JP5235151B2 - トランジスタ駆動回路、半導体遮断器及びトランジスタ駆動方法 - Google Patents
トランジスタ駆動回路、半導体遮断器及びトランジスタ駆動方法 Download PDFInfo
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Description
2 電源装置
3 負荷装置
14 トランジスタ駆動回路
111 SIT(静電誘導型トランジスタ)
141 ドライブ部
142 制御部
143 設定記憶部
144 記憶部
Claims (7)
- 静電誘導型トランジスタの駆動回路であって、
前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧を、前記静電誘導型トランジスタがオン状態となる第1の電圧から、前記第1の電圧より低くオフ状態となる第2の電圧まで変化させる間に、
前記ゲート電圧を、前記第1の電圧より低く前記第2の電圧より高い第3の電圧から徐々に低下させる第1の期間を所定時間設け、
前記第1の期間中に、前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧が、前記第2の電圧より高く前記第3の電圧より低い所定の第4の電圧となった場合に、前記ゲート電圧を前記第2の電圧に即座に変化させる
ことを特徴とするトランジスタ駆動回路。 - 前記第1の期間中に、前記静電誘導型トランジスタのドレイン電流が所定の閾値以下となった後、前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧を前記第2の電圧に変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ駆動回路。 - 前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧を、前記第1の電圧から前記第2の電圧まで変化させる間において、前記第1の期間より前に、
前記ゲート電圧を、前記第3の電圧より低く前記第2の電圧より高い第5の電圧に低下させた後、前記第3の電圧に上昇させる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のトランジスタ駆動回路。 - 前記ゲート電圧を、前記第5の電圧に低下させてから前記第3の電圧に上昇させるまでの第2の期間が、前記第1の期間に比べ少なくともその2分の1以下の短時間である
ことを特徴とする請求項3に記載のトランジスタ駆動回路。 - 前記静電誘導型トランジスタが珪素又は炭化珪素を半導体材料として形成されたものである
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のトランジスタ駆動回路。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のトランジスタ駆動回路と、
前記トランジスタ駆動回路によって駆動される静電誘導型トランジスタとを備え、
前記静電誘導型トランジスタのドレイン電流が所定の検出値以上となった場合に、前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧を、前記第1の電圧から前記第2の電圧まで変化させる制御を行う
ことを特徴とする半導体遮断器。 - 静電誘導型トランジスタの駆動方法であって、
前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧を、前記静電誘導型トランジスタがオン状態となる第1の電圧から、前記第1の電圧より低くオフ状態となる第2の電圧まで変化させる間に、
前記ゲート電圧を、前記第1の電圧より低く前記第2の電圧より高い第3の電圧から徐々に低下させる第1の期間を所定時間設け、
前記第1の期間中に、前記静電誘導型トランジスタのゲート電圧が、前記第2の電圧より高く前記第3の電圧より低い所定の第4の電圧となった場合に、前記ゲート電圧を前記第2の電圧に即座に変化させる
ことを特徴とするトランジスタ駆動方法。
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