JP2018113305A - 光電変換素子及び太陽電池 - Google Patents

光電変換素子及び太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP2018113305A
JP2018113305A JP2017001988A JP2017001988A JP2018113305A JP 2018113305 A JP2018113305 A JP 2018113305A JP 2017001988 A JP2017001988 A JP 2017001988A JP 2017001988 A JP2017001988 A JP 2017001988A JP 2018113305 A JP2018113305 A JP 2018113305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
hole transport
transport layer
conversion element
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017001988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6880748B2 (ja
Inventor
田中 裕二
Yuji Tanaka
裕二 田中
剛 松山
Takeshi Matsuyama
剛 松山
堀内 保
Tamotsu Horiuchi
保 堀内
陵宏 井出
Takahiro Ide
陵宏 井出
徳重 木野
Tokushige Kino
徳重 木野
重代 鈴木
Shigeyo Suzuki
重代 鈴木
直道 兼為
Naomichi Kanei
直道 兼為
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2017001988A priority Critical patent/JP6880748B2/ja
Priority to US15/860,157 priority patent/US10693092B2/en
Publication of JP2018113305A publication Critical patent/JP2018113305A/ja
Priority to US15/930,896 priority patent/US11081662B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6880748B2 publication Critical patent/JP6880748B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344Organic materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】高温環境下や微弱な室内光の環境下においても、電圧低下を抑制でき、高出力が得られる光電変換素子を提供する。【解決手段】ホール輸送層6は、下記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと、下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bと、を含む。(式中、R1、R2は、それぞれ独立にアルキル基若しくは芳香族炭化水素基を表し、同一若しくは異なる基を表すか、又は、R1、R2は互いに結合し、窒素原子を含む複素環基を表す。)(式中、X+は対カチオンを表す。)【選択図】図1

Description

本発明は、光電変換素子及び太陽電池に関する。
近年、電子回路における駆動電力が非常に少なくなり、微弱な電力でもセンサ等の様々な電子部品を駆動することができるようになった。さらに、センサの活用に際し、その場で発電し消費できる自立電源(環境発電素子)への応用が期待されており、その中でも太
陽電池は光があればどこでも発電できる素子として注目を集めている。
太陽電池の中でも、固体型色素増感型太陽電池は高温環境下においてホール輸送層が結晶化するなどにより著しく発電力が低下することが知られている。そこで、例えば、ホール輸送材料の分子骨格中にアルキル基を導入するなどにより、立体障害を大きくすることで結晶化を抑制することが提案されている(例えば、非特許文献1参照)。また、室内光のような微弱な光を電気に変換する際には、光電変換素子における内部抵抗による損失電流が顕著であることが報告されている(非特許文献2参照)。
以上、これまでに検討されてきた固体型色素増感太陽電池は、いずれも擬似太陽光における耐熱性性能であり、微弱な室内光における耐熱性性能は報告されていない。人が立ち入らないような高温環境に設置されるセンサにおける自立電源は今後、より望まれる。電子部品を駆動させるためには、発電素子がある一定以上の電圧を示す必要があり、発電力の低下(特に電圧の低下)は電子部品の駆動不良を引き起こす要因となりうる。
本発明は、高温環境下や微弱な室内光の環境下においても、電圧低下を抑制でき、高出力が得られる光電変換素子を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、基板と、第一の電極と、光増感化合物を含む電子輸送層と、ホール輸送層と、第二の電極と、を有する光電変換素子であって、前記ホール輸送層は、下記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと、下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bと、を含むことを特徴とする。
Figure 2018113305
(式中、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基若しくは芳香族炭化水素基を表し、同一若しくは異なる基を表すか、又は、R、Rは互いに結合し、窒素原子を含む複素環基を表す。)
Figure 2018113305
(式中、Xは対カチオンを表す。)
本発明によれば、高温環境下や微弱な室内光の環境下においても、電圧低下を抑制でき、高出力が得られる光電変換素子を提供することができる。
本発明に係る光電変換素子の構造の一例における概略断面図である。 実施例で使用した二次電池充電回路を説明するための図である。
以下、本発明に係る光電変換素子及び太陽電池について図面を参照しながら説明する。なお、本発明は以下に示す実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、修正、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
本発明は、基板と、第一の電極と、光増感化合物を含む電子輸送層と、ホール輸送層と、第二の電極と、を有する光電変換素子であって、前記ホール輸送層は、下記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと、下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bと、を含むことを特徴とする。
Figure 2018113305
(式中、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基若しくは芳香族炭化水素基を表し、同一若しくは異なる基を表すか、又は、R、Rは互いに結合し、窒素原子を含む複素環基を表す。)
Figure 2018113305
(式中、Xは対カチオンを表す。)
本発明によれば、特定の塩基性化合物Aとイオン性化合物Bを用いることで、高温環境下においても、電圧低下を抑制でき、高出力を得ることができる。なお、前記高温環境とは例えば温度が40℃以上を意味する。
また、本発明によれば、室内光等の微弱な照射光においても、電圧低下を抑制でき、高出力を得ることができる。
本発明の光電変換素子及び太陽電池の構成について図1に基づいて説明する。なお、図1は本実施形態に係る光電変換素子の断面図の一例である。
図1に示す態様においては、基板1上に第一の電極2が形成され、第一の電極2上にホールブロッキング層3が形成され、ホールブロッキング層3上に光増感化合物5を含む電子輸送層4が形成され、第一の電極2と対向する第二の電極7との間にホール輸送層6が挟み込まれた構成の例が図示されている。また、図1では、第一の電極2と第二の電極7が導通するようにリードライン8、9が設けられている。以下、詳細を説明する。
<基板>
本実施形態に用いられる基板1としては、特に制限されるものではなく、公知のものを用いることができる。基板1は透明な材質のものが好ましく、例えばガラス、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体等が挙げられる。
<第一の電極>
本実施形態に用いられる第一の電極2としては、可視光に対して透明な導電性物質であれば特に限定されるものではなく、通常の光電変換素子、あるいは液晶パネル等に用いられる公知のものを使用できる。
第一の電極2の材料としては、例えば、インジウム・スズ酸化物(以下、ITOと称す)、フッ素ドープ酸化スズ(以下、FTOと称す)、アンチモンドープ酸化スズ(以下、ATOと称す)、インジウム・亜鉛酸化物、ニオブ・チタン酸化物、グラフェン等が挙げられ、これらが単独あるいは複数積層されていてもよい。
第一の電極の厚さは5nm〜10μmが好ましく、50nm〜1μmがさらに好ましい。
また、第一の電極2は一定の硬性を維持するため、可視光に透明な材質からなる基板1上に設けることが好ましく、基板としては、例えば、ガラス、透明プラスチック板、透明プラスチック膜、無機物透明結晶体などが用いられる。
電極と基板とが一体となっている公知のものを用いることもでき、例えば、FTOコートガラス、ITOコートガラス、酸化亜鉛:アルミニウムコートガラス、FTOコート透明プラスチック膜、ITOコート透明プラスチック膜等が挙げられる。
また、酸化スズや酸化インジウムに原子価の異なる陽イオン若しくは陰イオンをドープした透明電極、メッシュ状、ストライプ状等、光が透過できる構造にした金属電極をガラス基板等の基板上に設けたものでもよい。
これらは単独あるいは2種以上の混合、または積層したものでも構わない。
また、抵抗を下げる目的で、金属リード線等を併用してもよい。前記金属リード線の材質は、アルミニウム、銅、銀、金、白金、ニッケル等の金属が挙げられる。金属リード線は、基板に蒸着、スパッタリング、圧着等で設置し、その上にITOやFTOを設ける方法により形成できる。
<ホールブロッキング層>
本実施形態で用いられるホールブロッキング層3としては、可視光に対して透明であることが好ましく、例えば電子輸送性材料が用いられ、電子輸送性材料としては特に限定されるものではないが、特に酸化チタンが好ましい。また、ホールブロッキング層3を設けることで、電解質が電極と接して、電解質中のホールと電極表面の電子が再結合(いわゆる逆電子移動)することによる電圧低下を抑制することができる。このホールブロッキング層3の効果は、固体型色素増感型太陽電池において特に顕著である。これは、電解液を用いた湿式色素増感太陽電池と比較し、有機ホール輸送材料等を用いた固体型色素増感型太陽電池はホール輸送材料中のホールと電極表面の電子の再結合(逆電子移動)速度が速いことに起因している。
ホールブロッキング層3の製膜方法は特に限定されるものではないが、室内光における損失電流を抑制するためには、高い内部抵抗が必要であり、製膜方法も重要である。一般的には、湿式製膜となるゾルゲル法が挙げられるが、膜密度が低く十分に損失電流を抑制できない。そのため、より好ましくは、スパッタリング法などの乾式製膜であり、膜密度が十分に高く損失電流を抑制できる。
ホールブロッキング層3は、第一の電極2とホール輸送層6との電子的コンタクトを防ぐ目的でも形成される。このホールブロッキング層の膜厚は特に制限されないが、5nm〜1μmが好ましく、湿式製膜では500〜700nmがより好ましく、乾式製膜では10nm〜30nmがより好ましい。
<電子輸送層>
本実施形態で用いられる電子輸送層4は光増感化合物5を含んでおり、その構成としては例えば電子輸送性材料に光増感化合物5が吸着されている。本実施形態の光電変換素子は、上記のホールブロッキング層3上に多孔質状の電子輸送層4を形成するものであり、単層であっても多層であってもよい。
多層の場合、粒径の異なる半導体微粒子の分散液を多層塗布することも、種類の異なる半導体や、樹脂、添加剤の組成が異なる塗布層を多層塗布することもできる。一度の塗布で膜厚が不足する場合には、多層塗布は有効な手段である。
一般的に、電子輸送層4の膜厚が増大するほど単位投影面積当たりの担持光増感材料量も増えるため光の捕獲率が高くなるが、注入された電子の拡散距離も増えるため電荷の再結合によるロスも大きくなってしまう。
したがって、電子輸送層4の膜厚は100nm〜100μmが好ましい。
電子輸送性材料として半導体を用いる場合、前記半導体としては特に限定されるものではなく、公知のものを使用することができる。具体的には、シリコン、ゲルマニウムのような単体半導体、あるいは金属のカルコゲニドに代表される化合物半導体、またはペロブスカイト構造を有する化合物等を挙げることができる。
金属のカルコゲニドとしてはチタン、スズ、亜鉛、鉄、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、ストロンチウム、インジウム、セリウム、イットリウム、ランタン、バナジウム、ニオブ、あるいはタンタルの酸化物、カドミウム、亜鉛、鉛、銀、アンチモン、ビスマスの硫化物、カドミウム、鉛のセレン化物、カドミウムのテルル化物等が挙げられる。
他の化合物半導体としては亜鉛、ガリウム、インジウム、カドミウム、等のリン化物、ガリウム砒素、銅−インジウム−セレン化物、銅−インジウム−硫化物等が好ましい。
また、ペロブスカイト構造を有する化合物としては、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム等が好ましい。
これらの中でも酸化物半導体が好ましく、特に酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ニオブが好ましく、単独、あるいは2種以上の混合で使用しても構わない。これらの半導体の結晶型は特に限定されるものではなく、単結晶でも多結晶でも、あるいは非晶質でも構わない。
電子輸送性材料として半導体微粒子を用いる場合、半導体微粒子のサイズに特に制限はないが、一次粒子の平均粒径は1〜100nmが好ましく、5〜50nmがより好ましい。
また、より大きい平均粒径の半導体微粒子を混合あるいは積層して入射光を散乱させる効果により、効率を向上させることも可能である。この場合の半導体の平均粒径は50〜500nmが好ましい。
電子輸送層4の作製方法には特に制限はなく、スパッタリング等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式製膜法が挙げられる。製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、半導体微粒子の粉末あるいはゾルを分散したペーストを調製し、電子集電電極基板としての第一の電極2上及びホールブロッキング層3上に塗布する方法が好ましい。
湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。
半導体微粒子の分散液を機械的粉砕、あるいはミルを使用して作製する場合、少なくとも半導体微粒子単独、あるいは半導体微粒子と樹脂の混合物を水あるいは有機溶剤に分散して形成される。使用される樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル等によるビニル化合物の重合体や共重合体、シリコン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル樹脂、セルロースエーテル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
半導体微粒子を分散する溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、α−テルピネオール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n−ブチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、あるいはN−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1−クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−オクタン、1,5−ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒を挙げることができる。これらは単独、あるいは2種以上の混合溶媒として用いることができる。
半導体微粒子の分散液、あるいはゾル−ゲル法等によって得られた半導体微粒子のペーストは、粒子の再凝集を防ぐため、塩酸、硝酸、酢酸等の酸、ポリオキシエチレン(10)オクチルフェニルエーテル等の界面活性剤、アセチルアセトン、2−アミノエタノール、エチレンジアミン等のキレート化剤等を添加することができる。
また、製膜性を向上させる目的で増粘剤を添加することも有効な手段である。
増粘剤としては、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の高分子、エチルセルロース等の増粘剤等が挙げられる。
半導体微粒子は、塗布した後に粒子同士を電子的にコンタクトさせ、膜強度の向上や基板との密着性を向上させるために焼成、マイクロ波照射、電子線照射、あるいはレーザー光照射を行うことが好ましい。これらの処理は単独で行ってもあるいは2種類以上組み合わせて行ってもよい。
焼成する場合、焼成温度の範囲に特に制限はないが、温度を上げ過ぎると基板の抵抗が高くなったり、溶融したりすることもあるため、30〜700℃が好ましく、100〜600℃がより好ましい。また、焼成時間にも特に制限はないが、10分〜10時間が好ましい。
前記マイクロ波照射は、電子輸送層形成側から照射しても、裏側から照射しても構わない。照射時間には特に制限がないが、1時間以内で行うことが好ましい。
焼成後、半導体微粒子の表面積の増大や、光増感材料から半導体微粒子への電子注入効率を高める目的で、例えば四塩化チタンの水溶液や有機溶剤との混合溶液を用いた化学メッキや三塩化チタン水溶液を用いた電気化学的メッキ処理を行ってもよい。
直径が数十nmの半導体微粒子を焼結等によって積層した膜は、多孔質状態を形成する。このナノ多孔構造は、非常に高い表面積を持ち、その表面積はラフネスファクターを用いて表すことができる。このラフネスファクターは、基板に塗布した半導体微粒子の面積に対する多孔質内部の実面積を表す数値である。したがって、ラフネスファクターは大きいほど好ましいが、電子輸送層の膜厚との関係もあり、本実施形態においては20以上が好ましい。
<<光増感化合物>>
本実施形態では変換効率のさらなる向上のため、電子輸送層4は光増感化合物5(光増感材料などとも称される)を含んでおり、その構成としては例えば電子輸送層4に含まれる電子輸送性半導体の表面に光増感化合物5を吸着させる。
光増感材料は、使用される励起光により光励起される化合物であれば上記に限定されないが、具体的には以下の化合物も挙げられる。
特表平7−500630号公報、特開平10−233238号公報、特開2000−26487号公報、特開2000−323191号公報、特開2001−59062号公報等に記載の金属錯体化合物、特開平10−93118号公報、特開2002−164089号公報、特開2004−95450号公報、J.Phys.Chem.C,7224,Vol.111(2007)等に記載のクマリン化合物、同特開2004−95450号公報、Chem.Commun.,4887(2007)等に記載のポリエン化合物、特開2003−264010号公報、特開2004−63274号公報、特開2004−115636号公報、特開2004−200068号、特開2004−235052号公報、J.Am.Chem.Soc.,12218,Vol.126(2004)、Chem.Commun.,3036(2003)、Angew.Chem.Int.Ed.,1923,Vol.47(2008)等に記載のインドリン化合物、J.Am.Chem.Soc.,16701,Vol.128(2006)、J.Am.Chem.Soc.,14256,Vol.128(2006)等に記載のチオフェン化合物、特開平11−86916号公報、特開平11−214730号公報、特開2000−106224号公報、特開2001−76773号公報、特開2003−7359号公報等に記載のシアニン色素、特開平11−214731号公報、特開平11−238905号公報、特開2001−52766号公報、特開2001−76775号公報、特開2003−7360号等に記載メロシアニン色素、特開平10−92477号公報、特開平11−273754号公報、特開平11−273755号公報、特開2003−31273号等に記載の9−アリールキサンテン化合物、特開平10−93118号公報、特開2003−31273号等に記載のトリアリールメタン化合物、特開平9−199744号公報、特開平10−233238号公報、特開平11−204821号公報、特開平11−265738号、J.Phys.Chem.,2342,Vol.91(1987)、J.Phys.Chem.B,6272,Vol.97(1993)、Electroanal.Chem.,31,Vol.537(2002)、特開2006−032260号公報、J.Porphyrins Phthalocyanines,230,Vol.3(1999)、Angew.Chem.Int.Ed.,373,Vol.46(2007)、Langmuir,5436,Vol.24(2008)等に記載のフタロシアニン化合物、ポルフィリン化合物等を挙げることができる。
特にこの中で、金属錯体化合物、クマリン化合物、ポリエン化合物、インドリン化合物、チオフェン化合物を用いることが好ましい。さらに好ましくは、三菱製紙社製の下記構造式(1)で表されるD131、下記構造式(2)で表されるD102、構造式(3)で表されるD358が挙げられる。
Figure 2018113305
電子輸送層4に光増感材料を吸着させる方法としては、例えば光増感材料溶液中あるいは分散液中に、半導体微粒子を含有する電子輸送層4を有する電子集電電極を浸漬する方法、溶液あるいは分散液を電子輸送層に塗布して吸着させる方法を用いることができる。
前者の場合、浸漬法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等を用いることができる。
後者の場合は、ワイヤーバー法、スライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法、スピン法、スプレー法等を用いることができる。
また、二酸化炭素などを用いた超臨界流体中で吸着させても構わない。
光増感材料を吸着させる際、縮合剤を併用してもよい。
前記縮合剤は、無機物表面に物理的あるいは化学的に光増感材料と電子輸送化合物を結合すると思われる触媒的作用をするもの、または化学量論的に作用し、化学平衡を有利に移動させるもののいずれであってもよい。
さらに、縮合助剤としてチオールやヒドロキシ化合物を添加してもよい。
光増感材料を溶解、あるいは分散する溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、あるいはイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n−ブチル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、あるいはN−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1−クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−オクタン、1,5−ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒等を挙げることができ、これらは単独、あるいは2種以上の混合として用いることができる。
また、光増感材料は、その種類によっては化合物間の凝集を抑制した方がより効果的に働くものが存在するため、凝集解離剤を併用しても構わない。
前記凝集解離剤としてはコール酸、ケノデオキシコール酸などのステロイド化合物、長鎖アルキルカルボン酸又は長鎖アルキルホスホン酸が好ましく、用いる色素に対して適宜選ばれる。
これら凝集解離剤の添加量は、色素1質量部に対して0.01〜500質量部が好ましく、0.1〜100質量部がより好ましい。
これらを用い、光増感材料、あるいは光増感材料と凝集解離剤を吸着する際の温度としては、−50℃以上、200℃以下が好ましい。また、この吸着は静置しても攪拌しながら行っても構わない。
前記攪拌する場合の方法としては、スターラー、ボールミル、ペイントコンディショナー、サンドミル、アトライター、ディスパーザー、あるいは超音波分散等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
吸着に要する時間は、5秒以上、1000時間以下が好ましく、10秒以上、500時間以下がより好ましく、1分以上、150時間がさらに好ましい。また、吸着は暗所で行うことが好ましい。
<ホール輸送層>
ホール輸送層6の材料としては、例えば、酸化還元対を有機溶媒に溶解した電解液、酸化還元対を有機溶媒に溶解した液体をポリマーマトリックスに含浸したゲル電解質、酸化還元対を含有する溶融塩、固体電解質、無機ホール輸送材料、有機ホール輸送材料などが挙げられる。これらの中でも、有機ホール輸送材料が好ましい。
なお、以下、有機ホール輸送材料を例として説明する箇所があるが、これに限られるものではない。
前記ホール輸送層6は、単一材料からなる単層構造でもよく、複数の化合物からなる積層構造でもよい。前記ホール輸送層が積層構造の場合、前記第二の電極7に近い前記ホール輸送層に高分子材料を用いることが好ましい。製膜性に優れる高分子材料を用いることで多孔質状の電子輸送層4の表面をより平滑化することができ、光電変換特性を向上することができる。
また、前記高分子材料は、多孔質状の前記電子輸送層内部へ浸透しにくいことから、多孔質状の前記電子輸送層表面の被覆に優れ、電極を設ける際の短絡防止にも効果を発揮するため、より高い性能を得ることが可能となる。
前記ホール輸送層6を単層構造としたときに用いられる有機ホール輸送材料としては、公知の有機ホール輸送性化合物が用いられる。
その具体例としては、特公昭34−5466号公報等に示されているオキサジアゾール化合物、特公昭45−555号公報等に示されているトリフェニルメタン化合物、特公昭52−4188号公報等に示されているピラゾリン化合物、特公昭55−42380号公
報等に示されているヒドラゾン化合物、特開昭56−123544号公報等に示されているオキサジアゾール化合物、特開昭54−58445号公報に示されているテトラアリールベンジジン化合物、特開昭58−65440号公報あるいは特開昭60−98437号公報に示されているスチルベン化合物等を挙げることができる。
有機ホール輸送材料としては、下記一般式(3)で表される有機ホール輸送材料が好ましい。下記一般式(3)で表される有機ホール輸送材料は、ホール輸送層6全体に対し、30〜99質量%含まれるのが好ましく、65〜80質量%含まれるのがさらに好ましい。
Figure 2018113305
(式中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。)
中でも、Rが水素原子である、Adv.Mater.,813,vol.17,(2005)に記載のホール輸送材料(2,2’,7,7’−tetrakis(N,N−di−p−methoxyphenylamino)−9,9’−spirobifluorene:spiro−OMeTAD)が好ましく、Rがメチル基である非特許文献1に記載のホール輸送材料(HTM1)がより好ましい。
前記spiro−OMeTADは、高いホール移動度を有している他に、2つのベンジジン骨格分子が捻れて結合している。このため、球状に近い電子雲を形成しており、分子間におけるホッピング伝導性が良好であることにより優れた光電変換特性を示す。また可溶性も高く各種有機溶媒に溶解し、アモルファス(結晶構造をもたない無定形物質)であるため、多孔質状の前記電子輸送層に密に充填されやすく、固体型色素増感型太陽電池にとって有用な特性を有している。さらに、450nm以上の光吸収特性を有さないために、前記光増感化合物に効率的に光吸収をさせることができ、固体型色素増感型太陽電池にとって有用な特性を有している。
また、前記HTM1は、分子骨格中にアルキル基を導入することにより、立体障害を大きくすることで高温環境下での結晶化を抑制できるなど有用な特性を有している。
無機ホール輸送材料としては、金属錯体塩が好ましい。この金属錯体塩は金属カチオン、配位子、アニオンから構成されるものであり、以下に例示するものの組み合わせ全てを含んでいる。本実施形態における金属錯体塩の金属カチオンの具体例としては、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、白金等のカチオンを挙げることができ、この中でも特にコバルト、鉄、ニッケル、銅のカチオンがより好ましい。
金属錯体塩を形成するための配位子の具体例としては、以下の(A−01)〜(A−28)等に示すものを挙げることができるが、これに限られるものではない。これらは単一種類のみを用いても、複数種類を用いてもよい。
Figure 2018113305
Figure 2018113305
金属錯体塩におけるアニオンの具体例としては、水素化物イオン(H)、フッ化物イオン(F)、塩化物イオン(Cl)、臭化物イオン(Br)、ヨウ化物イオン(I)、水酸化物イオン(OH)、シアン化物イオン(CN)、硝酸イオン(NO )、亜硝酸イオン(NO )、次亜塩素酸イオン(ClO)、亜塩素酸イオン(ClO )、塩素酸イオン(ClO )、過塩素酸イオン(ClO )、過マンガン酸イオン(MnO )、酢酸イオン(CHCOO)、炭酸水素イオン(HCO )、リン酸二水素イオン(HPO )、硫酸水素イオン(HSO )、硫化水素イオン(HS)、チオシアン酸イオン(SCN)、テトラフロオロホウ素酸イオン(BF )、ヘキサフルオロリン酸イオン(PF )、テトラシアノホウ素酸イオン(B(CN) )、ジシアノアミンイオン(N(CN) )、p−トルエンスルホン酸イオン(TsO)、トリフルオロメチルスルホン酸イオン(CFSO )、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンイオン(N(SOCF )テトラヒドロキソアルミン酸イオン([Al(OH)、あるいは[Al(OH)(HO))、ジシアノ銀(I)酸イオン([Ag(CN))、テトラヒドロキソクロム(III)酸イオン([Cr(OH)]−)、テトラクロロ金(III)酸イオン([AuCl)、酸化物イオン(O )、硫化物イオン(S )、過酸化物イオン(O 2−)、硫酸イオン(SO 2−)、亜硫酸イオン(SO 2−)、チオ硫酸イオン(S 2−)、炭酸イオン(CO 2−)、クロム酸イオン(CrO 2−)、二クロム酸イオン(Cr 2−)、リン酸一水素イオン(HPO 2−)、テトラヒドロキソ亜鉛(II)酸イオン([Zn(OH)2−)、テトラシアノ亜鉛(II)酸イオン([Zn(CN)2−)、テトラクロロ銅(II)酸イオン([CuCl2−)、リン酸イオン(PO 3−)、ヘキサシアノ鉄(III)酸イオン([Fe(CN)3−)、ビス(チオスルファト)銀(I)酸イオン([Ag(S3−)、ヘキサシアノ鉄(II)酸イオン([Fe(CN)4−)を挙げることができる。
この中でも、テトラフロオロホウ素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、テトラシアノホウ素酸イオン、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミンイオン、過塩素酸イオンが好ましい。
これらの金属錯体塩は単独で用いても、複数の金属錯体塩の混合であっても構わない。特に、トリス(2,2’−ビピルジン)コバルト(II)ジビストリフルオロメタンスルホニルイミド(DN-C13、Dyenamo社)とトリス(2,2’−ビピルジン)コバルト(III)トリビスフルオロメタンスルホニルイミド(DN-C14、Dyenamo社)からなるコバルト錯体塩や、ビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(I)ビストリフルオロスルホニルイミド(DN-Cu01、Dyenamo社)とビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(II)ビストリフルオロメタンスルホニルイミドクロリド(DN-Cu02、Dyenamo社)からなる銅錯体塩がより好ましい。ホール輸送層6全体に対し、30〜80質量%含まれるのが好ましく、50〜70質量%含まれるのがさらに好ましい。
ホール輸送層6の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、多孔質状の電子輸送層4の細孔に入り込んだ構造を有することが好ましく、前記電子輸送層4上に0.01μm以上が好ましく、0.1μm以上10μm以下がより好ましい。
前記ホール輸送層6を積層構造としたときに用いられ、第二の電極7に近い有機ホール輸送層に用いられる高分子材料としては、公知のホール輸送性高分子材料が用いられる。
その具体例としては、ポリ(3−n−ヘキシルチオフェン)、ポリ(3−n−オクチルオキシチオフェン)、ポリ(9,9’−ジオクチル−フルオレン−コ−ビチオフェン)、ポリ(3,3’’’−ジドデシル−クォーターチオフェン)、ポリ(3,6−ジオクチルチエノ[3,2−b]チオフェン)、ポリ(2,5−ビス(3−デシルチオフェン−2−イル)チエノ[3,2−b]チオフェン)、ポリ(3,4−ジデシルチオフェン−コ−チエノ[3,2−b]チオフェン)、ポリ(3,6−ジオクチルチエノ[3,2−b]チオフェン−コ−チエノ[3,2−b]チオフェン)、ポリ(3,6−ジオクチルチエノ[3,2−b]チオフェン−コ−チオフェン)、ポリ(3,6−ジオクチルチエノ[3,2−b]チオフェン−コ−ビチオフェン)等のポリチオフェン化合物、
ポリ[2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]、ポリ[2−メトキシ−5−(3,7−ジメチルオクチルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン]、ポリ[(2−メトキシ−5−(2−エチルフェキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)−コ−(4,4’−ビフェニレンービニレン)]等のポリフェニレンビニレン化合物、
ポリ(9,9’−ジドデシルフルオレニル−2,7−ジイル)、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレン)−alt−コ−(9,10−アントラセン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレン)−alt−コ−(4,4’−ビフェニレン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレン)−alt−コ−(2−メトキシ−5−(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン)]、ポリ[(9,9−ジオクチル−2,7−ジイル)−コ−(1,4−(2,5−ジヘキシルオキシ)ベンゼン)]等のポリフルオレン化合物、
ポリ[2,5−ジオクチルオキシ−1,4−フェニレン]、ポリ[2,5−ジ(2−エチルヘキシルオキシ−1,4−フェニレン]等のポリフェニレン化合物、
ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−alt−コ−(N,N’−ジフェニル)−N,N’−ジ(p−ヘキシルフェニル)−1,4−ジアミノベンゼン]、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−alt−コ−(N,N’−ビス(4−オクチルオキシフェニル)ベンジジン−N,N’−(1,4−ジフェニレン)]、ポリ[(N,N’−ビス(4−オクチルオキシフェニル)ベンジジン−N,N’−(1,4−ジフェニレン)]、ポリ[(N,N’−ビス(4−(2−エチルヘキシルオキシ)フェニル)ベンジジン−N,N’−(1,4−ジフェニレン)]、ポリ[フェニルイミノ−1,4−フェニレンビニレン−2,5−ジオクチルオキシ−1,4−フェニレンビニレン−1,4−フェニレン]、ポリ[p−トリルイミノ−1,4−フェニレンビニレン−2,5−ジ(2−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン−1,4−フェニレン]、ポリ[4−(2−エチルヘキシルオキシ)フェニルイミノ−1,4−ビフェニレン]等のポリアリールアミン化合物、
ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−alt−コ−(1,4−ベンゾ(2,1’,3)チアジアゾール]、ポリ(3,4−ジデシルチオフェン−コ−(1,4−ベンゾ(2,1’,3)チアジアゾール)等のポリチアジアゾール化合物を挙げることができる。
この中で、キャリア移動度やイオン化ポテンシャルを考慮するとポリチオフェン化合物とポリアリールアミン化合物が特に好ましい。
また、上記に示した有機ホール輸送材料に各種添加剤を加えても構わない。
添加剤としては、ヨウ素、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化セシウム、ヨウ化カルシウム、ヨウ化銅、ヨウ化鉄、ヨウ化銀等の金属ヨウ化物、
ヨウ化テトラアルキルアンモニウム、ヨウ化ピリジニウム等の4級アンモニウム塩、臭化リチウム、臭化ナトリウム、臭化カリウム、臭化セシウム、臭化カルシウム等の金属臭化物、
臭化テトラアルキルアンモニウム、臭化ピリジニウム等の4級アンモニウム化合物の臭素塩、
塩化銅、塩化銀等の金属塩化物、酢酸銅、酢酸銀、酢酸パラジウム等の酢酸金属塩、
硫酸銅、硫酸亜鉛等の金属硫酸塩、フェロシアン酸塩−フェリシアン酸塩、フェロセン−フェリシニウムイオン等の金属錯体、
ポリ硫化ナトリウム、アルキルチオール−アルキルジスルフィド等のイオウ化合物、
ビオロゲン色素、ヒドロキノン等、ヨウ化1,2−ジメチル−3−n−プロピルイミダゾイニウム塩、ヨウ化1−メチル−3−n−ヘキシルイミダゾリニウム塩、1,2−ジメチル−3−エチルイミダゾリウムトリフロオロメタンスルホン酸塩、1−メチル−3−ブチルイミダゾリウムノナフルオロブチルスルホン酸塩、1−メチル−3−エチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメチル)スルホニルイミド等のInorg.Chem.35(1996)1168に記載のイオン液体、ピリジン、4−t−ブチルピリジン、ベンズイミダゾール等の塩基性化合物、
リチウムトリフルオロメタンスルホニルイミド、リチウムジイソプロピルイミド等のリチウム化合物を挙げることができる。
前記塩基性化合物は主に電子輸送層4近傍の界面に存在すると考えられ、電子輸送層4からの逆電子移動(電子輸送層4からホール輸送層6への電子移動)を抑制していると考えられる。また、前記イオン性化合物のカチオンは主に電子輸送層4近傍の界面に存在すると考えられ、アニオンはホール輸送層中にドープされていると考えられる。高温環境下においては、ホール輸送層6自体の結晶化の制御とともに、ホール輸送層6と電子輸送層4(及び光増感化合物5)の接触界面の制御も重要である。接触界面での短絡や抵抗の増加、結晶化によるホール伝導経路の欠陥などにより、電圧の低下が引き起こさせると考えられる。
本実施形態においては、前記ホール輸送層6に、添加剤として下記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bを添加する。これにより、光電変換素子における内部抵抗が高くなるため、室内光等の微弱光における損失電流を低減することができ、より高い開放電圧を得られるとともに、高温環境下においては前記ホール輸送層6の結晶化が抑制され、前記電子輸送層4とホール輸送層6の接触界面も良好に保たれるため電圧の低下が抑えられる点で有利である。
Figure 2018113305
(式中、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基若しくは芳香族炭化水素基を表し、同一若しくは異なる基を表すか、又は、R、Rは互いに結合し、窒素原子を含む複素環基を表す。)
前記一般式(1)で表される塩基性化合物Aとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、下記構造式(1−1)から(1−9)で表される化合物などが挙げられる。
Figure 2018113305
なお、上記構造式の横に番号がある場合、該番号は独立行政法人科学技術振興機構が公開している化学物質データベース「日本化学物質辞書」中の化合物番号を意味する。
従来から、前記構造式(1−1)で表される化合物自体は知られている。また、前記一般式(1)で表される化合物のうち、その一部の化合物は、ヨウ素電解液を用いた液体型色素増感型太陽電池において、塩基性化合物として用いることが知られている。
しかし、ヨウ素電解液を用いた従来の液体型色素増感型太陽電池において前記塩基性化合物を用いると、開放電圧は高いが、短絡電流密度が大幅に減少し、光電変換特性が著しく悪化することが知られている。
ホール輸送層6の材料として前記有機ホール輸送材料を用いた固体型色素増感型太陽電池において前記一般式(1)で表される塩基性化合物Aを用いると、短絡電流密度の低下量が少なく、高い開放電圧が得られることで、優れた光電変換特性を得ることができる。さらに、報告例が少ない室内光等の微弱光における光電変換において、特に際立って優位性が現れる。
ホール輸送層6における前記一般式(1)で表される塩基性化合物Aの含有量としては、前記有機ホール輸送材料100質量部に対して、1質量部以上20質量部以下であることが好ましく、5質量部以上15質量部以下であることがより好ましい。
また、本実施形態におけるホール輸送層6は下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bを含んでいる。
Figure 2018113305
(式中、Xは対カチオンを表す。)
前記一般式(2)で表されるイオン性化合物BのXとしては、イミダゾリウムやピロリジニウムなどの窒素を含む複素環化合物やLi、Na、Kなどのアルカリ金属等が好ましく、Liがより好ましい。
前記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bとしては、リチウム(フルオロスルホニル)(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Li−FTFSIなどとも表記される)が好ましい。一方、リチウム(フルオロスルホニル)(トリフルオロメタンスルホニル)イミドは化合物としては知られている(J. Phys. Chem. C 2013, 117, 24206-24212参照)が、太陽電池への応用例は報告されていない。
しかし、前記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bを用いたとしても、前記一般式(1)で表される塩基性化合物Aを併用しない場合、高温環境下において電子輸送層4とホール輸送層6の接触界面の制御が不十分であり、短絡や抵抗の増加を十分に抑制することができない。
これに対し、前記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと前記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bをともに用いることにより、高温環境下において、ホール輸送層6の結晶化が抑制され、電子輸送層4とホール輸送層6の接触界面も良好に保たれ、電圧の低下が抑えられる。
前記ホール輸送層6における前記塩基性化合物Aと前記イオン性化合物Bのモル比は、適宜変更することが可能であるが、A:B=20:1〜10:10であることが好ましく、A:B=10:1〜10:4であることがさらに好ましい。
また、導電性を向上させる目的で、有機ホール輸送材料の一部をラジカルカチオンにするための酸化剤を添加しても構わない。
その酸化剤としては、ヘキサクロロアンチモン酸トリス(4−ブロモフェニル)アミニウム、ヘキサフルオロアンチモネート銀、ニトロソニウムテトラフルオボラート、硝酸銀、コバルト錯体系化合物等が挙げられる。
この酸化剤の添加によって全ての有機ホール輸送材料が酸化される必要はなく、一部のみが酸化されていればよい。また添加した酸化剤は添加した後、系外に取り出しても、取り出さなくてもよい。
有機ホール輸送層は光増感材料を担持した電子輸送層4の上に、直接ホール輸送層を形成してもよい。有機ホール輸送層の作製方法には特に制限はなく、真空蒸着等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式製膜法が挙げられる。製造コスト等を考慮した場合、特に湿式製膜法が好ましく、電子輸送層4上に塗布する方法が好ましい。
この湿式製膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。また、超臨界流体あるいは臨界点より低い温度・圧力の亜臨界流体中で製膜してもよい。
前記超臨界流体は、気体と液体が共存できる限界(臨界点)を超えた温度・圧力領域において非凝集性高密度流体として存在し、圧縮しても凝集せず、臨界温度以上、かつ臨界圧力以上の状態にある流体である限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、臨界温度が低いものが好ましい。
超臨界流体としては、例えば、一酸化炭素、二酸化炭素、アンモニア、窒素、水、メタノール、エタノール、n−ブタノールなどのエルコール系溶媒、エタン、プロパン、2,3−ジメチルブタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロトリフロロメタンなどのハロゲン系溶媒、ジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒が好適である。これらの中でも、二酸化炭素は、臨界圧力7.3MPa、臨界温度31℃であることから、容易に超臨界状態をつくり出せるとともに、不燃性で取扱いが容易であり、特に好ましい。
また、これらの流体は、単独であっても2種以上の混合であっても構わない。
前記亜臨界流体としては、臨界点近傍の温度及び圧力領域において、高圧液体として存在する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
上述した超臨界流体として挙げられる化合物は、亜臨界流体としても好適に使用することができる。
超臨界流体の臨界温度及び臨界圧力は特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、臨界温度としては、−273℃以上300℃以下が好ましく、0℃以上200℃以下が特に好ましい。
さらに、上述の超臨界流体及び亜臨界流体に加え、有機溶媒やエントレーナーを併用することもできる。有機溶媒及びエントレーナーの添加により、超臨界流体中での溶解度の調整をより容易に行うことができる。
このような有機溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン、あるいはメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、
ギ酸エチル、酢酸エチル、あるいは酢酸n−ブチル等のエステル系溶媒、
ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキソラン、あるいはジオキサン等のエーテル系溶媒、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、あるいはN−メチル−2−ピロリドン等のアミド系溶媒、
ジクロロメタン、クロロホルム、ブロモホルム、ヨウ化メチル、ジクロロエタン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、フルオロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、あるいは1−クロロナフタレン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−オクタン、1,5−ヘキサジエン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘキサジエン、ベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、あるいはクメン等の炭化水素系溶媒などが挙げられる。
本実施形態では、光増感材料を被覆した電子輸送材料を設けた第一の電極2上に有機ホール輸送材料を設けた後、プレス処理工程を施しても構わない。このプレス処理を施すことによって、有機ホール輸送材料がより多孔質電極と密着するため効率が改善すると考えられる。
プレス処理方法に特に制限はないが、IR錠剤整形器に代表されるような平板を用いたプレス成型法、ローラーなどを用いたロールプレス法を挙げることができる。圧力としては10kgf/cm以上が好ましく、30kgf/cm以上がより好ましい。プレス処理する時間に特に制限はないが、1時間以内で行うことが好ましい。また、プレス処理時に熱を加えても構わない。
また、上述のプレス処理の際、プレス機と電極間に離型材を挟んでも構わない。
前記離型材としては、ポリ四フッ化エチレン、ポリクロロ三フッ化エチレン、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン共重合体、ペルフルオロアルコキシフッ化樹脂、ポリフッ化ビニリデン、エチレン四フッ化エチレン共重合体、エチレンクロロ三フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニルなどのフッ素樹脂を挙げることができる。
上記プレス処理工程を行った後、対極を設ける前に、有機ホール輸送材料と第二の電極に間に金属酸化物を設けてもよい。設けてもよい金属酸化物としては、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化ニッケルを挙げることができ、特に酸化モリブデンが好ましい。
これら金属酸化物をホール輸送材料上に設ける方法としては特に制限はなく、スパッタリングや真空蒸着等の真空中で薄膜を形成する方法や湿式成膜法が挙げることができる。
湿式製膜法においては、金属酸化物の粉末あるいはゾルを分散したペーストを調製し、ホール輸送層6上に塗布する方法が好ましい。
湿式成膜法を用いた場合、塗布方法は特に制限はなく、公知の方法にしたがって行うことができる。例えば、ディップ法、スプレー法、ワイヤーバー法、スピンコート法、ローラーコート法、ブレードコート法、グラビアコート法、また、湿式印刷方法として、凸版、オフセット、グラビア、凹版、ゴム版、スクリーン印刷等様々な方法を用いることができる。
膜厚としては0.1〜50nmが好ましく、1〜10nmがより好ましい。
<第二の電極>
第二の電極8は、ホール輸送層6形成後あるいは上述の金属酸化物上に新たに付与する。
また、第二の電極8は、通常前述の第一の電極と同様のものを用いることができ、強度や密封性が充分に保たれるような構成であれば支持体は必ずしも必要ではない。
第二の電極8材料の具体例としては、白金、金、銀、銅、アルミニウム等の金属、グラファイト、フラーレン、カーボンナノチューブ、グラフェン等の炭素系化合物、ITO、FTO、ATO等の導電性金属酸化物、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子が挙げられる。
第二の電極層8の膜厚には特に制限はなく、また単独あるいは2種以上の混合で用いても構わない。
第二の電極8の塗設については、用いられる材料の種類やホール輸送層6の種類により、適宜ホール輸送層6上に塗布、ラミネート、蒸着、CVD、貼り合わせ等の手法により形成可能である。
光電変換素子として動作するためには、第一の電極2と第二の電極8の少なくとも一方は実質的に透明であることが好ましい。本実施形態の光電変換素子においては、第一の電極2側が透明であり、太陽光を第一の電極2側から入射させる方法が好ましい。この場合、第二の電極8側には光を反射させる材料を使用することが好ましく、金属、導電性酸化物を蒸着したガラス、プラスチック、あるいは金属薄膜が好ましい。
また、太陽光の入射側に反射防止層を設けることも有効な手段である。
<用途>
本実施形態において光電変換素子は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子あるいは電気エネルギーを光エネルギーに変換する素子を表し、太陽電池やフォトダイオード等に用いることができる。中でも特に太陽電池が好ましい。
本実施形態の光電変換素子は、発生した電流を制御する回路基盤等と組み合わせることにより電源装置に応用できる。前記電源装置を利用している機器類として、例えば、電子卓上計算機や腕時計が挙げられる。その他、携帯電話、電子手帳、電子ペーパー等に本発明の光電変換素子を有する電源装置を適用することができる。また、充電式や乾電池式の電気器具の連続使用時間を長くするための補助電源として本発明の光電変換素子を有する電源装置を用いることもできる。さらには、センサ用の自立型電源として、二次電池と組み合わせた一次電池代替としても用いることができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
<酸化チタン半導体電極(電子輸送層)の作製>
金属チタンからなるターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタにより、第一の電極2としてのITO導電膜を基板1としてのガラス基板上に載せて一体としたITOコートガラス上に酸化チタンの緻密なホールブロッキング層3を形成した。
レーザー装置により、第一の電極2をレーザーエッチングし、10セル直列基板とした。
次に、酸化チタン(P90、日本アエロジル株式会社製)3g、アセチルアセトン0.2g、界面活性剤(ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、和光純薬工業株式会社製)0.3gを水5.5g、エタノール1.0gとともにビーズミル処理を12時間施し、酸化チタン分散液を得た。得られた酸化チタン分散液にポリエチレングリコール(#20,000、和光純薬工業株式会社製)1.2gを加えてペーストを作製した。
得られたペーストを、ホールブロッキング層3上に平均厚みが1.5μmになるように塗布し、室温で乾燥後、空気中、500℃で30分間焼成し、多孔質状の電子輸送層4を形成した。以上により、酸化チタン半導体電極を作製した。
<光電変換素子の作製>
前記酸化チタン半導体電極を、前記構造式(3)で表される三菱製紙株式会社製D358(0.5mM、アセトニトリル/t−ブタノール(体積比1:1)溶液)に浸漬した後、1時間暗所で静置して光増感化合物5を吸着させた。
次に、下記構造式(4)で表される有機ホール輸送材料(9,9'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N3,N3,N6,N6-tetrakis(4-methoxyphenyl)-9H-carbazole-3,6-diamine):X51、Dyenamo社)183.8mgのクロロベンゼン溶液1mLに、例示化合物No.1−3で表される塩基性化合物A(4-Pyrrolidinopyridine、東京化成工業株式会社製)22.38mg(150mM)を加え、イオン性化合物B(リチウム(フルオロスルホニル)(トリフルオロメタンスルホニル)イミド:Li−FTFSI、PROVISCO CS社)9.62mg(40mM)を加えてホール輸送層塗布液を調製した(モル比A:B=10:2.67)。
Figure 2018113305
次に、前記光増感化合物を担持した半導体電極上に、前記ホール輸送層塗布液をスピンコートしてホール輸送層6を製膜した。以上により、光電変換層を形成した。
次に、前記光電変換層上に6セル直列となるようにパターニングされたマスクを用い、銀を100nm真空蒸着して第二の電極8を形成して光電変換素子を作製した。
<光電変換素子の評価>
得られた光電変換素子を、図2からなる二次電池充電回路へ接続した。図2において、符号11は光電変換素子である。符号12は光電変換素子11から出力された電源から、外部回路で必要な安定化された電源を出力するデバイス:PMIC(Power Management Integrated Circuit)である。符号13はPMICから出力された電源にて動作する回路で、センサや通信回路で構成される。符号14は二次電池であり、PMICの安定化出力が規定の電圧を出力している間、環境電源によって二次電池が充電される。
PMICとしてリニアテクノロジー社製LTC3331を用い、PMICの出力電圧は3.0V、PMICのロックアウト電圧設定は立ち上がり時45V、立ち下がり時4Vと設定する。PMICが3.0V±3%の電圧を出力し光電変換素子が4.0V以上出力しているときに二次電池は充電される。
二次電池への充電の確認は、二次電池の電圧をデータロガー(midi LOGGER GL900、グラフテック株式会社製)で観測し、電圧の上昇を充電の確認とした。
回路接続後、高温環境下(100℃)及び白色LED照射下(2000Lux:0.48mW/cm)に500時間放置し、白色LED照射下(2000Lux:0.48mW/cm)における二次電池への充電性を評価した。
[評価基準]
◎:充電ができ、かつ、電圧が4.5V以上の場合
○:充電ができる場合
×:充電ができない場合
また、太陽電池の光電変換特性(開放電圧Voc)も評価した。結果を表1に示す。
なお、光電変換特性の測定には、白色LEDとして高演色性LEDデスクランプ(CDS−90α、株式会社コスモテクノ製デスクランプ;スタディーモード)、評価機器として太陽電池評価システム(As−510−PV03、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製)を用いた。加熱前の結果も併せて表1に示した。
(実施例2)
実施例1におけるホール輸送材料を下記構造式(5)で表される有機ホール輸送材料(2,2’,7,7’−tetrakis(N,N−di−p−methoxyphenylamino)−9,9’−spirobifluorene:SHT-263、Merck社)に変更した以外は実施例と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
Figure 2018113305
(実施例3)
実施例1におけるホール輸送材料を下記構造式(6)で表される有機ホール輸送材料(LT-S9170:HTM1、Luminescence Technology社)に変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
Figure 2018113305
(実施例4〜10)
実施例1における塩基性化合物Aとイオン性化合物Bのモル比を表1に示す通りに変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
(実施例11)
<光電変換素子の作製>
実施例1における上記酸化チタン半導体電極を、増感色素として前記構造式(3)で表される三菱製紙社製D358(0.5mM、アセトニトリル/t−ブタノール(体積比1:1)溶液)に浸漬し、1時間暗所にて静置し光増感化合物を吸着させた。
光増感化合物を担持した半導体電極上に、ビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(I)ビストリフルオロスルホニルイミド(DN-Cu01、Dyenamo社):152mg(200mM)と、ビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(II)ビストリフルオロメタンスルホニルイミドクロリド(DN-Cu02、Dyenamo社):39.8mg(50mM)と、例示化合物No.1−3で表される塩基性化合物A(4-Pyrrolidinopyridine、東京化成工業株式会社製):74.6mg(500mMを加え、イオン性化合物B(リチウム(フルオロスルホニル)(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、PROVISCO CS社):24.05mg(100mM)をクロロベンゼン:1mlに溶解させ、スピンコートにて製膜した。この上に銀を真空蒸着で約100nm形成して固体型色素増感太陽電池素子を作製した。
(比較例1)
実施例1における塩基性化合物Aを4−ターシャル−ブチルピリジン(TBP、東京化成工業株式会社製)に変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
(比較例2)
実施例1におけるイオン性化合物Bをリチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Li−TFSI、関東化学株式会社製)に変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
(比較例3)
実施例1におけるイオン性化合物Bをリチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(Li−FSI、キシダ化学株式会社製)に変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
(比較例4)
実施例1におけるイオン性化合物Bをリチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(Li−TFSI、関東化学株式会社製)とリチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(Li−FSI、キシダ化学株式会社製)の混合に変更した以外は実施例1と同様にして光電変換素子を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
Figure 2018113305
表1の結果から、実施例1〜11の光電変変換素子は高温環境下においても電圧の低下が抑制され、二次電池への充電性が保たれていることが分かる。そのため、PMICの設定を変更しなくとも使用可能である。これは、ホール輸送層の結晶化が抑制され、電子輸送層とホール輸送層の接触界面も良好に保たれているからであると考えられる。
これに対し、比較例1〜4は、使用した塩基性化合物A及び/又はイオン性化合物Bが本発明の範囲外であるので、所望の特性が得られなかった。
以上明らかなように、本発明の光電変換素子は高温環境下であっても電圧低下が抑制され、温度環境によらず二次電池への充電が可能であることが分かる。
1 基板
2 第一の電極
3 ホールブロッキング層
4 電子輸送層
5 光増感化合物
6 ホール輸送層
7 第二の電極
8、9 リードライン
11 光電変換素子
12 PMIC
13 センサ・通信回路
14 二次電池
ACS Appl. Mater. Interfaces, 2015, 7 (21), pp 11107-11116 IEEJ Journal, Vol.133 No.4, 2013

Claims (8)

  1. 基板と、第一の電極と、光増感化合物を含む電子輸送層と、ホール輸送層と、第二の電極と、を有する光電変換素子であって、
    前記ホール輸送層は、下記一般式(1)で表される塩基性化合物Aと、下記一般式(2)で表されるイオン性化合物Bと、を含むことを特徴とする光電変換素子。
    Figure 2018113305
    (式中、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基若しくは芳香族炭化水素基を表し、同一若しくは異なる基を表すか、又は、R、Rは互いに結合し、窒素原子を含む複素環基を表す。)
    Figure 2018113305
    (式中、Xは対カチオンを表す。)
  2. ホールブロッキング層を有することを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
  3. 前記イオン性化合物Bが、リチウム(フルオロスルホニル)(トリフルオロメタンスルホニル)イミドであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換素子。
  4. 前記一般式(1)のR、Rは、互いに結合し、窒素原子を含む複素環基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換素子。
  5. 前記塩基性化合物Aと前記イオン性化合物Bのモル比が、A:B=10:1〜10:4であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光電変換素子。
  6. 前記ホール輸送層が、下記一般式(3)で表される有機ホール輸送材料を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光電変換素子。
    Figure 2018113305
    (式中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。)
  7. 前記ホール輸送層が、コバルト、鉄、ニッケル又は銅の金属錯体塩からなる無機ホール輸送材料を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光電変換素子。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載の光電変換素子を備えることを特徴とする太陽電池。
JP2017001988A 2017-01-10 2017-01-10 光電変換素子及び太陽電池 Active JP6880748B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017001988A JP6880748B2 (ja) 2017-01-10 2017-01-10 光電変換素子及び太陽電池
US15/860,157 US10693092B2 (en) 2017-01-10 2018-01-02 Photoelectric conversion element and solar cell
US15/930,896 US11081662B2 (en) 2017-01-10 2020-05-13 Photoelectric conversion element and solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017001988A JP6880748B2 (ja) 2017-01-10 2017-01-10 光電変換素子及び太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018113305A true JP2018113305A (ja) 2018-07-19
JP6880748B2 JP6880748B2 (ja) 2021-06-02

Family

ID=62783494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017001988A Active JP6880748B2 (ja) 2017-01-10 2017-01-10 光電変換素子及び太陽電池

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10693092B2 (ja)
JP (1) JP6880748B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020158876A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element, solar cell module, power supply module, and electronic device
JP2020126964A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 株式会社豊田中央研究所 電解質、太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2021027078A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 株式会社リコー 光電変換素子、電子機器、及び電源モジュール
EP4092704A1 (en) 2021-05-20 2022-11-23 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element and method for producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, and electronic device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6880748B2 (ja) * 2017-01-10 2021-06-02 株式会社リコー 光電変換素子及び太陽電池
CN107222821B (zh) * 2017-06-09 2019-09-17 京东方科技集团股份有限公司 复合电极、使用其的声学传感器及制造方法
JP7037149B2 (ja) 2018-03-15 2022-03-16 株式会社リコー 有機材料および光電変換素子
JP2019165073A (ja) 2018-03-19 2019-09-26 株式会社リコー 太陽電池モジュール
WO2019181176A1 (en) 2018-03-19 2019-09-26 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion device, process cartridge, and image forming apparatus
EP3547339A1 (en) 2018-03-30 2019-10-02 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element, photoelectric conversion element module, electronic device, and power supply module
US11522495B2 (en) 2019-05-31 2022-12-06 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion module and photoelectric conversion module array
KR102618397B1 (ko) * 2019-11-28 2023-12-27 가부시키가이샤 리코 광전 변환 소자, 광전 변환 모듈, 전자 기기, 및 전원 모듈
JP7413833B2 (ja) 2020-02-27 2024-01-16 株式会社リコー 光電変換素子及び光電変換モジュール

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005200359A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Tosoh Corp イオン性化合物
CN101630593A (zh) * 2009-02-03 2010-01-20 中国科学院物理研究所 一种电解质溶液及其在染料敏化太阳能电池中的应用
JP2014509048A (ja) * 2011-02-01 2014-04-10 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 光起電力素子
WO2015125587A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社リコー 光電変換素子及び太陽電池
JP2016178102A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 株式会社リコー 光電変換素子及び二次電池

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090242027A1 (en) * 2006-07-05 2009-10-01 Teruhisa Inoue Dye-Sensitized Solar Cell
FR2982615A1 (fr) * 2011-11-10 2013-05-17 Commissariat Energie Atomique Colorant organique et ses utilisations dans les cellules photovoltaiques
WO2014132076A1 (en) * 2013-03-01 2014-09-04 Isis Innovation Limited Semiconducting layer production process
JP6405689B2 (ja) 2013-06-06 2018-10-17 株式会社リコー 光電変換素子及び太陽電池
KR20160083850A (ko) * 2013-09-04 2016-07-12 다이솔 엘티디 광전지 장치
JP6520020B2 (ja) 2013-11-26 2019-05-29 株式会社リコー 色素増感太陽電池
JP6337561B2 (ja) 2014-03-27 2018-06-06 株式会社リコー ペロブスカイト型太陽電池
CN110571334A (zh) 2014-04-16 2019-12-13 株式会社理光 光电转换元件
JP6007994B2 (ja) * 2015-01-23 2016-10-19 セントラル硝子株式会社 非水電解液二次電池用電解液及びそれを用いた非水電解液二次電池
US10686134B2 (en) 2016-01-28 2020-06-16 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element
US20170243698A1 (en) 2016-02-22 2017-08-24 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element
US10651390B2 (en) 2016-06-08 2020-05-12 Ricoh Company, Ltd. Tertiary amine compound, photoelectric conversion element, and solar cell
JP6880748B2 (ja) * 2017-01-10 2021-06-02 株式会社リコー 光電変換素子及び太陽電池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005200359A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Tosoh Corp イオン性化合物
CN101630593A (zh) * 2009-02-03 2010-01-20 中国科学院物理研究所 一种电解质溶液及其在染料敏化太阳能电池中的应用
JP2014509048A (ja) * 2011-02-01 2014-04-10 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 光起電力素子
WO2015125587A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社リコー 光電変換素子及び太陽電池
JP2016178102A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 株式会社リコー 光電変換素子及び二次電池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GIFFIN, GUINEVERE A. ET AL.: ""Conformations and Vibrational Assignments of the (Fluorosulfonyl)(trifluoromethanesulfonyl)imide An", THE JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, vol. 117, no. 46, JPN6021000168, 22 October 2013 (2013-10-22), pages 24206 - 24212, ISSN: 0004421879 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020158876A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element, solar cell module, power supply module, and electronic device
JP2020126964A (ja) * 2019-02-06 2020-08-20 株式会社豊田中央研究所 電解質、太陽電池及び太陽電池モジュール
JP7290953B2 (ja) 2019-02-06 2023-06-14 株式会社豊田中央研究所 電解質、太陽電池及び太陽電池モジュール
JP2021027078A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 株式会社リコー 光電変換素子、電子機器、及び電源モジュール
EP4092704A1 (en) 2021-05-20 2022-11-23 Ricoh Company, Ltd. Photoelectric conversion element and method for producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US10693092B2 (en) 2020-06-23
US11081662B2 (en) 2021-08-03
US20200280007A1 (en) 2020-09-03
US20180198083A1 (en) 2018-07-12
JP6880748B2 (ja) 2021-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6880748B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP6447754B2 (ja) 光電変換素子
JP6555344B2 (ja) 光電変換素子
JP6249093B2 (ja) 光電変換素子
JP2021005723A (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP6579480B2 (ja) 光電変換素子及び二次電池
JP6776665B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP2015128136A (ja) 色素増感太陽電池
JP2011065751A (ja) 光電変換素子
JP2018098223A (ja) 光電変換素子及び太陽電池モジュール
JP2013211149A (ja) 光電変換素子およびその製造方法
JP6641599B2 (ja) ホール輸送材料及び、光電変換素子並びに太陽電池
JP6740621B2 (ja) 光電変換素子
JP2017011066A (ja) 光電変換素子
JP6850435B2 (ja) 3級アミン化合物、光電変換素子、及び太陽電池
JP6657841B2 (ja) 光電変換素子及び太陽電池
JP7003387B2 (ja) 光電変換素子、太陽電池及び合成方法
JP7092970B2 (ja) 光電変換素子
JP6899083B2 (ja) 光電変換素子及び二次電池
JP2010212131A (ja) 光電変換素子
JP6677078B2 (ja) ホール輸送材料及び、光電変換素子並びに太陽電池
JP2022086058A (ja) 光電変換素子、光電変換モジュール、電子機器、及び電源モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191108

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210112

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210406

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210419

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6880748

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151