비스(3-아미노페녹시메틸)테트라메틸디실록산이 (b)성분 및 (c)성분과의 반응이 신속하게 진행하는 점에서 적합하다. 반응성 실록산 화합물(d)로서는, 이와 같이 실록산 구조의 양말단에 반응기가 결합한 것을 사용하는 것이 반응성의 점으로부터 바람직하지만, 편말단인 것이나, 말단의 일방이 반응성이고 타방이 비반응성인 실란 커플링제도 사용할 수 있다.As the reactive siloxane compound (d), a siloxane compound imparted with reactivity by a reactor such as amino modification, epoxy modification, carboxy modification, mercapto modification, or the like can be used without limitation. Among these, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, dimethylsiloxane tetramer or tetramer of the aminopropyl terminal, bis (3-aminophenoxymethyl) tetramethyldisiloxane (b) component, It is suitable in that reaction with (c) component advances rapidly. As the reactive siloxane compound (d), it is preferable to use the one in which the reactor is bound to the sock end of the siloxane structure in view of the reactivity. However, the silane coupling agent having one end or one end reactive and the other non-reactive is also used. Can be used.

또한 상술한 (a)~(d)의 각 성분으로는, 모두 1종의 화합물로부터 구성된 것을 사용해도 되고, 2종 이상의 화합물의 혼합물을 사용해도 된다.Moreover, as each component of (a)-(d) mentioned above, the thing comprised from all 1 type of compounds may be used, and the mixture of 2 or more types of compounds may be used.

각 성분의 비율은 (a)성분 100 질량부에 대해, (b)성분과 (c)성분과 (d)성분과의 합계가 30~300 질량부인 것이 바람직하고, 30~200 질량부가 보다 바람직하다. (b)성분과 (c)성분과 (d)성분의 합계가 상기 범위 미만이면, 접착제층의 반응성이 저하되어, 가열에 의해서도 불용불융화가 진행되기 어려워져, 열안정성이 저하됨에 따라 접착력이 강해지는 경향이 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 가열 초기에서의 접착제층의 용융 점도가 부족해, 이 접착제층을 사용한 접착 시트에서는, 테이핑 공정 후의 다이 어태치 큐어 처리 등에서, 접착제층이 흘러 나가거나 발포하거나 할 우려가 있다.It is preferable that the sum total of (b) component, (c) component, and (d) component is 30-300 mass parts with respect to 100 mass parts of (a) component, and, as for the ratio of each component, 30-200 mass parts is more preferable. . When the sum total of (b) component, (c) component, and (d) component is less than the said range, the reactivity of an adhesive bond layer will fall, it will become difficult for insoluble infusible to advance even by heating, and adhesive force will become low as thermal stability falls. Tends to be strong. On the other hand, when the said range is exceeded, the melt viscosity of the adhesive bond layer in a heating initial stage will become inadequate, and in the adhesive sheet using this adhesive bond layer, there exists a possibility that an adhesive bond layer may flow out or foam | bubble in die-attach curing process etc. after a taping process. .

또한, (b)성분에 대한 (c)성분의 질량비((c)/(b))는, 0.1~10의 범위가 바람직하고, 또한 1~7의 범위가 보다 바람직하다. 상기 범위 미만에서는, 얻어지는 접착제층은 상온에서의 경화 반응이 진행되기 쉬워져 보존 안정성이 부족해지는 경우나, 접착력이 너무 강해져서, 이것을 사용한 접착 시트는 박리 공정에서 박리 불능이 되거나, 파단하거나 할 우려가 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 접착 시트의 제조시에서, 이 접착제층과 내열성 필름으로 이루어지는 기재와의 접착성이 저하되는 경우나, 접착제층이 발포하거나, 얻어진 접착 시트가 점착제 잔류가 되기 쉬운 것이 되는 경향이 있다.Moreover, the range of 0.1-10 is preferable, and, as for the mass ratio ((c) / (b)) of (c) component with respect to (b) component, the range of 1-7 is more preferable. If it is less than the said range, the adhesive layer obtained will be easy to advance hardening reaction at normal temperature, the storage stability will run out, adhesive strength will become strong too much, and the adhesive sheet using this will become incapable of peeling or fracture | rupture in a peeling process. There is. On the other hand, when it exceeds the said range, at the time of manufacture of an adhesive sheet, when the adhesiveness of this adhesive bond layer and the base material which consists of a heat resistant film falls, an adhesive bond layer will foam, or the obtained adhesive sheet will become easy to become adhesive residue. There is a tendency.

추가로, (b)성분의 에폭시기 수와 (c)성분의 말레이미드기 수와의 합계에 대한 (d)성분의 반응기 수의 비가 0.05~1.2인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1~0.8이다. 상기 범위 미만에서는, 접착제층 전체적으로의 반응성이 저하되고, 다이 어태치 큐어 처리 등에서 경화 반응이 진행되기 어려워져, 그 결과 접착력이 너무 강해지는 경우가 있다. 한편, 상기 범위를 넘으면, 반응이 과잉으로 너무 진행되어서, 접착제층의 조제시에 겔화 등의 문제가 일어나기 쉽고, 접착력이 약해지기 쉽다.Furthermore, it is preferable that ratio of the reactor number of (d) component with respect to the sum of the number of epoxy groups of (b) component and the number of maleimide groups of (c) component is 0.05-1.2, More preferably, it is 0.1-0.8. . If it is less than the said range, the reactivity to the adhesive bond layer whole may fall, and hardening reaction may become difficult to advance by die attach curing process etc., and as a result, adhesive force may become strong too much. On the other hand, when it exceeds the said range, reaction will progress too much, a problem, such as gelation, will arise easily at the time of preparation of an adhesive bond layer, and adhesive force will become weak easily.

접착제층에는, (a)~(d)의 각 필수 성분 외에, 유기 과산화물, 이미다졸류, 트리페닐포스핀 등의 반응 촉진제를 첨가해도 된다. 이들 첨가에 의해, 접착제층의 상온에서의 상태를 양호한 B 스테이지로 컨트롤하는 것도 가능하다. In addition to each essential component of (a)-(d), you may add reaction promoters, such as organic peroxide, imidazole, and triphenylphosphine, to an adhesive bond layer. By these addition, it is also possible to control the state in normal temperature of an adhesive bond layer to a favorable B stage.

추가로, 용융 점도의 컨트롤, 열전도성 향상, 난연성 부여 등의 목적을 위해서, 평균 입경 1μm 이하의 필러를 첨가해도 된다. 필러로서는, 실리카, 알루미나, 마그네시아, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 산화 티탄, 탄산칼슘, 수산화 알루미늄 등의 무기 필러, 실리콘 수지, 불소 수지 등의 유기 필러 등을 들 수 있다. 필러를 사용하는 경우에는, 그 함유량은 접착제층 중, 1~40 질량%로 하는 것이 바람직하다.In addition, for the purpose of controlling melt viscosity, improving thermal conductivity, imparting flame retardancy, a filler having an average particle diameter of 1 μm or less may be added. Examples of the filler include inorganic fillers such as silica, alumina, magnesia, aluminum nitride, boron nitride, titanium oxide, calcium carbonate and aluminum hydroxide, and organic fillers such as silicone resins and fluorine resins. When using a filler, it is preferable to make the content into 1-40 mass% in an adhesive bond layer.

본 발명의 접착 시트는, 기재인 내열성 필름의 한면에, 상술한 접착제층이 형성되어 있다. The adhesive bond layer of this invention is provided with the adhesive bond layer mentioned above in the one surface of the heat resistant film which is a base material.

이와 같은 접착 시트를 제조하는 경우에는, 우선, 적어도 상술한 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a), 상기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b), 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c) 및 반응성 실록산 화합물(d)과 용매로 이루어지는 접착제 도료를 조제한다. 그 다음에, 이 도료를 내열성 필름의 한면에, 건조 후의 접착제층의 두께가 바람직하게는 1~50μm, 보다 바람직하게는 3~20μm가 되도록 도포하고, 건조하면 된다. 또, 접착제층의 보호를 위해서, 형성된 접착제층 위에는, 추가로 박리성의 보호 필름을 마련하는 것이 바람직하고, 그 경우에는, 보호 필름 위에 도료를 도포, 건조해 접착제층을 형성하고, 그 위에 내열성 필름을 마련하는 방법으로 접착 시트를 제조해도 된다. 또한 보호 필름은 접착 시트의 사용시에는 박리된다.When manufacturing such an adhesive sheet, first, the compound containing at least 2 or more of the above-mentioned carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), the epoxy resin (b) which has the said structural formula (1), and maleimide group (c) and the adhesive coating material which consists of a reactive siloxane compound (d) and a solvent are prepared. Then, this coating material may be applied to one surface of the heat resistant film so that the thickness of the adhesive layer after drying is preferably 1 to 50 µm, more preferably 3 to 20 µm, and may be dried. Moreover, in order to protect an adhesive bond layer, it is preferable to provide a peelable protective film further on the formed adhesive bond layer, In that case, a coating material is apply | coated and dried on a protective film, an adhesive bond layer is formed, and a heat resistant film thereon You may manufacture an adhesive sheet by the method of providing this. In addition, a protective film peels at the time of use of an adhesive sheet.

내열성 필름으로는, 폴리이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 액정 폴리머, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등으로 이루어지는 내열성 플라스틱 필름, 에폭시 수지-글래스 클로스(cloth) 등의 복합 내열 필름 등을 들 수 있지만, 특히 폴리이미드 필름이 바람직하다.As the heat resistant film, a composite such as polyimide, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate or the like, a heat resistant plastic film, epoxy resin-cloth, etc. Although a heat resistant film etc. are mentioned, A polyimide film is especially preferable.

폴리이미드 필름의 두께는, 12.5~125μm가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25~50μm이다. 상기 범위 미만이면, 접착 시트의 탄력이 불충분하게 되어 취급하기 어려워지는 경향이 있어, 상기 범위를 넘으면, QFN 조립시의 테이핑 공정이나 박리 공정에서의 작업이 곤란하게 되는 경향이 있다.As for the thickness of a polyimide film, 12.5-125 micrometers is preferable, More preferably, it is 25-50 micrometers. If it is less than the above range, the elasticity of the adhesive sheet becomes insufficient, and it tends to be difficult to handle. If it exceeds the above range, there is a tendency that the work in the taping step and the peeling step at the time of QFN assembly becomes difficult.

접착제 도료에 사용되는 용매로서는, 탄화수소류, 알코올류, 케톤류, 에테르류(테트라히드로푸란 등) 등의 유기 용제, 물 등 중 1종 이상을 바람직하게 사용할 수 있고, 그 사용량은 도료로서 적절한 점도가 되도록 적절히 조정하면 된다. 또, 도료의 성상은, 용액, 에멀젼, 서스펜션 중 어느 것이어도 되고, 사용하는 도포 장치 및 환경 조건 등에 따라 적절히 선택하면 된다.As a solvent used for an adhesive paint, 1 or more types of organic solvents, such as hydrocarbons, alcohol, ketones, ethers (tetrahydrofuran, etc.), water, etc. can be used preferably, The usage-amount has suitable viscosity as a coating material. It may adjust as appropriate. Moreover, any of a solution, an emulsion, and suspension may be sufficient as the property of a coating material, and what is necessary is just to select suitably according to the coating apparatus, environmental conditions, etc. to be used.

박리성의 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 염화 비닐, 불소계 수지, 실리콘 등의 플라스틱 필름이나, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 종이 등에 실리콘 피복 등으로 박리성을 부여한 것을 들 수 있다.Examples of the peelable protective film include plastic films such as polyethylene, polypropylene, vinyl chloride, fluorine resin, silicone, and the like that have been provided with peelability by silicone coating or the like on polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, paper, or the like.

[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing Method of Semiconductor Device]

본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법은, 리드 프레임 또는 배선 기판에 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과, 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이 어태치 공정과, 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통시키는 와이어 본딩 공정과, 반도체 소자를 봉지 수지로 봉지하는 봉지 공정과, 봉지 공정 후, 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비한다.The manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet of this invention includes the sticking process of sticking an adhesive sheet to a lead frame or a wiring board, the die attach process of mounting a semiconductor element in a lead frame or a wiring board, a semiconductor element, and The wire bonding process which electrically connects an external connection terminal, the sealing process of sealing a semiconductor element with sealing resin, and the peeling process of peeling an adhesive sheet from a lead frame or a wiring board after a sealing process are provided.

이하, 본 발명의 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 일례에 대해서, 도 1~2를 참조해 설명한다. 도 1은 반도체 소자를 탑재하는 측으로부터 본 리드 프레임의 평면도이며, 도 2(a)~(f)는, 도 1에 나타내는 리드 프레임을 이용해 QFN 패키지를 제조하는 방법을 나타내는 공정도로서, 도 1의 리드 프레임의 A-A'단면도이다.Hereinafter, an example of the manufacturing method of the semiconductor device using the adhesive sheet of this invention is demonstrated with reference to FIGS. 1 is a plan view of a lead frame seen from a side on which a semiconductor element is mounted, and FIGS. 2A to 2F are process drawings showing a method of manufacturing a QFN package using the lead frame shown in FIG. AA sectional drawing of a lead frame.

우선, 도 1에 나타내는 개략 구성의 리드 프레임(20)을 준비한다. 리드 프레임(20)은 IC 칩 등의 반도체 소자를 탑재하는 복수의 반도체 소자 탑재부(다이 패드부)(21)가 매트릭스상으로 형성되고, 각 반도체 소자 탑재부(21)의 외주를 따라서 다수의 리드(22)(외부 접속 단자)가 형성되어 있다.First, the lead frame 20 of schematic structure shown in FIG. 1 is prepared. In the lead frame 20, a plurality of semiconductor element mounting portions (die pad portions) 21 on which semiconductor elements such as IC chips are mounted are formed in a matrix, and a plurality of leads are formed along the outer periphery of each semiconductor element mounting portion 21. 22) (external connection terminal) is formed.

리드 프레임(20)의 재질로서는, 종래 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면 구리판 및 구리 합금판, 또는 이들에 스트라이크 도금을 마련한 것이나 구리 합금판의 표면에, 니켈 도금층과 팔라듐 도금층과 금 도금층이 이 순서로 마련된 것을 들 수 있다.As a material of the lead frame 20, a conventionally well-known thing is mentioned, For example, a copper plate and a copper alloy plate, or what provided strike plating to these, or the surface of a copper alloy plate, a nickel plating layer, a palladium plating layer, and a gold plating layer are The thing provided in this order is mentioned.

도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 리드 프레임(20)의 일방의 면(하면)에, 접착 시트(10)를 접착제층(도시 생략)이 리드 프레임(20)에 맞닿도록 첩착한다(첩착 공정). 접착 시트(10)를 리드 프레임(20)에 첩착하는 방법으로서는, 라미네이트법·프레스법 등이 있지만, 생산성의 관점에서, 테이핑 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 라미네이트법이 적합하다. 본 공정에서의 접착 시트(10)의 온도는, 예를 들면, 상온(5~35℃)으로부터 150℃이고, 60~120℃가 보다 바람직하다. 150℃보다 높은 온도로 첩착하면 리드 프레임에 휨이 생기기 쉬워진다.As shown to Fig.2 (a), the adhesive sheet 10 is stuck to one surface (lower surface) of the lead frame 20 so that an adhesive bond layer (not shown) may contact the lead frame 20 (adhesion) fair). As a method of sticking the adhesive sheet 10 to the lead frame 20, there are a lamination method and a press method, but from the viewpoint of productivity, a lamination method capable of continuously performing a taping process is suitable. The temperature of the adhesive sheet 10 in this process is 150 degreeC from normal temperature (5-35 degreeC), for example, and 60-120 degreeC is more preferable. When sticking at temperature higher than 150 degreeC, curvature will arise easily in a lead frame.

본 공정에서 리드 프레임(20)에 휨이 생기면, 다이 어태치 공정이나 와이어 본딩 공정에서의 위치 결정이 곤란하게 되는 것이나, 가열로로의 반송이 곤란하게 되어, QFN 패키지의 생산성을 저하시킬 우려가 있다.If the lead frame 20 is warped in this step, positioning in the die attach step or the wire bonding step becomes difficult, conveyance to the heating furnace becomes difficult, and there is a fear of lowering the productivity of the QFN package. have.

도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 리드 프레임(20)의 반도체 소자 탑재부(21)에서의 접착 시트(10)가 첩착되어 있지 않은 측에, 다이 어태치제(도시 생략)를 통해서 IC 칩 등의 반도체 소자(30)를 재치한다. 이때, 리드 프레임(20)은 휨이 억제되어 있기 때문에, 용이하게 위치 결정된다. 그리고, 반도체 소자(30)가 소정의 위치에 정확하게 재치된다. 그 후, 100~200℃ 정도로 가열하고, 다이 어태치제를 경화해, 반도체 소자(30)를 반도체 소자 탑재부(21)에 고정해 탑재한다(다이 어태치제 경화 처리. 이상, 다이 어태치 공정.). 이때, 접착 시트(10)는 접착제층이 경화되고, 리드 프레임에 접착된다.As shown in FIG.2 (b), an IC chip etc. are connected through the die attach agent (not shown) to the side in which the adhesive sheet 10 in the semiconductor element mounting part 21 of the lead frame 20 is not stuck. The semiconductor element 30 is mounted. At this time, since the curvature is suppressed, the lead frame 20 is easily positioned. And the semiconductor element 30 is mounted correctly in a predetermined position. Then, it heats about 100-200 degreeC, hardens a die attach agent, and fixes the semiconductor element 30 to the semiconductor element mounting part 21, and mounts it (hardening process of a die attach. Above, a die attach process.) . At this time, the adhesive sheet 10 is cured by the adhesive layer and adhered to the lead frame.

접착 시트(10)나 다이 어태치제 등으로부터 발생하는 아웃 가스 성분이 리드 프레임(20)이나 반도체 소자(30)에 부착되어 있으면, 와이어 본딩 공정에 대해 와이어의 접합 불량에 의한 수율 저하를 일으키기 쉽다. 여기서, 다이 어태치 공정의 후, 와이어 본딩 공정의 전에, 리드 프레임(20)이나 반도체 소자(30)에 플라즈마 처리를 가한다(플라즈마 클리닝 공정). 플라즈마 처리로서는, 예를 들면, 접착 시트(10)가 첩착되어 반도체 소자(30)가 탑재된 리드 프레임(20)(이하, 재공품이라고 하는 경우가 있음)을 아르곤 가스, 또는 아르곤 가스와 수소 가스와의 혼합 가스 등의 분위기에서 플라즈마 조사하는 방법을 들 수 있다. 플라즈마 처리에서의 플라즈마의 조사 출력은 예를 들면, 150~600 W이다. 또, 플라즈마 처리의 시간은 예를 들면, 0.1~15분간이다.If the outgas component which arises from the adhesive sheet 10, the die attach agent, etc. is affixed to the lead frame 20 or the semiconductor element 30, it will be easy to produce the yield fall by the wire bonding process with respect to a wire bonding process. Here, the plasma treatment is applied to the lead frame 20 or the semiconductor element 30 after the die attach step and before the wire bonding step (plasma cleaning step). As the plasma treatment, for example, the lead frame 20 (hereinafter sometimes referred to as work in progress) on which the adhesive sheet 10 is attached and on which the semiconductor element 30 is mounted may be used as argon gas or argon gas and hydrogen gas. And a method of plasma irradiation in an atmosphere such as mixed gas. The irradiation output of the plasma in the plasma processing is 150 to 600 W, for example. Moreover, the time of plasma processing is 0.1 to 15 minutes, for example.

도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 소자(30)와 리드 프레임(20)의 리드(22)(외부 접속 단자)를 금 와이어, 구리 와이어, 팔라듐으로 피복된 구리 와이어 등의 본딩 와이어(31)로 전기적으로 도통한다(와이어 본딩 공정). 본 공정은, 재공품을 히터 블록 위에서 150~250℃ 정도로 가열하면서 수행된다. 본 공정에서의 가열 시간은 예를 들면, 5~60분간이다.As shown in FIG. 2 (c), the bonding wire 31 such as a gold wire, a copper wire, or a copper wire coated with palladium is coated on the lead 22 (external connection terminal) of the semiconductor element 30 and the lead frame 20. Is electrically conducted (wire bonding step). This process is performed, heating a work in progress on the heater block about 150-250 degreeC. The heating time in this process is 5 to 60 minutes, for example.

와이어 본딩 공정에서 재공품이 가열되면, 접착제층 중에 불소 첨가제가 함유되어 있는 경우에는, 불소 첨가제가 접착제층의 표면으로 이행하기 때문에, 후술의 박리 공정에서 접착 시트(10)는 리드 프레임(20) 및 봉지 수지(40)로부터 박리하기 쉬워진다.When the work is heated in the wire bonding step, when the fluorine additive is contained in the adhesive layer, the fluorine additive moves to the surface of the adhesive layer. Therefore, in the peeling step described later, the adhesive sheet 10 includes the lead frame 20 and It becomes easy to peel from the sealing resin 40.

도 2(d)에 나타내는 바와 같이, 도 2(c)에 나타내는 재공품을 금형 내에 재치하고, 봉지 수지(몰드재(材))를 이용해 금형 내에 사출해 충전한다. 임의의 양을 금형 내에 충전한 후, 금형 내를 임의의 압력으로 유지함으로써, 반도체 소자(30)를 봉지 수지(40)에 의해 봉지한다(봉지 공정). 봉지 수지로서는, 종래 공지의 것이 이용되고, 예를 들면 에폭시 수지 및 무기 필러 등의 혼합물을 들 수 있다.As shown in FIG.2 (d), the workpiece shown in FIG.2 (c) is mounted in a metal mold | die, and it injects and fills in a metal mold | die by using sealing resin (mold material). After filling an arbitrary amount in a metal mold | die, the semiconductor element 30 is sealed by the sealing resin 40 by maintaining the inside of metal mold | die at arbitrary pressure (sealing process). Conventionally well-known things are used as sealing resin, For example, mixtures, such as an epoxy resin and an inorganic filler, are mentioned.

도 2(e)에 나타내는 바와 같이, 접착 시트(10)를 봉지 수지(40) 및 리드 프레임(20)으로부터 박리함으로써, 복수의 QFN 패키지(50)가 배열된 QFN 유닛(60)을 얻는다(박리 공정).As shown in FIG.2 (e), the adhesive sheet 10 is peeled from the sealing resin 40 and the lead frame 20, and the QFN unit 60 in which the some QFN package 50 was arranged is obtained (peeling off). fair).

도 2(f)에 나타내는 바와 같이, QFN 유닛(60)을 각 QFN 패키지(50)의 외주를 따라서 다이싱함으로써, 복수의 QFN 패키지(50)를 얻는다(다이싱 공정).As shown in FIG.2 (f), the several QFN package 50 is obtained by dicing the QFN unit 60 along the outer periphery of each QFN package 50 (dicing process).

또한 상술한 실시 형태에서는, 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지의 제조 방법을 예로 하여 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 리드 프레임을 이용한 QFN 패키지 이외의 반도체 장치의 제조 방법, 배선 기판을 이용한 반도체 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다.In addition, although the above-mentioned embodiment demonstrated the manufacturing method of the QFN package using a lead frame as an example, this invention is not limited to this, The manufacturing method of semiconductor devices other than the QFN package using a lead frame, and the semiconductor using a wiring board It is also applicable to the manufacturing method of an apparatus.

본 발명의 접착 시트에서의 접착제층은 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)의 카르복실기와 에폭시 수지(b)의 글리시딜기를 가교하여 B 스테이지 상태(반경화 상태)를 취함으로써, 낮은 유리 전이 온도(10℃~50℃)로 할 수 있다. 낮은 유리 전이 온도의 접착제층을 가지는 접착 시트는, 비교적 저온의 가열 조건, 구체적으로는 60~150℃에서 롤 라미네이트 등에 의해 테이핑 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 생산성이 뛰어나다.The adhesive layer in the adhesive sheet of the present invention is obtained by crosslinking the carboxyl group of the carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a) with the glycidyl group of the epoxy resin (b) to take a B stage state (semicured state). It can be set as glass transition temperature (10 degreeC-50 degreeC). An adhesive sheet having an adhesive layer having a low glass transition temperature is excellent in productivity capable of continuously performing a taping process by a roll laminate or the like at relatively low heating conditions, specifically, 60 to 150 ° C.

또, 본 발명의 접착 시트에서의 낮은 유리 전이 온도(10℃~50℃)의 접착제층은 가열되었을 때에 고탄성율의 특성이 얻어진다. 최근, 와이어 본딩 공정에서의 코스트 다운을 목적으로, 종래의 금 와이어를 대신하여 저비용인 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어에 의한 본딩을 한 제품을 보급하기 시작하고 있다. 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어는, 금보다 고탄성의 금속이기 때문에, 안정된 형상을 만들기 위해서는 종래의 금 와이어보다 높은 하중에서의 가공이 필요하다.Moreover, when the adhesive bond layer of the low glass transition temperature (10 degreeC-50 degreeC) in the adhesive sheet of this invention is heated, the characteristic of high elastic modulus is obtained. In recent years, for the purpose of cost reduction in the wire bonding process, it has begun to spread the product which bonded with the low cost copper wire or the palladium coated copper wire instead of the conventional gold wire. Since copper wire or palladium-coated copper wire is a metal of higher elasticity than gold, processing at the load higher than the conventional gold wire is required in order to make a stable shape.

이와 같은 큰 하중을 리드 프레임에 가하면, 리드 프레임 하부에 첩착되어 있는 접착 시트에서의 접착제층이 저탄성률이면, 상기 접착제층이 변형되고, 그 변형된 접착제층의 상태로 수지 봉지된다. 그렇게 하면, 변형된 접착제층 부분으로부터 봉지 수지의 누출이 발생한다. 또, 리드 프레임으로부터 접착 시트를 박리할 때에는, 상기 변형된 접착제층 부분으로부터 접착제층이 파단해 리드 프레임 표면 위에 접착제가 잔류한다는 문제도 생긴다. 아울러, 와이어 본딩시에, 접착제가 저탄성률이면, 접착제가 변형되어 버림으로써, 와이어 하중이 전해지기 어렵고, 와이어 본딩 불량도 일어나기 쉬워진다. 본 발명의 접착 시트에서의 접착제층은 상기와 같이 고탄성율의 특성을 가지기 때문에, 구리 와이어 또는, 팔라듐 피복된 구리 와이어를 이용하고, 와이어 본딩해도, 와이어 본딩 불량이나, 봉지 수지의 누출이나 접착제층의 잔류의 문제가 생기기 어렵다.When such a large load is applied to the lead frame, the adhesive layer is deformed and the resin is encapsulated in the state of the deformed adhesive layer if the adhesive layer in the adhesive sheet adhered to the lead frame is low in elastic modulus. Doing so causes leakage of the sealing resin from the deformed adhesive layer portion. Moreover, when peeling an adhesive sheet from a lead frame, the adhesive layer breaks from the said modified adhesive bond layer part, and the problem also arises that an adhesive agent remains on the lead frame surface. In addition, when an adhesive agent is a low elastic modulus at the time of wire bonding, when an adhesive agent deform | transforms, a wire load will hardly be transmitted and a wire bonding defect will also occur easily. Since the adhesive bond layer in the adhesive sheet of this invention has the characteristic of high elastic modulus as mentioned above, even if it wire-bonds using copper wire or a palladium-coated copper wire, the wire bonding defect, the leakage of sealing resin, or an adhesive bond layer It is difficult to cause the problem of residual.

또, 본 발명의 접착 시트에서의 접착제층에는, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)을 가지기 때문에, 접착 시트의 제조시에서의 건조 과정에서 접착제층의 경화를 적절히 컨트롤하는 것이 가능하고, 접착제층을 높은 B 스테이지 상태로 할 수 있으며, 그 때문에, 리드 프레임에 대한 접착 강도가 높아지는 것을 억제하고, 그 결과 봉지 수지의 누출, 접착제의 리드 프레임에 대한 잔류 및 박리시의 접착제층의 파단을 억제할 수 있다.Moreover, since the adhesive bond layer in the adhesive sheet of this invention has the compound (c) containing 2 or more maleimide groups, it is possible to suitably control hardening of an adhesive bond layer in the drying process at the time of manufacture of an adhesive sheet, The adhesive layer can be in a high B-stage state, thereby suppressing the increase in the adhesive strength to the lead frame, and as a result, leakage of the encapsulating resin, retention of the adhesive to the lead frame, and breakage of the adhesive layer during peeling. Can be suppressed.

실시예Example

이하, 본 발명에 대해서, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, an Example is shown and this invention is demonstrated concretely.

[실시예 1~6 및 비교예 1~4][Examples 1-6 and Comparative Examples 1-4]

(접착제 도료의 조성)(Composition of adhesive paint)

표 1에 나타내는 질량 비율로, (a)~(d)성분 및 그 외의 성분과 용매인 테트라히드로푸란(THF)을 혼합하여, 접착제 도료를 조제했다.In the mass ratio shown in Table 1, (a)-(d) component, other components, and tetrahydrofuran (THF) which is a solvent were mixed, and the adhesive coating material was prepared.

그 다음에, 이 접착제 도료를 두께 25μm의 폴리이미드 필름(도레이·듀폰 사 제, 상품명 캡톤 100EN)의 한면에, 건조 후의 접착제층 두께가 5μm가 되도록 도포 후, 180℃로 설정한 열풍 순환형 오븐 중에서 건조해, 접착 시트를 얻었다.Next, this adhesive paint was applied to one surface of a polyimide film (trade name Kapton 100EN manufactured by Toray DuPont, manufactured by Toray DuPont) so as to have a thickness of 5 μm after drying, and then set to 180 ° C. in a hot air circulation type oven. It dried in the middle and obtained the adhesive sheet.

또한 사용한 각 성분의 상세한 것은 이하와 같다.In addition, the detail of each used component is as follows.

·카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체: 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량 1500, 아크릴로니트릴 함유량 27 질량%Carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer: Carboxyl group equivalent 1500 computed from a number average molecular weight, and acrylonitrile content 27 mass%

·아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체: 아크릴로니트릴 함유량 27 질량%Acrylonitrile-butadiene copolymer: Acrylonitrile content 27 mass%

·구조식(1)을 가지는 에폭시 수지: 분자량 630, 관능기 당량 210 g/eqEpoxy resin having the structural formula (1): molecular weight 630, functional group equivalent 210 g / eq

·비스페놀 A 디페닐에테르비스말레이미드: 분자량 570, 관능기 당량 285 g/eqBisphenol A diphenyl ether bismaleimide: Molecular weight 570, functional group equivalent 285 g / eq

·1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸디실록산: 분자량 248, 관능기 당량 62 g/eq1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane: Molecular weight 248, functional group equivalent 62 g / eq

Figure pct00004
Figure pct00004

상술한 바와 같이 하여 얻어진 각 예의 접착 시트에 대해서, 하기와 같이 하여, (1) 리드 프레임재에 대한 박리 강도와, (2) 다이 어태치 공정 후의 열 특성, (3) 봉지 수지재에 대한 박리 강도 및 시트 박리 후의 접착제 잔류물의 유무, (4) 수지 봉지 공정 후의 시험체의 봉지 수지 누출 유무를 측정 또는, 확인했다.About the adhesive sheet of each example obtained as mentioned above, (1) peeling strength with respect to a lead frame material, (2) thermal characteristics after a die attach process, and (3) peeling with respect to the sealing resin material The presence or absence of the adhesive residue after strength and sheet peeling, and (4) the presence or absence of the sealing resin leakage of the test body after the resin sealing process were measured or confirmed.

(1) 리드 프레임재에 대한 박리 강도(1) Peel strength against lead frame material

(i) 시험체의 제작(i) fabrication of test bodies

각 예에서 얻어진 접착 시트를 폭 50 mm × 길이 60 mm로 재단하고, 이것을 외부 치수 57.5mm × 53.5 mm 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임(표면 스트라이크 도금, 8×8개의 매트릭스 배열, 패키지 사이즈 5 mm × 5 mm, 32 핀)에 롤 라미네이트를 사용해 첩부한 것을 시험체로 했다. 그 때의 라미네이트 조건은 온도 80℃, 압력 4 N/cm, 압착 속도 1 m/분으로 했다.The adhesive sheet obtained in each example was cut into a width of 50 mm × 60 mm, and this was tested for a lead frame (surface strike plating, 8 × 8 matrix arrangement, package size 5 mm) made of an outer dimension of 57.5 mm × 53.5 mm copper alloy. 5 mm, 32 pins) was used as a test body by using a roll laminate. Lamination conditions at that time were made into the temperature of 80 degreeC, the pressure of 4 N / cm, and the crimping | compression-rate 1 m / min.

(ii) 박리 강도의 측정(ii) measurement of peel strength

상술한 시험체에 대해서, 만능 인장 시험기를 사용하여, 90° 필 강도를 측정했다. 또한 리드 프레임을 고정해, 접착 시트를 수직 방향으로 끌어당겨 측정했다. 인장 속도는 50 mm/분으로 했다. 결과를 표 2에 나타낸다.About the test body mentioned above, 90 degree peeling strength was measured using the universal tensile tester. Moreover, the lead frame was fixed and the adhesive sheet was pulled in the vertical direction and measured. Tensile speed was 50 mm / min. The results are shown in Table 2.

(2) 다이 어태치 공정 후의 열 특성(2) Thermal characteristics after die attach process

각 예에서 얻어지는 접착 시트에 있어서, 두께 25μm의 폴리이미드 필름을, 두께 38μm의 이형 처리를 가한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)으로 한 것을 제작해, 다이 어태치 큐어 처리를 상정하고, 통풍 오븐을 사용해 175℃에서 1시간 가열했다.In the adhesive sheet obtained by each example, the thing which made the polyimide film of thickness 25 micrometers into the polyethylene terephthalate film (PET film) which gave the release process of thickness 38 micrometers was produced, and assumes a die attach curing process, It heated at 175 degreeC for 1 hour using.

가열 후의 접착 시트에서의 접착제층을 PET 필름으로부터 취출하여, 인장 저장 탄성률을 DMA(Dynamic Mechanical Analyzer)를 이용해 측정했다. DMA로서 바이브론 측정기(오리엔텍사 제, RHEOVIBRON DDV-II-EP)를 이용하고, 주파수 11 Hz, 승온 속도 10℃/min, 하중 1.0 gf로 측정을 수행했다. 와이어 본딩 공정시를 상정했을 때에 걸리는 온도, 180℃에서의 인장 저장 탄성률의 결과를 표 2에 나타낸다.The adhesive bond layer in the adhesive sheet after heating was taken out from PET film, and the tensile storage elastic modulus was measured using DMA (Dynamic Mechanical Analyzer). The measurement was performed at a frequency of 11 Hz, a temperature increase rate of 10 ° C./min, and a load of 1.0 gf using a Vibro measuring instrument (RHEOVIBRON DDV-II-EP manufactured by Orientec Co., Ltd.) as DMA. Table 2 shows the results of the temperature applied when the wire bonding step is assumed and the tensile storage modulus at 180 ° C.

(3) 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도 및 시트 박리 후의 접착제 잔류물의 유무(3) Peel strength to the test body after the resin encapsulation step and the presence or absence of adhesive residue after sheet peeling

(i) 시험체의 제작과 열처리(i) Fabrication and Heat Treatment of Test Specimens

각 예에서 얻어진 접착 시트를 실제의 QFN의 조립에 수반하는 열 이력 등을 상정하여, 우선 하기의 (a)~(d)를 차례로 실시했다.The adhesive sheets obtained in each example were assumed a thermal history associated with actual QFN assembly, and the following (a) to (d) were performed in order.

(a) 각 예에서 얻어진 접착 시트를 폭 50 mm × 길이 60 mm로 재단하고, 이것을 외부 치수 57.5mm × 53.5 mm 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임(표면 스트라이크 도금, 8×8개의 매트릭스 배열, 패키지 사이즈 5 mm × 5 mm, 32 핀)에 롤 라미네이트를 사용해 첩부하였다. 그 때의 라미네이트 조건은 온도 80℃, 압력 4 N/cm, 압착 속도 1 m/분으로 했다.(a) The adhesive sheet obtained in each example was cut into a width of 50 mm x 60 mm, and this was tested for a lead frame (surface strike plating, 8 x 8 matrix arrangement, package) made of an outer dimension of 57.5 mm x 53.5 mm copper alloy. It was affixed using roll lamination to size 5 mm x 5 mm, 32 pins). Lamination conditions at that time were made into the temperature of 80 degreeC, the pressure of 4 N / cm, and the crimping | compression-rate 1 m / min.

(b) 접착 시트가 첩착된 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임을 통풍 오븐에서 175℃/1시간 가열했다. 이것은 다이 어태치 큐어 처리를 상정한 처리이다.(b) The test lead frame made of the copper alloy on which the adhesive sheet was stuck was heated in a ventilation oven at 175 ° C / 1 hour. This is a process that assumes a die attach cure process.

(c) 플라즈마 조사 처리: Yield 엔지니어링사 제 1000P에 의해, 가스종(種)으로 Ar을 사용하여, 450 W/60초간 처리했다.(c) Plasma Irradiation Treatment: Yield Engineering Co., Ltd. 1000P was used for 450 W / 60 seconds using Ar as the gas species.

(d) 200℃/30분 가열: 와이어 본딩 공정을 상정한 처리로서, 핫 플레이트를 사용해 가열했다. (d) 200 degreeC / 30-minute heating: It heated using the hotplate as a process which assumed the wire bonding process.

그 다음에, (a)~(d)의 열처리가 끝난 피착체의 접착 시트가 첩합된 면과는 반대의 구리재 노출면에, 몰드 프레스기를 이용하여, 175℃/3분의 조건에서 봉지 수지를 적층했다(수지 봉지 공정). 봉지 수지로서는 스미토모 베이클라이트사 제의 에폭시 몰드 수지(EME-G631BQ)를 사용했다.Subsequently, sealing resin on the conditions of 175 degreeC / 3 minutes using a mold press machine on the copper material exposure surface opposite to the surface on which the adhesive sheet of the heat-processed to-be-adhered body of (a)-(d) was bonded together Was laminated (resin sealing step). As sealing resin, the epoxy mold resin (EME-G631BQ) by Sumitomo Bakelite Co., Ltd. was used.

(ii) 박리 강도의 측정 및 시트 박리 후의 접착제 잔류물의 유무(ii) the measurement of peel strength and the presence or absence of adhesive residue after sheet peeling

상술한 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대해서, 만능 인장 시험기를 사용하여, 90° 필 강도를 측정했다. 또한 시험체를 고정해, 접착 시트의 코너 부분을 수직 방향으로 끌어당겨 측정했다. 인장 속도는 300 mm/분으로 했다. 또, 시트 박리 후의 접착제 잔류물의 유무를, 광학 현미경(키엔스사 제 디지털 마이크로스코프 VHX-500)을 이용하여, 배율 100배로 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다.About the test body after the resin sealing process mentioned above, 90 degree peeling strength was measured using the universal tensile tester. Moreover, the test body was fixed and the corner part of the adhesive sheet was pulled in the vertical direction, and it measured. Tensile speed was 300 mm / min. Moreover, the presence or absence of the adhesive residue after sheet peeling was confirmed by the magnification of 100 times using the optical microscope (Digital microscope VHX-500 by a Keyence company). The results are shown in Table 2.

(4) 수지 봉지 공정 후의 시험체의 봉지 수지 누출 유무(4) Whether the sealing resin leaked out of the test body after the resin sealing step

상술한 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대해서, 봉지 수지 누출의 유무를, 광학 현미경(키엔스사 제 디지털 마이크로스코프 VHX-500)을 이용하여, 배율 100배로 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다.About the test body after the resin sealing process mentioned above, the presence or absence of the sealing resin leak was confirmed by the magnification of 100 times using the optical microscope (digital microscope VHX-500 by a Keyence company). The results are shown in Table 2.

또한 표 2 중에서의 판정 란의 기호는, 이하의 내용을 나타낸다.In addition, the symbol of the judgment column in Table 2 shows the following content.

(1) 리드 프레임재에 대한 박리 강도의 측정(1) Measurement of Peel Strength for Lead Frame Material

○: 박리 강도가 10 gf/50 mm 이상이다.(Circle): Peeling strength is 10 gf / 50 mm or more.

△: 박리 강도가 5 gf/50 mm 이상 10 gf/50 mm 미만이다.(Triangle | delta): Peeling strength is 5 gf / 50 mm or more and less than 10 gf / 50 mm.

×: 박리 강도가 5 gf/50 mm 미만이다.X: Peeling strength is less than 5 gf / 50 mm.

(2) 다이 어태치 공정 후의 열 특성(2) Thermal characteristics after die attach process

○: 180℃에서의 인장 저장 탄성률이 10 MPa 이상○: Tensile storage modulus at 180 ° C. is 10 MPa or more

△: 180℃에서의 인장 저장 탄성률이 1 MPa 이상 10 MPa 미만(Triangle | delta): The tensile storage elastic modulus in 180 degreeC is 1 MPa or more and less than 10 MPa

×: 180℃에서의 인장 저장 탄성률이 1 MPa 미만X: Tensile storage modulus in 180 degreeC is less than 1 MPa

(3) 수지 봉지 공정 후의 시험체에 대한 박리 강도 및 시트 박리 후의 접착제 잔류물의 유무(3) Peel strength to the test body after the resin encapsulation step and the presence or absence of adhesive residue after sheet peeling

○: 박리 강도가 1000 gf/50 mm 미만으로서, 박리한 접착 시트가 파단하고 있지 않고, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하고 있지 않다.(Circle): Since peeling strength is less than 1000 gf / 50mm, the peeled adhesive sheet is not broken and an adhesive agent does not remain on the lead frame material surface and the sealing resin surface.

△: 박리 강도가 1000 gf/50 mm 이상으로서, 박리한 접착 시트가 파단하고 있지 않고, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하고 있지 않다.(Triangle | delta): Peeling strength is 1000 gf / 50mm or more, the peeled adhesive sheet is not broken, and an adhesive agent does not remain on the lead frame material surface and sealing resin surface.

×: 접착 시트의 파단이 확인되거나, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제의 잔류가 확인되거나의 적어도 어느 하나에 해당한다.X: The breakage of an adhesive sheet is confirmed, or the residue of an adhesive agent is confirmed on the lead frame material surface and the sealing resin surface, or it corresponds to at least either.

(4) 수지 봉지 공정 후의 시험체의 봉지 수지 누출 유무(4) Whether the sealing resin leaked out of the test body after the resin sealing step

○: 접착 시트 박리 후의, 수지 봉지제의 테스트용 리드 프레임재 표면에, 봉지 수지가 누출되지 않았다.(Circle): The sealing resin did not leak to the surface of the lead frame material for testing of the resin sealing agent after adhesive sheet peeling.

×: 접착 시트 박리 후의, 수지 봉지제의 테스트용 리드 프레임재 표면에, 봉지 수지가 누출되어 있다.X: The sealing resin leaked on the test lead frame material surface of the resin sealing agent after adhesive sheet peeling.

Figure pct00005
Figure pct00005

상기의 표 2로부터 분명한 것과 같이, 실시예 1~6의 접착 시트는, 구리 합금제의 테스트용 리드 프레임에 대한 박리 강도가 5 gf/50 mm 이상이며 리드 프레임재에 대해서 뛰어난 접착성을 가지고 있었다. 또, 실시예 1~6의 접착 시트는, 180℃에서의 인장 저장 탄성률이 10 MPa 이상으로서 와이어 본딩 공정에서의 하중에 의해서 생기는 접착제층의 변형에 충분히 견디는 특성을 가지는 것이 확인되었다. 또, 실시예 1~6의 접착 시트는, 봉지 수지의 누출이 없고, 접착 시트의 기재 및 접착제층이 파단하고 있지 않으며, 리드 프레임재 표면 및 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하지 않는 뛰어난 특성이었다.As apparent from Table 2 above, the adhesive sheets of Examples 1 to 6 had a peel strength of 5 gf / 50 mm or more with respect to the test lead frame made of copper alloy, and had excellent adhesion to the lead frame member. . Moreover, it was confirmed that the adhesive sheets of Examples 1-6 have the tensile storage elastic modulus in 180 degreeC or more, 10MPa or more, and have the characteristic which can fully endure the deformation | transformation of the adhesive bond layer which arises by the load in a wire bonding process. Moreover, the adhesive sheet of Examples 1-6 was the outstanding characteristic that there is no leakage of sealing resin, the base material and adhesive bond layer of an adhesive sheet did not break, and an adhesive agent does not remain on the surface of a lead frame material and the sealing resin surface.

이것에 대해서, 비교예 1, 비교예 2 및 비교예 4의 접착 시트는, 180℃에서의 인장 저장 탄성률이 10 MPa 미만으로서 와이어 본딩 공정에서의 하중에 의해서 생기는 접착제층의 변형에 견디기 어려운 것이 확인되었다. 또, 비교예 1~4의 접착 시트는, 봉지 수지재로부터의 박리시에 접착 시트가 파단해, 시트 박리가 가능한 개소에서도, 리드 프레임재 표면 및 박리 봉지 수지 표면에 접착제가 잔류하고 있었다.On the other hand, the adhesive sheets of Comparative Example 1, Comparative Example 2, and Comparative Example 4 confirmed that the tensile storage modulus at 180 ° C. was less than 10 MPa, making it difficult to withstand the deformation of the adhesive layer caused by the load in the wire bonding step. It became. Moreover, in the adhesive sheets of Comparative Examples 1-4, the adhesive sheet broke at the time of peeling from the sealing resin material, and the adhesive agent remained in the lead frame material surface and the peeling sealing resin surface also in the place where sheet peeling is possible.

본 발명에 의한 접착 시트는, QFN(Quad Flat Non-lead) 방식에 의해 반도체 장치를 조립할 때에 마스크 테이프로서 적합하게 사용된다. 본 발명에 의한 접착 시트에 의하면, 박리 공정의 전까지는, QFN 조립에 수반하는 열 이력을 받아도, 리드 프레임의 이면 및 봉지 수지의 이면으로부터 벗겨지지 않고 이들에 충분하고 안정하게 첩착해, 봉지 수지의 누출도 없고, 게다가, 박리 공정에서는 용이하게 박리할 수 있어, 접착제가 잔류하는 점착제 잔류가 생기거나 파단하거나 하지 않는다. 또, 본 발명에 의한 접착 시트는, 반도체 장치의 제조에 적용된다.The adhesive sheet according to the present invention is suitably used as a mask tape when assembling a semiconductor device by a QFN (Quad Flat Non-lead) method. According to the adhesive sheet according to the present invention, even before the peeling step, even if the thermal history accompanying QFN assembly is received, the adhesive sheet is sufficiently peeled from the back side of the lead frame and the back side of the encapsulating resin without sufficient peeling and stably attached thereto. There is no leakage and in addition, in a peeling process, it can peel easily, and the adhesive residue which an adhesive remains does not produce or break. Moreover, the adhesive sheet by this invention is applied to manufacture of a semiconductor device.

10 반도체 장치 제조용 접착 시트
20 리드 프레임
30 반도체 소자
31 본딩 와이어
40 봉지 수지
50 QFN 패키지
10 Adhesive sheet for semiconductor device manufacture
20 lead frames
30 semiconductor devices
31 bonding wire
40 bags of resin
50 QFN Package

Claims (6)

기재와, 상기 기재의 일방의 면에 마련된 열경화형의 접착제층을 구비하고, 반도체 장치의 리드 프레임 또는 배선 기판에 박리 가능하게 첩착되는 반도체 장치 제조용 접착 시트에 있어서,
상기 접착제층은 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(a)와, 하기 구조식(1)을 가지는 에폭시 수지(b)와, 말레이미드기를 2개 이상 함유하는 화합물(c)과, 반응성 실록산 화합물(d)을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
[화 1]
Figure pct00006
In the adhesive sheet for semiconductor device manufacture provided with the base material and the thermosetting adhesive bond layer provided in one surface of the said base material, and sticking so that peeling is possible to the lead frame or wiring board of a semiconductor device,
The adhesive layer includes a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer (a), an epoxy resin (b) having the following structural formula (1), a compound (c) containing two or more maleimide groups, and a reactive siloxane compound ( d) containing the adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned.
[Tue 1]
Figure pct00006
청구항 1에 있어서,
상기 (a)성분은 아크릴로니트릴 함유량이 5~50 질량%이고, 또한 수평균 분자량으로부터 산출되는 카르복실기 당량이 100~20000인 카르복실기 함유 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
The method according to claim 1,
The said (a) component is a carboxyl group-containing acrylonitrile-butadiene copolymer whose acrylonitrile content is 5-50 mass%, and the carboxyl group equivalent computed from a number average molecular weight is 100-20000, The adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned. .
청구항 1에 있어서,
상기 (a)성분 100 질량부에 대해, 상기 (b)성분과 상기 (c)성분과 상기 (d)성분과의 합계가 30~300 질량부인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
The method according to claim 1,
The total of the (b) component, the (c) component, and the (d) component is 30-300 mass parts with respect to 100 mass parts of said (a) component, The adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 (b)성분에 대한 (c)성분의 질량비((c)/(b))는, 0.1~10의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
The method according to claim 1,
Mass ratio ((c) / (b)) of (c) component with respect to said (b) component is the range of 0.1-10, The adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 (b)성분의 에폭시기 수와 (c)성분의 말레이미드기 수와의 합계에 대한 (d)성분의 반응기 수의 비가 0.05~1.2인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조용 접착 시트.
The method according to claim 1,
The ratio of the number of reactors of (d) component with respect to the sum of the number of epoxy groups of the said (b) component, and the number of maleimide groups of (c) component is 0.05-1.2, The adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 기재된 반도체 장치 제조용 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로서,
리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 장치 제조용 접착 시트를 첩착하는 첩착 공정과,
상기 리드 프레임 또는 배선 기판에 반도체 소자를 탑재하는 다이 어태치 공정과,
상기 반도체 소자와 외부 접속 단자를 도통시키는 와이어 본딩 공정과,
상기 반도체 소자를 봉지(封止) 수지로 봉지하는 봉지 공정과,
상기 봉지 공정 후, 반도체 장치 제조용 접착 시트를 리드 프레임 또는 배선 기판으로부터 박리하는 박리 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
As a manufacturing method of a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor device manufacture of Claim 1,
An adhering step of adhering the adhesive sheet for semiconductor device production to a lead frame or a wiring board;
A die attach step of mounting a semiconductor element on the lead frame or a wiring board;
A wire bonding step of conducting the semiconductor element and an external connection terminal with each other;
A sealing step of sealing the semiconductor element with a sealing resin;
And a peeling step of peeling the adhesive sheet for semiconductor device production from the lead frame or the wiring board after the sealing step.
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