JP2018113427A - 窒化物半導体発光装置、発光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】第一電極と各発光部との間の電流の不均一性を抑制するとともに、この抑制のための構成により生じる高発熱部からの放熱を効率的に行う。
【解決手段】窒化物半導体発光装置は、半導体チップ1と、電流供給体に接続される部品2と、第一接続体3と、複数の第二接続体4を有する。半導体チップは、第一窒化物半導体層と、複数の発光部と、複数の発光部に沿って配置された第一電極14と、発光部の第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、を有する。第一接続体は、複数の発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置され、第一電極から複数の発光部までの間での第一窒化物半導体層の抵抗値が、第一接続体に近い側で第一接続体に遠い側よりも大きい。第一接続体に最も近い発光部の第一電極側端面と第一電極に最も近い第二接続体との距離L2が、5μm以上100μm以下である。
【選択図】図1
【解決手段】窒化物半導体発光装置は、半導体チップ1と、電流供給体に接続される部品2と、第一接続体3と、複数の第二接続体4を有する。半導体チップは、第一窒化物半導体層と、複数の発光部と、複数の発光部に沿って配置された第一電極14と、発光部の第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、を有する。第一接続体は、複数の発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置され、第一電極から複数の発光部までの間での第一窒化物半導体層の抵抗値が、第一接続体に近い側で第一接続体に遠い側よりも大きい。第一接続体に最も近い発光部の第一電極側端面と第一電極に最も近い第二接続体との距離L2が、5μm以上100μm以下である。
【選択図】図1
Description
この発明は、窒化物半導体発光装置および発光モジュールに関する。
窒化物半導体発光装置には、発光面において発光光量を均一化することが求められている。これに対する提案として、特許文献1には、発光面の中央部よりも周辺部で、給電を担うドット電極を多く配置することにより、従来の窒化物半導体発光装置と比較して発光面内の周辺部で電流を流れやすくすることが記載されている。
フリップチップ構造の窒化物半導体発光装置では、発光素子が形成された半導体チップの電極と、電流供給体に接続されたパッケージ基板の電極とが、金ボールなどの接続体により電気的に接続されている。特許文献2には、フリップチップ構造を有する窒化物半導体発光装置の放熱性を高めるために、p型電極と接続するバンプ(接続体)の形成密度をn型電極の近傍で高くすることが記載されている。
フリップチップ構造の窒化物半導体発光装置では、発光素子が形成された半導体チップの電極と、電流供給体に接続されたパッケージ基板の電極とが、金ボールなどの接続体により電気的に接続されている。特許文献2には、フリップチップ構造を有する窒化物半導体発光装置の放熱性を高めるために、p型電極と接続するバンプ(接続体)の形成密度をn型電極の近傍で高くすることが記載されている。
この発明の課題は、半導体チップの基板面内に複数の発光部が形成され、複数の発光部に沿って配置された第一電極を有するフリップチップ構造の窒化物半導体発光装置の、静電耐圧および発光効率を高くしながら長寿命を実現するために、第一電極と各発光部との間の電流の不均一性を抑制するとともに、この抑制のための構成により生じる高発熱部からの放熱を効率的に行うことである。
この発明の第一態様の窒化物半導体発光装置は、下記の構成要件(1)〜(6)を有する。
(1)半導体チップを有する。この半導体チップは、(11)基板と、(12)基板上に形成され、厚い部分および薄い部分を有する第一導電型の第一窒化物半導体層と、(13)基板面内に複数形成されたPIN構造の発光部であって、第一窒化物半導体層上の厚い部分に形成された窒化物半導体活性層と、窒化物半導体活性層上に形成された第二導電型の第二窒化物半導体層と、を有する発光部と、(14)第一窒化物半導体層の薄い部分に形成され、複数の発光部が並ぶ方向に沿って配置された第一電極と、(15)複数の発光部の第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、を有する。
(1)半導体チップを有する。この半導体チップは、(11)基板と、(12)基板上に形成され、厚い部分および薄い部分を有する第一導電型の第一窒化物半導体層と、(13)基板面内に複数形成されたPIN構造の発光部であって、第一窒化物半導体層上の厚い部分に形成された窒化物半導体活性層と、窒化物半導体活性層上に形成された第二導電型の第二窒化物半導体層と、を有する発光部と、(14)第一窒化物半導体層の薄い部分に形成され、複数の発光部が並ぶ方向に沿って配置された第一電極と、(15)複数の発光部の第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、を有する。
(2)電流供給体に接続される部品を有する。この部品は、半導体チップの第一電極および複数の第二電極にそれぞれ対応する複数の電極が形成された面を有する。
(3)第一接続体を有する。この第一接続体は、半導体チップの第一電極とこれに対応する電流供給体に接続される部品の電極とを電気的に接続している。第一接続体は、複数の発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置されている。
(4)第二接続体を有する。この第二接続体は、半導体チップの複数の第二電極と、これらに対応する電流供給体に接続される部品の電極と、を電気的に接続している。
(5)第一接続体に最も近い発光部の第一電極側端面と、第一電極に最も近い第二接続体と、の距離が、5μm以上100μm以下である。
(3)第一接続体を有する。この第一接続体は、半導体チップの第一電極とこれに対応する電流供給体に接続される部品の電極とを電気的に接続している。第一接続体は、複数の発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置されている。
(4)第二接続体を有する。この第二接続体は、半導体チップの複数の第二電極と、これらに対応する電流供給体に接続される部品の電極と、を電気的に接続している。
(5)第一接続体に最も近い発光部の第一電極側端面と、第一電極に最も近い第二接続体と、の距離が、5μm以上100μm以下である。
(6)第一電極から複数の発光部までの間での第一窒化物半導体層の抵抗値が、第一接続体に近い側で第一接続体に遠い側よりも大きい。
この発明の第二態様の窒化物半導体発光装置は、上記構成要件(1)〜(5)と下記の構成要件(7)を有する。
(7)第一電極の面積が、第一接続体に近い発光部側で第一接続体に遠い発光部側よりも小さい。
この発明の第三態様の窒化物半導体発光装置は、上記構成要件(1)〜(5)と下記の構成要件(8)を有する。
(8)第一接続体に最も近い発光部は、第二窒化物半導体層と第二電極との間に抵抗値を高める層を有する。
この発明の第二態様の窒化物半導体発光装置は、上記構成要件(1)〜(5)と下記の構成要件(7)を有する。
(7)第一電極の面積が、第一接続体に近い発光部側で第一接続体に遠い発光部側よりも小さい。
この発明の第三態様の窒化物半導体発光装置は、上記構成要件(1)〜(5)と下記の構成要件(8)を有する。
(8)第一接続体に最も近い発光部は、第二窒化物半導体層と第二電極との間に抵抗値を高める層を有する。
第一態様、第二態様、および第三態様の窒化物半導体発光装置は、半導体チップが基板面内に複数の発光部が形成され、複数の発光部に沿って配置された第一電極を有するフリップチップ構造の窒化物半導体発光装置であって、第一電極と各発光部との間の電流の不均一性が抑制されている。また、電流の不均一性を抑制するための構成により高発熱部が生じるが、この部分からの放熱が効率的に行われる。
以下、この発明の実施形態について説明するが、この発明は以下に示す実施形態に限定されない。以下に示す実施形態では、この発明を実施するために技術的に好ましい限定がなされているが、この限定はこの発明の必須要件ではない。
[第1実施形態]
<構成>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、半導体チップ1と、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2と、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1は、基板11と、基板11上に形成されたn型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)12と、基板11の面内に形成された二個(複数)の発光部13A,13Bと、一個のn型電極(第一電極)14と、二個(複数)のp型電極(第二電極)15A,15Bと、を有する。
[第1実施形態]
<構成>
図1〜図3に示すように、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、半導体チップ1と、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2と、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1は、基板11と、基板11上に形成されたn型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)12と、基板11の面内に形成された二個(複数)の発光部13A,13Bと、一個のn型電極(第一電極)14と、二個(複数)のp型電極(第二電極)15A,15Bと、を有する。
基板11は、例えば、サファイア基板やAlN基板である。
n型窒化物半導体層12は、二個の独立した厚い部分121A,121Bと、それ以外の部分である薄い部分122を有する。n型窒化物半導体層12は、例えばn−AlGaN層である。
二個の発光部13A,13BはPIN構造の発光部であって、それぞれ、厚い部分121A,121Bに形成された窒化物半導体活性層131A,131Bと、窒化物半導体活性層131A,131B上に形成されたp型窒化物半導体層(第二導電型の窒化物半導体層)132A,132Bと、を有する。つまり、各発光部13A,13Bは、n型窒化物半導体層12の厚い部分121A,121Bからなるn型クラッド層と、p型窒化物半導体層132A,132Bからなるp型クラッド層と、これらのクラッド層に挟まれた窒化物半導体活性層131A,131Bと、で構成されている。
n型窒化物半導体層12は、二個の独立した厚い部分121A,121Bと、それ以外の部分である薄い部分122を有する。n型窒化物半導体層12は、例えばn−AlGaN層である。
二個の発光部13A,13BはPIN構造の発光部であって、それぞれ、厚い部分121A,121Bに形成された窒化物半導体活性層131A,131Bと、窒化物半導体活性層131A,131B上に形成されたp型窒化物半導体層(第二導電型の窒化物半導体層)132A,132Bと、を有する。つまり、各発光部13A,13Bは、n型窒化物半導体層12の厚い部分121A,121Bからなるn型クラッド層と、p型窒化物半導体層132A,132Bからなるp型クラッド層と、これらのクラッド層に挟まれた窒化物半導体活性層131A,131Bと、で構成されている。
窒化物半導体活性層131A,131Bは、例えば、AlGaNからなる量子井戸層とAlNからなる電子バリア層とからなる多重量子井戸構造(MQW)を有する層である。p型窒化物半導体層132A,132Bは、例えばp−GaN層である。
n型電極14は、n型窒化物半導体層12の薄い部分122に形成され、二個の発光部13A,13Bが並ぶ方向に沿って配置されている。
具体的には、図1に示すように、n型電極14および発光部13A,13Bは長方形であって、n型電極14は縦長に配置され、発光部13A,13Bは横長に配置されている。発光部13Aの長方形の長辺は、発光部13Bの長方形の長辺よりも短い。発光部13A,13Bは、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に、n型電極14の範囲内に配置されている。
n型電極14は、n型窒化物半導体層12の薄い部分122に形成され、二個の発光部13A,13Bが並ぶ方向に沿って配置されている。
具体的には、図1に示すように、n型電極14および発光部13A,13Bは長方形であって、n型電極14は縦長に配置され、発光部13A,13Bは横長に配置されている。発光部13Aの長方形の長辺は、発光部13Bの長方形の長辺よりも短い。発光部13A,13Bは、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に、n型電極14の範囲内に配置されている。
n型電極14の図1における上部に金ボール3が配置されている。発光部13Aが図1における上側に配置され、発光部13Bは図1における下側に配置されている。つまり、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12よりも大きい。これにより、n型電極14から金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aまでの間(部分122a)での抵抗値が、n型電極14から金ボール3に遠い発光部13Bまでの間(部分122b)の抵抗値よりも大きくなっている。
発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12よりも大きい。これにより、n型電極14から金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aまでの間(部分122a)での抵抗値が、n型電極14から金ボール3に遠い発光部13Bまでの間(部分122b)の抵抗値よりも大きくなっている。
p型電極15A,15Bは、二個の発光部13A,13Bのp型窒化物半導体層132A,132B上に形成されている。
パッケージ基板2の一面21に、半導体チップ1のn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1の二個のp型電極15A,15Bとそれぞれ向かい合う二個のp型電極25A,25Bが形成されている。
金ボール3は、半導体チップ1のn型電極14と、パッケージ基板2のn型電極24と、を電気的に接続している。金ボール3は発光部13Aと近い位置に配置されている。
パッケージ基板2の一面21に、半導体チップ1のn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1の二個のp型電極15A,15Bとそれぞれ向かい合う二個のp型電極25A,25Bが形成されている。
金ボール3は、半導体チップ1のn型電極14と、パッケージ基板2のn型電極24と、を電気的に接続している。金ボール3は発光部13Aと近い位置に配置されている。
金ボール4は、半導体チップ1の二個のp型電極15A,15Bと、パッケージ基板2の二個のp型電極25A,25Bと、をそれぞれ電気的に接続している。金ボール(第二接続体)4は、金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aでは二個、金ボール3に遠い発光部13Bでは三個配置されている。
金ボール3に近い発光部13Aのn型電極14側の端面135Aと、二個の金ボール4のうちn型電極14に近い金ボール4aと、の距離L2が、5μm以上100μm以下にある。
金ボール3に近い発光部13Aのn型電極14側の端面135Aと、二個の金ボール4のうちn型電極14に近い金ボール4aと、の距離L2が、5μm以上100μm以下にある。
<製法>
第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、従来のフリップチップ構造の窒化物半導体発光装置と同じ方法で製造できる。
すなわち、先ず、半導体チップ1とパッケージ基板2を公知の方法(リソグラフィ工程や蒸着工程を含む方法)で作製する。その際に、半導体チップ1の発光部13A,13Bおよびn型電極14を図1に示す配置で形成する。n型窒化物半導体層12の薄い部分122は、各発光部13A,13Bをメサエッチング法で形成することで生じる。次に、半導体チップ1のn型電極14に金ボール3を、発光部13A,13Bのp型電極15A,15Bに金ボール4を、図1に示す配置で形成する。
第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、従来のフリップチップ構造の窒化物半導体発光装置と同じ方法で製造できる。
すなわち、先ず、半導体チップ1とパッケージ基板2を公知の方法(リソグラフィ工程や蒸着工程を含む方法)で作製する。その際に、半導体チップ1の発光部13A,13Bおよびn型電極14を図1に示す配置で形成する。n型窒化物半導体層12の薄い部分122は、各発光部13A,13Bをメサエッチング法で形成することで生じる。次に、半導体チップ1のn型電極14に金ボール3を、発光部13A,13Bのp型電極15A,15Bに金ボール4を、図1に示す配置で形成する。
次に、一面21を上に向けてパッケージ基板2を置き、その上方に発光部形成面を下に向けて半導体チップ1を配置し、半導体チップ1を下降させて、金ボール3,4をパッケージ基板2の電極24,25A,25Bと接触させ、加熱加圧工程を行う。これにより、半導体チップ1のn型電極14とパッケージ基板2のn型電極24とを金ボール3で、半導体チップ1の二個のp型電極15A,15Bとパッケージ基板2の二個のp型電極25A,25Bとを、金ボール4で接続する。
<動作>
第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、外部の電流供給体からパッケージ基板2の電極および配線を介して電流を供給することで使用される。パッケージ基板2に供給された電流により、電子は、パッケージ基板2のn型電極24、金ボール3、半導体チップ1のn型電極14、および半導体チップ1のn型窒化物半導体層12の薄い部分122を通って、発光部13A,13Bのp型電極15A,15Bに至る。これに伴い、窒化物半導体活性層131A,131Bから発光する。
第1実施形態の窒化物半導体発光装置10は、外部の電流供給体からパッケージ基板2の電極および配線を介して電流を供給することで使用される。パッケージ基板2に供給された電流により、電子は、パッケージ基板2のn型電極24、金ボール3、半導体チップ1のn型電極14、および半導体チップ1のn型窒化物半導体層12の薄い部分122を通って、発光部13A,13Bのp型電極15A,15Bに至る。これに伴い、窒化物半導体活性層131A,131Bから発光する。
窒化物半導体活性層131A,131Bを、AlGaNからなる量子井戸層とAlNからなる電子バリア層とからなる多重量子井戸構造とすることで、深紫外領域の波長(280nm以下)を高い効率で発光できる。
また、発光部13A,13Bの発光により生じた熱は、半導体チップ1のp型電極15A,15B、五個の金ボール4、およびパッケージ基板2のp型電極25A,25Bを通って、外部に放出される。また、半導体チップ1のn型窒化物半導体層12、半導体チップ1のn型電極14、一個の金ボール3、およびパッケージ基板2のn型電極24からなるルートでも放熱が行われる。
また、発光部13A,13Bの発光により生じた熱は、半導体チップ1のp型電極15A,15B、五個の金ボール4、およびパッケージ基板2のp型電極25A,25Bを通って、外部に放出される。また、半導体チップ1のn型窒化物半導体層12、半導体チップ1のn型電極14、一個の金ボール3、およびパッケージ基板2のn型電極24からなるルートでも放熱が行われる。
<作用、効果>
図1における距離L11と距離L12が同じ場合、n型電極14から各発光部13A,13Bに移動する電子の量は、金ボール3に近い発光部13Aで、金ボール3に遠い発光部13Bよりも多くなる。つまり、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流が不均一になる。
これに対して、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10では、距離L11が距離L12より大きいため、n型電極14と二個の発光部13A,13Bとの間の部分でのn型窒化物半導体層12の抵抗値が、金ボール3に近い発光部13Aで、金ボール3に遠い発光部13Bよりも大きくなる。これに伴い、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10によれば、n型電極14から各発光部13A,13Bに供給される電子の量を均一にすることができる。つまり、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。その結果、窒化物半導体発光装置10の静電耐圧および発光効率が高くなる。
図1における距離L11と距離L12が同じ場合、n型電極14から各発光部13A,13Bに移動する電子の量は、金ボール3に近い発光部13Aで、金ボール3に遠い発光部13Bよりも多くなる。つまり、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流が不均一になる。
これに対して、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10では、距離L11が距離L12より大きいため、n型電極14と二個の発光部13A,13Bとの間の部分でのn型窒化物半導体層12の抵抗値が、金ボール3に近い発光部13Aで、金ボール3に遠い発光部13Bよりも大きくなる。これに伴い、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10によれば、n型電極14から各発光部13A,13Bに供給される電子の量を均一にすることができる。つまり、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。その結果、窒化物半導体発光装置10の静電耐圧および発光効率が高くなる。
距離L11の好ましい範囲は2μm以上100μm以下である。
距離L11は距離L12より大きければよいが、距離L11が100μmを超えると、抵抗値が大きくなり過ぎて、駆動時の発熱量が、後述の放熱対策では対応できない大きさになる場合がある。
距離L11が2μm未満であると、半導体チップ1の製造時に、リソグラフィ工程や蒸着工程におけるアライメントずれや、設計からの実寸法ずれが生じ易い。このずれにより距離L11が設計値通りにならないことで、設計通りの電流均一化効果が得られない。
距離L11は距離L12より大きければよいが、距離L11が100μmを超えると、抵抗値が大きくなり過ぎて、駆動時の発熱量が、後述の放熱対策では対応できない大きさになる場合がある。
距離L11が2μm未満であると、半導体チップ1の製造時に、リソグラフィ工程や蒸着工程におけるアライメントずれや、設計からの実寸法ずれが生じ易い。このずれにより距離L11が設計値通りにならないことで、設計通りの電流均一化効果が得られない。
なお、距離L12についても、2μm未満であると距離L12が設計値通りにならないため、距離L12より大きい距離L11の下限値は2μmより大きいこと(例えば、5μm)が好ましい。
また、n型電極14から発光部13Aまでの間でのn型窒化物半導体層12の抵抗値が高いことで、n型電極14と発光部13Aとの間の部分122aでの発熱が大きくなる。その対策として、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10では、距離L2を5μm以上100μm以下にすることで、部分122aに生じた熱がn型電極14に近い金ボール4aから放出され易くしている。その結果、窒化物半導体発光装置10の寿命が長くなる。
また、n型電極14から発光部13Aまでの間でのn型窒化物半導体層12の抵抗値が高いことで、n型電極14と発光部13Aとの間の部分122aでの発熱が大きくなる。その対策として、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10では、距離L2を5μm以上100μm以下にすることで、部分122aに生じた熱がn型電極14に近い金ボール4aから放出され易くしている。その結果、窒化物半導体発光装置10の寿命が長くなる。
距離L2が100μmを超えると、部分122aに生じた熱の放出性が不十分となる。距離L2が5μm未満であると、半導体チップ1の製造時に、リソグラフィ工程や蒸着工程におけるアライメントずれや、設計からの実寸法ずれが生じ易い。このようなずれが生じると、金ボール4aがn型窒化物半導体層12に接触して、リーク電流が生じ、 発光効率が低下するおそれがある。
距離L2の好ましい範囲は5μm以上60μm以下であり、より好ましい範囲は5μm以上40μm以下である。
距離L2の好ましい範囲は5μm以上60μm以下であり、より好ましい範囲は5μm以上40μm以下である。
[第2実施形態]
図4および図5に示すように、第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、半導体チップ1Aと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Aと、一個の金ボール(第一接続体)3と、メッキ体(第二接続体)5A,5Bを有する。
つまり、第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10の金ボール4に代えて、メッキ体5A,5Bを第二接続体として有する。発光部13Aとn型電極14との距離L11および発光部13Bとn型電極14との距離L12は、それぞれ第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも大きい。これ以外の点は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
発光部13Aのメッキ体5Aは、p型電極15Aと重なる面積で形成されている。発光部13Bのメッキ体Bは、p型電極15Bより小さい面積で形成されている。
図4および図5に示すように、第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、半導体チップ1Aと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Aと、一個の金ボール(第一接続体)3と、メッキ体(第二接続体)5A,5Bを有する。
つまり、第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10の金ボール4に代えて、メッキ体5A,5Bを第二接続体として有する。発光部13Aとn型電極14との距離L11および発光部13Bとn型電極14との距離L12は、それぞれ第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも大きい。これ以外の点は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
発光部13Aのメッキ体5Aは、p型電極15Aと重なる面積で形成されている。発光部13Bのメッキ体Bは、p型電極15Bより小さい面積で形成されている。
金ボール3に近い発光部13Aのn型電極14側の端面135Aと、メッキ体5Aとの距離L2は、5μm以上100μm以下にある。
第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、金ボール4に代えてメッキ体5A,5Bを形成することを除いて、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ方法で製造することができる。
第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。また、金ボール4に代えてメッキ体5A,5Bを第二接続体として用いることにより、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも、p型電極15A,15Bとp型電極25A,25Bとの第二接続体による接続面積が大きくなるため、部分122aの放熱効率をさらに高くできるという効果も得られる。
第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aは、金ボール4に代えてメッキ体5A,5Bを形成することを除いて、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ方法で製造することができる。
第2実施形態の窒化物半導体発光装置10Aによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。また、金ボール4に代えてメッキ体5A,5Bを第二接続体として用いることにより、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも、p型電極15A,15Bとp型電極25A,25Bとの第二接続体による接続面積が大きくなるため、部分122aの放熱効率をさらに高くできるという効果も得られる。
[第3実施形態]
図6および図7に示すように、第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bは、半導体チップ1Bと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Bと、一個の金ボール(第一接続体)3と、四個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bでは、n型電極14の金ボール3に近い発光部13Aに配置される金ボール4の数が一個である。また、発光部13Aとn型電極14との距離L11および発光部13Bとn型電極14との距離L12は、それぞれ第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも大きい。これらの点以外は、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
図6および図7に示すように、第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bは、半導体チップ1Bと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Bと、一個の金ボール(第一接続体)3と、四個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bでは、n型電極14の金ボール3に近い発光部13Aに配置される金ボール4の数が一個である。また、発光部13Aとn型電極14との距離L11および発光部13Bとn型電極14との距離L12は、それぞれ第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも大きい。これらの点以外は、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第3実施形態の窒化物半導体発光装置10Bによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
[第4実施形態]
図8に示すように、第4実施形態の窒化物半導体発光装置10Dは、半導体チップ1Dと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Dと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Dは、基板11と、基板11上に形成されたn型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)12と、基板11の面内に形成された四個(複数)の発光部13A〜13Dと、一個のn型電極(第一電極)14と、四個(複数)のp型電極(第二電極)15A〜15Dと、を有する。
図8に示すように、第4実施形態の窒化物半導体発光装置10Dは、半導体チップ1Dと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Dと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Dは、基板11と、基板11上に形成されたn型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)12と、基板11の面内に形成された四個(複数)の発光部13A〜13Dと、一個のn型電極(第一電極)14と、四個(複数)のp型電極(第二電極)15A〜15Dと、を有する。
発光部13A,13Bはn型電極14に対して、図1に示す第1実施形態の窒化物半導体発光装置10の半導体チップ1と同様に配置されている。発光部13C,13Dは、発光部13A,13Bに対して、n型電極14を中心とした線対称となる配置で存在する。つまり、金ボール3は、発光部13A,13C側とは近く発光部13B,13Cとは遠い偏った位置に配置されている。
発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12よりも大きい。同様に、発光部13Cとn型電極14との距離L11は、発光部13Dとn型電極14との距離L12よりも大きい。これにより、n型電極14から金ボール(第一接続体)3に近い発光部13A,13Cまでの間(部分122a)での抵抗値が、n型電極14から金ボール3に遠い発光部13B,13Dまでの間(部分122b)での抵抗値よりも大きくなっている。
発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12よりも大きい。同様に、発光部13Cとn型電極14との距離L11は、発光部13Dとn型電極14との距離L12よりも大きい。これにより、n型電極14から金ボール(第一接続体)3に近い発光部13A,13Cまでの間(部分122a)での抵抗値が、n型電極14から金ボール3に遠い発光部13B,13Dまでの間(部分122b)での抵抗値よりも大きくなっている。
また、n型電極14の金ボール3に近い発光部13A,13Cには、一個の金ボール4aが配置され、この金ボール4aと発光部13A,13Cのn型電極14側の端面135Aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
パッケージ基板2Dの一面には、半導体チップ1のn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1の四個のp型電極15A〜15Dとそれぞれ向かい合う四個のp型電極が形成されている。
これらの点以外は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第4実施形態の窒化物半導体発光装置10Dによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
パッケージ基板2Dの一面には、半導体チップ1のn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1の四個のp型電極15A〜15Dとそれぞれ向かい合う四個のp型電極が形成されている。
これらの点以外は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第4実施形態の窒化物半導体発光装置10Dによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
[第5実施形態]
図9に示すように、第5実施形態の窒化物半導体発光装置10Eは、半導体チップ1Eと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Eと、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Eは、三個の発光部13A〜13Cを有する。発光部13A〜13Cは、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に、n型電極14の範囲内に配置されている。
n型電極14の図9における上部に金ボール3が配置されている。三個の発光部13A〜13Cは、図9における上側から下側に向けて、発光部13A,13B,13Cの順に配置されている。つまり、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
図9に示すように、第5実施形態の窒化物半導体発光装置10Eは、半導体チップ1Eと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Eと、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Eは、三個の発光部13A〜13Cを有する。発光部13A〜13Cは、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に、n型電極14の範囲内に配置されている。
n型電極14の図9における上部に金ボール3が配置されている。三個の発光部13A〜13Cは、図9における上側から下側に向けて、発光部13A,13B,13Cの順に配置されている。つまり、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
発光部13Aとn型電極14との距離L11、発光部13Bとn型電極14との距離L12、発光部13Cとn型電極14との距離L13は、L11>L12>L13となっている。これにより、n型電極14から三個の発光部13A,13B,13Cまでの間(部分122a,122b,122c)でのn型窒化物半導体層12の抵抗値Ra,Rb,Rcが、Ra>Rb>Rcとなっている。つまり、上記部分の抵抗値が、金ボール(第一接続体)3に近い側で、金ボール3に遠い側よりも大きくなっている。
また、n型電極14の金ボール3に最も近い発光部13Aには、一個の金ボール4aが配置され、この金ボール4aと発光部13Aのn型電極14側の端面135Aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
パッケージ基板2Eの一面には、半導体チップ1Eのn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1Eの三個のp型電極15A〜15Cとそれぞれ向かい合う三個のp型電極が形成されている。
これらの点以外は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第5実施形態の窒化物半導体発光装置10Eによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
パッケージ基板2Eの一面には、半導体チップ1Eのn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1Eの三個のp型電極15A〜15Cとそれぞれ向かい合う三個のp型電極が形成されている。
これらの点以外は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第5実施形態の窒化物半導体発光装置10Eによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。
[第6実施形態]
図10に示すように、第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fは、半導体チップ1Fと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Fと、二個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Fは二個の発光部13A,13Bを有し、二個の金ボール3は、発光部13Aの隣に存在し、発光部13Bの隣には存在しない。つまり、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
また、n型電極14の金ボール3に最も近い発光部13Aには、一個の金ボール4aが配置され、この金ボール4aと発光部13Aのn型電極14側の端面135Aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
上記以外の点は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fによれば、二個の金ボール3を有することで、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも、高抵抗となっている部分122aに生じた熱のn型電極14側の放熱経路での放出効率が高くなる。
図10に示すように、第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fは、半導体チップ1Fと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Fと、二個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Fは二個の発光部13A,13Bを有し、二個の金ボール3は、発光部13Aの隣に存在し、発光部13Bの隣には存在しない。つまり、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
また、n型電極14の金ボール3に最も近い発光部13Aには、一個の金ボール4aが配置され、この金ボール4aと発光部13Aのn型電極14側の端面135Aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
上記以外の点は第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じである。
第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fによれば、二個の金ボール3を有することで、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10よりも、高抵抗となっている部分122aに生じた熱のn型電極14側の放熱経路での放出効率が高くなる。
[第7実施形態]
図11に示すように、第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gは、半導体チップ1Gと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Gと、一個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Gは、以下の点を除いて、第6実施形態の半導体チップ1Fと同じである。二個の発光部13A,13Bの間に枝電極17を有し、枝電極17はn型電極14と連続している。枝電極17はn型電極であり、枝電極17とn型電極14は、同じ薄膜に対するパターニング工程で同時に形成されている。
第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gによれば、枝電極17を有することで、第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fよりも、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果が得られる。
図11に示すように、第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gは、半導体チップ1Gと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Gと、一個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Gは、以下の点を除いて、第6実施形態の半導体チップ1Fと同じである。二個の発光部13A,13Bの間に枝電極17を有し、枝電極17はn型電極14と連続している。枝電極17はn型電極であり、枝電極17とn型電極14は、同じ薄膜に対するパターニング工程で同時に形成されている。
第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gによれば、枝電極17を有することで、第6実施形態の窒化物半導体発光装置10Fよりも、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果が得られる。
[第8実施形態]
図12に示すように、第8実施形態の窒化物半導体発光装置10Hは、半導体チップ1Hと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Hと、一個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Hは、以下の点を除いて第7実施形態の半導体チップ1Gと同じである。枝電極17と平行でn型電極14と連続する電極18を、発光部13Aの図14における上側と、発光部13Bの図14における下側に有する。枝電極17および電極18はn型電極であり、枝電極17と電極18とn型電極14は、同じ薄膜に対するパターニング工程で同時に形成されている。
第8実施形態の窒化物半導体発光装置10Hによれば、電極18を有することで、第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gよりも、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果が得られる。
図12に示すように、第8実施形態の窒化物半導体発光装置10Hは、半導体チップ1Hと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Hと、一個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Hは、以下の点を除いて第7実施形態の半導体チップ1Gと同じである。枝電極17と平行でn型電極14と連続する電極18を、発光部13Aの図14における上側と、発光部13Bの図14における下側に有する。枝電極17および電極18はn型電極であり、枝電極17と電極18とn型電極14は、同じ薄膜に対するパターニング工程で同時に形成されている。
第8実施形態の窒化物半導体発光装置10Hによれば、電極18を有することで、第7実施形態の窒化物半導体発光装置10Gよりも、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果が得られる。
[第9実施形態]
図13に示すように、第9実施形態の窒化物半導体発光装置10Jは、半導体チップ1Jと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Jと、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Jは、以下の点を除いて第8実施形態の半導体チップ1Hと同じである。
二個の発光部13A,13Bが、n型電極14の反対側で結合された状態で一体に形成されている。つまり、二個の発光部13A,13Bの各層が一体化されて、p型窒化物半導体層132などとして存在し、各発光部13A,13B用のp型電極も一体化されたp型電極15として存在する。
図13に示すように、第9実施形態の窒化物半導体発光装置10Jは、半導体チップ1Jと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Jと、一個の金ボール(第一接続体)3と、五個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Jは、以下の点を除いて第8実施形態の半導体チップ1Hと同じである。
二個の発光部13A,13Bが、n型電極14の反対側で結合された状態で一体に形成されている。つまり、二個の発光部13A,13Bの各層が一体化されて、p型窒化物半導体層132などとして存在し、各発光部13A,13B用のp型電極も一体化されたp型電極15として存在する。
また、発光部13A,13Bが結合されている部分の外側にも、n型電極14と平行な電極19が配置され、二個の電極18が電極19により繋がっている。電極19もn型電極である。n型電極14、枝電極17、および電極18,19が、同じ薄膜に対するパターニング工程で同時に形成されている。
パッケージ基板2Jの一面には、半導体チップ1Jのn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1Jのp型電極15と向かい合うp型電極が形成されている。
第9実施形態の窒化物半導体発光装置10Jによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られるだけでなく、二個の発光部13A,13Bが結合されていることで、別々に形成されている場合よりも発光量が多くなる効果も得られる。また、発光部13A,13Bが結合されている側に電極19が配置されていることにより、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果も得られる。
パッケージ基板2Jの一面には、半導体チップ1Jのn型電極14と向かい合うn型電極24と、半導体チップ1Jのp型電極15と向かい合うp型電極が形成されている。
第9実施形態の窒化物半導体発光装置10Jによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られるだけでなく、二個の発光部13A,13Bが結合されていることで、別々に形成されている場合よりも発光量が多くなる効果も得られる。また、発光部13A,13Bが結合されている側に電極19が配置されていることにより、発光部13A,13Bへ供給される電子の量が多くなる効果も得られる。
[第10実施形態]
図14に示すように、第10実施形態の窒化物半導体発光装置10Kは、半導体チップ1Kと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Kと、二個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Kは、n型電極(第一電極)14を二個有し、二個のn型電極14は間隔を開けて平行に配置されている。二個のn型電極14の間に、二個の発光部13A,13Bが、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に配置されている。
発光部13Aは発光部13Bより、n型電極14の間隔方向(図14における左右方向)での長さが短い。発光部13A,13Bは、この長さの中心同士を揃えて配置されている。これにより、発光部13Aと各n型電極14との距離L11は、発光部13Bと各n型電極14との距離L12よりも大きくなっている。また、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
図14に示すように、第10実施形態の窒化物半導体発光装置10Kは、半導体チップ1Kと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Kと、二個の金ボール(第一接続体)3と、三個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Kは、n型電極(第一電極)14を二個有し、二個のn型電極14は間隔を開けて平行に配置されている。二個のn型電極14の間に、二個の発光部13A,13Bが、互いに平行に、n型電極14に対して垂直に配置されている。
発光部13Aは発光部13Bより、n型電極14の間隔方向(図14における左右方向)での長さが短い。発光部13A,13Bは、この長さの中心同士を揃えて配置されている。これにより、発光部13Aと各n型電極14との距離L11は、発光部13Bと各n型電極14との距離L12よりも大きくなっている。また、金ボール3は、発光部13Aとは近く発光部13Bとは遠い偏った位置に配置されている。
これにより、n型電極14から金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aまでの間(部分122a)の抵抗値が、n型電極14から金ボール3に遠い発光部13Bまでの間(部分122b)の抵抗値よりも大きくなっている。
金ボール(第二接続体)4は、金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aでは一個、金ボール3に遠い発光部13Bでは二個配置されている。また、金ボール3に近い発光部13Aの各n型電極14側の端面135Aと金ボール4aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
金ボール(第二接続体)4は、金ボール(第一接続体)3に近い発光部13Aでは一個、金ボール3に遠い発光部13Bでは二個配置されている。また、金ボール3に近い発光部13Aの各n型電極14側の端面135Aと金ボール4aとの距離L2が、5μm以上100μm以下の範囲にある。
パッケージ基板2Kの一面には、半導体チップ1の二つのn型電極14と向かい合う二つのn型電極24と、半導体チップ1の二個のp型電極15A,15Bとそれぞれ向かい合う二個のp型電極が形成されている。
第10実施形態の窒化物半導体発光装置10Kによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。また、n型電極14を二個設けて各n型電極14に一個ずつ合計二個の金ボール3を有することで、金ボール3が一個配置されたn型電極14を一個設けた場合よりも、高抵抗となっている部分122aに生じた熱のn型電極14側の放熱経路での放出効率が高くなる。
第10実施形態の窒化物半導体発光装置10Kによれば、第1実施形態の窒化物半導体発光装置10と同じ効果が得られる。また、n型電極14を二個設けて各n型電極14に一個ずつ合計二個の金ボール3を有することで、金ボール3が一個配置されたn型電極14を一個設けた場合よりも、高抵抗となっている部分122aに生じた熱のn型電極14側の放熱経路での放出効率が高くなる。
[第11実施形態]
図15に示すように、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lは、半導体チップ1Lと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Lと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Lは、以下の点を除いて第1実施形態の半導体チップ1と同じである。
半導体チップ1Lは、半導体チップ1の発光部13Bと同じものを、二個の発光部13A,13Bとして有する。発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12と同じである。
図15に示すように、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lは、半導体チップ1Lと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Lと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
半導体チップ1Lは、以下の点を除いて第1実施形態の半導体チップ1と同じである。
半導体チップ1Lは、半導体チップ1の発光部13Bと同じものを、二個の発光部13A,13Bとして有する。発光部13Aとn型電極14との距離L11は、発光部13Bとn型電極14との距離L12と同じである。
n型窒化物半導体層12のn型電極14と発光部13Aとの間の部分122aは、図16(a)に示すように、薄い部分122よりもさらに薄くなっている。あるいは、部分122aは、図16(b)に示すように、薄い部分122と同じ厚さであるが、結晶ダメージ部(結晶の欠陥または組成抜けが生じている部分)となっている。結晶ダメージ部は、メサエッチング後に、n型窒化物半導体層12の部分122aに対してエッチングを行うことで形成できる。
このように、L11=L12とした場合でも、n型電極14と発光部13Aとの間の部分122aを、厚さを薄くしたり結晶ダメージ部にしたりすることで、n型電極14から発光部13Aまでの間(部分122a)での抵抗値を、n型電極14から発光部13Bまでの間(部分122b)よりも高抵抗とすることができる。これに伴い、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lによれば、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。
また、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、高抵抗となっている部分122aの金ボール4aを介した放熱が効率的に行われる。
また、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、高抵抗となっている部分122aの金ボール4aを介した放熱が効率的に行われる。
[第12実施形態]
図17に示すように、第12実施形態の窒化物半導体発光装置10Mは、半導体チップ1Mと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Mと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第12実施形態の窒化物半導体発光装置10Mは、以下の点を除いて、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lと同じである。
半導体チップ1Mのn型電極14は、金ボール3に近い発光部13Aの隣に存在する部分14aの幅が、金ボール3に遠い発光部13Bの隣に存在する部分14bの幅より狭い平面形状を有する。つまり、n型電極14の面積が、金ボール3に近い発光部13A側で、金ボール3に遠い発光部13B側よりも小さい。電極の面積が広いほど抵抗値は低くなる。
図17に示すように、第12実施形態の窒化物半導体発光装置10Mは、半導体チップ1Mと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Mと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第12実施形態の窒化物半導体発光装置10Mは、以下の点を除いて、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lと同じである。
半導体チップ1Mのn型電極14は、金ボール3に近い発光部13Aの隣に存在する部分14aの幅が、金ボール3に遠い発光部13Bの隣に存在する部分14bの幅より狭い平面形状を有する。つまり、n型電極14の面積が、金ボール3に近い発光部13A側で、金ボール3に遠い発光部13B側よりも小さい。電極の面積が広いほど抵抗値は低くなる。
このように、L11=L12とした場合でも、n型電極14を上述の平面形状にすることで、部分14aと部分14bが同じ面積である場合と比較して、n型電極14からの電子を、金ボール3に遠い発光部13Bへ流れ易くすることができる。これにより、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。
また、発光部13Aとn型電極14との間の部分122aが高発熱部となるが、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、この部分122aの金ボール4aを介した放熱が効率的に行われる。
また、発光部13Aとn型電極14との間の部分122aが高発熱部となるが、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、この部分122aの金ボール4aを介した放熱が効率的に行われる。
[第13実施形態]
図18および図19に示すように、第13実施形態の窒化物半導体発光装置10Nは、半導体チップ1Nと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Nと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第13実施形態の窒化物半導体発光装置10Nは、以下の点を除いて、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lと同じである。
発光部13Aとn型電極14との間の部分122aは、発光部13Bとn型電極14との間の部分122bと同じになっている。金ボール3に近い発光部13Aは、p型窒化物半導体層132Aとp型電極15Aとの間に絶縁層133を有する。なお、絶縁層133に代えて、コンタクト抵抗の高い電極を設けてもよい。
図18および図19に示すように、第13実施形態の窒化物半導体発光装置10Nは、半導体チップ1Nと、パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)2Nと、一個の金ボール(第一接続体)3と、六個の金ボール(第二接続体)4を有する。
第13実施形態の窒化物半導体発光装置10Nは、以下の点を除いて、第11実施形態の窒化物半導体発光装置10Lと同じである。
発光部13Aとn型電極14との間の部分122aは、発光部13Bとn型電極14との間の部分122bと同じになっている。金ボール3に近い発光部13Aは、p型窒化物半導体層132Aとp型電極15Aとの間に絶縁層133を有する。なお、絶縁層133に代えて、コンタクト抵抗の高い電極を設けてもよい。
第13実施形態の窒化物半導体発光装置10Nでは、絶縁層133を設けることにより、n型電極14から金ボール3に近い発光部13Aへ供給される電子の量を少なくしている。
これにより、L11=L12としながら、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。
また、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、高抵抗体である絶縁層133に発生する熱の金ボール4aを介した放出が効率的に行われる。
これにより、L11=L12としながら、n型電極14と発光部13Aとの間と、n型電極14と発光部13Bとの間とで、流れる電流を均一にすることができる。
また、5μm≦L2≦100μmを満たすことで、高抵抗体である絶縁層133に発生する熱の金ボール4aを介した放出が効率的に行われる。
[発光モジュール]
第一態様、第二態様、および第三態様の窒化物半導体発光装置は、各発光部が紫外線発光部である場合、紫外線ランプに代わるものとして使用できる。
つまり、第一態様、第二態様、および第三態様の窒化物半導体発光装置を備えた発光モジュールとしては、紫外線発光モジュールが挙げられる。
第一態様、第二態様、および第三態様の窒化物半導体発光装置は、各発光部が紫外線発光部である場合、紫外線ランプに代わるものとして使用できる。
つまり、第一態様、第二態様、および第三態様の窒化物半導体発光装置を備えた発光モジュールとしては、紫外線発光モジュールが挙げられる。
10 窒化物半導体発光装置
1 半導体チップ
2 パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)
3 金ボール(第一接続体)
4 金ボール(第二接続体)
11 基板
12 n型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)
13A 発光部
13B 発光部
13C 発光部
14 n型電極(第一電極)
14a 金ボール3に近い発光部13Aの隣に存在する部分
14b 金ボール3に遠い発光部13Bの隣に存在する部分
15A,15B p型電極(第二電極)
122a n型窒化物半導体層の発光部13Aとn型電極14との間の部分
122b n型窒化物半導体層の発光部13Bとn型電極14との間の部分
122c n型窒化物半導体層の発光部13Cとn型電極14との間の部分
133 絶縁層(抵抗を高める層)
1 半導体チップ
2 パッケージ基板(電流供給体に接続される部品)
3 金ボール(第一接続体)
4 金ボール(第二接続体)
11 基板
12 n型窒化物半導体層(第一導電型の第一窒化物半導体層)
13A 発光部
13B 発光部
13C 発光部
14 n型電極(第一電極)
14a 金ボール3に近い発光部13Aの隣に存在する部分
14b 金ボール3に遠い発光部13Bの隣に存在する部分
15A,15B p型電極(第二電極)
122a n型窒化物半導体層の発光部13Aとn型電極14との間の部分
122b n型窒化物半導体層の発光部13Bとn型電極14との間の部分
122c n型窒化物半導体層の発光部13Cとn型電極14との間の部分
133 絶縁層(抵抗を高める層)
Claims (11)
- (a)基板と、
前記基板上に形成され、厚い部分および薄い部分を有する第一導電型の第一窒化物半導体層と、
前記基板面内に複数形成されたPIN構造の発光部であって、前記第一窒化物半導体層上の前記厚い部分に形成された窒化物半導体活性層と、前記窒化物半導体活性層上に形成された第二導電型の第二窒化物半導体層と、を有する発光部と、
前記第一窒化物半導体層の前記薄い部分に形成され、複数の前記発光部が並ぶ方向に沿って配置された第一電極と、
前記複数の発光部の前記第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、
を有する半導体チップ、
(b)前記第一電極および前記複数の第二電極にそれぞれ対応する複数の電極が形成された面を有し、電流供給体に接続される部品、
(c)前記半導体チップの前記第一電極とこれに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第一接続体、
および
(d)前記半導体チップの前記複数の第二電極とこれらに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第二接続体
を有し、
前記第一接続体は、複数の前記発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置され、
前記第一電極から複数の前記発光部までの間での前記第一窒化物半導体層の抵抗値が、前記第一接続体に近い側で前記第一接続体に遠い側よりも大きく、
前記第一接続体に最も近い前記発光部の前記第一電極側端面と、前記第一電極に最も近い前記第二接続体と、の距離が、5μm以上100μm以下である窒化物半導体発光装置。 - 前記第一接続体に近い側で前記第一接続体に遠い側よりも、前記第一電極と前記発光部との距離が大きいことで、前記抵抗値が大きくなっている請求項1記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記第一接続体に最も近い前記発光部と、前記第一電極の前記発光部側の端面と、の距離が、2μm以上100μm以下である請求項2記載の窒化物半導体発光装置。
- (a)基板と、
前記基板上に形成され、厚い部分および薄い部分を有する第一導電型の第一窒化物半導体層と、
前記基板面内に複数形成されたPIN構造の発光部であって、前記第一窒化物半導体層上の前記厚い部分に形成された窒化物半導体活性層と、前記窒化物半導体活性層上に形成された第二導電型の第二窒化物半導体層と、を有する発光部と、
前記第一窒化物半導体層の前記薄い部分に形成され、複数の前記発光部が並ぶ方向に沿って配置された第一電極と、
前記複数の発光部の前記第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、
を有する半導体チップ、
(b)前記第一電極および前記複数の第二電極にそれぞれ対応する複数の電極が形成された面を有し、電流供給体に接続される部品、
(c)前記半導体チップの前記第一電極とこれに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第一接続体、
および
(d)前記半導体チップの前記複数の第二電極とこれらに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第二接続体
を有し、
前記第一接続体は、複数の前記発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置され、
前記第一電極の面積が、前記第一接続体に近い前記発光部側で前記第一接続体に遠い前記発光部側よりも小さく、
前記第一接続体に最も近い前記発光部の前記第一電極側端面と、前記第一電極に最も近い前記第二接続体と、の距離が、5μm以上100μm以下である窒化物半導体発光装置。 - (a)基板と、
前記基板上に形成され、厚い部分および薄い部分を有する第一導電型の第一窒化物半導体層と、
前記基板面内に複数形成されたPIN構造の発光部であって、前記第一窒化物半導体層上の前記厚い部分に形成された窒化物半導体活性層と、前記窒化物半導体活性層上に形成された第二導電型の第二窒化物半導体層と、を有する発光部と、
前記第一窒化物半導体層の前記薄い部分に形成され、複数の前記発光部が並ぶ方向に沿って配置された第一電極と、
前記複数の発光部の前記第二窒化物半導体層上にそれぞれ形成された複数の第二電極と、
を有する半導体チップ、
(b)前記第一電極および前記複数の第二電極にそれぞれ対応する複数の電極が形成された面を有し、電流供給体に接続される部品、
(c)前記半導体チップの前記第一電極とこれに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第一接続体、
および
(d)前記半導体チップの前記複数の第二電極とこれらに対応する前記部品の電極とを電気的に接続している第二接続体
を有し、
前記第一接続体は、複数の前記発光部のうちの一つとは近く他の一つとは遠い偏った位置に配置され、
前記第一接続体に最も近い前記発光部は、前記第二窒化物半導体層と前記第二電極との間に抵抗値を高める層を有し、
前記第一接続体に最も近い前記発光部の前記第一電極側端面と、前記第一電極に最も近い前記第二接続体と、の距離が、5μm以上100μm以下である窒化物半導体発光装置。 - 前記距離が5μm以上60μm以下である請求項1、4、5のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記距離が5μm以上40μm以下である請求項1、4、5のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記半導体チップは、隣り合う前記発光部間に配置されて前記第一電極と連続する枝電極を有する請求項1、4、5のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光装置。
- 複数の前記発光部は、前記第一電極および前記枝電極と干渉しない位置で結合された状態で一体に形成されている請求項8記載の窒化物半導体発光装置。
- 前記第一窒化物半導体層はn−AlGaN層であり、
前記窒化物半導体活性層は、AlGaNからなる量子井戸層とAlNからなる電子バリア層とからなる多重量子井戸構造を有する層であり、
前記第二窒化物半導体層はp−GaN層である請求項1、4、5のいずれか一項に記載の窒化物半導体発光装置。 - 請求項1、4、5の何れか一項に記載の窒化物半導体発光装置を備える発光モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762443035P | 2017-01-06 | 2017-01-06 | |
US62/443,035 | 2017-01-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018113427A true JP2018113427A (ja) | 2018-07-19 |
Family
ID=62912432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017159570A Pending JP2018113427A (ja) | 2017-01-06 | 2017-08-22 | 窒化物半導体発光装置、発光モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018113427A (ja) |
-
2017
- 2017-08-22 JP JP2017159570A patent/JP2018113427A/ja active Pending
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