JP2018110196A - 回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 - Google Patents

回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 Download PDF

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Abstract

【課題】回路基板の、内蔵キャパシタの損傷による性能及び信頼性の低下を抑える。【解決手段】回路基板１は、誘電体層１１と、誘電体層１１の面１１ａ上に設けられた電極層１２ａと、誘電体層１１の面１１ｂ上に設けられた電極層１２ｂとを有するキャパシタ１０を含む。回路基板１は更に、キャパシタ１０の面１１ａ側に接着層２０ａで接着され、その接着層２０ａよりも弾性率が高い絶縁層３０ａと、キャパシタ１０の面１１ｂ側に接着層２０ｂで接着され、その接着層２０ｂよりも弾性率が高い絶縁層３０ｂとを含む。絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂによって剛性、強度を高め、キャパシタ１０の損傷、それによる回路基板１の性能及び信頼性の低下を抑える。【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置に関する。
回路基板にキャパシタ（コンデンサ）を内蔵する技術が知られている。キャパシタは、所定材料を用いた誘電体層を、上部電極及び下部電極となる一対の導体層で挟んだ構造とされる。このようなキャパシタを絶縁樹脂で被覆すること、このように絶縁樹脂で被覆したキャパシタを基板に内蔵すること等が知られている。
特開２００９−２６７３１０号公報
回路基板若しくはそれを用いた電子装置の製造時や、回路基板若しくは電子装置の使用時等に、回路基板の剛性、強度が不足すると、内蔵されるキャパシタの誘電体層にクラックが発生したり、誘電体層と導体層との間にクラックや剥離が発生したりする恐れがある。このようなクラックや剥離といったキャパシタの損傷は、その静電容量を低下させ、キャパシタを内蔵する回路基板の性能及び信頼性を低下させる可能性がある。
一観点によれば、第１誘電体層と、前記第１誘電体層の第１面上に設けられた第１導体層と、前記第１誘電体層の前記第１面とは反対の第２面上に設けられた第２導体層とを有する第１キャパシタと、前記第１面側に第１接着層で接着され、前記第１接着層よりも弾性率が高い第１絶縁層と、前記第２面側に第２接着層で接着され、前記第２接着層よりも弾性率が高い第２絶縁層とを含む回路基板が提供される。
また、一観点によれば、上記のような回路基板の製造方法、上記のような回路基板を備える電子装置が提供される。
キャパシタの損傷が抑えられる、性能及び信頼性に優れた回路基板が実現される。また、そのような回路基板を備える電子装置が実現される。
第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第２の実施の形態に係る回路基板の第１の例を示す図である。 第２の実施の形態に係る回路基板の第２の例を示す図である。 第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その１）である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その２）である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その３）である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図（その１）である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図（その２）である。 第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図（その３）である。 第５の実施の形態に係る回路基板の第１の例を示す図である。 第５の実施の形態に係る回路基板の第２の例を示す図である。 第５の実施の形態に係る回路基板の第３の例を示す図である。 第５の実施の形態に係る回路基板の第４の例を示す図である。 第６の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。 第７の実施の形態に係る電子機器の説明図である。
半導体装置等の電子部品が搭載される回路基板に関し、電源ノイズを低減するための手法の１つとして、セラミック等を主成分とする誘電体層とそれを挟む一対の導体層（電極層）とを備えるキャパシタ（薄膜キャパシタとも称される）を回路基板に内蔵するものが知られている。キャパシタを内蔵する回路基板では、例えば、回路基板の形成時や、形成された回路基板への電子部品の実装時に加えられる熱、或いは、形成された回路基板若しくはそれを用いた電子装置の使用時や試験時に加えられる熱により、応力が発生し得る。発生した応力に対し、回路基板の剛性、強度が不足すると、内蔵されるキャパシタの誘電体層にクラックが発生したり、誘電体層と電極層との間にクラックや剥離が発生したりする等、キャパシタが損傷する恐れがある。キャパシタの性能を向上させるためにその誘電体層を薄くしていると、このようなクラックや剥離等のキャパシタの損傷がいっそう発生し易くなる。キャパシタの損傷は、その静電容量を低下させ、キャパシタを内蔵する回路基板の性能及び信頼性を低下させる可能性がある。
上記のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような構成を採用し、回路基板に内蔵されるキャパシタの損傷を抑える。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１には、第１の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図１に示す回路基板１は、キャパシタ１０、接着層２０ａ、接着層２０ｂ、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂを有する。
キャパシタ１０は、誘電体層１１、誘電体層１１の一方の面１１ａに設けられた電極層１２ａ（導体層）、及び誘電体層１１の他方の面１１ｂ（面１１ａとは反対の面）に設けられた電極層１２ｂ（導体層）を有する。
誘電体層１１には、各種誘電体材料が用いられる。例えば、誘電体層１１には、セラミック材料が用いられる。誘電体層１１のセラミック材料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3；ＢＴＯ）等の各種高誘電体材料を用いることができる。誘電体層１１のセラミック材料としては、ＢＴＯにストロンチウム（Ｓｒ）を添加したチタン酸バリウムストロンチウム（ＢａxＳｒ1-xＴｉＯ3；ＢＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3；ＳＴＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3；ＰＺＴ）、ランタン（Ｌａ）を添加したＰＺＴ（ＰＬＺＴ）等の高誘電体材料が用いられてもよい。
電極層１２ａ及び電極層１２ｂには、各種導体材料が用いられる。例えば、電極層１２ａ及び電極層１２ｂには、金属材料が用いられる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂの金属材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂは、それぞれ所定形状にパターニングされる。例えば、電極層１２ａと電極層１２ｂとが誘電体層１１を介して重複（対向）する部位が形成されるように、電極層１２ａ及び電極層１２ｂにそれぞれ開口部１２ａａ及び開口部１２ｂａが設けられる。電極層１２ａの開口部１２ａａは、電極層１２ａ及び誘電体層１１を貫通して電極層１２ｂに接続する導体ビア（後述）を設けるために設けられる。電極層１２ｂの開口部１２ｂａは、電極層１２ｂ及び誘電体層１１を貫通して電極層１２ａに接続する導体ビア（後述）を設けるために設けられる。回路基板１は、その使用時等には、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位とされ、電極層１２ａと電極層１２ｂとが誘電体層１１を介して重複する部位が、コンデンサとして機能する。
このようなキャパシタ１０の、誘電体層１１の一方の面１１ａ側に、接着層２０ａで絶縁層３０ａが接着され、誘電体層１１の他方の面１１ｂ側に、接着層２０ｂで絶縁層３０ｂが接着される。図１に示す回路基板１では、誘電体層１１の面１１ａに、その面１１ａ上に設けられた電極層１２ａを覆うように接着層２０ａが設けられ、この接着層２０ａでキャパシタ１０（その面１１ａ）と絶縁層３０ａとが接着される。同様に、誘電体層１１の面１１ｂに、その面１１ｂ上に設けられた電極層１２ｂを覆うように接着層２０ｂが設けられ、この接着層２０ｂでキャパシタ１０（その面１１ｂ）と絶縁層３０ｂとが接着される。
ここで、絶縁層３０ａには、これを接着する接着層２０ａよりも弾性率が高いもの、例えば剛性率やヤング率が高いものが用いられる。絶縁層３０ｂには、これを接着する接着層２０ｂよりも弾性率が高いもの、例えば剛性率やヤング率が高いものが用いられる。
接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、それぞれ絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂよりも弾性率が低くなる有機系又は無機系の各種接着材料が用いられる。例えば、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、エポキシ樹脂系の接着材料が用いられる。このほか、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、それぞれ絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂよりも弾性率が低くなるものであれば、アクリル樹脂系、ポリエチレンテレフタレート樹脂系、フェノール樹脂系、シリコーンゴム系、シリケート系等の各種接着材料が用いられてもよい。また、接着層２０ａ及び接着層２０ｂの接着材料には、各種添加剤や、無機系又は有機系の表面絶縁性のフィラーが含有されてもよい。
絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、それぞれ接着層２０ａ及び接着層２０ｂよりも弾性率が高くなる各種絶縁材料が用いられる。例えば、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、ガラス、又はガラスを含有する絶縁材料が用いられる。このほか、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、樹脂、又は樹脂を含有する絶縁材料、例えば、ポリイミド樹脂、又はポリイミド樹脂を含有する絶縁材料が用いられる。例えば、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂには、ガラス板、ガラスファイバーやガラスクロスを樹脂中に含浸させたシート、ポリイミド樹脂シート、ポリイミド樹脂を主成分とする樹脂シート等が用いられる。
互いの弾性率について所定の大小関係を満足するように、接着層２０ａ及び接着層２０ｂの材料、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂの材料、接着層２０ａと絶縁層３０ａとの材料の組合せ、接着層２０ｂと絶縁層３０ｂとの材料の組合せが設定される。
尚、接着層２０ａと接着層２０ｂとは、必ずしも同じ接着材料を用いて形成されることを要しない。また、絶縁層３０ａと絶縁層３０ｂとは、必ずしも同じ絶縁材料を用いて形成されることを要しない。
上記のように、回路基板１では、キャパシタ１０が、接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して、それらよりもそれぞれ弾性率が高い絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂによって挟まれる。これにより、回路基板１の剛性、強度が高められる。
回路基板１の剛性、強度が高められることで、これを基本構造とする回路基板の形成時や、形成された回路基板への電子部品の実装時、形成された回路基板又はそれを用いた電子装置の使用時や試験時等の熱に起因した応力によるキャパシタ１０の損傷が抑えられる。即ち、回路基板１の剛性、強度が高められることで、誘電体層１１に発生するクラック、誘電体層１１と電極層１２ａ又は電極層１２ｂとの間に発生するクラックや剥離といったキャパシタ１０の損傷が抑えられる。これにより、キャパシタ１０の損傷による静電容量の低下が抑えられる。誘電体層１１を薄くしてキャパシタ１０の静電容量が高められている場合でも、回路基板１の剛性、強度が高められ、それによってキャパシタ１０の損傷が抑えられることで、キャパシタ１０の高い静電容量が維持される。
上記構成によれば、キャパシタ１０を内蔵する回路基板１及びこれを基本構造とする回路基板の性能及び信頼性の低下を効果的に抑えることが可能になる。
尚、回路基板１では、比較的弾性率が高い絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂをキャパシタ１０と接着する接着層２０ａ及び接着層２０ｂとして、熱膨張率の低い材料又は硬化収縮率の低い材料を用いることができる。このような材料を用いると、接着層２０ａ及び接着層２０ｂの加熱時の膨張、及びその後の冷却時の収縮によってキャパシタ１０に発生する応力を低減し、キャパシタ１０の損傷を抑えることができる。接着層２０ａ及び接着層２０ｂに用いることのできる、熱膨張率の低い材料又は硬化収縮率の低い材料としては、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、ポリエチレンテレフタレート樹脂系等の各種樹脂材料が挙げられる。また、各種樹脂材料（必ずしも熱膨張率の低い材料又は硬化収縮率の低い材料であることを要しない）に、シリカ等のフィラーを含有させ、相対的に樹脂成分の含有量を低減し、熱膨張又は硬化収縮を抑えるようにしてもよい。
次に、第２の実施の形態について説明する。
ここでは、上記第１の実施の形態で述べた回路基板１を基本構造とする回路基板の一例を、第２の実施の形態として説明する。
図２は第２の実施の形態に係る回路基板の第１の例を示す図である。図２には、第２の実施の形態に係る回路基板の、第１の例の要部断面を、模式的に図示している。
図２に示す回路基板１Ａは、キャパシタ１０の面１１ａ上及び面１１ｂ上に設けられた電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位に接続された導体ビア４０と、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられ導体ビア４０に接続された導体層５０とを有する。
回路基板１Ａは、電極層１２ａに接続される導体ビア４０として、絶縁層３０ａ及び接着層２０ａを貫通して電極層１２ａに接続された導体ビア４１を含む。更に、回路基板１Ａは、電極層１２ａに接続される導体ビア４０として、絶縁層３０ｂ、接着層２０ｂ、電極層１２ｂの開口部１２ｂａ及び誘電体層１１を貫通して電極層１２ａに接続された導体ビア４２を含む。また、回路基板１Ａは、電極層１２ｂに接続される導体ビア４０として、絶縁層３０ａ、接着層２０ａ、電極層１２ａの開口部１２ａａ及び誘電体層１１を貫通して電極層１２ｂに接続された導体ビア４３を含む。更に、回路基板１Ａは、電極層１２ｂに接続される導体ビア４０として、絶縁層３０ｂ及び接着層２０ｂを貫通して電極層１２ｂに接続された導体ビア４４を含む。
回路基板１Ａの導体層５０は、これらの導体ビア４１、導体ビア４２、導体ビア４３及び導体ビア４４とそれぞれ接続されるように、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられる。導体層５０は、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、所定の配線パターン形状となるように形成される。
例えば、回路基板１Ａの導体ビア４０及び導体層５０は、基本構造の回路基板１（図１）に対し、レーザー加工で電極層１２ａ及び電極層１２ｂに通じる孔を形成し、その孔内及び回路基板１の表面にめっきにより導体を形成し、その表面の導体をパターニングして得る。孔内に形成された導体が導体ビア４０となり、表面のパターニングされた導体が導体層５０となる。
尚、ここでは導体ビア４０として、孔内に導体材料を充填したフィルドビアを例示するが、孔の内壁に形成されたコンフォーマルビアが形成されてもよい。この場合、孔の内壁に形成された導体ビア４０の中央部に残る空洞には、エポキシ樹脂等の樹脂が充填されてもよい。
回路基板１Ａの使用時や試験時には、導体層５０及び導体ビア４０を通じて、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位とされ、誘電体層１１を介した電極層１２ａと電極層１２ｂとの重複部位が、コンデンサとして機能する。
上記図１に示した回路基板１を基本構造として、例えばこの図２に示すような、導体ビア４０及び導体層５０を有する回路基板１Ａが得られる。回路基板１Ａでは、キャパシタ１０が、接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれ、剛性、強度が高められていることで、キャパシタ１０の損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ａが実現される。
また、図３は第２の実施の形態に係る回路基板の第２の例を示す図である。図３には、第２の実施の形態に係る回路基板の、第２の例の要部断面を、模式的に図示している。
図３に示す回路基板１Ｂは、一方の絶縁層３０ａから他方の絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６０と、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられ導体ビア６０に接続された導体層５０とを有する。
回路基板１Ｂは、導体ビア６０として、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位を貫通する導体ビア６１及び導体ビア６２と、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位を貫通する導体ビア６３と含む。
導体ビア６１は、絶縁層３０ａ、接着層２０ａ、電極層１２ａ、誘電体層１１、電極層１２ｂの開口部１２ｂａ、接着層２０ｂ及び絶縁層３０ｂを貫通する。導体ビア６２は、絶縁層３０ａ、接着層２０ａ、電極層１２ａの開口部１２ａａ、誘電体層１１、電極層１２ｂ、接着層２０ｂ及び絶縁層３０ｂを貫通する。導体ビア６１は、キャパシタ１０の面１１ａ上に設けられた電極層１２ａと接続され、導体ビア６２は、キャパシタ１０の面１１ｂ上に設けられた電極層１２ｂと接続される。また、導体ビア６３は、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位の、絶縁層３０ａ、接着層２０ａ、誘電体層１１、接着層２０ｂ及び絶縁層３０ｂを貫通する。
回路基板１Ｂの導体層５０は、これらの導体ビア６１、導体ビア６２及び導体ビア６３とそれぞれ接続されるように、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられる。導体層５０は、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、所定の配線パターン形状となるように形成される。
例えば、回路基板１Ｂの導体ビア６０及び導体層５０は、基本構造の回路基板１（図１）に対し、ドリル加工で絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する孔を形成し、その孔の内壁及び回路基板１の表面にめっきで導体を形成し、その表面の導体をパターニングして得る。孔の内壁に形成された導体が導体ビア６０となり、表面のパターニングされた導体が導体層５０となる。
尚、内壁に導体ビア６０が形成された孔の中央部には、空洞が残されてもよいし、エポキシ樹脂等の樹脂（図示せず）が充填されてもよい。樹脂で充填される場合は、充填後、孔内の導体ビア６０上及びその内側の樹脂上に、更にめっきで導体が形成されてもよい（いわゆる蓋めっき）。また、ここでは導体ビア６０として、孔の内壁に形成されたコンフォーマルビアを例示するが、孔内に導体材料を充填したフィルドビアが形成されてもよい。
回路基板１Ｂの使用時や試験時には、導体層５０及び導体ビア６０を通じて、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位とされ、誘電体層１１を介した電極層１２ａと電極層１２ｂとの重複部位が、コンデンサとして機能する。
上記図１に示した回路基板１を基本構造として、例えばこの図３に示すような、導体ビア６０及び導体層５０を有する回路基板１Ｂが得られる。回路基板１Ｂでは、キャパシタ１０が、接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれ、剛性、強度が高められていることで、キャパシタ１０の損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｂが実現される。
尚、上記の回路基板１Ａ及び回路基板１Ｂにおいて、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、導体層５０が形成される絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂに比べて、誘電率等の物性値が回路基板１Ａ及び回路基板１Ｂの電気的特性に及ぼす影響が小さい。従って、接着層２０ａ及び接着層２０ｂには、接着性を有するものであれば各種接着材料を用いることができる。接着層２０ａ及び接着層２０ｂについては、電気的特性よりも接着性（接着力）をより重視して材料を選択してもよい。
次に、第３の実施の形態について説明する。
ここでは、上記第１の実施の形態で述べた回路基板１を基本構造とする回路基板の別の例を、第３の実施の形態として説明する。
図４は第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図４には、第３の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
図４に示す回路基板１Ｃは、絶縁層３０ａと絶縁層３０ｂとの間に設けられた２層のキャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃを有する。回路基板１Ｃは更に、一方の絶縁層３０ａから他方の絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６０と、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられ導体ビア６０に接続された導体層５０とを有する。
キャパシタ１０Ｃは、キャパシタ１０と同様に、誘電体層１１、その一方の面１１ａ及び他方の面１１ｂにそれぞれ設けられた電極層１２ａ及び電極層１２ｂを有する。例えば、上記図１に示した回路基板１の、キャパシタ１０とその面１１ａ側に接着層２０ａで接着される絶縁層３０ａとの間に、もう１層のキャパシタ１０Ｃが設けられる。このキャパシタ１０Ｃ（その面１１ａ）に、接着層２０ａで絶縁層３０ａが接着される。キャパシタ１０Ｃ（その面１１ｂ）とキャパシタ１０（その面１１ａ）とは、それらの間に介在される接着層２０ｃで接着される。接着層２０ｃには、接着層２０ａ及び接着層２０ｂと同様に、有機系又は無機系の各種接着材料が用いられる。
回路基板１Ｃは、導体ビア６０として、２層のキャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃの、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位を貫通する導体ビア６１及び導体ビア６２と、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位を貫通する導体ビア６３と含む。導体ビア６１は、キャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃの双方の電極層１２ａと接続され、導体ビア６２は、キャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃの双方の電極層１２ｂと接続される。
回路基板１Ｃの導体層５０は、これらの導体ビア６１、導体ビア６２及び導体ビア６３とそれぞれ接続されるように、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に設けられる。導体層５０は、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、所定の配線パターン形状となるように形成される。
例えば、回路基板１Ｃの導体ビア６０及び導体層５０は、基本構造の回路基板１（図１）に上記キャパシタ１０Ｃ及び接着層２０ｃを付加したものに対し、ドリル加工による孔の形成、めっきによる導体の形成、及びそのパターニングによって得る。孔の内壁に形成された導体が導体ビア６０となり、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上のパターニングされた導体が導体層５０となる。
尚、内壁に導体ビア６０が形成された孔の中央部には、空洞が残されてもよいし、エポキシ樹脂等の樹脂（図示せず）が充填されてもよい。樹脂で充填される場合は、充填後、孔内の導体ビア６０上及びその内側の樹脂上に、更にめっきで導体が形成されてもよい（蓋めっき）。また、ここでは導体ビア６０として、孔の内壁に形成されたコンフォーマルビアを例示するが、孔内に導体材料を充填したフィルドビアが形成されてもよい。
回路基板１Ｃの使用時や試験時には、導体層５０及び導体ビア６０を通じて、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方がＧＮＤ電位とされ、誘電体層１１を介した電極層１２ａと電極層１２ｂとの重複部位が、コンデンサとして機能する。
上記図１に示したキャパシタ１０を有する回路基板１を基本構造として、例えばこの図４に示すような、もう１層のキャパシタ１０Ｃ、並びに導体ビア６０及び導体層５０を有する回路基板１Ｃが得られる。回路基板１Ｃでは、接着層２０ｃで接着されたキャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃが、接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれ、剛性、強度が高められていることで、キャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃの損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｃが実現される。
尚、回路基板１Ｃにおいて、キャパシタ１０とキャパシタ１０Ｃとを接着する接着層２０ｃには、接着層２０ａ及び接着層２０ｂと弾性率が同等のものを用いてもよいし、接着層２０ａ及び接着層２０ｂよりも弾性率が高いものを用いてもよい。また、接着層２０ｃには、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂと弾性率が同等のものを用いてもよいし、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂよりも弾性率が高いものを用いてもよい。キャパシタ１０とキャパシタ１０Ｃとの間にこのような接着層２０ｃを設けることで、回路基板１Ｃの剛性、強度の向上を図ることもできる。
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、回路基板の形成方法の一例を、第４の実施の形態として説明する。
図５〜図７は第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）、及び図７（Ａ）〜図７（Ｃ）にはそれぞれ、第４の実施の形態に係る回路基板形成の一例の、各工程の要部断面を、模式的に図示している。
まず、図５（Ａ）に示すような、誘電体層１１が電極層１２ａ及び電極層１２ｂで挟まれたキャパシタ１０が準備される。
例えば、Ｎｉ若しくはＣｕ、又はＮｉ若しくはＣｕを主成分とする一方の電極層１２ａ上に、ＢＴＯ、又はＢＴＯを主成分とする誘電体層１１を焼結形成し、その上に、Ｃｕ、又はＣｕを主成分とする他方の電極層１２ｂを被覆形成する。このような方法により、図５（Ａ）に示すようなキャパシタ１０が得られる。キャパシタ１０の誘電体層１１の厚さは、例えば０．５μｍ〜２μｍとされる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂの厚さは、それぞれ例えば１０μｍ〜３０μｍとされる。
準備されたキャパシタ１０は、例えば、図５（Ｂ）に示すように、ベース基板２に、一方の電極層１２ａをベース基板２側に向けて貼付され、他方の電極層１２ｂがエッチング等によりパターニングされる。このパターニングにより、所定部位に開口部１２ｂａが設けられた電極層１２ｂが形成される。
尚、電極層１２ｂのパターニングは、ベース基板２に貼付せずに行ってもよい。また、図５（Ａ）のキャパシタ１０を得る際に、ベース基板２上に電極層１２ａを形成し、その上に誘電体層１１を形成し、更にその上に電極層１２ｂを形成して、図５（Ｂ）のように電極層１２ｂをパターニングするようにしてもよい。
電極層１２ｂのパターニング後、図５（Ｃ）に示すように、キャパシタ１０（その面１１ｂ）上に、パターニングされた電極層１２ｂを覆うように、接着層２０ｂが形成される。接着層２０ｂには、エポキシ樹脂等、前述のような各種接着材料が用いられる。接着層２０ｂは、例えば、液状若しくはペースト状の接着材料をキャパシタ１０上に塗布する、或いはシート状の接着材料をキャパシタ１０上に貼付することで、形成される。
接着層２０ｂの形成後、図５（Ｃ）に示すように、接着層２０ｂ上に、それよりも弾性率が高い絶縁層３０ｂが形成される。絶縁層３０ｂには、ガラス、ポリイミド樹脂等、前述のような各種絶縁材料が用いられる。絶縁層３０ｂは、例えば、シート状の絶縁材料を、加圧及び加熱によって接着層２０ｂ上に貼付することで、形成される。
これにより、絶縁層３０ｂが、接着層２０ｂでキャパシタ１０に接着される。接着層２０ｂの厚さは、例えば５０μｍ〜１００μｍとされる。絶縁層３０ｂの厚さは、例えば５０μｍ〜１００μｍとされる。
接着層２０ｂによる絶縁層３０ｂの接着後、図６（Ａ）に示すように、ベース基板２が剥離される。
ベース基板２の剥離後、図６（Ｂ）に示すように、キャパシタ１０の他方の電極層１２ａが、エッチング等によりパターニングされる。このパターニングにより、所定部位に開口部１２ａａが設けられた電極層１２ａが形成される。この電極層１２ａのパターニングは、図６（Ａ）の工程後、キャパシタ１０を再度ベース基板にその電極層１２ｂをそのベース基板側に向けて貼付してから行われてもよい。
電極層１２ａのパターニング後、図６（Ｃ）に示すように、キャパシタ１０（その面１１ａ）上に、パターニングされた電極層１２ａを覆うように、接着層２０ａが形成される。接着層２０ａには、エポキシ樹脂等、前述のような各種接着材料が用いられる。接着層２０ａは、例えば、液状若しくはペースト状の接着材料をキャパシタ１０上に塗布する、或いはシート状の接着材料をキャパシタ１０上に貼付することで、形成される。
接着層２０ａの形成後、図６（Ｃ）に示すように、接着層２０ａ上に、それよりも弾性率が高い絶縁層３０ａが形成される。絶縁層３０ａには、ガラス、ポリイミド樹脂等、前述のような各種絶縁材料が用いられる。絶縁層３０ａは、例えば、シート状の絶縁材料を、加圧及び加熱によって接着層２０ａ上に貼付することで、形成される。
これにより、絶縁層３０ａが、接着層２０ａでキャパシタ１０に接着される。接着層２０ａの厚さは、例えば５０μｍ〜１００μｍとされる。絶縁層３０ａの厚さは、例えば５０μｍ〜１００μｍとされる。
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）及び図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すような工程により、上記第１の実施の形態で述べたような回路基板１（図１）が得られる。
このようにして得られた回路基板１が用いられ、それを基本構造とする回路基板が形成される。
例えば、図７（Ａ）に示すように、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位に接続された導体ビア４０、及び導体ビア４０に接続された導体層５０が形成される。
図７（Ａ）に示す導体ビア４０及び導体層５０は、例えば次のようにして形成される。まず、基本構造の回路基板１（図１）に対し、レーザー加工によって電極層１２ａ及び電極層１２ｂに通じる孔が形成される。孔の径は、例えば５０μｍ〜２５０μｍとされる。次いで、無電解めっき又は電解めっきが施され、形成された孔内、並びに回路基板１の表面の絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、導体が形成される。そして、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成された導体が、エッチング等によって所定の配線パターン形状にパターニングされる。これにより、回路基板１の孔内に、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される導体ビア４０が形成され、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、導体ビア４０に接続される導体層５０（配線）が形成される。
図７（Ａ）に示すような工程により、上記第２の実施の形態で述べたような回路基板１Ａ（図２）が得られる。
導体ビア４０及び導体層５０の形成後、例えば、更に図７（Ｂ）に示すように、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂが形成され、そこに、図７（Ｃ）に示すように、導体ビア８０及び導体層９０が形成されてもよい。
絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂには、多層回路基板の配線層間の絶縁層（層間絶縁膜）として用いられる各種絶縁材料が用いられる。例えば、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂには、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料が用いられる。このような材料が用いられた絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂが、図７（Ｂ）に示すように、導体ビア４０及び導体層５０の形成まで行われた絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成される。絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂの厚さは、例えば３０μｍ〜１００μｍとされる。
そして、形成された絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに、図７（Ｃ）に示すような導体ビア８０及び導体層９０が形成される。
図７（Ｃ）に示す導体ビア８０及び導体層９０は、例えば次のようにして形成される。まず、形成された絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに対し、レーザー加工によって導体層５０に通じる孔が形成される。孔の径は、例えば５０μｍ〜２５０μｍとされる。次いで、無電解めっき又は電解めっきが施され、形成された孔内、並びに絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に、導体が形成される。そして、絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に形成された導体が、エッチング等によって所定の配線パターン形状にパターニングされる。これにより、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂの孔内に、下層側の導体層５０（下層配線）に接続される導体ビア８０が形成され、絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に、導体ビア８０に接続される上層側の導体層９０（上層配線）が形成される。
図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）に示すような工程により、キャパシタ１０のほか、複数の配線層（導体層５０，９０）を含む、多層の回路基板１Ｄを得てもよい。
尚、図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）に示すような工程を複数回繰り返して実施することで、所望の配線層数の回路基板１Ｄを得ることができる。
例えば、多層の回路基板１Ｄにおいて、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂの絶縁材料には、その上層に設けられる絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂ等に用いられる絶縁材料よりも弾性率が高いもの、例えば剛性率やヤング率が高いものが用いられる。このような絶縁材料を用いた絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂを、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂ等とキャパシタ１０との間に介在させることで、回路基板１Ｄの剛性、強度が高められ、キャパシタ１０の損傷が効果的に抑えられるようになる。回路基板１Ｄでは、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂによって剛性、強度が高められるため、その上層に設ける絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂ等については、その剛性等の機械的特性よりも誘電率等の電気的特性をより重視して材料を選択してもよい。
また、図８〜図１０は第４の実施の形態に係る回路基板の形成方法の別例を示す図である。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）、並びに図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）にはそれぞれ、第４の実施の形態に係る回路基板形成の別例の、各工程の要部断面を、模式的に図示している。
例えば、上記図６（Ｃ）の工程後、図８（Ａ）に示すように、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位を貫通する導体ビア６０、並びに電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位を貫通する導体ビア６０が形成される。
この場合は、例えば、それらの各部位を貫通する孔がドリル加工によって形成され、無電解めっき又は電解めっきが施され、形成された孔の内壁、並びに絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、導体が形成される。そして、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成された導体が、エッチング等によって所定の配線パターン形状にパターニングされる。これにより、絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６０、並びにそれらに接続される導体層５０を含む、上記第２の実施の形態で述べたような回路基板１Ｂ（図３）が得られる。
回路基板１Ｂの形成において、ドリル加工による孔の形成、無電解めっき又は電解めっきによる導体の形成後、孔に残る空洞部への樹脂の充填及び蓋めっきを行い、その後、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成された導体のパターニングを行ってもよい。このような方法によれば、図８（Ｂ）に示すような、導体ビア６０の内側が樹脂１００で充填された回路基板１Ｂが得られる。
このほか、例えば、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すような回路基板１Ｅ、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すような回路基板１Ｆを得ることもできる。
例えば、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すような回路基板１Ｅを得る場合には、次のような方法が用いられる。上記図７（Ａ）の工程において、まず、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに通じる孔がレーザー加工で形成され、その孔に導体ビア４０が形成される。次いで、ドリル加工により、図９（Ａ）に示すように、絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する孔が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位に形成される。続いて、無電解めっき又は電解めっきが施され、形成された孔の内壁、並びに絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、導体が形成される。そして、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成された導体が、エッチング等によって所定の配線パターン形状にパターニングされる。これにより、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される導体ビア４０、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されずに絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６０（導体ビア６３）、並びにそれらに接続される導体層５０を含む、図９（Ａ）に示すような回路基板１Ｅが得られる。
回路基板１Ｅの形成においては、ドリル加工による孔の形成、無電解めっき又は電解めっきによる導体の形成後、孔に残る空洞部への樹脂の充填及び蓋めっきを行い、その後、絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に形成された導体のパターニングを行ってもよい。このような方法によれば、図９（Ｂ）に示すような、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されずに絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６３の内側が樹脂１００で充填された回路基板１Ｅが得られる。
また、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すような回路基板１Ｆを得る場合には、次のような方法が用いられる。上記図７（Ｃ）の工程において、まず、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに対し、導体層５０に通じる孔がレーザー加工で形成され、その孔に導体ビア８０が形成される。次いで、ドリル加工により、図１０（Ａ）に示すように、絶縁層７０ａから絶縁層７０ｂまで貫通する孔が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位に形成される。続いて、無電解めっき又は電解めっきが施され、形成された孔の内壁、並びに絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に、導体が形成される。そして、絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に形成された導体が、エッチング等によって所定の配線パターン形状にパターニングされる。これにより、導体層５０に接続される導体ビア８０、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されずに絶縁層７０ａから絶縁層７０ｂまで貫通する導体ビア６０（導体ビア６４）、並びにそれらに接続される導体層９０を含む、図１０（Ａ）に示すような回路基板１Ｆが得られる。
回路基板１Ｆの形成においては、ドリル加工による孔の形成、無電解めっき又は電解めっきによる導体の形成後、孔に残る空洞部への樹脂の充填及び蓋めっきを行い、その後、絶縁層７０ａ上及び絶縁層７０ｂ上に形成された導体のパターニングを行ってもよい。このような方法によれば、図１０（Ｂ）に示すような、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されずに絶縁層７０ａから絶縁層７０ｂまで貫通する導体ビア６４の内側が樹脂１００で充填された回路基板１Ｆが得られる。
また、上記図４に示したような回路基板１Ｃは、次のような方法を用いて得ることができる。図６（Ｃ）に示した接着層２０ａによる絶縁層３０ａの接着前に、キャパシタ１０上に、別途準備されたキャパシタ１０Ｃを接着層２０ｃで接着し、このキャパシタ１０Ｃ上に接着層２０ａで絶縁層３０ａを接着する。これにより、接着層２０ｃで接着されたキャパシタ１０及びキャパシタ１０Ｃが、接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して、絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれた構造が得られる。この構造に対し、上記の例に従い、ドリル加工による孔の形成、導体の形成及びパターニング等を行うことで、上記第３の実施の形態で述べたような回路基板１Ｃ（図４）が得られる。
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１１は第５の実施の形態に係る回路基板の第１の例を示す図である。図１１には、第５の実施の形態に係る回路基板の、第１の例の要部断面を、模式的に図示している。
図１１に示す回路基板１Ｅａは、キャパシタ１０が接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介してそれらよりも弾性率が高い絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれた回路基板１（図１）を基本構造とする回路基板の一例である。
回路基板１Ｅａは、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される導体ビア４０と、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されずに絶縁層３０ａから絶縁層３０ｂまで貫通する導体ビア６０と、それらに接続される導体層５０とを含む。図１１では、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される導体ビア４０として、導体ビア４１、導体ビア４２、導体ビア４３及び導体ビア４４を図示し、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６０として、導体ビア６３を図示している。導体ビア６３の内側には、上記図９（Ｂ）の例に従い、樹脂１００が充填されてもよい。
回路基板１Ｅａでは、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３の径ｄ１が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２よりも大きな値とされる。
このように電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２を比較的小さくすることで、電極層１２ａに接続される導体ビア４２、及び電極層１２ｂに接続される導体ビア４３が、誘電体層１１を貫通する部位が大きくなるのを抑える。更に、導体ビア４２を形成するために電極層１２ｂに設ける開口部１２ｂａのサイズ、及び導体ビア４３を形成するために電極層１２ａに設ける開口部１２ａａのサイズが大きくなるのを抑える。これにより、コンデンサとして機能する部位（誘電体層１１が電極層１２ａと電極層１２ｂとで挟まれた部位）をキャパシタ１０内に多く残し、導体ビア４１〜４４を設けることによる静電容量の低減を抑えることが可能になる。
一方、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３については、その径ｄ１を大きくすることで、めっき時の孔内への導体の形成を容易にし、その形成不良（導体の未形成部位や極薄部位の発生等）を抑える。これにより、表裏面間の導通の確保、大電流化への対応等が可能になる。
キャパシタ１０に接着層２０ａ及び接着層２０ｂでそれぞれ接着される高弾性率の絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂ、径ｄ２が調整された導体ビア４１〜４４、並びに径ｄ１が調整された導体ビア６３により、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｅａが実現される。
図１２は第５の実施の形態に係る回路基板の第２の例を示す図である。図１２には、第５の実施の形態に係る回路基板の、第２の例の要部断面を、模式的に図示している。
図１２に示す回路基板１Ｂａは、キャパシタ１０が接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介してそれらよりも高弾性率の絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれた回路基板１（図１）を基本構造とする回路基板の一例である。
回路基板１Ｂａは、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位を貫通する導体ビア６０と、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位を貫通する導体ビア６０と、それらに接続される導体層５０とを含む。図１２では、電極層１２ａ及び電極層１２ｂの互いの非重複部位を貫通する導体ビア６０として、導体ビア６１及び導体ビア６２を図示し、電極層１２ａ及び電極層１２ｂがいずれも存在しない部位を貫通する導体ビア６０として、導体ビア６３を図示している。導体ビア６３の内側には、上記図８（Ｂ）の例に従い、樹脂１００が充填されてもよい。
回路基板１Ｂａでは、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３の径ｄ１が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア６１及び導体ビア６２の径ｄ３よりも大きな値とされる。
このように電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア６１及び導体ビア６２の径ｄ３を比較的小さくすることで、導体ビア６１及び導体ビア６２が誘電体層１１を貫通する部位が大きくなるのを抑える。更に、導体ビア６１を形成するために電極層１２ｂに設ける開口部１２ｂａのサイズ、及び導体ビア６２を形成するために電極層１２ａに設ける開口部１２ａａのサイズが大きくなるのを抑える。これにより、コンデンサとして機能する部位（誘電体層１１が電極層１２ａと電極層１２ｂとで挟まれた部位）をキャパシタ１０内に多く残し、導体ビア６１及び導体ビア６２を設けることによる静電容量の低減を抑えることが可能になる。
一方、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３については、その径ｄ１を大きくすることで、めっき時の孔内への導体の形成を容易にし、その形成不良（導体の未形成部位や極薄部位の発生等）を抑える。これにより、表裏面間の導通の確保、大電流化への対応等が可能になる。
キャパシタ１０に接着層２０ａ及び接着層２０ｂでそれぞれ接着される高弾性率の絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂ、径ｄ３が調整された導体ビア６１，６２、並びに径ｄ１が調整された導体ビア６３により、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｂａが実現される。
図１３は第５の実施の形態に係る回路基板の第３の例を示す図である。図１３には、第５の実施の形態に係る回路基板の、第３の例の要部断面を、模式的に図示している。
図１３に示す回路基板１Ｆａは、上記図１１に示した回路基板１Ｅａの絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、それぞれ絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂが設けられ、それらにそれぞれ導体ビア８０及び導体層９０が設けられた構造を有する。
回路基板１Ｆａでは、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに設けられる導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６０（導体ビア６３）の径ｄ１よりも大きな値とされる。更に、回路基板１Ｆａでは、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに設けられる導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４０（導体ビア４１〜４４）の径ｄ２よりも大きな値とされる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３の径ｄ１は、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２より大きくてもよいし、径ｄ２と同じでもよい。
電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２を比較的小さくすることで、コンデンサとして機能する部位（誘電体層１１が電極層１２ａと電極層１２ｂとで挟まれた部位）をキャパシタ１０内に多く残す。これにより、導体ビア４１〜４４を設けることによる静電容量の低減を抑えることが可能になる。
更に、比較的小さい径ｄ１の導体ビア６３上、及び比較的小さい径ｄ２の導体ビア４１〜４４上に、比較的大きい径ｄ４の導体ビア８０を接続することで、電気接続の確保、機械的強度の向上等を図ることが可能になる。特に、内側に樹脂１００が充填される導体ビア６３では、樹脂１００の熱膨張を、比較的大きい径ｄ４の導体ビア８０で押え込み、導体ビア６３上の導体層５０の剥離や断線を抑えることが可能になる。
キャパシタ１０に接着層２０ａ及び接着層２０ｂでそれぞれ接着される高弾性率の絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂ、径ｄ４が調整された導体ビア８０、径ｄ１，ｄ２が調整された導体ビア６３，４１〜４４により、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｆａが実現される。
尚、上記図１２に示した回路基板１Ｂａの絶縁層３０ａ上及び絶縁層３０ｂ上に、それぞれ絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂを設け、それらにそれぞれ導体ビア８０及び導体層９０を設けた回路基板でも、同様の構成とすることができる。即ち、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに設けられる導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６３の径ｄ１よりも大きな値とされる。更に、絶縁層７０ａ及び絶縁層７０ｂに設けられる導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア６１及び導体ビア６２の径ｄ３よりも大きな値とされる。比較的小さい径ｄ３の導体ビア６１及び導体ビア６２を設けることで、キャパシタ１０の静電容量の低減が抑えられ、比較的大きい径ｄ４の導体ビア８０を設けることで、電気接続の確保、機械的強度の向上等が図られる。特に、内側に樹脂１００が充填される導体ビア６１〜６３では、樹脂１００の熱膨張が、比較的大きい径ｄ４の導体ビア８０で押え込まれ、導体ビア６１〜６３上の導体層５０の剥離や断線が抑えられる。
図１４は第５の実施の形態に係る回路基板の第４の例を示す図である。図１４には、第５の実施の形態に係る回路基板の、第４の例の要部断面を、模式的に図示している。
図１４に示す回路基板１Ｆｂでは、導体層５０に接続される導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４０（導体ビア４１〜４４）の径ｄ２よりも大きな値とされる。更に、回路基板１Ｆｂでは、導体層５０に接続される導体ビア８０の径ｄ４が、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６０（導体ビア６４）の径ｄ５よりも大きな値とされる。電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続されない導体ビア６４の径ｄ５は、電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２より大きくてもよいし、径ｄ２と同じでもよい。導体ビア６４の内側には、上記図１０（Ｂ）の例に従い、樹脂１００が充填されてもよい。
電極層１２ａ及び電極層１２ｂに接続される各導体ビア４１〜４４の径ｄ２を比較的小さくすることで、コンデンサとして機能する部位（誘電体層１１が電極層１２ａと電極層１２ｂとで挟まれた部位）をキャパシタ１０内に多く残す。これにより、導体ビア４１〜４４を設けることによる静電容量の低減を抑えることが可能になる。
キャパシタ１０に接着層２０ａ及び接着層２０ｂでそれぞれ接着される高弾性率の絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂ、径ｄ４が調整された導体ビア８０、径ｄ２，ｄ５が調整された導体ビア４１〜４４，６４により、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｆｂが実現される。
次に、第６の実施の形態について説明する。
上記第１〜第５の実施の形態で述べたような回路基板の上には、半導体チップや半導体パッケージ等の半導体装置をはじめ、各種電子部品を搭載することができる。
図１５は第６の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１５には第５の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
ここでは、上記第４の実施の形態で述べた回路基板１Ｄを例にする。図１５に示す電子装置２００は、回路基板１Ｄと、回路基板１Ｄ上に搭載された電子部品２１０とを含む。電子装置２００は、電子部品２１０を搭載する回路基板１Ｄが、更に回路基板２２０上に搭載された構成を有する。
電子部品２１０は、例えば、半導体チップ、又は半導体チップを含む半導体パッケージである。このような電子部品２１０が、回路基板１Ｄ上に搭載される。回路基板１Ｄの、電子部品２１０の搭載面側に設けられた導体層９０（端子）と、電子部品２１０に設けられた導体層２１１（端子）とが、半田等を用いたバンプ２３０を介して接合される。これにより、電子部品２１０と回路基板１Ｄとが電気的に接続される。
このように電子部品２１０が搭載された回路基板１Ｄが、更に回路基板２２０上に搭載される。回路基板２２０は、例えばプリント基板である。回路基板１Ｄの、回路基板２２０側に設けられた導体層９０（端子）と、回路基板２２０に設けられた導体層２２１（端子）とが、半田等を用いたバンプ２４０を介して接合される。これにより、電子部品２１０が搭載された回路基板１Ｄと、回路基板２２０とが、電気的に接続される。
電子装置２００では、回路基板２２０から、バンプ２４０、回路基板１Ｄ及びバンプ２３０を介して、電子部品２１０に電源が供給される。回路基板２２０から電子部品２１０への電源供給ライン上に、回路基板１Ｄに内蔵されたキャパシタ１０が、その電極層１２ａ及び電極層１２ｂの一方が電源電位、他方（例えば電極層１２ｂ）がＧＮＤ電位とされて、挿入される。電源供給ライン上にキャパシタ１０が挿入されることで、電源インピーダンスの低減、電源電圧の変動、高周波ノイズの発生が抑えられ、電子部品２１０の安定な動作が実現される。
回路基板１Ｄでは、キャパシタ１０が接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれて剛性、強度が高められている。これにより、形成時、使用時、試験時等の熱に起因した応力によるキャパシタ１０の損傷が抑えられ、性能及び信頼性に優れた回路基板１Ｄが実現される。このような回路基板１Ｄが用いられることで、熱に対する性能及び信頼性に優れた電子装置２００が実現される。
ここでは、上記第４の実施の形態で述べた回路基板１Ｄを用いた電子装置２００を例示した。このほか、上記第１〜第５の実施の形態で述べた他の回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｂａ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｅａ，１Ｆ，１Ｆａ，１Ｆｂ等を用いた電子装置も同様に実現可能である。
次に、第７の実施の形態について説明する。
上記第１〜第５の実施の形態で述べたような回路基板、又はそのような回路基板を用いて得られる電子装置は、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
図１６は第７の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１６には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図１６に示すように、例えば上記第６の実施の形態で述べたような電子装置２００（図１５）が各種電子機器３００に搭載（内蔵）される。
電子装置２００では、回路基板１Ｄのキャパシタ１０が接着層２０ａ及び接着層２０ｂを介して絶縁層３０ａ及び絶縁層３０ｂで挟まれて剛性、強度が高められていることで、キャパシタ１０の損傷が抑えられる。これにより、性能及び信頼性に優れた電子装置２００が実現され、そのような電子装置２００を搭載する、信頼性及び性能に優れた電子機器３００が実現される。
ここでは、上記第６の実施の形態で述べた、回路基板１Ｄを用いた電子装置２００を搭載する電子機器３００を例示した。このほか、上記第１〜第５の実施の形態で述べた他の回路基板１，１Ａ，１Ｂ，１Ｂａ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｅａ，１Ｆ，１Ｆａ，１Ｆｂ等を用いた電子装置も同様に、各種電子機器に搭載することが可能である。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｂａ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｅａ，１Ｆ，１Ｆａ，１Ｆｂ，２２０ 回路基板
２ ベース基板
１０，１０Ｃ キャパシタ
１１ 誘電体層
１１ａ，１１ｂ 面
１２ａ，１２ｂ 電極層
１２ａａ，１２ｂａ 開口部
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 接着層
３０ａ，３０ｂ，７０ａ，７０ｂ 絶縁層
４０，４１，４２，４３，４４，６０，６１，６２，６３，６４，８０ 導体ビア
５０，９０，２１１，２２１ 導体層
１００ 樹脂
２００ 電子装置
２１０ 電子部品
２３０，２４０ バンプ
３００ 電子機器
ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，ｄ５ 径

Claims (11)

  1. 第１誘電体層と、前記第１誘電体層の第１面上に設けられた第１導体層と、前記第１誘電体層の前記第１面とは反対の第２面上に設けられた第２導体層とを有する第１キャパシタと、
    前記第１面側に第１接着層で接着され、前記第１接着層よりも弾性率が高い第１絶縁層と、
    前記第２面側に第２接着層で接着され、前記第２接着層よりも弾性率が高い第２絶縁層と
    を含むことを特徴とする回路基板。
  2. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層にガラスが用いられることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
  3. 前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層にポリイミド樹脂が用いられることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
  4. 前記第１接着層及び前記第２接着層にエポキシ樹脂が用いられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板。
  5. 前記第１接着層は、前記第１絶縁層と前記第１キャパシタとを接着し、
    前記第２接着層は、前記第２絶縁層と前記第１キャパシタとを接着することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板。
  6. 前記第１キャパシタと前記第１接着層との間に設けられ、第２誘電体層と、前記第２誘電体層の第３面上に設けられた第３導体層と、前記第２誘電体層の前記第３面とは反対の第４面上に設けられた第４導体層とを有する第２キャパシタと、
    前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとを接着する第３接着層と
    を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板。
  7. 前記第１絶縁層上に設けられ、前記第１絶縁層よりも弾性率が低い第３絶縁層と、
    前記第２絶縁層上に設けられ、前記第２絶縁層よりも弾性率が低い第４絶縁層と
    を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の回路基板。
  8. 前記第１導体層又は前記第２導体層と接続された第１導体ビアと、
    前記第１導体層及び前記第２導体層と非接続であって、前記第１導体ビアよりも大きな径を有する第２導体ビアと
    を更に含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板。
  9. 前記第１導体層又は前記第２導体層と接続された第１導体ビアと、
    前記第１絶縁層上に設けられた第５絶縁層と、
    前記第５絶縁層内に設けられ、前記第１導体ビアよりも大きな径を有する第３導体ビアと
    を更に含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板。
  10. 誘電体層と、前記誘電体層の第１面上に設けられた第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面上に設けられた第２導体層とを有するキャパシタの、前記第１面側に、第１接着層で、前記第１接着層よりも弾性率が高い第１絶縁層を接着する工程と、
    前記第２面側に、第２接着層で、前記第２接着層よりも弾性率が高い第２絶縁層を接着する工程と
    を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
  11. 回路基板と、
    前記回路基板に搭載された電子部品と
    を備え、
    前記回路基板は、
    誘電体層と、前記誘電体層の第１面上に設けられた第１導体層と、前記誘電体層の前記第１面とは反対の第２面上に設けられた第２導体層とを有するキャパシタと、
    前記第１面側に第１接着層で接着され、前記第１接着層よりも弾性率が高い第１絶縁層と、
    前記第２面側に第２接着層で接着され、前記第２接着層よりも弾性率が高い第２絶縁層と
    を含むことを特徴とする電子装置。
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