JP2018118276A - ハンダ接合方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】クラックが発生した場合に、そのクラックの進展を有効に抑止することのできるハンダ接合方法を提供する。
【解決手段】第1の被接合材(M1)と第2の被接合材(M2)と、前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に配置されるハンダ接合層(S)と、を接合するハンダ接合方法であって、第1の被接合材と第2の被接合材との間に、Sn−Ag−Cu系ハンダとCu供給源とを載置する工程と、ハンダの温度を所定温度まで加熱して、その状態を所定時間保持して、溶融した前記ハンダにCu供給源からCuを溶出させ、その後に0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却して、柱状のSn−Cu金属間化合物(20)を析出させたハンダ接合層を形成する工程とを有する。
【選択図】図2
【解決手段】第1の被接合材(M1)と第2の被接合材(M2)と、前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に配置されるハンダ接合層(S)と、を接合するハンダ接合方法であって、第1の被接合材と第2の被接合材との間に、Sn−Ag−Cu系ハンダとCu供給源とを載置する工程と、ハンダの温度を所定温度まで加熱して、その状態を所定時間保持して、溶融した前記ハンダにCu供給源からCuを溶出させ、その後に0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却して、柱状のSn−Cu金属間化合物(20)を析出させたハンダ接合層を形成する工程とを有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、ハンダ接合方法に関する。
金属同士の間あるいは金属と半導体との間の接合は、ハンダを溶融させた後、室温まで冷却して形成されるハンダ接合層を介して行われることが多い。
ここで、ハンダ接合層には、熱伝導率および電気抵抗率に関する所定の性能が求められる。
また、種々の使用環境下において各種性能を維持するために、所定の耐久性も求められている。
ところで、ハンダ接合層には、弾性領域だけではなく塑性領域まで歪みが加わる。そのため、ハンダ接合層には、脆性的な破断を示す材料は採用することはできず、クラック進展が進み難い材料や構造等が求められている。
ハンダ接合層におけるクラックの発生を抑制する技術は種々提案されている(例えば、特許文献1等)。
特許文献1に係る従来技術では、絶縁基板下の金属層とヒートシンクとの間を接合するハンダ接合層にクラックが入るのを抑制するために、金属層をアルミニウムと銅とから成る二層構造としている。
しかしながら、上記のような従来技術では、ハンダ接合層にクラックが発生することを抑制することは可能であるが、一旦クラックが発生してしまうと途中でクラックの進展が止まらないという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、クラックが発生した場合に、そのクラックの進展を有効に抑止することのできるハンダ接合方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係るハンダ接合方法は、第1の被接合材と第2の被接合材と、前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に配置されるハンダ接合層と、を接合するハンダ接合方法であって、前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に、Sn−Ag−Cu系ハンダとCu供給源とを載置する工程と、前記ハンダの温度を所定温度まで加熱して、その状態を所定時間保持して、溶融した前記ハンダに前記Cu供給源からCuを溶出させ、その後に0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却して、柱状のSn−Cu金属間化合物を析出させた前記ハンダ接合層を形成する工程とを有することを特徴とする。
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
すなわち、本発明に係るハンダ接合方法によれば、ハンダ接合層内に、適度に粗大な柱状のSn−Cu金属間化合物を形成することができ、クラックが発生した場合に、そのクラックの進展を有効に抑止することができる。
以下、本発明の一例としての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
[実施の形態に係るハンダ接合方法]
図1から図5を参照して、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したハンダ接合体1およびハンダ接合方法について説明する。
図1から図5を参照して、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したハンダ接合体1およびハンダ接合方法について説明する。
まず、図1を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法を適用して接合したハンダ接合体1の構成例について説明する。
図1は、本実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したハンダ接合体1の模式的構成例を示す断面図である。
図1に示すように、ハンダ接合体1は、第1の被接合材M1と、第2の被接合材M2と、この第1の被接合材M1と第2の被接合材M2との間にあって、両者を接合するハンダ接合層Sとから構成されている。
なお、第1の被接合材M1および第2の被接合材M2としては、アルミニウム(Al)や銅(Cu)金属(例えば、金属板や金属層等)または半導体(例えば、パワーMOSFETやIGBTなどで構成されるパワー半導体素子等を含む)で構成することができる。
次に、図2の工程図を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法におけるハンダ接合工程の処理手順について説明する。
まず、ステップS10では、例えば銅(Cu)などの金属や半導体等で構成される第1の被接合材M1の上に、Sn−Ag−Cu系ハンダとCu供給源とを載置する。
なお、Cu供給源としては、Cu箔やCuの粒子等を用いることができる。
また、第1の被接合材M1あるいは後述の第2の被接合材M2として、銅板、銅から成る金属層あるいは銅を含む金属層等を用いる場合には、第1の被接合材M1自体あるいは第2の被接合材M2自体がCu供給源として機能するので、別途Cu供給源を設けなくてもよい。
次いで、ステップS11では、ハンダの上に第2の被接合材M2を載置する。
第2の被接合材M2としては、アルミニウム(Al)や銅(Cu)金属(例えば、金属板や金属層等)または半導体(例えば、パワーMOSFETやIGBTなどで構成されるパワー半導体素子等を含む)を用いることができる。
そして、ステップS12で、温度をSn−Ag−Cu系ハンダの融点に60℃〜90℃を加えた所定温度(例えば、295℃)まで加熱して、10分〜20分間保持してステップS13に移行する。
ステップS13では、溶融したSn−Ag−Cu系ハンダにCuを溶出させる。
次いで、ステップS14では、0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却する。
これにより、ステップS15では、ハンダ接合層S内に、柱状のSn−Cu金属間化合物20(IMC:Intermetallic Compounds)が形成される。
特に、本発明では、Sn−Ag−Cu系ハンダにCuを溶出させた状態で、0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却することにより、ハンダ中に晶出するIMCを比較的太く粗大とすることができ、通常のハンダ接合の強度である48MPa以上の強度を確保することができる。
これにより、図3(b)に模式的に示すように、ハンダ接合層SにクラックCが入った場合であっても、適度に粗大なIMC20aの存在により、そのクラックCの進展を有効に抑制することができる。
ここで、上述の冷却速度は、好ましくは、0.8〜35℃/sec、または、1.0〜35℃/sec、或いは1.0〜10℃/secの範囲とするとよい。
これは、冷却速度が上記範囲よりも速い場合(例えば、>35℃/secの場合)には、IMCの成長速度も速くなり、成長が十分に進行しないまま固相線温度に達するため、IMCは比較的細く微細な形状となってしまう。そのため、図3(a)に模式的に示すように、ハンダ接合層SにクラックCが入った場合には、そのクラックCの進展を止めることができない。
一方、冷却速度が上記範囲よりも遅い場合(例えば、<0.8℃/sec或いは<1.0℃/secの場合)には、IMCの成長速度も遅くなり、安定界面でIMCが粗大化し、太い柱状に成長する。
しかしながら、この場合には、図3(c)に模式的に示すように、析出したIMC20bの長手方向の間隔が比較的大きくなってしまうため、ハンダ接合層SにクラックCが入った場合には、そのクラックCの進展を有効に止めることができない。
ここで、図4を参照して、柱状金属間化合物の形成過程(形成メカニズム)について説明する。
図4に示す例では、第2の被接合材M2として、銅板、銅から成る金属層あるいは銅を含む金属層等を用いるものとする。
まず、過程(1)〜(2)では、室温でCu(0.7wt%)の状態(図4(b)に示すようにハンダ接合層SにCuの供給源となる第2の被接合材M2が密着した状態)からリフロー方式で295℃まで加熱する。
これにより、ハンダ接合層Sは液相状態となる。
過程(2)〜(3)では、295℃でCu(0.7wt%)の状態で、図4(c)に示すようにハンダ接合層Sに第2の被接合材M2からCuが液相状態で拡散(溶出)し始める。
過程(3)〜(4)では、295℃でCu(2.5wt%)となり、図4(d)に示すようにハンダ接合層SにSn−Cu金属間化合物 (IMC)が徐々に成長する。
なお、過程(2)〜(4)は、5分間保持した。
過程(4)〜(5)では、295℃から室温まで、0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却され、Cu(5.0wt%)となり、図4(e)に示すようにハンダ接合層Sに組成がCu6Sn5である柱状のSn−Cu金属間化合物20が複数にわたって形成される。
図5は、上述のような過程を経て形成される柱状のSn−Cu金属間化合物の形成例を示す撮像図(電子顕微鏡写真)である。
図5に示すように、ハンダ接合層Sには、柱状のSn−Cu金属間化合物20が複数にわたって形成されていることが分かる。
(柱状のSn−Cu金属間化合物の冷却速度と強度の関係)
図7は、冷却速度とハンダ接合および柱状Sn−Cu金属間化合物の強度との関係を示すグラフである。
図7は、冷却速度とハンダ接合および柱状Sn−Cu金属間化合物の強度との関係を示すグラフである。
なお、図7において、線分Aは、実施の形態に係るハンダ接合方法を適用したハンダ接合体1の柱状Sn−Cu金属間化合物についての引張り強度(MPa)、線分Bは、通常のハンダ接合の引張り強度(MPa)をそれぞれ示す。
なお、通常のハンダ接合では、引張り強度は、約48MPaである。
一方、図7の線分Aに示すように、冷却速度が0.8℃/sec未満の条件では、通常のハンダ接合の引張り強度(約48MPa)未満であるが、冷却速度が0.8℃/sec以上の条件では、通常のハンダ接合の引張り強度(約48MPa)以上の強度を呈することが分かる。
また、一般的なハンダ接合温度である250℃から50℃まで200℃冷却すると仮定した場合に、冷却速度0.8℃/secにおいて約4分程かかることが分かっている。本実施の形態に係るハンダ接合方法においても冷却工程に約4分以上の時間を要する場合には、ハンダ接合体の生産性に影響が及ぶと考えられる。
そこで、通常のハンダ接合の引張り強度(約48MPa)以上の強度を得ることができ、且つ、ハンダ接合体の生産性も確保することができる0.8℃/sec以上の冷却速度を、本発明に係るハンダ接合方法における必須構成要件の1つとした。
なお、上記冷却速度は、0.8〜35℃/secとすることができる。
ここで、上限値を35℃/secとしたのは、伝熱による冷却方法では、冷却速度は35℃/secが限界であると考えられるためである。
また、上記冷却速度は、1.0〜35℃/secとすることもできる。
ここで、下限値を1.0℃/secとしたのは、冷却速度が1.0℃/secより遅い場合には、冷却速度のバラツキの最も遅い部位に引け巣が生じる虞があり、ハンダ品質の低下が懸念されるためである。
さらに、上記冷却速度は、1.0〜10℃/secとしてもよい。
ここで、上限値を10℃/secとしたのは、冷却速度を10℃/sec以上とするためには、ハンダ接合体を水などに浸漬させて冷却する等の新たな接合方法を付加する必要があるためである。
また、冷却速度を速くし過ぎた場合には、冷却が早い箇所と遅い箇所のバラツキが発生し、組織形状のバラツキを生じ易く、脆弱部が発生してハンダ接合体の製品寿命が低下する懸念もあるためである。
ここで、図8(a)〜(j)として、冷却速度を0.5〜50℃/secの範囲で変更した場合の柱状Sn−Cu金属間化合物の強度(MPa)および組織画像を例示する。
(比較例との対比)
図6、図9および図10を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法で接合したハンダ接合体と比較例に係るハンダ接合体との対比について述べる。
図6、図9および図10を参照して、本実施の形態に係るハンダ接合方法で接合したハンダ接合体と比較例に係るハンダ接合体との対比について述べる。
ここで、図6は、Cu溶出の場合と未溶出の場合の初期断面とクラック進展部を対比する撮像図、図9は、比較例としてのハンダ接合層に発生したクラックの進展状態を示す撮像図、図10は、実施の形態に係るハンダ接合方法で接合したハンダ接合層に発生したクラックの抑止状態を示す撮像図である。
まず、図6の(b)および図9を参照すると分かるように、比較例に係るハンダ接合層(Cuが未溶出のハンダ接合層)100に発生したクラックC2は、矢印D1方向への進展が止まらず、図上、ほぼ左端から右端まで達している。
一方、図6の(a)および図10を参照すると分かるように、本実施の形態に係るハンダ接合方法で接合したハンダ接合層S(Cuが溶出したハンダ接合層)では、発生したクラックC1は、矢印D1方向へ進展するものの、位置P1で、そのクラックの進展が抑止されていることが分かる。
これは、ハンダ接合層S内に複数にわたって形成された柱状のSn−Cu金属間化合物20により、クラックC1の進展が阻害された影響であると推察される。
このように、本実施の形態に係るハンダ接合方法で接合したハンダ接合体1によれば、クラックC1が柱状のSn−Cu金属間化合物20に突き当たることにより、クラックC1のさらなる進展を抑止することができる。
また、柱状のSn−Cu金属間化合物20の存在によりクラックC1を枝分かれさせて(図6の(a)のクラックC1a、C1b等を参照)、応力を分散させることができる。
さらに、柱状のSn−Cu金属間化合物20の形成により、ハンダ接合層Sのせん断応力に対する強度が向上され機械的強度を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、本発明に係るハンダ接合方法において、Sn−Ag−Cu系ハンダに、In(インジウム)を添加するようにしてもよい。
1…ハンダ接合体
M1…第1の被接合材
M1…第2の被接合材
20、20a、20b…Cu金属間化合物
C、C1、C2…クラック
M1…第1の被接合材
M1…第2の被接合材
20、20a、20b…Cu金属間化合物
C、C1、C2…クラック
Claims (6)
- 第1の被接合材と第2の被接合材と、
前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に配置されるハンダ接合層と、
を接合するハンダ接合方法であって、
前記第1の被接合材と前記第2の被接合材との間に、Sn−Ag−Cu系ハンダとCu供給源とを載置する工程と、
前記ハンダの温度を所定温度まで加熱して、その状態を所定時間保持して、溶融した前記ハンダに前記Cu供給源からCuを溶出させ、その後に0.8℃/sec以上の冷却速度で冷却して、柱状のSn−Cu金属間化合物を析出させた前記ハンダ接合層を形成する工程と、
を有することを特徴とするハンダ接合方法。 - 前記冷却速度は、0.8〜35℃/secであることを特徴とする請求項1に記載のハンダ接合方法。
- 前記冷却速度は、1.0〜35℃/secであることを特徴とする請求項1に記載のハンダ接合方法。
- 前記冷却速度は、1.0〜10℃/secであることを特徴とする請求項1に記載のハンダ接合方法。
- 前記所定温度は、前記ハンダの融点に60℃〜90℃を加えた温度であることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載のハンダ接合方法。
- 前記所定時間は、10分〜20分間であることを特徴とする請求項5に記載のハンダ接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017011056A JP2018118276A (ja) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | ハンダ接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2017011056A JP2018118276A (ja) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | ハンダ接合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017011056A Pending JP2018118276A (ja) | 2017-01-25 | 2017-01-25 | ハンダ接合方法 |
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Country | Link |
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2017
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