JP2003165961A - Masking sheet for assembling semiconductor device - Google Patents

Masking sheet for assembling semiconductor device

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JP2003165961A
JP2003165961A JP2001363221A JP2001363221A JP2003165961A JP 2003165961 A JP2003165961 A JP 2003165961A JP 2001363221 A JP2001363221 A JP 2001363221A JP 2001363221 A JP2001363221 A JP 2001363221A JP 2003165961 A JP2003165961 A JP 2003165961A
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Osamu Oka
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勝治 中場
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健 佐藤
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Tomoegawa Paper Co Ltd
株式会社巴川製紙所
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a masking sheet with which a semiconductor package of QFN, or the like, can be stably produced while controlling a failure in wire bonding, squeeze-out of a molding resin, and glue remainders of an adhesive when a semiconductor device is assembled.
SOLUTION: The masking sheet for assembling the semiconductor device comprises an adhesive layer formed on a heat resistant base, the layer comprising, per 100 parts by volume of the adhesive, 5-50 parts by volume of a filler being applied releasably to a lead frame.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、QFN(Quad Fla BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention is, QFN (Quad Fla
t Non-lead)タイプの半導体装置の製造に使用されるマスクシートに関する。 t relates mask sheet used in the manufacture of Non-lead) type semiconductor device. すなわち、本発明は半導体チップを金属のリードフレームに搭載し樹脂封止して半導体装置を組み立てる際に、リードフレームをモールド樹脂からマスクするために使用する半導体装置組立用マスクシートに関する。 That is, the present invention in assembling the semiconductor device sealed mounted with resin a semiconductor chip to a lead frame of metal, to the mask sheet for semiconductor device assembly that is used to mask the lead frame from the molded resin. 【0002】 【従来の技術】携帯型パソコン、携帯電話の普及が進む今日、電子機器には更なる小型化、薄型化、多機能化が要求されている。 [0002] portable personal computer, today the spread of mobile phones is advanced, miniaturized further in electronic devices, thinner, multiple functions are required. この要求を実現するには、電子部品の小型化、高集積化は必須のことであるが、さらに電子部品の高密度実装技術が必要となる。 To achieve this requirement, miniaturization of electronic components, the high integration is essential that, it is necessary to further high-density mounting technology of electronic components. そこで従来のQFP Therefore, conventionally of QFP
(Quad Flat Package)およびSOP(Small Outline P (Quad Flat Package) and SOP (Small Outline P
ackage)等の周辺実装型に代わって、CSP(Chip Siz ackage) on behalf of the peripheral mounting type, etc., CSP (Chip Siz
e Package)と呼ばれる面実装型のものが高密度実装可能なICパッケージとして脚光を浴びている。 Those of the surface mount type called e Package) has attracted attention as IC packages available high-density mounting. またその中でも、特にQFN(Quad Flat Non-lead)と呼ばれるタイプのものは、従来のリードフレーム、ワイヤーボンディング、樹脂封止(モールド)の技術および装置によって作製できるために、主に100ピン以下の小端子型パッケージの作製に使用されている。 Also Among them, in particular of the type known as QFN (Quad Flat Non-lead), a conventional lead frame, wire bonding, in order to be prepared by techniques and apparatus resin sealing (molding), mainly in the 100-pin below It is used in the production of small-terminal package. このQFNは次のようにして作製される。 The QFN is fabricated as follows. すなわち、図1に示したようにリードフレーム1の片面に、耐熱性基材3上に粘着剤層2が形成されたマスクシートを、例えば加熱下に圧着して貼着する。 That is, on one side of the lead frame 1 as shown in FIG. 1, the mask sheet the adhesive layer 2 is formed on the heat-resistant substrate 3 is attached for example by crimping under heat. ついで、そのリードフレームの反対面に半導体チップ5を搭載し、金ワイヤー4によりリードと半導体チップを接続する(図2)。 Then mounting the semiconductor chip 5 on the opposite surface of the lead frame, connecting leads and the semiconductor chip by gold wire 4 (Fig. 2). 次にモールド樹脂6によって樹脂封止した後(図3)、リードフレームからマスクシートを剥がし(図4)、最後に切断して個片化する(図5)。 Next, after resin sealing by the mold resin 6 (FIG. 3), peeled mask sheet from the lead frame (FIG. 4), singulation and finally cut (Figure 5). このようにQFNの製造工程は、リードフレームに半導体チップを搭載する「ダイアタッチ工程」、 Process for manufacturing this way QFN is mounting a semiconductor chip on the lead frame "die attach process",
半導体チップとリードフレームを金ワイヤーで接合する「ワイヤーボンド工程」、半導体チップを保護するためにエポキシ系樹脂で封止する「樹脂封止(モールド)工程」、マスクシートをリードフレームから剥がす「剥離工程」、上記封止物をブレードカッターにて個片化する「ダイシング工程」に別れている。 The semiconductor chip and the lead frame bonding with a gold wire "wire bonding step", sealed with epoxy resin to protect the semiconductor chip "resin sealing (molding) process", peeling the mask sheet from the lead frame "peeling step ", are divided into" dicing "of singulating at blade cutter the sealing material. 【0003】 【発明が解決しようとする課題】従来、上記QFN製造用のマスクシートとしては、耐熱性フィルムにアクリル系粘着剤または天然ゴムやSBR等のゴムを主体としたゴム系粘着剤を塗布したものが使用されている。 [0003] [Problem that the Invention is to Solve Conventionally, a mask sheet for the QFN production, heat-resistant film coating the acrylic pressure-sensitive adhesive or a natural rubber and rubber-based pressure-sensitive adhesive mainly composed of rubber such as SBR It has been used those. しかしながら、アクリル系粘着剤の場合は、半導体チップをリードフレームに接合するダイアタッチ工程において高温処理されるため、該粘着剤が熱により分解をはじめ、その分解物がリードフレームを汚染し金ワイヤー接合不良の原因になり、また樹脂封止(モールド)工程においては、粘着剤とリードフレームとの接着力が弱くなり、外部接続リード部分にモールド樹脂がはみ出す現象である「モールドフラッシュ」が発生するという問題があった。 However, in the case of acrylic pressure-sensitive adhesive, since it is a high temperature treatment in the die attach process for bonding a semiconductor chip to a lead frame, including the decomposition PSA is by heat, the decomposition product contaminated gold wire bonded to the lead frame cause failure, also in the resin sealing (molding) step, the adhesive force between the adhesive and the lead frame is weakened, that is a phenomenon in which the molding resin protrudes to the external connection lead portion "mold flash" occurs there was a problem. またゴム系粘着剤の場合は、該粘着剤とモールド樹脂及び/又はリードフレームとの接着力が強く、マスクシートをパッケージから剥がし難くなり、そのためゴム系粘着剤がリードフレームに残ってしまう現象である「糊残り」が発生するという問題およびリードフレームが変形する問題があった。 In the case of rubber-based adhesive, strong adhesive force between the PSA and the molding resin and / or a lead frame, not easily peeled mask sheet from the package, a phenomenon that for the rubber-based pressure-sensitive adhesive is left on the lead frame there is a problem, and the lead frame of "glue residue" occurs there is a problem to be deformed. また、従来はシリコーン粘着剤も使用されていた。 Further, conventionally it had been also used a silicone adhesive. しかしシリコーン粘着剤は高温で処理されるワイヤーボンド及び樹脂封止工程において弾性率及び接着力が低くなる傾向にあった。 But silicone adhesive modulus and adhesion at the wire bonding and resin sealing step to be processed at high temperature tended to be low. ワイヤーボンド工程においては150〜250℃の熱と60〜12 Heat 150 to 250 ° C. in the wire bonding step and 60-12
0kHzの超音波を併用して金ワイヤーを半導体チップのパッド部及びリードフレームにそれぞれ融着している。 In combination with ultrasound 0kHz by a gold wire to the pad portion and the lead frame of the semiconductor chip are fused respectively. しかしリードフレームに接しているシリコーン粘着剤が150〜250℃の温度下では低弾性化するために超音波を吸収しやすくなり、リードフレームと金ワイヤーの接続不良を起こしていた。 But silicone adhesive in contact with the lead frame at the temperature of 150 to 250 ° C. tends to absorb ultrasonic waves to lower elasticized had caused the connection failure of the lead frame and the gold wires. また、150〜200℃ In addition, 150~200 ℃
の熱と5〜10GPaの圧力が付与される樹脂封止工程においては、シリコーン粘着剤はリードフレームとの接着力の低下が著しく、樹脂封止の圧力で粘着剤がリードフレームから剥がれ、モールドフラッシュが発生し、それにより個片化されたパッケージとそれを搭載する基板との接続不良が発生していた。 In the resin sealing step of the pressure of the heat and 5~10GPa is applied, the silicone pressure sensitive adhesive significantly decrease the adhesive strength between the lead frame, adhesive at a pressure of the resin sealing off from the lead frame, mold flash There occurred, whereby the connection of the package which is sectioned as the substrate for mounting it failure has occurred. 【0004】本発明は、従来の技術における上記のような問題を解決することを目的としてなされたものである。 [0004] The present invention has been made in order to solve the above problems in the prior art. すなわち、本発明の目的は、半導体装置の組み立てに際して、ワイヤーボンディング不良、モールド樹脂のはみ出し、粘着剤の糊残りを抑制し、安定してQFN等の半導体パッケージを生産することができるマスクシートを提供することにある。 An object of the present invention, provided when assembling the semiconductor device, defective wire bonding, extrusion of the molding resin, to suppress the adhesive residue of the adhesive, the mask sheet capable of producing a semiconductor package such as QFN stable It is to. 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討を行った結果、特定の粘着剤を用いてマスクシートを作製することによって、上記の問題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 [0005] Means for Solving the Problems The present inventors have intensively studied was performed result, by making the mask sheet using a specific adhesive, it found that it is possible to solve the above problems this has led to the completion of the present invention. すなわち、 That is,
本発明の半導体装置組立用マスクシートは、耐熱性基材上に粘着剤層を設けてなり、該粘着剤層が粘着剤100 The semiconductor device assembly for the mask sheet of the present invention is made by an adhesive layer provided on a heat-resistant substrate, pressure-sensitive adhesive layer is a pressure-sensitive adhesive 100
体積部に対してフィラーを5〜50体積部含有することを特徴とする。 Characterized in that it contains 5 to 50 parts by volume of the filler to volume unit. 【0006】 【発明の実施の形態】本発明の半導体装置組立用マスクシート(以下、マスクシートと略す)は、支持体となる耐熱性基材上に粘着剤層を積層したものである。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A semiconductor device assembly for the mask sheet of the present invention (hereinafter, referred to as a mask sheet) is obtained by a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a heat-resistant substrate made of a support. QFN QFN
等の半導体装置を作製する際、マスクシートは、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンド工程および樹脂封止工程等で150〜250℃の雰囲気に曝され、耐熱性基材の線膨張係数が急激に増加するため、金属よりなるリードフレームとの熱膨張差が大きくなる。 Making the semiconductor device and the like, the mask sheet, the die attach process, exposed to an atmosphere of 150 to 250 ° C. in a wire bonding step and resin sealing step like, the linear expansion coefficient of the heat-resistant substrate is rapidly increased Therefore, the difference in thermal expansion between the lead frame made of a metal increases. その場合、室温に戻したときに耐熱性基材とリードフレームとの熱膨張差により反りが発生し、それが原因となって、ダイアタッチ工程の後、反りが発生し、後工程である樹脂封止工程においてモールド金型の位置決めピンにリードフレームをセットできず、位置ずれ不良を起こすという問題が生じやすい。 In this case, warping occurs due to the difference in thermal expansion between the heat-resistant substrate and the lead frame when returning to room temperature, it causes, after the die attaching step, warpage occurs, the resin is a subsequent step can not set the lead frame to the positioning pin of the mold in the sealing step, it tends to occur a problem of causing a position shift defect. したがって、耐熱性基材の150〜250℃における線膨張係数は、5〜50ppm/℃が好ましく、 Therefore, the linear expansion coefficient at 150 to 250 ° C. in the heat-resistant base material, 5 to 50 ppm / ° C. are preferred,
特に10〜40ppm/℃であることが好ましい。 Particularly preferably in 10~40ppm / ℃. 【0007】また、本発明のマスクシートは、モールド工程後にモールド樹脂及びリードフレームから剥離するが、その際に粘着剤層がモールド樹脂及びリードフレームに残らないようにするため、耐熱性基材と粘着剤層との接着力をSa、モールド樹脂及びリードフレームと粘着剤層との接着力をSbとした場合にSa/Sb≧1. [0007] The mask sheet of the present invention is peeled from the mold resin and the lead frame after the molding process, since the time the adhesive layer so as not to leave the molding resin and the lead frame, and heat-resistant base member the adhesion between the adhesive layer Sa, Sa / Sb ≧ 1 if the adhesion between the molding resin and the lead frame adhesive layer was Sb.
5であることが好ましい。 And it is preferred that the 5. Sa/Sbが1.5より小さい場合は剥離した際に粘着剤層がリードフレーム側に残り糊残りが発生しやすくなる。 Sa / Sb is the pressure-sensitive adhesive layer in case less than 1.5 is peeled the remaining adhesive residue is easily generated on the lead frame side. なお、耐熱性基材に粘着剤層を形成する前に、耐熱性基材の粘着剤層を設ける面にコロナ処理、プラズマ処理、プライマー処理等の耐熱性基材と粘着剤層との接着力Saを高くするような処理を予め施すことが好ましい。 The adhesive strength between before forming an adhesive layer on the heat resistant substrate, a corona treatment on the surface to provide an adhesive layer of the heat-resistant substrate, a plasma treatment, a heat-resistant base member of the primer treatment or the like adhesive layer it is preferably subjected to processing for increasing the Sa advance. このような耐熱性基材としては耐熱性フィルムおよび金属箔などが挙げられる。 Examples of such heat-resistant substrates and the like heat resistant film and the metal foil. 耐熱性基材として耐熱性フィルムを用いた場合は、前記リードフレームとの熱膨張差から生じるリードフレームとの位置ずれ不良の問題を防ぐため、該耐熱性フィルムのガラス転移温度(以下、Tgと略す)は150℃以上であることが好ましい。 When using the heat-resistant film as a heat-resistant base material, in order to prevent the positional deviation failure problems with the lead frame resulting from thermal expansion difference between the lead frame, a glass transition temperature of the heat-resistant film (hereinafter, the Tg abbreviated) is preferably at 0.99 ° C. or higher. これらの耐熱条件を満たす具体的な耐熱性フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミド、 As these refractory satisfy specific heat resistant film, polyimide, polyamide,
ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、トリアセチルセルロース等のフィルムがあげられる。 Polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyether ketone, polyether ether ketone, a film such as triacetyl cellulose and the like. 【0008】また、耐熱性基材として金属箔を用いた場合は、前記リードフレームとの熱膨張差から生じる問題が生じにくいため好ましく、このような金属箔としては、金、銀、銅、白金、アルミ、マグネシウム、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、パラジウム、カドミウム、インジウム、錫、鉛等、 [0008] In the case of using the metal foil as a heat-resistant substrate, wherein preferably a problem is less likely to occur resulting from the difference in thermal expansion between the lead frame, as such a metal foil, gold, silver, copper, platinum , aluminum, magnesium, titanium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, zinc, palladium, cadmium, indium, tin, lead and the like,
及びこれらの金属を主成分とした合金等が使用でき、圧延金属箔でも電解金属箔でもよい。 And these metals can alloy is used which is mainly composed of, may be electrodeposited metal foil in rolled metal foil. また、これらの金属及び合金上にメッキを施したものも使用できる。 It can also be used those plated on these metals and alloys. この中でも特に銅箔が前記線膨張係数を満足するために好ましい。 Especially a copper foil Among is preferred for satisfying the linear expansion coefficient. 銅箔としては特に粘着剤層との接着力が大きいために電解銅箔が好ましく、電解銅箔の粗化面側に粘着剤層を設ける方が好ましい。 Preferably electrolytic copper foil for especially adhesive force between the adhesive layer is large as a copper foil, it is preferable to provide an adhesive layer on the roughened surface side of the electrolytic copper foil. 【0009】本発明における耐熱性基材の線膨張係数は次のようにして求めることができる。 [0009] linear expansion coefficient of the heat-resistant base material in the present invention can be obtained as follows. すなわち、耐熱性基材を250℃で1時間加熱した後、加熱後の耐熱性基材を5×25mmにカットし、TMA(Thermal That is, after the heat-resistant substrate was heated for 1 hour at 250 ° C., a heat-resistant base material after heating was cut into 5 × 25mm, TMA (Thermal
Mechanical AnlayZer 、真空理工社製;TM9300)に装着する。 Mechanical AnlayZer, vacuum Science and Technology Co., Ltd., is attached to the TM9300). 次に荷重1gで15 Then 15 with a load of 1g
0から250℃までを3℃/minの昇温速度で昇温したときのサンプルの伸びを計測し、下記式により求めることができる。 From 0 to 250 ° C. 3 ° C. / at a heating rate of min measured elongation of the sample when the temperature was raised, can be determined by the following equation. 線膨張係数=ΔL/L・Δt [ΔL:サンプルの伸びた長さ(250℃のときの長さ−150℃のときの長さ)、L:サンプルのもとの長さ、Δt:測定温度差(250℃−150℃)] 【0010】本発明のマスクシートにおける粘着剤層は、上記耐熱性基材と同様に、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンド工程、樹脂封止工程における熱履歴に対して、分解、劣化等の変化が少なく、安定した粘着力を持つことが必要である。 Linear expansion coefficient = ΔL / L · Δt [ΔL: extended length of the sample (length of time the length -150 ° C. at a 250 ℃), L: Samples of the original length, Delta] t: measured temperature the difference (250 ℃ -150 ℃)] [0010] pressure-sensitive adhesive layer in the mask sheet of the present invention, similarly to the heat-resistant substrate, a die attach process, the wire bonding step, to heat history in the resin sealing step , decomposition, little change in the deterioration, it is necessary to have a stable adhesive strength. また、マスクシートがリードフレームから剥離可能であるためには、マスクシートにおける粘着剤層の耐熱性基材に対する接着力が、モールド樹脂およびリードフレームに対する接着力よりも大きいことが必要である。 In order mask sheet can be peeled off from the lead frame, adhesion to the heat resistant substrate of the pressure-sensitive adhesive layer in the mask sheet is required to be greater than the adhesion to the molding resin and the lead frame. このような条件を満足する粘着剤層を構成する粘着剤としては、アクリル系粘着剤または天然ゴムやSBR等のゴムを主体としたゴム系粘着剤でもよいが、シリコーン系粘着剤が耐環境特性にすぐれているため好ましい。 As the adhesive constituting the adhesive layer satisfying such conditions, but the rubber may be a rubber-based adhesive composed mainly of such as an acrylic adhesive or a natural rubber and SBR, silicone adhesives are environmental resistance because it is superior to the preferred. 【0011】シリコーン系粘着剤としては、硬化反応形態から過酸化物を使用する有機過酸化物硬化タイプと白金触媒を用いる付加反応タイプに分かれるが、有機過酸化物は、その反応過程でラジカルの残査である低分子の有機物が発生し、リードフレームを汚染するため、付加反応タイプのシリコーン系粘着剤の方が本発明において好ましく用いられる。 [0011] As the silicone adhesive, although divided addition reaction type using an organic peroxide curing type and a platinum catalyst using a peroxide cured reaction mode, an organic peroxide, of a radical in the reaction process low molecular weight organic material is generated which is a residue, in order to contaminate the lead frame, towards the addition reaction type silicone adhesive is preferably used in the present invention. 具体的なシリコーン系粘着剤としては、ポリジメチルシロキサンを主成分とするもの、およびポリアルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンを主成分とするもの等が好ましいものとしてあげられる。 Specific silicone adhesive, as a main component polydimethylsiloxane, and those mainly containing polyalkyl alkenyl siloxane and polyalkyl siloxanes, and the like as preferred. さらに、例えば、ポリオルガノシロキサンを主体とするシリコーン生ゴムとトリメチルシロキシケイ酸を主体とするシリコーンレジンとを結合させて得られるものをあげることができる。 Furthermore, for example, it can be exemplified those obtained by the silicone raw rubber and trimethylsiloxysilicate mainly polyorganosiloxane is bonded and a silicone resin as a main component. 【0012】また、本発明においては、粘着剤層中に粘着剤100体積部に対して5〜50体積部のフィラーを含有させる。 [0012] In the present invention, the inclusion of 5 to 50 parts by volume of the filler with respect to the adhesive 100 parts by volume of the adhesive layer. 更にフィラーの含有量は10〜40体積部が好ましい。 Moreover the content of the filler is preferably 10 to 40 parts by volume. 含有量が5体積部未満である場合は、弾性率、接着力の向上が少ないため、ワイヤーボンド不良やモールドフッラシュが発生する。 If the content is less than 5 parts by volume, elastic modulus, since little improvement of adhesion, the wire bonding failure or mold Furrashu occurs. 一方50体積部を超える場合は逆に粘着剤層の凝集力が低下し接着力が低下してモールドフッラシュが発生する。 Meanwhile adhesion cohesion opposite to the pressure-sensitive adhesive layer is lowered if it exceeds 50 parts by volume mold Furrashu occurs decreases. フィラーとしては、 As the filler,
無機または有機フィラーが挙げられる。 Inorganic or organic fillers and the like. 無機フィラーとしては、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、 As the inorganic filler, silica, alumina, titanium oxide, beryllium oxide, magnesium oxide, calcium carbonate, titanium nitride,
窒化珪素、窒化棚素、硼化チタン、硼化タングステン、 Nitride, silicon nitride Tanamoto, titanium boride, tungsten boride,
炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、 Silicon carbide, titanium carbide, zirconium carbide, molybdenum carbide, mica, zinc oxide, carbon black, aluminum hydroxide, calcium hydroxide, magnesium hydroxide,
三酸化アンチモン又はこれ等の表面をトリメチルシロキシル基等で処理したもの等があげられ、有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、シリコーン等があげられる。 Three such antimony oxide or which like surface of those treated with trimethyl siloxyl group and the like, as the organic filler, polyimide, polyamideimide, polyetheretherketone, polyetherimide, polyesterimide, nylon, silicone or the like can give. これらのフィラーの中でも特にシリカが粘着剤の弾性率を制御してワイヤーボンド不良やモールドフッラシュの発生を防ぐことができるため好ましい。 It is possible in particular silica Among these fillers controls the elastic modulus of the adhesive prevents the occurrence of wire bonding failure or mold Furrashu preferred. 【0013】本発明のマスクシートにおける粘着剤層は、150〜250℃における弾性率が0.05MPa [0013] the pressure-sensitive adhesive layer in the mask sheet of the present invention, the elastic modulus at 150 to 250 ° C. is 0.05MPa
以上、好ましくは0.07MPa以上、更に好ましくは0.1MPa以上である。 Or more, preferably more than 0.07 MPa, further preferably 0.1MPa or more. 0.05MPaより低い場合では、ワイヤーボンド工程において金ワイヤーの接続不良を生じるという問題が発生しやすい。 In the case lower than 0.05 MPa, it is likely to occur a problem that results in a poor connection of the gold wire in the wire bonding step. この場合の弾性率の測定は後述する実施例の条件にて弾性率測定装置(haake社製 商品名:レオストレス)で測定した値である。 The elastic modulus measuring device measuring the elastic modulus under the conditions of Examples described later in the case (Haake Corporation, trade name: Rheostress) is a value measured by. 【0014】耐熱性基材の上に粘着剤層を積層する方法としては、耐熱性基材上に直接粘着剤の溶液を塗布し、 [0014] As a method of laminating an adhesive layer on a heat resistant substrate, a solution of direct adhesive is applied onto a heat-resistant substrate,
乾燥させるキャスティング方法、および離型性フィルム上に一旦粘着剤の溶液を塗布し、乾燥させ、形成された粘着剤層を耐熱性基材上に転写するラミネート方法が使用される。 Casting method and dried, and once the solution of the adhesive was applied onto a release film, dried, laminated methods of transcription is used the formed pressure-sensitive adhesive layer on a heat-resistant substrate. 粘着剤層の膜厚は、3〜30μmであることが好ましい。 The film thickness of the adhesive layer is preferably 3 to 30 .mu.m. 【0015】粘着剤層の上には、これを保護するために必要に応じて保護フィルムを設けることができる。 [0015] On the adhesive layer may be provided with a protective film if necessary to protect it. 保護フィルムとしては、離型性を有するフィルム、例えばポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルム、及びその表面をシリコーン樹脂またはフッ素化合物で離型処理したフィルムが使用できる。 As the protective film, a film having a releasing property, such as polyester, polyethylene, polypropylene, films such as polyethylene terephthalate, and the surface film formed by release treatment with a silicone resin or a fluorine compound can be used. 該保護フィルムはリードフレームに貼着する際に剥離される。 The protective film is peeled off when adhered to a lead frame. 【0016】 【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。 [0016] EXAMPLES The following is a description of the present invention embodiment, the present invention should not be construed as being limited thereto. [実施例1] (粘着剤層形成用塗布液の調製)ポリアルキルアルケニルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS [Example 1] (Preparation of pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution) polyalkyl alkenyl siloxane (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1 R-1512, weight average molecular weight 500,000, a solid content concentration of 60%) and polyalkyl siloxanes (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: CR-51, weight average molecular weight 1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。 300) in a weight ratio of 100: mixing to obtain an adhesive in 1. 次にフィラーとしてシリカ(日本シリカ工業社製 商品名:Nipsil LP)を上記粘着剤100体積部に対して20 Then silica (Nippon Silica Industrial Co., Ltd. trade name: Nipsil LP) as the filler 20 against the adhesive 100 parts by volume of
体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着剤層形成用塗布液を得た。 Parts by volume was added to obtain a pressure-sensitive adhesive layer forming coating liquid was dispersed by a sand mill. (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49 As (mask fabrication of the sheet) heat-resistant substrate, Tg is 49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp 0 ° C., the linear expansion coefficient at 150~250 ℃ 16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが8μmになるように塗布し、160℃で15分間乾燥後、140℃で24時間硬化させて本発明のマスクシートを得た。 Using the m / ° C. of a polyimide film (thickness 25 [mu] m), the pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution thickness after drying was to be 8μm thereon, after drying for 15 minutes at 160 ° C., 140 ℃ in cured for 24 hours to obtain a mask sheet of the present invention. 【0017】[実施例2] (粘着剤層形成用塗布液の調製)ポリアルキルアルケニルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS [0017] [Example 2] (Preparation of pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution) polyalkyl alkenyl siloxane (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1 R-1512, weight average molecular weight 500,000, a solid content concentration of 60%) and polyalkyl siloxanes (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: CR-51, weight average molecular weight 1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。 300) in a weight ratio of 100: mixing to obtain an adhesive in 1. 次にフィラーとしてアルミナを上記粘着剤100体積部に対して20体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着剤層形成用塗布液を得た。 Next, the alumina was added 20 parts by volume with respect to the adhesive 100 parts by volume as a filler to obtain an adhesive layer-forming coating liquid was dispersed by a sand mill. (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49 As (mask fabrication of the sheet) heat-resistant substrate, Tg is 49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp 0 ° C., the linear expansion coefficient at 150~250 ℃ 16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが8μmになるように塗布し、160℃で15分間乾燥後、140℃で24時間硬化させて本発明のマスクシートを得た。 Using the m / ° C. of a polyimide film (thickness 25 [mu] m), the pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution thickness after drying was to be 8μm thereon, after drying for 15 minutes at 160 ° C., 140 ℃ in cured for 24 hours to obtain a mask sheet of the present invention. 【0018】[実施例3] (粘着剤層形成用塗布液の調製)ポリアルキルアルケニルシロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:TS [0018] [Example 3] (Preparation of a pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution) polyalkyl alkenyl siloxane (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: TS
R−1512、重量平均分子量500000、固形分濃度60%)とポリアルキル水素シロキサン(GE東芝シリコーン社製 商品名:CR−51、重量平均分子量1 R-1512, weight average molecular weight 500,000, a solid content concentration of 60%) and polyalkyl siloxanes (GE Toshiba Silicones Co., Ltd., trade name: CR-51, weight average molecular weight 1
300)を重量比100:1で混合し粘着剤を得た。 300) in a weight ratio of 100: mixing to obtain an adhesive in 1. 次にフィラーとしてシリカ(日本シリカ工業社製 商品名:Nipsil LP)を上記粘着剤100体積部に対して20 Then silica (Nippon Silica Industrial Co., Ltd. trade name: Nipsil LP) as the filler 20 against the adhesive 100 parts by volume of
体積部添加し、サンドミルで分散を行い粘着剤層形成用塗布液を得た。 Parts by volume was added to obtain a pressure-sensitive adhesive layer forming coating liquid was dispersed by a sand mill. (マスクシートの作製)耐熱性基材として、3/4オンスの電解銅箔(三井金属鉱業社製 商品名:3EC−VLP、 As (mask fabrication of the sheet) heat-resistant base member, 3/4 ounce electrolytic copper foil (available from Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. trade name: 3EC-VLP,
厚さ:25μm)を使用し、該電解銅箔の粗化面側に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが8μmになるように塗布し、160℃で15分間乾燥後、140℃で24時間硬化させて本発明のマスクシートを得た。 Thickness: 25 [mu] m) using a pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution thickness after drying it was to be 8μm to the roughened surface side of the electrolyte Kaidohaku, dried for 15 minutes at 160 ° C., 140 and cured for 24 hours at ℃ to obtain a mask sheet of the present invention. 【0019】[比較例1]実施例1においてフィラーを含有させない以外は同様にして比較用のマスクシートを得た。 [0019] Except that does not contain a filler in Comparative Example 1 Example 1 was obtained mask sheet for comparison in the same manner. 【0020】[比較例2] (粘着剤層形成用塗布液の調製)エポキシ樹脂(大日本インキ社製 商品名:エピクロンHP−7200)、エポキシ硬化剤(日本化薬社製 商品名:カヤハードTP [0020] [Comparative Example 2] (Preparation of pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution) epoxy resin (Dainippon Ink and Chemicals, Inc., trade name: EPICLON HP-7200), an epoxy curing agent (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. trade name: KAYAHARD TP
M)、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体(日本合成ゴム社製 商品名:PNR−1H)を重量比で45:1 M), acrylonitrile - butadiene copolymer (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. trade name: PNR-IH) in a weight ratio of 45: 1
5:40で混合し、フィラーを含有しない粘着剤層形成用塗布液を得た。 It was mixed in 5:40, to give the free filler adhesive layer forming coating liquid. (マスクシートの作製)耐熱性基材として、Tgが49 As (mask fabrication of the sheet) heat-resistant substrate, Tg is 49
0℃、150〜250℃における線膨張係数が16pp 0 ° C., the linear expansion coefficient at 150~250 ℃ 16pp
m/℃のポリイミドフィルム(厚さ25μm)を使用し、その上に上記粘着剤層形成用塗布液を乾燥後の厚さが8μmになるように塗布し、130℃で5分間乾燥させて、比較用のマスクシートを作製した。 Using the m / ° C. of a polyimide film (thickness 25 [mu] m), the pressure-sensitive adhesive layer-forming coating solution thickness after drying was to be 8μm thereon and dried 5 minutes at 130 ° C., the mask sheet for comparison was produced. 【0021】[比較例3]実施例1においてフィラーの含有量を、粘着剤100体積部に対して55体積部にした以外は同様にして比較用のマスクシートを得た。 [0021] The content of the filler in Comparative Example 3 Example 1, to obtain a mask sheet for comparison in the same manner except that the 55 parts by volume with respect to pressure-sensitive adhesive 100 parts by volume. 【0022】次に前記実施例1〜3及び比較例1〜3で作製したマスクシートを下記の通り評価した。 [0022] Then the mask sheet prepared in the Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3 were evaluated as follows. [弾性率の測定]実施例1〜3及び比較例1〜3で得た粘着剤層形成用塗布液を離型性フィルム上に塗布し上記実施例、比較例と同様な乾燥条件にて乾燥後、厚さ1m [Measurement of Modulus by applying an adhesive layer forming coating liquid obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 in the releasing film on the above-described embodiment, dried under the same drying conditions as in the comparative example after, the thickness 1m
mになるように積層して粘着剤層を得た。 To obtain a pressure-sensitive adhesive layer are laminated so as to m. 次にダイアタッチ工程の接着条件である175℃で2時間熱処理した。 Then for 2 hours heat treatment at 175 ° C. is an adhesive condition of the die attach process. そのサンプルを7mmφにカットし、離型性フィルムを剥離後、弾性率測定装置(haake社製 商品名:レオストレス)で周波数:1Hz、昇温速度:3℃ Cut the sample to 7 mm, after peeling the releasing film, the elastic modulus measuring device (Haake Corporation, trade name: Rheostress) frequency: 1 Hz, heating rate: 3 ° C.
/min、温度範囲:150〜300℃、荷重:10N / Min, temperature range: 150~300 ℃, load: 10N
の条件で測定した。 It was measured in the conditions. 【0023】[接着力の測定]実施例1〜3及び比較例1〜3で作成したマスクシートを1cm幅にカットし、 [0023] [Measurement of adhesive strength] The mask sheet prepared in Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3 was cut into 1cm width,
銅材(三菱メテックス社製 商品名:MF−202)及びそれに金メッキした50mm×100mm×0.25 Copper material (Mitsubishi METECS trade name: MF-202) and 50mm × 100mm × 0.25, which was gold in it
mmtの平板に圧着した。 It was plated crimp of mmt. そして、180℃の雰囲気下で圧着したサンプルについて一方を平板に対して90° Then, 90 ° relative to flat one for samples crimped in an atmosphere of 180 ° C.
方向に引き剥がした時の接着力を測定した。 To measure the adhesive strength when peeled off in the direction. この場合、 in this case,
実用上必要とされる銅材への接着力は、金メッキの有無を問わず10g/cm以上である。 Adhesion to practical use The required copper material is 10 g / cm or more or without gold plating. 【0024】[ワイヤーボンド]上記実施例1〜3、比較例1〜3で作製したマスクシートを外寸200×60 [0024] [wirebond] Examples 1-3 above, outer dimensions 200 × 60 mask sheet prepared in Comparative Examples 1 to 3
mmのQFN用リードフレーム(Au−Pd−NiメッキCuリードフレーム、4×16個の64個マトリックス配列、パッケージサイズ10×10mm、84ピン) mm QFN lead frame (Au-Pd-Ni plated Cu lead frame, 4 × 16 pieces of 64 matrix arrangement, package size 10 × 10 mm, 84-pin)
にラミネートした。 It was laminated to. その後エポキシ系ダイアタッチ材でアルミ蒸着のダミーチップ(3mm□、厚さ0.4m Dummy chip subsequent aluminum deposition with an epoxy-based die attach material (3mm □, thickness 0.4m
m)をリードフレームのダイパット部に接着し、ワイヤーボンダー(カイジョー社製 商品名:FB131)で温度:210℃、周波数:100kHz、荷重:150g Bonding the m) to the die pad portion of a lead frame, a wire bonder (Kaijo Corporation, trade name: FB131) at temperatures: 210 ° C., a frequency: 100kHz, load: 150 g
f、時間:10msec/ピンの条件にてリードピン先端とダミーチップを金ワイヤーで接続したときのリード側接続不良数を確認した。 f, time: 10msec / at the pin of the conditions the lead pin tip and the dummy chip to confirm the lead-side connecting the number of defective when it is connected with gold wire. 【0025】[モールドフラッシュ]上記ワイヤーボンドしたリードフレームをエポキシ系モールド樹脂(ビフェニルエポキシ系、フィラー量:88重量%)で温度: [0025] [Mold flash] the wire bonding epoxy based molding resin lead frame (biphenyl epoxy, filler amount: 88 wt%) at a temperature:
180℃、圧力:10MPa、時間:3分間の条件でトランスファーモールド(金型成型)した。 180 ° C., pressure: 10 MPa, time: transfer molding (molding) at the 3 minute conditions. その後マスクシート面を顕微鏡で観察しリードピン、ダイパッドの部分にモールド材が漏れているパッケージの数量を計測した。 Lead pins and then observe the mask sheet surface under a microscope, the number of packages that molding material is leaking to the portion of the die pad was measured. 【0026】 【表1】 [0026] [Table 1] 【0027】なお、表1中の弾性率は150〜250℃ [0027] In addition, the elastic modulus in Table 1 150~250 ℃
における弾性率の最小値を示し、ワイヤーボンドはパッケージ1個分のリードピン84本についてチップとワイヤーボンディングした時の発生した接続不良数を示し、 In the minimum value of the elastic modulus, wire bonds represents the number of connections defects that occur when the chip and wire bonding for one minute of the lead pins 84 present package,
モールドフラッシュは64個のパッケージ中、モールド樹脂の漏れにより不良の発生した個数を示す。 Mold flash during 64 package, showing the generated number of defective due to the leakage of the molding resin. 表1から明らかなように、本発明のマスクシートは、金メッキの有無を問わず銅材への接着力が強く、ワイヤーボンドやモールドフラッシュにおける評価についても問題がなかった。 As apparent from Table 1, the mask sheet of the present invention, adhesion to copper material with or without gold plating is strong, there was no problem for evaluation in the wire bonding or mold flash. また、リードフレーム及びモールド樹脂からマスクシートを剥離してもリードフレーム及びモールド樹脂に糊残りは生じていなかった。 Further, adhesive residue to the lead frame and molding resin by removing the mask sheet from the lead frame and molding resin did not occur. これに対して比較例1〜 Comparative Example 1 contrast
3の全てにおいて銅や金メッキに対して接着力が弱く、 Weak adhesion to copper and gold in all three,
ワイヤーボンドにおける接続不良、モールドフラッシュにおけるモールド樹脂の漏れが発生していた。 Connection failure in wire bonding, the leakage of the molding resin in the mold flash has occurred. 【0028】 【発明の効果】本発明のマスクシートは、耐熱性に優れ、ワイヤーボンド時の弾性率が高いため不良が殆ど発生せず、またモールド時の粘着剤層の接着力が強いためモールド封止時の樹脂漏れを防ぐ事ができる。 The mask sheet of the present invention exhibits excellent heat resistance, hardly occurs defective due to the high modulus of elasticity during wire bonding, and because strong adhesion of the adhesive layer during molding the mold it is possible to prevent the resin leakage at the time of sealing. また粘着剤層が高分子樹脂を多く含有しており、粘着剤層の凝集力が強く、剥離時に糊残りを発生しにくく、そのためQ The pressure-sensitive adhesive layer has high content of polymeric resin, cohesive force of the adhesive layer is strong, the adhesive residue hardly generated at the time of peeling, therefore Q
FNタイプの半導体装置のマスクシートとして好適である。 It is suitable as a mask sheet FN type semiconductor device.

【図面の簡単な説明】 【図1】 リードフレームにマスクシートを貼着した状態を示す断面図である。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing a state in which attaching a mask sheet to the lead frame. 【図2】 半導体チップを搭載して金ワイヤーで接続した状態を示す断面図である。 2 is a sectional view showing a state in which by mounting a semiconductor chip are connected by gold wire. 【図3】 樹脂封止した状態を示す断面図である。 3 is a cross-sectional view showing the resin sealed state. 【図4】 マスクシートを剥がした状態を示す断面図である。 4 is a sectional view showing a state in which peeling off the mask sheet. 【図5】 半導体装置を個片化した状態を示す断面図である。 5 is a cross-sectional view showing a semiconductor device singulated state. 【符号の説明】 1 リードフレーム2 粘着剤層3 耐熱性基材4 金ワイヤー5 半導体チップ6 モールド樹脂 [EXPLANATION OF SYMBOLS] 1 leadframe 2 adhesive layer 3 heat-resistant substrate 4 gold wire 5 the semiconductor chip 6 a molding resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 修 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会社 巴川製紙所技術研究所内Fターム(参考) 4J004 AA05 AA10 AA11 AA18 AB01 CA02 CA06 CA08 CC02 DA04 DA05 DB03 FA05 GA01 4J040 CA011 CA081 DF001 EK031 EK041 EK081 HA306 KA42 LA06 LA08 NA20 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 DD14 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 CC01 DE01 DE14 ────────────────────────────────────────────────── ─── front page of the continuation (72) inventor Osamu Oka Shizuoka Prefecture Shizuoka City Mochimunetomoe-cho, No. 3 No. 1 Co., Ltd. Tomoegawa Institute of technology in the F-term (reference) 4J004 AA05 AA10 AA11 AA18 AB01 CA02 CA06 CA08 CC02 DA04 DA05 DB03 FA05 GA01 4J040 CA011 CA081 DF001 EK031 EK041 EK081 HA306 KA42 LA06 LA08 NA20 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 DD14 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 CC01 DE01 DE14

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 耐熱性基材上に粘着剤層を設けてなり、 [Claims: 1. A provided a pressure-sensitive adhesive layer on the heat resistant substrate,
    該粘着剤層が粘着剤100体積部に対してフィラーを5 5 a filler with respect to adhesive layer is pressure-sensitive adhesive 100 parts by volume of
    〜50体積部含有することを特徴とするリードフレームに剥離可能に貼着する半導体装置組立用マスクシート。 The semiconductor device assembling mask sheet peelably adhered to a lead frame, characterized in that it contains 50 parts by volume. 【請求項2】 前記耐熱性基材の150〜250℃における線膨張係数が5〜50ppm/℃であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 2. A semiconductor device assembly mask sheet according to claim 1, the linear expansion coefficient at 150 to 250 ° C. of the heat-resistant base member is characterized in that it is a 5 to 50 ppm / ° C.. 【請求項3】 前記耐熱性基材が耐熱性フィルムであって、該耐熱性フィルムのガラス転位温度が150℃以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 Wherein the heat-resistant substrate is a heat resistant film, a semiconductor device assembled mask sheet according to claim 1, wherein the glass transition temperature of the heat resistant film is 0.99 ° C. or higher. 【請求項4】 前記耐熱性基材が金属箔であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 4. A semiconductor device assembly mask sheet according to claim 1, wherein the heat-resistant base member is a metal foil. 【請求項5】 前記耐熱性基材が粗化面を有する電解銅箔であり、且つ粗化面側に粘着剤層を設けることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 Wherein said heat-resistant substrate is electrolytic copper foil having a roughened surface, and a mask for a semiconductor device assembly according to claim 1, characterized in that provided on the roughened surface side adhesive layer sheet . 【請求項6】 前記フィラーがシリカであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 6. A semiconductor device assembled mask sheet according to claim 1, wherein the filler is silica. 【請求項7】 前記粘着剤層の150〜250℃における弾性率が0.05MPa以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 7. A semiconductor device assembly mask sheet according to claim 1, the elastic modulus at 150 to 250 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer is characterized in that at least 0.05 MPa. 【請求項8】 前記粘着剤層の厚さが3〜30μmであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置組立用マスクシート。 8. A semiconductor device assembly mask sheet according to claim 1, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is characterized in that it is a 3 to 30 .mu.m.
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