JP2018113682A - ゲート駆動回路のためのシステムおよび方法 - Google Patents
ゲート駆動回路のためのシステムおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018113682A JP2018113682A JP2017244570A JP2017244570A JP2018113682A JP 2018113682 A JP2018113682 A JP 2018113682A JP 2017244570 A JP2017244570 A JP 2017244570A JP 2017244570 A JP2017244570 A JP 2017244570A JP 2018113682 A JP2018113682 A JP 2018113682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaping
- switch
- control switch
- wbg
- control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims abstract description 132
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 20
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- -1 AlGaN Chemical compound 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/168—Modifications for eliminating interference voltages or currents in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/163—Soft switching
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08128—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
【解決手段】本明細書で提供されるシステムおよび方法は、ワイドバンドギャップ半導体スイッチの動作を制御するためのゲート駆動回路に関する。このシステムおよび方法は、制御信号を受信し、ワイドバンドギャップスイッチ(WBGスイッチ)を起動させるように構成された動作信号を構成する。動作信号のプロファイルは、第1および第2の整形回路の電気的特性に基づいている。システムおよび方法はさらに、動作信号をWBGスイッチに供給する。
【選択図】図2
Description
102 コントローラ回路
104 ゲート駆動回路
106 ワイドバンドギャップスイッチ、WBGスイッチ
108 電気システム、コントローラ回路
202 制御スイッチ
204 第1の整形回路
206 第2の整形回路
208 電圧源
210 遮断回路
212、213 制御端子
214、216 コンデンサ
217 抵抗
218 半導体スイッチ
222 ツェナーダイオード
224、226 ゲート端子
228、229 端子
302、304、306、308、310 電気波形
312 第1の整形フェーズ
314 第2の整形フェーズ
316 第3の整形フェーズ
Claims (20)
- ワイドバンドギャップスイッチ(WBGスイッチ)(106)と、
制御端子(212、213)および前記WBGスイッチ(106)のゲート端子(224)に導電的に結合された制御スイッチ(202)であって、前記WBGスイッチ(106)および前記制御スイッチ(202)は共通の閾値電圧を有するように構成される、制御スイッチ(202)と、
前記制御スイッチ(202)および前記WBGスイッチ(106)の前記ゲート端子(224)に導電的に結合された第1および第2の整形回路(204、206)であって、前記第1および第2の整形回路(204、206)および前記制御スイッチ(202)は動作信号を規定するように構成され、前記動作信号は前記WBGスイッチ(106)を起動するように構成され、前記動作信号のプロファイルは前記第1および第2の整形回路(204、206)の電気的特性に基づいている、第1および第2の整形回路(204、206)と、
を含むゲート駆動システム(100)。 - 前記動作信号は、3つの整形フェーズによって形成され、第1の整形フェーズ(312)は前記第1および第2の整形回路(204、206)の前記電気的特性によって規定され、第2の整形フェーズ(314)は前記第2の整形回路(206)および前記制御スイッチ(202)の前記電気的特性によって規定され、第3の整形フェーズ(316)は前記制御スイッチ(202)によって規定される、
請求項1記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記第2の整形フェーズ(314)の間、前記制御スイッチ(202)は、ミラープラトー内で動作するように構成される、
請求項2記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記第2の整形回路(206)は、抵抗(217)と並列に構成されたコンデンサ(216)を含み、前記抵抗(217)の抵抗値は、前記第2の整形フェーズ(314)の上昇カーブを規定するように構成される、
請求項2記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記制御スイッチ(202)は、前記第3の整形フェーズ(316)の間に前記動作信号の電圧をクランプするように構成される、
請求項2記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記第2の整形フェーズ(314)の電気的特性は、前記WBGスイッチ(106)をミラープラトー内で動作させるように構成される、
請求項2記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記制御スイッチ(202)のゲート端子(226)は、電圧源(208)に導電的に結合される、
請求項1記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記電圧源(208)は、ダイオード、コンデンサ、または制御信号である、
請求項7記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記第1および第2の整形回路(204、206)は、共通の温度係数を有するように構成される、
請求項1記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記WBGスイッチ(106)の前記ゲート端子(224)および前記制御端子(212、213)に導電的に結合された遮断回路(210)をさらに備え、前記遮断回路(210)は、前記ゲート端子(224)をクランプするように構成される、
請求項1記載のゲート駆動システム(100)。 - 前記WBGスイッチ(106)および前記制御スイッチ(202)は、炭化シリコン、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、または酸化ガリウムを含む、
請求項1記載のゲート駆動システム(100)。 - 制御信号を受信するステップと、
ワイドバンドギャップスイッチ(WBGスイッチ)(106)を起動させるように構成された動作信号を構成するステップであって、前記動作信号のプロファイルは、第1および第2の整形回路(204、206)の電気的特性に基づいている、ステップと、
前記動作信号を前記WBGスイッチ(106)に供給するステップと、
を含む方法。 - 前記構成動作は、前記動作信号の3つの整形フェーズを形成することを含み、第1の整形フェーズ(312)は、前記第1および第2の整形回路(204、206)の前記電気的特性によって規定され、第2の整形フェーズ(314)は、前記第2の整形回路(206)および制御スイッチ(202)の前記電気的特性によって規定され、第3の整形フェーズ(316)は、前記制御スイッチ(202)によって規定される、
請求項12記載の方法。 - 前記第2の整形回路(206)は、抵抗(217)と並列に構成されたコンデンサ(216)を含み、前記抵抗(217)の抵抗値は、前記第2の整形フェーズ(314)のカーブを規定するように構成される、
請求項13記載の方法。 - 前記第3の整形フェーズ(316)の間に前記動作信号の電圧をクランプするステップをさらに含む、
請求項13記載の方法。 - 前記第2の整形フェーズ(314)の間にミラープラトー内で前記WBGスイッチ(106)を動作させるステップをさらに含む、
請求項13記載の方法。 - 前記制御スイッチ(202)のゲート端子(226)に電力を供給するステップをさらに含み、前記電力は、ダイオード、コンデンサ、または制御信号から供給される、
請求項12記載の方法。 - 前記第1および第2の整形回路(204、206)は、共通の温度係数を有するように構成される、
請求項12記載の方法。 - ワイドバンドギャップスイッチ(WBGスイッチ)(106)と、
制御端子(212、213)および前記WBGスイッチ(106)のゲート端子(224)に導電的に結合された制御スイッチ(202)であって、前記WBGスイッチ(106)および前記制御スイッチ(202)は共通の起動閾値を有するように構成され、前記制御スイッチ(202)は電圧源(208)に導電的に結合されたゲート端子(226)を有し、前記電圧源(208)はダイオード、コンデンサ、または制御信号である、制御スイッチ(202)と、
前記制御スイッチ(202)および前記WBGスイッチ(106)の前記ゲート端子(224)に導電的に結合された第1および第2の整形回路(204、206)であって、前記第1および第2の整形回路(204、206)および前記制御スイッチ(202)は動作信号を規定するように構成され、前記動作信号は、3つの整形フェーズによって形成され、第1の整形フェーズ(312)は前記第1および第2の整形回路(204、206)の電気的特性によって規定され、第2の整形フェーズ(314)は前記第2の整形回路(206)および前記制御スイッチ(202)の前記電気的特性によって規定され、第3の整形フェーズ(316)は前記制御スイッチ(202)によって規定され、前記動作信号は前記WBGスイッチ(106)を起動するように構成され、前記動作信号のプロファイルは前記第1および第2の整形回路(204、206)の電気的特性に基づいている、第1および第2の整形回路(204、206)と、
を含むゲート駆動システム(100)。 - 前記WBGスイッチ(106)および前記制御スイッチ(202)は、炭化シリコン、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、または酸化ガリウムを含む、
請求項19記載のゲート駆動システム(100)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/397,443 | 2017-01-03 | ||
US15/397,443 US10374591B2 (en) | 2017-01-03 | 2017-01-03 | Systems and methods for a gate drive circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018113682A true JP2018113682A (ja) | 2018-07-19 |
JP7250421B2 JP7250421B2 (ja) | 2023-04-03 |
Family
ID=60923233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017244570A Active JP7250421B2 (ja) | 2017-01-03 | 2017-12-21 | ゲート駆動回路のためのシステムおよび方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10374591B2 (ja) |
EP (1) | EP3343768B1 (ja) |
JP (1) | JP7250421B2 (ja) |
KR (1) | KR102398189B1 (ja) |
CN (1) | CN108336987B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11257811B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-02-22 | Cambridge Enterprise Limited | Power semiconductor device with an auxiliary gate structure |
GB2564482B (en) | 2017-07-14 | 2021-02-10 | Cambridge Entpr Ltd | A power semiconductor device with a double gate structure |
US11336279B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-05-17 | Cambridge Enterprise Limited | Power semiconductor device with a series connection of two devices |
CN109462388B (zh) * | 2018-10-22 | 2022-08-19 | 京信网络系统股份有限公司 | GaN HEMT控制电路 |
US11955478B2 (en) | 2019-05-07 | 2024-04-09 | Cambridge Gan Devices Limited | Power semiconductor device with an auxiliary gate structure |
CN112117993B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-03-01 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 整形电路以及振荡电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026924A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
WO2014128942A1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 株式会社 日立製作所 | 半導体素子の駆動装置 |
US20150372678A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive blanking timer for short circuit detection |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5303138A (en) | 1993-04-29 | 1994-04-12 | At&T Bell Laboratories | Low loss synchronous rectifier for application to clamped-mode power converters |
US5418410A (en) | 1993-05-25 | 1995-05-23 | Motorola, Inc. | Leading edge blanking circuit |
US7466185B2 (en) | 2006-10-23 | 2008-12-16 | Infineon Technologies Ag | IGBT-Driver circuit for desaturated turn-off with high desaturation level |
DE102007009734B3 (de) | 2007-02-28 | 2008-06-19 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines durch Feldeffekt gesteuerten Transistors |
US7782118B2 (en) | 2007-04-30 | 2010-08-24 | Northrop Grumman Systems Corporation | Gate drive for wide bandgap semiconductor device |
US7821306B2 (en) | 2007-06-19 | 2010-10-26 | Panasonic Corporation | Switching device drive circuit |
US8289065B2 (en) * | 2008-09-23 | 2012-10-16 | Transphorm Inc. | Inductive load power switching circuits |
US7969226B2 (en) * | 2009-05-07 | 2011-06-28 | Semisouth Laboratories, Inc. | High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor power JFETs and integrated circuits including the same |
JP2012199763A (ja) | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
US8593211B2 (en) * | 2012-03-16 | 2013-11-26 | Texas Instruments Incorporated | System and apparatus for driver circuit for protection of gates of GaN FETs |
US8901989B2 (en) * | 2012-07-26 | 2014-12-02 | Qualcomm Incorporated | Adaptive gate drive circuit with temperature compensation |
EP2955825B1 (en) * | 2013-02-08 | 2019-08-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Gate driving circuit |
US9444448B2 (en) | 2013-12-10 | 2016-09-13 | General Electric Company | High performance IGBT gate drive |
US9543821B2 (en) | 2014-06-10 | 2017-01-10 | Power Integrations, Inc. | MOSFET driver with pulse timing pattern fault detection and adaptive safe operating area mode of operation |
EP2978130B1 (en) | 2014-07-24 | 2019-09-11 | Renesas Electronics Europe GmbH | Circuit for controlling slew rate of a high-side switching element |
US9755639B2 (en) | 2015-03-02 | 2017-09-05 | Infineon Technologies Austria Ag | Device and method for an electronic circuit having a driver and rectifier |
-
2017
- 2017-01-03 US US15/397,443 patent/US10374591B2/en active Active
- 2017-12-14 EP EP17207351.2A patent/EP3343768B1/en active Active
- 2017-12-21 JP JP2017244570A patent/JP7250421B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-02 KR KR1020180000333A patent/KR102398189B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-03 CN CN201810004638.0A patent/CN108336987B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026924A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Sanken Electric Co Ltd | ゲートドライブ回路 |
WO2014128942A1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | 株式会社 日立製作所 | 半導体素子の駆動装置 |
US20150372678A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive blanking timer for short circuit detection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3343768B1 (en) | 2021-02-24 |
KR20180080136A (ko) | 2018-07-11 |
KR102398189B1 (ko) | 2022-05-17 |
CN108336987A (zh) | 2018-07-27 |
JP7250421B2 (ja) | 2023-04-03 |
EP3343768A1 (en) | 2018-07-04 |
US20180191338A1 (en) | 2018-07-05 |
CN108336987B (zh) | 2021-03-09 |
US10374591B2 (en) | 2019-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018113682A (ja) | ゲート駆動回路のためのシステムおよび方法 | |
KR102336161B1 (ko) | 동적 타이밍 기능을 지니는 다단 게이트 턴오프 | |
US10848145B2 (en) | Driver circuit, switching control circuit, and switching device | |
EP2993785A1 (en) | Gate driving circuit, semiconductor device, and power conversion device | |
CN105281729B (zh) | 用于控制功率半导体开关的方法和电路 | |
WO2018158726A1 (en) | Hybrid switch control | |
CN109936351B (zh) | 半导体装置及功率模块 | |
JP2017050914A (ja) | スイッチング素子駆動装置 | |
KR20130037172A (ko) | 반도체장치 | |
JP2018182927A (ja) | 半導体装置及びその制御方法 | |
JP6825895B2 (ja) | 遅延回路 | |
US20150276848A1 (en) | Examination device and examination method | |
JP6274099B2 (ja) | 信号出力回路 | |
CN103907275A (zh) | 晶体管保护电路 | |
EP2811648B1 (en) | Method and arrangement for controlling semiconductor switch | |
KR101822241B1 (ko) | 전원 제어 시스템 | |
JP6166790B2 (ja) | 電力半導体デバイスの制御のためのシステムおよび方法 | |
US20150061749A1 (en) | Gate driver | |
JP5235151B2 (ja) | トランジスタ駆動回路、半導体遮断器及びトランジスタ駆動方法 | |
EP4117182A2 (en) | Gate drive circuit and power converter | |
US20230188134A1 (en) | Gate driver circuits with independently tunable performance characteristics | |
JP2018037723A (ja) | ゲート駆動装置 | |
JP2016080518A (ja) | 半導体素子の試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20190529 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7250421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |